JPS636885Y2 - - Google Patents

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JPS636885Y2
JPS636885Y2 JP1028381U JP1028381U JPS636885Y2 JP S636885 Y2 JPS636885 Y2 JP S636885Y2 JP 1028381 U JP1028381 U JP 1028381U JP 1028381 U JP1028381 U JP 1028381U JP S636885 Y2 JPS636885 Y2 JP S636885Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は増幅器の保護回路に関する。[Detailed explanation of the idea] The present invention relates to an amplifier protection circuit.

増幅器における出力トランジスタに過大な電圧
電流が加わるとトランジスタが破壊される。第2
図曲線Aはこの出力トランジスタが破壊に致るコ
レクタエミツタ間電圧VCE及びコレクタ電流IC
関係を図示したもので、ASOラインと一般に呼
ばれている。このASOラインAで示される領域
外{斜線イ部}でトランジスタが動作することの
ない様に従来より第1図の如きトランジスタ保護
回路が用いられていた。図において入力端子1及
び2はそれぞれNPN及びPNPトランジスタ3及
び4のベースに接続されると共にNPN及びPNP
トランジスタ15及び16のコレクタに接続され
る。トランジスタ3及び4のコレクタはそれぞれ
電源(+B)及び(−B)に接続され、エミツタ
はそれぞれ抵抗5及び6を介して負荷端7に接続
される。トランジスタ15及び16のベースはそ
れぞれ抵抗9及び10を介して上記トランジスタ
3及び4のエミツタに接続されると共に、抵抗1
1及び12を介してダイオード13及び14のア
ノード及びカソードに接続される。ダイオード1
3及び14のカソード及びアノードは接地され
る。トランジスタ15及び16のエミツタは負荷
端7に接続され、負荷端7と接地間には負荷8が
接続される。
If excessive voltage and current are applied to the output transistor in an amplifier, the transistor will be destroyed. Second
Curve A in the figure shows the relationship between the collector-emitter voltage V CE and the collector current I C at which this output transistor is destroyed, and is generally called the ASO line. Conventionally, a transistor protection circuit as shown in FIG. 1 has been used to prevent the transistor from operating outside the area indicated by the ASO line A (shaded area). In the figure, input terminals 1 and 2 are connected to the bases of NPN and PNP transistors 3 and 4, respectively, and
Connected to the collectors of transistors 15 and 16. The collectors of transistors 3 and 4 are connected to power supplies (+B) and (-B), respectively, and the emitters are connected to load end 7 via resistors 5 and 6, respectively. The bases of transistors 15 and 16 are connected to the emitters of transistors 3 and 4 through resistors 9 and 10, respectively, and
1 and 12 to the anodes and cathodes of diodes 13 and 14. diode 1
The cathodes and anodes of 3 and 14 are grounded. The emitters of transistors 15 and 16 are connected to load terminal 7, and load 8 is connected between load terminal 7 and ground.

以上の如き従来例においてダイオード13及び
14は、それぞれトランジスタ3及び4のエミツ
タ電圧がダイオードの順方向電圧以上の場合、即
ちトランジスタ3及び4のコレクタエミツタ間電
圧(以下動作電圧とする)VCEが電源電圧VB以下
の場合にオンになる。この場合ダイオードのイン
ピータンスは小さいので無視すると、抵抗5,
9,11及び負荷8による第1のブリツジ回路
と、抵抗6,10,12及び負荷8による第2の
ブリツジ回路とが形成される。ここで負荷8の短
絡等により第1及び第2のブリツチの平衡がくず
れるとそれぞれトランジスタ15及び16のベー
スエミツタ間に検出電圧が発生してトランジスタ
15及び16がオンになり、入力端子1,2より
トランジスタ3,4に印加される入力信号が遮断
されトランジスタ3,4が保護される。ここで第
2図曲線Bは保護動作曲線で、上述の様な保護回
路が動作して、トランジスタ15又は16がオン
になるトランジスタ3又4のコレクタ・エミツタ
間電圧VCEとコレクタ電流ICとの関係を図示した
ものである。
In the conventional example as described above, the diodes 13 and 14 are connected when the emitter voltage of the transistors 3 and 4 is higher than the forward voltage of the diode, that is, the collector-emitter voltage (hereinafter referred to as operating voltage) of the transistors 3 and 4 is V CE. It turns on when is below the power supply voltage VB . In this case, the impedance of the diode is small, so if it is ignored, the resistor 5,
A first bridge circuit is formed by resistors 6, 10, 12 and load 8, and a second bridge circuit is formed by resistors 6, 10, 12 and load 8. If the balance of the first and second blits is lost due to a short circuit in the load 8, a detection voltage is generated between the base emitters of the transistors 15 and 16, respectively, and the transistors 15 and 16 are turned on. The input signals applied to the transistors 3 and 4 are cut off and the transistors 3 and 4 are protected. Here, curve B in Figure 2 is a protection operation curve, where the protection circuit as described above operates and transistor 15 or 16 is turned on.The collector-emitter voltage V CE and collector current I C of transistor 3 or 4 are This is a diagram illustrating the relationship between

