JPS6348690A - Bubble magnetic domain stretching device - Google Patents

Bubble magnetic domain stretching device

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Publication number
JPS6348690A
JPS6348690A JP61191689A JP19168986A JPS6348690A JP S6348690 A JPS6348690 A JP S6348690A JP 61191689 A JP61191689 A JP 61191689A JP 19168986 A JP19168986 A JP 19168986A JP S6348690 A JPS6348690 A JP S6348690A
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JP
Japan
Prior art keywords
bubble
pattern
side element
element chip
length
Prior art date
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Pending
Application number
JP61191689A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masashi Amatsu
天津 正史
Takeyasu Yanase
柳瀬 武泰
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6348690A publication Critical patent/JPS6348690A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a strong bubble stretching capability and a stable bubble transfer characteristic by adopting an asymmetrical structure to the inlet side element chip of a chevron pattern shorter than an exit side element chip. CONSTITUTION:The asymmetrical structure is adopted in which the length l1 of the inlet side element chip 11 of the chevron pattern 10 is shorter than a length l2 of the exit side element chip 12. The length of the inlet side element chip 11 of the chevron pattern 10 where the pattern width W1 at peaks is wider than the pattern width W2 at troughs is made shorter than the length of the exist side element chip 12 in this way, then the shape anisotropy of the inlet side element chip 11 is not increased to prevent the deterioration in the bubble transfer characteristic at the inlet side element chip. Moreover, a deep potential is formed at the tip of the exit side element chip 12 is formed to increase the bubble expansion capability.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 バブル磁区伸長器であって、山部のパターン幅が谷部の
パターン幅よりも広くなるような曲率をもつシェブロン
パターンがその入口側素片と出口側素片が入り組むよう
にバブル進行方向に配置されたバブル磁区伸長器におい
て、該シェブロンパターンの入口側素片が出口側素片よ
り短い非対称構造とすることにより、強いバブル伸長能
力と、安定したバブル転送特性を得ることを可能とする
[Detailed Description of the Invention] [Summary] This is a bubble magnetic domain stretcher in which a chevron pattern having a curvature such that the pattern width at the crest is wider than the pattern width at the trough is connected to an element on the entrance side and an exit side. In a bubble domain stretcher in which the fragments are arranged in the direction of bubble propagation, the chevron pattern has an asymmetric structure in which the entrance side fragments are shorter than the exit side fragments, resulting in strong bubble expansion ability and stable bubbles. This makes it possible to obtain transfer characteristics.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は電子計算袋W等の記憶装置に用いられる磁気バ
ブルメモリ素子のバブル磁区伸長器に関するものである
The present invention relates to a bubble magnetic domain expander for a magnetic bubble memory element used in a storage device such as an electronic computing bag W.

磁気バブルメモリ装置は、例えばガドリニウム・ガリウ
ム・ガーネットの単結晶基板の上に液相エピタキシャル
成長法により磁性ガーネットの薄膜(磁気バブル結晶)
を形成し、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用いた
ハーフデスク型又は非対称シェブロン等のパターンを行
列させたバブル転送路を形成したものであり、バブル発
生器により情報に従って発生させたバブルを転送路に導
き、そのパターンにバブルがある場合を“1″、ない場
合を“O”として情韻を記憶させている。また情轄の読
み出しは、バブルをバブル磁区伸長器によって引伸ばし
、ストライプ磁区とした後、磁気抵抗効果を利用した検
出器により電気信号として取出し、バブルの有無を検出
するようになっている。
A magnetic bubble memory device is a thin film of magnetic garnet (magnetic bubble crystal) formed by liquid phase epitaxial growth on a single crystal substrate of gadolinium, gallium, and garnet, for example.
A bubble transfer path is formed using a soft magnetic thin film such as permalloy and has a matrix of half-disk or asymmetric chevron patterns on it, and the bubbles generated by a bubble generator according to the information are If there is a bubble in the pattern, it is set as "1", and if there is no bubble, it is set as "O", and the rhyme is stored. In addition, information is read by stretching the bubbles using a bubble domain stretcher to form striped magnetic domains, and then extracting them as electrical signals using a detector that utilizes the magnetoresistive effect to detect the presence or absence of bubbles.

