JPS6358138A - Pattern inspector - Google Patents
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、被検査物の複数のパターンを撮像し、これら
の像同士を比較することによって前記パターンの同一性
を判別する様にしたパターン検査装置に関するものであ
る。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention provides a pattern in which a plurality of patterns of an object to be inspected are imaged and identity of the patterns is determined by comparing these images. This relates to inspection equipment.
本発明は、上記の様なパターン検査装置において、撮像
手段と被検査物とを相対的に且つ連続的に移動させつつ
、複数のパターンを間欠的に撮像することによって、全
体として短い時間でパターンの検査を行うことができる
様にしたものである。The present invention provides a pattern inspection apparatus such as the one described above, by intermittently capturing images of a plurality of patterns while moving the imaging means and the object to be inspected relatively and continuously. It is designed so that it can be inspected.
例えば、縮小投影露光装置を用いて半導体装置のりソゲ
ラフイエ程を行う場合は、第５図に示す様に、互いに等
しい何個かのパターン１１ａ〜１１ｄを有するレチクル
１２を用いて、ウェハ１３の表面を順次に露光させてゆ
く。従ってウェハ１３の表面は、本来ならば、互いに等
しい多数のパターンが形成される。For example, when performing a semiconductor device mounting process using a reduction projection exposure apparatus, as shown in FIG. Expose sequentially. Therefore, on the surface of the wafer 13, a large number of mutually equal patterns are originally formed.
しかし、レチクル１２の例えばハーフｌｌａにＸ印で示
されている様に欠陥が発生していると、ウェハ１３の表
面にも、欠陥を有する多数のパターンｌｌａが形成され
てしまい、半導体装置の製造歩留が大きく低下する。However, if a defect occurs in, for example, the half lla of the reticle 12, as shown by the X mark, many patterns lla having defects are also formed on the surface of the wafer 13, which leads to the production of semiconductor devices. Yield will drop significantly.
このために、−旦、テスト用のウェハを露光させ、この
ウェハを検査して、レチクル１２の完全性を事前に確認
することが行われている。For this purpose, the integrity of the reticle 12 is confirmed in advance by first exposing a test wafer and inspecting the wafer.
この様な検査を行うパターン検査装置には例えば特公昭
５９−５０２１８号公報にも示されている様に種々提案
されているが、第６図はその内の一従来例を示している
。この−従来例では、異なる露光によってウェハ１３に
形成されており６０〜８００だけ離間しているパターン
ｌｌａとパターンｌｌｂとをまず拡大撮像する。この拡
大撮像は、やはり６０〜８０重璽だけ離間しておりパタ
ーンｌｌａとパターンｌｌｂとに対して静止している２
本の顕微鏡１４ａ、１４ｂと、これらの顕微゛ 鏡１
４ａ、１４ｂに接続されている撮像管（図示せず）とを
用いて行われる。Various pattern inspection apparatuses for carrying out such inspections have been proposed, as shown in Japanese Patent Publication No. 59-50218, for example, and FIG. 6 shows one conventional example. In this conventional example, patterns lla and llb, which are formed on the wafer 13 by different exposures and are separated by 60 to 800 degrees, are first imaged in an enlarged manner. This enlarged image is also spaced apart by 60 to 80 squares and is stationary with respect to pattern lla and pattern llb.
Book microscopes 14a and 14b and these microscopes 1
This is done using an image pickup tube (not shown) connected to 4a and 14b.
拡大撮像された一対の像は互いに比較されるが、今の場
合は像同士が等しくなく、パターンｌｌａとパターンｌ
ｌｂとが互いに異なっていることが判明する。A pair of enlarged images are compared with each other, but in this case, the images are not equal, and pattern lla and pattern l
lb are found to be different from each other.
一対のパターンｌｌａ、Ｉｌｂについての比較が完了す
ると、顕微鏡１４ａ、１４． ｂをウェハ１３に対して
相対的にＸ方向へ移動させ、顕微鏡１４ａ、１４ｂと次
の対のパターンｌｌａ、ｌｌｂとを対向させて静止させ
、この対のパターン１１ａ、ｌｌｂについて検査を行う
。When the comparison of the pair of patterns lla and Ilb is completed, the microscopes 14a, 14. b is moved in the X direction relative to the wafer 13, the microscopes 14a and 14b and the next pair of patterns lla and llb are made to stand still while facing each other, and this pair of patterns 11a and llb is inspected.