ここで負荷端7に接続される負荷が純抵抗であ
れば、負荷曲線は直線となるが、スピーカの様な
リアクタンス負荷では第2図に示す負荷曲線Lの
様に楕円状になり、従つて、第2図中斜線ロで示
した部分では保護動作を必要としないにもかかわ
らず負荷曲線Lと保護動作曲線Bとが交わつてし
まい、無用の保護動作が行われて大きな歪を生じ
る。特に負荷となるスピーカの低域共振周波数付
近では、スピーカのインピータンスのリアクタン
ス分が大きくなり、上述の様な歪が発生し易くな
る欠点を有していた。
If the load connected to the load end 7 is a pure resistance, the load curve will be a straight line, but if the load is a reactive load such as a speaker, it will be elliptical as shown in the load curve L shown in Figure 2. 2, the load curve L intersects with the protective operation curve B even though no protective operation is required, and unnecessary protective operation is performed, resulting in large distortion. Particularly near the low resonant frequency of the speaker serving as the load, the reactance of the impedance of the speaker becomes large, which has the disadvantage that the above-mentioned distortion is likely to occur.

本考案はこの様な欠点を除去するためになされ
たもので以下実施例に従つて詳細に説明する。
The present invention has been devised to eliminate such drawbacks, and will be described in detail below with reference to embodiments.

第3図は本考案の一実施例で第1図の従来例に
おける抵抗9及び10のかわりに、それぞれ点線
内に示すバンドバスフイルタ17及び18を挿入
したもので、バンドバスフイルタ17及び18の
入力端子Pはそれぞれトランジスタ3及び4のエ
ミツタに接続され、出力端子Qはそれぞれトラン
ジスタ15及び16のベースに接続され、共通端
子Rは負荷端7に接続される。バンドバスフイル
タ17及び18は抵抗R1,R2,R3、コンデンサ
C1,C2,C3からなるパラレルT型トラツプ回路
で、そのトラツプ周波数は、負荷端7に接続され
るスピーカの低域共振周波数に一致する様に調整
される。なお抵抗R4は後述の様にインピータン
ス調整の為に用いられる。又トラツプ周波数にお
ける減衰度及び減裏帯域幅等は負荷となるスピー
カの共振特性に合せればよく、減衰度は通常は3
〜6dB程度となる様に設定する。他の部分につい
ては第1図と同様であるから詳細な説明を省略す
る。
FIG. 3 shows an embodiment of the present invention, in which bandpass filters 17 and 18 shown within dotted lines are inserted in place of the resistors 9 and 10 in the conventional example shown in FIG. Input terminals P are connected to the emitters of transistors 3 and 4, respectively, output terminals Q are connected to bases of transistors 15 and 16, respectively, and common terminal R is connected to load terminal 7. Bandpass filters 17 and 18 are resistors R 1 , R 2 , R 3 and capacitors.
This is a parallel T-type trap circuit consisting of C 1 , C 2 , and C 3 , and its trap frequency is adjusted to match the low-frequency resonant frequency of the speaker connected to the load end 7 . Note that the resistor R4 is used for impedance adjustment as described later. In addition, the degree of attenuation and attenuation bandwidth at the trap frequency can be adjusted to match the resonance characteristics of the load speaker, and the degree of attenuation is usually 3.
Set it so that it is about ~6dB. Since the other parts are the same as those in FIG. 1, detailed explanation will be omitted.

以上の構成において負荷となるスピーカの低域
共振周波数即ち、バンドバスフイルタ17及び1
8のトラツプ周波数より充分低いか又は高い周波
数においては、バンドバスフイルタ17及び18
の入出力端子PQ間には固有の内部抵抗成分が存
在するだけである。このバンドバスフイルタ17
及び18の上記内部抵抗成分の値を第1図の従来
例における抵抗9及び10の抵抗値と等しくすれ
ば、バンドバスフイルタ17及び18を挿入した
ことによる影響は何ら生じないことになる。この
為前述のパラレルT型トラツプ回路の抵抗R1
びR2の抵抗値の和の値及び抵抗R4の抵抗値を抵
抗9又は10の抵抗値と等しくすればよい。この
様にすれば低域周波数においては、抵抗R1とR2
が、又高域周波数においては抵抗R4がそれぞれ
第1図の抵抗9及び10の動作をする。
In the above configuration, the low resonant frequency of the speakers serving as the load, that is, the bandpass filters 17 and 1
At frequencies well below or above the trap frequency of 8, the bandpass filters 17 and 18
There is only an inherent internal resistance component between the input and output terminals PQ. This band bus filter 17
If the values of the internal resistance components of and 18 are made equal to the resistance values of resistors 9 and 10 in the conventional example shown in FIG. 1, no effect will be caused by inserting the bandpass filters 17 and 18. For this purpose, the sum of the resistance values of resistors R 1 and R 2 and the resistance value of resistor R 4 of the parallel T-type trap circuit described above may be made equal to the resistance value of resistor 9 or 10. In this way, at low frequencies, the resistances R 1 and R 2
However, at higher frequencies, resistor R 4 acts as resistors 9 and 10, respectively, in FIG.