このような磁気バブルメモリ素子は高密度化の一途をた
どっており、使用されるバブルも微細化される傾向にあ
る。このためバブル磁区伸長器においてバブルが充分伸
長されず検出能力が低下してくるという問題がある。
The density of such magnetic bubble memory elements continues to increase, and the bubbles used tend to become smaller. For this reason, there is a problem in that bubbles are not sufficiently expanded in the bubble domain expander, resulting in a decrease in detection ability.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第5図は従来のシェブロンパターンを用いたバブル磁区
伸長器を示す図である。このバブル磁区伸長器は軟磁性
薄膜の多数のシェブロンパターン1を一定の間隔で配列
した列2を多段に配置し、且つその前段の出口側素片3
を後段の入口側素片4と入り組むように配置したもので
ある。第6図はこのバブル磁区伸長器のバイアスマージ
ンのパターン周期依存性を示した図である。図は縦軸に
バイアス磁界を、横軸ζこ駆動磁界をとり、曲線A(×
印)によりパターンピッチP=15μ、B(白丸印)に
よりP=13.5μ、C(黒丸印)によりP=12μ、
D(三角印)によりP=10.5μの場合をそれぞれ示
している。図かられかるようにパターン周期Pが増加す
るに従いバイアスマージン上限が改善され伸長能力が増
大している。一方低バイアス側ではパターン周期の増加
に従いバイアスマージン下限が劣化していく傾向を示し
ている。これはバブルを効果的に伸長させるためにはパ
ターン周期を長くし、シェブロンパターンの足先に深い
ポテンシャルを形成するのが必要があるのに対し、パタ
ーン周期が長くなるとシェブロンパターン入口側素片の
形状異方性が増大し、第5図に示すa点からb点へのバ
ブル駆動力が弱くなるためである。このためバブル駆動
劣化を補うため第7図に示すようなシェブロンパターン
の山部でパターン幅が広がるような曲率をもたせた改良
パターンが用いられるようになって来ている。
FIG. 5 is a diagram showing a bubble domain expander using a conventional chevron pattern. This bubble domain expander has multiple rows 2 in which a large number of chevron patterns 1 of soft magnetic thin films are arranged at regular intervals, and an outlet side element 3 in the previous stage.
are arranged so as to be intertwined with the inlet side element piece 4 at the rear stage. FIG. 6 is a diagram showing the pattern period dependence of the bias margin of this bubble domain expander. In the figure, the vertical axis represents the bias magnetic field, the horizontal axis represents the drive magnetic field, and the curve A (×
), the pattern pitch P = 15μ, B (white circle), P = 13.5μ, C (black circle), P = 12μ,
The case of P=10.5μ is indicated by D (triangle mark). As can be seen from the figure, as the pattern period P increases, the upper limit of the bias margin is improved and the expansion ability is increased. On the other hand, on the low bias side, the lower limit of the bias margin tends to deteriorate as the pattern period increases. This is because in order to effectively extend the bubble, it is necessary to lengthen the pattern period and form a deep potential at the toe of the chevron pattern. This is because the shape anisotropy increases and the bubble driving force from point a to point b shown in FIG. 5 becomes weaker. For this reason, in order to compensate for the bubble-driven deterioration, an improved chevron pattern with a curvature that widens the pattern width at the peaks of the chevron pattern, as shown in FIG. 7, has come to be used.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上記の改良パターンを用いたバブル磁区伸長器において
も、バブルが微小化していくに従い第7図に示すように
シェブロンパターン1の出口側素片3の側面に生ずる磁
極によりストライプ(1区5が枝分れしやすくなり、か
らみによる誤動作を生ずるという問題がある。
Even in the bubble domain expander using the above-mentioned improved pattern, as the bubble becomes smaller, as shown in FIG. There is a problem in that they tend to separate and cause malfunctions due to entanglement.

