JPS6346701A - リ−ド付サ−ミスタの製造方法 - Google Patents
リ−ド付サ−ミスタの製造方法Info
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- JPS6346701A JPS6346701A JP19149486A JP19149486A JPS6346701A JP S6346701 A JPS6346701 A JP S6346701A JP 19149486 A JP19149486 A JP 19149486A JP 19149486 A JP19149486 A JP 19149486A JP S6346701 A JPS6346701 A JP S6346701A
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- Japan
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- thermistor
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- lead
- resin
- frame
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- Pending
Links
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ産業上の利用分野
この発明は、温度センサとして用いられるリード付サー
ミスタの製造方法に関する。
ミスタの製造方法に関する。
（ｂｌ従来の技術
サーミスタを温度センサとして用いる場合、サーミスタ
素体に電極を形成し、この電極にリードを接続してリー
ド付部品として用いられている。
素体に電極を形成し、この電極にリードを接続してリー
ド付部品として用いられている。
第５図は従来の温度センサの一例を表す図である。この
図において符号１０はチップ状のＩナーミスタであり第
４図に示すようにサーミスタ素体１の表裏に電極２，３
が形成されている。このようなチップ状サーミスタに絶
縁被覆線１１ａ、ｌｌｂを酸１抗するために、絶縁被覆
線１１ａ、ｌｌｂの一端の被覆を除去し、芯線８，９を
露出させて、この二つの芯線の間にチップ状サーミスタ
を半田例げし、洗浄、乾燥後、樹脂コート１２を行って
リード付サーミスタを構成している。
図において符号１０はチップ状のＩナーミスタであり第
４図に示すようにサーミスタ素体１の表裏に電極２，３
が形成されている。このようなチップ状サーミスタに絶
縁被覆線１１ａ、ｌｌｂを酸１抗するために、絶縁被覆
線１１ａ、ｌｌｂの一端の被覆を除去し、芯線８，９を
露出させて、この二つの芯線の間にチップ状サーミスタ
を半田例げし、洗浄、乾燥後、樹脂コート１２を行って
リード付サーミスタを構成している。
（Ｃ）発明が解決しようとする問題点
このような従来のリード付サーミスタの製造方法によれ
ば、チップ状サーミスタの半田付けや樹脂コートの際、
サーミスタがフラツクスや熱ショックの影響を受けるこ
とにより、特に抵抗値が変化するく加工変化）問題があ
った。この抵抗値変化は３〜数％の変化であるが、抵抗
値の偏差が±１％〜±２％という高精度の；ＩＰ度セン
サを製造する場合においては、前記加工変化によって不
良品が発生する場合があった。しかも、不良品であるこ
とは絶縁被覆線を接続して、はぼ最終的な製品の形体と
なった段階で判別されるものであり、一旦不良となれば
チップ状サーミスタはもちろん絶縁被覆線もそのまま廃
棄しなければならなかった。特に、絶縁被覆線が１ｍ以
上のものも少なくなく、不良品による損失額も無視でき
ない問題であった。
ば、チップ状サーミスタの半田付けや樹脂コートの際、
サーミスタがフラツクスや熱ショックの影響を受けるこ
とにより、特に抵抗値が変化するく加工変化）問題があ
った。この抵抗値変化は３〜数％の変化であるが、抵抗
値の偏差が±１％〜±２％という高精度の；ＩＰ度セン
サを製造する場合においては、前記加工変化によって不
良品が発生する場合があった。しかも、不良品であるこ
とは絶縁被覆線を接続して、はぼ最終的な製品の形体と
なった段階で判別されるものであり、一旦不良となれば
チップ状サーミスタはもちろん絶縁被覆線もそのまま廃
棄しなければならなかった。特に、絶縁被覆線が１ｍ以
上のものも少なくなく、不良品による損失額も無視でき
ない問題であった。
この発明はこのような従来の問題点を解消して、不良品
の発生によるｔＵ失額を低減するものである。
の発生によるｔＵ失額を低減するものである。
（ｄ）問題点を解決するための手段
この発明は、チップ状サーミスタをフレームリードに挟
持し、電気的に接続した後、前記チップ状サーミスタの
周囲を樹脂コートし、さらに前記フレームリードに絶縁
被覆線の芯線を接続し、この接続部および前記樹脂コー
トの周囲をさらに樹脂コートすることを特徴とする。
持し、電気的に接続した後、前記チップ状サーミスタの
周囲を樹脂コートし、さらに前記フレームリードに絶縁
被覆線の芯線を接続し、この接続部および前記樹脂コー
トの周囲をさらに樹脂コートすることを特徴とする。
（ｅ）作用
以上の製造方法であれば、チップ状サーミスタをフレー
ムリードに接続して樹脂コートを行った時点で半製品が
形成される。この時、チップ状サーミスタにはすでにフ
ラフクスや熱シジソクによる影３Ｂが与えられているた
め、この時点で特性をチエツクすることにより、不良品
を判別することができる。したがって、良品とみなされ
た半製品にのみ、後の工程で絶縁被覆線を接続すること
になり、絶縁被覆線を廃棄することがなくなる。
ムリードに接続して樹脂コートを行った時点で半製品が
形成される。この時、チップ状サーミスタにはすでにフ
ラフクスや熱シジソクによる影３Ｂが与えられているた
め、この時点で特性をチエツクすることにより、不良品
を判別することができる。したがって、良品とみなされ
