JPS6351555B2 - - Google Patents

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JPS6351555B2
JPS6351555B2 JP57057268A JP5726882A JPS6351555B2 JP S6351555 B2 JPS6351555 B2 JP S6351555B2 JP 57057268 A JP57057268 A JP 57057268A JP 5726882 A JP5726882 A JP 5726882A JP S6351555 B2 JPS6351555 B2 JP S6351555B2
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JP
Japan
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optical frequency
semiconductor laser
sweep
laser element
optical
Prior art date
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JP57057268A
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Japanese (ja)
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JPS58175882A (en
Inventor
Taro Shibagaki
Takeshi Koseki
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Publication date
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Publication of JPS58175882A publication Critical patent/JPS58175882A/en
Publication of JPS6351555B2 publication Critical patent/JPS6351555B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06209Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
    • H01S5/0622Controlling the frequency of the radiation

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体レーザが発振出力するレーザ光
の光周波数を同期信号に同期させて正確に掃引す
ることのできる光周波数掃引型半導体レーザ装置
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an optical frequency sweep type semiconductor laser device that can accurately sweep the optical frequency of a laser beam output by a semiconductor laser in synchronization with a synchronization signal.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

近時、半導体レーザが発振出力するレーザ光を
用いた光ヘテロダイン通信等の光通信や、高精度
計測の為の光応用計測が注目されている。これら
の光通信や光応用計測は上記レーザ光の光周波数
を有効に利用したものであり、この為、前記半導
体レーザの発振出力レーザ光の光周波数を安定に
制御することが必要となる。
Recently, optical communication such as optical heterodyne communication using laser light oscillated by a semiconductor laser and optical applied measurement for high-precision measurement have been attracting attention. These optical communications and optical applied measurements effectively utilize the optical frequency of the laser beam, and therefore it is necessary to stably control the optical frequency of the laser beam oscillated by the semiconductor laser.

ところが半導体レーザの光周波数は、その動作
温度や注入電流量によつて大きく依存する。そこ
で従来より、例えば第1図に示すようにして、半
導体レーザの光周波数安定化制御が行われてい
る。即ち、半導体レーザ1の温度を温度安定化装
置2により安定化し、この状態での上記半導体レ
ーザ1の発振出力光をビーム・スプリツタ3を介
して2分して、一方を光検出器4に導びき、他方
を光共振器5を介して光検出器6に導びく。そし
て、これらの光検出器4,6の検出出力を演算増
幅器7を介して抽出し、これによつて光周波数・
電圧変換された出力情報を積分器8を通して注入
電流制御装置9に帰還している。この負帰還ルー
プによる制御によつて前記半導体レーザ1への注
入電流量を可変し、その光周波数の一定化・安定
制御がなされている。
However, the optical frequency of a semiconductor laser largely depends on its operating temperature and the amount of current injected. Therefore, conventionally, optical frequency stabilization control of semiconductor lasers has been performed, for example, as shown in FIG. That is, the temperature of the semiconductor laser 1 is stabilized by the temperature stabilizing device 2, the oscillation output light of the semiconductor laser 1 in this state is divided into two parts via the beam splitter 3, and one part is guided to the photodetector 4. and the other is guided to a photodetector 6 via an optical resonator 5. Then, the detection outputs of these photodetectors 4 and 6 are extracted via an operational amplifier 7, and thereby the optical frequency and
The voltage-converted output information is fed back to the injection current control device 9 through the integrator 8. Through control by this negative feedback loop, the amount of current injected into the semiconductor laser 1 is varied, and the optical frequency is controlled to be constant and stable.

