JPS6352967A - Polishing device - Google Patents
Polishing deviceInfo
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- JPS6352967A JPS6352967A JP61193781A JP19378186A JPS6352967A JP S6352967 A JPS6352967 A JP S6352967A JP 61193781 A JP61193781 A JP 61193781A JP 19378186 A JP19378186 A JP 19378186A JP S6352967 A JPS6352967 A JP S6352967A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、シリコンウェハなどの製紐磨材の表面を研
磨する研磨装置に関テるものである−「従来の技術」
一般に、 ＩＣ，ＬＳＩ などの半導体の基板材料と
しては、シリコンウェハが用いられている。このシリコ
ンウェハは、片面が鏡面研磨式れている。[Detailed Description of the Invention] "Industrial Field of Application" The present invention relates to a polishing device for polishing the surface of a string polishing material such as a silicon wafer - "Prior Art" Generally, IC, Silicon wafers are used as substrate materials for semiconductors such as LSIs. This silicon wafer has one side mirror polished.
従来、このようなシリコンウェハの研磨装置としては、
第３図（二示すようなものが知られている７この図ζ：
おいて符号１は定盤であり、２はマウントプレート、３
はマウントプレートの上部に装〕されたマウントヘット
である。Conventionally, such silicon wafer polishing equipment is
Figure 3 (2) This figure ζ is known as shown in Figure 3:
1 is a surface plate, 2 is a mount plate, and 3 is a surface plate.
is the mount head mounted on the top of the mount plate.
定盤１は、上面（二研磨バット°が装着でれた平面視し
て円形の回転板である。The surface plate 1 is a rotating plate that is circular in plan view and has two polishing bats attached to its upper surface.
マウントプレート２は、セラばツクやガラス材料からな
る円板であり、その両面が研Ｗ−Ｊれて平担な面ときれ
ている。このマウントプレート２の片面には、第４図に
示すように、−枚以上複数枚の（この図では４枚）シリ
コンウェハ４・・・が平面視して等間隔な位置に固定ざ
ｎている、このシリコンウェハ４をマウントプレート２
へ固定する方法としては、シリコンウェハ４の片面（；
ワックスを塗布することにより、シリコンウェハ４をマ
ウントプレート２の片面へ貼着するワックス法と。The mount plate 2 is a disc made of ceramic or glass material, and both sides of the mount plate 2 are polished and cut into flat surfaces. As shown in Fig. 4, on one side of the mount plate 2, - or more (four in this figure) silicon wafers 4 are fixed at equally spaced positions when viewed from above. This silicon wafer 4 is placed on the mounting plate 2.
As a method of fixing to the silicon wafer 4, one side of the silicon wafer 4 (;
A wax method in which the silicon wafer 4 is attached to one side of the mount plate 2 by applying wax.
真壁吸着、水貼り等の方法により接着するワックスレス
法とがある。これらの方法によりシリコンウェハ４が片
面に固定されたマウントプレート２は、そのシリコンウ
ェハ４が固定されている面を下方に向けた状態で定盤ｌ
上に載置されている、定盤１上にｕｔ置てれているマウ
ントプレート２は、一つの定盤１上Ｃ１つ以上複数個（
図では１つのみ示す〕が配置式れている。これらのマウ
ントプレート２・・・は、平面視して周方向へ等間隔に
位置している。このマウントプレート２は、その上部が
マウントヘッド３に嵌合式れ、その上面がマウントヘッ
ド３の内平面と＠輩している、マウン＋へラド３は、そ
の上部の中央Ｃ；加圧軸５が連結でれ、この加圧軸５に
対して首振り自在、かつ、回転自在となっている、
上記のような構成の研磨装置を用いてシリコンウェハ４
を研磨するには、まず、定盤ｌ上にコロイダルシリカの
アルカリ性懸濁液などの研磨砥粒を分散さぜる。このよ
うにしｆｃ定定盤ｌ−、シリコンウェハ４が固定され几
マウントプレート２８シリコンウェハ４が固定されてい
る面を下方【二向は次状態で載ｔｉｌｔする。そして、
このマウントプレート２の上方に配置されているマウン
トヘッド３をマウントプレート２の上部に装Ｎする、こ
の後。There is a waxless method in which adhesive is bonded by Makabe adsorption, water application, or other methods. The mount plate 2 with the silicon wafer 4 fixed on one side by these methods is placed on a surface plate l with the side on which the silicon wafer 4 is fixed facing downward.
