JPS636895A - Method of forming photo-solder resist film - Google Patents

Method of forming photo-solder resist film

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JPS636895A
JPS636895A JP15101086A JP15101086A JPS636895A JP S636895 A JPS636895 A JP S636895A JP 15101086 A JP15101086 A JP 15101086A JP 15101086 A JP15101086 A JP 15101086A JP S636895 A JPS636895 A JP S636895A
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Japan
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solder resist
photo solder
film
printed wiring
photo
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奥西 達也
通 中井
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Ibiden Co Ltd
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Ibiden Co Ltd
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  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、プリント配線板上の導体回路の保護等を目的
として、当該プリント配線板上に形成される7オトソル
ダーレジスト被膜の形成方法に関するものである。
Detailed Description of the Invention (Industrial Field of Application) The present invention relates to a method for forming a solder resist film on a printed wiring board for the purpose of protecting conductor circuits on the printed wiring board. It is something.

(従来の技術) プリント配線板にあっては、その上に形成されている導
体回路を剥離や酸化から保護するために、この導体回路
を銅張8を層板上に形成してから、その上側にソルダー
レジスト被膜を形成する必要かある。近年のプリント配
線板にあっては、その小型軽量化及び高性能化の要望の
下に、導体回路等の高密度化を達成する必要がある。こ
のため、上記のソルダーレジスト被膜についても要求さ
れる部分についてのみ形成できるようにするため、フォ
トソルダーレジストを使用してソルダーレジスト被膜を
形成することが多く行われている。
(Prior art) In order to protect the conductive circuit formed on the printed wiring board from peeling and oxidation, the conductive circuit is formed on the copper clad layer 8 and then Is it necessary to form a solder resist film on the upper side? In recent years, printed wiring boards need to have higher density conductor circuits, etc., in response to demands for smaller size, lighter weight, and higher performance. For this reason, in order to be able to form the above-mentioned solder resist film only on the required portions, a photo solder resist is often used to form the solder resist film.

このフォトソルダーレジスト被膜の形成は、基本的には
、プリント配線板にフォトソルダーレジストを塗布し、
フォトマスクを介して露光した後に、フォトソルダーレ
ジストを現像し、次いでこのフォトソルダーレジストを
硬化させることによりフォトソルダーレジスト被膜を形
成する方法が採られている。
The formation of this photo solder resist film basically involves applying a photo solder resist to a printed wiring board.
A method has been adopted in which a photo solder resist film is formed by exposing the photo solder resist to light through a photomask, developing the photo solder resist, and then hardening the photo solder resist.

このフォトソルダーレジストは、光(紫外光)を照射す
ることによって光重合反応を起させ、こ−れによって硬
化させるものであるが、この光重合の際にその周囲に酸
素が存在すると、この酸素によって上記の光重合作用に
支障を来たすものである。すなわち、フォトソルダーレ
ジストの光重合を起させる際に、その周囲に酸素が存在
すると。
This photo solder resist is cured by causing a photopolymerization reaction by irradiating it with light (ultraviolet light), but if oxygen is present around it during this photopolymerization, this oxygen This interferes with the photopolymerization action described above. That is, when photopolymerization of the photosolder resist is caused, oxygen is present around it.

この酸素がフォトソルダーレジストの光重合作用を抑制
することになるのである。このような抑制かあると、不
要なフォトソルダーレジスト被膜の銅層と同時に必要な
被膜をも剥離してしまうことになるのである。
This oxygen suppresses the photopolymerization effect of the photosolder resist. If such suppression occurs, the necessary copper layer of the photo solder resist coating will be peeled off at the same time as the unnecessary copper layer.

このようなフォトソルダーレジスト被膜を形成するフォ
トソルダーレジストの材料形態として、フィルム状のも
のと液状のものの二種類が考えられる。フィルム状のフ
ォトソルダーレジストは被膜を形成する工程か簡略化で
きる等の優れた点はあるものの、第4図に示すように、
導体回路を完全に被覆することか困難でどうしても導体
回路と基板間に空隙かできる。
There are two possible materials for the photo solder resist that forms such a photo solder resist film: a film type and a liquid type. Although film-like photo solder resists have advantages such as simplifying the process of forming a film, as shown in Figure 4,
It is difficult to completely cover the conductor circuit, and a gap inevitably exists between the conductor circuit and the board.

このようなフィルム状のフォトソルダーレジストを使用
してプリント配線板を形成する方法として、例えば、特
開昭54−1018号公報に、「予しめ支持体の上に塗
布乾燈した感光性樹脂組成物のフィルムを基板上に加熱
、加圧81層して活性光線照射及び現像という工程によ
りレジストを形成する方法」 が示されている。この特開昭54−1018号公報自体
か提案する発明は、このような方法に適したソルダーレ
ジスト用感光性樹脂組成物(フォトソルダーレジスト)
としてのフィルム状のフォトソルダーレジストに関する
ものである。
As a method of forming a printed wiring board using such a film-like photo solder resist, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1018/1983 describes a method for forming a printed wiring board using a photosensitive resin composition that is coated on a support in advance and then dry-lit. A method of forming a resist by heating and pressurizing a film of a material onto a substrate, irradiating it with actinic light, and developing it. The invention proposed in JP-A-54-1018 itself is a photosensitive resin composition for solder resist (photo solder resist) suitable for such a method.
The present invention relates to a film-like photo solder resist.

