JPS6336248A - Mask for forming circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野1
本発明は、回路基板の回路をドライプロセスで形成する
ための回路形成用マスクに関rるものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field 1] The present invention relates to a circuit forming mask for forming circuits on a circuit board by a dry process.
[背景技術]
半導体素子の高集積化と共に電子機器のA機能化、小型
化、低コスト化に対応した回路基板としてセラミックや
金属のような無代質の板を基板として用いたものはその
熱的強度や機械的強度などの面において優れた特性を有
するために種々検討がなされている。そしてこのような
無ff17A板を用いて回路基板を製造するにあたって
は、まず基板の表面に無電解メツキなどで導体層を形成
し、次にこの導体層の表面にエツチングレジストを設け
たのちにエツチングレジストを露光、現像し、さらに導
体層をエツチング液によってエツチング処理するという
回路形成」二程が必要である。[Background technology] Circuit boards that use non-aluminum plates such as ceramics and metals as substrates are designed to respond to the increasing integration of semiconductor devices and the A-functionalization, miniaturization, and cost reduction of electronic devices. Various studies have been conducted to obtain excellent properties in terms of physical strength and mechanical strength. When manufacturing a circuit board using such a non-FF17A board, first a conductor layer is formed on the surface of the board by electroless plating, etc., then an etching resist is provided on the surface of this conductor layer, and then etching is performed. Two steps are required to form a circuit: exposing and developing the resist, and then etching the conductor layer with an etching solution.
しかしながら、このように導体層の形成やエツチングレ
ジストの形成、その露光、現像、さらにエツチングとい
う種々の上程を必要とすることは生産性が非常に悪いと
いう問題があり、またエツチングによって回路形成する
場合には、エツチング液の残留による不純性イオンで絶
縁性等の特性に悪影響が生じたり、またエツチング液の
回り込みで回路にやせ細りなどが生じ易く、微細回路を
精密に形成することが困難であるという問題もあ[発明
の目的]
本発明は、上記の点l:鑑みて為されたものであり、エ
ツチングをおこなう必要なく簡単な]1程で回路形成が
できる回路形成用マスクを提供することを目的とするも
のである。However, the process of forming a conductor layer, forming an etching resist, exposing it to light, developing it, and etching it all has the problem of very low productivity, and when forming a circuit by etching, It is said that it is difficult to precisely form fine circuits because impurity ions caused by residual etching liquid can adversely affect properties such as insulation, and the etching liquid tends to wrap around the circuit, causing thinning of the circuit. [Purpose of the Invention] The present invention has been made in view of the above-mentioned point 1.It is an object of the present invention to provide a mask for circuit formation that can form a circuit in a simple manner without the need for etching. This is the purpose.
[発明の開示]
しかして本発明に係る回路形成用マスクは、表面に接着
剤1が設けられた樹脂層2と、樹脂N2の背面に積wi
されたバックメタル3とで形成されて成ることを@−徴
とするものであり、以下本発明の詳細な説明する。[Disclosure of the Invention] The circuit forming mask according to the present invention has a resin layer 2 provided with an adhesive 1 on the surface, and a resin layer 2 on the back side of the resin N2.
The present invention will be described in detail below.
樹脂1vI2はレーザー加工が容易なポリイミド(PI
)やポリエーテルエーテルケトン(P E E K )
、ポリフェニレンサルファイド(p p s )、ポリ
エステル(PEs)、ポリアミドイミド(FAI)など
の耐熱性樹脂フィルムによって形成され、また樹脂Jt
12の背面に裏打ちされるバックメタルはレーザー反射
率が高くかつコストが安価なAn箔、Fe箔、Ni箔、
Cr箔、Cu箔やこれらの合金の箔などで形成される。Resin 1vI2 is polyimide (PI), which is easy to laser process.
) and polyetheretherketone (PEEK)
, polyphenylene sulfide (pps), polyester (PEs), polyamideimide (FAI), etc., and resin Jt
The back metal lined on the back of 12 is made of An foil, Fe foil, Ni foil, which has high laser reflectance and low cost.
It is formed of Cr foil, Cu foil, foil of an alloy thereof, or the like.