The mount plates 2 placed on the surface plate 1 are mounted on one or more surface plates 1 (
Only one is shown in the figure] is arranged. These mount plates 2... are positioned at equal intervals in the circumferential direction when viewed from above. The upper part of the mount plate 2 is fitted into the mount head 3, and the upper surface thereof is in contact with the inner plane of the mount head 3. The silicon wafer 4 is polished using a polishing apparatus configured as described above, in which the polishing apparatus is connected to the pressurizing shaft 5 and is freely swingable and rotatable with respect to the pressurizing shaft 5.
To polish the material, first, abrasive grains such as an alkaline suspension of colloidal silica are dispersed on the surface plate L. In this way, the silicon wafer 4 is fixed on the fc surface plate 28, and the surface of the mount plate 28 on which the silicon wafer 4 is fixed is tilted downward. and,
After this, the mount head 3 placed above the mount plate 2 is mounted on the top of the mount plate 2.
空気圧シリンダ、油圧シリンダ等を用いて（デッドウェ
イト方式もある〕、マウントへラド３の上記に連結され
ている加圧軸５を下方へ押圧することによシ、シリコン
ウェハ４を定盤１の上面に押圧する。このような状態で
に盤１を回転させる。The silicon wafer 4 is placed on the surface plate 1 by pressing down the pressure shaft 5 connected to the top of the mount head 3 using a pneumatic cylinder, hydraulic cylinder, etc. (a dead weight system is also available). Press it against the top surface. Rotate the board 1 in this state.
この場合、この定盤１とシリコンウェハ４との接触面に
おける相対速度は、そのシリコンウェハ４が定盤ｌの外
側において接触している場合に、よシ大き（なるので％
同一のマウントプレート２に固定されているシリコンウ
ェハ４・・・のうち、定盤１と外側で接触しているシリ
コンウェハ４が定盤ｌの回転に引きずられることにより
、マウントプレート２がその上部に装着されているマウ
ントヘッド３と共に定盤１と同一方向に回転する。この
よう（ニジて、シリコンウェハ４の下面が、定盤１の上
面（：分散された研磨砥粒により研磨きれる。In this case, the relative speed at the contact surface between the surface plate 1 and the silicon wafer 4 becomes larger (because it becomes %
Among the silicon wafers 4 fixed to the same mount plate 2, the silicon wafer 4 that is in contact with the surface plate 1 on the outside is dragged by the rotation of the surface plate 1, so that the mount plate 2 is It rotates in the same direction as the surface plate 1 together with the mount head 3 attached to it. In this way, the lower surface of the silicon wafer 4 is polished by the upper surface of the surface plate 1 (: by the dispersed polishing abrasive grains).
「発明が解決しようとする問題点」
ところが、上記のような研磨装置によりシリコンウェハ
を研磨した場合、表面を鏡面仕上げするという点におい
ては問題ないが、次のような解決すべき問題点がある。"Problems to be Solved by the Invention" However, when silicon wafers are polished using the polishing apparatus described above, although there is no problem in terms of mirror-finishing the surface, there are the following problems that need to be solved. .