ところが、このようなフィルム状のフォトソルダーレジ
ストを使用する場合には、これをプリント配線板上に被
膜として形成するときに、当該フィルム状のフォトソル
ダーレジストを保護している被W2(通常ポリエステル
カバーシートと呼ばれる)を除去しなければならず、そ
のための工程を必要とする。それたけてはなく、プリン
ト配線板の高密度化を達成するために、この種のプリン
ト配線板には多数のスルーホールが形成されており、こ
のようなプリント配線板上にフィルム状のフォトソルダ
ーレジスト被膜を形成すると、第3図に示すように、こ
のフィルム状のフォトソルダーレジストがスルーホール
の近傍で浮き上かった状態となり、このフィルム状のフ
ォトソルダーレジストによってはプリント配線板に形成
されているスルーホール内は保護されないことになる。
However, when such a film-like photo solder resist is used, when it is formed as a film on a printed wiring board, the film W2 (usually a polyester cover) that protects the film-like photo solder resist is removed. (called a sheet) must be removed, which requires a process. Not only that, but in order to achieve high density printed wiring boards, many through holes are formed in this type of printed wiring boards, and a film-like photo solder is formed on these printed wiring boards. When a resist film is formed, as shown in Figure 3, this film-like photo solder resist becomes floating in the vicinity of the through hole, and depending on this film-like photo solder resist, it may not be possible to form it on a printed wiring board. This means that the inside of the through hole will not be protected.

換言すれば、空気すなわちフォトソルダーレジストの光
重合作用に悪影響を及ぼす酸素の存在を、特に当該スル
ーホール内にて許すことになる。
In other words, the presence of air, that is, oxygen, which has an adverse effect on the photopolymerization action of the photosolder resist, is allowed to exist, especially within the through hole.

これに対して、液状のフォトソルダーレジストを使用す
る場合には、この液状のフォトソルダーレジストは、第
5図に示すように、導体回路と基板間の空隙形成は阻止
できるものの、そのままでは当該フォトソルダーレジス
トを塗布したプリント配線板のM搬途中あるいは保存し
ておく間に空気中の#素によって当該フォトソルダーレ
ジストの硬化性か悪くなるために、このような形態の材
料を使用してプリント配線板を製造する上では困難性か
ある。そのため、液状のフォトソルダーレジスト材料は
何等かの方法で保護して使用する必。
On the other hand, when a liquid photo solder resist is used, as shown in FIG. Printed wiring boards coated with solder resist are hardened by # elements in the air during transport or during storage, so printed wiring using materials in this form is difficult. There are some difficulties in manufacturing the board. Therefore, liquid photo solder resist materials must be protected in some way before use.

要がある。特に、プリント配線板がスルーホールを有す
るものの場合には、この液状のフォトソルダーレジスト
の性質に注意を払わなければならない。
There is a point. Particularly when the printed wiring board has through holes, attention must be paid to the properties of the liquid photo solder resist.

ここで、スルーホールの役割を考えてみると、このスル
ーホールはその中に形成しである導体層によって当該プ
リント配線板の表裏の導通を取るとともに、このスルー
ホールを利用して電子部品の端子等を実装することが行
なわれる。近年のプリント配線板にあっては、電子部品
を実装する部分に半田付けを行なうが、もしこの半田の
粒子が電子部品の装着に関与しないスルーホール(通常
バイヤーホールと呼ばれる)に付着していると。
Now, if we consider the role of a through hole, this through hole provides electrical continuity between the front and back sides of the printed wiring board through the conductor layer formed inside it, and also uses this through hole to connect electronic components. etc. will be implemented. In recent printed wiring boards, soldering is performed on the parts where electronic components are mounted, but if particles of this solder adhere to through holes (usually called bayer holes) that are not involved in mounting electronic components. and.

この半田粒子が剥れ落ちてこれが電子部品のショートの
原因となる。従って、このようなスルーホールに対して
は、そのプリント配線板の表面側に出る部分をフォトソ
ルダーレジストによって被覆してこれを十分保護する必
要があることが多い。
These solder particles peel off and cause short circuits in electronic components. Therefore, for such through holes, it is often necessary to sufficiently protect the portions exposed to the front side of the printed wiring board by covering them with a photo solder resist.

そっであるならば、上記のフィルム状のフォトソルダー
レジストを使用して7オトソルダーレジスト被膜を形成
した場合に、前述の如くスルーホール内に空気か残存し
たままの状態となるから、この状態で当該フォトソルダ
ーレジストを光重合させた場合には、スルーホールの近
傍において必要とされるフォトソノレダーレジスト被膜
がスフレ−ホール内のm素によって十分な光重合をする
ことがなく、必要なフナl−ソルダーレジスト被膜を形
成することが困難になるのである。
If that is the case, when the above-mentioned film-like photo solder resist is used to form a 7-photo solder resist film, air will remain in the through-hole as described above, so in this state. When the photo solder resist is photopolymerized, the photo solder resist film required in the vicinity of the through hole is not sufficiently photopolymerized by the m element in the souffle hole, and the required solder resist film is not sufficiently photopolymerized by the m element in the souffle hole. - It becomes difficult to form a solder resist film.

また、特に前述のような部品の装着に関与しないスルー
ホールにあっては、例えば第2図に示すように、その内
面についても半田の付着を阻止するようにするために、
当該スルーホールの内面をフォトソルダーレジストによ
って保護しておくことが必要になる場合もあるのである
In addition, in the case of through-holes that are not involved in the mounting of components as mentioned above, for example, as shown in FIG. 2, in order to prevent solder from adhering to the inner surface thereof,
It may be necessary to protect the inner surface of the through hole with a photo solder resist.

このような従来の方法における不具合や必要性を解決す
べく、未発明の発明者が鋭意研究してきた結果、プリン
ト配線板との導体回路やスルーホールを保護するフォト
ソルダーレジスト及びこれを酸素から保護するものとし
て液状態のものを使用することによって、酸素の残存を
完全に回避した被膜を形成することができることを新規
に知見し、本発明を完成したのである。
In order to solve these problems and necessities in conventional methods, the uninvented inventor has conducted intensive research and developed a photo solder resist that protects conductor circuits and through holes with printed wiring boards and protects it from oxygen. The present invention was completed based on the new finding that by using a liquid material as a material, it is possible to form a film that completely avoids residual oxygen.

(発明が解決しようとする問題点) 本発明は以上のような経過に基づいてなされてもので、
その解決しようとする問題点は、フォトソルダーレジス
ト被膜を形成する際の酸素の残存であり、またスルーホ
ール内面に対するフォトソルダーレジスト被膜の形成の
不完全さである。
(Problems to be solved by the invention) The present invention has been made based on the above process,
The problems to be solved are the residual oxygen during the formation of the photo solder resist film, and the incompleteness of the formation of the photo solder resist film on the inner surface of the through hole.

