JP2007327815A - Flaw inspection method and device thereof - Google Patents

Flaw inspection method and device thereof Download PDF

Info

Publication number
JP2007327815A
JP2007327815A JP2006158331A JP2006158331A JP2007327815A JP 2007327815 A JP2007327815 A JP 2007327815A JP 2006158331 A JP2006158331 A JP 2006158331A JP 2006158331 A JP2006158331 A JP 2006158331A JP 2007327815 A JP2007327815 A JP 2007327815A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
object
inspected
dimensional image
stage
optical system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006158331A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4939843B2 (en )
Inventor
Rei Hamamatsu
Shunji Maeda
Yuta Urano
Yukio Uto
俊二 前田
幸雄 宇都
玲 浜松
雄太 浦野
Original Assignee
Hitachi High-Technologies Corp
株式会社日立ハイテクノロジーズ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flaw inspection method enhanced in throughput, and a flaw inspection device. <P>SOLUTION: A large number of the regions on an inspection target such as a wafer with a circuit pattern or the like is irradiated with stroboscopic light (pulse light) while continuously rotating the inspection target using a r-θ (rotary) stage and the two-dimensional image in each of the respective regions irradiated with the stroboscopic light (pulse light) is detected. The detected two-dimensional image in each of the regions is compared with a reference two-dimensional image to detect a flaw. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウェハ等の基板上の異物やスクラッチやパターン欠陥等の欠陥を検出する欠陥検査方法及びその装置に関する。 The present invention relates to a defect inspection method and apparatus for detecting defects such as foreign matter and scratches or pattern defects on a substrate such as a semiconductor wafer.

ウェハ欠陥を高速で、オンラインで、電気・光学的に検出する方法及び装置が米国特許第6693664号明細書(特許文献1)おいて知られている。 The wafer defects at high speed, in-line, electro-optically methods for detecting and apparatus are known at U.S. Patent No. 6693664 (Patent Document 1). 該方法及び装置は、繰り返されるパルスレーザから短い光パルスで照明され、顕微鏡光学系を有する電気・光学カメラ系の視野を持ち、光学撮像系の焦点面において6個の検出器アンサンブルから形成された光検出器の表面を光学的に形成する焦点面アセンブリに、動くウェハの像を結像することを特徴とする。 The methods and apparatus, is illuminated with short light pulses from a pulsed laser to be repeated has a field of view of the electro-optical camera system with a microscope optical system, which is formed in the focal plane of the optical imaging system of six detectors Ensemble a focal plane assembly to form a surface of the optical detector optically, characterized by forming an image of the wafer moving. 上記各アンサンブルは、4個の2次元CCD行列光検出器アレイを含み、該各2次元CCD行列光検出器は、200万画素の大きな行列の電子像を作り出す。 Each ensemble includes four 2-dimensional CCD matrix photodetector array, each of said two-dimensional CCD matrix photodetector produces an electronic image of a large matrix of million pixels. そして、ウェハダイ欠陥として示される対応する画素の相違を見つけるために、撮像した視野と参照される他の視野とを比較する一般的な画像処理技術を用いて異なるCCD行列検出器から同時に生成された像が並列に処理される。 Then, to find the difference of the corresponding pixels shown as wafer die defects were generated at the same time from different CCD matrix detector using general image processing technique to compare the other field referenced a field captured the image is processed in parallel.

また、欠陥検査装置としては特開2000−105203号公報(特許文献2)及び特開2004−177284号公報(特許文献3)が知られている。 Further, JP-A-2000-105203 (Patent Document 2) and JP 2004-177284 (Patent Document 3) is known as a defect inspection apparatus.

米国特許第6693663号明細書 US Pat. No. 6693663 特開2000−105203号公報 JP 2000-105203 JP 特開2004−177284号公報 JP 2004-177284 JP US2005/0110987A1 US2005 / 0110987A1 特開平10−318950号公報 JP 10-318950 discloses

上記特許文献2に記載された暗視野ウェハ検査装置は、線状照明、線状検出によるスループット優位性を特徴としているが、XYステージの走査速度向上およびセンサ・信号処理の処理速度の高速化に伴い、検査時間のうちステージ往復の折り返しに要する加速時間の占める割合が増加し、スループットのネックになりつつある。 Dark-field wafer inspection apparatus described in Patent Document 2, a linear illumination, but is characterized in throughput superiority through linear detection, the high processing speed of the scanning speed improvement and sensor signal processing of the XY stage with increases the percentage of acceleration time required for return of the stage reciprocating of inspection time, becoming a throughput bottleneck.

本発明の目的は、高スループット化を図った欠陥検査方法及びその装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a defect inspection method and apparatus aimed at high throughput.

また、本発明の他の目的は、ステージやセンサ等のキーパーツの低コスト化を図った欠陥検査方法及びその装置を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a defect inspection method and apparatus aimed at cost reduction of key components such as the stage and sensors.

上記目的を達成するために、本発明は、ウェハ等の被検査物をr−θ(回転)ステージを用いて連続的に回転させながら、被検査物上の多数の領域の各々にストロボ光を照射し、該ストロボ光が照射された各領域内の2次元画像を検出し、該検出された各領域内の2次元画像と参照2次元画像と比較して欠陥検出を行う欠陥検査装置及びその方法である。 To achieve the above object, the present invention is to the object to be inspected such as a wafer is continuously rotated using the r-theta (rotation) stage, a strobe light for each of a number of areas on the object to be inspected irradiated to detect the two-dimensional image in each area to which the flash light is irradiated, compared to defect detection and 2-dimensional image and the reference two-dimensional image defect inspection apparatus and performs within the area served 該検it is a method.

即ち、本発明は、r−θ(回転)ステージを用いてウェハ等の被検査物の全面を走査するように構成することで、ステージの折り返しが不要となり、XY走査方式と比較して検査時間の短縮を可能とし、さらに、ストロボ照射による2次元撮像を行うように構成することで、ウェハ等の被検査物の内外周の速度差による像の歪みを避けることができ、さらにステージの振動に対しても歪が生じないため、位置合せ処理の負荷を低減できる欠陥検査装置及びその方法である。 That is, the present invention, r-theta (rotation) that configured to scan the entire surface of the specimen such as a wafer by using a stage, folding stage is unnecessary, the inspection time as compared with the XY scanning method of it possible to shorten further, by configuring to perform the two-dimensional imaging by flash irradiation, it is possible to avoid distortion of the image due to the speed difference between the inner periphery of the object to be inspected such as a wafer, further to a vibration of the stage because strain does not occur even for a defect inspection apparatus and method can reduce the load of the alignment process.

また、本発明は、第1としては、複数の被検査物の各々について各回転ステージを用いて同時に被検査物全面を走査してストロボ照射による2次元撮像を同時に行い、得られた各々の画像を逐次比較して差異を欠陥として検出するように構成したことを特徴とする。 Further, the present invention is, as the first, at the same time performs a two-dimensional imaging by flash irradiation by scanning the object to be inspected entirely simultaneously with the rotary stage for each of the plurality of the object to be inspected, the resulting respective images the then sequentially compares characterized by being configured to detect the difference as a defect.

また、本発明は、第2としては、一枚の被検査物について一つの回転ステージを用いて被検査物全面を走査してストロボ照射による2次元撮像を行って画像を蓄積し、該蓄積された個々の画像を幾何学変換(回転)および必要に応じて照合して被検査物画像を再構成し、ダイ比較又はセル比較により欠陥を検出するように構成したことを特徴とする。 The present invention provides a second, and storing the image by performing the two-dimensional imaging by flash irradiation by scanning the object to be inspected entire surface using one of the rotary stage for one of the object to be inspected, is the accumulated individual image geometric transformation (rotation) and matching operations needed to reconstruct the object to be inspected image was, characterized by being configured to detect defects by die comparison or cell comparison.

また、本発明は、回転ステージを用いて被検査物を連続的に回転させながら移動ステージを用いて前記被検査物の半径方向に相対的に移動して走査した状態で、前記被検査物上の走査軌跡に沿った多数の領域の各々にストロボ光を照射すると共に該ストロボ光が照射された各領域内の検査2次元画像を撮像する第1の過程と、該第1の過程で撮像された各領域内の検査2次元画像と該各領域内の検査2次元画像に対応する参照2次元画像とを比較して欠陥検出を行う第2の過程とを有することを特徴とする欠陥検査方法及びその装置である。 Further, the present invention is in a state of being scanned by relatively moving in a radial direction of the inspection object by using a moving stage while continuously rotating the object to be inspected using a rotating stage, the inspection Butsujo the strobe light in the first step of imaging a two-dimensional image in each area which is irradiated is imaged in the first step as well as of the irradiation flash light to each of a number of regions along the scanning trajectory defect inspection method characterized by a second process for inspecting compared with the defect detection two-dimensional image and a reference two-dimensional image corresponding to the inspection 2-dimensional images of the respective areas in each area and its apparatus.

また、本発明は、第1の被検査物を第1の回転ステージを用いて連続的に回転させると同時に第2の被検査物を第2の回転ステージを用いて連続的に回転させながら移動ステージを用いて前記第1の被検査物及び前記第2の被検査物の半径方向に相対的に移動して走査した状態で、前記第1の被検査物上の第1の走査軌跡に沿った多数の第1の領域の各々と前記第2の被検査物上の第2の走査軌跡に沿った多数の第2の領域の各々とにストロボ光を同時に照射すると共に該ストロボ光が照射された各第1の領域内の検査2次元画像と前記ストロボ光が照射された各第2の領域内の参照2次元画像とを同時に撮像する第3の過程と、該第3の過程で同時に撮像された前記各第1の領域内の検査2次元画像と前記各第2の領域内の参照2次元画像 Further, the present invention is to continuously rotate by the first second of the specimen at the same time rotated continuously with the first rotation stage of the inspection object using a second rotating stage movement stage in a state of relative movement and by scanning in a radial direction of the first object to be inspected and the second object to be inspected using, along a first scan path on the first object to be inspected the strobe is flashed with simultaneously irradiating the flash light into each of a number of the first region a plurality of second regions, each with along the second scanning trajectory on the second of the specimen was simultaneously captured by the third process and, said third step of the strobe light and the test two-dimensional image of the first region is simultaneously imaged and the reference two-dimensional images of the second region which is irradiated with It has been the reference two-dimensional image of the first test two-dimensional image and the respective second regions in the area を比較して欠陥検出を行う第4の過程とを有することを特徴とする欠陥検査方法及びその装置である。 A defect inspection method and apparatus and having a fourth process of performing defect detection by comparing.

また、本発明は、回転ステージを用いて参照被検査物を連続的に回転させながら移動ステージを用いて前記参照被検査物の半径方向に相対的に移動して走査した状態で、前記参照被検査物上の走査軌跡に沿った多数の領域の各々にストロボ光を照射すると共に該ストロボ光が照射された各領域内の参照2次元画像を撮像して記憶する第5の過程と、回転ステージを用いて被検査物を連続的に回転させながら移動ステージを用いて前記被検査物の半径方向に相対的に移動して走査した状態で、前記被検査物上の走査軌跡に沿った多数の領域の各々にストロボ光を照射すると共に該ストロボ光が照射された各領域内の検査2次元画像を撮像する第6の過程と、該第6の過程で撮像された各領域内の検査2次元画像と該各領域内の検査2次元画像に Further, the present invention is in a state of being scanned by relatively moving in the radial direction of using the moving stage with a reference object to be inspected is continuously rotated using the rotation stage the reference object to be inspected, the reference object a fifth step of storing by imaging a reference two-dimensional image in each region in which the strobe light is irradiated irradiates flash light to each of a number of regions along the scanning trace on the inspected object, the rotating stage while scanning relatively moved in the radial direction of the inspection object by using a moving stage while continuously rotating the object to be inspected with a number of along the scanning trace on the object to be inspected 6 and the process of inspection 2D in each area which is captured in the course of the sixth to the strobe light to image the test 2-dimensional image in each area which is irradiated with irradiating strobe light to each area the test two-dimensional image of the image and the respective area 応する前記第5の過程で記憶された参照2次元画像とを比較して欠陥検出を行う第7の過程とを有することを特徴とする欠陥検査方法及びその装置である。 A defect inspection method and apparatus, characterized in that it has a seventh step of performing a comparison to defect detection and reference 2D image stored in the fifth process of response.

また、本発明は、回転ステージを用いて被検査物を連続的に回転させながら移動ステージを用いて前記被検査物の半径方向に相対的に移動して走査した状態で、前記被検査物上の走査軌跡に沿った多数の領域の各々にストロボ光を照射すると共に該ストロボ光が照射された各領域内の検査2次元画像を撮像して記憶する第8の過程と、該第8の過程で記憶された各領域内の検査2次元画像を被検査物上の直交座標系に幾何学変換を行って前記各領域内の検査2次元画像をダイ単位又はセル単位で再構成して記憶する第9の過程と、該第9の過程で記憶されたダイ単位又はセル単位での前記各領域内の検査2次元画像同士を互に位置合せをしてダイ比較又はセル比較をして欠陥検出を行う第10の過程とを有することを特徴とする欠陥検査方法 Further, the present invention is in a state of being scanned by relatively moving in a radial direction of the inspection object by using a moving stage while continuously rotating the object to be inspected using a rotating stage, the inspection Butsujo 8 and the course of, the process of said 8 that captures an inspection 2D image in each region in which the strobe light is irradiated irradiates flash light to each of a number of regions along the scanning trajectory of storage storing in the test 2-dimensional images of the inspected 2-dimensional image in each area which is stored by performing geometric conversion on the orthogonal coordinate system on the test object within said each region is reconstructed in the die unit or units of cells 9 and the process of defect by the die comparison or cell compared to a mutually align the test two-dimensional images with each other in said each region of the die unit or units of cells stored in the course of said 9 detection defect inspection method characterized by having a first 10 step of performing びその装置である。 It is a device of the benefactor.

本発明によれば、高スループット化を図った欠陥検査装置及びその方法を実現することができる。 According to the present invention, it is possible to realize a defect inspection apparatus and method aimed at high throughput.

また、本発明によれば、ステージやセンサ等の主要部品の低コスト化によって安価な欠陥検査装置を提供することが可能となる。 Further, according to the present invention, it is possible to provide an inexpensive inspection apparatus by a low cost of key components such as the stage and sensors.

本発明に係る欠陥検査装置及びその方法の実施の形態について図面を用いて説明する。 It will be described with reference to the drawings showing preferred embodiments of the defect inspection apparatus and method according to the present invention. 本発明に係る欠陥検査装置及びその方法で欠陥を検査する対象としては、半導体ウェハ等の被検査物上に、基本的にフォトリソ工程や成膜工程やエッチング工程やCMP(Chemical Mechanical Polishing)工程などを経て回路パターン(図18に191として示す)が形成されたチップ(ダイ)が多数x−y座標系で配列されているものである。 As a target for inspecting defects in the defect inspection apparatus and method according to the present invention, on the object to be inspected such as a semiconductor wafer, essentially photolithographic process and film forming process and an etching process or a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process, etc. through a circuit pattern in which chips (FIG. 18 shows a 191) is formed (die) are arranged in a number x-y coordinate system. 一方、回路パターン上の欠陥としては、異物等の凸状欠陥、スクラッチやボイド等の凹状欠陥、および短絡欠陥や形状欠陥等のパターン欠陥が考えられる。 On the other hand, the defect on the circuit pattern, a convex defect such as foreign matter, the concave defects such as scratches, voids, and a pattern defect such as short-circuit defects and shape defects considered. これらの欠陥を検出するためには、欠陥のない回路パターンから得られる参照画像信号が必要となる。 To detect these defects, it is necessary to reference image signal obtained from the no circuit pattern defects.

そこで、本発明に係る欠陥検査装置及びその方法は、まず検査時間の短縮を図るために、回路パターンが形成されたチップ(ダイ)が多数x−y座標系で配列されている半導体ウェハ等の被検査物をr−θ(回転)ステージを用いて連続的に回転させながら(螺旋状に走査しながら)、被検査物上の全面に亘って多数の領域の各々にストロボ光を照射し、該ストロボ光が照射された各領域内の検査2次元画像信号を検出し、該検出された各領域内の検査2次元画像信号と該各領域内の検査2次元画像信号に対して精位置合せされた各領域内の参照2次元画像信号とを比較して欠陥検出を行うことにある。 Therefore, the defect inspection apparatus and method according to the present invention, in order to first shorten the inspection time, such as a semiconductor wafer which chip on which a circuit pattern is formed (die) are arranged in a number x-y coordinate system the object to be inspected r-theta (rotation) while continuously rotating with the stage (while scanning in a spiral shape), and irradiated with strobe light to each of the multiple regions over the entire surface of the object to be inspected, detecting the test two-dimensional image signal in each region to which the flash light is irradiated, fine alignment with respect to the inspection 2D image signal and checking the two-dimensional image signal of each of the regions within each issued 該検 region It has been located to make comparisons to defect detection and reference two-dimensional image signal in each region.

即ち、本発明に係る欠陥検査装置及びその方法は、r−θ(回転)ステージを用いて、回路パターンが形成されたチップ(ダイ)が多数配列されている半導体ウェハ等の被検査物の全面を螺旋状に連続走査するように構成することで、XY走査方式と比較してステージの折り返しが不要となり、検査時間の短縮を可能とし、さらに、ストロボ照射による2次元撮像を行うように構成することで、ウェハ等の被検査物の内外周の速度差による像の歪みを避けることができ、さらにステージの振動に対しても歪が生じないため、位置合せ処理の負荷を低減できる。 That is, the defect inspection apparatus and method according to the present invention, r-theta (rotation) by using the stage, the entire surface of the object to be inspected such as a semiconductor wafer which chip on which a circuit pattern is formed (die) is arrayed the by configured to continuously scan spirally wrapping stage is not required as compared with the XY scanning method, it possible to shorten the inspection time, further configured to perform two-dimensional imaging of the strobe illumination it is, it is possible to avoid distortion of the image due to the speed difference between the inner periphery of the object to be inspected such as a wafer, because the distortion is not caused to the vibration of the further stage, can reduce the load of the alignment process.

