JP2504420B2 - Polishing equipment - Google Patents
Polishing equipmentInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、シリコンウエハなどの被研磨材の表面を
研磨する研磨装置に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a polishing apparatus for polishing the surface of a material to be polished such as a silicon wafer.
「従来の技術」 一般に、IC、LSIなどの半導体の基板材料としては、
シリコンウエハが用いられている。このシリコンウエハ
は、片面が鏡面研磨されている。“Prior art” Generally, as a substrate material for semiconductors such as IC and LSI,
A silicon wafer is used. One side of this silicon wafer is mirror-polished.
従来、このようなシリコンウエハの研磨装置として
は、第３図に示すようなものが知られている。Conventionally, a polishing apparatus for such a silicon wafer as shown in FIG. 3 has been known.
この図において符号１は定盤であり、２はマウントプ
レート、３はマウントプレート２の上部に装着されたマ
ウントヘッドである。In the figure, reference numeral 1 is a surface plate, 2 is a mount plate, and 3 is a mount head mounted on the mount plate 2.
定盤１は、上面に研磨バットが装着された平面視して
円形の回転板である。The surface plate 1 is a rotary plate having a polishing bat mounted on the upper surface and having a circular shape in plan view.
マウントプレート２は、セラミックスやガラス材料か
らなる円板であり、その両面が研磨されて平坦な面とさ
れている。このマウントプレート２の片面には、第４図
に示すように、一枚以上複数枚の（この図では４枚）シ
リコンウエハ４…が平面視して等間隔の位置に固定され
ている。このシリコンウエハ４をマウントプレート２へ
固定する方法としては、シリコンウエハ４の片面にワッ
クスを塗布することにより、シリコンウエハ４をマウン
トプレート２の片面へ貼着するワックス法と、真空吸
着、水貼り等の方法により接着するワックスレス法とが
ある。これらの方法によりシリコンウエハ４が片面に固
定されたマウントプレート２は、そのシリコンウエハ４
が固定されている面を下方に向けた状態で定盤１上に載
置されている。The mount plate 2 is a disk made of ceramics or a glass material, and both surfaces thereof are polished to be flat surfaces. As shown in FIG. 4, one or more (four in this figure) silicon wafers 4 are fixed to one surface of the mount plate 2 at equidistant positions in a plan view. As a method of fixing the silicon wafer 4 to the mount plate 2, a wax method of sticking the silicon wafer 4 to one surface of the mount plate 2 by applying wax to one surface of the silicon wafer 4, and a vacuum method or a water sticking method. There is a waxless method of adhering by such a method. The mount plate 2 having the silicon wafer 4 fixed on one side by these methods is
Is mounted on the surface plate 1 with the surface to which is fixed facing downward.
定盤１上に載置されているマウントプレート２は、一
つの定盤１上に１つ以上複数個（図では１つのみ示す）
が配置されている。これらのマウントプレート２…は、
平面視して周方向へ等間隔に位置している。このマウン
トプレート２は、その上部がマウントヘッド３に嵌合さ
れ、その上面がマウントヘッド３の内平面と密着してい
る。One or more mount plates 2 mounted on the surface plate 1 are provided on one surface plate 1 (only one is shown in the figure).
Is arranged. These mounting plates 2 ...
They are located at equal intervals in the circumferential direction when seen in a plan view. The mount plate 2 has an upper portion fitted to the mount head 3 and an upper surface thereof in close contact with an inner plane of the mount head 3.
マウントヘッド３は、その上部の中央に加圧軸５が連
結され、この加圧軸５に対して首振り自在、かつ、回転
自在となっている。A pressure shaft 5 is connected to the center of the upper part of the mount head 3, and the mount head 3 can be swung and rotated with respect to the pressure shaft 5.
