JPH0673317B2 - Microwave introduction device - Google Patents
Microwave introduction deviceInfo
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- JPH0673317B2 JPH0673317B2 JP61206121A JP20612186A JPH0673317B2 JP H0673317 B2 JPH0673317 B2 JP H0673317B2 JP 61206121 A JP61206121 A JP 61206121A JP 20612186 A JP20612186 A JP 20612186A JP H0673317 B2 JPH0673317 B2 JP H0673317B2
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- antenna
- microwave
- vacuum
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- introduction device
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、大気圧側から真空側に高電力マイクロ波を導
入する装置に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a device for introducing high-power microwaves from the atmospheric pressure side to the vacuum side.
(従来技術) 大気圧側から真空側に高電力マイクロ波を伝送する第2
図に示される様なマイクロ波導入装置が知られている
(工業材料、29〔2〕、(1981)、P.59〜64)。この装
置において、マイクロ波発振装置1から発生されたマイ
クロ波は導波管2内を伝達したのちアンテナ装置によっ
て真空槽6内に放出されるが、このアンテナ装置は、図
示されるように大気側と真空側を隔てる導波管2の管壁
に設けられた開口3を突き抜ける管状アンテナ4と、こ
のアンテナ4を空間を有して包囲する誘電体の真空シー
ル部5とから構成されている。アンテナ4内には冷却ガ
スが流入されてアンテナ装置が冷却されるようになって
いる。(Prior Art) Second for transmitting high-power microwave from the atmospheric pressure side to the vacuum side
A microwave introduction device as shown in the figure is known (industrial materials, 29 [2], (1981), P.59 to 64). In this device, the microwave generated from the microwave oscillating device 1 is transmitted through the waveguide 2 and then released into the vacuum chamber 6 by the antenna device. And a tubular antenna 4 penetrating through an opening 3 provided in the tube wall of the waveguide 2 separating the vacuum side, and a vacuum seal portion 5 of a dielectric material surrounding the antenna 4 with a space. Cooling gas is introduced into the antenna 4 to cool the antenna device.
(発明が解決しようとする問題点) 第2図に示された高電力マイクロ波導入装置の欠点は、
矩形導波管から同軸導波管形に変換してマイクロ波が導
入されるため構造が複雑になる事である。また、マイク
ロ波を所望する方向にだけ強く放射する指向性が得られ
ないことである。(Problems to be Solved by the Invention) The drawbacks of the high-power microwave introduction device shown in FIG.
The structure is complicated because the microwave is introduced by converting from the rectangular waveguide to the coaxial waveguide type. In addition, directivity that strongly radiates microwaves only in a desired direction cannot be obtained.
本発明の主な目的は、構造が簡単なマイクロ波導入装置
を提供することにある。A main object of the present invention is to provide a microwave introduction device having a simple structure.
(問題点を解決するための手段) 上記目的は、同軸導波管の一端にマグネトロンが取り付
けられ、前記同軸導波管の他端の内部導体にアンテナが
設けられており、このアンテナが前記同軸導波管の外部
導体に接続された誘電体、具体的にはセラミックスで包
囲されてなるマイクロ波導入装置により達成される。(Means for Solving Problems) The above-mentioned object is to install a magnetron at one end of a coaxial waveguide, and to provide an antenna on an inner conductor of the other end of the coaxial waveguide. This is achieved by a microwave introduction device which is surrounded by a dielectric material, specifically, ceramics, which is connected to the outer conductor of the waveguide.
(作用) マグネトロンによって発生されたマイクロ波は、同軸導
波管の一端から他端まで伝達して、この他端の内部導体
に設けられたアンテナにより、大気圧側より誘電体を通
過して真空側に放射される。(Function) The microwave generated by the magnetron is transmitted from one end of the coaxial waveguide to the other end, and the antenna provided on the inner conductor at the other end passes through the dielectric from the atmospheric pressure side to create a vacuum. Radiated to the side.
(発明の効果) 本発明においては、矩形導波管から同軸導波管への変換
部が存在しないので、構造が極めて簡単である。また、
真空条件が変動して、例えば真空側に生成されるプラズ
マが変化しても反射条件が直接影響されず発振管の破壊
が防止される。さらに、真空側に放射されるマイクロ波
に指向性を持たすことができる。(Effect of the Invention) In the present invention, since there is no conversion section from the rectangular waveguide to the coaxial waveguide, the structure is extremely simple. Also,
Even if the vacuum condition changes and, for example, the plasma generated on the vacuum side changes, the reflection condition is not directly affected and the breakage of the oscillation tube is prevented. Furthermore, the microwave radiated to the vacuum side can have directivity.
