JPS635707B2 - - Google Patents

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JPS635707B2
JPS635707B2 JP19744381A JP19744381A JPS635707B2 JP S635707 B2 JPS635707 B2 JP S635707B2 JP 19744381 A JP19744381 A JP 19744381A JP 19744381 A JP19744381 A JP 19744381A JP S635707 B2 JPS635707 B2 JP S635707B2
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JP
Japan
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neutron
signal
reactant
circuit
detection device
Prior art date
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Expired
Application number
JP19744381A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5897676A (ja
Inventor
Hironobu Kimura
Chikara Konagai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP19744381A priority Critical patent/JPS5897676A/ja
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Publication of JPS635707B2 publication Critical patent/JPS635707B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T3/00Measuring neutron radiation

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は中性子を定量的に検出する装置に係
り、特にX線及びγ線に対する感度がほとんどな
く、かつ広いレンジの中性子線量を計測すること
ができる装置に関する。
核融合装置の高温プラズマからは、次の核融合
反応により 2H+ 2H→( 3He+0.82MeV)+(n+
2.45MeV) 2H+ 3H→( 4He+3.52MeV)+(n+
14.06MeV) 中性子nが発生するが、同時にγ線及び逃走電
子による硬X線(1MeV〜200KeV)や制動放射
によるX線(200KeV〜10KeV)等のX線が放出
される。従来、このようなX線及びγ線のバツク
グラウンドの高い中性子を計測する場合に、
3HeカウンタやBF3カウンタを使用しているが、
この 3HeカウンタやBF3カウンタはγ線やX線
に対しても感度を有するため、検出装置の周辺を
鉛でシールドしてX線及びγ線を遮断する必要が
あつた。しかしながら、このようにすると鉛によ
り中性子も散乱されるため、中性子発生量が小さ
い場合には中性子絶対量の測定精度が非常に悪く
なるという欠点があつた。
また逆に、中性子線量が104cps以上と高くなる
と、 3HeカウンタやBF3カウンタはその応答速
度が遅いため計測不能となる欠点も有する。
本発明はかかる欠点を解消すべくなされたもの
で、真空容器内に、中性子と反応してα粒子を放
出する反応物質とその外側に配置されたα粒子に
よつて2次電子を発生しかつそれを増幅する機構
とこの増幅された電子流を収集するためのアノー
ドとを設置して成る中性子検出器と、この中性子
検出器から出力された電気的信号を処理する出力
処理回路とから構成され、前記2次電子の増幅機
構は2次電子放出材料で内壁をコーテイングされ
た多数の細いガラス管により形成されたマイクロ
チヤンネルプレートから成ることにより、核融合
炉又は核融合実験装置のように強いγ線及びX線
の雰囲気中でかつ中性子発生量が時間とともに高
速変化しかつその変化量が104〜105にも及ぶよう
な場合においても、中性子のみを正確に計測する
ことができる中性子検出装置を提供しようとする
ものである。
以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説明
する。
第1図において、中性子検出器は真空容器1内
におさめられており、この真空容器1はステンレ
ス、ガラス又はアルミニウム等の材質から成り、
ターボ分子ポンプ又はイオンポンプ等の真空ポン
プ(図示せず)によつて高真空状態に排気された
後、公知の適当な方法によつて封じられている。
前記真空容器1内のほぼ中央に 6Liや 10Bのよう
に中性子と反応して高速のα粒子を放出する反応
物質2が薄膜状に形成されて配置され、その両側
に、内径10〜25μmの細いガラス管を多数束ねて
0.5〜1mm程度の厚さの板状に形成して成るマイ
クロチヤンネルプレート3,3が密着して設置さ
れる。このマイクロチヤンネルプレート3のガラ
ス管1本1本の内壁は適当な抵抗値を持つ2次電
子放出材料によつてコーテイングが施されてお
り、個々のガラス管が独立した連続2次電子増幅
器を形成するようになつている。マイクロチヤン
ネルプレート3,3の外側にはこのプレート3,
3により増幅された電子を収集するための導電性
のアノード4,4が平行に設置され、2つのアノ
ード4,4は導電性ケーブル5によつて電気的に
接続される。またマイクロチヤンネルプレート3
には反応物質2側とアノード4側との間に端子
6,7を介して真空容器1外より高圧電源8によ
つて反応物質2側が負となるように高電圧が印加
され、さらにプレート3の出口端とアノード4と
の間には端子7,9を介して真空容器1外より低
圧電源10によつてプレート3が負となるように
低電圧が印加されるようになつている。
このような中性子検出器の出力は端子9を介し
て負荷抵抗11に流され、その結果発生したパル
ス状の電圧が出力信号として前置増幅器12、主
増幅器13、デイスクリミネータ14及び計数回
路15から成る出力処理回路、もしくは第2図に
示すような出力処理回路に入力される。
第2図の出力処理回路は中性子線量が非常に低
い場合から高い場合まで幅広く測定できるよう構
成されたもので、出力信号が広帯域直流増幅器1
6で増幅された後、信号分配器17を介して、デ
イスクリミネータ18及び計数回路19から成る
低中性子線量用回路系又は積分器20及び電流計
21から成る高中性子線量用回路系のいずれかに
入力される。これらの回路系にはそれぞれ計数値
及び電流値がある値になつた時、信号分配器17
を切り換えるフイードバツクループ22,23が
設けられている。
次に、以上のように構成された中性子検出装置