上記のような構成の研磨装置を用いてシリコンウエハ
４を研磨するには、まず、定盤１上にコロイダルシリカ
のアルカリ性懸濁液などの研磨砥粒を分散させる。この
ようにした定盤１上に、シリコンウエハ４が固定された
マウントプレート２をシリコンウエハ４が固定されてい
る面を下方に向けた状態で載置する。そして、このマウ
ントプレート２の上方に配置されているマウントヘッド
３をマウントプレート２の上部に装着する。この後、空
気圧シリンダ、油圧シリンダ等を用いて（デッドウエイ
ト方式もある）、マウントヘッド３の上部に連結されて
いる加圧軸５を下方へ押圧することにより、シリコンウ
エハ４を定盤１の上面に押圧する。このような状態で定
盤１を回転させる。この場合、この定盤１とシリコンウ
エハ４との接触面における相対速度は、そのシリコンウ
エハ４が定盤１の外側において接触している場合に、よ
り大きくなるので、同一のマウントプレート２に固定さ
れているシリコンウエハ４…のうち、定盤１と外側で接
触しているシリコンウエハ４が定盤１の回転に引きずら
れることにより、マウントプレート２がその上部に装着
されているマウントヘッド３と共に定盤１と同一方向に
回転する。このようにして、シリコンウエハ４の下面
が、定盤１の上面に分散された研磨砥粒により研磨され
る。In order to polish the silicon wafer 4 using the polishing apparatus having the above configuration, first, abrasive grains such as an alkaline suspension of colloidal silica are dispersed on the surface plate 1. The mount plate 2 on which the silicon wafer 4 is fixed is placed on the surface plate 1 with the surface on which the silicon wafer 4 is fixed facing downward. Then, the mount head 3 arranged above the mount plate 2 is mounted on the mount plate 2. After that, by using a pneumatic cylinder, a hydraulic cylinder, or the like (there is also a dead weight method), the pressure shaft 5 connected to the upper portion of the mount head 3 is pressed downward to move the silicon wafer 4 onto the surface plate 1. Press on the top surface. The platen 1 is rotated in such a state. In this case, the relative speed at the contact surface between the surface plate 1 and the silicon wafer 4 becomes larger when the silicon wafer 4 is in contact with the outside of the surface plate 1, so that it is fixed to the same mount plate 2. Of the silicon wafers 4, ..., The silicon wafer 4 that is in contact with the surface plate 1 on the outer side is dragged by the rotation of the surface plate 1, so that the mount plate 2 is mounted together with the mount head 3 mounted on the upper part thereof. Rotate in the same direction as the surface plate 1. Thus, the lower surface of the silicon wafer 4 is polished by the abrasive grains dispersed on the upper surface of the platen 1.
「発明が解決しようとする問題点」 ところが、上記のような研磨装置によりシリコンウエ
ハを研磨した場合、表面を鏡面仕上げするという点にお
いては問題ないが、次のような解決すべき問題点があ
る。"Problems to be Solved by the Invention" However, when a silicon wafer is polished by the above polishing apparatus, there is no problem in that the surface is mirror-finished, but there are the following problems to be solved. .
すなわち、上記のような研磨装置によりシリコンウエ
ハを研磨する場合には、シリコンウエハの下面の研磨抵
抗が定盤回転の進入側において、より大きくなるので、
マウントプレートの下面に固定されたシリコンウエハの
下面がマウントプレートの回転中心から外側に向けて傾
斜する。この状態のマウントプレートは、マウントヘッ
ドと加圧軸との連結部を支点としてマウントヘッドごと
定盤回転の進入側に前傾している。このような状態にな
ると、シリコンウエハの下面に加わる圧力は、定盤回転
の進入側において最大となるような分布をとる。こうな
ると、シリコンウエハの下面がさらに傾斜して行く。こ
のため、上記のようにして研磨されたシリコンウエハに
は、各部分の厚さが均一にならないという問題点があっ
た。That is, when a silicon wafer is polished by the polishing apparatus as described above, the polishing resistance of the lower surface of the silicon wafer becomes larger on the entry side of the surface plate rotation,
The lower surface of the silicon wafer fixed to the lower surface of the mount plate inclines outward from the rotation center of the mount plate. The mount plate in this state is tilted forward to the entrance side of the surface plate rotation together with the mount head with the connecting portion between the mount head and the pressing shaft as a fulcrum. In such a state, the pressure applied to the lower surface of the silicon wafer has a distribution that maximizes on the entry side of the surface plate rotation. When this happens, the lower surface of the silicon wafer is further inclined. Therefore, the silicon wafer polished as described above has a problem that the thickness of each portion is not uniform.