このようにして従来一般に半導体レーザの光周
波数の安定化がなされるが、前述した光応用計測
等にあつては、更に上記光周波数を一定の条件の
もとで安定に掃引することが望まれる。この場
合、前記注入電流制御装置9より、第2図aに示
す如き掃引信号を加え、これによつて半導体レー
ザ1への注入電流量を可変してその発振光周波数
の掃引が行われる。
Conventionally, the optical frequency of a semiconductor laser is generally stabilized in this way, but in the case of the aforementioned optical application measurement, etc., it is desirable to further stably sweep the optical frequency under certain conditions. . In this case, the injection current control device 9 applies a sweep signal as shown in FIG. 2a, thereby varying the amount of current injected into the semiconductor laser 1 and sweeping the oscillation optical frequency.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

ところが、上記掃引信号の繰返し周期が一定の
場合には特に問題が生じないが、第2図aに示す
ように繰返し周期が変る場合、レーザ発振光周波
数は同図bに示すようにその平均値が一定するも
のの掃引周波数範囲にずれを生じると云う問題が
生じてくる。これは、半導体レーザ1の光周波数
の平均値検出による帰還制御に起因するものであ
り、結局外部より与えられる同期信号に同期して
不規則に周波数掃引せんとすると、掃引開始光周
波数にずれが生じる。
However, when the repetition period of the sweep signal is constant, no particular problem occurs, but when the repetition period changes as shown in Figure 2a, the laser oscillation light frequency changes to its average value as shown in Figure 2b. A problem arises in that although the frequency is constant, there is a shift in the sweep frequency range. This is due to feedback control by detecting the average value of the optical frequency of the semiconductor laser 1, and if you try to sweep the frequency irregularly in synchronization with an external synchronization signal, there will be a shift in the sweep start optical frequency. arise.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明はこのような事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、半導体レーザの
発振出力光周波数を、外部より任意に与えられる
同期信号に同期させて所定に、且つ精度良く掃引
することのできる実用性の高い光周波数掃引型半
導体レーザ装置を提供することにある。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and its purpose is to synchronize the oscillation output optical frequency of a semiconductor laser with a synchronization signal arbitrarily given from the outside to a predetermined and accurate level. It is an object of the present invention to provide a highly practical optical frequency sweep type semiconductor laser device that can perform sweeping.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明は半導体レーザの非掃引時に、つまり掃
引終了時から次の掃引が開始される迄の期間に上
記半導体レーザの発振光周波数をサンプル検出
し、これを所定値と比較して前記半導体レーザの
バイアスを制御することによつて、同期信号に同
期した次の掃引開始時には半導体レーザの発振光
周波数が一定値となるようにしたものである。
The present invention samples and detects the oscillation optical frequency of the semiconductor laser during non-sweeping of the semiconductor laser, that is, during the period from the end of the sweep to the start of the next sweep, and compares this with a predetermined value to detect the oscillation frequency of the semiconductor laser. By controlling the bias, the oscillation frequency of the semiconductor laser is made constant at the start of the next sweep synchronized with the synchronization signal.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

