JPS6358750A - イオン注入装置用イオンビ−ム検出器 - Google Patents
イオン注入装置用イオンビ−ム検出器Info
- Publication number
- JPS6358750A JPS6358750A JP61203055A JP20305586A JPS6358750A JP S6358750 A JPS6358750 A JP S6358750A JP 61203055 A JP61203055 A JP 61203055A JP 20305586 A JP20305586 A JP 20305586A JP S6358750 A JPS6358750 A JP S6358750A
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- JP
- Japan
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- ion beam
- detector
- ion
- rotary shaft
- entrance hole
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン注入装置に関し、特にイオンビーム検出
器に関する。
器に関する。
半導体製品製造の一工程に用いられているイオン注入装
置では通常、半導体製品に注入する時のイオンビーム電
流検出器とは別にイオン源及びビームライン部の各条件
設定用のイオンビーム検出器を備えている。
置では通常、半導体製品に注入する時のイオンビーム電
流検出器とは別にイオン源及びビームライン部の各条件
設定用のイオンビーム検出器を備えている。
第4図は一般的な静電走査式イオン注入装置の略図であ
る0図に示すように、イオン源20から取り出されたイ
オンビームは質量分析器21を経て所望のイオンに分離
され、収束系22.走査系23をそれぞれ通過し、注入
用イオンビーム検出器24に装着された製品26に注入
されるが、この製品注入時に使用する注入用イオンビー
ム検出器24の直前にイオンビーム飛程に対し出入りす
るように動作する条件設定用イオンビーム検出器25が
設けられている1条件設定用イオンビーム検出塁25は
通常第5図のように主検出器1の中心部にイオンビーム
入射孔1aを開け、その後方に電気的に絶縁された中心
部検出器2を設けたものが使用されており、主検出器1
及び中心部検出器2を切り換えたり、或いは組合せてイ
オンビームの走査中の決定や、イオンビーム量の調整、
イオンビームの形状調整が行われている。
る0図に示すように、イオン源20から取り出されたイ
オンビームは質量分析器21を経て所望のイオンに分離
され、収束系22.走査系23をそれぞれ通過し、注入
用イオンビーム検出器24に装着された製品26に注入
されるが、この製品注入時に使用する注入用イオンビー
ム検出器24の直前にイオンビーム飛程に対し出入りす
るように動作する条件設定用イオンビーム検出器25が
設けられている1条件設定用イオンビーム検出塁25は
通常第5図のように主検出器1の中心部にイオンビーム
入射孔1aを開け、その後方に電気的に絶縁された中心
部検出器2を設けたものが使用されており、主検出器1
及び中心部検出器2を切り換えたり、或いは組合せてイ
オンビームの走査中の決定や、イオンビーム量の調整、
イオンビームの形状調整が行われている。
ここで問題となるのはイオンビーム形状の調整時である
。
。
イオンビーム形状調整はビームの収束度合を調整するこ
とにより行われるが、収束度合は中心部検出器2で検出
されたイオンビーム電流量と主検出器1におけるイオン
ビーム電流量の割合を見ながらイオン注入装置の収束系
を操作し調整する。
とにより行われるが、収束度合は中心部検出器2で検出
されたイオンビーム電流量と主検出器1におけるイオン
ビーム電流量の割合を見ながらイオン注入装置の収束系
を操作し調整する。
つまり、中心部検出器2により多くのイオンビーム電流
が流れるように調整して行われることになる。
が流れるように調整して行われることになる。
ところが、第5図に示す従来の条件設定用イオンビーム
検出器25では中心部検出器2へのイオンビーム入射孔
1aの口径が一定であるため、イオンビームの形状が入
射孔1aより小さい場合、つまりイオンビームのほとん
どが中心部検出器2にのみ入射した場合にはそれ以上の
調整が不可能になったり、あるいは逆にどんなに調整し
てみても、イオンビーム形状が細くならず、中心部検出
器2と主検出器1のイオンビーム電流差がほとんどない
場合に調整のピークがわかりづらくて調整に手間どった
りするという欠点があった。