すなわち、上記のような研磨装置によフシリコンウエハ
を研磨する場合には、シリコンウェハの下面の研磨抵抗
が定盤回転の進入側において、よシ大きくなるので、マ
ウントプレートの下面（：固定されたシリコンウェハの
下面がマウントプレートの回転中心から外側に向けて傾
斜する。この状態のマウントプレートは、マウントヘッ
ドと加圧軸との連結部を支点としてマウントヘッドごと
定盤回転の進入側に前傾している。このような状態にな
ると、シリコンウェハの下面に加わる圧力は。In other words, when polishing a silicon wafer using the polishing apparatus described above, the polishing resistance on the bottom surface of the silicon wafer becomes larger on the entry side of the rotation of the surface plate. The bottom surface of the silicon wafer is tilted outward from the center of rotation of the mount plate.In this state, the mount plate moves forward along with the mount head toward the entry side of the rotation of the surface plate, using the connection between the mount head and the pressurizing shaft as a fulcrum. When this happens, the pressure exerted on the bottom surface of the silicon wafer will be...
定盤回転の進入側において最大となるような分布をとる
、こうなると、シリコンウェハの下面がさらに傾斜して
行く。この九め、上記のようにして研磨ざｔ′Ｌ次シリ
コンウェハには、各部分の厚さが均一にならないという
問題点があった。The distribution is maximized on the entry side of the rotation of the surface plate, and as this happens, the bottom surface of the silicon wafer becomes even more inclined. Ninth, the silicon wafer after polishing as described above has a problem in that the thickness of each part is not uniform.
「問題点を解決する九めの手段」
この発明の研磨装置は、マウントプレート上に、少なく
とも一部が隔膜により覆われている中空体を配貨すると
共に、この中空体の隔膜を上記マウントプレートの上面
に密着し、上記中空体の内部に流体を充填して、この流
体の圧力；二より、上記隔膜を通して上記マウントプレ
ートを同マウントプレートの下方に設けられ次定盤上に
押圧するようにし次ものである。"Ninth Means for Solving the Problem" The polishing apparatus of the present invention places a hollow body, at least a part of which is covered with a diaphragm, on a mount plate, and attaches the diaphragm of this hollow body to the mount plate. The hollow body is in close contact with the upper surface, and the inside of the hollow body is filled with a fluid, and the pressure of this fluid is caused to press the mount plate through the diaphragm onto the surface plate provided below the mount plate. This is the next one.
「実施例」 ＠１図は、この発明の第１実栴例を示す図である。"Example" Figure @1 is a diagram showing a first practical example of the present invention.
この図において符号１．２は、それぞれ、従来の研磨装
置に用いられているものと同様な定盤、マウントプレー
トである。上記マウントプレート２に、従来と同様（；
、下面にシリコンウェハ４が固定された状態で定盤１上
にｇ、宣されている。このマウントプレート２の上方に
は、円筒状の軸体６が配置されている。この軸体６の下
端には、下部に凹部７が形成てれている回転自在なマウ
ントヘッド３ａが装着てれている。このマウントヘッド
３ａに汀、マウントへラド３ａの下端開口縁を閉塞する
弾性材からなる隔膜８が装Ｍでれている。In this figure, reference numerals 1 and 2 denote a surface plate and a mount plate, respectively, which are similar to those used in conventional polishing apparatuses. On the mount plate 2, as before (;
, g is displayed on the surface plate 1 with the silicon wafer 4 fixed to the lower surface. A cylindrical shaft body 6 is arranged above the mount plate 2. A rotatable mount head 3a having a recess 7 formed in its lower part is attached to the lower end of the shaft 6. A diaphragm 8 made of an elastic material is mounted on the mount head 3a and closes the lower opening edge of the mount head 3a.
この隔膜８に、その外周部がリング状のリテイナ−９に
より凹部７に固定されている、上記マウントヘッド３ａ
と隔膜８とにより覆われた空間には、軸体６の内部を通
して流体１０が充填されている。The mount head 3a has an outer peripheral portion fixed to the recess 7 by a ring-shaped retainer 9 on the diaphragm 8.
The space covered by the diaphragm 8 and the diaphragm 8 is filled with a fluid 10 through the shaft body 6 .
