JPS6343318A - 光電子像転写の位置合わせ方法 - Google Patents
光電子像転写の位置合わせ方法Info
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- JPS6343318A JPS6343318A JP61187408A JP18740886A JPS6343318A JP S6343318 A JPS6343318 A JP S6343318A JP 61187408 A JP61187408 A JP 61187408A JP 18740886 A JP18740886 A JP 18740886A JP S6343318 A JPS6343318 A JP S6343318A
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
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- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光電子像転写における、マスクに設けた位置合わせ用パ
ターンからの光電子をウェーハに設けた位置合わせ用マ
ークに照射して行う位置合わせにおいて、 位置合わせヰ★知のための信号媒体として上記マークか
ら放出される電子を用い、位置合わせ用検知器の配設位
置を従来のウェーハ背面側からマスクとウェーハとの間
の空間に移すことにより、ウェーハステージの構成の簡
素化を図ったものである。
ターンからの光電子をウェーハに設けた位置合わせ用マ
ークに照射して行う位置合わせにおいて、 位置合わせヰ★知のための信号媒体として上記マークか
ら放出される電子を用い、位置合わせ用検知器の配設位
置を従来のウェーハ背面側からマスクとウェーハとの間
の空間に移すことにより、ウェーハステージの構成の簡
素化を図ったものである。
本発明は、マスクから放出される光電子の照射により、
マスクに形成されたパターンをマスクと対向するウェー
ハに転写する光電子像転写におけるマスクとウェーハと
の位置合わせ方法に関す。
マスクに形成されたパターンをマスクと対向するウェー
ハに転写する光電子像転写におけるマスクとウェーハと
の位置合わせ方法に関す。
半導体集積回路例えば超ＬＳＩなどを製造する微細加工
技術の一つとして、ウェーハに微細パタ−ンを露光する
技術がある。
技術の一つとして、ウェーハに微細パタ−ンを露光する
技術がある。
上記した光電子像転写法は、この露光技術におけるパタ
ーンの微細化に対応する新しいものの一つで、従来の紫
外線露光法に比して解像度が高（、従来の電子ビーム露
光法や新しいイオンビーム露光法に比してスループット
示大きく、またＳＯＲ光（シンクロトロン放射光）を光
源にする新しいＸ線露光法に比して設備費が小さい特徴
を有するものとして実用化が期待され、種々の改良検討
が加えられているが、上記位置合わせ方法もその一つで
ある。
ーンの微細化に対応する新しいものの一つで、従来の紫
外線露光法に比して解像度が高（、従来の電子ビーム露
光法や新しいイオンビーム露光法に比してスループット
示大きく、またＳＯＲ光（シンクロトロン放射光）を光
源にする新しいＸ線露光法に比して設備費が小さい特徴
を有するものとして実用化が期待され、種々の改良検討
が加えられているが、上記位置合わせ方法もその一つで
ある。
光電子像転写法は、第２図の側面図に示すが如くである
。
。
即ち、真空（１０−９〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒ）にした露光
室１内において、光電面でパターンを形成したマスク２
の光電面側と、ウェーハステージ３上に載置されたウェ
ーハ４の露光面とを平行に対向させて、マスク２とウェ
ーハ４との間に電界と磁界とを印加しておく。そして光
源５でマスク２を背面側から（透過式）若しくは前面側
から（反射式）光照射して光電面から光電子６を放出さ
せる。放出された光電子６は、上記電界および磁界の作
用によりウェーハ４の露光面を照射して、マスク２のパ
ターンをウェーハ４に等倍転写露光する。
室１内において、光電面でパターンを形成したマスク２
の光電面側と、ウェーハステージ３上に載置されたウェ
ーハ４の露光面とを平行に対向させて、マスク２とウェ
ーハ４との間に電界と磁界とを印加しておく。そして光
源５でマスク２を背面側から（透過式）若しくは前面側
から（反射式）光照射して光電面から光電子６を放出さ
せる。放出された光電子６は、上記電界および磁界の作
用によりウェーハ４の露光面を照射して、マスク２のパ
ターンをウェーハ４に等倍転写露光する。
一方、転写露光では、露光に先立ちマスクとウェーハと
の位置合わせを行うことが必要である。
の位置合わせを行うことが必要である。
上述した光電子像転写における上記位置合わせは、従来
第３図の側面図に示す方法が考えられている（参考文献
：例えば、“高加速電圧による電子ビーム像転写システ
ム”、 １０Ｍｏｒｉ他＋ Ｅｘｔｅｎｄｅｄ＾ｂｓｔ