検出器25では中心部検出器2へのイオンビーム入射孔
1aの口径が一定であるため、イオンビームの形状が入
射孔1aより小さい場合、つまりイオンビームのほとん
どが中心部検出器2にのみ入射した場合にはそれ以上の
調整が不可能になったり、あるいは逆にどんなに調整し
てみても、イオンビーム形状が細くならず、中心部検出
器2と主検出器1のイオンビーム電流差がほとんどない
場合に調整のピークがわかりづらくて調整に手間どった
りするという欠点があった。
本発明の目的は装置調整が容易に行い得るイオン注入装
置用イオンビーム検出器を提供することにある。
置用イオンビーム検出器を提供することにある。
上述した従来の条件設定用イオンビーム検出器に対し、
本発明は中心部検出器のイオンビーム入射孔の口径を変
更可能にするという独創的内容を有する。
本発明は中心部検出器のイオンビーム入射孔の口径を変
更可能にするという独創的内容を有する。
本発明はイオンビーム電流をモニターする機構のうち、
イオンビームの収束度合を[測する部分にイオンビーム
入射孔を有する静電走査方式イオン注入装置において、
イオンビーム入射孔の口径を変化させる機構を備えたこ
とを特徴とするイオン注入装置用イオンビーム検出器で
ある。
イオンビームの収束度合を[測する部分にイオンビーム
入射孔を有する静電走査方式イオン注入装置において、
イオンビーム入射孔の口径を変化させる機構を備えたこ
とを特徴とするイオン注入装置用イオンビーム検出器で
ある。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
(実施例1)
第2図に示すように、条件設定用イオンビーム検出器2
5は主検出器1の中心部にイオンビーム入射孔1aを開
口し、その後方に電気的に絶縁された中心部検出器2を
設けである。
5は主検出器1の中心部にイオンビーム入射孔1aを開
口し、その後方に電気的に絶縁された中心部検出器2を
設けである。
本実施例は第1図、第2図に示すように主検出器1に、
イオンビーム入射孔1aを含む案内溝1bを上下方向に
設け、異径の複数の入射孔3a、・・・を備えた開口板
3を案内溝lb内に摺動可能に嵌合し、該開口板3を主
検出器1のイオンビーム入射孔1aと中心部検出器2と
の間に配設しである。開口板3の背部にはラック10を
付設し、回転軸6のピニオン9をラック10に噛合しで
ある。
イオンビーム入射孔1aを含む案内溝1bを上下方向に
設け、異径の複数の入射孔3a、・・・を備えた開口板
3を案内溝lb内に摺動可能に嵌合し、該開口板3を主
検出器1のイオンビーム入射孔1aと中心部検出器2と
の間に配設しである。開口板3の背部にはラック10を
付設し、回転軸6のピニオン9をラック10に噛合しで
ある。
本実施例に係る条件設定用イオンビーム検出器25は、
製品にイオン注入する前にイオンビームを調整する際に
、イオンビームに相対する位置に回転軸4を中心にして
移動し、各種調整が行われる。
製品にイオン注入する前にイオンビームを調整する際に
、イオンビームに相対する位置に回転軸4を中心にして
移動し、各種調整が行われる。
ここで、中心部検出器2のイオンビーム入射孔を可変し
たい場合には、回転軸5を外部より回転させてギア7及
びギア8により回転軸6に回転を伝える0回転軸6の回
転はピニオン9、ラック10により開口板3を案内溝1
aに沿い上下方向に移動させることになり、結果として
開口板3の異径の入射孔3aの−を選択しこれを中心部
検出器2とイオンビーム入射孔1aとの間に設置する。
たい場合には、回転軸5を外部より回転させてギア7及
びギア8により回転軸6に回転を伝える0回転軸6の回
転はピニオン9、ラック10により開口板3を案内溝1
aに沿い上下方向に移動させることになり、結果として
開口板3の異径の入射孔3aの−を選択しこれを中心部
検出器2とイオンビーム入射孔1aとの間に設置する。
これにより、中心部検出器2の入射孔を変更できること
となる。
となる。
(実施例2)
第3図は本発明の実施例2の概略図である。中心部検出
器2の入射孔を変更する場合は回転軸12を回転させる
ことによりギア15.ギア16を通じて回転軸13が回
転し、さらにギア17.ギア18を通じ回転軸14が回
転する。回転軸14が回転するとギア19を通じて円盤
状の開口板3が回転するので、開口板3の同一円周上に
明けられた異径の入射孔3a。
器2の入射孔を変更する場合は回転軸12を回転させる
ことによりギア15.ギア16を通じて回転軸13が回
転し、さらにギア17.ギア18を通じ回転軸14が回
転する。回転軸14が回転するとギア19を通じて円盤
状の開口板3が回転するので、開口板3の同一円周上に
明けられた異径の入射孔3a。