[第1の実施の形態] First Embodiment
本発明に係る欠陥検査装置及びその方法の第1の実施の形態は、同じプロセス工程を経た同一種の被検査物4a、4bの各々を載置する2つのθ(回転)ステージ3a、3bをrステージ(移動ステージ)2上に設けて同一種の被検査物4a、4bの各々を互に精位置合せした状態で同じように連続的に螺旋走査をさせ、該連続的に螺旋走査された被検査物4a、4bの各々の同じ領域17a、17bに対して同時にストロボ照射し、該同じ領域17a、17b内の一方から2次元アレイセンサにより検査2次元画像信号を取得し、他方から2次元アレイセンサにより検査2次元画像信号に対して比較して欠陥を検出するための精位置合せされた参照2次元画像信号を取得するように構成したことにある。 The first embodiment of the defect inspection apparatus and method according to the present invention, the object to be inspected 4a of the same species that has undergone the same process step, the two theta (rotation) stage 3a for placing each of 4b, and 3b r stage (movable stage) the same kind of the object to be inspected 4a provided on 2, just as is the continuous helical scan while mutually fine positioning each 4b, which is the continuous helical scan the object to be inspected 4a, 4b of each of the same area 17a, and the strobe illumination simultaneously to 17b, of identity Ji region 17a, while the acquired examination two-dimensional image signal by the two-dimensional array sensor in 17b, 2D from the other It lies in that is configured to acquire a reference two-dimensional image signal fine position is combined to detect a defect by comparing the inspection two-dimensional image signal by the array sensor.

図1は、本発明に係る欠陥検査装置及びその方法の第1の実施の形態を示した概略構成図である。 Figure 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of the defect inspection apparatus and method according to the present invention. 第1の実施の形態は、基台1上にX方向に移動する共通のr(直線)ステージ2を搭載し、該rステージ(移動ステージ)2上に、同一の製造プロセスを経て同一種の回路パターンが形成されたウェハ等の被検査物4a、4bの各々を載置して回転するθ(回転)ステージ3a、3bを設けて構成する。 The first embodiment is equipped with a common r (linear) stage 2 moves in the X direction on a base 1, on the r stage (movable stage) 2, the same manufacturing process through to the same species the object to be inspected 4a such wafer on which a circuit pattern is formed, respectively theta (rotation) rotates in placing of 4b stage 3a, constituting provided 3b. なお、第1の実施の形態の場合、2次元アレイセンサ23aが2次元画像として撮像する領域と2次元アレイセンサ23bが2次元画像として撮像する領域とは画像処理で精密に補正しない場合には精位置合せされた同じ領域にする必要がある。 In the case of the first embodiment, when the area and the two-dimensional array sensor 23b for two-dimensional array sensor 23a is imaged as two-dimensional image from the region to be imaged as a two-dimensional image is not precisely corrected by image processing it is necessary to fine aligned the same region. 勿論、画像処理で精密に補正する場合には、2次元アレイセンサ23aが2次元画像として撮像する領域と2次元アレイセンサ23bが2次元画像として撮像する領域とは粗位置合せされれば良い。 Of course, in the case of precisely corrected by image processing, the region area and the two-dimensional array sensor 23b for two-dimensional array sensor 23a is captured as a two-dimensional image is captured as a two-dimensional image only to be rough alignment. そのためには、まず、被検査物4a、4bの各々をθステージ3a、3bの各々に載置した際、被検査物4a、4b上に形成された例えばチップ単位若しくは露光単位に設けられたアライメントマーク(図示せず)を基準とした被検査物4a、4bの中心とθステージ3a、3bの回転中心とを偏心しないように合わせる必要がある。 Alignment For this purpose, first, the object to be inspected 4a, 4b respectively θ stage 3a of, when placed on the respective 3b, provided that the inspection object 4a, chips for example is formed on 4b unit or exposure unit mark the test object relative to the (not shown) 4a, the center and θ stage 3a of 4b, it is necessary to adjust so as not to eccentrically with the center of rotation of 3b. そのためには、各θステージ3a、3b上に、被検査物を保持するチャックを偏心させる微動機構(図示せず)が必要となる。 For this purpose, the θ stage 3a, on the 3b, it is necessary to fine-motion mechanism for decentering the chuck for holding the object to be inspected (not shown). 一方、θステージ3a、3bの各々に載置される被検査物4a、4bの各々の中心における、θステージ3a、3bの各々の回転中心に対する偏心量は、θステージ3a、3bの各々を所定の角度回転させてそのときの被検査物4a、4bの各々に形成された例えばチップ単位若しくは露光単位に設けられたアライメントマークの位置(移動軌跡)を光学的基準位置検出器(アライメントマーク位置検出器)5a、5bの各々で測定することによって全体制御部40が算出することが可能である。 On the other hand, theta stage 3a, the object to be inspected 4a is placed on each of 3b, at the center of each 4b, the eccentric amount to the theta stage 3a, the center of rotation of each 3b are, theta stage 3a, given each of 3b of by angularly rotating the object to be inspected 4a at that time, the position of the alignment mark provided on each which is formed in for example a chip unit or exposure unit of 4b (moving locus) of the optical reference position detector (alignment mark position detection vessels) 5a, it is possible that the entire control unit 40 is calculated by measuring at each 5b. 同時に、全体制御部40は、光学的基準位置検出器5a、5bの各々が測定するアライメントマークの位置を基に、θステージ3a、3bの各々の回転角度基準位置からの被検査物4a、4bの各々の回転角度ずれ量も算出することが可能である。 At the same time, the overall control unit 40, the optical reference position detector 5a, based on the position of the alignment marks each 5b measures, theta stage 3a, test objects 4a from each of the rotational angular reference position of the 3b, 4b each of the rotational angle deviation amount also can be calculated. 勿論、この際、被検査物4a、4bの各々に形成されているノッチの位置を測定できるセンサを備え、該センサで測定されるノッチの向きを一定方向に粗合わせし、その後上述したように精合せ情報を算出しても良い。 Of course, this time, a sensor capable of measuring the position of the notch formed in each of the specimen 4a, 4b, the direction of the notch measured by the sensor aligned crude in a certain direction, then as described above precision combined information may be calculated. なお、被検査物4a、4bの各々には、アライメントマークを基準にして回路パターンが形成されたチップ(ダイ)が多数配列されているものとする。 Incidentally, the object to be inspected 4a, to each of the 4b, it is assumed that the chip on which a circuit pattern on the basis of the alignment mark is formed (die) are arrayed.

以上説明したように、全体制御部40からの指令により、θステージ3a、3bの各々の上に載置された被検査物4a、4bの各々は、θステージ3a、3bの各々に対して偏心量がステージコントローラ45を介して微動機構により補正され、回転角度基準位置に精位置合せされることになる。 As described above, by a command from the overall control unit 40, theta stage 3a, the object to be inspected 4a is placed on each of 3b, 4b each is, theta stage 3a, eccentric with respect to each of 3b the amount is corrected by the fine adjustment mechanism via the stage controller 45, it will be fine aligned to the rotational angular reference position.

更に、検査時には、全体制御部40は、周速度がほぼ一定で(100mm/s程度〜1000mm/s程度の範囲)、被検査物4a,4b上を螺旋走査されるように、図8(a)に示すθステージ3a、3bの各々のエンコーダから得られる信号52に基づいてθステージ3a、3bの各々及びrステージ2をステージコントローラ45を介して制御することになる。 Further, at the time of inspection, the overall control unit 40, at a peripheral speed is substantially constant (100 mm / s degree ~1000mm / s in the range of about), as test objects 4a, the upper 4b helical scan, FIG. 8 (a theta stage 3a shown in), theta stage 3a based on the signal 52 obtained from 3b each encoder, comprising each and r stages 2 and 3b to be controlled via the stage controller 45. なお、θステージ3a、3bの各々の回転速度とrステージ2の移動速度との関係は予め螺旋状に走査するようにプログラムによって決められているものとする。 Incidentally, theta stage 3a, the relationship between the 3b each rotational speed and r the stage 2 of the moving speed of is assumed to be determined by the program to scan in advance spirally. 従って、被検査物4a、4b上において例えば60fps(カメラフレームレート)でストロボ撮像された2次元画像(例えば1画素(1.4μm□)×(7168画素×7168画素))の中心位置座標(x,y)は、f(r,θ)の関数で表わされることになる。 Accordingly, the center position coordinates of the object to be inspected 4a, for example on the 4b 60 fps (camera frame rate) two-dimensional image flash captured (e.g. 1 pixel (1.4 [mu] m □) × (7168 pixels × 7168 pixels)) (x , y) will be represented by a function of f (r, θ). rは被検査物4a、4bの中心からストロボ撮像された2次元画像の中心までの半径を示し、θは回転角度基準位置からストロボ撮像された2次元画像の中心までの回転角度を示す。 r is the radius to the center of the two-dimensional image flash captured from the center of the object 4a, 4b, theta represents the rotation angle to the center of the two-dimensional image flash captured from the rotational angular reference position. そして、ストロボ撮像位置での周速度を例えば600mm/sにした場合、外周(半径r=約149mm)の回転速度は38.4rpm程度となり、内周(半径r=約10mm)の回転速度は543rpm程度となる。 Then, when the peripheral speed of the flash imaging position, for example, 600 mm / s, the rotational speed of the outer periphery (radius r = about 149 mm) becomes about 38.4Rpm, rotational speed of the inner circumference (radius r = about 10 mm) is 543rpm the degree. また、2次元アレイセンサ(カメラ)23a、23bの各々によりカメラフレームレート(例えば約60fps)で700回程度ストロボ撮像することによって、被検査物4a、4bの一枚の全面について撮像することが可能である。 Further, two-dimensional array sensor (camera) 23a, by 700 times about the flash captured by the camera frame rate (e.g., about 60 fps) by each of 23b, can be imaged on a single entire object to be inspected 4a, 4b it is. 従って、本発明のようにr−θ走査によれば、13s(秒)/Work程度で検査を実行することが可能となる。 Therefore, according to the r-theta scan as in the present invention, it is possible to perform the inspection in 13s (seconds) / Work order.

第1の実施の形態は、このように精位置合せされた被検査物4a、4bの各々に対して、図8(b)に示す全体制御部40から得られるトリガ信号50に基づいて、同じ領域17a、17bにストロボ光(パルス光)を照射するストロボ光照射光学系10と、該同じ領域17a、17b内の2次元画像の各々を、図8(b)に示す全体制御部40から得られるトリガ信号51に同期させて検出する検出光学系(撮像光学系)20a、20bとが設けられる。 The first embodiment, thus fine aligned test objects 4a, for each 4b, based on the trigger signal 50 obtained from the overall control unit 40 shown in FIG. 8 (b), the same the resulting region 17a, a flash light irradiation optical system 10 for irradiating strobe light (pulse light) 17b, of identity Ji regions 17a, each of the 2-dimensional image in 17b, from the overall control unit 40 shown in FIG. 8 (b) detecting optical system for detecting in synchronization with the trigger signal 51 (imaging optical system) 20a, 20b and is provided to be.

ストロボ光照射光学系10は、図8(b)に示す全体制御部40から得られるトリガ信号50に基づいて、可視光、またはUV(Ultraviolet)またはDUV(Deep Ultraviolet)パルスレーザビームを、図8(c)に示すように出射するストロボ光源(パルスレーザ光源)11と、該ストロボ光源11から出射されたパルスレーザビームについてビーム径を拡大するビームエキスパンダ12と、該ビームエキスパンダ12で拡大したパルスレーザビームについて可干渉性を低減する可干渉性低減光学系13と、該可干渉性低減光学系13で可干渉性が低減されたパルスレーザビームを同一の照度になるように2つに分岐する分岐光学系14aと、該分岐光学系14aで分岐された一方のパルスレーザビームを被検査物4a上に10mm□(矩形)程度 Strobe light illumination optical system 10, based on the trigger signal 50 obtained from the overall control unit 40 shown in FIG. 8 (b), the visible light, or UV (Ultraviolet) or DUV (Deep Ultraviolet) pulsed laser beam, FIG. 8 a strobe light source (a pulse laser light source) 11 for emitting as shown in (c), a beam expander 12 for enlarging the beam diameter for pulsed laser beam emitted from the strobe light source 11, expanded by the beam expander 12 the coherence reduction optical system 13 to reduce the coherence the pulse laser beam, splitting the pulsed laser beam coherent with movable coherence reducing optical system 13 is reduced to two to be the same illuminance a splitting optical system 14a which, 10 mm one of the pulse laser beams branched by the branching optical system 14a onto the object to be inspected 4a □ (square) degree 図2(b)に示す。)または15mm○(楕円形も含む)程度(図2(a)に示す。)の領域17aに集光する集光光学系15aと、該集光光学系15aで集光されたパルスレーザビームを図8(d)に示すタイミングで、傾斜角度αで斜方照射(暗視野照明)する傾斜ミラー16aと、分岐光学系14aで分岐した他方のパルスレーザビームを反射するミラー14bと、該ミラー14bで反射したパルスレーザビームを被検査物4b上に10mm□(矩形)程度(図2(b)に示す。)または15mm○(楕円形も含む)程度(図2(a)に示す。)の領域17bに集光する集光光学系15bと、該集光光学系15bで集光されたパルスレーザビームを図8(d)に示すタイミングで、傾斜角度αで斜方照射(暗視野照明)する傾斜ミラー FIG 2 (b).) Or 15 mm ○ (including elliptical) around (FIGS. 2 (a) and the focusing optical system 15a for condensing the region 17a of the.) Shown in, by the condenser optical system 15a reflecting the focused pulsed laser beam at the timing shown in FIG. 8 (d), the tilting mirror 16a to oblique irradiation at an inclination angle alpha (dark field illumination) and the other pulsed laser beam branched by the branching optical system 14a a mirror 14b to about 10 mm □ (square) a pulsed laser beam reflected by the mirror 14b onto the object to be inspected 4b (. shown in FIG. 2 (b)) or 15 mm ○ (including elliptical) around (FIG. 2 (a) are shown. a focusing optical system 15b for condensing the region 17b of) the light-collection optics focused pulsed laser beam 15b at the timing shown in FIG. 8 (d), at an inclination angle α tilting mirror for oblique irradiation (dark field illumination) 6bとを備えて構成される。 Constituted by a 6b. 従って、被検査物4aおよび被検査物4b上において対応する領域17aと領域17bとが、図8(b)に示す全体制御部40から得られるトリガ信号50に基づいて、同時にパルスレーザビームが図8(d)に示すタイミングでストロボ(パルス)照射されることになる。 Therefore, the corresponding region 17a and the region 17b on the object to be inspected 4a and the object to be inspected 4b, based on the trigger signal 50 obtained from the overall control unit 40 shown in FIG. 8 (b), the pulse laser beam is simultaneously Figure It is to be illuminated strobe (pulse) at the timing shown in 8 (d). なお、ビームエキスパンダ12、可干渉性低減光学系13、及び集光光学系15a、15b等の具体的構成については後述する。 The beam expander 12, coherence reduction optical system 13, and the light collecting optical system 15a, will be described later specific configuration of 15b, and the like. ところで、異物等の凸状欠陥を検出する際には、上記傾斜角度(仰角度)αとしては、10度以下の1度〜7度程度の低角度が好ましく、スクラッチやボイド等の凹欠陥(配線パターン間の窪んだ箇所の異物も含む)及び短絡欠陥や形状欠陥等のパターン欠陥を検出する際には、上記傾斜角度αとしては、概ね45度〜55度程度の中角度から更にそれ以上の高角度にすることが好ましい。 Meanwhile, when detecting the convex defect such as a foreign particle, said inclination angle as (elevation level) alpha is preferably low angle of about 1 degree to 7 degrees 10 degrees or less, scratches or concave defects such as voids ( when detecting the wiring including portions of foreign material recessed between patterns) and short defect and the shape pattern of the defects such as the above-mentioned inclination angle alpha, further more from the angle in the substantially about 45 degrees to 55 degrees it is preferable that the high angle of. このように、検出する欠陥の種類に応じて傾斜角度αを変えることが好ましいので、図1に矢印で示すように、傾斜ミラー16a、16bの各々の上下位置及び傾き角度を変えることができる機構を備えることが好ましい。 Thus, since it is preferable to change the inclination angle α according to the type of defect to be detected, as shown by the arrows in FIG. 1, tilting mirror 16a, mechanism capable of changing the vertical position and inclination angle of each of 16b preferably comprises a.

検出光学系(撮像光学系)20a、20bの各々は、各被検査物上の領域17aと領域17bに対応させて設けられ、各領域17a,17bから発生する反射散乱光や反射回折光を含む反射光を集光する対物レンズ21a、21bと、該対物レンズ21a,21bの各々で集光された2次元反射光を結像させる結像レンズ22a、22bと、該結像レンズ22a、22bの各々で結像された2次元画像を、全体制御部40から得られるトリガ信号51に基づいて上記ストロボ照射に同期して撮像する2次元アレイセンサ23a、23bとで構成される。 Detection optics (imaging optical system) 20a, 20b each are provided corresponding to the region 17a and the region 17b on the object to be inspected, comprising the reflected scattered light or reflected diffracted light generated from each of the regions 17a, 17b an objective lens 21a for condensing the reflected light, and 21b, the objective lens 21a, an imaging lens 22a for focusing the two-dimensional reflected light condensed by each of 21b, and 22b, said imaging lens 22a, 22b of the a two-dimensional image which is formed in each two-dimensional array sensor 23a for imaging in synchronism with the strobe illumination based on the trigger signal 51 obtained from the overall control unit 40, and a 23b. なお、検出光学系20a、20bの各々には、図8(e)に示すタイミングで開閉される検出器シャッタ(図示せず)が設けても良い。 The detection optical system 20a, in each of 20b, (not shown) detector shutter is opened and closed at a timing shown in FIG. 8 (e) may be provided. 勿論、2次元アレイセンサ23a、23bが高速で2次元画像信号を読み出すことが可能であれば、検出器シャッタは必ずしも必要としない。 Of course, two-dimensional array sensor 23a, that 23b reads a two-dimensional image signal at high speed, if possible, the detector shutter is not necessarily required. 従って、欠陥が存在する場合、一方の2次元アレイセンサ(カメラ)からはストロボ(パルス)照射に同期して欠陥を含む検査2次元画像信号が検出されてA/D変換器でA/D変換され、他方の2次元アレイセンサ(カメラ)からはストロボ(パルス)照射に同期して欠陥を含まない参照2次元画像信号が検出されてA/D変換器でA/D変換されることになる。 Therefore, if there is a defect, one of the two-dimensional from array sensor (camera) flash (pulse) is detected examined two-dimensional image signal including a defect in synchronization with the irradiation by the A / D converter in A / D converter It is, so that the reference two-dimensional image signal including no defect in synchronization with the strobe (pulse) irradiation is a / D converted by being detected a / D converter from the other of the two-dimensional array sensor (camera) .