Ｘ方向に並んでいるパターンｌｌａ、ｌｌｂについて検
査が完了すると、顕微鏡１４ａ、１４ｂをウェハ１３に
対して相対的に−Ｙ方向へ移動させ、更に−Ｘ方向へ間
欠的に移動させて、パターン１１Ｃ１Ｉｌｄの対につい
ても検査を行う。When the inspection of the patterns lla and llb arranged in the X direction is completed, the microscopes 14a and 14b are moved in the -Y direction relative to the wafer 13, and further intermittently moved in the -X direction, so that the patterns 11C1Ild Also inspect the pairs.
ウェハ１３のパターンｌｌａ、ｌｌｂの何れの対につい
てもこれらのパターンｌｌａ、ｌｌｂが互いに異なって
いれば、レチクル１２のパターン１１ａ、ｌｌｂの少な
くとも何れかに欠陥が発生していることが分る。また、
ウェハ１３のパターンＩＩＣ，ｌｉｄが互いに等しけれ
ば、レチクル１２のパターンＩＩＣ，ｌｉｄは正常であ
ると判断される。If the patterns lla and llb of any pair of patterns lla and llb on the wafer 13 are different from each other, it can be seen that a defect has occurred in at least one of the patterns 11a and llb of the reticle 12. Also,
If the patterns IIC and lid on the wafer 13 are equal to each other, it is determined that the patterns IIC and lid on the reticle 12 are normal.
ところが、上述の一従来例の様にウェハ１３に対して相
対的に顕微鏡１４ａ、１４ｂを間欠的に移動させて検査
を行う装置では、ウェハ１３の全体に対する検査に長時
間を要する。However, in an apparatus that performs an inspection by intermittently moving the microscopes 14a and 14b relative to the wafer 13, as in the above-mentioned conventional example, it takes a long time to inspect the entire wafer 13.
本発明によるパターン検査装置は、パターン１１ａ〜ｌ
ｉｄを所定周期で間欠的に撮像する撮像手段１４ａ、１
４ｂ、２１ａ、２１ｂ、２２ａ。The pattern inspection device according to the present invention has patterns 11a to 11a-l.
Imaging means 14a, 1 that intermittently images the ID at a predetermined period
4b, 21a, 21b, 22a.
２２ｂと、この撮像手段１４ａ、１４ｂ、２１ａ１２１
ｂ、２２ａ、２２ｂと被検査物１３とを相対的に且つ連
続的に移動させる移動手段とを夫々具備している。22b, and the imaging means 14a, 14b, 21a121
b, 22a, 22b and a moving means for relatively and continuously moving the inspected object 13.
本発明によるパターン検査装置は、パターン１１ａ〜ｌ
ｉｄを所定周期で間欠的に撮像する様にしているので、
撮像手段１４ａ、１４ｂ、２１ａ。The pattern inspection device according to the present invention has patterns 11a to 11a-l.
Since the id is imaged intermittently at a predetermined period,
Imaging means 14a, 14b, 21a.
２１ｂ、２２ａ、２２ｂと被検査物１３との相対的な移
動速度と撮像周期とを同期させれば、撮像手段１４ａ、
１４ｂ、２１ａ、２１ｂ、２２ａ。21b, 22a, 22b and the object to be inspected 13 and the imaging period can be synchronized, the imaging means 14a,
14b, 21a, 21b, 22a.
２２ｂと被検査物１３とを相対的に移動させたままで、
パターン１１ａ〜ｌｉｄを撮像することができる。22b and the object to be inspected 13 are kept moving relatively,
Patterns 11a to lid can be imaged.
以下、本発明の一実施例を第１図〜第４図を参照しなが
ら説明する。Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4.
第１図が、本実施例の回路を示している。本実施例では
、既述の一従来例におけると同様な２本の顕微鏡１４ａ
、１４ｂとウェハ１３の載置台（図示せず）とを相対的
に且つ連続的に移動させつつ、ストロボ放電管２１ａ、
２１． ｂでパターン１１ａ〜１１ｄを照明して、顕微
鏡１４ａ、１４ｂに接続されているＣＣＤカメラ２２ａ
、２２ｂでパターンｌｌａ〜ｌｉｄを撮像する。FIG. 1 shows the circuit of this embodiment. In this embodiment, two microscopes 14a similar to those in the conventional example described above are used.