そして、木発す1のH的とするところは、フォトソルダ
ーレジスト被膜を形成するにあたって、酸素の残存を確
実に防止することかできるとともに、スルーホール内面
に対するフォトソルダーレジスト被膜の形成を確実に行
なうことのてきるフォトソルダーレジスト被膜の形成方
法を提供することにある。
The objective of Kiwazu's 1 H is to be able to reliably prevent oxygen from remaining when forming the photo solder resist film, and to ensure that the photo solder resist film is formed on the inner surface of the through hole. An object of the present invention is to provide a method for forming a photo solder resist film that can be easily applied.

(問題点を解決するための手段) 以上の問題点を解決するために本発明が採った手段は、
実施例に対応する第1図及び第2図を参照して説明する
と、 「液状フォトソルダーレジストを塗布した後に、前記ス
ルーホール部を含んだプリント配線板の一部もしくは全
面に液状で透明の高分子重合体からなる被膜を形成して
から前記フォトソルダーレジストに対して露光し、次い
で前記高分子重合体からなる被膜を剥離してから前記フ
ォトソルダーレジストを現像して硬化させることを特徴
とするフォトソルダーレジスト被膜の形成方法」 である。
(Means for solving the problems) The means taken by the present invention to solve the above problems are as follows:
To explain with reference to FIGS. 1 and 2 corresponding to the embodiment, ``After applying a liquid photo solder resist, a liquid transparent high resist is applied to a part or the entire surface of the printed wiring board including the through-hole portion. The method is characterized in that after forming a film made of a molecular polymer, the photo solder resist is exposed to light, then the film made of the high molecular polymer is peeled off, and then the photo solder resist is developed and cured. "Method for Forming Photosolder Resist Film".

すなわち、本発明に係るフォトソルダーレジスト被膜の
形成方法にあっては、フォトソルダーレジストとして液
状のものを使用するとともに、このフォトソルダーレジ
ストを保護するための被膜をも液状のものによって形成
することにより、特にスルーホール近傍におけるフォト
ソルダーレジ・スト被膜の形成を確実に行うことができ
る方法なのである。
That is, in the method for forming a photo solder resist film according to the present invention, a liquid material is used as the photo solder resist, and a film for protecting this photo solder resist is also formed using a liquid material. This is a method that can reliably form a photo solder resist film, especially in the vicinity of through holes.

本発明の方法て使用することができる液状フォトソルダ
ーレジストとしては、エポキシアクリレート組成物であ
ることが好適である。その理由としては、酸素を遮断し
た状態で露光した場合、高感度・高解像でかつ耐熱性の
良い材料が開発されているからである。このような液状
フォトソルダーレジストの粘度としては、100〜10
000 CP Sのものが良く、特に第1図及び第2図
に示したスルーホール(12)内部にまて浸透させるた
めには100〜5000CP Sのものか最適である。
The liquid photosolder resist that can be used in the method of the present invention is preferably an epoxy acrylate composition. The reason for this is that materials have been developed that have high sensitivity, high resolution, and good heat resistance when exposed to light with oxygen blocked. The viscosity of such liquid photo solder resist is 100 to 10
000 CP S is good, and in particular, 100 to 5000 CP S is optimal for penetrating the inside of the through hole (12) shown in FIGS. 1 and 2.

このような液状フォトソルダーレジストの塗布方法とし
ては、浸漬、スプレー塗装、カーテン塗装、ロール塗装
、印刷がある。
Application methods for such a liquid photo solder resist include dipping, spray coating, curtain coating, roll coating, and printing.

本発明の方法で使用することができる高分子重合体溶液
としては、種々なものが適用でき、ボッビニールアルコ
ール、ゼラチン、水溶性ポリアミドから選ばれるいずれ
か一種を使用することができる。なお、J:、記の水溶
性ポリアミドとしては。
Various polymer solutions can be used as the polymer solution that can be used in the method of the present invention, and any one selected from bovinyl alcohol, gelatin, and water-soluble polyamide can be used. In addition, as for the water-soluble polyamide described in J:.

N、N’Xどス(γ−アミノプロピル)とベラジアンジ
ベート、ε−カプロラクタム、ブチルアミンの共重合体
を使用することかてきる。
It is possible to use a copolymer of N, N'

上記の高分子重合体溶液の内では、特にポリビニールア
ルコールが適しており、その中でも界面活性剤を含有し
たポリビニールアルコール水溶液が最適である。この場
合の界面活性剤としては、C12−18のアルキル@、
mもしくはスルホン酸ナトリウム、分子畳10OO以下
のポリオキシエチレングリコール、及びポリオキシエチ
レンオクチルフェニルエーテル、ジオクチルスルホコハ
ク酸ナトリウムを使用することができる。その添加駿は
、水溶液に対してa、aat〜10%の範囲でよく、特
に0.1〜1.0%の範囲で使用することにより、高分
子重合体溶液である当該ポリとニールアルコール水溶液
のフォトソルダーレジスト被[(13)に対するぬれ性
を向上させることかできる。ポリビニールアルコールと
しては重合度が500〜3000、好ましくは1500
〜2000のものが良く、この理由としては、重合度が
500より小さいと被膜としての強度がなく、3000
より大きいと水に対する溶解性が悪くなるため好ましく
ないからである。ケン化度については、90■of%よ
り大きいものは水に対する溶解度が低いため好ましくな
く、逆に75 mo1%より小さいものは酸素透過率が
大きくなり、酸素遮断膜としての効果が少なくなるため
に好ましくない。発明者らは、各種の試験よりケン化度
としては、75〜90騰of%、特に86〜89■of
%のものか保護膜として適していることを見いたした。
Among the above-mentioned polymer solutions, polyvinyl alcohol is particularly suitable, and among them, a polyvinyl alcohol aqueous solution containing a surfactant is most suitable. In this case, the surfactants include C12-18 alkyl@,
or sodium sulfonate, polyoxyethylene glycol having a molecular weight of 1000 or less, and polyoxyethylene octylphenyl ether, sodium dioctyl sulfosuccinate can be used. The addition amount may be in the range of a, aat to 10% with respect to the aqueous solution, and in particular in the range of 0.1 to 1.0%, the poly and neal alcohol aqueous solution which is a high molecular weight polymer solution can be added. It is possible to improve the wettability of the photo solder resist (13). Polyvinyl alcohol has a degree of polymerization of 500 to 3000, preferably 1500.
A polymerization degree of ~2,000 is good, and the reason for this is that if the degree of polymerization is less than 500, there is no strength as a film;
This is because if it is larger, the solubility in water will deteriorate, which is not preferable. Regarding the degree of saponification, a degree of saponification greater than 90% is unfavorable because of low solubility in water, while a degree of less than 75 mo1% is unfavorable because the oxygen permeability increases and the effect as an oxygen barrier membrane decreases. Undesirable. The inventors found that the degree of saponification was 75 to 90%, particularly 86 to 89%, based on various tests.
It has been found that this material is suitable as a protective film.