本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、強い
伸長能力と安定したバブル特性を備えたバブル磁区伸長
器を提供することを目的としている。
The present invention was created in view of these points, and an object of the present invention is to provide a bubble magnetic domain expander with strong expansion ability and stable bubble characteristics.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

このため本発明においては、シェブロンパターン山部の
パターン間W1が、該シェブロンパターン10の谷部の
パターン幅W2よりも広がるような曲率を持つ複数個の
シェブロンパターン10を、一定の間隔で配列し、その
複数列を多段に、且つ前段の出口側素片12と後段の入
口側素片11が入り組むようにバブル進行方向に配置さ
れてなるバブル磁区伸長器において、前記シェブロンパ
ターン10の入口側素片11の長さが出口側素片12の
長さより短くなるような非対称構造を有していることを
特徴としている。
Therefore, in the present invention, a plurality of chevron patterns 10 having a curvature such that the pattern width W1 between the peaks of the chevron patterns is wider than the pattern width W2 of the valleys of the chevron patterns 10 are arranged at regular intervals. , in a bubble magnetic domain expander in which a plurality of rows thereof are arranged in multiple stages, and the outlet side element piece 12 at the front stage and the inlet side element piece 11 at the rear stage are arranged in the bubble traveling direction, the entrance side element of the chevron pattern 10 It is characterized by having an asymmetric structure in which the length of the piece 11 is shorter than the length of the outlet side element piece 12.

〔作 用〕[For production]

山部のパターン幅が谷部のパターン幅より広いシェブロ
ンパターン10の入口側素片11を出口側素片12より
短くすることにより、入口側素片11の形状異方性増大
を抑制し、入口側素片部におけるバブルの転送特性劣化
を防止し、さらに出口側素片12の先端部に深いポテン
シャルが形成されバブル伸長能力も増大する。
By making the entrance-side elemental piece 11 of the chevron pattern 10, in which the pattern width at the peak part is wider than the pattern width at the trough part, shorter than the exit-side elemental piece 12, an increase in the shape anisotropy of the entrance-side elemental piece 11 is suppressed, and This prevents deterioration of the bubble transfer characteristics at the side elemental piece, and furthermore, a deep potential is formed at the tip of the exit side elemental piece 12, increasing the bubble expansion ability.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の実施例を示す図である。 FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.

本実施例は図に示すように、山部のパターン幅W1が谷
部のパターン幅W2よりも広い曲率を持つシェブロンパ
ターン10の複数個を列状に配列し、そのパターン列の
複数列をバブルが進入する側の入口側素片11とバブル
が退出する側の出口側素片12とが入り組む様に多段に
配置されていることは従来と同様であり、本実施例の要
点はシェブロンパターン10を、その入口側素片11の
長さ11を出口側素片12の長さ7!2より短くなるよ
うに非対称に形成したことである。
As shown in the figure, in this embodiment, a plurality of chevron patterns 10 having a curvature wider than the pattern width W1 at the crests than the pattern width W2 at the troughs are arranged in a row, and the plurality of the pattern rows are formed into bubbles. The inlet side elemental piece 11 on the side where the bubble enters and the exit side elemental piece 12 on the side where the bubble exits are arranged in multiple stages in a complicated manner, as in the conventional case, and the key point of this embodiment is to create a chevron pattern. 10 is formed asymmetrically so that the length 11 of the inlet side elemental piece 11 is shorter than the length 7!2 of the outlet side elemental piece 12.

このように構成された本実施例は、出口側素片12より
入口側素片11が短いため、人口側素片11の形状異方
性増大を抑制され、入口側素片11におけるバブルの転
送特性の劣化が防止される。さらにその時出口側素片1
2の長さは従来の対称型シェブロンの素片長よりも長く
なるため、その先端部にはより深いポテンシャルが形成
される様になりバブル伸長能力も増大する。
In this embodiment configured as described above, since the entrance side elemental piece 11 is shorter than the exit side elemental piece 12, the increase in shape anisotropy of the artificial side elemental piece 11 is suppressed, and the transfer of bubbles in the entrance side elemental piece 11 is suppressed. Deterioration of characteristics is prevented. Furthermore, at that time, the exit side element 1
Since the length of the chevron 2 is longer than that of the conventional symmetrical chevron, a deeper potential is formed at its tip, and the bubble expansion ability is increased.

第2図は本発明の他の実施例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing another embodiment of the present invention.