, 14b and a mounting table (not shown) for the wafer 13, while relatively and continuously moving the strobe discharge tube 21a,
21. A CCD camera 22a connected to microscopes 14a and 14b illuminates patterns 11a to 11d with
, 22b to image the patterns lla to lid.
ＣＣＤカメラ２２ａ、２２ｂは４９２行５１０列の画素
を有しているが、これらの画素から順次に転送される信
号は、Ａ／Ｄ変換器２３ａ、２３ｂで８ビツトに量子化
されてから、フレームメモリ２４ａ、２４ｂ記憶される
。The CCD cameras 22a and 22b have pixels arranged in 492 rows and 510 columns, and the signals sequentially transferred from these pixels are quantized to 8 bits by A/D converters 23a and 23b, and then converted into frames. The data is stored in the memories 24a and 24b.
つまり各画素からの信号は、明るさに応じて２５６階調
に量子化される。また各画素からの信号を一部フレーム
メモリ２４ａ、２４ｂに記憶させるのは、一般のＣＣＤ
カメラ２２ａ、２２ｂの信号転送方式がインクレース方
式であることに起因している。つまり、きめの細かい画
像を検査して高精度の結果を得るために、画像を連続的
な形に変換しているのである。In other words, the signal from each pixel is quantized into 256 gradations depending on the brightness. Furthermore, a part of the signal from each pixel is stored in the frame memories 24a and 24b using a general CCD.
This is due to the fact that the signal transfer method of the cameras 22a and 22b is an increment method. In other words, in order to inspect fine-grained images and obtain highly accurate results, the images are transformed into a continuous form.
処理中の信号を確認するために、フレームメモ’Ｊ２４
ａ、２４ｂから取り出された信号の一部が、Ｄ／Ａ変換
器２５ａ、２５ｂを介してモニタテレビ２６ａ、２６ｂ
へ入力される。To check the signal being processed, frame memo 'J24
A part of the signal taken out from a, 24b is sent to monitor televisions 26a, 26b via D/A converters 25a, 25b.
is input to.
また、撮像した画面中からパターンの境界部分つまり明
るさのレベルに差のある部分のみを抽出するために、フ
レームメモリ２４ａ、２４ｂから取り出された信号の残
部が微分器２７ａ、２７ｂへ人力される。In addition, in order to extract only the boundary portions of the pattern, that is, portions with differences in brightness levels, from the captured screen, the remaining signals taken out from the frame memories 24a and 24b are manually input to differentiators 27a and 27b. .
これらの微分器２７ａ、２７ｂにおける微分処理には、
縦方向の境界部分のみを抽出する水平（Ｘ）方向の微分
と、横方向の境界部分のみを抽出する垂直（Ｙ）方向の
微分とがある。Differential processing in these differentiators 27a and 27b includes:
There is differentiation in the horizontal (X) direction, which extracts only the boundary portion in the vertical direction, and differentiation in the vertical (Y) direction, which extracts only the boundary portion in the horizontal direction.
例えば、第２図Ａに示す様に１つの画面３１中に図示の
様なパターンがあると、水平方向の微分によって第２図
Ｂに示す様な情報が得られ、垂直方向の微分によって第
２図Ｃに示す様な情報が得られる。そして、これらの情
報によってパターンが認識される。For example, if there is a pattern as shown in one screen 31 as shown in FIG. 2A, information as shown in FIG. 2B can be obtained by horizontal differentiation, and information as shown in FIG. 2B can be obtained by vertical differentiation. Information as shown in Figure C is obtained. Patterns are then recognized using this information.
第３図は、微分器２７ａ、２７ｂにおける微分処理の方
法を示している。即ち、まず画面３１中における図示の
様な４行４列の画素から信号を得て、
Ｘ ｄ ＝ ｌ （Ａ＋Ｅ＋Ｇ＋１） −
（Ｄ＋Ｆ＋Ｉ（＋Ｌ） ｌＹ ｄ ＝ ｌ
（Ａ＋Ｂ十Ｃ＋Ｄ） −（Ｉ＋Ｊ＋に＋Ｌ）
ｌの演算を行う。FIG. 3 shows the method of differential processing in the differentiators 27a and 27b. That is, first, signals are obtained from pixels in 4 rows and 4 columns as shown in the screen 31, and X d = l (A + E + G + 1) -
(D+F+I(+L) lY d = l
(A + B + C + D) - (I + J + + L)
Perform the calculation of l.