ところで、信号処理部は、A/D変換器30a、30b、比較処理部31及び欠陥判定部32等から構成される。 Incidentally, the signal processing unit, A / D converters 30a, 30b, a comparator processor 31 and the defect determination unit 32 and the like.

そこで、比較処理部31において、2次元アレイセンサ(カメラ)23aから出力されてA/D変換器30aでA/D変換された2次元画像信号F(r,θ)と2次元アレイセンサ(カメラ)23bから出力されてA/D変換器30bでA/D変換された2次元画像信号G(r,θ)とを比較することにより、何れかの領域に欠陥が存在する場合には差画像信号(不一致画像信号)として検出されることになる。 Accordingly, the comparison processor 31, are output from the two-dimensional array sensor (camera) 23a and A / D converter 30a in the A / D-converted two-dimensional image signal F (r, theta) and 2-dimensional array sensor (camera ) is output from 23b by the a / D converter 30b in the a / D-converted two-dimensional image signals G (r, theta) and by comparing any difference image when a defect is present in the region It will be detected as a signal (mismatch image signal). そして、欠陥判定部32は、比較処理部31から得られる差画像信号(F(r,θ)−G(r,θ))を基に欠陥判定基準(閾値)Thで判定することによって、できるだけ虚報を低減して被検査物上の真の欠陥情報(被検査物上の欠陥分布(欠陥位置座標も含む)や欠陥の特徴量(欠陥の大きさ(広さ)を示す面積や投影長、及び欠陥の濃淡値(諧調値)等))が差画像信号と共に得られることになる。 Then, the defect determination unit 32, by determining the comparison difference image signal obtained from the processing unit 31 (F (r, θ) -G (r, θ)) defects based on criteria (thresholds) Th, as much as possible by reducing the false alarm true defect information on the inspection object (defect distribution on the object to be inspected (features of defect position including coordinates) and defects (size of the defect (size) of the area and the projection length indicated, and so that the gray value of the defect (gradation value), etc.)) is obtained with a difference image signal.

なお、全体制御部40は、比較処理部31から得られる差画像(F(r,θ)−G(r,θ))、欠陥判定部32から得られる被検査物上の真の欠陥情報や欠陥判定基準(閾値)Th、各2次元アレイセンサ23a、23bから得られる2次元画像信号(F(r,θ),G(r,θ))、光学的基準位置検出器5a、5bの各々が測定するアライメントマークの位置情報を含む被検査物4a、4bのCAD情報、rステージ2の移動速度情報、θステージ3a、3bの回転速度情報等を記憶する記憶装置41と、被検査物4a、4bに関する品種情報(プロセス工程名も含む)や選択する欠陥検査条件(選択する欠陥判定基準(閾値)等を含む)等を入力する入力手段42と、上記記憶装置41に記憶された各種情報を表示する表示装置43とを The overall control unit 40, a difference image obtained from the comparison processing unit 31 (F (r, θ) -G (r, θ)), Ya true defect information on the inspected object obtained from the defect determination unit 32 defect determination criteria (thresholds) Th, each of the two-dimensional array sensor 23a, the two-dimensional image signal obtained from 23b (F (r, θ), G (r, θ)), the optical reference position detector 5a, 5b There the object to be inspected 4a, 4b CAD information including position information of the alignment marks to be measured, moving speed information of the r-stage 2, a storage unit 41 for storing the θ stage 3a, 3b rotational speed information of, the object to be inspected 4a (including process step name) varieties infos 4b and an input means 42 for inputting the defect inspection conditions (including such defect determination criteria for selecting (threshold)) or the like for selecting various information stored in the storage device 41 and a display device 43 to display the 接続して構成される。 Which are connected.

次に、可干渉性低減光学系13の具体的な実施例について図4を用いて説明する。 Next, specific examples of the coherence reduction optical system 13 will be described with reference to FIG. 即ち、第1の実施例である可干渉性低減光学系13aとしては、図4(a)に示すように、互に可干渉距離以上光路長を変えたファイバイ束によって構成することが可能である。 That is, the coherence reduction optical system 13a which is a first embodiment, as shown in FIG. 4 (a), can be configured by mutually Faibai bundles of varying optical path length than the coherence length . また、第2の実施例である可干渉性低減光学系13bとしては、図4(b)に示すように、一次元的に可干渉距離以上光路長を変えた板状ガラス部材を積層して構成することも可能である。 As the coherence reduction optical system 13b which is a second embodiment, as shown in FIG. 4 (b), by laminating a plate-shaped glass member for changing one-dimensionally optical path length than the coherence length it is also possible to configure. また、第3の実施例である可干渉性低減光学系13cとしては、図4(c)に示すように、二次元的に可干渉距離以上光路長を変えた角状若しくは棒状ガラス部材を積層して構成することも可能である。 As the third coherence reduction optical system 13c which is in the embodiment of, as shown in FIG. 4 (c), two-dimensionally stacking the angular or bar-like glass member was changed optical path length than the coherence length it is also possible to construct in.

次に、ビームエキスパンダ12及び可干渉性低減光学系13を無くして可干渉性を低減したパルスレーザ光源及び集光光学系を含めた光学系について図5(a)及び(b)を用いて説明する。 Next, with reference to FIG. 5 (a) and (b) an optical system including a pulsed laser light source and the light collecting optical system with reduced coherence eliminating the beam expander 12 and coherence reduction optical system 13 explain. 即ち、パルスレーザ光源11aとして、例えば半導体パルスレーザ光源を多数2次元的に配列して構成する。 That is, the pulsed laser light source 11a, for example, a semiconductor pulse laser light source multiple two-dimensionally arranged to constitute. このように半導体パルスレーザ光源を多数2次元的に配列することにより、各光源から出射されるパルスレーザ光は互いに干渉しないので、集光レンズ61によって集光レンズ62の後側の焦点面に集光させ、集光レンズ62によって被検査物4a、4b上の各領域17a、17bにストロボ(パルス)照射することが可能である。 By thus arranging the semiconductor pulse laser light source multiple two-dimensionally, the pulse laser light emitted from the light sources do not interfere with each other, collecting in the focal plane of the rear side of the condensing lens 62 by the condenser lens 61 is light, it is possible to irradiate the inspection object 4a, each area 17a of the 4b, strobe 17b (pulse) by the condenser lens 62. 図5(a)は、図1に示す構成の通り、異物等の凸状欠陥を検出するのに適する、被検査物4a、4bに対して傾斜した方向から斜方照射する場合を示す。 5 (a) is, as the configuration shown in FIG. 1, suitable for detecting a convex defect such as a foreign particle, showing a case of oblique irradiation from the direction inclined with respect to the inspection object 4a, 4b. 図5(a)に示す場合、斜方照射する関係で、パルスレーザ光源11aの出射面を傾ける必要がある。 The case shown in FIG. 5 (a), in relation to oblique irradiation, it is necessary to tilt the exit surface of the pulsed laser light source 11a. 図5(b)は、図1に示す構成とは異なり、スクラッチやボイド等の凹欠陥及び短絡欠陥や形状欠陥等のパターン欠陥を検出するのに適する、被検査物4a、4bに対してほぼ鉛直方向から落射照射する場合を示す。 5 (b) is different from the configuration shown in FIG. 1, suitable for detecting a pattern defect such as concave defects and short circuit defects and shape defects such as scratches, voids, substantially against the object to be inspected 4a, 4b shows the case where incident illumination from the vertical direction.

次に、第4の可干渉性低減光学系13dを備え、かつ図3(b)に示すようにほぼ均一な照度にするストロボ光照射光学系10について図6を用いて説明する。 Next, a fourth of the coherence reduction optical system 13d, and the flash light irradiation optical system 10 to be substantially uniform illuminance as shown in FIG. 3 (b) will be described with reference to FIG. 図6(a)は、ビームエキスパンダ12によって拡大したパルスレーザビームを例えば2次元に配列したマイクロレンズアレイ66で多数のパルスレーザビーム光束に分割し、各々を光ファイバー群等67で伝えて例えば2次元に配列したマイクロレンズアレイ68で受けることによって互に干渉しない多数のパルスレーザビーム光束に変換し、集光光学系15a、15bの各々で集光して傾斜した方向から被検査物4a、4b上の各領域17a、17bにほぼ均一な照度でストロボ(パルス)照射する場合を示す。 6 (a) is beam expander divides the expander 12 pulsed laser beam expanded by a large number of pulsed laser beam light beam by the micro lens array 66 which is arranged for example in a two-dimensional, to convey each an optical fiber group and the like 67 for example 2 into a large number of pulsed laser beam flux which does not mutually interfere by receiving by the microlens array 68 arranged in dimension, the condensing optical system 15a, 15b respectively in condensed by the object to be inspected from the inclined direction 4a of, 4b each region 17a of the upper, a case of irradiating strobe (pulse) with a substantially uniform illuminance 17b. 図6(a)は、図1に示す構成の通り、異物等の凸状欠陥を検出するのに適する、被検査物4a、4bに対して傾斜した方向から斜方照射する場合を示す。 6 (a) is as the configuration shown in FIG. 1, suitable for detecting a convex defect such as a foreign particle, showing a case of oblique irradiation from the direction inclined with respect to the inspection object 4a, 4b. 図6(b)は、図1に示す構成とは異なり、スクラッチやボイド等の凹欠陥及び短絡欠陥や形状欠陥等のパターン欠陥を検出するのに適する、被検査物4a、4bに対してほぼ鉛直方向から落射照射する場合を示す。 6 (b) is different from the configuration shown in FIG. 1, suitable for detecting a pattern defect such as concave defects and short circuit defects and shape defects such as scratches, voids, substantially against the object to be inspected 4a, 4b shows the case where incident illumination from the vertical direction.

次に、被検査物4a、4b上の各領域17a、17bに亘って図3(b)に示すように、比較的均一な照度にする集光光学系15a、15bの他の具体的実施例について図7を用いて説明する。 Then, the object to be inspected 4a, each area 17a of the 4b, over 17b as shown in FIG. 3 (b), the condensing optical system 15a to a relatively uniform illumination, another specific embodiment of 15b be described with reference to FIG. 図7(a)は、図3(a)に示すように、ビームエキスパンダ12によって拡大したガウス照度分布を有するパルスレーザビームを凸レンズ71と凹レンズ72とを組み合せることによって均一な照度分布に変換して傾斜した方向から被検査物4a、4b上の各領域17a、17bにストロボ(パルス)照射する場合を示す。 7 (a) is, as shown in FIG. 3 (a), converts the pulsed laser beam having a Gaussian intensity distribution is enlarged by the beam expander 12 to a uniform illuminance distribution by combining a convex lens 71 and concave lens 72 shows a case of irradiating the inspection object 4a, each area 17a of the 4b, strobe 17b (pulse) from to inclined directions. 図7(a)は、図1に示す構成の通り、異物等の凸状欠陥を検出するのに適する、被検査物4a、4bに対して傾斜した方向から斜方照射する場合を示す。 7 (a) is, as the configuration shown in FIG. 1, suitable for detecting a convex defect such as a foreign particle, showing a case of oblique irradiation from the direction inclined with respect to the inspection object 4a, 4b. 図7(b)は、図1に示す構成とは異なり、スクラッチやボイド等の凹欠陥及び短絡欠陥や形状欠陥等のパターン欠陥を検出するのに適する、被検査物4a、4bに対してほぼ鉛直方向から落射照射する場合を示す。 7 (b) is different from the configuration shown in FIG. 1, suitable for detecting a pattern defect such as concave defects and short circuit defects and shape defects such as scratches, voids, substantially against the object to be inspected 4a, 4b shows the case where incident illumination from the vertical direction.

次に、2次元アレイセンサ23a、23bの各々は、被検査物4a、4b上の各領域17a、17b内から結像させた2次元画像をストロボ撮像するために、被検査物4a、4bの各々の表面を検出光学系20a、20bの各々に対して自動合焦点制御を行う必要がある。 Then, two-dimensional array sensor 23a, each 23b is to be inspected 4a, each area 17a of the 4b, and two-dimensional images obtained by imaging the inside 17b to flash imaging, the object to be inspected 4a, 4b of each surface detection optical system 20a, it is necessary to perform automatic focus control for each 20b. そこで、自動合焦点制御の実施例について図9を用いて説明する。 Accordingly, will be described with reference to FIG embodiment of an automatic focus control. なお、図9は、一つのθステージ3と、一つのストロボ光照射光学系10と、一つの検出光学系20とを有する場合について示す。 Incidentally, FIG. 9 shows a case with one of the θ stage 3, one of the flash light irradiation optical system 10, and one of the detecting optical system 20. 勿論、図1に示すように、被検査物4a、4bの各々に対応させて2つのθステージ3a、3bと、2つのストロボ光照射光学系10と、2つの検出光学系20a、20bとを設けた場合にも、θステージ3a、3bの各々に対応させて設けることによって適用することが可能となる。 Of course, as shown in FIG. 1, two θ stage 3a in correspondence with each of the specimen 4a, 4b, and 3b, and two flash light irradiation optical system 10, the two detection optical systems 20a, and 20b in the case of providing also, theta stage 3a, it is possible to apply by providing in correspondence to each of 3b. 即ち、図9(a)、(b)に示す実施例の場合は、zステージ90a、90bの各々を設けた場合を示す。 That is, in the case of the embodiment shown in FIG. 9 (a), (b), shows a case of providing z stage 90a, each of 90b. 図1に示すように構成した場合、微動機構(図示せず)と同様にzステージ90a、90bの各々をrステージ2とθステージ3a、3bの各々との間に設けることが好ましい。 When configured as shown in FIG. 1, similarly z stage 90a and the fine movement mechanism (not shown), respectively r Stage 2 and θ stage 3a of 90b, it is preferably provided between each of 3b. また、図9(a)に示す実施例の場合、被検査物4a、4bの各々に対してAF照射光学系91a、91bの各々からスリット状パターン若しくは格子状(縞)パターンを斜め方向から(オフアクシス方式)、ストロボ光照射領域17a、17bには照射することなくストロボ光照射領域17a、17bの周囲に照射し、被検査物4a、4bの各々の上記ストロボ光照射領域17a、17bの周囲からのスリット状パターン若しくは格子状パターンの反射光像を位置検出器92a、92bの各々で合焦点位置からの変位量を検出し、該検出した変位量がなくなるようにステージコントローラ45を介してzステージ60を制御することによって被検査物4a、4bの各々のストロボ光照射領域17a、17bの自動合焦点位置を算出すること Further, in the embodiment shown in FIG. 9 (a), the object to be inspected 4a, AF illumination optical system 91a for each 4b, slit pattern or grid pattern (the stripe) pattern from an oblique direction from each 91b ( off-axis method), flash light irradiation area 17a, a strobe light irradiation area 17a without irradiating the 17b, and irradiates the surrounding 17b, the object to be inspected 4a, 4b of each of the flash light irradiation area 17a, 17b around the the slit pattern or grid pattern position detector 92a a reflected light image from, and detects the amount of displacement from the focus position at each 92b, via the stage controller 45 as displacement amount the detected eliminates z and calculating the inspection object 4a, each of the strobe light irradiation region 17a of 4b, and auto-focus position of 17b by controlling the stage 60 可能となる。 It can become. また、図9(b)に示す実施例の場合は、zステージ90a、90bを上下に微動させて、AF照射光学系96a、96bの各々から対物レンズ21a、21bの各々を通して(TTL(Through The Lens)方式)、スリット状パターン若しくは格子状(縞)パターンをストロボ光照射領域17a、17bに投影することなくストロボ光照射領域17a、17bの周囲に投影し、被検査物4a、4bの各々の上記ストロボ光照射領域17a、17bの周囲からのスリット状パターン若しくは格子状パターンの反射光像をミラー110a、110bで反射させてAFイメージセンサ95a、95bで合焦位置を検出することによって被検査物4a、4bの各々のストロボ光照射領域17a、17bの自動合焦点位置を算出することが可能となる。 In the case of the embodiment shown in FIG. 9 (b), z stage 90a, by fine movement of the 90b vertically, AF illumination optical system 96a, an objective lens 21a from each 96b, through each of 21b (TTL (Through The Lens) scheme), projected slit pattern or grid pattern (the stripe) pattern flash light irradiation area 17a, a strobe light irradiation area 17a without projecting to 17b, around the 17b, the object to be inspected 4a, each 4b the flash light irradiation area 17a, a mirror 110a for reflecting light image of the slit pattern or grid pattern from the surrounding 17b, is reflected by 110b in AF image sensor 95a, the object to be inspected by detecting the focus position at 95b 4a, each of the strobe light irradiation region 17a of 4b, it is possible to calculate the auto-focus position of 17b. なお、図9(b)に示す場合、検査中でのストロボ光照射は図1に示すように斜方照射するものとする。 In the case shown in FIG. 9 (b), the strobe light irradiation in the inspection shall be obliquely irradiated as shown in FIG.

また、図9(c)に示す実施例の場合、図9(a)の場合と異なり、検出光学系20a、20bの各々を検出系コントローラ97により上下方向(z方向)に微動させて自動合焦点位置を算出することにある。 Further, in the embodiment shown in FIG. 9 (c), different from the case of FIG. 9 (a), detecting optical system 20a, the automatic focus and the detection system controller 97 to each of 20b is finely moved in the vertical direction (z-direction) It is to calculate the focus position. また、図9(d)に示す実施例の場合、図9(b)の場合と異なり、検出光学系20a、20bの各々を検出系コントローラ97により上下方向(z方向)に微動させて自動合焦点位置を算出することにある。 Further, in the embodiment shown in FIG. 9 (d), different from the case of FIG. 9 (b), detecting optical system 20a, the automatic focus and the detection system controller 97 to each of 20b is finely moved in the vertical direction (z-direction) It is to calculate the focus position.