また、このポリビニールアルコール水溶液には乾燥した
ポリビニールアルコール被膜か環境温湿度に左右されず
、−定の均一な被膜を維持するために可塑剤の添加が望
ましい、添加できる可塑剤としては、グリセリン、トリ
メチロールプロパン、ジエチレングリコール、トリエチ
レングリコール、ポリエチレングリコール、ジプロピレ
ングリコール等が用いられ、いずれも固形分に対して1
〜50%の範囲で使用することができる。上記ポリビニ
ールアルコール水溶液の粘度としては、このポリビニー
ルアルコール水溶液が十分にスルーホール内に浸透する
ために、100OCP S以下、特に100cPs以下
が好ましい、このようにして形成される被膜の厚さとし
ては、0.i p、、mより厚い厚みか酸素の遮断膜と
しては最低必要であるか、10gmより厚い厚みにする
と解像性の低下や、経済的な面からも好ましくないため
、0.l ルm〜10井mの範囲が適している。
In addition, it is desirable to add a plasticizer to this polyvinyl alcohol aqueous solution in order to maintain a dry polyvinyl alcohol coating that is constant and uniform, regardless of environmental temperature and humidity. Examples of plasticizers that can be added include glycerin. , trimethylolpropane, diethylene glycol, triethylene glycol, polyethylene glycol, dipropylene glycol, etc.
It can be used in the range of ~50%. The viscosity of the polyvinyl alcohol aqueous solution is preferably 100 OCPs or less, particularly 100 cPs or less, in order for the polyvinyl alcohol aqueous solution to sufficiently penetrate into the through-hole.The thickness of the film thus formed is , 0. A thickness thicker than i p, , m is the minimum required for an oxygen barrier film, or a thickness thicker than 10 gm is undesirable from a lower resolution and from an economical point of view. A range of lm to 10m is suitable.

さらに、高分子重合体からなる被膜を形成するにあたっ
ては、フォトソルダーレジストを塗布したプリント配線
板を高分子重合体の溶液中に浸漬することによって行な
うことがより好適であり、またフォトソルダーレジスト
を塗布したプリント配線板に高分子重合体の溶液をスプ
レー塗装、カーテン塗装、ハケ塗り、ロール塗装、印嗣
のいずれかの方法によって行うことが好適である。これ
らの方法は現状の?c2tにそれ程変更を加えることな
く使用することができるからであり、またこのような方
法によっても1記の高分子重合体の塗布を十分行なうこ
とができるからである。
Furthermore, when forming a film made of a high molecular polymer, it is more preferable to immerse a printed wiring board coated with a photo solder resist in a solution of the high molecular polymer; It is preferable to apply the polymer solution to the coated printed wiring board by any one of spray coating, curtain coating, brush coating, roll coating, and sealing. Are these methods current? This is because c2t can be used without much modification, and the high molecular weight polymer described in 1 can be sufficiently coated by this method as well.

(発明の作用) 以−ヒのように構成した本発明の方法によれば、まず、
液状のフォトソルダーレジスト材料からフォトソルダー
レジスト被膜(13)を形成するから。
(Operation of the invention) According to the method of the present invention configured as described below, first,
This is because the photo solder resist film (13) is formed from a liquid photo solder resist material.

各スルーホール(12)内にはこの液状のフォトソルダ
ーレジスト材料かよく浸透する。このため。
This liquid photosolder resist material permeates well into each through hole (12). For this reason.

第2図に示したように、基板(11)の表面は勿論のこ
と、基板(11)の各スルーホール(]2)内に形成さ
れている導体層(12a)の全面もこのフォトソルダー
レジストによって完全に覆われることになる。
As shown in FIG. 2, this photo solder resist covers not only the surface of the substrate (11) but also the entire surface of the conductor layer (12a) formed in each through hole (2) of the substrate (11). will be completely covered by.

このようにして形成されたフォトソルダーレジスト被膜
(13)の表面に、液状の高分子重合体からなる被膜(
14)を形成すれば、フォトソルダーレジスト被膜(1
コ)は完全に空気すなわち#素から遮断されるのである
。このとき、被111u(14)の材料は液状であるか
ら、浸VX等のような1?!J@な操作によってスルー
ホール(12)内に十分浸透し、この被膜(14)によ
ってスルーホール(12)内のフォトソルダーレジスト
被H(13)の表面をも確実に覆うことが可能となるの
である。
The surface of the photo solder resist film (13) thus formed is coated with a film (
14), the photo solder resist film (1) is formed.
(e) is completely cut off from air, that is, # elements. At this time, since the material of the covering 111u (14) is liquid, 1? such as immersion VX or the like? ! By the proper operation, it can sufficiently penetrate into the through hole (12), and this film (14) can reliably cover the surface of the photo solder resist H (13) inside the through hole (12). be.

