JPS6358436A - Method for forming electron beam resist pattern - Google Patents
Method for forming electron beam resist patternInfo
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Classifications
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/165—Monolayers, e.g. Langmuir-Blodgett
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、電子線露光法を使用してなすパターン形成方
法において、従来のレジスト材料を用いた場合には避け
がたいパターン微細化の限界およびチャージアップによ
るパターンの位置ずれ等の問題を解決するため、ラング
ミュアプロジェット膜をもって構成した電子線レジスト
膜の上に導電性ラングミュアプロジェット膜をもって構
成した電荷除去膜を累積して形成した二重層を電子線照
射用レジストとして使用することにより、従来のレジス
ト材料では解像できない微細なパターンを位置ずれなく
形成できるようにしたものである。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention is directed to a pattern forming method using an electron beam exposure method, which overcomes the limitations of pattern refinement and charge-up that are unavoidable when using conventional resist materials. In order to solve problems such as pattern misalignment, we applied electron beam irradiation to a double layer formed by accumulating a charge removal film made of a conductive Langmuir Prodget film on top of an electron beam resist film made of a Langmuir Prodget film. By using it as a commercial resist, it is possible to form fine patterns that cannot be resolved with conventional resist materials without misalignment.
本発明は、電子線照射法を使用してなすパターン形成方
法の改良に関する。特に、膜厚不整やチャージアップに
よるパターンの位置ずれを防止する改良に関する。The present invention relates to an improvement in a pattern forming method using electron beam irradiation. In particular, the present invention relates to improvements in preventing pattern misalignment due to irregular film thickness or charge-up.
集積回路素子の高集積化に伴ない、基板表面を加工する
ためのレジストパターンはますます微細化される傾向に
ある。このようなレジストパターンの微細化の要請に対
処するためには、高度な特性例えばすぐれた解像度をも
つレジストの開発はもとよりそれに並行して位置ずれ等
の問題が発生しない高精度なパターン形成方法の確立が
必要とされる。2. Description of the Related Art As integrated circuit elements become more highly integrated, resist patterns for processing substrate surfaces tend to become increasingly finer. In order to meet the demand for miniaturization of resist patterns, it is necessary not only to develop resists with advanced characteristics such as excellent resolution, but also to develop highly accurate pattern formation methods that do not cause problems such as misalignment. Establishment is required.
微細パターンを高精度に形成するには、電子線露光法が
すぐれていることが知られている。この電子線露光法を
使用して、集積回路の基板表面を加工する際には、まず
、電子線露光用レジストをスピンコード法で塗布し厚さ
が均一のレジスト膜を形成する。このレジスト膜をサブ
ミクロン幅のパターンをなすレジスト膜に転換するため
に、波長の短い電子線を照射して、レジストの特性に応
じて照射部分を硬化あるいは分解することにより、パタ
ーン描画をなして現像する。 ここで、電子線露光用レ
ジストに要求される特性は、高感度・高解像度・膜厚の
均−性等である。It is known that electron beam exposure is an excellent method for forming fine patterns with high precision. When processing the surface of an integrated circuit substrate using this electron beam exposure method, first, a resist for electron beam exposure is applied by a spin code method to form a resist film with a uniform thickness. In order to convert this resist film into a resist film forming a pattern with a submicron width, a pattern is drawn by irradiating an electron beam with a short wavelength and curing or decomposing the irradiated part depending on the characteristics of the resist. develop. Here, the characteristics required of a resist for electron beam exposure include high sensitivity, high resolution, and uniformity of film thickness.
パターン幅がサブミクロンあるいはそれ以下であると、
従来のレジストをスピンコード法を使用して塗布する方
法をもってはレジス）［の厚さの均一性を確保すること
は容易ではない。When the pattern width is submicron or less,
With the conventional method of applying resist using a spin code method, it is not easy to ensure the uniformity of the thickness of the resist.
また、電子線で露光を行なう際、レジスト層内にチャー
ジアップすなわち電荷の蓄積が発生し、この電荷の存在
によって電子線の飛行経路が歪曲されてパターンの位置
ずれが生じるという問題があり、この位置ずれの問題は
、パターン幅が微少になるほど、深刻である。Furthermore, when exposing with an electron beam, a charge-up, that is, an accumulation of charges, occurs within the resist layer, and the presence of this charge distorts the flight path of the electron beam, causing pattern misalignment. The problem of misalignment becomes more serious as the pattern width becomes smaller.
本発明の目的は、レジスト膜の厚さの均一性を確保する
ことが容易であり、チャージアップにもとづくパターン
の位置ずれを防止することができる電子線レジストパタ
ーン形成方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an electron beam resist pattern forming method that can easily ensure uniformity in the thickness of a resist film and can prevent pattern displacement due to charge-up.
上記の目的を達成するために本発明が採った手段は、電
子線露光法を使用してパターン形成をなすために、まず
、基板表面にラングミュアプロジェット法を使用してラ
ングミュアプロジェット膜よりなる電子線レジスト膜を
形成し、その上に導電性ラングミュアプロジェット膜を
累積して導電性ラングミュアプロジェット膜よりなる電
荷除去膜を形成し、この二重層を電子線露光用レジスト
膜として使用することにある。The means taken by the present invention to achieve the above object is that, in order to form a pattern using an electron beam exposure method, first, a Langmuir-Projet film is formed on a substrate surface using a Langmuir-Projet method. Forming an electron beam resist film, accumulating a conductive Langmuir Prodget film thereon to form a charge removal film made of the conductive Langmuir Prodget film, and using this double layer as a resist film for electron beam exposure. It is in.