従つて本発明によれば、半導体レーザのバイア
スがその非掃引時に制御されて発振光周波数が一
定となるべく調整されるので、外部から任意に与
えられる同期信号に同期して光周波数を掃引せん
とするとき、その掃引開始光周波数は常に安定に
一定化制御される。これ故、常に安定に且つ簡易
に光周波数掃引することが可能となり、その実用
的利点は多大である。
Therefore, according to the present invention, since the bias of the semiconductor laser is controlled during non-sweeping and the oscillation optical frequency is adjusted to be constant, the optical frequency cannot be swept in synchronization with a synchronization signal given arbitrarily from the outside. When doing so, the sweep start optical frequency is always controlled to be stably constant. Therefore, it is possible to always stably and easily sweep the optical frequency, and its practical advantages are great.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、図面を参照して本発明の実施例につき説
明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第3図は本発明の一実施例装置を示す概略構成
図であり、第4図a〜eはその作用を説明する為
の動作波形図である。第3図において、11は半
導体レーザであり、温度安定化装置12によりそ
の温度安定化が図られている。しかして半導体レ
ーザ11が発振出力するレーザ光は、光周波数検
出装置13により受光され、その光周波数が検出
されている。そして、この光周波数検出装置13
は、上記検出した光周波数に相当した、例えば電
圧信号を発生するものとなつている。尚、この光
周波数検出装置13については、例えば前述した
第1図に示すように光共振器を用いて光周波数検
出を行うものであつてもよく、また従来より知ら
れた他の検出方式を採用したものであつてもよ
い。そして、この光周波数検出装置13により検
出された前記半導体レーザ11の発振出力光周波
数に相当した電圧信号は、後述するサンプル・ホ
ールド回路(S/H)14に与えられると共に、
注入電流制御装置15に与えられるようになつて
いる。この注入電流制御装置15は、後述する各
種制御信号を受けて前記半導体レーザ11の注入
電流を可変制御し、これによつて半導体レーザ1
1の発振光周波数を可変するものである。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 4 a to 4 e are operational waveform diagrams for explaining its operation. In FIG. 3, 11 is a semiconductor laser whose temperature is stabilized by a temperature stabilizing device 12. In FIG. The laser light oscillated and output by the semiconductor laser 11 is received by the optical frequency detection device 13, and its optical frequency is detected. And this optical frequency detection device 13
is designed to generate, for example, a voltage signal corresponding to the detected optical frequency. The optical frequency detection device 13 may be one that detects the optical frequency using an optical resonator, for example, as shown in FIG. It may be one that has been adopted. A voltage signal corresponding to the oscillation output optical frequency of the semiconductor laser 11 detected by the optical frequency detection device 13 is given to a sample and hold circuit (S/H) 14, which will be described later.
The current is applied to the injection current control device 15. The injection current control device 15 variably controls the injection current of the semiconductor laser 11 in response to various control signals to be described later, thereby controlling the injection current of the semiconductor laser 11.
The oscillation light frequency of 1 can be varied.

一方、同期掃引発振器16は、外部より与えら
れる同期信号に同期して、光周波数の掃引信号を
発生し、上記掃引信号を同期回路17に供給する
と共に前記注入電流制御装置15に供給してい
る。注入電流制御装置15は、この掃引信号を受
けて前記半導体レーザ11に対する注入電流量を
可変して、発振光周波数の可変掃引を行わしめ
る。また前記同期回路17は、同期掃引発振器1
6に与えられる同期信号、および同期掃引発振器
16が出力する掃引終了信号を受けてサンプル・
ホールド信号を生成し、前記サンプル・ホールド
回路14を駆動するものである。これによつてサ
ンプル・ホールド回路14は、掃引終了時点か
ら、次の同期信号が与えられて掃引が開始される
迄の期間、前記光周波数検出装置13によつて検
出された光周波数に関する情報(電圧)をサンプ
リングし、次の掃引期間、これをホールドする。
比較器18は、このサンプル・ホールド回路14
の出力信号と、予め設定された電圧値(所望とす
る光周波数に相当する)19とを比較し、その比
較結果を前記注入電流制御装置15に与えるよう
になつている。この比較器18の比較結果を入力
して、前記注入電流制御装置15は半導体レーザ
11に与える注入電流のバイアスを制御し、非掃
引時における光周波数が、電圧値19によつて与
えられる所定の光周波数と一致するように動作す
る。
On the other hand, the synchronous sweep oscillator 16 generates an optical frequency sweep signal in synchronization with a synchronization signal given from the outside, and supplies the sweep signal to the synchronization circuit 17 and the injection current control device 15. . The injection current control device 15 receives this sweep signal and varies the amount of current injected into the semiconductor laser 11, thereby performing a variable sweep of the oscillation light frequency. The synchronous circuit 17 also includes a synchronous sweep oscillator 1
6 and the sweep end signal output from the synchronous sweep oscillator 16.
It generates a hold signal and drives the sample-and-hold circuit 14. As a result, the sample-and-hold circuit 14 can store information about the optical frequency detected by the optical frequency detection device 13 ( voltage) and hold it for the next sweep period.
The comparator 18 is connected to this sample-and-hold circuit 14.
The output signal is compared with a preset voltage value (corresponding to a desired optical frequency) 19, and the comparison result is provided to the injection current control device 15. Inputting the comparison result of the comparator 18, the injection current control device 15 controls the bias of the injection current given to the semiconductor laser 11, so that the optical frequency during non-sweeping is set to a predetermined value given by the voltage value 19. Operates to match optical frequencies.