このようにしてから、フォトマスク(15)を介してフ
ォトソルダーレジスト被v(+3)の必要部分を光重合
によって硬化させれば、フォトソルダーレジスト被膜(
lコ)は酸素の悪影響を受けることなく硬化するのであ
る。このように硬化されたフォトソルダーレジスト被膜
(13)を有する基板(11)を。
After doing this, if necessary parts of the photo solder resist coating v(+3) are cured by photopolymerization through the photomask (15), the photo solder resist coating (
1) cures without being affected by the adverse effects of oxygen. A substrate (11) having the thus cured photo solder resist coating (13).

半田層内に浸漬しても、フォトソルダーレジスト被膜(
1コ)内には不要な半田か付着することはないのである
Even if immersed in the solder layer, the photo solder resist coating (
There is no unnecessary solder adhering to the inside of the 1 piece.

次に、実施例を用いて、本発明の詳細な説明する。Next, the present invention will be explained in detail using examples.

(実施例) 実施例1 表面を清浄化した両面スルーホールプリント配線板(1
0)の基板(11)の表面に、液状フォトソルダーレジ
ストとして以下の組成のものを印刷法により塗布した。
(Example) Example 1 Double-sided through-hole printed wiring board (1
A liquid photosolder resist having the following composition was applied onto the surface of the substrate (11) of No. 0) by a printing method.

[フォトソルダーレジストの組成] ・アクリル変性エポキシ樹脂  ・・・45重縫部・ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート・・・30重量部 ・エポキシ樹脂        −25重量部・ジシア
ンジアミド      ・・・1.5重量部・ベンゾフ
ェノン       −2,7重量部・ミヒラーケトン
       ・・・0.3微量部・P−メトキシフェ
ノール   ・−0,6重量部・メチルエチルケトン 
    ・−160重量部このような組成物を基板(l
りに塗布後、80°Cにて15分間乾燥して30.wm
のフォトソルダーレジスト層を基板(11)上に形成し
た。
[Composition of photo solder resist] - Acrylic modified epoxy resin ... 45 parts by weight - Pentaerythritol triacrylate - 30 parts by weight - Epoxy resin -25 parts by weight - Dicyandiamide - 1.5 parts by weight - Benzophenone -2 ,7 parts by weight Michler's ketone...0.3 trace parts P-methoxyphenol -0.6 parts by weight Methyl ethyl ketone
-160 parts by weight of such a composition on a substrate (l
After coating, dry at 80°C for 15 minutes. wm
A photo solder resist layer was formed on the substrate (11).

次いで、この基板(11)の裏面についても上記と同様
にしてフォトソルダーレジストを塗布して乾燥した。
Next, a photo solder resist was applied to the back surface of this substrate (11) in the same manner as above and dried.

そして、液状の高分子重合体として、以下の組成のもの
をスプレー塗装法により上記のフォトソルダーレジスト
層上に塗布した。
Then, a liquid polymer having the following composition was applied onto the photo solder resist layer by a spray coating method.

[高分子重合体の組成] ・部分ケン化型ポリビニールアルコール(ケン化度86
〜89嘗olL重合度+700)・・・6近着部 ・ジオクチルスルホコハク酸ナトリウム・−0,1重量
部 ・水      ・・・全体で100重量部になる量こ
のような高分子重合体の組成物を上記のフォトソルダー
レジスト被膜の表面に塗布した後、40℃にて60分間
乾燥させることにより、1〜2JLmの均一な被膜が形
成されていることが確認された。その後、基板(+1)
の裏面についても同様な高分子重合体を塗布することに
よって、スルーホール(12)を含んだ基板(11)の
全面に、透明な高分子重合体被膜(14)が形成されて
いることが確認できた。
[Composition of polymer] - Partially saponified polyvinyl alcohol (saponification degree 86
~89 olL degree of polymerization +700)... 6 proximal moieties, sodium dioctyl sulfosuccinate -0.1 parts by weight, water... total amount of 100 parts by weight Composition of such a high molecular weight polymer It was confirmed that a uniform film of 1 to 2 JLm was formed by coating the photo solder resist film on the surface of the photo solder resist film and drying it at 40° C. for 60 minutes. Then the board (+1)
By applying a similar polymer to the back side of the substrate, it was confirmed that a transparent polymer film (14) was formed on the entire surface of the substrate (11) including the through holes (12). did it.

次に、フォトマスク(15)をこの基板(11)に密着
させ、4にWの高圧水銀ランプを使用して300mj/
crn’の光量で露光したところ、21段ステップタブ
レットの段数は9段であった。そして、60℃の温水に
て60秒間スプレーすることによって。
Next, a photomask (15) is brought into close contact with this substrate (11), and a 300mJ/W high-pressure mercury lamp is used for
When exposed to light at a light intensity of crn', the number of steps of the 21 step tablet was 9 steps. and by spraying with warm water at 60°C for 60 seconds.

透明な高分子重合体被膜(14)を剥離し、50°Cの
温風にて水分を除去した後、18℃のj 、 1 、1
−)リクロロエタンにて60秒間スプレー現像したとこ
ろ、フォトマスク(15)に対応してフォトソルダーレ
ジストの必要な部分は残り、必要でない部分は除去され
た。最後に、150℃にて60分間乾燥させることによ
って、フォトソルダーレジスト被IFJ (13)が形
成された。
After peeling off the transparent polymer coating (14) and removing moisture with warm air at 50°C,
-) When spray development was carried out with dichloroethane for 60 seconds, the necessary parts of the photo solder resist remained corresponding to the photomask (15), and the unnecessary parts were removed. Finally, the photo solder resist-covered IFJ (13) was formed by drying at 150° C. for 60 minutes.

¥施例2 表面を清す化した両面スルーホールプリント配線板(1
0)の基板(11)の表面に、液状フォトソルダーレジ
ストとして以下の組成のものをカーテン塗装法により塗
布した。
¥Example 2 Double-sided through-hole printed wiring board with cleaned surface (1
A liquid photosolder resist having the following composition was applied onto the surface of the substrate (11) of No. 0) by a curtain coating method.