次に、図1に示すストロボ光照射光学系と異なる実施例について図10及び図11を用いて説明する。 It will now be described with reference to FIGS. 10 and 11 for different embodiments the flash light irradiation optical system shown in FIG. 図10は、被検査物4a,4bの各々の領域17a、17bに高角度ストロボ光照射する場合を示す。 10 shows a case of high-angle strobe light irradiated to the inspected 4a, 4b of each region 17a, 17b. 即ち、例えば集光光学系15a、15bの各々でコリメータパルスレーザビームに変換してミラー18a、18bの各々で反射して対物レンズ21a、21b;21c、21dの各々と結像レンズ22a、22bの各々との間に設けられたビームスプリッタ24a、24b又はリング状のミラー24c、24dに入射させ、図11(a)、並びに図11(c)に示すように、対物レンズ21a、21b;21c、21dの各々によって高角度ストロボ光照射することになる。 Thus, for example condensing optical system 15a, a mirror 18a is converted to the collimator pulsed laser beam at each 15b, each in reflection to the objective lens 21a of 18b, 21b; 21c, 21d respectively and the imaging lens 22a, 22b of the beam splitter 24a provided between each, 24b or ring-shaped mirror 24c, is incident on the 24d, as shown in FIG. 11 (a), and FIG. 11 (c), the objective lens 21a, 21b; 21c, It will irradiate high angle strobe light by each of 21d. 図11(a)は、被検査物4a,4bの各々の領域17a、17bに対してほぼ鉛直方向からストロボ光照射する場合を示し、図11(b)及び(c)は各対物レンズ21c、21dを2重リング状に形成し、各ミラー24c、24dもリング状に形成し、各リング状のミラー24c、24dで反射したパルスレーザビームを各対物レンズ21c,21dの外側リングで被検査物4a,4bの各々の領域17a、17bに対して高角度方向から平面的には様々な方向からストロボ光照射する場合を示す。 Figure 11 (a) shows a case where the flash light irradiated from a substantially vertical direction with respect to the inspection object 4a, each of the regions 17a of 4b, 17b, FIG. 11 (b) and (c) each of the objective lens 21c, 21d was formed on the double ring-shaped, each mirror 24c, 24d is also formed in a ring shape, each ring-shaped mirror 24c, each of the objective lens 21c of the pulsed laser beam reflected by the 24d, the object to be inspected outside ring 21d 4a, shows a case of irradiating the flash light from various directions each area 17a of 4b, the high angular orientations with respect to 17b in plan view.

なお、図11(d)(e)は、図1に示す構成において被検査物4a,4bの各々の領域17a、17bに対して4方向から斜方ストロボ光照射する場合を示す。 Incidentally, FIG. 11 (d) (e) illustrate the inspection object 4a in the configuration shown in FIG. 1, each of the regions 17a of 4b, and the case of irradiating obliquely flash light from four directions with respect to 17b. このように4方向から斜方ストロボ光照射するためには、分岐光学系14a並びにミラー14bから得られるパルスレーザビームを夫々4つに分岐する光学系を有し、夫々4つに分岐されたパルスレーザビームを4方向から傾斜角度(仰角度)αで斜方ストロボ光照射する傾斜ミラーを4方向に設置する必要がある。 To do so irradiated obliquely flash light from four directions, an optical system for splitting the pulsed laser beam obtained from the splitting optical system 14a and the mirror 14b respectively four, branched respectively four pulses laser beam inclination angle (elevation level) from four directions α it is necessary to install a tilting mirror to be irradiated obliquely strobe light in four directions. 図11(f)(g)は、図1に示す構成を示す。 Figure 11 (f) (g) shows the structure shown in FIG.

次に、被検査物4a,4bを相対的にr方向(半径方向)に移動させる機構の実施例について図12を用いて説明する。 Will now be described with reference to FIG. 12 for the embodiment of a mechanism for moving the object to be inspected 4a, 4b relatively r direction (radial direction). 図12(a)は、図1に示す実施例と同様に、rステージ2をX方向に移動する実施例である。 12 (a) is similar to the embodiment shown in FIG. 1, an embodiment to move the r stage 2 in the X direction. 図12(b)は、rステージ2をX方向に移動する代わりに、ストロボ光照射光学系10、検出光学系20a及び20b並びに光学的基準位置検出器5a、5bの全体をrステージ(移動ステージ)100によりX方向に移動させる実施例である。 FIG. 12 (b), instead of moving the r stage 2 in the X direction, the flash light irradiation optical system 10, the detection optical system 20a and 20b and the optical reference position detector 5a, whole r stage (moving stage 5b ) is an example of moving in the X direction by 100. しかしながら、図12(a)に示す実施例の方が、図12(b)に示す実施例に比べて機構的には簡単となる。 However, the direction of the embodiment shown in FIG. 12 (a), a simple mechanistically as compared with the embodiment shown in Figure 12 (b).

次に、本発明に係る、被検査物4a、4bの各々に形成されたアライメントマーク(図示せず)を基準に精位置合せされた被検査物4a、4b上を同じように連続的に螺旋走査される同じストロボ光照射領域17a、17b内における、rステージ2に設けられたエンコーダ2e及びθステージ3a、3bの各々に設けられたエンコーダ3ae、3beから出力される極座標(r,θ)に基づいて精位置合せされた2次元アレイセンサ23aから出力されてA/D変換された2次元画像信号F(r,θ)と2次元アレイセンサ23bから出力されてA/Dされた2次元画像信号G(r,θ)とを比較処理する比較処理部31の実施例について図13を用いて説明する。 Then, according to the present invention, the object to be inspected 4a, 4b each formed alignment marks the object to be inspected 4a is fine aligned relative to the (not shown), just as continuously helically over 4b of the same strobe light irradiation region 17a to be scanned, in the 17b, encoder 2e and theta stage 3a provided in r stages 2, encoder 3ae provided in each of 3b, the polar coordinates (r, theta) which is output from 3be based outputted from fine aligned two-dimensional array sensor 23a to be a / D converted two-dimensional image signal F (r, θ) and the output from the two-dimensional array sensor 23b and a / D is two-dimensional image signal G (r, θ) and for the embodiment of comparison unit 31 for comparing processing will be described with reference to FIG. 即ち、図13(a)は、本発明に係る比較処理部31が、位置合せされた被検査物4a、4b上を同じように連続的に螺旋走査された状態で、精位置合せされて2次元アレイセンサ23aでストロボ撮像して得られる2次元画像信号F(r,θ)と2次元アレイセンサ23bでストロボ撮像して得られる2次元画像信号G(r,θ)とを比較処理する状態を示す。 That is, FIG. 13 (a), comparison processing unit 31 according to the present invention, the object to be inspected 4a which are aligned, the upper 4b while being continuously helical scan like, are fine alignment 2 state comparison processing 2-dimensional image signal F (r, θ) of the dimension array sensor 23a obtained by flash imaging a two-dimensional image signals G (r, θ) obtained by flash captured by the two-dimensional array sensor 23b and the It is shown.

この場合、比較処理部31で比較処理される2次元画像信号(カメラフレーム信号)F(r,θ)および2次元画像信号(カメラフレーム信号)G(r,θ)は共に極座標を持っているため、比較処理が複雑となる。 In this case, two-dimensional image signal comparison processing by the comparison processing unit 31 (the camera frame signal) F (r, theta) and two-dimensional image signal (camera frame signal) G (r, theta) are both with the polar Therefore, comparison processing becomes complicated. そこで、図15に示す如く、画像変換回路34a及び34bの各々において、座標検出回路36から得られる例えばカメラフレームの中心位置の極座標(rn,θn)又はp−q座標(pn=fp(rn,θn),qn=fq(rn,θn))を基に、図14に示す2次元画像信号Fn(rn,θn)および2次元画像信号Gn(rn,θn)の中心位置(rn,θn)での螺旋走査の接線方向をp方向、該接線方向に直角方向をq方向になるように移動及び回転させて(幾何学的変換して)、2次元画像信号Fn(pn,qn)および2次元画像信号Gn(pn,qn)に並べ変えて再構成することによって、比較処理部31では被検査物4a、4bの全面に亘って、螺旋状に走査してストロボ撮像されたカメラフレーム数についての2次元座標(p,q)を持った2次元画像 Therefore, as shown in FIG. 15, in each of the image conversion circuit 34a and 34b, polar of the center position of a camera frame obtained from the coordinate detection circuit 36 ​​(rn, θn) or p-q coordinates (pn = fp (rn, .theta.n), based on qn = fq (rn, θn)), a two-dimensional image signal Fn shown in FIG. 14 (rn, θn) and the center position of the two-dimensional image signal Gn (rn, θn) (rn, θn) tangential to p direction of the helical scan, the direction perpendicular to the 該接 line direction movement and is rotated such that the q direction (geometrically transform), two-dimensional image signal Fn (pn, qn) and two-dimensional image signal Gn (pn, qn) by reconstituting instead arranged, comparison processing unit 31 in the object to be inspected 4a, over the entire surface of the 4b, for the number of cameras frames flash imaging by scanning spirally 2-dimensional coordinates (p, q) the 2-dimensional image having 信号F(p,q)および2次元画像信号G(p,q)同士の単純な比較処理を行うことが可能となる。 Signal F (p, q) and the two-dimensional image signals G (p, q) it is possible to perform a simple comparison processing between. なお、図14に示すように、2次元アレイセンサ23a、23bの各々でストロボ撮像して得られる2次元画像信号Fn(rn,θn)、Gn(rn,θn)の各々を、隣りの2次元画像信号Fn-1(rn-1,θn-1)、Gn-1(rn-1,θn-1);Fn+1(rn+1,θn+1)、Gn+1(rn+1,θn+1)の各々と重ねる領域OLを作れば、幾何学的変換して再構成する際(p方向に並べる際)、特にq方向の照合(位置合せ)が容易となる。 Incidentally, as shown in FIG. 14, a two-dimensional array sensor 23a, 23b each two-dimensional image signal obtained by flash captured by Fn of (rn, θn), Gn (rn, θn) of each of the two neighboring dimensional image signal Fn-1 (rn-1, θn-1), Gn-1 (rn-1, θn-1); Fn + 1 (rn + 1, θn + 1), Gn + 1 (rn + 1, θn if you make an area OL overlap with each +1), when arranged in time (p direction reconstructed geometric transformation), in particular matching q direction (alignment) becomes easy.

また、図15には、2次元アレイセンサ23aでストロボ撮像してA/D変換器30aでA/D変換して得られる2次元画像信号F(r,θ)と2次元アレイセンサ23bでストロボ撮像してA/D変換器30bでA/D変換して得られる2次元画像信号G(r,θ)とを一旦極座標系の画像メモリ33aに記憶し、その後画像変換回路34a及び34bの各々において極座標(r,θ)を有する2次元画像信号F(r,θ)および2次元画像信号G(r,θ)から、螺旋走査の接線方向をp方向、該接線方向に直角方向をq方向になるように移動及び回転させて(幾何学変換させて)、p−q座標系を有する2次元画像信号F(p,q)および2次元画像信号G(p,q)に変換してp−q座標系の画像メモリ33bに記憶する。 Further, in FIG. 15, the strobe in and flash imaging a two-dimensional array sensor 23a A / D converter 30a by the A / D converter and the two-dimensional image signal obtained by F (r, theta) and 2-dimensional array sensor 23b temporarily stored in the image memory 33a of the polar coordinate system and an a / D converter 30b in the a / D conversion and obtained by two-dimensional image signals G (r, theta) by imaging, each subsequent image conversion circuit 34a and 34b in polar coordinates (r, theta) two-dimensional image signal F (r, θ) having and the two-dimensional image signals G (r, θ), the tangential direction of the spiral scanning direction p, q direction perpendicular to 該接 line direction move and rotate so that (by converting geometry), and converts the two-dimensional image signal having a p-q coordinate system F (p, q) and the two-dimensional image signals G (p, q) p stored in the image memory 33b of -q coordinate system. そして位置合せ回路35において、2次元画像信号F(p,q)と2次元画像信号G(p,q)との間の例えばp方向及びq方向との位置ずれ量を画素単位若しくは1画素単位以下で算出し、該算出した位置ずれ量を相対的に補正することによって2次元画像信号F(p,q)と2次元画像信号G(p,q)とを画像処理によって精位置合せ(濃淡値(諧調値)の合せ込みも含む)をすることが可能である。 And in alignment circuit 35, the two-dimensional image signal F (p, q) and the two-dimensional image signals G (p, q), for example, p-direction and the positional deviation amount pixel or one pixel unit of the q direction between calculated by the following two-dimensional image signal F (p, q) by relatively correcting the positional deviation amount the calculated two-dimensional image signals G (p, q) and combined fine position by image processing (shading it is possible to a value also includes mating inclusive (gradation value)).

以上説明したように、位置合せ回路35から得られる2次元画像信号F(p,q)と2次元画像信号G(p,q)とは精位置合せがなされているので、欠陥判定部32は、比較処理部31から得られる差画像信号(F(p,q)−G(p,q))を基に欠陥判定基準(閾値)Thで判定することによって、できるだけ虚報を低減して被検査物上の真の欠陥情報(被検査物上の欠陥分布(被検査物上のx−y座標系(ダイ(チップ)が配列されている座標系)に変換した欠陥位置座標(x,y)も含む)や欠陥の特徴量(欠陥の大きさ(広さ)を示す面積や投影長、及び欠陥の濃淡値(諧調値)等))が差画像信号と共に容易に得られることになり、その欠陥判定結果を全体制御部40に提供できることになる。 As described above, the two-dimensional image signal F (p, q) obtained from the alignment circuit 35 and the two-dimensional image signals G (p, q) since fine alignment has been made to the defect determination unit 32 by determining the difference image signal obtained from the comparison processing unit 31 (F (p, q) -G (p, q)) defects based on criteria (thresholds) Th, inspected by reducing as much as possible false information Butsujo of true defect information (the object to be inspected on the defect distribution (object to be inspected on the x-y coordinate system (the die (chip) defect position coordinates converted into the coordinate system) which is arranged (x, y) will be included) and feature amounts of the defect area and the projection length indicating (size (size of the defect) and and gray value of the defect (gradation value), etc.)) that is easily obtained with the difference image signal, that It becomes possible to provide the overall control unit 40 of the defect determination result.

次に、高感度EMCCDを用いて形成された2次元アレイセンサ23a、23bの他の具体的実施例について図16を用いて説明する。 It will now be described with reference to FIG. 16 for the other specific example of the two-dimensional array sensor 23a, 23b which are formed by using a highly sensitive EMCCD. 即ち、2次元アレイセンサ23a、23bの各々は、図16(a)に示すように垂直レジスタ171と、水平レジスタ172と、該水平レジスタ172から得られる画素信号を増倍する電子増倍レジスタ173と、該電子増倍レジスタ173から出力する画素信号を増幅するアンプ174とから構成される。 That is, two-dimensional array sensor 23a, each 23b includes a vertical register 171, as shown in FIG. 16 (a), the horizontal register 172, photomultiplier register 173 for multiplying a pixel signal obtained from said horizontal register 172 When, composed of the amplifier 174 Metropolitan for amplifying a pixel signal outputted from the electron multiplier register 173. 図16(b)には電子増倍レジスタ173において増倍される、電子増倍レジスタ173における電子の蓄積状態を示す図である。 The Figure 16 (b) are multiplied in the electron multiplication register 173 is a diagram showing the electron accumulation state of the electron multiplier register 173.

また、高感度EBCCDを用いて形成された2次元アレイセンサ23a、23bの具体的実施例について図17を用いて説明する。 Also, it will be described with reference to FIG. 17 for specific embodiments of the two-dimensional array sensor 23a, 23b which are formed by using a highly sensitive EBCCD. 即ち、EBCCDは、光電変換面182を有する透明な板状部材181で真空チューブ183を密閉し、該真空チューブ183内にCCDセンサアレイ184を設け、更にCCDアレイセンサ184に接続されるリード185を設けて構成される。 That, EBCCD is a transparent plate-like member 181 having a photoelectric conversion surface 182 sealing the vacuum tube 183, a CCD sensor array 184 provided on the vacuum tube 183, a lead 185 which is further connected to a CCD array sensor 184 provided composed.

また、2次元アレイセンサ23a、23bとして、広ダイナミックレンジあるいは高感度あるいは高フレームレートなどの特徴を持つCMOS2次元アレイセンサを用いることも可能である。 Further, two-dimensional array sensor 23a, as 23b, it is also possible to use CMOS2 dimensional array sensor having characteristics such as a wide dynamic range or high sensitivity or high frame rate.

また、2次元アレイセンサ23a、23bの各々を、US2005/0110987A1(特許文献4)の明細書に記載されているマルチ2次元アレイセンサ(カメラ)で構成しても良い。 Further, two-dimensional array sensor 23a, each of 23b, US2005 / 0110987A1 may be composed of multiple two-dimensional array sensor described in the specification of (patent document 4) (camera). このようにマルチ2次元アレイセンサで構成することによって各2次元アレイセンサは、ストロボ撮像視野を分割した2次元画像信号を同時に得ることが可能となり、単位時間当たりの撮像面積の向上を図ることが可能となる。 Each two-dimensional array sensor by thus configuring a multi-dimensional array sensor, it is possible to obtain a two-dimensional image signal obtained by dividing the strobe imaging field simultaneously, it is possible to improve the imaging area per unit time It can become. しかしながら、マルチ2次元アレイセンサで構成する場合、該マルチの数に対応させてA/D変換器30、比較処理部31及び欠陥判定部32等を設けることが必要となる。 However, when configuring a multi-dimensional array sensor, corresponding to the number of the multi A / D converter 30, it is necessary to provide the comparison processing unit 31 and the defect determination unit 32 and the like.