−！た、マウントプレート２には、その上部をリテイナ
−９の内周面に嵌合させるようにしてマウントヘッド３
ａが装着され、その上面に隔膜８が密着している、
上記のような構成の研磨装置を用いてシリコンウェハ４
を研磨する（−は、憶す、定盤１上イユ、コロイダルシ
リカのアルカリ性懸濁液などの研磨砥粒を分散ぢぜる。-! In addition, a mount head 3 is attached to the mount plate 2 so that its upper part fits into the inner peripheral surface of the retainer 9.
The silicon wafer 4 is polished using a polishing apparatus configured as described above, in which the diaphragm 8 is attached to the upper surface of the silicon wafer 4.
Polish (- means "remember") abrasive grains such as an alkaline suspension of colloidal silica are dispersed on top of the surface plate 1.
このようにしてから、この研磨装置を男１図に系丁よう
な構成（−セットする。After doing this, set up this polishing device as shown in Figure 1.
次に、軸体６を固定した状態で軸体６の内部の流体１０
を崗示しない加圧部材により押圧し、このことにより、
マウントヘッド３ａと隔膜８により１われ比！！間の流
体１０を加圧する、このようにすると、流体１０が隔膜
８を通してマウントプレート２の上面を押圧し、このこ
とにより、マウントプレート２の下面に固定されている
シリコンウェハ４が定盤１の上面に押圧される。この状
態で定盤１を回転式せると、従来の研磨装置の場合と同
様に、マウントプレート２が定盤１と同一方向に回転し
、シリコンウェハ１０の下面が研磨される。Next, with the shaft body 6 fixed, the fluid 10 inside the shaft body 6 is
is pressed by a pressing member without pressure, and by this,
The mount head 3a and the diaphragm 8 have a 1% warp ratio! ! By pressurizing the fluid 10 between them, the fluid 10 presses the upper surface of the mount plate 2 through the diaphragm 8, and as a result, the silicon wafer 4 fixed to the lower surface of the mount plate 2 is pressed against the surface plate 1. Pressed against the top surface. When the surface plate 1 is rotated in this state, the mount plate 2 rotates in the same direction as the surface plate 1, and the lower surface of the silicon wafer 10 is polished, as in the case of a conventional polishing apparatus.
この研磨装置によれば、マウントプレート２上に、マウ
ントヘッド３ａと隔膜８とにより覆われ九窒間を形成し
、上記隔膜７をマウントプレート２の上面に密着し、上
記空間内１：流体１０を充填し九から、流体１０が隔膜
８を通してマウントプレート２の上面を押圧するように
なシ、マウントプレート２の上面１；加わる圧力がマウ
ントプレート２の上面全面に亙って均一になる。このた
め、マウントプレート２の下面１：固定されているシリ
コンウェハ４の下面と定盤１の上面との間に加わる圧力
は、シリコンウェハ４の下面の各部分において常に均−
になるようζ；保九れる。したがって、この研磨装置を
用いて研磨すれば、シリコンウェハ４の各部分の厚さを
均一にすることができる。According to this polishing apparatus, a space is formed on the mount plate 2 by being covered with the mount head 3a and the diaphragm 8, and the diaphragm 7 is brought into close contact with the upper surface of the mount plate 2. 9, the fluid 10 presses the upper surface of the mount plate 2 through the diaphragm 8, so that the pressure applied to the upper surface 1 of the mount plate 2 becomes uniform over the entire upper surface of the mount plate 2. Therefore, the pressure applied between the lower surface 1 of the mount plate 2: the lower surface of the fixed silicon wafer 4 and the upper surface of the surface plate 1 is always uniform on each part of the lower surface of the silicon wafer 4.
So that it becomes ζ; Therefore, by polishing using this polishing apparatus, the thickness of each part of the silicon wafer 4 can be made uniform.