「問題点を解決するための手段」 この発明の研磨装置は、マウントヘッドの下部に、下
方が開放された凹部を形成し、当該凹部の少なくとも下
部に下端開口縁を閉塞する弾性材からなる隔膜を設け、
前記凹部の該隔膜により覆われた空間に流体を充填する
とともに、上記隔膜の外周部を上記マウントヘッドの凹
部の内周面に嵌合する環状の固定具により上記マウント
ヘッドの凹部に固定し、該固定具の環内に前記マウント
プレートを挿着して隔膜に密着させ、上記流体の圧力に
より上記隔膜を通して上記マウントプレートを押圧する
ようにしたものである。"Means for Solving Problems" A polishing apparatus of the present invention is a diaphragm made of an elastic material that forms a recess whose bottom is open in the lower part of a mount head and closes a lower end opening edge at least in the lower part of the recess. Is provided
The space covered with the diaphragm of the recess is filled with a fluid, and the outer peripheral portion of the diaphragm is fixed to the recess of the mount head by an annular fixture fitted to the inner peripheral surface of the recess of the mount head, The mount plate is inserted into the ring of the fixture and brought into close contact with the diaphragm, and the pressure of the fluid presses the mount plate through the diaphragm.
「実施例」 第１図は、この発明の第１実施例を示す図である。"Embodiment" FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.
この図において符号1,2は、それぞれ、従来の研磨装
置に用いられているものと同様な定盤、マウントプレー
トである。上記マウントプレート２は、従来と同様に、
下面にシリコンウエハ４が固定された状態で定盤１上に
載置されている。このマウントプレート２の上方には、
円筒状の軸体６が配置されている。この軸体６の下端に
は、下部に凹部７が形成されている回転自在なマウント
ヘッド3aが装着されている。このマウントヘッド3aに
は、マウントヘッド3aの下端開口縁を閉塞する弾性材か
らなる隔膜８が装着されている。この隔膜８は、その外
周部がリング状のリテイナー（環状の固定具）９により
凹部７に固定されている。上記マウントヘッド3aと隔膜
８とにより構成される中空部には、軸体６の内部を通し
て流体10が充填されている。また、マウントプレート２
には、その上部をリテイナー９の内周面に嵌合させるよ
うにしてマウントヘッド3aが装着され、その上面に隔膜
８が密着している。In this figure, reference numerals 1 and 2 respectively represent a surface plate and a mount plate similar to those used in a conventional polishing apparatus. The mount plate 2 is the same as the conventional one.
The silicon wafer 4 is fixed on the lower surface and placed on the surface plate 1. Above the mount plate 2,
A cylindrical shaft body 6 is arranged. At the lower end of the shaft body 6, a rotatable mount head 3a having a recess 7 formed in the lower portion is mounted. The mount head 3a is fitted with a diaphragm 8 made of an elastic material that closes the lower end opening edge of the mount head 3a. The outer peripheral portion of the diaphragm 8 is fixed to the recess 7 by a ring-shaped retainer (annular fixture) 9. A fluid 10 is filled in the hollow portion formed by the mount head 3a and the diaphragm 8 through the inside of the shaft body 6. Also, mount plate 2
The mount head 3a is mounted so that its upper portion is fitted to the inner peripheral surface of the retainer 9, and the diaphragm 8 is in close contact with the upper surface thereof.
上記のような構成の研磨装置を用いてシリコンウエハ
４を研磨するには、まず、定盤１上に、コロイダルシリ
カのアルカリ性懸濁液などの研磨砥粒を分散させる。こ
のようにしてから、この研磨装置を第１図に示すような
構成にセットする。In order to polish the silicon wafer 4 using the polishing apparatus having the above-described structure, first, polishing abrasive particles such as an alkaline suspension of colloidal silica are dispersed on the surface plate 1. After this, the polishing apparatus is set to the configuration shown in FIG.
次に、軸体６を固定した状態で軸体６の内部の流体10
を図示しない加圧部材により押圧し、このことにより、
マウントヘッド3aと隔膜８により構成される中空部の流
体10を加圧する。このようにすると、流体10が隔膜８を
通してマウントプレート２の上面を押圧し、このことに
より、マウントプレート２の下面に固定されているシリ
コンウエハ４が定盤１の上面に押圧される。この状態で
定盤１を回転させると、従来の研磨装置の場合と同様
に、マウントプレート２が定盤１と同一方向に回転し、
シリコンウエハ４の下面が研磨される。Next, with the shaft body 6 fixed, the fluid 10 inside the shaft body 6 is
Is pressed by a pressure member (not shown).
The hollow fluid 10 formed by the mount head 3a and the diaphragm 8 is pressurized. By doing so, the fluid 10 presses the upper surface of the mount plate 2 through the diaphragm 8, and thereby the silicon wafer 4 fixed to the lower surface of the mount plate 2 is pressed to the upper surface of the surface plate 1. When the surface plate 1 is rotated in this state, the mount plate 2 rotates in the same direction as the surface plate 1 as in the case of the conventional polishing apparatus,
The lower surface of the silicon wafer 4 is polished.