次に、検出光学系20a、20bの各々の対物レンズ21a、21bに空間フィルタを設ける実施例について図18、図19を用いて説明する。 Next, the detection optical system 20a, each of the objective lens 21a of 20b, for example to provide a spatial filter 21b Figure 18 will be described with reference to FIG. 19. 被検査物4a、4bの各々は、図13に示すように2次元アレイセンサ23a、23bの各々のストロボ撮像視野が螺旋状に走査される関係で、斜方照射方向190に対して被検査物4a,4bに形成された回路パターン191の主要な直線成分の向きが矢印で示すように回転し、該回路パターンから生じる回折光パターンの干渉縞193が瞳面192上において194を中心に回転することになる。 Each of the object to be inspected 4a, 4b, in relation to 2-dimensional array sensor 23a as shown in FIG. 13, each of the strobe imaging field of 23b is scanned helically, the object to be inspected with respect to oblique irradiation direction 190 4a, rotated as shown orientation of the major linear components of the circuit pattern 191 formed on the 4b is an arrow, the interference fringes 193 of the diffracted light pattern resulting from the circuit pattern rotates about 194 on the pupil plane 192 It will be. そこで、2次元アレイセンサ23a、23bの各々が上方検出NA195で撮像する場合において、上記回折光パターン193を遮光フィルタ(空間フィルタ)で遮光する場合には、遮光フィルタの遮光パターンを、194を中心にして各被検査物4a、4bの回転角θに対応させて(同期させて)回転させることが考えられる。 Therefore, the center in the case of 2-dimensional array sensor 23a, each of 23b to image above detection NA195, in the case of shielding the diffracted light pattern 193 with the light shielding filter (spatial filter) is a light shielding pattern of the light shielding filter, a 194 each object to be inspected 4a in the, in correspondence to the rotational angle θ of 4b (in synchronization) is considered to rotate. 図19(g)は、この空間フィルタ200の場合を示す。 Figure 19 (g) shows a case of the spatial filter 200. また、図1に示す上方検出と異なり、斜方検出NA196でストロボ撮像する場合において、上記回折パターン193を遮光フィルタ(空間フィルタ)で遮光する場合には、遮光フィルタの遮光パターンを、194を中心にして各被検査物4a、4bの回転角θに対応させて(同期させて)回転させることが考えられる。 Further, unlike the upper detection shown in FIG. 1, the center in the case of flash imaging by the oblique detection NA196, in the case of shielding the diffraction pattern 193 in the light shielding filter (spatial filter) is a light shielding pattern of the light shielding filter, a 194 each object to be inspected 4a in the, in correspondence to the rotational angle θ of 4b (in synchronization) is considered to rotate. 即ち、検出光学系(撮像光学系)20a、20bにおいて、回転ステージ3a、3bの回転に同期して回転する空間フィルタ200を対物レンズ21a、21bのフーリエ変換面に設けることが考えられる。 That is, the detection optical system (imaging optical system) 20a, in 20b, the rotary stage 3a, the spatial filter 200 through the objective lens 21a which rotates in synchronization with the rotation of 3b, it is conceivable to provide a Fourier transform plane of 21b.

その他、図19(a)〜図19(f)に示すような遮光パターンを有する遮光フィルタを切り替えて使用することが可能である。 Further, the invention is capable of being used by switching the light-shielding filter having a light-shielding pattern as shown in FIG. 19 (a) ~ FIG 19 (f). 特に例えば液晶遮光フィルタを用いて各被検査物4a、4bの回転角θに対応させて適切な遮光パターンを発生させて遮光することが可能となる。 In particular example it is possible to shield by generating appropriate shading pattern each object to be inspected 4a, to correspond to the rotation angle θ of 4b with a liquid crystal light-shielding filter.

次に、検出光学系20a、20bの光軸を、傾けて斜方検出する実施例について説明する。 Next, the detection optical system 20a, an optical axis of 20b, for example to detect oblique inclined will be described. 特に、異物等の凸状欠陥を検出する際には、斜方検出でも可能である。 In particular, when detecting the convex defect such as a foreign particle can be also oblique detection. しかし、図18に示すように斜方検出NA196にしても被検査物4a,4bの回転に伴って回折パターンを回転して横切ることになるけれども、回折パターンの強度を弱めることは可能である。 However, although will cross by rotating the diffraction patterns in accordance with the rotation of the object to be inspected 4a, 4b in the oblique detection NA196 as shown in FIG. 18, it is possible to weaken the intensity of the diffraction pattern. そのためには、斜方検出を斜方照射方向190に対して平面的に交差する方向(ほぼ直交する方向)から2次元アレイセンサ23a、23bの各々でストロボ撮像して2次元画像信号を検出するように構成すればよい。 To that detects a planar cross direction (substantially perpendicular to the direction) from the two-dimensional array sensor 23a, the two-dimensional image signal strobe captured by each of 23b oblique detection for oblique irradiation direction 190 it may be configured so.

[第2の実施の形態] Second Embodiment
次に、本発明に係る欠陥検査装置及びその方法の第2の実施の形態について説明する。 Next, a description will be given of a second embodiment of the defect inspection apparatus and method according to the present invention. 即ち、第2の実施の形態において、第1の実施の形態と相違する点は、図20に示すように、θステージ3、ストロボ光照射光学系10及び検出光学系(撮像光学系)20を一つの組にして構成し、予め、参照2次元画像信号を取得しておいて、検査時には該取得された参照2次元画像信号と同様に取得される検査2次元画像信号との精位置合せを画像処理で行い、更に参照2次元画像信号を取得する時と検査2次元画像信号を取得する時とでストロボ光(パルス光)を照射する照度を合わせる点である。 That is, in the second embodiment, differs from the first embodiment, as shown in FIG. 20, theta stage 3, the flash light irradiation optical system 10 and detection optical system (imaging optical system) 20 and configure the one group, previously, it should obtain a reference two-dimensional image signals, the fine alignment of the test the two-dimensional image signal at the time of inspection is obtained similarly to reference two-dimensional image signal the obtained performed in the image processing, is that aligning the illuminance of irradiating strobe light (pulse light) at the time of acquiring inspection 2D image signal and when obtaining a further reference two-dimensional image signal. このように第2の実施の形態は、被検査物4上に配列されるチップがX方向とY方向との間において互に非対称に形成されている(90度回転させたときチップ配列が異なる)場合が考えられるため、予め被検査物上の全面に亘ってストロボ撮像視野から得られる参照2次元画像信号を取得して用意をしておく必要がある。 Thus the second embodiment, the chip sequence when the mutually rotated (90 ° are formed asymmetrically between the chip and the X and Y directions are arranged on the inspection object 4 is different ) for the case is considered, it is necessary to prepared to obtain the reference two-dimensional image signal obtained from the strobe imaging field over the entire surface of the pre-inspection object.

また、被検査物4a上の欠陥を検出するためには、比較処理部31において、検査2次元画像信号F(r,θ)と上述したように予め用意された参照2次元画像信号G(r,θ)とをr−θ極座標系で比較する方法とp−q直交座標系で比較する方法が考えられる。 Further, in order to detect defects on the object to be inspected 4a, in the comparison processing unit 31, the inspection 2D image signal F (r, theta) reference two-dimensional image signal prepared in advance as described above and G (r how to compare methods and p-q orthogonal coordinate system for comparing the theta) with r-theta polar coordinate system can be considered. しかしながら、r−θ極座標系で比較する方法は相対位置合せ等が複雑になるため、幾何学変換したp−q直交座標系で比較する方法が好ましい。 However, a method of comparing with r-theta polar coordinate system because the relative positioning and the like becomes complicated, a method of comparing with geometric transformation the p-q orthogonal coordinate system is preferred.

そのために、検査時と同一種の参照被検査物4bをθステージ3上に載置して検査時と同様に図13に示すように螺旋状に走査させた状態で、参照被検査物4bの全面に亘って、パルスレーザビームを傾斜ミラー16で反射させて斜め方向からストロボ光照射領域17にストロボ光(パルス光)を照射し、該照射領域17内のストロボ撮像視野から得られる参照2次元画像信号を2次元アレイセンサ23でストロボ(パルス)撮像してA/D変換後、参照2次元画像信号Gn(rn,θn)を図14に示すように、その中心位置座標(極座標(rn,θn)又は幾何学変換された座標(pn=fp(rn,θn),qn=fq(rn,θn)))と共に画像処理部38内の一旦画像メモリ33aに記憶する。 Therefore, while being scanned spirally as shown inspected during the same type of reference object to be inspected 4b in FIG. 13 as in the case of inspection is placed on the θ stage 3, the reference of the object to be inspected 4b over the entire surface, the pulsed laser beam strobe light to flash light irradiation area 17 obliquely is reflected by the inclined mirror 16 (pulsed light) is irradiated with the reference two-dimensional derived from the strobe imaging field within the irradiated region 17 later with strobe (pulse) captured by the two-dimensional array sensor 23 an image signal a / D converter, a reference two-dimensional image signal Gn (rn, .theta.n) as shown in FIG. 14, the center position coordinates (polar coordinates (rn, .theta.n) or geometric transformed coordinates (pn = fp (rn, θn), qn = fq (rn, θn))) is temporarily stored in the image memory 33a in the image processing unit 38 together. このように、画像メモリ33a内には、参照被検査物4bの全面に亘って、螺旋状に走査してストロボ撮像されたカメラフレーム数についての、参照2次元画像信号Gn(rn,θn)と例えばその中心位置座標(極座標(rn,θn)又は幾何学変換された座標(pn=fp(rn,θn),qn=fq(rn,θn)))とが記憶される。 Thus, the image memory 33a, the reference over the entire surface of the inspection object 4b, as to the number of cameras frames flash imaging by scanning spirally reference two-dimensional image signal Gn (rn, θn) and For example the center coordinates (polar coordinates (rn, .theta.n) or geometric transformed coordinates (pn = fp (rn, θn), qn = fq (rn, θn))) and are stored. なお、幾何学変換された座標(pn=fp(rn,θn),qn=fq(rn,θn)))は、座標検出回路36において、θステージ3のエンコーダ3e及びrステージ2のエンコーダ2eから検出される極座標(rn,θn)を基にp−q座標系に幾何学変換することによって得られる。 Incidentally, geometrically transformed coordinates (pn = fp (rn, θn), qn = fq (rn, θn))), in the coordinate detection circuit 36, the encoder 3e and r Stage 2 encoder 2e of θ stage 3 polar coordinates to be detected (rn, θn) obtained by converting geometry into p-q coordinate system based on. また、カメラフレーム(2次元画像)の位置座標として中心位置座標にしたが、4つの角の位置座標にしても良い。 Although the center position coordinates as the position coordinates of the camera frame (the two-dimensional image), it may be position coordinates of the four corners.

そして、図21に示すように、画像処理部38a内に設けられた画像変換回路34において、画像メモリ33aに記憶された極座標(r,θ)を有する参照2次元画像信号G(r,θ)から、螺旋走査の接線方向をp方向、該接線方向に直角方向をq方向になるように移動及び回転させて(幾何学変換させて)、p−q座標系を有する参照2次元画像信号G(p,q)に変換してp−q座標系の画像メモリ33bに記憶することによって、予め、検査時に比較する参照2次元画像信号G(p,q)がp−q座標系で取得できることになる。 Then, as shown in FIG. 21, the image conversion circuit 34 provided in the image processing unit 38a, polar coordinates stored in the image memory 33a (r, theta) reference two-dimensional image signal having a G (r, theta) from tangentially p direction of the helical scan, the direction perpendicular to the 該接 line direction by moving and rotating so that the q direction (by converting geometry), the reference two-dimensional image signal having a p-q coordinate system G (p, q) by converting the stored in the image memory 33b of the p-q coordinate system, previously, the reference two-dimensional image signals G (p, q) for comparing the time of inspection that can be obtained in p-q coordinate system become.

次に、被検査物4a上の欠陥検査についての実施例について説明する。 Next, a description will be given of an embodiment of the defect inspection on the object to be inspected 4a. まず、被検査物4aをθステージ3上に載置してθステージ3の回転角度基準位置及びrステージ2の基準位置に対する初期精位置合せを行う。 First, an initial fine alignment with respect to the rotational angular reference position and the reference position of r Stage 2 of θ stage 3 by placing the object to be inspected 4a on θ stage 3. 即ち、被検査物4aをθステージ3上に載置して光学的基準位置検出器5で被検査物4a上に形成された複数箇所のアライメントマークの位置を測定し、全体制御部40は該測定結果に基づいてθステージ3と被検査物4aを吸着するチャックとの間に設けられた微動機構(図示せず)を、ステージコントローラ45を介して微動させて、アライメントマークを基準とした被検査物4aの中心とθステージ3の回転中心とを精位置合せを行い、更に、rステージ2を基準位置に精位置合せを行うと共に、θステージ3を回転角度基準位置に精位置合せを行うことによって、被検査物4aは、予め参照2次元画像信号G(r,θ)を取得した被検査物4bと精位置合せされることになる。 That is, by measuring the position of alignment marks at a plurality of points which are formed on the inspection object 4a in the optical reference position detector 5 by placing the object to be inspected 4a on θ stage 3, the overall control unit 40 is the fine movement mechanism provided between the measurement results and θ stage 3 based chuck for attracting an object to be inspected 4a (not shown), by fine movement through a stage controller 45, the relative to the alignment mark a rotation center of the θ stage 3 of the test material 4a performs combined fine position further performs fine alignment of r stage 2 to the reference position, it performs fine alignment in the rotational angular reference position θ stage 3 by, the object to be inspected 4a will advance the reference two-dimensional image signals G (r, theta) to be the object to be inspected 4b and fine alignment obtaining the.

次に、全体制御部40は、ステージコントローラ45を介して、θステージ3のエンコーダ3eから回転角度基準位置からの回転角度θを検出しながらθステージ3を回転させると共に、rステージ2のエンコーダ2eから基準位置からの変位rを検出しながら移動させ、ストロボ撮像位置でのp方向の周速度がほぼ一定(100mm/s程度〜1000mm/s程度の範囲)になるように制御して、検出光学系(撮像光学系)20の光軸が被検査物4a上を螺旋状に走査する。 Next, the overall control unit 40 via the stage controller 45, rotates the θ stage 3 while detecting the rotation angle θ from rotation angle reference position from θ stage 3 of the encoder 3e, the r Stage 2 encoder 2e from moving while detecting the displacement r from a reference position, and controls so that the peripheral speed of the p direction in the flash imaging position is almost constant (100 mm / s degree ~1000mm / s in the range of about), the detection optical system (imaging optical system) 20 of the optical axis scans the object to be inspected 4a helically. 即ち、全体制御部40は、ストロボ撮像位置が被検査物4a上を螺旋走査されるように、図8(a)に示すθステージ3のエンコーダ3eから得られる信号52に基づいてθステージ3及びrステージ2を、ステージコントローラ45を介して制御することになる。 That is, the overall control unit 40, as the strobe imaging position is helically scanned over the object to be inspected 4a, theta stage 3 and on the basis of the signal 52 obtained from the encoder 3e of theta stage 3 shown in Figure 8 (a) the r stage 2, will be controlled via the stage controller 45. なお、θステージ3a、3bの各々の回転速度とrステージ2の移動速度との関係は予めプログラムによって決められているものとする。 The relationship between θ stage 3a, 3b each rotational speed and r the stage 2 of the moving speed of the one that is determined by the pre-programmed. 従って、被検査物4a上において例えば60fps(カメラフレームレート)でストロボ撮像された2次元画像(例えば1画素(1.4μm□)×(7168画素×7168画素))の中心位置座標(x,y)は、f(r,θ)の関数で表わされることになる。 Accordingly, the center position coordinates of the example on the object to be inspected 4a 60 fps (camera frame rate) two-dimensional image flash captured (e.g. 1 pixel (1.4 [mu] m □) × (7168 pixels × 7168 pixels)) (x, y ) it would be expressed by a function of f (r, theta). rは被検査物4aの中心からストロボ撮像された2次元画像の中心までの半径を示し、θは回転角度基準位置からストロボ撮像された2次元画像の中心までの回転角度を示す。 r is the radius to the center of the two-dimensional image flash captured from the center of the object 4a, theta represents the rotation angle to the center of the two-dimensional image flash captured from the rotational angular reference position. 第2の実施の形態においても、第1の実施の形態と同様に、2次元アレイセンサ(カメラ)23によりカメラフレームレート(例えば約60fps)で700回程度ストロボ撮像することによって、被検査物4aの一枚の全面について撮像することが可能である。 In the second embodiment, like the first embodiment, by flash captured about 700 times in a two-dimensional array sensor (camera) camera frame rate by 23 (e.g., about 60 fps), the object to be inspected 4a it is possible to image the single entire. 従って、本発明のようにr−θ走査によれば、13s(秒)/Work程度で検査を実行することが可能となる。 Therefore, according to the r-theta scan as in the present invention, it is possible to perform the inspection in 13s (seconds) / Work order.

第2の実施の形態は、被検査物4bに対して精位置合せされた被検査物4aに対して、図8(b)に示す全体制御部40から得られるトリガ信号50に基づいて、参照被検査物4bと同じ領域17にストロボ光照射光学系10により第1の実施の形態と同様なストロボ光(パルスレーザビーム)を照射し、該領域17内の検査2次元画像F(r,θ)を、図8(b)に示す全体制御部40から得られるトリガ信号51に同期させて検出光学系20により検出する。 Second embodiment, with respect to the inspection object 4a which is fine alignment with respect to the inspection object 4b, based on the trigger signal 50 obtained from the overall control unit 40 shown in FIG. 8 (b), reference irradiating the first embodiment and the same flash light by the flash light irradiation optical system 10 in the same region 17 as the object to be inspected 4b (pulsed laser beam), the inspection two-dimensional image F (r in the region 17, theta ) and is detected by the detecting optical system 20 in synchronization with the trigger signal 51 obtained from the overall control unit 40 shown in Figure 8 (b). なお、ストロボ光照射光学系10におけるビームエキスパンダ12、可干渉性低減光学系13、集光光学系15、傾斜ミラー16等の具体的構成は、第1の実施の形態と同様である。 The beam expander 12 based on strobe light irradiation optical system 10, coherence reduction optical system 13, focusing optical system 15, a specific configuration of such tilting mirrors 16 are the same as in the first embodiment. また、検出光学系20における対物レンズ21、結像レンズ22、及び2次元アレイセンサ23等も第1の実施の形態と同様に構成される。 Further, the objective lens 21 in the detection optical system 20, configured similarly to the first embodiment is also the imaging lens 22, and the like two-dimensional array sensor 23.