このように注入電流制御装置15は、光周波数
検出装置13により検出された光周波数の情報に
従つてこれをモニタし、安定化すると共に、非掃
引時には比較器18の出力を受けて半導体レーザ
11に対するバイアスを制御して、その光周波数
の一定化制御を行わしめ、更には同期信号によつ
て起動される掃引時には同期掃引発振器16の出
力する掃引信号を受けて、前記半導体レーザ11
の光周波数を掃引するようになつている。
In this way, the injection current control device 15 monitors and stabilizes the optical frequency according to the information of the optical frequency detected by the optical frequency detection device 13, and also receives the output of the comparator 18 during non-sweeping and controls the semiconductor laser 11. The bias for the semiconductor laser 11 is controlled to keep the optical frequency constant.Furthermore, during sweep initiated by a synchronous signal, the semiconductor laser 11 receives a sweep signal output from the synchronous sweep oscillator 16.
It is designed to sweep the optical frequencies of

かくしてこのように構成された装置によれば、
今、第4図aに示す如く同期信号が入力される
と、これに同期して同期掃引発振器16は同図b
に示すように掃引信号を発生する。この掃引信号
が注入電流制御装置15に与えられて、半導体レ
ーザ11の発振光周波数が掃引制御されることに
なる。また同期掃引発振器16は上記光周波数掃
引の終了に伴つて第4図cに示す如き掃引終了パ
ルス信号を発生している。この掃引終了パルス信
号および前記同期信号を受けて動作する同期回路
17は、例えばフリツプフロツプ等により構成さ
れ、第4図dに示すように、1つの周波数掃引が
終了した時点から、次の周波数掃引が開始される
時点までの期間、サンプル信号を発生している。
そして、掃引期間であるサンプル信号間を、これ
をホールド信号としている。しかして、このサン
プル信号期間には、サンプル・ホールド回路14
を介して半導体レーザ11の光周波数情報が比較
器8に入力され、この比較結果による注入電流制
御装置15の負帰還制御によつて半導体レーザ1
1のバイアスが制御される。これにより、半導体
レーザ11の発振光周波数は、次の掃引が開始さ
れる時点には、第4図eに示すように所望とする
当周波数に一定化制御される。そして、この一定
化制御された光周波数より、前記掃引信号を受け
て光周波数掃引が行われることになる。
According to the device configured in this way,
Now, when a synchronizing signal is input as shown in FIG. 4a, the synchronous sweep oscillator 16 is activated as shown in FIG.
Generate a sweep signal as shown in . This sweep signal is applied to the injection current control device 15, and the oscillation optical frequency of the semiconductor laser 11 is sweep-controlled. Further, the synchronous sweep oscillator 16 generates a sweep end pulse signal as shown in FIG. 4c upon completion of the optical frequency sweep. The synchronization circuit 17, which operates in response to the sweep end pulse signal and the synchronization signal, is constituted by, for example, a flip-flop, and as shown in FIG. A sample signal is generated until the start point.
The interval between the sample signals, which is the sweep period, is used as a hold signal. Therefore, during this sample signal period, the sample and hold circuit 14
The optical frequency information of the semiconductor laser 11 is input to the comparator 8 via the comparator 8, and the semiconductor laser 1 is
1 bias is controlled. As a result, the oscillation frequency of the semiconductor laser 11 is controlled to be constant at the desired frequency at the time when the next sweep is started, as shown in FIG. 4e. Then, based on this constant controlled optical frequency, an optical frequency sweep is performed in response to the sweep signal.