第２図は、この発明の第２実施例を示す図であ机
この実施例における研磨装置は、第１実施例における研
磨装置と同様に、流体１０の圧力によシ隔膜８ａを通し
てマウントプレート２を下方へ押圧するような構成とな
っている。この研磨装置が第１実ＩＭ例におけ、る研磨
装置と異なる点は、次のような点である。すなわち、こ
の研磨装置（：おいては、マウントプレート２とマウン
トヘッド３ａとの間に、内部に流体１０が充填されてい
る円板状の中空体が装着され、上記マウントヘッド３ａ
が円柱状の加圧＠５ａに固定されている７上記中空体は
、リテイナ−９ａによりマウントヘッド３ａの凹部７ａ
に固定され、その上面が凹部７ａの内平面に＠着してい
る。また、この中空体に、弾性材からなる隔膜８ａ（：
より構成されている。FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the present invention. Similar to the polishing apparatus in the first embodiment, the polishing apparatus in this embodiment uses the pressure of the fluid 10 to pass the mount plate 8a through the diaphragm 8a. It is configured to press downward. This polishing apparatus differs from the polishing apparatus in the first actual IM example in the following points. That is, in this polishing apparatus, a disc-shaped hollow body filled with fluid 10 is installed between the mount plate 2 and the mount head 3a, and the mount head 3a
7 The above-mentioned hollow body, which is fixed to the cylindrical pressure @5a, is held in the recess 7a of the mount head 3a by the retainer 9a.
The upper surface of the recess 7a is fixed to the inner surface of the recess 7a. In addition, a diaphragm 8a (:
It is composed of
このような研磨装ｒ１１を用いてシリコンウェハ４を研
磨するには、まず、この研磨装置を第２因に示すような
構成にセットする。次に、従来の研磨装置と同様に、加
圧＠５ａを下方へ押圧する、このようにすると、マウン
トヘッド３ｂｈ、その内平面によフ隔膜８ａを通して上
記中空体の内部の流体１０を押圧する７この次め、流体
１０力靭り王され、この流体１０が隔膜８ａを通してマ
ウントプレート２の上面を押圧する７
この研磨装置によれば、マウントプレート２上に、内部
に流体１０が充填されている中空体を配置し、流体１０
の圧力によりマウントプレート２の上面を押圧するよう
にし穴から、この研磨装置を用いてシリコンウェハ４を
研、宿し之場合に、第１実施倒の研磨装置を用い次場合
と同様の効果が得られる。In order to polish the silicon wafer 4 using such a polishing device r11, the polishing device is first set in the configuration shown in the second factor. Next, as in the conventional polishing apparatus, pressurization@5a is applied downwardly. In this way, the fluid 10 inside the hollow body is pressed by the mount head 3bh and its inner surface through the diaphragm 8a. 7 Next, the force of the fluid 10 is increased, and this fluid 10 presses the upper surface of the mount plate 2 through the diaphragm 8a. 7 According to this polishing device, the fluid 10 is filled inside the mount plate 2. Place the hollow body with fluid 10
When the silicon wafer 4 is polished and held by pressing the top surface of the mount plate 2 through the hole using this polishing device with the pressure of can get.
また、この研磨装置は、マウントプレート２とマウント
ヘッドとの間に、内部に流体１０が充填されている中空
体が装着されていることを除いて、従来から用いられて
いる研磨装置とほぼ同様な構造であるから、比較的容易
（二層布することができる。This polishing device is almost the same as conventional polishing devices, except that a hollow body filled with fluid 10 is installed between the mount plate 2 and the mount head. Because of its simple structure, it is relatively easy to fabricate two layers of fabric.