以上説明したように、被検査物4aについては、被検査物4aをθステージ3上に載置し、図13に示すように螺旋状に走査させた状態で、被検査物4aの全面に亘って、パルスレーザビームを傾斜ミラー16で反射させて斜め方向からストロボ光照射領域17にストロボ光(パルス光)照射し、該ストロボ光(パルス光)の照射に同期して照射領域17内のストロボ撮像視野から得られる検査2次元画像信号を2次元アレイセンサ23でストロボ(パルス)撮像してA/D変換後、検査2次元画像信号Fn(rn,θn)を図14に示すように、その中心位置座標(極座標(rn,θn)又は幾何学変換された座標(pn=fp(rn,θn),qn=fq(rn,θn)))と共に図21に示す画像処理部38a内の一旦極座標系の画像メモリ33aに記憶 As described above, for the object to be inspected 4a, the object to be inspected 4a is placed on θ stage 3, while being scanned in a spiral shape as shown in FIG. 13, the entire surface of the object to be inspected 4a Te, reflects the pulsed laser beam at an oblique mirror 16 strobe light (pulsed light) is irradiated from an oblique direction to the strobe light irradiation area 17, the flash in the irradiation region 17 in synchronism with the irradiation of the flash light (pulsed light) after a / D conversion and strobe (pulse) captured by the two-dimensional array sensor 23 testing two-dimensional image signal obtained from an imaging field of view, the test two-dimensional image signal Fn (rn, .theta.n) as shown in FIG. 14, the center position coordinates (polar coordinates (rn, .theta.n) or geometric transformed coordinates (pn = fp (rn, θn), qn = fq (rn, θn))) once polar image processing unit 38a shown in FIG. 21 with stored in the image memory 33a of the system る。 That. このように、画像メモリ33a内には、被検査物4aの全面に亘って、螺旋状に走査してストロボ撮像されたカメラフレーム数についての、検査2次元画像信号Fn(rn,θn)と例えばその中心位置座標(極座標(rn,θn)又は幾何学変換された座標(pn=fp(rn,θn),qn=fq(rn,θn)))とが記憶される。 Thus, the image memory 33a, the entire surface of the object to be inspected 4a, scanned spirally on the number of camera frames strobe imaging, inspection 2D image signal Fn (rn, θn), for example, the center position coordinates (polar coordinates (rn, .theta.n) or geometric transformed coordinates (pn = fp (rn, θn), qn = fq (rn, θn))) and are stored. なお、幾何学変換された座標(pn=fp(rn,θn),qn=fq(rn,θn)))は、座標検出回路36において、θステージ3のエンコーダ3e及びrステージ2のエンコーダ2eから検出される極座標(rn,θn)を基に例えばp−q座標系に幾何学変換することによって得られる。 Incidentally, geometrically transformed coordinates (pn = fp (rn, θn), qn = fq (rn, θn))), in the coordinate detection circuit 36, the encoder 3e and r Stage 2 encoder 2e of θ stage 3 polar coordinates to be detected (rn, θn) obtained by converting geometry into the basis of the example p-q coordinate system.

そして、図21に示すように、画像処理部38a内に設けられた画像変換回路34において、画像メモリ33aに記憶された極座標(r,θ)を有する検査2次元画像信号F(r,θ)から、螺旋走査の接線方向をp方向、該接線方向に直角方向をq方向になるように移動及び回転させて(幾何学変換させて)、p−q座標系を有する検査2次元画像信号F(p,q)に変換してp−q座標系の画像メモリ33bに記憶することによって、検査2次元画像信号F(p,q)がp−q座標系で取得できることになる。 Then, as shown in FIG. 21, the image conversion circuit 34 provided in the image processing unit 38a, polar coordinates stored in the image memory 33a (r, theta) test having a two-dimensional image signal F (r, theta) from tangentially p direction of the helical scan, the direction perpendicular to the 該接 line direction by moving and rotating so that the q direction (by converting geometry), the inspection 2D image signal having a p-q coordinate system F (p, q) by converting the stored in the image memory 33b of the p-q coordinate system, so that the test two-dimensional image signal F (p, q) can be obtained in p-q coordinate system.

なお、上記p−q座標系の代わりに、第3の実施の形態で説明するように、被検査物4a上にダイが配列された方向(回路パターンの主要な成分が配列されている方向)であるx−y座標系に幾何学変換してもよい。 Instead of the p-q coordinate system, as described in the third embodiment, (a direction key components of the circuit patterns are arranged) direction the die arranged on the object to be inspected 4a may be converted geometry in x-y coordinate system is.

次に、位置合せ回路35において、第1の実施の形態と同様に、画像メモリ33bに記憶されている例えば参照2次元画像信号Gn(pn,qn)を読み出して相対的に位置(±Δp,±Δq)をずらした参照2次元画像信号Gn(pn±Δp,qn±Δq)を作成し、該作成された参照2次元画像信号Gn(pn±Δp,qn±Δq)と画像メモリ33bから読み出された検査2次元画像信号Fn(pn,qn)とが最も一致する位置ずれ量(±Δp,±Δq)を少なくとも1画素単位以下で求め、該求められた位置ずれ量(±Δp,±Δq)を基にずらした参照2次元画像信号Gn(pn±Δp,qn±Δq)を作成することによって相対的に位置合せされた検査2次元画像信号Fn(pn,qn)と参照2次元画像信号Gn(pn±Δp,qn±Δq)とが取得されることになる。 Next, the alignment circuit 35, similarly to the first embodiment, the image memory 33b to the stored see, for example, two-dimensional image signal Gn (pn, qn) read by relatively positioned (± Delta] p, ± [Delta] q) the reference two-dimensional image signal Gn (pn ± Δp shifted to create a qn ± [Delta] q), the created reference two-dimensional image signal Gn (pn ± Δp, qn ± Δq) and read from the image memory 33b issued inspection 2D image signal Fn (pn, qn) and the most matching position shift amount (± Δp, ± Δq) calculated by the following at least one pixel unit, the positional displacement amount determined (± Delta] p, ± see the two-dimensional image signal Gn shifted based on Δq) (pn ± Δp, qn ± Δq) relatively aligned examined two-dimensional image signal Fn (pn by creating, qn) and the reference two-dimensional image signal Gn (pn ± Δp, qn ± Δq) will and it is acquired. 勿論、1画素単位以下の位置ずれ量については、欠陥判定部32において判定する欠陥判定基準(閾値)Thに濃淡値(諧調値)の差として反映することが可能である。 Of course, for the positional displacement amount of one pixel unit or less, it is possible to reflect a difference in the defect judgment criterion (threshold) gray value Th is determined in the defect determination unit 32 (gradation value). また、中心位置座標(pn,qn)を中心にして回転方向にΔφずらした2次元画像信号を作成するには、画像変換回路34においてp−q座標系をΔφずらすことによって実現することが可能である。 The center position coordinates (pn, qn) to create a two-dimensional image signal obtained by shifting Δφ in the rotational direction around the can can be achieved by shifting Δφ the p-q coordinate system in the image conversion circuit 34 it is. なお、x−y座標系での位置合せの詳細については、例えば特開平10−318950号公報(特許文献5)に記載されている。 Details of the alignment in the x-y coordinate system, are described for example in JP-A-10-318950 (Patent Document 5).

以上説明したように、位置合せ回路35から得られる2次元画像信号F(p,q)と2次元画像信号G(p,q)とは精位置合せがなされているので、欠陥判定部32は、比較処理部31から得られる差画像信号(F(p,q)−G(p,q))を基に欠陥判定基準(閾値)Thで判定することによって、できるだけ虚報を低減して被検査物上の真の欠陥情報(被検査物上の欠陥分布(被検査物上のx−y座標系に変換した欠陥位置座標(x,y)も含む)や欠陥の特徴量(欠陥の大きさ(広さ)を示す面積や投影長、及び欠陥の濃淡値(諧調値)等))が差画像信号と共に容易に得られることになり、その欠陥判定結果を全体制御部40に提供できることになる。 As described above, the two-dimensional image signal F (p, q) obtained from the alignment circuit 35 and the two-dimensional image signals G (p, q) since fine alignment has been made to the defect determination unit 32 by determining the difference image signal obtained from the comparison processing unit 31 (F (p, q) -G (p, q)) defects based on criteria (thresholds) Th, inspected by reducing as much as possible false information true defect information (x-y coordinate system on the converted defect position coordinates on defect distribution (object to be inspected on the object to be inspected (x, y) is also included) and the feature quantity of defects Butsujo (the size of the defect area and the projection length indicating a (breadth), and gray value of the defect (gradation value), and the like)) will be can be easily obtained with the difference image signal, will be able to provide the defect determination result to the overall control unit 40 .

特に、第2の実施の形態の場合、ストロボ撮像によって参照2次元画像信号を取得するときと、ストロボ撮像によって検査2次元画像信号を取得するときとでは、ストロボ光照射の照度が変化することが考えられるので、例えば分岐光学系14で分岐したストロボ光照射の照度を照度モニタ60で測定し、光量調整フィルタ61にフィードバックすることによって照度が変化しないように制御することが好ましい。 In particular, in the second embodiment, and when obtaining the reference two-dimensional image signal by the strobe imaging, in the case of obtaining the test 2-dimensional image signal by the strobe imaging, that the illuminance of the flash light irradiation is changed it is considered, for example, the illuminance of the flash light irradiation branched by the branch optical system 14 is measured by the illuminance monitor 60, it is preferable to control the illuminance does not change by feeding back the light quantity adjusting filter 61. また、照度モニタ60で測定される、参照2次元画像信号を取得するときと検査2次元画像信号を取得するときとの間のストロボ光照射の照度変化を欠陥判定部32において判定する欠陥判定基準(閾値)Thに濃淡値の差として反映することが可能である。 Also measured by the illuminance monitor 60 determines the defect determination reference illuminance change of flash light irradiation in the defect determination unit 32 between when obtaining an inspection 2D image signal and when obtaining a reference two-dimensional image signal It can be reflected as the difference between the gray value (threshold) Th. また、画像処理部31内に、濃淡値調整回路(図示せず)を設け、照度モニタ60で測定されるストロボ光照射の照度変化を、参照2次元画像信号の背景信号の濃淡値及び検査2次元画像信号の背景信号の濃淡値に反映して背景信号の濃淡値の差が生じないようにすればよい。 Further, the image processing unit 31, gray value adjustment circuit (not shown) is provided, the illumination changes of the flash light irradiation is measured by the illuminance monitor 60, the gray value of the background signal of the reference two-dimensional image signals and test 2 may be so as not to cause the difference between the gray value of the background signal reflects the gray value of the background signal of the dimension image signal.

[第3の実施の形態] Third Embodiment
次に、本発明に係る欠陥検査装置及びその方法の第3の実施の形態について図20及び図22を用いて説明する。 Next, a third embodiment of the defect inspection apparatus and method according to the present invention will be described with reference to FIGS. 20 and 22. 即ち、第3の実施の形態において、第2の実施の形態と相違する点は、図20に示すように、θステージ3、ストロボ光照射光学系10及び検出光学系20を一つの組にして構成し、2次元アレイセンサ23でストロボ撮像される検査2次元画像信号を被検査物上に配列されたダイ内に形成された回路パターンの主要な成分の向きであるx−y座標に幾何学変換してダイ比較又はセル比較できるように並べ変え、該並べ変えられた検査2次元画像信号同士を精位置合せを行い、該精位置合せされた検査2次元画像信号同士をダイ比較又はセル比較をして欠陥を検出する点にある。 That is, in the third embodiment, differs from the second embodiment, as shown in FIG. 20, theta stage 3, and the flash light irradiation optical system 10 and detection optical system 20 in one set configured, geometric inspection two-dimensional image signal in a two-dimensional array sensor 23 is flash captured x-y coordinate is the direction of the principal components of a circuit pattern formed in a die arranged on the object to be inspected converted rearranged to allow die comparison or cell compared performs combined fine position detection 2-dimensional image signals respectively changed downy said parallel, die comparison or cell comparison inspection two-dimensional image signals with each other which are combined purifier position It lies in detecting the defect by the.

第3の実施の形態の場合も、第2の実施の形態と同様に、2次元アレイセンサ23でストロボ(パルス)撮像してA/D変換後、検査2次元画像信号Fn(rn,θn)を図14に示すように、その中心位置座標(極座標(rn,θn)又は幾何学変換された座標(xn=fx(rn,θn),yn=fy(rn,θn)))と共に図21に示す画像処理部38内の一旦極座標系の画像メモリ33aに記憶する。 In the case of the third embodiment, as in the second embodiment, after a two-dimensional array sensor 23 and strobe (pulse) imaging A / D conversion, the inspection 2D image signal Fn (rn, .theta.n) the as shown in FIG. 14, the center position coordinates (polar coordinates (rn, .theta.n) or geometric transformed coordinates (xn = fx (rn, θn), yn = fy (rn, θn))) together with 21 temporarily stored in the image memory 33a of the polar coordinate system in the image processing unit 38 shown. このように、画像メモリ33a内には、被検査物4aの全面に亘って、螺旋状に走査してストロボ撮像されたカメラフレーム数についての、検査2次元画像信号Fn(rn,θn)と例えばその中心位置座標(極座標(rn,θn)又は幾何学変換された座標(xn=fx(rn,θn),yn=fy(rn,θn)))とが記憶される。 Thus, the image memory 33a, the entire surface of the object to be inspected 4a, scanned spirally on the number of camera frames strobe imaging, inspection 2D image signal Fn (rn, θn), for example, the center position coordinates (polar coordinates (rn, .theta.n) or geometric transformed coordinates (xn = fx (rn, θn), yn = fy (rn, θn))) and are stored. なお、幾何学変換された座標(xn=fx(rn,θn),yn=fy(rn,θn)))は、座標検出回路36において、θステージ3のエンコーダ3e及びrステージ2のエンコーダ2eから検出される極座標(rn,θn)と、入力されるCAD情報48から得られる被検査物4a上に配列されているダイの座標情報(ダイ内の回路パターンの主要な成分の座標情報も含む)とを基にダイが配列されたx−y座標系に幾何学変換することによって得られる。 Incidentally, geometrically transformed coordinates (xn = fx (rn, θn), yn = fy (rn, θn))), in the coordinate detection circuit 36, a θ stage 3 of the encoder 3e and r Stage 2 encoder 2e polar coordinates to be detected (rn, .theta.n) (including the coordinate information of the main components of the circuit pattern within the die) and the coordinate information of dies are arranged on the object to be inspected 4a obtained from CAD information 48 inputted obtained by converting geometry into x-y coordinate system the die are arranged in groups and.

そして、図22に示すように、画像処理部38b内に設けられた回転変換回路37において、画像メモリ33aに記憶された極座標(r,θ)を有する検査2次元画像信号F(r,θ)を、被検査物4a上のダイの配列方向であるx−y方向に回転させて(幾何学変換させて)、x−y座標系を有する検査2次元画像信号F(x,y)に変換してx−y座標系の画像メモリ33bに記憶することによって、図23に示すように、検査2次元画像信号F(x,y)がx−y座標系で取得できることになる。 Then, as shown in FIG. 22, the rotational transformation circuit 37 provided in the image processing unit 38b, polar coordinates stored in the image memory 33a (r, theta) test having a two-dimensional image signal F (r, theta) and to rotate the x-y direction which is the arrangement direction of the dies on the object to be inspected 4a (by converting geometry), the inspection 2D image signal F having a x-y coordinate system (x, y) conversion by storing in the image memory 33b of the x-y coordinate system and, as shown in FIG. 23, the inspection 2D image signal F (x, y) is able to acquire in x-y coordinate system.

次に、位置合せ回路35において、画像メモリ33bにx−y座標系(被検査物上の座標系)で記憶されている例えば隣接したダイ又はセル(ダイ内には繰り返されるセルが存在するセル領域があるものとする。また、ダイ内を格子状に分割したセル領域も含む。)から得られる検査2次元画像信号Fn(xn,yn)と参照2次元画像信号Fn-1(xn-1,yn-1)とを読み出して他方の画像信号を相対的に位置(±Δx,±Δy)をずらした2次元画像信号Fn-1(xn-1±Δx,yn-1±Δy)を作成し、該作成された2次元画像信号Fn-1(xn-1±Δx,yn-1±Δy)と一方の2次元画像信号Fn(xn,yn)とが最も一致する位置ずれ量(±Δx,±Δy)を少なくとも1画素単位以下で求め、該求められた位置ずれ量(±Δx,±Δy)を基にずらした2次元画像信 Next, the alignment circuit 35, an image memory 33b to the x-y coordinate system cells there are cells that are repeated in adjacent example stored dies or cells (in die (the coordinate system on the object to be inspected) and that there is a region. the cell areas obtained by dividing the inside of the die in a grid including.) testing the two-dimensional image signal obtained from the Fn (xn, yn) and the reference two-dimensional image signal Fn-1 (xn-1 creating yn-1) and the relative position of the other of the image signal read out (± [Delta] x, 2-dimensional image signal shifted ± Δy) Fn-1 and (xn-1 ± Δx, yn-1 ± Δy) and, the created two-dimensional image signal Fn-1 (xn-1 ± Δx, yn-1 ± Δy) and one of the two-dimensional image signal Fn (xn, yn) and the most matching position shift amount (± [Delta] x , calculated by the following least one pixel of ± [Delta] y), the the obtained positional deviation amount (± [Delta] x, 2-dimensional image signal which is shifted based on ± [Delta] y) 号Fn-1(xn-1±Δx,yn-1±Δy)を作成することによって相対的に位置合せされたダイ比較又はセル比較する検査2次元画像信号Fn(xn,yn)と参照2次元画像信号Fn-1(xn-1±Δx,yn-1±Δy)とが取得されることになる。 No. Fn-1 (xn-1 ± Δx, yn-1 ± Δy) to die comparison or cell comparison are combined relatively position by creating a test two-dimensional image signal Fn (xn, yn) and a reference two-dimensional image signal Fn-1 (xn-1 ± Δx, yn-1 ± Δy) becomes and that are acquired. 勿論、1画素単位以下の位置ずれ量については、欠陥判定部32において判定する欠陥判定基準(閾値)Thに濃淡値(諧調値)の差として反映することが可能である。 Of course, for the positional displacement amount of one pixel unit or less, it is possible to reflect a difference in the defect judgment criterion (threshold) gray value Th is determined in the defect determination unit 32 (gradation value). また、中心位置座標(xn,yn)を中心にして回転方向にΔφずらした2次元画像信号を作成するには、回転変換回路37において幾何学変換式(xn=fx(rn,θn),yn=fy(rn,θn))におけるx−y座標系をΔφずらすことによって実現することが可能である。 The center position coordinates (xn, yn) to create a two-dimensional image signal obtained by shifting Δφ in the rotational direction around the can, geometric conversion formula in rotational transformation circuit 37 (xn = fx (rn, θn), yn = fy (rn, θn) can be achieved by shifting Δφ an x-y coordinate system in).

更に、画像切出し回路39において、座標抽出部38から得られるダイ座標又はセル座標に基づいて位置合せ回路35で位置合せされた検査2次元画像信号と参照2次元画像信号とに対して比較する局所領域画像信号を切出する。 Furthermore, the image extraction circuit 39, compared against the reference two-dimensional image signal and aligned examined two-dimensional image signal in alignment circuit 35 based on the die coordinates or cell coordinates obtained from the coordinate extracting section 38 locally Setsudesuru the region image signal. このように切出された検査局所領域画像信号と参照局所領域画像信号との間で、比較処理部31でダイ比較又はセル比較をすることによって、第1及び第2の実施の形態と同様に欠陥を検出できることになり、その結果を全体制御部40に提供できることになる。 Between thus cut out inspection local region image signal and the reference local region image signal, by a die comparison or cell comparison in the comparison processing unit 31, similarly to the first and second embodiments will be able to detect defects, it becomes possible to provide the result to the overall control unit 40.