Ａ〜Ｌは０〜２５５の値を有しているので、微分結果Ｘ
ｄ、ＹｄはＯ〜１０２０の範囲内にある。Since A to L have values from 0 to 255, the differential result X
d and Yd are in the range of 0 to 1020.
これらの微分結果Ｘｄ、Ｙｄの値が大きい程、選択され
た４行４列の画素内で明るさのレベルが大きく変化して
いることを示している。The larger the values of these differential results Xd and Yd, the more the brightness level changes within the selected pixels in the 4th row and 4th column.
微分結果Ｘｄ、Ｙｄは比較器３２ａ、３２ｂで所定の闇
値Ｔｈと比較され、２（ｉ化された比較結果が得られる
。つまり、微分結果Ｘｄ、Ｙｄが闇値Ｔｈよりも大きけ
れば１の比較結果が得られ、微分結果Ｘｄ、Ｙｄが閾値
Ｔｈ以下であれば０の比較結果が得られる。そして、水
平方向の比較結果と垂直方向の比較結果とを、Ａで示さ
れる画素に代表させておく。The differential results Xd, Yd are compared with a predetermined darkness value Th by the comparators 32a, 32b, and a 2(i) comparison result is obtained.In other words, if the differential results Xd, Yd are larger than the dark value Th, A comparison result is obtained, and if the differential results Xd and Yd are less than the threshold Th, a comparison result of 0 is obtained.Then, the horizontal comparison result and the vertical comparison result are represented by the pixel indicated by A. I'll keep it.
次に、水平方向へ１画素分だけずらせた４行４列の画素
について、上述の様な微分処理及び比較処理を行う。そ
して、同様な処理を水平方向の総ての画素について行い
、また、垂直方向へ１画素分だけずらせて同様な処理を
行い、更に、これらの処理を画面３１の全体について行
う。Next, the above-described differential processing and comparison processing are performed on pixels in 4 rows and 4 columns that are shifted by one pixel in the horizontal direction. Then, similar processing is performed for all pixels in the horizontal direction, and the same processing is performed for shifting by one pixel in the vertical direction, and these processings are further performed for the entire screen 31.
この様な処理は左右の顕微鏡１４ａ、１４ｂによって得
られる両方の画面３１について同時に行われ、水平方向
の微分２値画像と垂直方向の微分２値画像とが左右の画
面３１について得られる。Such processing is performed simultaneously on both screens 31 obtained by the left and right microscopes 14a and 14b, and a horizontal differential binary image and a vertical differential binary image are obtained for the left and right screens 31.
左右の画面３１について得られた水平方向の微分２値画
像同士及び垂直方向の微分２値画像同士が、比較器３３
で排他的論理和を計算されることによって比較される。The horizontal differential binary images and the vertical differential binary images obtained for the left and right screens 31 are transferred to the comparator 33.
are compared by calculating the exclusive OR.
この場合、１画素と１画素との比較では各種位置ずれの
影響をそのままに受けてしまう。このために、第４図に
示す様に、左右の画面３１ａ、３１ｂにおける８行８列
の画素同士を比較枠とし、この比較枠内において同一画
素同士を比較する。In this case, when comparing one pixel to another, each pixel is directly affected by various positional deviations. For this purpose, as shown in FIG. 4, pixels in 8 rows and 8 columns on the left and right screens 31a and 31b are set as a comparison frame, and the same pixels are compared within this comparison frame.
この比較において考えられる組合せは、（０゜０）、（
１，１） （１，Ｏ） （０，１）の４通りである
。そして、「１」はその画素内にパターンの境界部分が
存在していることを示しているので、（１，０）（０，
１）の場合に左右の画面３１ａ１３１ｂにおける画素同
士に差があることになる。Possible combinations for this comparison are (0°0), (
There are four ways: 1,1) (1,O) (0,1). Then, "1" indicates that a pattern boundary exists within that pixel, so (1, 0) (0,
In case 1), there is a difference between the pixels on the left and right screens 31a131b.