なおこのように抵抗R4を挿入するとバンドバ
スフイルタ回路17及び18の減衰度は大きくな
らないが、減衰度は前述の様にあまり大きな値を
必要としないので、何ら支障はない。又抵抗R4
を挿入しない場合は、抵抗R7に並列に点線で示
す様にコンデンサC4を挿入し、高域周波数帯に
おいてはコンデンサC1及びC2の直列回路とコン
デンサC4による分圧回路を形成し、この分圧回
路による減衰度と、第1図の抵抗9,11及び抵
抗10,12による分圧回路の減衰度とが等しく
なる様に設定すればよい。
Although the attenuation of the bandpass filter circuits 17 and 18 does not increase when the resistor R 4 is inserted in this manner, there is no problem because the attenuation does not require a very large value as described above. Also resistance R 4
If not inserted, insert capacitor C 4 in parallel with resistor R 7 as shown by the dotted line, and in the high frequency band, form a voltage divider circuit with capacitor C 1 and C 2 in series and capacitor C 4 . , it is sufficient to set the attenuation degree by this voltage divider circuit to be equal to the attenuation degree by the voltage divider circuit by resistors 9, 11 and resistors 10, 12 shown in FIG.

なお抵抗R4は第3図の個所に限定されること
はなく、R4′の如くバンドバスフイルタ回路外に
挿入しても良くこの場合R4′≫R1,R4′≫R2とし
て抵抗R1 1及びR2 2等を設定する。
Note that the resistor R 4 is not limited to the location shown in Figure 3, and may be inserted outside the bandpass filter circuit as R 4 ′, in which case R 4 ′≫R 1 , R 4 ′≫R 2 Set resistances R 1 1 and R 2 2 , etc.

次に低域共振周波数においては、トランジスタ
3及び4のエミツタに生ずる信号は、前述の様に
3〜6dB程度減衰してトランジスタ15及び16
ベースに加わるので、前記保護動作曲線Bは矢印
C方向に移動し、保護動作曲線Bと負荷曲線Lと
は交わらなくなるので、前述の様な歪みは生じな
い。
Next, at the low resonant frequency, the signals generated at the emitters of transistors 3 and 4 are attenuated by about 3 to 6 dB, as described above, and
Since the load is applied to the base, the protection operation curve B moves in the direction of arrow C, and the protection operation curve B and the load curve L no longer intersect, so the distortion as described above does not occur.

以上の実施例では抵抗9及び10のかわりにバ
ンドバスフイルタ17及び18を用いたが、これ
に限らず、例えば第1図の従来例において抵抗
9,11の接続点及び抵抗10,12の接続点と
トランジスタ15及び16のベースとの間にバン
ドバスフイルタをそれぞれ挿入してもよい。要は
抵抗9,11及び抵抗10,12からなる分圧回
路の分圧出力を負荷となるべきスピーカの低域共
振周波数において減衰させればよい。
In the above embodiment, bandpass filters 17 and 18 were used in place of the resistors 9 and 10, but the invention is not limited to this. For example, in the conventional example shown in FIG. Bandpass filters may be inserted between the point and the bases of transistors 15 and 16, respectively. The point is to attenuate the divided voltage output of the voltage dividing circuit consisting of the resistors 9 and 11 and the resistors 10 and 12 at the low resonant frequency of the speaker to be the load.

なおバンドバスフイルタとしては実施例のもの
に限る必要はないことは勿論である。
It goes without saying that the bandpass filter is not limited to the one in the embodiment.

以上の様に本考案によれば、保護回路を有する
トランジスタ増幅器の出力が特にスピーカの低域
共振周波数付近において歪むのを防ぐことが出来
る。
As described above, according to the present invention, it is possible to prevent the output of a transistor amplifier having a protection circuit from being distorted, especially in the vicinity of the low resonant frequency of the speaker.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の保護回路を示す回路図、第2図
はその動作説明図、第3図は本考案の一実施例を
示す回路図。 図中3,4,15及び16はトランジスタ、1
7及び18はバンドバスフイルタである。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a conventional protection circuit, FIG. 2 is an explanatory diagram of its operation, and FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. In the figure, 3, 4, 15 and 16 are transistors, 1
7 and 18 are bandpass filters.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 出力トランジスタを第1の抵抗器を介して負荷
端に接続し、該出力トランジスタの制御電極と負
荷端との間にスイツチング素子を挿入し、上記抵
抗器と上記負荷端に接続されるべきスピーカとに
並列に分圧回路を接続し、該分圧回路の分圧出力
により上記スイツチング回路をオンオフ制御する
保護回路において、上記分圧出力を上記スピーカ
の低域共振周波数において減衰させる手段を有す
ることを特徴とする増幅器の保護回路。
An output transistor is connected to a load end via a first resistor, a switching element is inserted between a control electrode of the output transistor and the load end, and a speaker to be connected to the resistor and the load end is connected. A protection circuit which connects a voltage dividing circuit in parallel to the voltage dividing circuit and controls the switching circuit on and off using the voltage divided output of the voltage dividing circuit, further comprising means for attenuating the voltage divided output at a low resonant frequency of the speaker. Characteristic amplifier protection circuit.
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