ｒａｃｔ ｏｆ ｔｈｅ １７ｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅ
ｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄＳｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、 Ｔｏｋｙｏ＋
１９８５＋ｐｐ、３４１−３４４）。
第３図の側面図に示す方法が考えられている（参考文献
：例えば、“高加速電圧による電子ビーム像転写システ
ム”、 １０Ｍｏｒｉ他＋ Ｅｘｔｅｎｄｅｄ＾ｂｓｔ
ｒａｃｔ ｏｆ ｔｈｅ １７ｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅ
ｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄＳｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、 Ｔｏｋｙｏ＋
１９８５＋ｐｐ、３４１−３４４）。
即ち、マスク２には光電面で形成した位置合わせ用パタ
ーン１１を、ウェーハ４露光面の対応する位置にはタン
タル（Ｔａ）などの重金属からなるマーク１２を設ける
。そしてパターン１１を選択的に光照射（図は透過式で
示す）し、パターン１１から放出する光電子６の照射に
よりマーク１２から発生するＸ線１３をウェーハ４の背
面側に配設したＸ線検知器２０で検出し、ステージ３の
操作によりウェーハ４を移動させて検知器２０の検出信
号が最大になる点に合わせる方法である。
ーン１１を、ウェーハ４露光面の対応する位置にはタン
タル（Ｔａ）などの重金属からなるマーク１２を設ける
。そしてパターン１１を選択的に光照射（図は透過式で
示す）し、パターン１１から放出する光電子６の照射に
よりマーク１２から発生するＸ線１３をウェーハ４の背
面側に配設したＸ線検知器２０で検出し、ステージ３の
操作によりウェーハ４を移動させて検知器２０の検出信
号が最大になる点に合わせる方法である。
しかしながら上記従来の位置合わせ方法では、検知器２
０の配設位置がステージ３の中になり、ステージ３の構
成が複雑になる問題がある。
０の配設位置がステージ３の中になり、ステージ３の構
成が複雑になる問題がある。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、位置合わせ用検知器に複数の電極を具え
て電子増倍機能を有する電子線検知器を用い、その検知
器を各電極にマスクとウェーハとの間の電界を乱さない
ような電位を与えてマスクとウェーハとの間に配設し、
マスクの位置合わせ用パターンからの光電子の照射によ
りウェーハのマークから放出される電子を上記検知器で
検出して、マスクとウェーハとの位置合わせを行う本発
明の位置合わせ方法によって解決される。
て電子増倍機能を有する電子線検知器を用い、その検知
器を各電極にマスクとウェーハとの間の電界を乱さない
ような電位を与えてマスクとウェーハとの間に配設し、
マスクの位置合わせ用パターンからの光電子の照射によ
りウェーハのマークから放出される電子を上記検知器で
検出して、マスクとウェーハとの位置合わせを行う本発
明の位置合わせ方法によって解決される。
本方法は、位置合わせ検知のための信号媒体として、ウ
ェーハのマークから放出される電子を用いている。この
電子には反射電子や二次電子があるが、その検出は上記
電子線検知器を用いてマスクとウェーハとの間の空間で
行うことが出来る。
ェーハのマークから放出される電子を用いている。この
電子には反射電子や二次電子があるが、その検出は上記
電子線検知器を用いてマスクとウェーハとの間の空間で
行うことが出来る。
そしてこの検知器の配設によりマスクとウェーハとの間
の電界が乱されないので、検知器の検出信号は、信号媒
体にＸ線を用いた従来方法の場合と同様に、マスクとウ
ェーハとの合わせ位置を提示する。
の電界が乱されないので、検知器の検出信号は、信号媒
体にＸ線を用いた従来方法の場合と同様に、マスクとウ
ェーハとの合わせ位置を提示する。
かくして、位置合わせ用検知器の配設位置が、当該転写
のために必要な構成部材と干渉することのないマスクと
ウェーハとの間の空間に移されて、従来方法の場合では
複雑になったウェーハステージの構成が簡素化される。
のために必要な構成部材と干渉することのないマスクと
ウェーハとの間の空間に移されて、従来方法の場合では
複雑になったウェーハステージの構成が簡素化される。
〔実施例〕
以下、当該転写における本発明の位置合わせ方法の実施
例について第１図の側面図を用い説明する。全図を通し
同一符号は同一対象物を示す。
例について第１図の側面図を用い説明する。全図を通し
同一符号は同一対象物を示す。
第１図に示す方法は、第３図図示従来方法のＸ線検知器
２０を電子線検知器３０に変えてこれをマスク２とウェ
ーハ４との間の空間に配設し、Ｘ線１３を発生させるの
と同様にした光電子６の照射により、ウェーハ４に設け
たマーク１２からマスク２側に放出する電子（反射電子