本実施例は図に示すように2つの隣接したシェブロンパ
ターン10の入口側素片11を接続したものである。
In this embodiment, as shown in the figure, the entrance side pieces 11 of two adjacent chevron patterns 10 are connected.

このように構成された本実施例は、出口側素片12のハ
゛プル出口が山の位置より遠ざかるため出口側素片12
の側面に生ずる磁極が弱くなり第7図で説明したバブル
のからみによる誤動作が防止される。
In this embodiment configured in this way, since the triple exit of the outlet side elemental piece 12 is farther away from the mountain position, the outlet side elemental piece 12
The magnetic poles generated on the side surfaces of the tube are weakened, and malfunctions due to entanglement of bubbles as explained in FIG. 7 are prevented.

なお第1U3.第2図のシェブロンパターンにおいて、
入口側素片11の長さ11は、第6図の結果より見て1
2μ周期のシェブロンパターンでは下限劣化が殆ど見ら
れないことがら、最大6μ程度とすることが望ましい。
Furthermore, 1st U3. In the chevron pattern shown in Figure 2,
The length 11 of the entrance side elemental piece 11 is 1 according to the results shown in FIG.
Since a chevron pattern with a period of 2μ shows almost no lower limit deterioration, it is desirable to set the maximum to about 6μ.

また出口側素片12の長さ12は次に説明する実験結果
より最大10μ程度とすることで充分である。
Further, it is sufficient to set the length 12 of the outlet side piece 12 to about 10 μ at the maximum based on the experimental results described below.

第3図はバーパターンのパターン長とその先端部に生ず
るポテンシャルを測定した結果である。
FIG. 3 shows the results of measuring the pattern length of the bar pattern and the potential generated at its tip.

図は幅1μのバーパターンの長さlを横軸に、バイアス
磁界を縦軸にとり、曲線へで駆動磁界800eの場合、
曲線Bで600e 、曲VACで400e、曲線りで2
00eの各場合をそれぞれ示している。図から分かるよ
うにバーパターンのポテンシャルは1=10μ程度で飽
和しはじめていることがら出口側素片12の長さ12は
前記の如<10μ程度で良い。
The figure shows the length l of a bar pattern with a width of 1 μ on the horizontal axis and the bias magnetic field on the vertical axis.
600e on curve B, 400e on curve VAC, 2 on curve
Each case of 00e is shown. As can be seen from the figure, the potential of the bar pattern begins to be saturated at about 1=10μ, so the length 12 of the outlet side element 12 may be about <10μ as described above.

第4図は本発明の実施例のバイアスマージンを従来例と
比較して示した図である。同図において、横軸に駆動磁
界、縦軸にバイアス磁界をとり、曲線A(黒丸印)で第
1図に示した実施例(P=13μ、11−4μ、12−
7μ)を、曲線B(三角印)で第7図に示した従来例(
P=13μ、Nj=112= 6.5μ)を、曲線C(
白丸印)で第5図に示した従来例(P=9.6μ、11
=12 =4.8μ)を示した。図より本実施例(曲線
A)は従来例(曲&iB、C)に比してバイアスマージ
ンの上下限共良好な特性を示していることが分かる。
FIG. 4 is a diagram showing the bias margin of the embodiment of the present invention in comparison with the conventional example. In the figure, the horizontal axis represents the driving magnetic field, the vertical axis represents the bias magnetic field, and curve A (black circle) represents the embodiments shown in FIG. 1 (P = 13μ, 11-4μ, 12-
7μ) in the conventional example (
P = 13μ, Nj = 112 = 6.5μ) by curve C (
Conventional example (P=9.6μ, 11
=12 =4.8μ). It can be seen from the figure that this embodiment (curve A) exhibits better characteristics in both the upper and lower limits of the bias margin than the conventional examples (curve &iB, C).