かくして本装置によれば、例えば同期信号が与
えられるタイミング任意で不規則であつたとして
も、この同期信号に同期して所定の光周波数より
半導体レーザ11の発振光周波数を掃引すること
ができる。しかも、非掃引期間における半導体レ
ーザ11の光周波数のサンプリングと、これによ
るバイアス調整と云う簡易な制御によつて、光周
波数掃引開始時の発振光周波数を安定化制御する
ことが可能となる。そしてまた、光周波数の掃引
自体も安定に制御することが可能となる。故に、
光ヘテロダイン通信における光周波数の安定化
や、光応用計測における光周波数の一定・安定化
等に絶大なる効果を奏し得る。また、任意の同期
信号に同期させて半導体レーザ11の発振光周波
数を安定に掃引することができるので、その実用
的利点は絶大である。
Thus, according to the present device, even if the timing at which the synchronization signal is applied is arbitrary and irregular, the oscillation optical frequency of the semiconductor laser 11 can be swept from a predetermined optical frequency in synchronization with the synchronization signal. Furthermore, by simple control such as sampling the optical frequency of the semiconductor laser 11 during the non-sweep period and adjusting the bias based on this, it is possible to stabilize the oscillation optical frequency at the start of the optical frequency sweep. Furthermore, it is also possible to stably control the optical frequency sweep itself. Therefore,
It can be extremely effective in stabilizing the optical frequency in optical heterodyne communication, and in stabilizing and stabilizing the optical frequency in optical applied measurement. Moreover, since the oscillation optical frequency of the semiconductor laser 11 can be swept stably in synchronization with an arbitrary synchronization signal, its practical advantage is enormous.