や二次電子）１４を電子線検知器３０で検出し、従来方
法と同様にウェーハ４を移動させながら検知器３０の検
出信号を監視して、マスク２とウェーハ４の位置合わせ
をするものである。
２０を電子線検知器３０に変えてこれをマスク２とウェ
ーハ４との間の空間に配設し、Ｘ線１３を発生させるの
と同様にした光電子６の照射により、ウェーハ４に設け
たマーク１２からマスク２側に放出する電子（反射電子
や二次電子）１４を電子線検知器３０で検出し、従来方
法と同様にウェーハ４を移動させながら検知器３０の検
出信号を監視して、マスク２とウェーハ４の位置合わせ
をするものである。
電子線検知器３０は、複数の電極を具えて電子増倍機能
を有する素子、即ち、二つの電極３１および３２の間の
電位差により電臣３１側に入射した電子１４を電極３２
側に移行させながら増倍し、増倍された電子を電極３２
側に配置された電極３３で捕捉して電気的出力信号とす
る素子であり、具体的にはセラトロン（材用製作所）ま
たはマイクロチャヱルプレート （浜松ホトニクス）な
どである。
を有する素子、即ち、二つの電極３１および３２の間の
電位差により電臣３１側に入射した電子１４を電極３２
側に移行させながら増倍し、増倍された電子を電極３２
側に配置された電極３３で捕捉して電気的出力信号とす
る素子であり、具体的にはセラトロン（材用製作所）ま
たはマイクロチャヱルプレート （浜松ホトニクス）な
どである。
電極３１〜３３のそれぞれに与える電位は、第２図で説
明したマスク２とウェーハ４との間の電界における各電
極３１〜３３の位置の電位に合致させておく。それは、
上記電界を乱さないようにして、光電子６の進路に歪が
発生するの防止するためである。そして、マスク２とウ
ェーハ４との間の電位差が極めて大きいので、電極３１
と３２との間の電位差は電子増倍機能に充分な値となり
、電子線検知器３０は、電子１４を高感度に検出する。
明したマスク２とウェーハ４との間の電界における各電
極３１〜３３の位置の電位に合致させておく。それは、
上記電界を乱さないようにして、光電子６の進路に歪が
発生するの防止するためである。そして、マスク２とウ
ェーハ４との間の電位差が極めて大きいので、電極３１
と３２との間の電位差は電子増倍機能に充分な値となり
、電子線検知器３０は、電子１４を高感度に検出する。
ここで、電子１４が電極３１側から入射するのは、マス
ク２とウェーハ４との間の電界の作用により、電子１４
が放物線状に進むからである。
ク２とウェーハ４との間の電界の作用により、電子１４
が放物線状に進むからである。
マーク１２が第３図で説明したのと同様に重金属からな
る場合には、位置合わせは、検知器３０の検出信号が最
大になる点を求めることによって達成される。またマー
ク１２はウェーハ４に彫り込んだ溝であっても良く、そ
の場合には、検知器３０の検出信号が溝の両側の段差の
ところで変化するので、その変化点から所望の合わせ位
置を求めることが出来る。
る場合には、位置合わせは、検知器３０の検出信号が最
大になる点を求めることによって達成される。またマー
ク１２はウェーハ４に彫り込んだ溝であっても良く、そ
の場合には、検知器３０の検出信号が溝の両側の段差の
ところで変化するので、その変化点から所望の合わせ位
置を求めることが出来る。
そしてマーク１２を複数例えば１０１１１ｉ１のストラ
イブで構成し、ストライプ幅を１μｍ程度にすることに
より、０．１μｍ程度の合わせ精度を得ることが可能で
ある。
イブで構成し、ストライプ幅を１μｍ程度にすることに
より、０．１μｍ程度の合わせ精度を得ることが可能で
ある。
なお、検知器３０を複数にし、これらをウエーノ＼４に
平行な平面に並べることにより電子１４の検出感度を一
層高めることが出来る。またこの場合、複数の検知器３
０を一体化しても良い。
平行な平面に並べることにより電子１４の検出感度を一
層高めることが出来る。またこの場合、複数の検知器３
０を一体化しても良い。
かくして本発明の位置合わせ方法では、上述したように
位置合わせ用検知器がウエーノＸ４の背面側即ちウェー
ハステージ３の中に配設する必要がなくなり、ステージ
３の構成が従来方法の場合より簡素化される。
位置合わせ用検知器がウエーノＸ４の背面側即ちウェー
ハステージ３の中に配設する必要がなくなり、ステージ
３の構成が従来方法の場合より簡素化される。
以上説明したように本発明の構成によれば、光電子像転
写における、マスクに設けた位置合わせ用パターンから
の光電子をウェーハに設けた位置合わせ用マークに照射
して行う位置合わせにおいて、位置合わせ用検知器の配
設位置を従来のウェーハ背面側からマスクとつ＾−ハと
の間の空間に移すことが出来て、ウェーハステージの構
成の簡素化を可能にさせる効果がある。
写における、マスクに設けた位置合わせ用パターンから
の光電子をウェーハに設けた位置合わせ用マークに照射
して行う位置合わせにおいて、位置合わせ用検知器の配
設位置を従来のウェーハ背面側からマスクとつ＾−ハと
の間の空間に移すことが出来て、ウェーハステージの構
成の簡素化を可能にさせる効果がある。
第１図は本発明方法の実施例を説明する側面図、第２図
