JPS6336746Y2 - - Google Patents
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- JPS6336746Y2 JPS6336746Y2 JP4806481U JP4806481U JPS6336746Y2 JP S6336746 Y2 JPS6336746 Y2 JP S6336746Y2 JP 4806481 U JP4806481 U JP 4806481U JP 4806481 U JP4806481 U JP 4806481U JP S6336746 Y2 JPS6336746 Y2 JP S6336746Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は入力信号のレベルに対応して出力段の
トランジスタを切替えて高効率を得る電力増幅器
の保護回路の改良に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in a protection circuit for a power amplifier that achieves high efficiency by switching output stage transistors in accordance with the level of an input signal.
従来の上記した電力増幅器はたとえば第1図に
示す如く、電圧V1を出力する電源1,11の電
圧が印加されるトランジスタ2,12のエミツタ
と、電圧V2(V2>V1)を出力する電源3,13
の電圧が印加されるトランジスタ4,14のエミ
ツタとを共通に接続し、その共通接続点からエミ
ツタ抵抗5,15を通して負荷6に接続し、スイ
ツチ7,17および8,18で等価的に示したト
ランジスタスイツチにより入力信号電圧viが電圧
V1より低いときは入力信号電圧をトランジスタ
2,12で増幅して負荷6に電力を供給し、入力
信号電圧が電圧V1とV2との間にあるときはトラ
ンジスタ4,14で入力信号電圧を増幅して負荷
6に電力を供給するように構成してある。なお上
記において( )内はプツシユプル増幅器の一方
側を示しており、9,19は駆動段のトランジス
タであり、31,41は逆流阻止用のダイオード
である。 The above - mentioned conventional power amplifier, for example, as shown in FIG . Output power supply 3, 13
The emitters of transistors 4 and 14 to which a voltage of The transistor switch changes the input signal voltage v i to
When the input signal voltage is lower than V 1 , the input signal voltage is amplified by transistors 2 and 12 to supply power to the load 6, and when the input signal voltage is between voltages V 1 and V 2 , the input signal voltage is amplified by transistors 4 and 14. It is configured to amplify the voltage and supply power to the load 6. In the above, the part in parentheses indicates one side of the push-pull amplifier, 9 and 19 are drive stage transistors, and 31 and 41 are backflow blocking diodes.
かかる電力増幅器においてトランジスタ2,1
2,4,14を過負荷から保護するために、入力
端と出力端との間にトランジスタ10,20を接
続し、トランジスタ10,20のベースをトラン
ジスタ2,12のエミツタに接続して、負荷6に
流れる電流をエミツタ抵抗5,15の電圧降下で
検出し、過負荷時にトランジスタ10,20をオ
ン状態にして入力信号電圧をリミツトするように
構成している。 In such a power amplifier, transistors 2,1
In order to protect transistors 2, 4, and 14 from overload, transistors 10 and 20 are connected between the input terminal and the output terminal, and the bases of transistors 10 and 20 are connected to the emitters of transistors 2 and 12 to protect them from overload. The current flowing through emitter resistors 5 and 15 is detected by the voltage drop across emitter resistors 5 and 15, and when overloaded, transistors 10 and 20 are turned on to limit the input signal voltage.
しかるに上記した電力増幅器すなわち出力段の
トランジスタを並列方式に接続し入力信号レベル
で切替えるようにした電力増幅器においては、出
力端子短絡時には低電圧が印加されているトラン
ジスタ2,12のみに過大電流が流れ、また負荷
が実質的に0(短絡時)でない低インピーダンス
(たとえば定格の1/2など)のとき過大電流のピー
ク電流は高電圧が印加されているトランジスタ
4,14のみに流れる。いま、トランジスタ1
0,20によるリミツタが行なわれる低負荷時の
リミツタレベルを定格負荷の1/2にした場合、エ
ミツタ抵抗5,15がトランジスタ2,12およ
び4,14に対して共通であるため負荷端子短絡
時のリミツタレベルも同じ値になる。 However, in the power amplifier described above, that is, in the power amplifier in which the output stage transistors are connected in parallel and switched depending on the input signal level, when the output terminal is short-circuited, an excessive current flows only to transistors 2 and 12 to which a low voltage is applied. Further, when the load has a low impedance (for example, 1/2 of the rated value) that is not substantially zero (short circuit), the peak current of the excessive current flows only through the transistors 4 and 14 to which the high voltage is applied. Now transistor 1
If the limiter level at low loads where limiter is applied by 0,20 is set to 1/2 of the rated load, emitter resistors 5, 15 are common to transistors 2, 12 and 4, 14, so when the load terminals are short-circuited, The limiter level will also have the same value.