本実施例では、８行８列の画素の比較枠内で（１，０）
（０，１＞の組合せの個数を加算し、更に疑似欠陥対策
として（１，１＞の組合せの個数を減算する。即ち、
（１，Ｏ）＋ （０，１）−（１，１）の演算を行う。In this example, within the comparison frame of pixels in 8 rows and 8 columns, (1, 0)
Add the number of combinations of (0, 1>), and then subtract the number of combinations of (1, 1>) as a countermeasure against pseudo defects. That is, (1, O) + (0, 1) - (1, 1) Perform the calculation.
そして、この演算結果と所定の闇値との比較を行うこと
によってこの演算結果を２値化し、この２値化した値を
左上の画素に代表させる。２値化した値が１の場合に、
８行８列の画素から成る比較枠内において、左右の画面
３１ａ、３１ｂにおける画素同士に差があると判断する
。Then, by comparing this calculation result with a predetermined darkness value, this calculation result is binarized, and this binarized value is represented by the upper left pixel. If the binarized value is 1,
It is determined that there is a difference between the pixels on the left and right screens 31a and 31b within a comparison frame consisting of pixels arranged in 8 rows and 8 columns.
次に、既述の微分処理の場合と同様に水平方向及び垂直
方向へ１画素分ずつずらせながら、」二連の様な加減算
と比較とを行って、２値化した値の内の１の個数を計数
する。なおこの様な処理は、水平方向の微分２値画像及
び垂直方向の微分２値画像について全く同時に行われる
。Next, as in the case of the differential processing described above, while shifting the value by one pixel in the horizontal and vertical directions, addition and subtraction and comparison are performed in a double series, and one of the binarized values is Count the number of pieces. Note that such processing is performed on the horizontal differential binary image and the vertical differential binary image at the same time.
２値化した値の内の１の個数が多い程、左右の画面３１
ａ、３１ｂにおけるパターン同士に差があることになる
。そして、１の個数と装置の外部から与えられる闇値と
を比較することによって、ウェハ１３のパターンｌｌａ
〜１１ｄに欠陥が発生しているか否かが判定される。The larger the number of 1s in the binarized value, the more the left and right screens 31
There is a difference between the patterns a and 31b. Then, by comparing the number of 1's with the darkness value given from outside the device, the pattern lla of the wafer 13 is
It is determined whether a defect has occurred in ~11d.
本実施例では、フレームメモリ２４ａ、２４ｂが左右の
顕微鏡１４．ａ、１４ｂについて２個ずつ容易されてお
り、Ａ／Ｄ変換器２３ａ、２３ｂからフレームメモリ２
４ａ、２４ｂへの信号の人力と、フレームメモリ２４ａ
、２４ｂからＤ／Ａ変換器２５ａ、２５ｂ及び微分器２
７ａ、２７ｂへの信号の出力とが、互いに並行に行われ
る。In this embodiment, the frame memories 24a and 24b are stored in the left and right microscopes 14. A/D converters 23a, 23b are connected to the frame memory 2.
Manual input of signals to 4a and 24b and frame memory 24a
, 24b to D/A converters 25a, 25b and differentiator 2
The signals are outputted to 7a and 27b in parallel.
また、ＣＣＤカメラ２２ａ、２２ｂからＡ／Ｄ変換器２
３ａ、２３ｂへの１フレ一ム分の信号の転送に同期して
、顕微鏡１４ａ、１４ｂとウェハ１３の載置台とが相対
的に移動する。また、ＣＣＤカメラ２２ａ、２２ｂから
Ａ／Ｄ変換器２３ａ、２３ｂへの１フレ一ム分の信号転
送のブランキング期間に、ストロボ放電管２１ａ、２２
ｂが発光する。更にまた、ＣＣＤカメラ２２ａ、２２ｂ
では、撮像管の様に残像が発生しない。Further, the A/D converter 2 is connected to the CCD cameras 22a and 22b.