の動作について説明する。
第3図に示すように真空容器1外から 6Liや
10Bのような反応物質2に中性子24が入射する
と、次の原子核反応 6Li+n→ 4He+ 3H 10B+n→ 4He+ 7Li により高速のヘリウム(α粒子)25が放出され
る。この粒子25はマイクロチヤンネルプレート
3のガラス管内に入射し、内壁をたたいて2次電
子を放出させる。このガラス管の両端部に高圧電
源8により高電圧が印加されると、ガラス管内に
軸方向の電界が生じ、ガラス管内壁から放出され
た2次電子はこの電界による加速と初速度との関
係で放物線を描いて対向面に衝突し、あらたに2
次電子を放出させる。これがガラス管の入口から
出口まで多数回繰返される結果、電子流は指数関
数的に増加する。この電子流はアノード4で収集
され、負荷抵抗11に流される。この電子流は数
nsecのパルス状に流れるので、負荷抵抗11の両
端にパルス状の電圧が発生する。
この電圧信号は負荷抵抗11を50Ωとした時、
数mVのオーダーとなるが、これは前置増幅器1
2でパルス増幅され、さらに主増幅器13で0.1
〜数Vにまで増幅された後、デイスクリミネータ
14において雑音成分とパルス信号成分が弁別さ
れ、パルス信号が成形されて計数回路15に入力
される。計数回路15で計数されたパルス数
(cps)は入射した中性子数に比例することにな
る。
しかしながら、入射した中性子数が数cpsから
107cps以上まで広範囲にわたる場合には、第2図
に示すような出力処理回路を用いると便利であ
る。すなわち、この出力処理回路に中性子検出器
の出力パルスが入力されると、広帯域直流増幅器
16で増幅された後、信号分配器17によつて低
中性子線量用回路系又は高中性子線量用回路系の
いずれかに入力される。今、低中性子線量用回路
系に入力されると、高速のデイスクリミネータ1
8でパルス信号と雑音の弁別がなされ、パルス成
形されて計数回路19に入力される。この計数回
路19の計数値は中性子線量に比例するが、計数
値が107cps以上になると、回路系が窒息して応答
しなくなるため、フイードバツクループ22によ
り信号分配器17にトリガー信号が与えられ、回
路が高中性子線量用に切り換られる。この回路系
においては入力信号は積分器20によつて積分さ
れ、電流計21でアナログ的に測定される。しか
しながら、測定中に入力信号が変化し、アナログ
測定では雑音が多くなつてきた時、すなわち電流
計21の電流値がある値以下になつた時には、フ
イードバツクループ23によりトリガー信号が信
号分配器17に与えられ、回路は低中性子線量用
に切り換えられる。
以上の説明からも明らかなように、本発明の中
性子検出装置は検出器が真空内にあることと、マ
イクロチヤンネルプレートの主材料がガラスであ
るため、X線やγ線と相互作用がほとんどなく、
X線やγ線のバツクグラウンドが高い場合でも低
い線量の中性子を計測することができる。さら
に、本発明の装置では数cpsの低い中性子線量か
ら非常に高い中性子線量まで広いレンジの中性子
を計測できるため、中性子発生量が時間とともに
高速変化し、かつその変化量が104〜105近く変化
する場合でも正確に計測できる。また本発明の装
置は小型で非常に薄形なため、場所的な制約があ
つても計測することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の中性子検出装置の一実施例を
示す構成回路図、第2図は本発明の中性子検出装
置の出力処理回路の変形例を示すブロツク図、第
3図は本発明の中性子検出器の作用を示す説明図
である。 1……真空容器、2……反応物質、3……マイ
クロチヤンネルプレート、4……アノード、12
……前置増幅器、13……主増幅器、14,18
……デイスクリミネート、15,19……計数回
路、16……直流増幅器、17……信号分配器、
20……積分器、21……電流計、22,23…
…フイードバツクループ、24……中性子、25
……α粒子。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 真空容器内に、中性子と反応してα粒子を放
    出する反応物質とこの外側に配置されたα粒子に
    よつて2次電子を発生しかつそれを増幅する機構
    とこの増幅された電子流を収集するためのアノー
    ドとを設置して成る中性子検出器と、この中性子
    検出器から出力された電気的信号を処理する出力
    処理回路とから構成され、前記2次電子の増幅機
    構は2次電子放出材料で内壁をコーテイングされ
    た多数の細いガラス管により形成されたマイクロ
    チヤンネルプレートから成ることを特徴とする中
    性子検出装置。 2 反応物質は 6Liあるいは 10Bから成り、真空
    容器内の中央部に薄い膜状に設置されて成る特許
    請求の範囲第1項記載の中性子検出装置。 3 出力処理回路は、中性子検出器からの出力信
    号を増幅する直流増幅器と、中性子線量に応じて
    信号を分配する信号分配器と、この信号分配器に
    接続された、入力信号を雑音成分とパルス信号成
    分に弁別しパルス成形するデイスクリミネータと
    パルス数を計数する計数回路とから成る低中性子
    線量用回路系及び入力信号を積分する積分器と電
    流計とから成る高中性子線量用回路系とから構成
    される特許請求の範囲第1項記載の中性子検出装
    置。
JP19744381A 1981-12-08 1981-12-08 中性子検出装置 Granted JPS5897676A (ja)

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JP19744381A JPS5897676A (ja) 1981-12-08 1981-12-08 中性子検出装置

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JP19744381A JPS5897676A (ja) 1981-12-08 1981-12-08 中性子検出装置

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JPS5897676A JPS5897676A (ja) 1983-06-10
JPS635707B2 true JPS635707B2 (ja) 1988-02-04

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JPS62174679A (ja) * 1986-01-28 1987-07-31 Hamamatsu Photonics Kk 中性子検出器

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JPS5897676A (ja) 1983-06-10

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