ラングミュアプロジェット法で累積したラングミュアプ
ロジェット膜は、入レベルで膜厚が正確に制御されてお
り、大面積でも均一でピンホールがない、そのため、本
発明に係る電子線レジスト膜は、従来のスピンコード法
を使用して形成した電子線レジスト膜よりもはるかに膜
厚が均一である。この特徴は、特に大面積のウェーハに
おいて顕著な利益である。The Langmuir-Prodget film accumulated by the Langmuir-Prodget method has a film thickness that is precisely controlled at the input level, is uniform even over a large area, and has no pinholes. Therefore, the electron beam resist film according to the present invention is different from the conventional one. The film thickness is much more uniform than that of an electron beam resist film formed using the spin code method. This feature is a significant benefit, especially in large area wafers.
また、この上に累積した導電性ラングミュアプロジェッ
ト膜は非常に高い導電率をもつので、電荷除去膜として
機能して、電子線照射の際に電荷の蓄積を防ぐことがで
きる。Furthermore, since the conductive Langmuir-Prodgett film accumulated thereon has very high conductivity, it functions as a charge removal film and can prevent charge accumulation during electron beam irradiation.
支ム逍ユ
Ω−トリコセン酸の単分子膜を、シリコンウェーハ表面
にラングミュアプロジェット法で５０Ｆ！累積し、（Ｉ
、、Ｒ、ＰＥＴＥＲ３ＯＮ他ＩＪｎｉｖｅｒｓｉｔｙ
ｏｆ Ｉｌｕｒｈａｍ参照）その上に、ＴＭＴＴ
Ｆ−長鎖ＴＣＮＱ（テトラメチルテトラチアフルバレン
オクタデシルテトラシアノキノジメタン）の単分子膜を
累積した（武井他、富士通厚木研、化技研、束大物性研
）、加速電圧２０ＫＶの電子線露光装置を用いてビーム
電流２ Ｘ １０” Ａスポット径０．０５ｐ露の条件
でパターンを描画し、ベンゼンでＴＭＴＴＦ−長ｆｉＴ
ｃＮＱを除去した後、エチルアルコールで６０秒間現像
を行い幅０．２終鳳のパターンを形成したところ、チャ
ージアップによるパターンの位置ずれは０．ＯＩＪＬｍ
以下であった。50F! Accumulate (I
,,R,PETER3ON and others IJniversity
of Ilurham) Additionally, TMTT
Accumulated monolayer of F-long chain TCNQ (tetramethyltetrathiafulvalene octadecyltetracyanoquinodimethane) (Takei et al., Fujitsu Atsugi Laboratory, Kagaku Giken, Tsukadai Institute of Physics), electron beam exposure equipment with accelerating voltage of 20 KV. A pattern was drawn using a beam current of 2 x 10” A spot diameter of 0.05p, and TMTTF-long fiT was drawn using benzene.
After removing cNQ, development was performed with ethyl alcohol for 60 seconds to form a pattern with a width of 0.2 mm, and the positional shift of the pattern due to charge-up was 0.2 mm. OIJLm
It was below.
犬ＪＪＬλ
実施例１と同様の方法で、絶縁体の基板表面にΩ−トリ
コセン酸と導電性ラングミュアプロジェット膜を累積し
幅数１Ｏｎ膿のパターンを形成したところ、チャージア
ップによるパターンの位置ずれは生じなかった。Dog JJLλ By the same method as in Example 1, Ω-tricosenic acid and a conductive Langmuir-Prodgett film were accumulated on the surface of an insulating substrate to form a pattern with a width of several 1 On. It did not occur.
本発明に係る電子線レジストパターン形成方法において
は、膜厚が分子レベルで制御されているため膜厚が均一
でピンホールもないラングミュアプロジェット膜よりな
る電子線レジスト膜と導電性ラングミュアプロジェット
膜よりなる電荷除去膜との二重層を電子線露光用レジス
ト膜として使用することとされているので、レジスト膜
の厚さの均一性を確保することが容易であり、チャージ
アップにもとづくパターンの位置ずれを防止することが
でき、極めて微細なパターンを高精度に形成することが
できる。In the method for forming an electron beam resist pattern according to the present invention, an electron beam resist film consisting of a Langmuir Projet film, which has a uniform film thickness and no pinholes because the film thickness is controlled at the molecular level, and a conductive Langmuir Projet film. Since a double layer with a charge removal film consisting of Misalignment can be prevented, and extremely fine patterns can be formed with high precision.
Claims (1)
ジスト膜と導電性のラングミュアプロジェット膜をもっ
て構成した電荷除去膜との二重層を用いることを特徴と
する電子線レジストパターン形成方法。A method for forming an electron beam resist pattern, comprising using a double layer of an electron beam resist film composed of a Langmuir-Prodgett film and a charge removal film composed of a conductive Langmuir-Prodgett film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20435186A JPS6358436A (en) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | Method for forming electron beam resist pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20435186A JPS6358436A (en) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | Method for forming electron beam resist pattern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358436A true JPS6358436A (en) | 1988-03-14 |
Family
ID=16489066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20435186A Pending JPS6358436A (en) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | Method for forming electron beam resist pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358436A (en) |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20435186A patent/JPS6358436A/en active Pending
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