なお、この発明の研磨装置に、シリコンウェハ１４に限
らず、化合物半導体ウェハ、石英ガラス等を研磨するこ
ともできる８
「発明の効果」
この発明の研磨装置によれば、少なくとも一部が隔膜に
よシ覆われている中空体をマウントプレート上に配置す
ると共（二、この中空体の隔膜を上記マウントプレート
の上面に密層し、上記中空体の内部にｖＩＬ体を充填し
て、この流体の圧力により。Note that the polishing apparatus of the present invention can be used to polish not only silicon wafers 14 but also compound semiconductor wafers, quartz glass, etc. A well-covered hollow body is placed on the mount plate (2. The diaphragm of this hollow body is densely layered on the upper surface of the mount plate, and the inside of the hollow body is filled with the vIL body, and this fluid is Due to the pressure of
上記隔膜を通して上記マウントプレートを同マウントプ
レートの下方に設けられた定盤上に押圧するようにし念
から、マウントブＶ −）の下面に固定で１でいるシリ
コンウェハの下面と定盤の上面との間に加わる圧力が、
シリコンウェハの下面の各部分において常に均−になる
ように保ｆにｎ、６゜このｔめ、この研磨装置を用いて
研、１丁ルば、シリコンウェハの各部分の厚；３均−に
することができる。In order to press the mount plate onto the surface plate provided below the mount plate through the diaphragm, the lower surface of the silicon wafer fixed at 1 on the lower surface of the mount plate V-) and the upper surface of the surface plate were The pressure applied between
Using this polishing device, polish each part of the silicon wafer to a uniform thickness of 3 degrees, keeping each part of the bottom surface of the silicon wafer uniform. It can be done.
きる。Wear.
第１図は、この発明のｉｌ実施例を示した研磨装置の要
部の断面図であるい第２図は、この発明の第２実施例を
示した研磨装置の要部の断面図である。第３図は、従来
から用いられている研磨装置の要部の外観園である。、
第４図に、マウントプレート上に固定てれたシリコンウ
ェハの配置を示す図である。
１・・・・・・定盤、２・・・・・・マウントプレート
、４・・・・・・被研磨材（シリコンウェハ）、８・・
・・・・隔ｉ、１０・・・・・・流体。FIG. 1 is a sectional view of a main part of a polishing apparatus showing an il embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of a main part of a polishing apparatus showing a second embodiment of the invention. . FIG. 3 is an external view of the main parts of a conventionally used polishing device. ,
FIG. 4 is a diagram showing the arrangement of the silicon wafer fixed on the mount plate. 1... Surface plate, 2... Mount plate, 4... Material to be polished (silicon wafer), 8...
...Interval i, 10...Fluid.
Claims (1)
ウントプレートの下方に設けられた定盤上に押圧した状
態で上記被研磨材の下面を研磨するように構成された研
磨装置において、少なくとも一部が隔膜により覆われて
いる中空体を上記マウントプレート上に配置すると共に
、この中空体を上記マウントプレートの上面に密着し、
上記中空体の内部に流体を充填して、この流体の圧力に
より上記隔膜を通して上記マウントプレートを押圧する
ようにしたことを特徴とする研磨装置。In a polishing apparatus configured to polish the lower surface of the object to be polished while pressing a mount plate having the object to be polished on the lower surface onto a surface plate provided below the mount plate, at least part a hollow body covered with a diaphragm is placed on the mount plate, and the hollow body is brought into close contact with the top surface of the mount plate,
A polishing apparatus characterized in that the inside of the hollow body is filled with a fluid, and the pressure of the fluid presses the mount plate through the diaphragm.