この研磨装置によれば、マウントヘッド3aの下部に、
マウントヘッド3aと隔膜８とにより構成される中空部を
設け、上記隔膜８をマウントプレート２の上面に密着さ
せて該中空部内に流体10を充填したから、流体10が隔膜
８を通してマウントプレート２の上面を押圧するように
なり、マウントプレート２の上面に加わる圧力がマウン
トプレート２の上面全面に亙つて均一になる。このた
め、マウントプレート２の下面に固定されているシリコ
ンウエハ４の下面と定盤１の上面との間に加わる圧力
は、シリコンウエハ４の下面の各部分において常に均一
になるように保たれる。したがって、この研磨装置を用
いて研磨すれば、シリコンウエハ４の各部分の厚さを均
一にすることができる。また、上記隔膜８の外周部をリ
ング状のリテイナー９により上記マウントヘッド3aに固
定したので、該隔膜８が作業中に外れる等の不具合が発
生するおそれがなく、さらに、隔膜８が摩耗したり損傷
したりした場合に容易に交換することができ、作業効率
を向上させることができる。According to this polishing apparatus, at the bottom of the mount head 3a,
Since a hollow portion constituted by the mount head 3a and the diaphragm 8 is provided and the diaphragm 8 is brought into close contact with the upper surface of the mount plate 2 to fill the fluid 10 in the hollow portion, the fluid 10 passes through the diaphragm 8 and the As the upper surface is pressed, the pressure applied to the upper surface of the mount plate 2 becomes uniform over the entire upper surface of the mount plate 2. For this reason, the pressure applied between the lower surface of the silicon wafer 4 fixed to the lower surface of the mount plate 2 and the upper surface of the surface plate 1 is maintained to be always uniform at each part of the lower surface of the silicon wafer 4. . Therefore, if polishing is performed using this polishing apparatus, the thickness of each portion of the silicon wafer 4 can be made uniform. Further, since the outer peripheral portion of the diaphragm 8 is fixed to the mount head 3a by the ring-shaped retainer 9, there is no possibility that the diaphragm 8 may come off during work, and the diaphragm 8 may be worn. If it is damaged, it can be easily replaced, and work efficiency can be improved.
第２図は、この発明の第２実施例を示す図である。 FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.
この実施例における研磨装置は、第１実施例における
研磨装置と同様に、流体10の圧力により隔膜8aを通して
マウントプレート２を下方へ押圧するような構成となっ
ている。この研磨装置が第１実施例における研磨装置と
異なる点は、次のような点である。すなわち、この研磨
装置においては、マウントプレート２とマウントヘッド
3aとの間に、内部に流体10が充填されている円板状の中
空体（中空部）が装着され、上記マウントヘッド3aが円
柱状の加圧軸5aに固定されている。上記中空体は、リテ
イナー9aによりマウントヘッド3aの凹部7aに固定され、
その上面が凹部7aの内平面に密着している。また、この
中空体は、弾性材からなる隔膜8aにより構成されてい
る。The polishing apparatus in this embodiment is configured to press the mount plate 2 downward through the diaphragm 8a by the pressure of the fluid 10 as in the polishing apparatus in the first embodiment. This polishing apparatus is different from the polishing apparatus in the first embodiment in the following points. That is, in this polishing apparatus, the mount plate 2 and the mount head are
A disk-shaped hollow body (hollow portion) having the fluid 10 filled therein is mounted between the mount head 3a and 3a, and the mount head 3a is fixed to a cylindrical pressure shaft 5a. The hollow body is fixed to the recess 7a of the mount head 3a by a retainer 9a,
Its upper surface is in close contact with the inner plane of the recess 7a. The hollow body is composed of a diaphragm 8a made of an elastic material.
このような研磨装置を用いてシリコンウエハ４を研磨
するには、まず、この研磨装置を第２図に示すような構
成にセットする。次に、従来の研磨装置と同様に、加圧
軸5aを下方へ押圧する。このようにすると、マウントヘ
ッド3bは、その内平面により隔膜8aを通して上記中空体
の内部の流体10を押圧する。このため、流体10が加圧さ
れ、この流体10が隔膜8aを通してマウントプレート２の
上面を押圧する。In order to polish the silicon wafer 4 using such a polishing apparatus, first, the polishing apparatus is set to the configuration shown in FIG. Next, like the conventional polishing apparatus, the pressing shaft 5a is pressed downward. In this way, the mount head 3b presses the fluid 10 inside the hollow body through the diaphragm 8a by its inner plane. Therefore, the fluid 10 is pressurized, and the fluid 10 presses the upper surface of the mount plate 2 through the diaphragm 8a.