しかるに、一方、前記した電力増幅器において
は高効率の本来の目的より、トランジスタ2,1
2はトランジスタ4,14より電流定格の小さい
ものを使用することが望まれる。しかし上記した
従来の保護回路によるときはトランジスタ2,1
2はトランジスタ4,14と同様に、1/2の低負
荷時のピーク電流以上のIc naxのトランジスタを
用いる必要が生ずる欠点があつた。 However, on the other hand, in the power amplifier described above, due to the original purpose of high efficiency, the transistors 2 and 1 are
It is desirable to use a transistor 2 with a current rating smaller than that of the transistors 4 and 14. However, when using the conventional protection circuit described above, transistors 2 and 1
Similar to transistors 4 and 14, transistors 2 and 14 had the disadvantage that it was necessary to use a transistor with an I c nax higher than the peak current at low load of 1/2.
本考案は上記にかんがみなされたもので、簡単
な構成で上記の欠点を解消し、低電圧が印加され
るトランジスタに本来の高効率の目的を適合した
電流定格の小さいトランジスタを使用することが
できる電力増幅器の保護回路を提供することを目
的とするものである。 The present invention was developed in consideration of the above, and it eliminates the above drawbacks with a simple configuration, and allows the use of transistors with low current ratings that are compatible with the original purpose of high efficiency for transistors to which low voltage is applied. The purpose of this invention is to provide a protection circuit for a power amplifier.
以下、本考案を実施例により説明する。 The present invention will be explained below with reference to examples.
第2図は本考案の一実施例の回路図であり、第
1図に示した電力増幅器の保護回路と同一構成要
素には同一の符号を付して示してある。 FIG. 2 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, in which the same components as those of the power amplifier protection circuit shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
本実施例においては、第1図に示した従来の電
力増幅器の保護回路においてトランジスタ2,1
2のエミツタとトランジスタ4,12のエミツタ
との間に、抵抗32,42を接続して構成する。 In this embodiment, transistors 2 and 1 are used in the conventional power amplifier protection circuit shown in FIG.
Resistors 32 and 42 are connected between the emitters of transistors 4 and 12 and the emitters of transistors 4 and 12, respectively.
以上の如く構成した本実施例において、負荷6
が低インピーダンスとなつたとき、最大電流時の
トランジスタ2,12のエミツタと出力端Pとの
間の電圧va(l),vb(l)はic2=0のために
va(l)=ic4R5
となり、同様にvb(l)=ic14R15となる。 In this embodiment configured as above, the load 6
becomes a low impedance, the voltages v a(l) and v b(l) between the emitters of transistors 2 and 12 and the output terminal P at the maximum current are v a(l ) = i c4 R 5 , and similarly v b(l) = i c14 R 15 .
ここで、
ic2,ic12はトランジスタ2,12のエミツタか
ら抵抗32,42に流れる電流であり、ic4,ic14
はトランジスタ4,14からエミツタ抵抗5,1
5に流れる電流であり、R5,R15,R32,R42はそ
れぞれ抵抗5,15、抵抗32,42の抵抗値で
ある。 Here, i c2 and i c12 are currents flowing from the emitters of transistors 2 and 12 to resistors 32 and 42, and i c4 and i c14
is from transistors 4, 14 to emitter resistors 5, 1
R 5 , R 15 , R 32 and R 42 are the resistance values of resistors 5 and 15 and resistors 32 and 42, respectively.
つぎに負荷短絡時、トランジスタ2,12のエ
ミツタと出力端Pとの間の電圧va(s),vb(s)はic4=
0のために、
va(s)=ic2(R5+R32)
となり、同様にvb(s)=ic12(R15+R42)となる。 Next, when the load is short-circuited, the voltages v a(s) and v b(s) between the emitters of transistors 2 and 12 and the output terminal P are i c4 =
0, v a(s) = i c2 (R 5 + R 32 ), and likewise v b(s) = i c12 (R 15 + R 42 ).
いま、リミツタ用のトランジスタ10,20が
動作する電圧をva,vbとすれば
va=va(s)=va(l)
vb=vb(l)=vb(s)
となり、電流ic2,ic12とic4,ic14との間の関係は
ic2=R5/R5+R32ic4,
ic12=R15/R15+R42ic14
となり、抵抗32,42を設定することにより電
流ic2,ic12をic4,ic14より小さい設定することがで
きる。従つてトランジスタ2,12に使用するト
ランジスタは高効率を得ることを目的とした前記
電力増幅器本来の目的に添つた電流定格の小さい
ものでよくなる。 Now, if the voltages at which the limiter transistors 10 and 20 operate are v a and v b , then v a = v a(s) = v a(l) v b = v b(l) = v b(s) Therefore, the relationship between the currents i c2 , i c12 and i c4 , i c14 is i c2 = R 5 /R 5 +R 32 i c4 , i c12 = R 15 /R 15 +R 42 i c14 , and the resistance 32, By setting 42, the currents ic2 and ic12 can be set smaller than ic4 and ic14 . Therefore, the transistors used for the transistors 2 and 12 can be transistors with a small current rating that meets the original purpose of the power amplifier, which is to obtain high efficiency.