は光電子像転写法を説明する側面図、第３図は従来方法
を説明する側面図、 である。 図において、 ２はマスク、 ３はウェーハステージ、 ４はウェーハ、 ６は光電子、 １１は２の位置合わせ用パターン、 １２は４の位置合わせ用マーク、 １３は１２から発生するＸ線、 ｌ４は１２から放出する電子、 ２０はＸ線検知器、 ３０は電子線検知器、 ３１．３２．３３は３０の電極、 である。 ２椙（肪；知大魁例Ｅ説」旧３側酊言 苓１ 図 老−電子号泉車人写り去Ｅ詭旦旧３４珂叫回第 ２ 圀
は光電子像転写法を説明する側面図、第３図は従来方法
を説明する側面図、 である。 図において、 ２はマスク、 ３はウェーハステージ、 ４はウェーハ、 ６は光電子、 １１は２の位置合わせ用パターン、 １２は４の位置合わせ用マーク、 １３は１２から発生するＸ線、 ｌ４は１２から放出する電子、 ２０はＸ線検知器、 ３０は電子線検知器、 ３１．３２．３３は３０の電極、 である。 ２椙（肪；知大魁例Ｅ説」旧３側酊言 苓１ 図 老−電子号泉車人写り去Ｅ詭旦旧３４珂叫回第 ２ 圀
Claims (1)
- マスクと該マスクに対向するウェーハとの間に電界と磁
界とを印加し、該マスクから放出される光電子の照射に
より、該マスクに形成されたパターンを該ウェーハに転
写するに際して、マスクには位置合わせ用パターンを、
ウェーハの対応する位置には位置合わせ用マークを設け
、且つ該マスクと該ウェーハとの間に、複数の電極を具
えて電子増倍機能を有する電子線検知器を各電極に上記
電界を乱さないような電位を与えて配設し、該位置合わ
せ用パターンからの光電子の照射により該マークから放
出される電子を該電子線検知器で検出して、該マスクと
該ウェーハとの位置合わせを行うことを特徴とする光電
子像転写の位置合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61187408A JPS6343318A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光電子像転写の位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61187408A JPS6343318A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光電子像転写の位置合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6343318A true JPS6343318A (ja) | 1988-02-24 |
Family
ID=16205510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61187408A Pending JPS6343318A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光電子像転写の位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6343318A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1686423A2 (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-02 | Samsung Electronics Co.,Ltd. | Alignment system used in nano-imprint lithography and nano imprint lithography method using the alignment system |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61187408A patent/JPS6343318A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1686423A2 (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-02 | Samsung Electronics Co.,Ltd. | Alignment system used in nano-imprint lithography and nano imprint lithography method using the alignment system |
| EP1686423A3 (en) * | 2005-01-31 | 2007-07-25 | Samsung Electronics Co.,Ltd. | Alignment system used in nano-imprint lithography and nano imprint lithography method using the alignment system |
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