3a・・・の−が選択されその入射孔3aにより中心部
検出器2の入射孔の口径が変更させられる。
検出器2の入射孔の口径が変更させられる。
この実施例では入射孔の口径の種類を比較的多くできる
という利点がある。
という利点がある。
以上説明したように本発明の注入条件設定用イオンビー
ム検出器によれば、中心部検出器のイオンビーム入射孔
の口径を簡単に変更できるので、イオンビームのほとん
どが中心部検出器にのみ入射し、さらにイオンビームを
収束させようとしても検出不能に陥る場合は、入射孔を
小さくし、検出可能とすることができ、イオンビームの
収束度が極端に悪く、主検出器と中心部検出器とのイオ
ンビーム電流差がほとんどなくてピークを見つけられづ
らい場合には、入射孔を大きくしてピークを見つけ易く
できる効果がある。
ム検出器によれば、中心部検出器のイオンビーム入射孔
の口径を簡単に変更できるので、イオンビームのほとん
どが中心部検出器にのみ入射し、さらにイオンビームを
収束させようとしても検出不能に陥る場合は、入射孔を
小さくし、検出可能とすることができ、イオンビームの
収束度が極端に悪く、主検出器と中心部検出器とのイオ
ンビーム電流差がほとんどなくてピークを見つけられづ
らい場合には、入射孔を大きくしてピークを見つけ易く
できる効果がある。
つまり、イオンビーム入射孔の口径を変更できるので、
装置調整がより容易に行い得る効果があるわけである。
装置調整がより容易に行い得る効果があるわけである。
第1図は本発明の実施例1を示す概略図、第2図は同左
側断面図、第3図は本発明の実施例2を示す概略図、第
4図は一般的なイオン注入装置を示す説明略図、第5図
は従来の条件設定用イオンビーム検出器を示す断面図で
ある。
側断面図、第3図は本発明の実施例2を示す概略図、第
4図は一般的なイオン注入装置を示す説明略図、第5図
は従来の条件設定用イオンビーム検出器を示す断面図で
ある。
Claims (1)
- (1)イオンビーム電流をモニターする機構のうち、イ
オンビームの収束度合を観測する部分にイオンビーム入
射孔を有する静電走査方式イオン注入装置において、イ
オンビーム入射孔の口径を変化させる機構を備えたこと
を特徴とするイオン注入装置用イオンビーム検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61203055A JPS6358750A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | イオン注入装置用イオンビ−ム検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61203055A JPS6358750A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | イオン注入装置用イオンビ−ム検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6358750A true JPS6358750A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16467592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61203055A Pending JPS6358750A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | イオン注入装置用イオンビ−ム検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6358750A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019100794A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | 株式会社東芝 | ビームエミッタンス測定装置及び方法 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP61203055A patent/JPS6358750A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019100794A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | 株式会社東芝 | ビームエミッタンス測定装置及び方法 |
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