また、無入力信号時のアイドル電流はトランジ
スタ2,12を流れ、エミツタ抵抗値は抵抗3
2,42と抵抗5,15との和の値となつて大き
くなるため、電力増幅器は安定となる。 In addition, the idle current when there is no input signal flows through transistors 2 and 12, and the emitter resistance value is resistor 3.
2, 42 and the resistors 5, 15 and becomes large, so the power amplifier becomes stable.
以上説明した如く本考案によれば、低電圧電源
の電圧が印加されたトランジスタのエミツタと、
高電圧電源の電圧が印加されたトランジスタのエ
ミツタとの間に抵抗を接続する簡単な構成で、負
荷短絡時と低負荷時との過大電流保護レベルを別
別に設定することができ、出力段のトランジスタ
に、高効率を得ることを目的とした電力増幅器本
来の目的に合つたトランジスタを使用することが
できる。 As explained above, according to the present invention, the emitter of the transistor to which the voltage of the low voltage power supply is applied,
With a simple configuration in which a resistor is connected between the emitter of the transistor to which the voltage of the high-voltage power supply is applied, the overcurrent protection level can be set separately for load short-circuit and low load. A transistor suitable for the original purpose of a power amplifier, which aims to obtain high efficiency, can be used as the transistor.
また、無入力信号時、電力増幅器が安定すると
いう効果もある。 Another advantage is that the power amplifier is stabilized when no signal is input.
第1図は従来の電力増幅器の保護回路の回路
図。第2図は本考案の一実施例の回路図。
1および11……低電圧出力の電源、2,4,
12および14……出力段用のトランジスタ、3
および13……高電圧出力の電源、5および15
……エミツタ抵抗、6……負荷、10および11
……リミツタ用のトランジスタ、32および42
……抵抗。
FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional power amplifier protection circuit. FIG. 2 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention. 1 and 11...Low voltage output power supply, 2, 4,
12 and 14...transistor for output stage, 3
and 13... high voltage output power supply, 5 and 15
...Emitter resistance, 6...Load, 10 and 11
...Limiter transistors, 32 and 42
……resistance.
Claims (1)
スタのエミツタと、前記第1の電源の電圧より高
電圧を出力する第2の電源の電圧が印加される第
2のトランジスタのエミツタとが共通エミツタ抵
抗を通して負荷に接続され、入力信号のレベルに
対応して前記第1のトランジスタまたは第2のト
ランジスタが負荷を駆動し、かつ前記第1のトラ
ンジスタのエミツタがベースに接続されて過大負
荷時に前記入力信号をリミツトする第3のトラン
ジスタを備えた電力増幅器の保護回路において、
前記第1のトランジスタのエミツタと前記第2の
トランジスタのエミツタとの間に第2のエミツタ
抵抗を接続してなることを特徴とする電力増幅器
の保護回路。 The emitter of the first transistor to which the voltage of the first power supply is applied is common to the emitter of the second transistor to which the voltage of the second power supply that outputs a voltage higher than the voltage of the first power supply is applied. The first transistor or the second transistor is connected to the load through an emitter resistor, and drives the load depending on the level of an input signal, and the emitter of the first transistor is connected to the base, so that when an overload occurs, the first transistor or the second transistor drives the load. In a power amplifier protection circuit including a third transistor that limits an input signal,
A protection circuit for a power amplifier, characterized in that a second emitter resistor is connected between the emitter of the first transistor and the emitter of the second transistor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4806481U JPS6336746Y2 (en) | 1981-04-03 | 1981-04-03 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4806481U JPS6336746Y2 (en) | 1981-04-03 | 1981-04-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57160219U JPS57160219U (en) | 1982-10-07 |
JPS6336746Y2 true JPS6336746Y2 (en) | 1988-09-29 |
Family
ID=29844814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4806481U Expired JPS6336746Y2 (en) | 1981-04-03 | 1981-04-03 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6336746Y2 (en) |
-
1981
- 1981-04-03 JP JP4806481U patent/JPS6336746Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57160219U (en) | 1982-10-07 |
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