[フォトソルダーレジストの組成] ・アクリル変性エポキシ樹脂  ・・・45重量部・ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート−30重量部 ・エポキシ樹脂        ・−25!!量置部ジ
シアンジアミド      ・・・1.5重量部・ベン
ゾフェノン       −2,7重量部・ミヒラーケ
トン       −0,3重量部・P−メトキシフェ
ノール   ・−0,6重量部・メチルエチルケトン 
    −200i置部このような組成物を基板(II
)に塗布後、80’Cにて15分間乾燥して30gmの
フォトソルダーレジスト層を基板(II)上に形成した
[Composition of photo solder resist] - Acrylic modified epoxy resin...45 parts by weight - Pentaerythritol triacrylate -30 parts by weight -Epoxy resin -25! ! Amount: Dicyandiamide 1.5 parts by weight Benzophenone -2.7 parts by weight Michler's ketone -0.3 parts by weight P-methoxyphenol -0.6 parts by weight Methyl ethyl ketone
-200i mounting plate such a composition on a substrate (II
) and dried at 80'C for 15 minutes to form a 30 gm photo solder resist layer on the substrate (II).

次いで、この基板(II)の裏面についても上記と同様
にしてフォトソルダーレジストを塗布して乾燥した。
Next, a photo solder resist was applied to the back surface of this substrate (II) in the same manner as above and dried.

ソシて、液状の高分子重合体として、以下の組成のもの
を浸漬法により上記のフォトソルダーレジスト層りに塗
布した。
Then, a liquid polymer having the following composition was applied to the photo solder resist layer by a dipping method.

[高分子重合体のM1成] ・部分ケン化型ポリビニールアルコール(ケン化度86
〜89mol$、重合度1700)・・・4重量部 ・ジオクチルスルホコハク酸ナトリウム・−o、i重量
部 ・ポリエチレングリコール #400 ・・・1重量部 ・水      ・・・全体で100重量部になる量こ
のような高分子重合体の組成物中に、上記のフォトソル
ダーレジスト被膜を形成した基板(11)を浸漬した後
、これを40℃にて60分間乾燥させたところ、スルー
ホール(12)を含んだ基板(11)の全面に1〜24
mの均一な被膜が形成されていることが確認された。
[M1 composition of high molecular weight polymer] ・Partially saponified polyvinyl alcohol (saponification degree 86
~89 mol $, degree of polymerization 1700)...4 parts by weight Sodium dioctyl sulfosuccinate -o, i parts by weight Polyethylene glycol #400...1 part by weight Water...Amount to make a total of 100 parts by weight When the substrate (11) on which the photo solder resist film was formed was immersed in such a polymer composition and dried at 40°C for 60 minutes, the through holes (12) were removed. 1 to 24 on the entire surface of the substrate (11) containing
It was confirmed that a uniform film of m was formed.

次に、フォトマスク(15)をこの基板(11)に密着
させ、4にWの高圧水銀ランプを使用して300■j/
crrr’の光量で露光した。そして、60℃の温水に
て60秒間スプレーすることによって、透明な高分子重
合体被膜(14)を剥離し、50℃の温風にて水分を除
去した後、18°Cの1,1.l−トリクロロエタンに
て60秒間スプレー現像したところ、フすトマスク(1
5)に対応してフォトソルダーレジストの必要な部分は
残り、必要でない部分は除去された。最後に、150°
Cにて60分間乾燥させることによって、フォトソルダ
ーレジスト被[(13)が形成された。
Next, a photomask (15) is closely attached to this substrate (11), and a 300J/W high pressure mercury lamp is used for 4.
Exposure was performed at a light intensity of crrr'. Then, the transparent polymer coating (14) was peeled off by spraying with warm water at 60°C for 60 seconds, and the water was removed with warm air at 50°C, followed by 1.1. When spray-developed with l-trichloroethane for 60 seconds, a foot mask (1
Corresponding to 5), the necessary parts of the photo solder resist remained, and the unnecessary parts were removed. Finally, 150°
By drying at C for 60 minutes, a photo solder resist coating (13) was formed.

実施例3 実施例2で使用したフォトソルダーレジストの組成物中
に基板(11)を浸漬して、この基板(II)の表面全
体にフォトソルダーレジスト層を形成した。
Example 3 A substrate (11) was immersed in the photo solder resist composition used in Example 2 to form a photo solder resist layer over the entire surface of the substrate (II).

そして、実施例2で使用したポリビニールアルコールの
代わりにゼラチンを使用した高分子重合体をカーテン塗
装法により基板(+1)に塗布した。
Then, a high molecular weight polymer using gelatin instead of the polyvinyl alcohol used in Example 2 was applied to the substrate (+1) by a curtain coating method.

それ以外は上記実施例と同様に行った。The rest was carried out in the same manner as in the above example.

その結果得られた基板(11)には、必要なフォトソル
ダーレジスト被膜(igが形成されていた。
A necessary photo solder resist film (ig) was formed on the resulting substrate (11).

ル」し例]。example].

表面を清節化した両面スルーホールプリント配線板(l
O)の基板(II)の表面に、フィルム状の7オトンル
ダーレジスト(S R100OG −75、日立化成製
商品名)を専用のラミネーターを使用して積層した。
Double-sided through-hole printed wiring board with a smooth surface (l
On the surface of the substrate (II) of (O), a film-like 7-Oton Ruder resist (SR100OG-75, trade name manufactured by Hitachi Chemical) was laminated using a special laminator.

次に、4KWの高圧水銀ランプを使用して、フォトマス
ク(15)を介してフォトソルダーレジストを露光した
。この時の露光量は270mj/cm’であった0次に
前記フすトソルダーレシストを保護しているポリエステ
ルカバーシートをはがしてから、18℃の1.1.1−
)−リクロロエタンにて 120秒間スプレー現像した
0次に、8H/csの高圧水銀ランプを3灯使用して3
J/cm’のUV光を照射した後、150℃にて60分
間乾燥してフすトソルダーレジスト被膜を形成した。
Next, the photo solder resist was exposed through a photomask (15) using a 4KW high pressure mercury lamp. The exposure amount at this time was 270 mj/cm'. Next, after peeling off the polyester cover sheet protecting the foot solder resist, 1.1.1-
) - Spray developed for 120 seconds with dichloroethane, then developed using three 8H/cs high pressure mercury lamps.
After irradiating with UV light of J/cm', the film was dried at 150° C. for 60 minutes to form a solder resist film.