た半製品にのみ、後の工程で絶縁被覆線を接続すること
になり、絶縁被覆線を廃棄することがなくなる。
（ｆｌ実施例
第２図はこの発明のリード付ザーミスタの製造方法に用
いられるフレームリードの形状を表す図である。この図
に示すようにフレームリードはフレーム４に対して５，
６を一対とするリードが突設されている。リード５，６
の先端部５ａ、５ａはその間隔が狭く形成されていて、
このような形状のリードがフレーム４にｉ！！続して多
数突設されている。なお、フレーム４およびリード５，
６はフープ材としてリールに巻きつけられて用いられる
。
いられるフレームリードの形状を表す図である。この図
に示すようにフレームリードはフレーム４に対して５，
６を一対とするリードが突設されている。リード５，６
の先端部５ａ、５ａはその間隔が狭く形成されていて、
このような形状のリードがフレーム４にｉ！！続して多
数突設されている。なお、フレーム４およびリード５，
６はフープ材としてリールに巻きつけられて用いられる
。
このようなフレームリードに対してチップ状サーミスタ
を取り付け、半製品を形成するが、第３図（Ａ）〜（Ｃ
）はその各段階を表している。同図（Ａ）において１０
はチップ状サーミスタであり、リードの先端部５ａ、５
ａの間に挟持されて、その状態で半田槽へ浸漬し、リー
ド先端部とチップ状サーミスタの電極を半田付けする。
を取り付け、半製品を形成するが、第３図（Ａ）〜（Ｃ
）はその各段階を表している。同図（Ａ）において１０
はチップ状サーミスタであり、リードの先端部５ａ、５
ａの間に挟持されて、その状態で半田槽へ浸漬し、リー
ド先端部とチップ状サーミスタの電極を半田付けする。
その後、洗浄および乾燥を行い、同図（Ｂ）に示すよう
にエポキシ樹脂などの封止用樹脂７を塗布し、乾燥、固
化する。
にエポキシ樹脂などの封止用樹脂７を塗布し、乾燥、固
化する。
その後、同図（Ｃ）に示すように、リード５゜６の所定
位置をカッティングして半製品を得る。
位置をカッティングして半製品を得る。
この状態でサーミスタの特性が測定され、良品／不良品
の判別が行われる。
の判別が行われる。
第１図は良品とみなされたフレームリード付サーミスタ
に絶縁被覆線を接続して完成品とした状態を表している
。すなわち、先ず塩化ビニルなどの絶縁体が被覆された
絶縁被覆線１１ａ、ｌｌｂの端部の被覆を除去し、芯線
８，９を露出させ、この芯線に前記フレームリードのリ
ード５，６を接続する。この接続方法としては、半田付
け、抵抗溶接、超音波溶接および圧着などによって行わ
れる。その後、この接続部および樹脂コート７の周囲を
さらにエポキシ樹脂などの封止用ｔＹ１脂１２を塗布し
乾燥、同化する。
に絶縁被覆線を接続して完成品とした状態を表している
。すなわち、先ず塩化ビニルなどの絶縁体が被覆された
絶縁被覆線１１ａ、ｌｌｂの端部の被覆を除去し、芯線
８，９を露出させ、この芯線に前記フレームリードのリ
ード５，６を接続する。この接続方法としては、半田付
け、抵抗溶接、超音波溶接および圧着などによって行わ
れる。その後、この接続部および樹脂コート７の周囲を
さらにエポキシ樹脂などの封止用ｔＹ１脂１２を塗布し
乾燥、同化する。
なお、！１！！縁被覆線の芯線８，９とフレームリード
のリード５，６の接続を半田付けにより行う場合、フラ
フクスを用いるが、この時すてにチップ状サーミスタ１
０は樹脂コート（７）されているため、このフラフクス
によるｔ’Ｊはない。また、エポキシ樹脂１２の乾燥工
程において加熱されるが、チップ状サーミスタはすでに
加工変化を受けているため、この段階で良品が不良品に
なるモイ［率は非常に低い。
のリード５，６の接続を半田付けにより行う場合、フラ
フクスを用いるが、この時すてにチップ状サーミスタ１
０は樹脂コート（７）されているため、このフラフクス
によるｔ’Ｊはない。また、エポキシ樹脂１２の乾燥工
程において加熱されるが、チップ状サーミスタはすでに
加工変化を受けているため、この段階で良品が不良品に
なるモイ［率は非常に低い。
（ご）発明の効果
以上のようにこの発明によれば、フレームリードのリー
ドにチップ状サーミスタを取つイＫｊけ、樹脂コートし
てフレームリード付サ−ミスタを構成した段階で抵抗値
を測定し、良品／不良品の判別を行うため、良品のフレ
ームリード付サーミスタについてのみ絶縁被覆線を接続
することができる。このため絶縁被覆線を無駄にするこ
とがない。
ドにチップ状サーミスタを取つイＫｊけ、樹脂コートし
てフレームリード付サ−ミスタを構成した段階で抵抗値
を測定し、良品／不良品の判別を行うため、良品のフレ
ームリード付サーミスタについてのみ絶縁被覆線を接続
することができる。このため絶縁被覆線を無駄にするこ
とがない。
また、チップ状サーミスタはフレームリードの状態にお
いて取り付け、樹脂コートおよび抵抗測定が行われるた
め、容易に自動化することができる。また、長い絶縁被
覆線に直接チップ状サーミスタを取り付ける必要がない
ので、チップ状サーミスタの取り付は工程が、絶縁被覆
線の長さと無関係となり、工程を標準化することができ
る。
いて取り付け、樹脂コートおよび抵抗測定が行われるた
め、容易に自動化することができる。また、長い絶縁被
覆線に直接チップ状サーミスタを取り付ける必要がない
ので、チップ状サーミスタの取り付は工程が、絶縁被覆
線の長さと無関係となり、工程を標準化することができ
る。
第１図はこの発明の実施例である製造方法により製造さ
れたリード付サーミスタの構造を表す図、第２図は同リ
ード付サーミスタに用いられるフレームリードを表す図
、第３図（Ａ）〜（Ｃ）はこのフレームリードにチップ
状サーミスタを取り付け、樹脂コートし、さらにリード
をカッティングする工程を表す図、第４図はチップ状ナ
ーミスタの構造を表す図、第５図は従来のリード付サー
ミスタの構造を表す図である。 ４−フレーム、 ５，６−リード、 （４，５，６−フレームリード） ７−）、ｉ（脂コートされた樹脂、 ８．９＝芯線、 １０−チップ状サーミスタ、 １１ａ、’１ｂ−１ｆＴｈ縁被ｍ ＞Ｊ、１Ｚ−樹脂コ