The microscopes 14a, 14b and the mounting table for the wafer 13 move relative to each other in synchronization with the transfer of one frame's worth of signals to the microscopes 3a, 23b. Also, during the blanking period of signal transfer for one frame from the CCD cameras 22a, 22b to the A/D converters 23a, 23b, the strobe discharge tubes 21a, 22
b emits light. Furthermore, CCD cameras 22a and 22b
Unlike image pickup tubes, there is no afterimage.
従って本実施例では、顕微鏡１４ａ、１４ｂとウェハ１
３の載置台とを相対的に且つ連続的に移動させたままで
、上述の様なパターン検査を行うことができる。Therefore, in this embodiment, the microscopes 14a, 14b and the wafer 1
The above-described pattern inspection can be performed while continuously moving the mounting table No. 3 relative to the mounting table.
なおウェハ１３のパターンｌｌａ〜ｌｉｄを照明するた
めの光源としては、本実施例における様なストロボ放電
管２１ａ、２１ｂの他に、連続照明の光源を回転スリッ
トシャッタ等と組み合わせて用いてもよい。As a light source for illuminating the patterns lla to lid on the wafer 13, in addition to the strobe discharge tubes 21a and 21b as in this embodiment, a continuous illumination light source may be used in combination with a rotating slit shutter or the like.
本発明によるパターン検査装置は、撮像手段とｍ検査物
とを相対的に移動させたままでパターンを撮像すること
ができるので、全体として短い時間でパターンの検査を
行うことができる。Since the pattern inspection apparatus according to the present invention can image a pattern while keeping the imaging means and the m-inspection object relatively moving, the pattern can be inspected in a short time overall.
第１図〜第４図は本発明の一実施例を説明するための図
面であり、第１図は装置の回路のブロック図、第２図は
撮像したパターン及びその微分結果の平面図、第３図は
撮像したパターンの微分方法を説明するための平面図、
第４図は撮像したパターンの微分結果同士の比較方法を
説明するための平面図である。
第６図は本発明の一実施例及び−従来例の一部の斜視図
、第７図は被検査物の斜視図である。
なお図面に用いられた符号において、
１１ａ 〜ｌ１ｄ−−−−−−−パターン１３−−−−
−−−−−−−−−−ウェハ１４ ａ 、 １４ ｂ
−−−−−−−−一顕微鏡２１ａ、２１ｂ−−−−−−
−−−−−ストロボ放電管２２ａ、 ２２ｂ −−−−
−−ＣＣＤ 力Ｊうである。1 to 4 are drawings for explaining one embodiment of the present invention, in which FIG. 1 is a block diagram of the circuit of the device, FIG. 2 is a plan view of an imaged pattern and its differentiation results, and FIG. Figure 3 is a plan view for explaining the method of differentiating the imaged pattern.
FIG. 4 is a plan view for explaining a method of comparing the differential results of imaged patterns. FIG. 6 is a perspective view of an embodiment of the present invention and a part of a conventional example, and FIG. 7 is a perspective view of an object to be inspected. In addition, in the symbols used in the drawings, 11a to l1d----Pattern 13----
----------Wafer 14a, 14b
----------One microscope 21a, 21b----
----- Strobe discharge tubes 22a, 22b -----
--CCD force J arm.
Claims (1)
比較することによって前記パターンの同一性を判別する
様にしたパターン検査装置において、 前記パターンを所定周期で間欠的に撮像する撮像手段と
、 この撮像手段と前記被検査物とを相対的に且つ連続的に
移動させる移動手段とを夫々具備し、この移動手段によ
る前記移動を行いつつ、前記撮像手段による前記撮像を
行う様にしたことを特徴とするパターン検査装置。[Scope of Claims] A pattern inspection apparatus configured to image a plurality of patterns of an object to be inspected and compare these images to determine the identity of the patterns, comprising: and a moving means for relatively and continuously moving the imaging means and the object to be inspected, and while the moving means performs the movement, the imaging means takes the image. A pattern inspection device characterized in that it performs.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20256186A JPS6358138A (en) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | Pattern inspector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20256186A JPS6358138A (en) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | Pattern inspector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358138A true JPS6358138A (en) | 1988-03-12 |
Family
ID=16459533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20256186A Pending JPS6358138A (en) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | Pattern inspector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358138A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248616A (en) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Toshiba Corp | Surface defect inspecting device |
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-
1986
- 1986-08-28 JP JP20256186A patent/JPS6358138A/en active Pending
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