本第3の実施の形態においても、図14に示すように、重ねてストロボ撮像する領域(OL)を作ることによって該領域から2次元画像信号としてダイも含めて回路パターンの配列情報(アライメント情報)が得られるので、CAD情報を基に回転変換回路37によってr−θの極座標系からx−y座標に変換する際、変換誤差(回転誤差)をなくすように照合することが可能となる。 The present also in the third embodiment, as shown in FIG. 14, the sequence information of the circuit pattern, including the die as a two-dimensional image signals from the region by creating a region (OL) of the strobe imaging superimposed (alignment information ) so obtained, when converting from polar coordinate system r-theta by rotational transformation circuit 37 on the basis of the CAD information on the x-y coordinate, it is possible to match to eliminate conversion errors (rotational error). さらに、位置合せ回路35においても、該変換誤差(回転誤差)をなくするようにダイ比較又はセル比較する2次元画像信号同士の座標系(x、y)を照合することが可能となる。 Further, in the positioning circuit 35, it is possible to match the conversion error die to eliminate the (rotational error) comparison or cell compared two-dimensional image signals with each other coordinate system (x, y).

また、隣接するダイ又はセルから得られる2次元画像信号同士はストロボ光の照射強度(照度)に変化がなく被検査物上の回路パターンからの背景信号が略同一であるということで、図22に示す比較処理部31において、ダイ比較又はセル比較を、隣接するダイ又はセルから得られる2次元画像信号同士を比較するよう説明したが、必ずしも隣接する必要がなく、被検査物上の回路パターンからの背景信号が略同一であるダイ又はセルから得られる2次元画像信号同士を比較するようにすれば良い。 Further, that the background signal from the circuit pattern on the adjacent two-dimensional image signals respectively obtained from a die or cell object to be inspected without changing the irradiation intensity of flash light (illuminance) are substantially the same, FIG. 22 in comparison processing unit 31 shown in the die comparison or cell comparison, it has been described to compare the two-dimensional image signals respectively obtained from the adjacent dies or cells, need not necessarily be adjacent circuit pattern on the object to be inspected background signals from may be to compare the two-dimensional image signals respectively obtained from a die or cell is substantially the same.

本発明に係る欠陥検査装置及びその方法の第1の実施の形態を示した概略構成図である。 It is a schematic diagram showing a first embodiment of the defect inspection apparatus and method according to the present invention. 本発明に係る被検査物上にストロボ光(パルス光)を照射する各領域を示す図である。 The inspection object on the present invention is a diagram showing each area to be irradiated strobe light (pulse light). 本発明に係る被検査物上の各領域にストロボ光(パルス光)を照射した場合の照度分布を示す図である。 Each region on the object to be inspected according to the present invention is a diagram showing an illuminance distribution when irradiated flash light (pulsed light). 本発明に係るストロボ光照射光学系に備えられた可干渉性低減光学系の具体的な実施例を示す図である。 It is a diagram showing a specific example of coherence reduction optical system provided in the flash light irradiation optical system according to the present invention. 本発明に係るストロボ光照射光学系において、出射面において2次元に配列した光源を用いた実施例を示す図である。 In the flash light irradiation system of the present invention showing an embodiment using a light source arranged in a two-dimensional at the exit surface. 本発明に係るストロボ光照射光学系において、可干渉性を低減し、且つ各照射領域に亘って照度分布をほぼ均一にする光学系の実施例を示す図である。 In the flash light irradiation optical system according to the present invention, it illustrates an embodiment of an optical system reduces the coherence, and to substantially uniform illuminance distribution over the irradiated area. 本発明に係るストロボ光照射光学系において、各照射領域に亘って照度分布をほぼ均一にする集光光学系の実施例を示す図である。 In the flash light irradiation optical system according to the present invention, showing an embodiment of a focusing optical system for substantially uniform illuminance distribution over the irradiated area. 本発明に係る欠陥検査装置における各種タイミングを示す図である。 Is a diagram illustrating various timing in the defect inspection apparatus according to the present invention. 本発明に係る欠陥検査装置における合焦点制御系の各種実施例を示す図である。 Is a diagram showing various embodiments of a focus control system in the defect inspection apparatus according to the present invention. 本発明に係る、図1とは異なるストロボ光照射光学系を備えた欠陥検査装置及びその方法の第1の実施の形態を示した概略構成図である。 According to the present invention, it is a schematic diagram showing a first embodiment of the defect inspection apparatus and method with different flash light irradiation optical system and FIG. 本発明に係るストロボ光照射光学系の各種実施例を示す図である。 Is a diagram showing various embodiments of a strobe light illumination optical system according to the present invention. 本発明に係る被検査物の半径方向に移動させるrステージ(移動ステージ)の各種実施例を示す図である。 The various embodiments of the r stage for moving in the radial direction of the object to be inspected according to the present invention (movable stage) shows. 本発明に係る被検査物上を螺旋状に走査して走査軌跡に沿って多数の領域の各々内からストロボ撮像して2次元画像信号を取得する状態を説明するための図である。 It is a view for explaining a state of obtaining a two-dimensional image signal by flash captured from within each of the multiple areas along the scan to the scanning locus of the inspection Butsujo helically according to the present invention. 本発明に係る被検査物上を螺旋状に走査して走査軌跡に沿って多数の領域の各々内からストロボ撮像して2次元画像信号を取得する際、重複させる部分を作り、しかもp−qの直交座標系について説明するための図である。 When acquiring the two-dimensional image signal strobe imaging from within each of a number of regions along the scan trajectory by scanning the inspection Butsujo helically according to the present invention, to make a portion that overlapped, moreover p-q it is a diagram for explaining the orthogonal coordinate system. 本発明に係る欠陥検査装置及びその方法の第1の実施の形態における信号処理部の実施例を示す図である。 It illustrates an embodiment of a signal processing unit in the first embodiment of the defect inspection apparatus and method according to the present invention. 本発明に係る検出光学系(撮像光学系)における高感度2次元アレイセンサの第1の実施例を示す図である。 It is a diagram showing a first embodiment of a high-sensitivity two-dimensional array sensor in the detection optical system (imaging optical system) according to the present invention. 本発明に係る検出光学系(撮像光学系)における高感度2次元アレイセンサの第2の実施例(EMCCD)を示す図である。 Is a diagram showing a detection optical system according to the present invention a second embodiment of a high-sensitivity two-dimensional array sensor in (imaging optical system) (EMCCD). 本発明に係る検出光学系(撮像光学系)において、被検査物の回転に伴って繰り返される回路パターンからの回折パターンの発生状態を示す図である。 In the detection optical system (imaging optical system) according to the present invention, showing the occurrence of the diffraction pattern from the circuit pattern repeated with the rotation of the object. 本発明に係る検出光学系(撮像光学系)において、対物レンズのフーリエ変換面に設けられる各種空間フィルタを示す図である。 In the detection optical system (imaging optical system) according to the present invention, showing the various spatial filter provided on a Fourier transform plane of the objective lens. 本発明に係る欠陥検査装置及びその方法の第2及び第3の実施の形態を示した概略構成図である。 The second and third embodiments of the defect inspection apparatus and method according to the present invention is a schematic diagram showing. 図20に示す信号処理部についての第2の実施の形態を示す図である。 It is a diagram showing a second embodiment of the signal processing unit shown in FIG. 20. 図20に示す信号処理部についての第3の実施の形態を示す図である。 It is a diagram showing a third embodiment of the signal processing unit shown in FIG. 20. 図22に示す回転変換回路によって各領域内から得られる2次元画像信号をダイ比較又はセル比較が容易にするために被検査物上に配列されたダイのx−y直交座標系に並べ直した状態を示す図である。 The rotational transformation circuit shown in FIG. 22 rearranged in x-y orthogonal coordinate system of the die arranged on the inspection object to the two-dimensional image signal obtained die comparison or cell compares to facilitate from within each region it is a diagram showing a state.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…基台、2…rステージ(移動ステージ)、2e…エンコーダ、3、3a、3b…θステージ(回転ステージ)、3e、3ae、3be…エンコーダ、4、4a、4b…被検査物、5、5a、5b…光学的基準位置検出器(アライメントマーク位置検出器)、10…ストロボ光照射光学系、11…ストロボ光源(パルスレーザ光源)、11b…YAGレーザ光源、12…ビームエキスパンダ、13、13a〜13c…可干渉性低減光学系、14、14a…分岐光学系、14b…ミラー、15、15a、15b…集光光学系(集光レンズ)、16、16a、16b…傾斜ミラー、17、17a、17b…ストロボ光照射領域、18a、18b…ミラー、20、20a、20b…検出光学系(撮像光学系)、21、21a〜21d…対物レンズ 1 ... base, 2 ... r stage (movable stage), 2e ... encoder, 3, 3a, 3b ... theta stage (rotary stage), 3e, 3 ae, 3be ... encoder, 4, 4a, 4b ... object to be inspected, 5 , 5a, 5b ... optical reference position detector (alignment mark position detector), 10 ... flash light irradiation optical system, 11 ... strobe light source (pulse laser light source), 11b ... YAG laser light source, 12 ... beam expander, 13 , 13 a to 13 c ... coherence reduction optical system, 14, 14a ... branch optical system, 14b ... mirror, 15, 15a, 15b ... condensing optical system (condenser lens), 16, 16a, 16b ... tilted mirrors 17 , 17a, 17b ... flash light irradiation area, 18a, 18b ... mirror, 20, 20a, 20b ... detection optical system (imaging optical system), 21,21a~21d ... objective lens 22、22a、22b…結像レンズ、23、23a、23b…2次元アレイセンサ、24a、24b…ビームスプリッタ、24c、24d…リング状ミラー、30、30a、30b…A/D変換器、31…比較処理部、32…欠陥判定部、33a、33b…画像メモリ、34、34a、34b…画像変換回路、35…位置合せ回路、36…座標検出回路、37…回転変換回路、38…座標抽出回路、39…画像切出し回路、40…全体制御部、41…記憶装置、42…入力手段、43…表示装置、45…ステージコントローラ、48…CAD情報、66、68…マイクロレンズアレイ、67…光ファイバー群、71…凸レンズ、72…凹レンズ、90a、90b…zステージ、91a、91b、96a、96b…AF照射光学系、92a、9 22, 22a, 22b ... imaging lens, 23, 23a, 23b ... 2-dimensional array sensor, 24a, 24b ... beam splitter, 24c, 24d ... ring mirror, 30, 30a, 30b ... A / D converter, 31 ... comparison processing unit, 32 ... defect determining section, 33a, 33b ... image memory, 34, 34a, 34b ... image conversion circuit, 35 ... alignment circuit, 36 ... coordinate detection circuit, 37 ... rotational transformation circuit, 38 ... coordinate extracting circuit , 39 ... image extracting circuit, 40 ... overall control unit, 41 ... storage device, 42 ... input unit, 43 ... display, 45 ... stage controller, 48 ... CAD information, 66,68 ... microlens array 67 ... optical fiber group , 71 ... lens, 72 ... concave lens, 90a, 90b ... z stage, 91a, 91b, 96a, 96b ... AF illumination optical system, 92a, 9 2b…位置検出器、95a、95b…AFイメージセンサ、97…検出系コントローラ、100…rステージ(移動ステージ)、110a、110b…ミラー、171…垂直レジスタ、172…水平レジスタ、173…電子増倍レジスタ、174…アンプ、181…板状部材、182…光電変換面、183…真空チューブ、184…CCDアレイセンサ、185…リード、191…回路パターン、193…回折光パターンの干渉縞、192…瞳面、195…上方検出NA、196…斜方検出NA、200…遮光フィルタ(空間フィルタ)。 2b ... position detector, 95a, 95b ... AF image sensor, 97 ... detection system controller, 100 ... r stage (movable stage), 110a, 110b ... mirror, 171 ... vertical register, 172 ... horizontal register, 173 ... photomultiplier register, 174 ... amplifier, 181 ... plate-like member, 182 ... photoelectric conversion surface, 183 ... vacuum tube, 184 ... CCD array sensor, 185 ... lead, 191 ... circuit pattern, 193 ... interference fringes of the diffracted light pattern, 192 ... pupil surface, 195 ... upper detection NA, 196 ... oblique detection NA, 200 ... light shielding filter (spatial filter).

Claims (16)