(実施例) 以下、本発明を図面を参照しつつ詳細に説明する。第1a
図は本発明のマイクロ波導入装置の一実施例の断面図で
あり、第1b図は第1a図に示された一実施例の拡大図であ
る。同軸導波管11の一端の外部導体11aに設けられたマ
グネトロン取り付け板12にマグネトロン15が設置され、
この一端の内部導体11bにはマグネトロンのアンテナ13
が燐青銅の接手14にて接続されている。マイクロ波は同
軸導波管11を伝送し、同軸導波管11の他端より放射され
る。この他端の内部導体11bには導入マイクロ波のほぼ1
/4波長長のアンテナ20が設けられている。このアンテナ
20は外部導体11aに接続されたセラミックス16で包囲さ
れており、このセラミックス16にアンテナ20側を大気圧
とし反対側を真空状態とすることを可能としている。放
射されたマイクロ波のサイドローブは少なく、主ローブ
のビーム幅は大きい。真空状態の放電管17内に放射され
たマイクロ波は、放電管17内を包囲して配置されたパー
マネントマグネット18により形成される磁場と相互作用
して電子サイクロトロン共鳴を生じ、プラズマが形成さ
れる。ここで19はチューニング用同軸ショートプランジ
ャーである。(Example) Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 1a
FIG. 1 is a sectional view of an embodiment of the microwave introducing device of the present invention, and FIG. 1b is an enlarged view of the embodiment shown in FIG. 1a. A magnetron 15 is installed on a magnetron mounting plate 12 provided on the outer conductor 11a at one end of the coaxial waveguide 11.
The magnetron antenna 13 is attached to the inner conductor 11b at this end.
Are connected by a phosphor bronze joint 14. The microwave is transmitted through the coaxial waveguide 11, and is radiated from the other end of the coaxial waveguide 11. The internal conductor 11b at the other end has almost 1
An antenna 20 having a length of / 4 wavelength is provided. This antenna
20 is surrounded by a ceramics 16 connected to the outer conductor 11a, and this ceramics 16 makes it possible to bring the antenna 20 side to atmospheric pressure and the opposite side to a vacuum state. The radiated microwave has few side lobes and the main lobe has a large beam width. The microwave radiated in the vacuum discharge tube 17 interacts with the magnetic field formed by the permanent magnet 18 surrounding the discharge tube 17 to generate electron cyclotron resonance, and plasma is formed. . Here, 19 is a coaxial short plunger for tuning.
なお、実施例ではマグネトロンと同軸導波管の結合を直
接導電結合により行っているが、マグネトロンの種類に
より間接放射型結合により行うことが適当な場合もあ
る。Although the magnetron and the coaxial waveguide are coupled by direct conductive coupling in the embodiment, indirect radiative coupling may be appropriate depending on the type of magnetron.
第1a図は本発明のマイクロ波導入装置の一実施例の側断
面図、第1b図は第1a図に示された一実施例の一部拡大
図、第2図は従来のアンテナ装置を使用するマイクロ波
導入装置の側断面図である。 1……マイクロ波発生装置、2……導波管、 3……開口、4……管状アンテナ、 5……真空シール部、6……真空槽、 11……同軸導波管、11a……外部導体 11b……内部導体 12……マグネトロン取り付け板、 13……アンテナ、14……接手、 15……マグネトロン、16……セラミックス、 17……放電管、 18……パーマネントマグネット、 19……ショートプランジャー 20……アンテナ。FIG. 1a is a side sectional view of an embodiment of the microwave introducing device of the present invention, FIG. 1b is a partially enlarged view of the embodiment shown in FIG. 1a, and FIG. 2 uses a conventional antenna device. It is a sectional side view of the microwave introduction device. 1 ... Microwave generator, 2 ... Waveguide, 3 ... Aperture, 4 ... Tubular antenna, 5 ... Vacuum seal part, 6 ... Vacuum tank, 11 ... Coaxial waveguide, 11a. Outer conductor 11b …… Inner conductor 12 …… Magnetron mounting plate, 13 …… Antenna, 14 …… Joint, 15 …… Magntron, 16 …… Ceramics, 17 …… Discharge tube, 18 …… Permanent magnet, 19 …… Short Plunger 20 ... antenna.
Claims (2)
けられ、前記同軸導波管の他端の内部導体にはアンテナ
が設けられており、このアンテナが前記同軸導波管の外
部導体に接続された誘電体で包囲されてなるマイクロ波
導入装置。1. A magnetron is attached to one end of a coaxial waveguide, and an antenna is provided on an inner conductor of the other end of the coaxial waveguide. The antenna is connected to an outer conductor of the coaxial waveguide. Microwave introducing device surrounded by a dielectric material.
徴とする特許請求の範囲第(1)項記載のマイクロ波導
入装置。2. The microwave introducing apparatus according to claim 1, wherein the dielectric is ceramics.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61206121A JPH0673317B2 (en) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | Microwave introduction device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61206121A JPH0673317B2 (en) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | Microwave introduction device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6362198A JPS6362198A (en) | 1988-03-18 |
JPH0673317B2 true JPH0673317B2 (en) | 1994-09-14 |
Family
ID=16518138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61206121A Expired - Lifetime JPH0673317B2 (en) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | Microwave introduction device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0673317B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5462368B2 (en) * | 2010-09-06 | 2014-04-02 | 株式会社イー・エム・ディー | Plasma processing equipment |
-
1986
- 1986-09-02 JP JP61206121A patent/JPH0673317B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6362198A (en) | 1988-03-18 |
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