JPS6362198A - Microwave introducing apparatus - Google Patents
Microwave introducing apparatusInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、大気圧側から真空側に高電力マイクロ波を導
入する装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an apparatus for introducing high power microwaves from an atmospheric pressure side to a vacuum side.
（従来技術）
大気圧側から真空側に高電力マイクロ波を伝送する第２
図に示される様なマイクロ波導入装置が知られている（
工業材料、ユニＣ’２ ） 、（１９８１）、Ｐ、５９
〜６４）。この装置において、マイクロ波発振装置１か
ら発生されたマイクロ波は導波管２内を伝達したのちア
ンテナ装置によって真空槽６内に放出されるが、このア
ンテナ装置は、図示されるように大気側と真空側を隔て
る導波管２の管壁に設けられた開口３を突き抜ける管状
アンテナ４と、このアンテナ４を空間を有して包囲する
誘電体の真空シール部５とから構成されている。アンテ
ナ４内には冷却ガスが流入されてアンテナ装置が冷却さ
れるようになっている。(Prior art) A second device that transmits high-power microwaves from the atmospheric pressure side to the vacuum side.
A microwave introduction device as shown in the figure is known (
Industrial Materials, UniC'2), (1981), P, 59
~64). In this device, microwaves generated from a microwave oscillator 1 are transmitted through a waveguide 2 and then emitted into a vacuum chamber 6 by an antenna device. It consists of a tubular antenna 4 that penetrates through an opening 3 provided in the tube wall of the waveguide 2 that separates the vacuum side from the waveguide 2, and a dielectric vacuum seal portion 5 that surrounds the antenna 4 with a space. Cooling gas flows into the antenna 4 to cool the antenna device.
〈発明が解決しようとする間頭点）
第２図に示された高電力マイクロ波導入装置の欠点は、
矩形導波管から同軸導波管形に変換してマイクロ波が導
入されるため構造が複雑になる事である。また、マイク
ロ波を所望する方向にだけ強く放射する指向性が得られ
ないことである。(The problem to be solved by the invention) The drawbacks of the high power microwave introduction device shown in FIG.
The structure becomes complicated because the microwave is introduced by converting from a rectangular waveguide to a coaxial waveguide. Another problem is that it is not possible to obtain directivity that radiates microwaves strongly only in a desired direction.
本発明の主な目的は、構造が簡単なマイクロ波導入装置
を提供することにある。The main object of the present invention is to provide a microwave introduction device with a simple structure.
（問題点を解決するための手段）
上記目的は、同軸導波管の一端にマグネトロンが取り付
けられ、前記同軸導波管の他端の内部導体にアンテナが
設けられており、このアンテナが前記同軸導波管の外部
導体に接続された誘電体、具体的にはセラミックスで包
囲されてなるマイクロ波導入装置により達成される。(Means for Solving the Problems) The above object is such that a magnetron is attached to one end of a coaxial waveguide, an antenna is provided to an internal conductor at the other end of the coaxial waveguide, and this antenna is connected to the coaxial waveguide. This is achieved by a microwave introduction device surrounded by a dielectric, specifically ceramic, connected to the outer conductor of the waveguide.
（作 用）
マグネトロンによって発生されたマイクロ波は、同軸導
波管の一端から他端まで伝達して、この他端の内部導体
に設けられたアンテナにより、大気圧側より誘電体を通
過して真空側に放射される。(Function) Microwaves generated by the magnetron are transmitted from one end of the coaxial waveguide to the other end, and are transmitted through the dielectric material from the atmospheric pressure side by an antenna installed on the internal conductor at the other end. Emitted to the vacuum side.
（発明の効果）
本発明においては、矩形導波管から同軸導波管への変換
部が存在しないので、構造が極めて簡単である。また、
真空条件が変動して、例えば真空側に生成されるプラズ
マが変化しても反射条件が直接影響されず発振管の破壊
が防止される。さらに、真空側に放射されるマイクロ波
に指向性を持たすことができる。(Effects of the Invention) In the present invention, since there is no converting section from a rectangular waveguide to a coaxial waveguide, the structure is extremely simple. Also,
Even if the vacuum conditions change, for example, the plasma generated on the vacuum side changes, the reflection conditions are not directly affected and the oscillation tube is prevented from being destroyed. Furthermore, the microwaves radiated toward the vacuum side can be given directivity.
（実施例）
以下、本発明を図面を参照しつつ詳細に説明する。第１
ａ図は本発明のマイクロ波導入装置の一実施例の断面図
であり、第１ｂ図は第１ａ図に示された一実施例の拡大
図である。同軸導波管１１の一端の外部導体１１ａに設
けられたマグネトロン取り付は板１２にマグネトロン１
５が設置され、この一端の内部導体１１ｂにはマグネト
ロンのアンテナ１３が燐青銅の接手１４にて接続されて
いる。マイクロ波は同軸導波管１１を伝送し、同軸導波
管１１の他端より放射される。この他端の内部導体１１
ｂには導入マイクロ波のほぼＡ波長長のアンテナ２０が
設けられている。このアンテナ２０は外部導体１１ａに
接続されたセラミックス１６で包囲されており、このセ
ラミック１６にアンテナ２０側を大気圧とし反対側を真
空状態とすることを可能としている。放射されたマイク
ロ波のサイドローブは少なく、主ローブのビーム幅は大
きい。真空状態の放電管１７内に放射されたマイクロ波
は、放電管１７を包囲して配置されたパーマネントマグ
ネット１８により形成される磁場と相互作用して電子サ
イクロトロン共鳴を生じ、プラズマが形成される。ここ
で１９はチニーニング用同軸ショートプランジャーであ
る。(Example) Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 1st
Figure a is a sectional view of an embodiment of the microwave introduction device of the present invention, and Figure 1b is an enlarged view of the embodiment shown in Figure 1a. The magnetron attached to the outer conductor 11a at one end of the coaxial waveguide 11 is attached to the plate 12.