バックメタル3は01脂)Ii42の背面に熱圧着など
で積層するようにしてあり、また樹脂層2の表面にはポ
リイミドやエポキシ樹脂などの耐熱性に優れる接着剤1
が設けである。このようにして第1図(a)に示すよう
な回路形成用マスクを作成することができる。そして、
二のマスクを用いて回路形成をおこなうにあたっては、
まず樹脂層2に回路パターンでスリット状の孔4を第1
図(b)のように設ける。この孔4の形成は、樹脂層2
1二その表面からレーザー光を照射することによってお
こなうことができる。レーザー光はバックメタル3で反
射される(Al箔の場合90%以上反射される)ために
、バックメタル3には孔があけられることなく樹脂層2
のみに孔加工をすることができる。またレーザー光は微
細な光束にすることができるために孔4の線幅を25μ
程度に、また孔4の間隔を30μ程度に微細に形成する
加工が可能である。もちろん、この孔加工はm、械的な
作業においておこなうこともげ能である。The back metal 3 is laminated on the back of the 01 resin) Ii42 by thermocompression bonding, etc., and the surface of the resin layer 2 is coated with an adhesive 1 having excellent heat resistance such as polyimide or epoxy resin.
is the provision. In this way, a circuit forming mask as shown in FIG. 1(a) can be created. and,
When forming a circuit using the second mask,
First, slit-shaped holes 4 are first formed in the resin layer 2 in a circuit pattern.
Provided as shown in Figure (b). The formation of this hole 4 is carried out in the resin layer 2.
12 This can be done by irradiating the surface with laser light. Since the laser beam is reflected by the back metal 3 (more than 90% is reflected in the case of Al foil), the resin layer 2 is removed without making holes in the back metal 3.
Holes can only be drilled. In addition, since the laser beam can be made into a fine beam, the line width of the hole 4 is set to 25 μm.
It is possible to form the holes 4 at a fine interval of about 30 μm. Of course, this hole machining cannot be performed mechanically.
しかして回路形成にあたっては、まず基板5の表面にマ
スクの樹脂層2を接着剤1によって貼り付ける(第2図
(、>(b))。ここで基板5はセラミック板や金属板
のような無機基板が用いられるものであり、セラミック
板としてはアルミナ、ステアタイ)(MgO・5in2
)などを使用することができ、またアルミニウム板や鋼
板など金属板を使用する場合には表面を樹脂絶縁層など
で絶縁処理する必要がある。樹脂層2は孔4の形態を保
持するためにバックメタル3を裏打ちした状態で基板5
に貼り付けられるものであり、このように貼り付けをお
こなったのちに樹脂M2がらバックメタル3を剥離する
(第2図(C))。そして樹脂層2の表面から孔4内の
基板5の表面に亘って導体層6を形成させる(tI42
図(d))。導体層6の形成は蒸着やスパッタリング、
イオンブレーティングなどのような物理メツキ法(P
、 V 、 D ;physical vapord
eposit)でメタライズすることによっておこなう
。ここで、物理メツキ法によって形成する導体N6はセ
ラミックなどの無蝦の基板5に対する密着力が優れるも
のであり、特に基板5を加熱した状態で物理メツキする
場合にはさらに密着力を高めることができ、またスパッ
タリングする場合においては高速スパッタリングをおこ
なって高速度でコーティングすることが密着力をさらに
高めるうえで好ましい。このように樹脂層2の表面がら
孔4内の基板5の表面にかけて導体層6を形成したのち
に、0(脂M2を基板5の表面から剥離して除去する。Therefore, in forming the circuit, first the resin layer 2 of the mask is pasted on the surface of the substrate 5 with adhesive 1 (Fig. 2 (, > (b)). Here, the substrate 5 is made of a material such as a ceramic plate or a metal plate. An inorganic substrate is used, and the ceramic plate is alumina, stair tie) (MgO・5in2
) etc. can be used, and when using a metal plate such as an aluminum plate or a steel plate, the surface needs to be insulated with a resin insulating layer or the like. The resin layer 2 is attached to the substrate 5 while being lined with a back metal 3 to maintain the shape of the hole 4.