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上述べてきたように本発明によれば、極めて節易な構
成で強いバブル伸長能力と安定したバブル転送特性を得
ることができ、実用的には極めて有用である。
As described above, according to the present invention, strong bubble expansion ability and stable bubble transfer characteristics can be obtained with an extremely simple configuration, and it is extremely useful in practice.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例を示す図、 第2図は本発明の他の実施例を示す図、第3図はバーパ
ターンのポテンシャル深さのバー長さ依存性を示す図、 第4図は本発明の実施例のバブル転送特性を従来例と比
較して示した図、 第5図は従来のバブル磁区伸長器を示す図、第6図は従
来のバブル磁区伸長器のバイアスマージンのパターン周
期依存性を示す図、第7図は従来の改良パターンを用い
たバブル磁区伸長器を示す図である。 第1図、第2図において、 10はシェブロンパターン、 1工は入口側素片、 12は出口側素片である。 〕1 本発明の実施例を示す図 10・・・シェブロンパターン 〕]・・・入口側素片 ]2・・・出口側素片 本発明の他の実施例を示す図 第2図 ハーバターンの;士?テンシャル深すノバー長さ依存性
を示す図 第3図 本発明の実施例の伝送特性を 従来例と比較して示した図 第4図 従来のバブル磁区伸長器を示す図 1・・・シェブロンパターン 2・・・ ノぐターン列 3・・・出口側素片 4・・・入口側素片 駆動磁界HD (Oe) 従来のバブル磁区伸長器のバイアス マージンのパターン周期依存性を示す図第6図
Fig. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a diagram showing another embodiment of the invention, Fig. 3 is a diagram showing the bar length dependence of the potential depth of a bar pattern, and Fig. 4 is a diagram showing an example of the present invention. The figure shows the bubble transfer characteristics of the embodiment of the present invention in comparison with the conventional example. Figure 5 shows the conventional bubble domain expander. Figure 6 shows the bias margin of the conventional bubble domain expander. FIG. 7, which is a diagram showing pattern period dependence, is a diagram showing a bubble domain expander using a conventional improved pattern. In FIGS. 1 and 2, 10 is a chevron pattern, 1 is an inlet side piece, and 12 is an outlet side piece. ] 1 FIG. 10 showing an embodiment of the present invention... Chevron pattern] ]... Entrance side piece] 2... Outlet side piece FIG. 2 Showing another embodiment of the present invention; Master? Figure 3 shows the dependence of tensile depth on the knob length Figure 3 shows the transmission characteristics of the embodiment of the present invention in comparison with the conventional example Figure 4 shows the conventional bubble domain expander Figure 1...chevron pattern 2... Nog turn row 3... Outlet side elemental piece 4... Inlet side elemental piece driving magnetic field HD (Oe) Figure 6 shows the pattern period dependence of the bias margin of a conventional bubble domain expander.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、シェブロンパターン山部のパターン幅(W_1が、
該シェブロンパターンの谷部のパターン幅(W_2)よ
りも広がるような曲率を持ち、該シェブロンパターン(
10)の入口側素片(11)と出口側素片(12)が入
り組むようにバブル進行方向に配置されてなるバブル伸
長器において、 上記シェブロンパターン(10)の入口側素片(11)
の長さが出口側素片(12)の長さより短くなるような
非対称構造を有していることを特徴とするバブル磁区伸
長器。 2、上記シェブロンパターン(10)の相隣れる2つず
つのパターンが、それぞれその入口側素片(11)がつ
ながっていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載のバブル磁区伸長器。
[Claims] 1. The pattern width of the chevron pattern mountain portion (W_1 is
The chevron pattern (
10) In the bubble stretcher in which the inlet side elemental piece (11) and the outlet side elemental piece (12) are arranged in the bubble traveling direction so as to be intertwined, the inlet side elemental piece (11) of the chevron pattern (10) is arranged.
A bubble magnetic domain expander characterized in that it has an asymmetric structure in which the length of the bubble is shorter than the length of the outlet side element (12). 2. The bubble domain expander according to claim 1, characterized in that two adjacent chevron patterns (10) are connected to each other at their inlet side pieces (11). .
JP61191689A 1986-08-18 1986-08-18 Bubble magnetic domain stretching device Pending JPS6348690A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6746032B2 (en) 2001-06-20 2004-06-08 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Suspension structure
US7367573B2 (en) 2004-03-31 2008-05-06 Honda Motor Co., Ltd. All terrain vehicle

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