5 is installed, and a magnetron antenna 13 is connected to the internal conductor 11b at one end with a phosphor bronze joint 14. The microwave is transmitted through the coaxial waveguide 11 and radiated from the other end of the coaxial waveguide 11. Internal conductor 11 at the other end
An antenna 20 having a wavelength length of approximately A of the introduced microwave is provided at b. This antenna 20 is surrounded by a ceramic 16 connected to an external conductor 11a, which allows the ceramic 16 to have an atmospheric pressure on the antenna 20 side and a vacuum state on the opposite side. The side lobes of the radiated microwaves are small, and the beam width of the main lobe is large. The microwaves radiated into the discharge tube 17 in a vacuum state interact with the magnetic field formed by the permanent magnet 18 placed surrounding the discharge tube 17 to generate electron cyclotron resonance, and plasma is formed. Here, 19 is a coaxial short plunger for chinening.
なお、実施例ではマグネトロンと同軸導波管の結合を直
接導電結合により行っているが、マグネトロンの種類に
より間接放射型結合により行うことが適当な場合もある
。In the embodiment, the magnetron and the coaxial waveguide are coupled by direct conductive coupling, but depending on the type of magnetron, indirect radiation coupling may be appropriate.
第１ａ図は本発明のマイクロ波導入装置の一実施例の側
断面図、第１ｂ図は第１ａ図に示された一実施例の一部
拡大図、第２図は従来のアンテナ装着を使用するマイク
ロ波導入装置の側断面図である。
１・・・・・・マイクロ波発生装置、２・・・・・・導
波管、３・・・・・・開口、 ４・・・・・
・管状アンテナ、５・・・・・・真空シール部、 ６・
・・・・・真空槽、１１・・・・・・同軸導波管、ｌｌ
ａ・・・・・・外部導体１１ｂ・・・・・・内部導体
１２・・・・・・マグネトロン取り付は板、１３・・・
・・・アンテナ、 １４・・・・・・接手、１５・
・・・・・マグネトロン、１６・・・・・セラミックス
、１７・・・・・・放電管、
１８・・・・・・パーマネントマグネット、１９・・・
・・・ショートプランジャー２０・・・・・・アンテナ
。
特許出願人 理 化 学 研 究 所第１ａ図
第１ｂ図Figure 1a is a side sectional view of an embodiment of the microwave introducing device of the present invention, Figure 1b is a partially enlarged view of the embodiment shown in Figure 1a, and Figure 2 is a conventional antenna installation. FIG. 1...Microwave generator, 2...Waveguide, 3...Aperture, 4...
・Tubular antenna, 5... Vacuum seal part, 6.
...Vacuum chamber, 11...Coaxial waveguide, ll
a...Outer conductor 11b...Inner conductor 12...The magnetron is mounted on a plate, 13...
...Antenna, 14...Joint, 15.
...Magnetron, 16...Ceramics, 17...Discharge tube, 18...Permanent magnet, 19...
... Short plunger 20 ... Antenna. Patent Applicant Physical and Chemical Research Institute Figure 1a Figure 1b
Claims (2)
、前記同軸導波管の他端の内部導体にはアンテナが設け
られており、このアンテナが前記同軸導波管の外部導体
に接続された誘電体で包囲されてなるマイクロ波導入装
置。(1) A magnetron is attached to one end of the coaxial waveguide, an antenna is provided on the inner conductor at the other end of the coaxial waveguide, and this antenna is connected to the outer conductor of the coaxial waveguide. A microwave introduction device surrounded by a dielectric material.
る特許請求の範囲第（１）項記載のマイクロ波導入装置
。(2) The microwave introduction device according to claim (1), wherein the dielectric material is ceramic.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61206121A JPH0673317B2 (en) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | Microwave introduction device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61206121A JPH0673317B2 (en) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | Microwave introduction device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6362198A true JPS6362198A (en) | 1988-03-18 |
| JPH0673317B2 JPH0673317B2 (en) | 1994-09-14 |
Family
ID=16518138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61206121A Expired - Lifetime JPH0673317B2 (en) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | Microwave introduction device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0673317B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012032596A1 (en) * | 2010-09-06 | 2012-03-15 | 株式会社イー・エム・ディー | Plasma processing apparatus |
-
1986
- 1986-09-02 JP JP61206121A patent/JPH0673317B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012032596A1 (en) * | 2010-09-06 | 2012-03-15 | 株式会社イー・エム・ディー | Plasma processing apparatus |
| CN103155718A (en) * | 2010-09-06 | 2013-06-12 | Emd株式会社 | Plasma processing apparatus |
| JP5462368B2 (en) * | 2010-09-06 | 2014-04-02 | 株式会社イー・エム・ディー | Plasma processing equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0673317B2 (en) | 1994-09-14 |
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