ートされた樹脂。
れたリード付サーミスタの構造を表す図、第２図は同リ
ード付サーミスタに用いられるフレームリードを表す図
、第３図（Ａ）〜（Ｃ）はこのフレームリードにチップ
状サーミスタを取り付け、樹脂コートし、さらにリード
をカッティングする工程を表す図、第４図はチップ状ナ
ーミスタの構造を表す図、第５図は従来のリード付サー
ミスタの構造を表す図である。 ４−フレーム、 ５，６−リード、 （４，５，６−フレームリード） ７−）、ｉ（脂コートされた樹脂、 ８．９＝芯線、 １０−チップ状サーミスタ、 １１ａ、’１ｂ−１ｆＴｈ縁被ｍ ＞Ｊ、１Ｚ−樹脂コ
ートされた樹脂。
Claims (1)
- （１）チップ状サーミスタをフレームリードに挟持し、
電気的に接続した後、前記チップ状サーミスタの周囲を
樹脂コートし、さらに前記フレームリードに絶縁被覆線
の芯線を接続し、この接続部および前記樹脂コートの周
囲をさらに樹脂コートすることを特徴とするリード付サ
ーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19149486A JPS6346701A (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | リ−ド付サ−ミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19149486A JPS6346701A (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | リ−ド付サ−ミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6346701A true JPS6346701A (ja) | 1988-02-27 |
Family
ID=16275576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19149486A Pending JPS6346701A (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | リ−ド付サ−ミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6346701A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0311702A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 温度センサの製造方法 |
| JPH03165007A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス封止形サーミスタの製造方法 |
| JP2008026199A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 温度センサとそれを備えた暖房便座装置 |
| JP6360273B1 (ja) * | 2018-02-13 | 2018-07-18 | 株式会社芝浦電子 | 温度センサ、センサ素子及び温度センサの製造方法 |
| JP2021089172A (ja) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | 日本光電工業株式会社 | 感温プローブ |
-
1986
- 1986-08-14 JP JP19149486A patent/JPS6346701A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0311702A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 温度センサの製造方法 |
| JPH03165007A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス封止形サーミスタの製造方法 |
| JP2008026199A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 温度センサとそれを備えた暖房便座装置 |
| JP6360273B1 (ja) * | 2018-02-13 | 2018-07-18 | 株式会社芝浦電子 | 温度センサ、センサ素子及び温度センサの製造方法 |
| WO2019159221A1 (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 株式会社芝浦電子 | 温度センサ、センサ素子及び温度センサの製造方法 |
| EP3553481A4 (en) * | 2018-02-13 | 2019-11-20 | Shibaura Electronics Co., Ltd. | TEMPERATURE SENSOR, SENSOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING A TEMPERATURE SENSOR |
| US11428584B2 (en) | 2018-02-13 | 2022-08-30 | Shibaura Electronics Co., Ltd. | Temperature sensor, sensor element and manufacturing method of temperature sensor |
| JP2021089172A (ja) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | 日本光電工業株式会社 | 感温プローブ |
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