After pasting in this manner, the back metal 3 is peeled off from the resin M2 (FIG. 2(C)). Then, a conductor layer 6 is formed from the surface of the resin layer 2 to the surface of the substrate 5 in the hole 4 (tI42
Figure (d)). The conductor layer 6 is formed by vapor deposition, sputtering,
Physical plating methods (P
, V, D; physical vapor
This is done by metallizing with (eposit). Here, the conductor N6 formed by the physical plating method has excellent adhesion to the solid substrate 5 made of ceramic or the like, and the adhesion can be further increased especially when physical plating is performed with the substrate 5 heated. In addition, in the case of sputtering, it is preferable to perform high-speed sputtering to coat at high speed in order to further increase the adhesion. After forming the conductive layer 6 on the surface of the substrate 5 in the holes 4 from the surface of the resin layer 2 in this manner, the 0 (grease M2) is peeled off from the surface of the substrate 5 and removed.
この樹脂7+12の剥離で樹脂)@2の表面の導体層6
も同時に除去され、樹脂層2の孔4内において形成され
た導体716のみが回路7として基板5の表面に残り、
いわゆるリフトオフ法によって回路形成をすることがで
きる(第2図(e))。このように回路7は樹脂M2に
形成した孔4のパターンで形成されることになり、回路
7のパターンを微細化して形成することができる。また
回路形成にあたってエツチング処理をおこなう必要がな
く、工程を非常に簡略化することができると共に、エツ
チング液の回り込みによる回路7の細りなどの現象がな
く精密な回路形成が可能になる。By peeling off this resin 7 + 12, the conductor layer 6 on the surface of resin) @ 2
is also removed at the same time, and only the conductor 716 formed in the hole 4 of the resin layer 2 remains on the surface of the substrate 5 as the circuit 7.
The circuit can be formed by a so-called lift-off method (FIG. 2(e)). In this way, the circuit 7 is formed by the pattern of the holes 4 formed in the resin M2, and the pattern of the circuit 7 can be miniaturized and formed. Further, there is no need to perform an etching process when forming a circuit, which greatly simplifies the process, and also enables precise circuit formation without phenomena such as thinning of the circuit 7 due to the etching solution flowing around.
さらに回路基板を多層回路基板として製造するにあたっ
ては、回路7の上から基板5の表面に感光性樹脂8を塗
布して設けると共に感光性樹脂8の表面にパターンマス
ク9をセットする(第2図(f))。感光性樹脂8は層
間絶縁層を形成させるために用いられるものであり、回
路7は感光性樹脂8によって完全に覆われる。感光性樹
脂8としては感光性ポリイミドや感光性エポキシ樹脂な
どを用いることができる。そして露光して現像すること
によっ−(パターンマスク9で覆われ露光されない部分
において感光性樹脂8を除去し、この除去部分をパイヤ
ホール10として回路7の所定部分を露出させる(第2
図(g))。次ぎに第1図(aHb)と同様にし−C(
L 4を設けて形成したマスクを用い、バックメタル3
を裏打ちさせたままの樹脂層2を感光性樹脂8の表面に
接着させると共にさらに樹脂層2からバックメタル3を
剥離する(第2図(11))。そして樹脂層2の表面か
ら樹脂屑2の孔3内の感光性樹脂8の表面に亘って物理
メツキ法で第二の導体J−11を形成させる(第2図(
i))。このとき導体層11は一部がパイヤホール10
内に入り込んでおり、パイヤホール]0内において回路
7に一体に接続されている。このように第二の導体層1
1を形成したのちに、O(脂層2を感光性樹脂8の表面
から剥離して除去する。この樹脂)vJ2の剥離で0(
脂層2の表面の導体層11も同時に除去され、樹脂71
!2の孔4内において形成された導体層11のみが第二
の回路12として感光性樹脂8の表面に残り、回路形成
をすることができる。第二の回路12は感光性樹脂8を
層間絶縁層として前記の第一の回路7と絶縁を確保され
ていると共に、パイヤホール10によって第一の回路゛
lど第二の回路12とを接続さぜることができ1、二の
ようにして二層回路構成の多層回路板を得ることがで外
る(第2図(j))。ここで、感光性樹脂8は光リソグ
ラフィー技術によって精密な光加」二をすることができ
、精密に形成されたパイヤホール10によって回路7,
12の層間接続の信頼性を確保することができるもので
ある。そして第2図(f)〜第2図(j)の工程を繰り
返すことによってさらに多層の回路構成となった回路板
を得ることがでとる。Furthermore, in manufacturing the circuit board as a multilayer circuit board, a photosensitive resin 8 is coated onto the surface of the board 5 from above the circuit 7, and a pattern mask 9 is set on the surface of the photosensitive resin 8 (see Fig. 2). (f)). The photosensitive resin 8 is used to form an interlayer insulating layer, and the circuit 7 is completely covered with the photosensitive resin 8. As the photosensitive resin 8, photosensitive polyimide, photosensitive epoxy resin, or the like can be used. Then, by exposing and developing (the photosensitive resin 8 is removed in the part covered by the pattern mask 9 and not exposed, the removed part is used as a pie hole 10 to expose a predetermined part of the circuit 7 (second
Figure (g)). Next, do the same as in Figure 1 (aHb) -C (
Using the mask formed with L 4, back metal 3
The resin layer 2 still lined is adhered to the surface of the photosensitive resin 8, and the back metal 3 is further peeled off from the resin layer 2 (FIG. 2 (11)). Then, a second conductor J-11 is formed by a physical plating method from the surface of the resin layer 2 to the surface of the photosensitive resin 8 in the holes 3 of the resin waste 2 (see FIG.
i)). At this time, a part of the conductor layer 11 has a pie hole 10
and is integrally connected to the circuit 7 within the pipe hole]0. In this way, the second conductor layer 1
After forming 1, the oil layer 2 is peeled off from the surface of the photosensitive resin 8 and removed.
The conductor layer 11 on the surface of the fat layer 2 is also removed at the same time, and the resin 71
! Only the conductor layer 11 formed in the second hole 4 remains on the surface of the photosensitive resin 8 as a second circuit 12, and a circuit can be formed. The second circuit 12 is insulated from the first circuit 7 by using a photosensitive resin 8 as an interlayer insulating layer, and is connected to the first circuit 1 and the second circuit 12 through a pie hole 10. A multilayer circuit board having a two-layer circuit structure can be obtained as shown in steps 1 and 2 (Fig. 2 (j)). Here, the photosensitive resin 8 can be subjected to precise light application by photolithography technology, and the circuit 7,
The reliability of the 12 interlayer connections can be ensured. By repeating the steps shown in FIG. 2(f) to FIG. 2(j), a circuit board having a multilayer circuit structure can be obtained.
次ぎに本発明を実施例によって具体的に説明する。Next, the present invention will be specifically explained with reference to Examples.
火蔦−例】−
ポリイミド接着剤付きの厚み50μのポリイミドフィル
ム(デュポン社製カプトン)を樹脂N2とし、1001
角に切断した厚み100μのAl箔をバックメタル3と
し、樹脂層2の非接着面にバックメタル3を熱圧着して
回路形成用マスクを作成した(第1図(a))。このと
き圧着用金型は表面をテフロンで形成して樹脂/I 2
の表面に設けた接着剤1の付着を防止するようにした。Fire Ivy - Example] - Polyimide film with a thickness of 50 μm (Kapton, manufactured by DuPont) with polyimide adhesive is used as resin N2, and 1001
A 100 μm thick Al foil cut into corners was used as the back metal 3, and the back metal 3 was thermocompression bonded to the non-adhesive surface of the resin layer 2 to create a mask for circuit formation (FIG. 1(a)). At this time, the surface of the crimping mold is made of Teflon and resin/I2
This prevents the adhesive 1 provided on the surface from adhering.
次にこのマスクの樹脂層2にYAGレーザー加工によっ
て配線パターンで孔4を形成したく第1図(+1>)。Next, holes 4 are formed in the resin layer 2 of this mask with a wiring pattern by YAG laser processing as shown in FIG. 1 (+1>).
YAGレーザー加]ニは装置として超音波工業社製HC
−1000を用いて出力ビーム径20〜100μφでお
こない、線幅が50μ、間隔が75μとなるように孔4
を形成し、またランドなどを形成するための100μφ
の小穴も孔4の一部として形成した。[YAG laser processing] 2 is a HC manufactured by Ultrasound Industry Co., Ltd. as a device.