このフォトソルダーレジスト被膜の内、特にバイヤーホ
ールとなるスルーホール内において、剥離が部分的に認
められた。
Partial peeling was observed within this photo solder resist film, particularly within the through holes that would become Bayer holes.

比較例2 表面を清浄化した両面スルーホールプリント配線板(1
0)の基板(II)の表面に、実施例2で用いた液状の
フォトソルダーレジストをカーテン塗装法により塗布し
、80℃にて15分間乾燥させた。
Comparative Example 2 Double-sided through-hole printed wiring board (1
The liquid photo solder resist used in Example 2 was applied to the surface of the substrate (II) of No. 0) by a curtain coating method and dried at 80° C. for 15 minutes.

引き続き、裏面も同様にして塗布した後乾燥させた。Subsequently, the back side was coated in the same manner and then dried.

次に、4にWの高圧水銀ランプを使用してフォトマスク
(15)を介してフォトソルダーレジストを露光した。
Next, the photo solder resist was exposed to light through a photomask (15) using a W high pressure mercury lamp.

この時の露光量は700■j/am’て、ステップタブ
レットの段数は9段であった。(21段ストファー製) 次に、18℃の1.1.l−トリクロロエタンにて60
秒間スプレー現像し、岐後に150℃にて60分間乾燥
してフォトソルダーレジスト被膜を形成した。
The exposure amount at this time was 700J/am', and the number of steps on the step tablet was 9 steps. (21 stages made by Stoffer) Next, 1.1 at 18°C. 60 in l-trichloroethane
Spray development was performed for seconds, and then dried at 150° C. for 60 minutes to form a photo solder resist film.

この場合も、上記比較例1と同様に、フォトソルダーレ
ジスト被膜の内、特にバイヤーホールとなるスルーホー
ル内において、31tlが部分的に認められた。
In this case as well, as in Comparative Example 1, 31 tl was partially observed in the photo solder resist film, particularly in the through holes that would become Bayer holes.

(発明の効果) 以上に説明した通り1本発明に係るフォトソルダーレジ
スト被膜の形成方法によれば、上記実施例にて例示した
如く。
(Effects of the Invention) As explained above, according to the method for forming a photo solder resist film according to the present invention, as exemplified in the above embodiments.

「液状フォトソルダーレジストを塗布した後に、前記ス
ルーホール部を含んだプリント配線板の一部もしくは全
面に液状で透明の高分子重合体からなる被膜を形成して
から前記フォトソルダーレジストに対して露光し1次い
で前記高分子重合体からなる被膜を剥離してから前記フ
ォトソルダーレジストを現像して硬化させること」 にその特徴があり、これにより、スルーホールを備えた
プリント配線板に対するフォトソルダーレジスト被膜を
形成するにあたって、表面は勿論のこと、1記スルーホ
ール内に対しても酸素の残存を確実に防止することかで
きるとともに、その工程を簡略化することのできる7オ
トンルダーレジスト被膜の形成方法を提供することがで
きるのである。
After applying a liquid photo solder resist, a film made of a liquid transparent polymer is formed on a part or the entire surface of the printed wiring board including the through-hole portion, and then the photo solder resist is exposed to light. 1. Next, the coating made of the high molecular weight polymer is peeled off, and then the photo solder resist is developed and cured.'' This enables the photo solder resist coating to be applied to a printed wiring board with through holes. 7. A method for forming an Oton Ruder resist film that can reliably prevent oxygen from remaining not only on the surface but also in the through-holes described in 1 above, and simplify the process. can be provided.

すなわち、まず基板(11)に対して液状のフォトソル
ダーレジスト材料によってフォトソルダーレジスト被v
(13)を形成するから、基板(!I)の表面は勿論、
この基板(it)に形成されているスルーホール(I2
)の導体層(+2a)表面もこのフォトソルダーレジス
ト被膜(13)によって被覆することができる。このよ
うに形成したフォトソルダーレジスト被膜全体 成するようにしているから、フォトソルダーレジスト被
膜(1:l)の表面、特にスルーホール(12)内の導
体r:f(12a)上側にあるフォトソルダーレジスト
被膜(13)の表面に対してもこの液状の高分子重合体
による被膜(14)によりて完全に被覆することができ
るのである。従って、フォトソノレダーレジスト被膜(
13)は空気中の酸素から完全に遮断され、当該フォト
ソルダーレジスト被膜(13)の光重合による硬化か何
等の障害もなく行なうことができるのである。
That is, first, the substrate (11) is coated with a photo solder resist material using a liquid photo solder resist material.
Since (13) is formed, the surface of the substrate (!I) is of course
Through hole (I2) formed in this substrate (it)
) can also be covered with this photo solder resist film (13). Since the entire photo solder resist film formed in this way is formed, the surface of the photo solder resist film (1:l), especially the photo solder on the upper side of the conductor r:f (12a) in the through hole (12), The surface of the resist film (13) can also be completely covered with the liquid polymer film (14). Therefore, the photosonoresist coating (
13) is completely shielded from oxygen in the air, and the photo solder resist film (13) can be cured by photopolymerization without any hindrance.