  1. 回転ステージを用いて被検査物を連続的に回転させながら移動ステージを用いて前記被検査物の半径方向に相対的に移動して走査した状態で、前記被検査物上の走査軌跡に沿った多数の領域の各々にストロボ光を照射すると共に該ストロボ光が照射された各領域内の検査2次元画像を撮像する第1の過程と、 While scanning relatively moved in the radial direction of the inspection object by using a moving stage while continuously rotating the object to be inspected using a rotary stage, along the scanning trace on the object to be inspected a first step of the strobe light to image the test 2-dimensional image in each area which is irradiated with irradiating strobe light to each of the plurality of regions,
    該第1の過程で撮像された各領域内の検査2次元画像と該各領域内の検査2次元画像に対応する参照2次元画像とを比較して欠陥検出を行う第2の過程とを有することを特徴とする欠陥検査方法。 And a second step of performing a comparison to defect detection and reference 2-dimensional image corresponding to the check 2-dimensional image of the inspection 2D images and respective region in each region imaged by the first process defect inspection method wherein the.
  2. 前記第1の過程における前記被検査物上の走査軌跡が螺旋状走査軌跡であることを特徴とする請求項1記載の欠陥検査方法。 Defect inspection method of claim 1, wherein the scanning trace on the inspection object in the first step is a spiral scan trajectory.
  3. 第1の被検査物を第1の回転ステージを用いて連続的に回転させると同時に第2の被検査物を第2の回転ステージを用いて連続的に回転させながら移動ステージを用いて前記第1の被検査物及び前記第2の被検査物の半径方向に相対的に移動して走査した状態で、前記第1の被検査物上の第1の走査軌跡に沿った多数の第1の領域の各々と前記第2の被検査物上の第2の走査軌跡に沿った多数の第2の領域の各々とにストロボ光を同時に照射すると共に該ストロボ光が照射された各第1の領域内の検査2次元画像と前記ストロボ光が照射された各第2の領域内の参照2次元画像とを同時に撮像する第3の過程と、 Using said moving stage while continuously rotated using the second rotation stage of the second object to be inspected at the same time rotated continuously with the first object to be inspected first rotation stage first while scanning relatively moved in the radial direction of one of the inspection object and the second object to be inspected, a large number of first along a first scan path on the first object to be inspected each first region in which the strobe light is irradiated with simultaneously irradiating the flash light into each of the multiple second region along the second scanning trajectory on each said second object to be inspected in the region a third step of the strobe light and the test two-dimensional image of the inner is captured simultaneously with the reference two-dimensional images of the second region which is irradiated,
    該第3の過程で同時に撮像された前記各第1の領域内の検査2次元画像と前記各第2の領域内の参照2次元画像とを比較して欠陥検出を行う第4の過程とを有することを特徴とする欠陥検査方法。 It is compared with the reference two-dimensional image of the inspected 2-dimensional image and the respective second region of each first region imaged simultaneously in the third process and a fourth process of performing defect detection defect inspection method characterized in that it has.
  4. 回転ステージを用いて参照被検査物を連続的に回転させながら移動ステージを用いて前記参照被検査物の半径方向に相対的に移動して走査した状態で、前記参照被検査物上の走査軌跡に沿った多数の領域の各々にストロボ光を照射すると共に該ストロボ光が照射された各領域内の参照2次元画像を撮像して記憶する第5の過程と、 The reference object to be inspected with a rotary stage in a state of being scanned by relatively moving in the radial direction of using a moving stage while continuously rotating the reference object to be inspected, the scanning locus on the reference object to be inspected a fifth step of the strobe light is stored by imaging a reference two-dimensional image in each area which is irradiated with irradiating strobe light to each of a number of regions along the,
    回転ステージを用いて被検査物を連続的に回転させながら移動ステージを用いて前記被検査物の半径方向に相対的に移動して走査した状態で、前記被検査物上の走査軌跡に沿った多数の領域の各々にストロボ光を照射すると共に該ストロボ光が照射された各領域内の検査2次元画像を撮像する第6の過程と、 While scanning relatively moved in the radial direction of the inspection object by using a moving stage while continuously rotating the object to be inspected using a rotary stage, along the scanning trace on the object to be inspected a sixth step of the strobe light to image the test 2-dimensional image in each area which is irradiated with irradiating each strobe light of multiple regions,
    該第6の過程で撮像された各領域内の検査2次元画像と該各領域内の検査2次元画像に対応する前記第5の過程で記憶された参照2次元画像とを比較して欠陥検出を行う第7の過程とを有することを特徴とする欠陥検査方法。 Defect detection by comparing the fifth reference two-dimensional images stored in the course of which corresponds to the inspection two-dimensional image of the inspected 2-dimensional image and the respective area in the region that is imaged in the course of the sixth defect inspection method characterized by having a seventh step of performing.
  5. 回転ステージを用いて被検査物を連続的に回転させながら移動ステージを用いて前記被検査物の半径方向に相対的に移動して走査した状態で、前記被検査物上の走査軌跡に沿った多数の領域の各々にストロボ光を照射すると共に該ストロボ光が照射された各領域内の検査2次元画像を撮像して記憶する第8の過程と、 While scanning relatively moved in the radial direction of the inspection object by using a moving stage while continuously rotating the object to be inspected using a rotary stage, along the scanning trace on the object to be inspected an eighth step of storing by imaging a two-dimensional image in each area to which the flash light is irradiated irradiates flash light to each of the plurality of regions,
    該第8の過程で記憶された各領域内の検査2次元画像を被検査物上の直交座標系に幾何学変換を行って前記各領域内の検査2次元画像をダイ単位又はセル単位で再構成して記憶する第9の過程と、 Re inspection 2-dimensional image of the die unit or units of cells in said each region testing two-dimensional image by performing a geometric transformation on the orthogonal coordinate system on the object to be inspected in each region stored in the course of said 8 a ninth step of composing and storing,
    該第9の過程で記憶されたダイ単位又はセル単位での前記各領域内の検査2次元画像同士を互に位置合せをしてダイ比較又はセル比較をして欠陥検出を行う第10の過程とを有することを特徴とする欠陥検査方法。 Tenth process of performing defect detection with the die comparison or cell compared to a mutually align the test two-dimensional images with each other in said each region of the die unit or units of cells stored in the course of said 9 defect inspection method characterized in that it comprises and.
  6. 前記ストロボ光として、可干渉性を低減したパルスレーザ光であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一つに記載の欠陥検査方法。 Defect inspection method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that said as strobe light, a pulsed laser beam of reduced coherence.
  7. 被検査物を載置して回転する回転ステージと、 A rotation stage that rotates placing the object to be inspected,
    前記被検査物の半径方向に移動する移動ステージと、 A moving stage which moves in a radial direction of the inspection object,
    前記回転ステージを用いて前記被検査物を連続的に回転させながら前記移動ステージを用いて前記被検査物の半径方向に相対的に移動して走査した状態で、前記被検査物上の走査軌跡に沿った多数の領域の各々にストロボ光を照射するストロボ光照射光学系と、 Wherein said using a rotating stage inspected object while scanning relatively moved in the radial direction of using the moving stage while continuously rotating the inspection object, scanning trace on the object to be inspected a flash light irradiation optical system for irradiating a flash light to each of a number of regions along the,
    該ストロボ光照射光学系でストロボ光が照射された各領域内の検査2次元画像を撮像する撮像光学系と、 An imaging optical system for imaging a two-dimensional image in each area strobe light is irradiated by the flash light irradiation optical system,
    該撮像光学系で撮像された各領域内の検査2次元画像と該各領域内の検査2次元画像に対応する参照2次元画像とを比較して欠陥検出を行う信号処理部とを備えたことを特徴とする欠陥検査装置。 Further comprising a signal processing unit for comparing to defect detection and reference 2-dimensional image corresponding to the check 2-dimensional image of the inspection 2D images and respective areas of each area captured by the imaging optical system defect inspection apparatus according to claim.
  8. 前記被検査物上の走査軌跡が螺旋状走査軌跡であることを特徴とする請求項7記載の欠陥検査装置。 Defect inspection apparatus according to claim 7, wherein the scanning trace on the object to be inspected is a spiral scan trajectory.
  9. 第1の被検査物を載置して回転する第1の回転ステージと、 A first rotation stage that rotates by placing the first object to be inspected,
    第2の被検査物を載置し、前記第1の回転ステージと同期して回転する第2の回転ステージと、 The second object to be inspected is placed, a second rotation stage that rotates in synchronization with the first rotation stage,
    前記第1の被検査物及び前記第2の被検査物の半径方向に移動する移動ステージと、 A moving stage which moves in a radial direction of the first object to be inspected and the second object to be inspected,
    前記第1の被検査物を前記第1の回転ステージを用いて連続的に回転させると同時に前記第2の被検査物を前記第2の回転ステージを用いて連続的に回転させながら前記移動ステージを用いて前記第1の被検査物及び前記第2の被検査物の半径方向に相対的に移動して走査した状態で、前記第1の被検査物上の第1の走査軌跡に沿った多数の第1の領域の各々と前記第2の被検査物上の第2の走査軌跡に沿った多数の第2の領域の各々とにストロボ光を同時に照射するストロボ光照射光学系と、 The movable stage while continuously rotated using the first and the second rotating stage and at the same time continuously rotating the second object to be inspected by using the first rotating stage test objects while relatively moving to scan in the radial direction of the first object to be inspected and the second of the specimen was used along a first scan path on the first object to be inspected multiplicity of first regions each with the second of the specimen on the second flash light irradiation optical system for irradiating a flash light at the same time and each of the multiple second region along the scanning trace of,
    該ストロボ光照射光学系によりストロボ光が照射された各第1の領域内の検査2次元画像と前記ストロボ光照射光学系によりストロボ光が照射された各第2の領域内の参照2次元画像とを同時に撮像する第1及び第2の撮像光学系と、 A reference two-dimensional image in each second region strobe light is irradiated by the inspection 2-dimensional image and the flash light irradiation optical system in the first region strobe light is irradiated by the flash light irradiation optical system first and second imaging optical system for imaging the same time,
    該第1の撮像光学系で撮像された前記各第1の領域内の検査2次元画像と前記第2の撮像光学系で前記第1の撮像光学系と同時に撮像された前記各第2の領域内の参照2次元画像とを比較して欠陥検出を行う信号処理部とを備えたことを特徴とする欠陥検査装置。 Each second region which is imaged simultaneously with the first imaging optical system in the captured inspection 2-dimensional image of the first region and the second imaging optical system in the first imaging optical system defect inspection apparatus is characterized in that a by comparing the reference two-dimensional image of the signal processing unit that performs defect detection.
  10. 被検査物を載置して回転する回転ステージと、 A rotation stage that rotates placing the object to be inspected,
    前記被検査物の半径方向に移動する移動ステージと、 A moving stage which moves in a radial direction of the inspection object,
    前記回転ステージを用いて前記被検査物を連続的に回転させながら前記移動ステージを用いて前記被検査物の半径方向に相対的に移動して走査した状態で、前記被検査物上の走査軌跡に沿った多数の領域の各々にストロボ光を照射するストロボ光照射光学系と、 Wherein said using a rotating stage inspected object while scanning relatively moved in the radial direction of using the moving stage while continuously rotating the inspection object, scanning trace on the object to be inspected a flash light irradiation optical system for irradiating a flash light to each of a number of regions along the,
    該ストロボ光照射光学系でストロボ光が照射された各領域内の検査2次元画像を撮像する撮像光学系と、 An imaging optical system for imaging a two-dimensional image in each area strobe light is irradiated by the flash light irradiation optical system,
    該撮像光学系で撮像された各領域内の検査2次元画像を記憶する記憶手段と、 Storage means for storing test two-dimensional image in each area captured by the imaging optical system,
    該記憶手段に記憶された各領域内の検査2次元画像を直交座標系での各領域内の検査2次元画像に幾何学変換する幾何学変換回路と、 A geometric transformation circuit for converting geometry to the test 2-dimensional image in each area in the orthogonal coordinate system testing two-dimensional image in each area stored in the storage means,
    該幾何学変換回路で幾何学変換された直交座標系での各領域内の検査2次元画像と該直交座標系での各領域内の検査2次元画像に対応する参照2次元画像とを比較して欠陥検出を行う信号処理部とを備えたことを特徴とする欠陥検査装置。 Comparing the reference two-dimensional image corresponding to the inspection 2-dimensional image in each region of the inspection 2-dimensional image and the orthogonal coordinate system in each region in the geometric transformed rectangular coordinate system in 該幾 what science converter defect inspection apparatus characterized by comprising a signal processing unit for performing defect detection Te.
  11. 被検査物を載置して回転する回転ステージと、 A rotation stage that rotates placing the object to be inspected,
    前記被検査物の半径方向に移動する移動ステージと、 A moving stage which moves in a radial direction of the inspection object,
    前記回転ステージを用いて前記被検査物を連続的に回転させながら前記移動ステージを用いて前記被検査物の半径方向に相対的に移動して走査した状態で、前記被検査物上の走査軌跡に沿った多数の領域の各々にストロボ光を照射するストロボ光照射光学系と、 Wherein said using a rotating stage inspected object while scanning relatively moved in the radial direction of using the moving stage while continuously rotating the inspection object, scanning trace on the object to be inspected a flash light irradiation optical system for irradiating a flash light to each of a number of regions along the,
    該ストロボ光照射光学系でストロボ光が照射された各領域内の検査2次元画像を撮像する撮像光学系と、 An imaging optical system for imaging a two-dimensional image in each area strobe light is irradiated by the flash light irradiation optical system,
    該撮像光学系で撮像された各領域内の検査2次元画像を記憶する第1の記憶手段と、 First storage means for storing the test two-dimensional image in each area captured by the imaging optical system,
    該第1の記憶手段に記憶された各領域内の検査2次元画像を前記被検査物上の直交座標系での各領域内の検査2次元画像に幾何学変換して前記各領域内の検査2次元画像をダイ単位又はセル単位で再構成する変換回路と、 The geometrically converting the test two-dimensional image in each area stored in said first storage means to the inspection 2-dimensional image in each area of ​​the orthogonal coordinate system on the inspection object inspection in each area a converting circuit for reconstructing the two-dimensional image in the die unit or units of cells,
    該変換回路でダイ単位又はセル単位で再構成された各領域内の検査2次元画像を記憶する第2の記憶手段と、 Second storage means for storing the test two-dimensional image in each area reconstructed in the die unit or cell units by said conversion circuit,
    第2の記憶手段に記憶されたダイ単位又はセル単位での前記各領域内の検査2次元画像同士を互に位置合せをしてダイ比較又はセル比較をして欠陥検出を行う信号処理部部とを備えたことを特徴とする欠陥検査装置。 The second of the signal processing unit section to the mutually align the test 2-dimensional images with each other within each region performs to defect detection die comparison or cell comparison at the die unit or units of cells stored in the storage means defect inspection apparatus comprising the and.
  12. 前記ストロボ光照射光学系において、前記照射するストロボ光として、可干渉性を低減したパルスレーザ光で構成することを特徴とする請求項7乃至11の何れか一つに記載の欠陥検査装置。 In the flash light irradiation optical system, as a strobe light for the irradiation, defect inspection apparatus according to any one of claims 7 to 11, characterized in that it constitutes a pulsed laser beam of reduced coherence.
  13. 前記ストロボ光照射光学系において、前記被検査物上の走査軌跡に沿った多数の領域の各々にストロボ光を斜方照射するように構成したことを特徴とする請求項7乃至11の何れか一つに記載の欠陥検査装置。 In the flash light irradiation optical system, any one of claims 7 to 11, characterized in that the each flash light of a number of regions along the scanning trace on the object to be inspected is constructed so as to oblique irradiation defect inspection apparatus according to One.
  14. 前記撮像光学系において、前記回転ステージの回転に同期して回転する空間フィルタを対物レンズのフーリエ変換面に設けたことを特徴とする請求項7乃至11の何れか一つに記載の欠陥検査装置。 In the imaging optical system, the defect inspection apparatus according to any one of claims 7 to 11, characterized in that a spatial filter that rotates in synchronization with the rotation of the rotary stage on the Fourier transform plane of the objective lens .
  15. 前記撮像光学系において、2次元アレイセンサを設けて構成したことを特徴とする請求項7乃至11の何れか一つに記載の欠陥検査装置。 In the imaging optical system, the defect inspection apparatus according to any one of claims 7 to 11, characterized in that which is configured by providing a two-dimensional array sensor.
  16. 前記ストロボ光照射光学系において、前記被検査物上に照射するストロボ光の照度を測定する照度モニタを設けて構成したことを特徴とする請求項7乃至11の何れか一つに記載の欠陥検査装置。 In the flash light irradiation optical system, the defect inspection according to any one of claims 7 to 11, characterized in that which is configured by providing the illuminance monitor that measures the intensity of the strobe light to be irradiated onto the object to be inspected apparatus.
JP2006158331A 2006-06-07 2006-06-07 Defect inspection method and apparatus Expired - Fee Related JP4939843B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006158331A JP4939843B2 (en) 2006-06-07 2006-06-07 Defect inspection method and apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006158331A JP4939843B2 (en) 2006-06-07 2006-06-07 Defect inspection method and apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007327815A true true JP2007327815A (en) 2007-12-20
JP4939843B2 JP4939843B2 (en) 2012-05-30

Family

ID=38928383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006158331A Expired - Fee Related JP4939843B2 (en) 2006-06-07 2006-06-07 Defect inspection method and apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4939843B2 (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011107159A (en) * 1998-07-15 2011-06-02 August Technology Corp Automated wafer defect inspection system, and method of performing such inspection
JP2012073204A (en) * 2010-09-30 2012-04-12 Hitachi High-Technologies Corp Inspection device
WO2012090367A1 (en) * 2010-12-27 2012-07-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ Defect inspection method and defect inspection device
US8274652B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection system and method of the same
JP2013145151A (en) * 2012-01-13 2013-07-25 Hitachi High-Technologies Corp Method and device for inspecting disk surface
US9337071B2 (en) 1998-07-15 2016-05-10 Rudolph Technologies, Inc. Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection
JP2017062252A (en) * 2011-07-12 2017-03-30 ケーエルエー−テンカー コーポレイション Wafer inspection system
JP2018025565A (en) * 2009-01-26 2018-02-15 ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation Systems and methods for detecting defects on wafer

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61137050A (en) * 1984-12-07 1986-06-24 Hitachi Ltd Apparatus for inspecting wafer
JPS6358138A (en) * 1986-08-28 1988-03-12 Sony Corp Pattern inspector
JPH0427848A (en) * 1990-05-23 1992-01-30 Hitachi Electron Eng Co Ltd Sample scanning system of foreign matter inspection apparatus
JPH056928A (en) * 1991-06-27 1993-01-14 Hitachi Ltd Method and apparatus for inspection of pattern
JPH06167457A (en) * 1991-07-20 1994-06-14 Tet Techno Investment Trust Settlement Surface inspecting apparatus
JPH0783840A (en) * 1993-09-13 1995-03-31 Nikon Corp Rotary defect inspection device
JPH07103906A (en) * 1991-07-20 1995-04-21 Tencor Instr Surface inspection device
JP2002342757A (en) * 2001-05-18 2002-11-29 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method and device for comparing and inspecting pattern
JP2003130808A (en) * 2001-10-29 2003-05-08 Hitachi Ltd Method and device for defect inspection
JP2003529741A (en) * 1998-07-15 2003-10-07 オーガスト テクノロジー コーポレイション Automated wafer defect inspection systems and methods for performing such a test
WO2004111623A1 (en) * 2003-06-06 2004-12-23 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen
JP2005156516A (en) * 2003-11-05 2005-06-16 Hitachi High-Technologies Corp Method of inspecting pattern defect, and apparatus of the same

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61137050A (en) * 1984-12-07 1986-06-24 Hitachi Ltd Apparatus for inspecting wafer
JPS6358138A (en) * 1986-08-28 1988-03-12 Sony Corp Pattern inspector
JPH0427848A (en) * 1990-05-23 1992-01-30 Hitachi Electron Eng Co Ltd Sample scanning system of foreign matter inspection apparatus
JPH056928A (en) * 1991-06-27 1993-01-14 Hitachi Ltd Method and apparatus for inspection of pattern
JPH06167457A (en) * 1991-07-20 1994-06-14 Tet Techno Investment Trust Settlement Surface inspecting apparatus
JPH07103906A (en) * 1991-07-20 1995-04-21 Tencor Instr Surface inspection device
JPH0783840A (en) * 1993-09-13 1995-03-31 Nikon Corp Rotary defect inspection device
JP2003529741A (en) * 1998-07-15 2003-10-07 オーガスト テクノロジー コーポレイション Automated wafer defect inspection systems and methods for performing such a test
JP2002342757A (en) * 2001-05-18 2002-11-29 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method and device for comparing and inspecting pattern
JP2003130808A (en) * 2001-10-29 2003-05-08 Hitachi Ltd Method and device for defect inspection
WO2004111623A1 (en) * 2003-06-06 2004-12-23 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen
JP2005156516A (en) * 2003-11-05 2005-06-16 Hitachi High-Technologies Corp Method of inspecting pattern defect, and apparatus of the same

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011107159A (en) * 1998-07-15 2011-06-02 August Technology Corp Automated wafer defect inspection system, and method of performing such inspection
US9337071B2 (en) 1998-07-15 2016-05-10 Rudolph Technologies, Inc. Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection
US9464992B2 (en) 1998-07-15 2016-10-11 Rudolph Technologies, Inc. Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection
US8274652B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection system and method of the same
JP2018025565A (en) * 2009-01-26 2018-02-15 ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation Systems and methods for detecting defects on wafer
JP2012073204A (en) * 2010-09-30 2012-04-12 Hitachi High-Technologies Corp Inspection device
JP2012137350A (en) * 2010-12-27 2012-07-19 Hitachi High-Technologies Corp Defect inspection method and device
US8922764B2 (en) 2010-12-27 2014-12-30 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection method and defect inspection apparatus
WO2012090367A1 (en) * 2010-12-27 2012-07-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ Defect inspection method and defect inspection device
US9915622B2 (en) 2011-07-12 2018-03-13 Kla-Tencor Corp. Wafer inspection
JP2017062252A (en) * 2011-07-12 2017-03-30 ケーエルエー−テンカー コーポレイション Wafer inspection system
JP2013145151A (en) * 2012-01-13 2013-07-25 Hitachi High-Technologies Corp Method and device for inspecting disk surface

Also Published As

Publication number Publication date Type
JP4939843B2 (en) 2012-05-30 grant

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7068363B2 (en) Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen
US6407373B1 (en) Apparatus and method for reviewing defects on an object
US20040146295A1 (en) System for detection of wafer defects
US6608676B1 (en) System for detecting anomalies and/or features of a surface
US6621571B1 (en) Method and apparatus for inspecting defects in a patterned specimen
US5777729A (en) Wafer inspection method and apparatus using diffracted light
US20090180176A1 (en) Split field inspection system using small catadioptric objectives
US20050122508A1 (en) Method and apparatus for reviewing defects
US20040032581A1 (en) Systems and methods for inspection of specimen surfaces
US20070182958A1 (en) Apparatus and method for wafer surface defect inspection
US20070206184A1 (en) Defect inspection method and system
US20040042001A1 (en) Simultaneous multi-spot inspection and imaging
US7088443B2 (en) System for detecting anomalies and/or features of a surface
US20130016346A1 (en) Wafer Inspection
US7126681B1 (en) Closed region defect detection system
US6407809B1 (en) Optical inspection system and method
US7227984B2 (en) Method and apparatus for identifying defects in a substrate surface by using dithering to reconstruct under-sampled images
US5625193A (en) Optical inspection system and method for detecting flaws on a diffractive surface
US20020030807A1 (en) Defect inspection method and apparatus therefor
US7106432B1 (en) Surface inspection system and method for using photo detector array to detect defects in inspection surface
US5917588A (en) Automated specimen inspection system for and method of distinguishing features or anomalies under either bright field or dark field illumination
US20050280808A1 (en) Method and system for inspecting a wafer
US20110141272A1 (en) Apparatus and method for inspecting an object surface defect
JP2000105203A (en) Defect inspecting device and method
US20080273193A1 (en) Pattern defect inspection apparatus and method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090601

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110516

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110524

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110725

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120214

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120227

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees