JPS635164Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は同軸円筒形電子管のゲツター装置に
関する。

一般にトリウムタングステン・フイラメントと
１個又は複数個のグリツドを有する同軸円筒形電
子管において、フイラメント及びグリツド等の金
属支持構造物にZr，Ti，Ta及びこれらを主成分
とする合金からなる非蒸発性ゲツターを使用し、
電子管内のガス放出に対処している。そして、こ
の種のゲツター装置として、従来、提案されてい
るものに次の３例がある。

先ず、実公昭46−12355号（電子放電装置）が
ある。この提案の要点はトリウムタングステン・
フイラメントの炭化操作の終了後、ゲツター物質
を円筒形状のフイラメント・インナーサポートに
挿入し、大気圧側外部端子を封止することにあ
る。しかし、この考案の欠点は、封止箇所が必然
的に２箇所以上になり信頼性が低くなること、
又、ゲツターの動作温度範囲が狭く、複雑な構造
を採用するわりには、効果が疑問である。

次に実公昭42−17129号（円筒網形陰極を有す
る電子管のゲツター装置）がある。この提案の要
点はメツシユ、フイラメントタイプの電子管にお
いて、そのフイラメント、インナーサポートの外
側にTa材のゲツターを複数円板にして積層する
ことにある。ところが、この提案には次の如き欠
点がある。

トリウムタングステン・フイラメントの炭化
操作中にドープするハイドロ、カーボ等のガス
に汚染される。

フイラメント、インナーサポートの外側にゲ
ツター材を積層するため、組立て用透孔が必然
的に大きくなる。

従つて、ゲツターの表面積が小さい。

フイラメントの熱変形に際し、最悪の場合フ
イラメント−ゲツターが短絡する危険が内在し
ている。

ゲツター作用は、Taだけに限られるため、
ガス吸収に有効でない。

次に実公昭42−18242号（電子管）がある。こ
の提案は、水素吸収を主目的としてグリツド支持
体の一部分に、Zr，Ti及びこれらを主成分とす
る合金の非蒸発性ゲツターを設置することにあ
る。ところがこの提案では、グリツド支持部が
RF出力電流回路を形成するから、ここを流れる
電流のジユール熱によりゲツター材が異常に加熱
された場合、その蒸気圧により外囲器等に付着
し、電気絶縁抵抗を劣化させ時として重大事故に
到る場合がある。

この考案は上記事情に鑑みなされたもので、従
来の欠点を改良し高性能な同軸円筒形電子管のゲ
ツター装置を提供することを目的とする。

以下、図面を参照してこの考案の一実施例を詳
細に説明する。同軸円筒形電子管としてVHF帯
まで動作可能な同軸円筒形の４極送信管を例にと
ると、この送信管のゲツター装置は第１図に示す
ように構成されている。即ち、トリウムタングス
テンからなる筒状フイラメント１の両端はそれぞ
れ第１，第２のフイラメントキヤツプ２，３に固
着されている。この第１，第２のフイラメントキ
ヤツプ２，３はそれぞれ所定間隔で同軸的に配設
されたインナーサポート４とアウタサポート５の
各一端に溶接により取付けられている。

前記インナーサポート４内には軸心に沿つてモ
リブデンからなるロツド６が配設され、両端はそ
れぞれモリブデンからなるアイレツト７，８を介
してインナーサポート４の両端付近に固定されて
いる。そして、このロツド６外周には、モリブデ
ンからなる複数の筒状スペーサ９と複数の環状ゲ
ツター材１０とが交互に積層固着されている。

この場合、第１図における部〜部までの範
囲に、最適動作温度になるゲツター材１０が配置
されて、この考案の特徴となつている。即ち、通
常の電子管において、部は高温度域で1000〜
1300℃、部は中温度域で600〜800℃、部は低
温度域で100〜400℃程度である。そして、上記温
度に適合するゲツター材は、文献（電子管用金属
材料：丸善発行）によれば、部はTa、部は
Zr、部はTiが考えられ、この考案ではこれら
非蒸発性ゲツターを複合組合せて使用している。
特に部では、Zr−Ａ合金の非蒸発性ゲツタ
ーを使用した方がより効果的である。

尚、前記フイラメント１の外側には、所定間隔
をおいて第１、第２グリツド１１，１２がそれぞ
れ同軸的に配設されている。又、図中１３，１４
はフイラメント端子、１５，１６は第１、第２グ
リツド端子、１７，１８，１９はセラミツク筒体
である。

このようなゲツター装置は、次のような方法に
て組立てる。即ち、先ずフイラメント１に炭化操
作を実施した後に、ロツド６の一端に四つ股形状
のアイレツト８を溶接する。次いで、スペーサ９
をロツド６に挿入し、その上に透孔を有するゲツ
ター材１０を挿入して載せる。次いでスペーサ
９、ゲツター材１０と云う順に交互に所定の数量
を積層させ、最終端に四つ股形状のアイレツト７
を挿入し、ロツド６と溶接し固着させる。この操
作で完成させたゲツター装置を、インナーサポー
ト４の内側底部まで挿入固定させ、上端アイレツ
ト７とインナーサポート４とを４点付け溶接を行
ない固着せしめる。この状態を第２図のブロツク
図にして示した。

この考案のゲツター装置は上記説明及び図示の
ように構成されているので、次のような数多くの
効果を有している。即ち、 ゲツター作用温度領囲を広範囲にすることが
できる。これはTa，Zr，Ti及びZr−Ａ合金
等を混合組合せて使用することにある。

従つて、電子管内残留ガスの主成分である
H₂，O₂，N₂，CO，CO₂等を効率よく吸収する
ことができる。

トリウムタングステン・フイラメントの炭化
操作工程でのガス汚染を受けることがない。

設置位置がフイラメント１、インナーサポー
ト４内側にあるので、RF電流の影響が皆無で
ある。

これにより外囲器の絶縁を低下させることは
ない（ゲツター材の蒸気圧の影響小）。

封止箇所が１箇所でよい。

ゲツターの取付けは溶接（アーキング）が主
体となり、従来の抵抗溶接に比較して信頼性が
高い。

電子管の活性化手段が容易になり、所用時間
の短縮が可能である。

製品の寿命が改善できる。

ゲツター材の熱変形による短絡事故（フイラ
メント−ゲツター間等）が皆無である。

以上説明したようにこの考案によれば、工業的
価値大なる同軸円筒形電子管のゲツター装置を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の一実施例に係る同軸円筒形
電子管のゲツター装置を示す断面図、第２図はこ
の考案の同軸円筒形電子管のゲツター装置の製造
工程を示すブロツク図である。 １……フイラメント、２，３……フイラメント
キヤツプ、４……インナーサポート、５……アウ
タサポート、６……ロツド、７，８……アイレツ
ト、９……スペーサ、１０……ゲツター材。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 筒状フイラメントの両端をそれぞれ第１、第
   ２のフイラメントキヤツプに固着し、該第１、
   第２のフイラメントキヤツプをそれぞれ同軸的
   な筒状インナーサポートと筒状アウタサポート
   に取付け、前記フイラメントの外側に１個以上
   の筒状グリツドを配設してなる同軸円筒形電子
   管において、前記インナーサポート内に軸心に
   沿つてロツドを配設し、該ロツドの外周に複数
   の筒状スペーサと複数の環状ゲツター材とを交
   互に積層固着し、且つ前記ゲツター材は動作温
   度の異なる領域で異なるゲツター材であること
   を特徴とする同軸円筒形電子管のゲツター装
   置。 (2) 前記ゲツター材はTi，Ta，Zr及びこれら金
   属のうち少なくとも一つを主成分とする合金か
   らなる非蒸発性ゲツター材である実用新案登録
   請求の範囲第１項記載の同軸円筒形電子管のゲ
   ツター装置。 (3) 前記ゲツター材は、動作温度が高温度域では
   Ti、中温度域ではZr、低温度域ではTi又はZr
   −Ａ合金である実用新案登録請求の範囲第１
   項記載の同軸円筒形電子管のゲツター装置。