以上のように1本発明の方法によってフォトソルダーレ
ジスト被膜(13)を形成すれば、電子部品の装若に関
芋しないスルーホール(12) (バイヤホール)の導
体層(12a)表面を完全な状態のフォトソルダーレジ
スト被膜(13)によって覆うことができ、当該プリン
ト配線板(10)を半田槽内に浸漬しても当該スルーホ
ール(12)に対して不必要な半田か付着することはな
いのである。このため、以上のような本発明により製造
されたプリント配線板(lO)にあっては、不要な半田
は存在しないことになるから、従来生じていたような余
分な半田によるショート等の問題を回避することがてき
るのである。
As described above, if the photo solder resist film (13) is formed by the method of the present invention, the surface of the conductive layer (12a) of the through hole (12) (via hole) which is not involved in the mounting and mounting of electronic components can be completely covered. The through holes (12) can be covered with a photo solder resist film (13), and even if the printed wiring board (10) is immersed in a solder bath, unnecessary solder will not adhere to the through holes (12). It is. Therefore, in the printed wiring board (IO) manufactured according to the present invention as described above, there is no unnecessary solder, so problems such as short circuits caused by excess solder that conventionally occurred can be avoided. It is possible to avoid it.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は液状の高分子重合体からなる被膜をフォトソル
ダーレジスト被膜表面に形成した状態を示す部分拡大縦
断面図、第2図はプリント配線板の基板にフォトソルダ
ーレジスト被膜を形成した状態であってスルーホールを
中心に描いた第1図に対応する部分拡大縦断面図、第3
図は従来のフォトソルダーレジスト被膜形成方法を説明
するための部分拡大縦断面図、第4図はフィルム状のフ
ォトソルダーレジストによって導体回路上を覆った状態
を示す部分拡大縦断面図、第5図は液状のフォトソルダ
ーレジストを使用した場合の第4図に対応する部分拡大
縦断面図である。 符   号   の   説   明 10・・・プリント配線板、 11・・・基板、12・
・−スルーホール、 12a・・・導体層、1:+−・
・フォトソルダーレジスト被膜、14・・・高分子重合
体からなる被膜、I5・・・フォトマスク。 第1i 第2図 、12 蘂3図 第4図 第5図
Figure 1 is a partially enlarged vertical cross-sectional view showing a state in which a film made of a liquid polymer is formed on the surface of a photo solder resist film, and Figure 2 is a partially enlarged longitudinal cross-sectional view showing a state in which a film made of a liquid polymer is formed on the surface of a photo solder resist film. 3 is a partially enlarged vertical cross-sectional view corresponding to FIG. 1, centered on the through hole.
The figure is a partially enlarged longitudinal cross-sectional view for explaining the conventional method of forming a photo solder resist film, FIG. 4 is a partially enlarged longitudinal cross-sectional view showing a conductor circuit covered with a film-like photo solder resist, and FIG. 4 is a partially enlarged vertical cross-sectional view corresponding to FIG. 4 when a liquid photo solder resist is used. Explanation of symbols 10...Printed wiring board, 11...Substrate, 12.
・-Through hole, 12a... Conductor layer, 1:+-・
- Photo solder resist coating, 14... Coating made of high molecular polymer, I5... Photomask. 1i Figure 2, 12 Leg 3 Figure 4 Figure 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)、少なくとも一つのスルーホール部を有するプリン
ト配線板に液状フォトソルダーレジストを塗布し、フォ
トマスクを介して露光した後に、前記フォトソルダーレ
ジストを現像し、次いでこのフォトソルダーレジストを
硬化させることによりフォトソルダーレジスト被膜を形
成する方法において、 前記液状フォトソルダーレジストを塗布した後に、前記
スルーホール部を含んだプリント配線板の一部もしくは
全面に液状で透明の高分子重合体からなる被膜を形成し
てから前記フォトソルダーレジストに対して露光し、次
いで前記高分子重合体からなる被膜を剥離してから前記
フォトソルダーレジストを現像して硬化させることを特
徴とするフォトソルダーレジスト被膜の形成方法。 2)、前記液状フォトソルダーレジストとして、エポキ
シアクリレート組成物からなるものを使用することを特
徴とする特許請求の範囲第1項に記載のフォトソルダー
レジスト被膜の形成方法。 3)、前記高分子重合体からなる被膜として、ポリビニ
ールアルコール、ゼラチン、水溶性ポリアミドの中から
選ばれるいずれか一種からなるものを使用することを特
徴とする特許請求の範囲第1項または第2項に記載のフ
ォトソルダーレジスト被膜の形成方法。 4)、前記高分子重合体からなる被膜の形成を、前記フ
ォトソルダーレジストを塗布した前記プリント配線板を
前記高分子重合体の溶液中に浸漬することによって形成
するようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第1項
〜第3項に記載のフォトソルダーレジスト被膜の形成方
法。 5)、前記高分子重合体からなる被膜の形成を、前記フ
ォトソルダーレジストを塗布した前記プリント配線板に
前記高分子重合体の溶液をスプレー塗装、カーテン塗装
、ハケ塗り、ロール塗装、印刷の中から選ばれるいずれ
か一つの方法で行ったことを特徴とする特許請求の範囲
第1項〜第3項に記載のフォトソルダーレジスト被膜の
形成方法。
[Scope of Claims] 1) After applying a liquid photo solder resist to a printed wiring board having at least one through hole portion and exposing it to light through a photomask, the photo solder resist is developed, and then the photo solder resist is In a method of forming a photo solder resist film by curing a resist, after applying the liquid photo solder resist, a liquid transparent polymer is applied to a part or the entire surface of the printed wiring board including the through hole portions. The photo solder resist is characterized in that the photo solder resist is exposed to light after forming a film made of the above, and then the film made of the high molecular weight polymer is peeled off, and then the photo solder resist is developed and cured. How to form a film. 2) The method for forming a photosolder resist film according to claim 1, characterized in that the liquid photosolder resist is made of an epoxy acrylate composition. 3) As the film made of the high molecular weight polymer, one selected from polyvinyl alcohol, gelatin, and water-soluble polyamide is used. The method for forming a photo solder resist film according to item 2. 4) The film made of the high molecular weight polymer is formed by immersing the printed wiring board coated with the photo solder resist in a solution of the high molecular weight polymer. A method for forming a photo solder resist film according to claims 1 to 3. 5) Formation of a film made of the high molecular weight polymer by spraying a solution of the high molecular weight polymer on the printed wiring board coated with the photo solder resist, by spray painting, curtain painting, brush painting, roll painting, or printing. 4. A method for forming a photo solder resist film according to claims 1 to 3, characterized in that the method is carried out by any one method selected from the following.
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