尚、本発明は上記した実施例に限定されるもの
ではない。例えば半導体レーザ11の発振光周波
数を検出する光周波数検出装置13としては前述
した光共振器を用いたものに代えて、第5図に示
すように、光周波数の確定している局部発振用半
導体レーザ21の出力光と、掃引制御される半導
体レーザ11の出力光とを光ミクサ22により混
合し、そのビート信号光を光検出器23により検
出するようにしてもよい。そしてビート信号の周
波数成分をf/v(周波数・電圧)変換器24を
介して抽出して、その光周波数に相当した電圧信
号を得るようにしてもよい。また実施例では、同
期信号が外部から与えられるものとして説明した
が、これを装置内部で生成するようなものであつ
てもよい。更には信号処理をデイジタル的に行う
ことも勿論可能であり、光周波数掃引の関数や、
サンプル・ホールド・タイミングの設定も非掃引
時の光周波数安定化(一定化)を図り得る範囲で
任意に設定可能である。以上要するに本発明はそ
の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施する
ことが可能である。
Note that the present invention is not limited to the above embodiments. For example, instead of using the optical resonator described above as the optical frequency detection device 13 for detecting the oscillation optical frequency of the semiconductor laser 11, as shown in FIG. The output light of the laser 21 and the output light of the sweep-controlled semiconductor laser 11 may be mixed by the optical mixer 22, and the beat signal light may be detected by the photodetector 23. Then, the frequency component of the beat signal may be extracted via an f/v (frequency/voltage) converter 24 to obtain a voltage signal corresponding to the optical frequency. Further, in the embodiment, the synchronization signal is given from the outside, but it may be generated inside the device. Furthermore, it is of course possible to perform signal processing digitally, and it is possible to perform signal processing using optical frequency sweep functions,
The sample and hold timing can also be set arbitrarily within a range that can stabilize (constant) the optical frequency during non-sweeping. In summary, the present invention can be implemented with various modifications without departing from the gist thereof.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の半導体レーザ光周波数安定化装
置の一例を示す概略構成図、第2図a,bは従来
装置における掃引信号と掃引光周波数との関係を
示す図、第3図は本発明の一実施例装置の概略構
成図、第4図a〜eは実施例装置の作用を説明す
る為の動作波形図、第5図は光周波数検出装置の
一構成例を示す図である。 11……半導体レーザ、12……温度安定化装
置、13……光周波数検出装置、14……サンプ
ル・ホールド回路、15……注入電流制御装置、
16……同期掃引発振器、17……同期回路、1
8……比較器、19……基準電圧。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of a conventional semiconductor laser optical frequency stabilization device, FIG. 2 a and b are diagrams showing the relationship between the sweep signal and the swept optical frequency in the conventional device, and FIG. 4A to 4E are operational waveform diagrams for explaining the operation of the embodiment device, and FIG. 5 is a diagram showing an example of the configuration of the optical frequency detection device. 11...Semiconductor laser, 12...Temperature stabilization device, 13...Optical frequency detection device, 14...Sample and hold circuit, 15...Injection current control device,
16... Synchronous sweep oscillator, 17... Synchronous circuit, 1
8... Comparator, 19... Reference voltage.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子
が出力する光周波数を検出してこの光周波数に対
応した電気信号を得る手段と、掃引開始信号に同
期して前記半導体レーザ素子への注入電流量を制
御して前記半導体レーザ素子が出力する光周波数
を掃引する掃引発振器と、この掃引発振器の動作
に同期して前記光周波数に対応した電気信号をサ
ンプル・ホールドする手段と、このサンプル・ホ
ールドされた値と所定の基準値とを比較し、その
比較結果に従つて前記半導体レーザ素子の動作バ
イアスを可変制御する手段とを具備したことを特
徴とする光周波数掃引型半導体レーザ装置。 2 半導体レーザ素子が出力する光周波数に対応
した電気信号を得る手段は、上記半導体レーザ素
子が出力するレーザ光をフアブリペロ共振器を介
して抽出し、この抽出光を光検出器で受光して光
電変換してなるものである特許請求の範囲第1項
記載の光周波数掃引型半導体レーザ装置。 3 半導体レーザ素子が出力する光周波数に対応
した電気信号を得る手段は、上記半導体レーザ素
子が出力するレーザ光と光周波数が既知の参照光
とのビート信号を検出して求めるものである特許
請求の範囲第1項記載の光周波数掃引型半導体レ
ーザ装置。
[Scope of Claims] 1. A semiconductor laser element, means for detecting an optical frequency output by the semiconductor laser element and obtaining an electrical signal corresponding to the optical frequency, and a means for detecting an optical frequency outputted by the semiconductor laser element to obtain an electrical signal corresponding to the optical frequency, a sweep oscillator that sweeps the optical frequency output by the semiconductor laser element by controlling the amount of current injected into the semiconductor laser element; a means for sampling and holding an electrical signal corresponding to the optical frequency in synchronization with the operation of the sweep oscillator; An optical frequency swept semiconductor laser device, comprising means for comparing a sampled and held value with a predetermined reference value and variably controlling the operating bias of the semiconductor laser element according to the comparison result. . 2. The means for obtaining an electrical signal corresponding to the optical frequency output by the semiconductor laser device extracts the laser light output from the semiconductor laser device through a Fabry-Perot resonator, receives this extracted light with a photodetector, and generates a photoelectric signal. The optical frequency swept type semiconductor laser device according to claim 1, which is obtained by converting the optical frequency. 3. A patent claim in which the means for obtaining an electrical signal corresponding to the optical frequency output by the semiconductor laser element is obtained by detecting a beat signal between the laser light output from the semiconductor laser element and a reference light whose optical frequency is known. The optical frequency swept semiconductor laser device according to item 1.
JP57057268A 1982-04-08 1982-04-08 Optical frequency sweep type semiconductor laser device Granted JPS58175882A (en)

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JP57057268A JPS58175882A (en) 1982-04-08 1982-04-08 Optical frequency sweep type semiconductor laser device

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JPS58175882A JPS58175882A (en) 1983-10-15
JPS6351555B2 true JPS6351555B2 (en) 1988-10-14

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JPS58175882A (en) 1983-10-15

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