この研磨装置によれば、マウントヘッド3bの下部に、
隔膜8aにより構成され内部に流体10が充填されている中
空体を装着し、上記隔膜8aの外周部をリング状のリテイ
ナー9aにより上記マウントヘッド3bに固定し、上記隔膜
8aをマウントプレート２の上面に密着させ、流体10の圧
力によりマウントプレート２の上面を押圧するようにし
たから、この研磨装置を用いてシリコンウエハ４を研磨
した場合に、第１実施例の研磨装置を用いた場合と同様
の効果が得られる。According to this polishing apparatus, at the bottom of the mount head 3b,
A hollow body composed of a diaphragm 8a and filled with a fluid 10 is mounted, and the outer peripheral portion of the diaphragm 8a is fixed to the mount head 3b by a ring-shaped retainer 9a.
Since 8a is brought into close contact with the upper surface of the mount plate 2 and the upper surface of the mount plate 2 is pressed by the pressure of the fluid 10, when the silicon wafer 4 is polished by using this polishing apparatus, the polishing of the first embodiment is performed. The same effect as when using the device is obtained.
また、この研磨装置は、マウントプレート２とマウン
トヘッドとの間に、内部に流体10が充填されている中空
体が装着され、上記隔膜8aの外周部をリング状のリテイ
ナー9aにより上記マウントヘッド3bに固定し、上記隔膜
8aをマウントプレート２の上面に密着されていることを
除いて、従来から用いられている研磨装置とほぼ同様な
構造であるから、比較的容易に製作することができる。Further, in this polishing apparatus, a hollow body filled with a fluid 10 is mounted between the mount plate 2 and the mount head, and the outer peripheral portion of the diaphragm 8a is mounted on the mount head 3b by a ring-shaped retainer 9a. Fixed to the above diaphragm
The structure is almost the same as the conventionally used polishing apparatus except that the 8a is closely attached to the upper surface of the mount plate 2, so that it can be relatively easily manufactured.
なお、この発明の研磨装置は、シリコンウエハ４に限
らず、化合物半導体ウエハ、石英ガラス等を研磨するこ
ともできる。The polishing apparatus of the present invention can polish not only the silicon wafer 4 but also compound semiconductor wafers, quartz glass, and the like.
「発明の効果」 この発明の研磨装置によれば、マウントヘッドの下部
に、下方が開放された凹部を形成し、当該凹部の少なく
とも下部に下端開口縁を閉塞する弾性材からなる隔膜を
設け、前記凹部の該隔膜により覆われた空間に流体を充
填するとともに、上記隔膜の外周部を上記マウントヘッ
ドの凹部の内周面に嵌合する環状の固定具により上記マ
ウントヘッドの凹部に固定し、該固定具の環内に前記マ
ウントプレートを挿着して隔膜に密着させ、上記流体の
圧力により上記隔膜を通して上記マウントプレートを押
圧するようにしたから、マウントプレートの下面に固定
されている被研磨材の下面と定盤の上面との間に加わる
圧力が、被研磨材の下面の各部分において常に均一にな
るように保たれる。このため、この研磨装置を用いて研
磨すれば、被研磨材の各部分の厚さを均一にすることが
できる。[Advantages of the Invention] According to the polishing apparatus of the present invention, the mount head has a recessed portion that is opened downward, and at least a lower portion of the recessed portion is provided with a diaphragm made of an elastic material that closes the lower opening edge. The space covered with the diaphragm of the recess is filled with a fluid, and the outer peripheral portion of the diaphragm is fixed to the recess of the mount head by an annular fixture fitted to the inner peripheral surface of the recess of the mount head, Since the mount plate is inserted into the ring of the fixture so as to be in close contact with the diaphragm and the mount plate is pressed by the pressure of the fluid through the diaphragm, the polishing target fixed to the lower surface of the mount plate. The pressure applied between the lower surface of the material and the upper surface of the surface plate is always kept uniform in each part of the lower surface of the material to be polished. Therefore, if polishing is performed using this polishing apparatus, the thickness of each portion of the material to be polished can be made uniform.