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP61193781A JP2504420B2 (en) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | Polishing equipment |
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| US07/087,167 US4897966A (en) | 1986-08-19 | 1987-08-18 | Polishing apparatus |
| EP87112033A EP0264572B1 (en) | 1986-08-19 | 1987-08-19 | Polishing apparatus |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193781A JP2504420B2 (en) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | Polishing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP2504420B2 JP2504420B2 (en) | 1996-06-05 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP61193781A Expired - Fee Related JP2504420B2 (en) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | Polishing equipment |
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|---|---|
| JP (1) | JP2504420B2 (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4918869A (en) * | 1987-10-28 | 1990-04-24 | Fujikoshi Machinery Corporation | Method for lapping a wafer material and an apparatus therefor |
| JPH0265410U (en) * | 1988-10-29 | 1990-05-17 | ||
| US5193316A (en) * | 1991-10-29 | 1993-03-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium |
| US5449316A (en) * | 1994-01-05 | 1995-09-12 | Strasbaugh; Alan | Wafer carrier for film planarization |
| FR2723831A1 (en) * | 1994-08-25 | 1996-03-01 | Plazanet Maurice | DRIVE DISC FOR THE TOOL OF A MACHINE FOR LAND REPAIR AND / OR MAINTENANCE |
| US5584751A (en) * | 1995-02-28 | 1996-12-17 | Mitsubishi Materials Corporation | Wafer polishing apparatus |
| US6722963B1 (en) * | 1999-08-03 | 2004-04-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane |
| WO2016166928A1 (en) * | 2015-04-16 | 2016-10-20 | 信越半導体株式会社 | Manufacturing method for polishing head, polishing head, and polishing apparatus |
| US9790906B2 (en) | 2014-08-15 | 2017-10-17 | Continental Automotive Systems, Inc. | High pressure gasoline injector seat to reduce particle emissions |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5444299A (en) * | 1977-09-13 | 1979-04-07 | Uingoo Kk | Grinding method and apparatus |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61193781A patent/JP2504420B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5444299A (en) * | 1977-09-13 | 1979-04-07 | Uingoo Kk | Grinding method and apparatus |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4918869A (en) * | 1987-10-28 | 1990-04-24 | Fujikoshi Machinery Corporation | Method for lapping a wafer material and an apparatus therefor |
| JPH0265410U (en) * | 1988-10-29 | 1990-05-17 | ||
| JPH0534806Y2 (en) * | 1988-10-29 | 1993-09-03 | ||
| US5193316A (en) * | 1991-10-29 | 1993-03-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium |
| US5449316A (en) * | 1994-01-05 | 1995-09-12 | Strasbaugh; Alan | Wafer carrier for film planarization |
| FR2723831A1 (en) * | 1994-08-25 | 1996-03-01 | Plazanet Maurice | DRIVE DISC FOR THE TOOL OF A MACHINE FOR LAND REPAIR AND / OR MAINTENANCE |
| EP0702925A1 (en) * | 1994-08-25 | 1996-03-27 | Maurice Plazanet | Driving disk and floor treating machine |
| US5584751A (en) * | 1995-02-28 | 1996-12-17 | Mitsubishi Materials Corporation | Wafer polishing apparatus |
| US6722963B1 (en) * | 1999-08-03 | 2004-04-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane |
| US6852017B2 (en) | 1999-08-03 | 2005-02-08 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane |
| US6869345B2 (en) | 1999-08-03 | 2005-03-22 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane |
| US6881134B2 (en) | 1999-08-03 | 2005-04-19 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane |
| US7066791B2 (en) | 1999-08-03 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane |
| US9790906B2 (en) | 2014-08-15 | 2017-10-17 | Continental Automotive Systems, Inc. | High pressure gasoline injector seat to reduce particle emissions |
| US10273918B2 (en) | 2014-08-15 | 2019-04-30 | Continental Powertrain USA, LLC | High pressure gasoline injector seat to reduce particle emissions |
| WO2016166928A1 (en) * | 2015-04-16 | 2016-10-20 | 信越半導体株式会社 | Manufacturing method for polishing head, polishing head, and polishing apparatus |
| JP2016203270A (en) * | 2015-04-16 | 2016-12-08 | 信越半導体株式会社 | Manufacturing method for polishing head, polishing head and polishing device |
| US10464189B2 (en) | 2015-04-16 | 2019-11-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing polishing head, polishing head, and polishing apparatus |
| TWI680827B (en) * | 2015-04-16 | 2020-01-01 | 日商信越半導體股份有限公司 | Manufacturing method of polishing head, polishing head and polishing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2504420B2 (en) | 1996-06-05 |
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