また、上記隔膜の外周部を上記マウントヘッドの凹部
の内周面に嵌合する環状の固定具により上記マウントヘ
ッドの凹部に固定したので、該隔膜を上記マウントヘッ
ドに強固に固定することができ、したがって、作業中に
外れる等の不具合の発生を防止することができ、さら
に、隔膜が摩耗したり損傷したりした場合に、容易に交
換することができ、作業効率を向上させることができ
る。Further, since the outer peripheral portion of the diaphragm is fixed to the concave portion of the mount head by an annular fixture that fits into the inner peripheral surface of the concave portion of the mount head, the diaphragm can be firmly fixed to the mount head. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of troubles such as disengagement during the work, and further, when the diaphragm is worn or damaged, it can be easily replaced and the work efficiency can be improved.
第１図は、この発明の第１実施例を示した研磨装置の要
部の断面図である。第２図は、この発明の第２実施例を
示した研磨装置の要部の断面図である。第３図は、従来
から用いられている研磨装置の要部の外観図である。第
４図は、マウントプレート上に固定されたシリコンウエ
ハの配置を示す図である。 １……定盤、２……マウントプレート、４……被研磨材
（シリコンウエハ）、８……隔膜、９……リテイナー
（固定具）、10……流体。FIG. 1 is a sectional view of a main part of a polishing apparatus showing a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view of the essential parts of a polishing apparatus showing a second embodiment of the present invention. FIG. 3 is an external view of a main part of a conventionally used polishing apparatus. FIG. 4 is a view showing the arrangement of silicon wafers fixed on the mount plate. 1 ... surface plate, 2 ... mount plate, 4 ... material to be polished (silicon wafer), 8 ... diaphragm, 9 ... retainer (fixture), 10 ... fluid.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭54−44299（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−165303（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭59−27373（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭53−40648（ＪＰ，Ｂ２) 実公 昭35−18288（ＪＰ，Ｙ１) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-54-44299 (JP, A) Actually opened 58-165303 (JP, U) Actually opened 59-27373 (JP, U) JP-B 53- 40648 (JP, B2) Actual public Sho 35-18288 (JP, Y1)
Claims (1)
ートと、このマウントプレートの上部に装着され回転自
在なるマウントヘッドと、上記マウントプレートを被研
磨材が固定されている面を下方にむけた状態で載置する
定盤とを備え、上記マウントプレートを上記定盤上に押
圧した状態で上記被研磨材の下面を研磨する研磨装置に
おいて、 上記マウントヘッドの下部に、下方が開放された凹部を
形成し、当該凹部の少なくとも下部に下端開口縁を閉塞
する弾性材からなる隔膜を設け、前記凹部の該隔膜によ
り覆われた空間に流体を充填するとともに、上記隔膜の
外周部を上記マウントヘッドの凹部の内周面に嵌合する
環状の固定具により上記マウントヘッドの凹部に固定
し、該固定具の環内に前記マウントプレートを挿着して
隔膜に密着させ、上記流体の圧力により上記隔膜を通し
て上記マウントプレートを押圧するようにしたことを特
徴とする研磨装置。1. A mount plate having a lower surface to which a material to be polished is fixed, a mount head mounted on an upper portion of the mount plate and rotatable, and the surface of the mount plate to which the material to be polished is fixed facing downward. In a polishing device that includes a surface plate that is placed in a state of being mounted, and polishes the lower surface of the material to be polished in a state where the mount plate is pressed onto the surface plate, a lower part of the mount head is opened downward. A recess is formed, and a diaphragm made of an elastic material that closes the lower end opening edge is provided at least at the lower part of the recess to fill the space covered by the diaphragm of the recess with a fluid and to mount the outer peripheral portion of the diaphragm on the mount. It is fixed to the concave part of the mount head by an annular fixing tool that fits on the inner peripheral surface of the concave part of the head, and the mount plate is inserted into the ring of the fixing tool to adhere to the diaphragm. And, the polishing apparatus is characterized in that the mount plate is pressed through the diaphragm by the pressure of the fluid.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193781A JP2504420B2 (en) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | Polishing equipment |
| KR1019870008594A KR910009320B1 (en) | 1986-08-19 | 1987-08-05 | Polishing apparatus |
| US07/087,167 US4897966A (en) | 1986-08-19 | 1987-08-18 | Polishing apparatus |
| DE8787112033T DE3765904D1 (en) | 1986-08-19 | 1987-08-19 | POLISHING MACHINE. |
| EP87112033A EP0264572B1 (en) | 1986-08-19 | 1987-08-19 | Polishing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193781A JP2504420B2 (en) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | Polishing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6352967A JPS6352967A (en) | 1988-03-07 |
| JP2504420B2 true JP2504420B2 (en) | 1996-06-05 |
Family
ID=16313694
Family Applications (1)
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