-1000, with an output beam diameter of 20 to 100μφ, and the hole 4 was adjusted so that the line width was 50μ and the interval was 75μ
100μφ for forming lands, etc.
A small hole was also formed as part of hole 4.
そして純度96%のアルミナ基板(京セラ社製、寸法7
5mmX 75mmX0.63ma+)を基板5とL′
ご用い、この基板5の表面にマスクの樹脂層2をラミネ
ートした(第2図(aHb))。このように基板5に樹
脂層2をラミネートしたのちに樹脂屑2からバックメタ
ル3を剥がし、次いで銅をスパッタリングして導体層6
を形成したく第2図(c)(d))。ここで銅のスパッ
タリングは装置として]11電アネルバ製り、Cマグネ
トロン式高速スパッタリング装置(SPF−2108)
を用いておこない、真空度6 X 10 ”’、’To
rrSAr圧力3 X 10− ”l’orr。And a 96% pure alumina substrate (manufactured by Kyocera, dimension 7)
5mm x 75mm x 0.63ma+) to the board 5 and L'
For use, a resin layer 2 of a mask was laminated on the surface of this substrate 5 (FIG. 2 (aHb)). After laminating the resin layer 2 on the substrate 5 in this way, the back metal 3 is peeled off from the resin scrap 2, and then copper is sputtered to form the conductor layer 6.
2(c)(d)). Here, the equipment used for copper sputtering is C magnetron type high speed sputtering equipment (SPF-2108) manufactured by 11 Den Anelva.
The vacuum level is 6 x 10'', 'To
rrSAr pressure 3 X 10-”l'orr.
出力600V、0.8A、無機基板の温度200°C1
時間20分の条件に設定して、銅厚みが8μの導体層6
を形成した。次ぎに樹脂層2を剥がして樹脂M2の表面
の導体層6を基板5から除去し、樹脂層2の孔4部分の
導体層6のみを基板5の表面に残して回路7を形成させ
た(第2図(e))。以上のようにして第一層目の回路
形成をおこなった。Output 600V, 0.8A, inorganic substrate temperature 200°C1
The conductor layer 6 with a copper thickness of 8 μm was set for 20 minutes.
was formed. Next, the resin layer 2 was peeled off and the conductor layer 6 on the surface of the resin M2 was removed from the substrate 5, leaving only the conductor layer 6 in the hole 4 portion of the resin layer 2 on the surface of the substrate 5 to form a circuit 7. Figure 2(e)). The first layer circuit was formed as described above.
次ぎに感光性樹脂8として旭化成」1業社製感光性ポリ
イミド(D N −6)を用い、回路7の上から基板5
の表面に3000rpm、30秒の条件のスピン塗布で
膜11が20μになるように塗布し、70゛Cのクリー
ンオーブンで2時間乾燥させた(第2図(f))、、次
いで感光性樹脂8を露光したのち焼き付け、さらに現像
すると共に140℃で1時間及びN、雰囲気中で400
℃で1時間それぞれ加熱することによって硬化させ、感
光性樹脂8を眉間絶縁層として硬化形成させると共に感
光性樹脂8に形成したパイヤホール10で回路7の一部
を露出させた(第2図(g))。ここで、露光は250
W超尚圧水銀灯を用いて200 +n J / c+n
2.25秒の条件でおこない、焼き付けは70°Cのク
リーンオーブンで10分の条件でおこなった。さらに現
像は専用現像液(A−1,35)を用いて100秒の条
件でおこなうと共に専用リンス(C−200)を用いて
60秒間リンスをおこなった。Next, as the photosensitive resin 8, photosensitive polyimide (DN-6) manufactured by Asahi Kasei 1 was used, and the substrate 5 was placed over the circuit 7.
The film 11 was spin-coated at 3000 rpm for 30 seconds to a thickness of 20 μm, and dried in a clean oven at 70°C for 2 hours (Fig. 2 (f)). After exposing 8, it was baked, and then developed and exposed at 140°C for 1 hour and 400°C in a N atmosphere.
℃ for 1 hour to cure the photosensitive resin 8 as an insulating layer between the eyebrows, and expose a part of the circuit 7 through the pie hole 10 formed in the photosensitive resin 8 (see Fig. 2 (g). )). Here, the exposure is 250
200 +n J/c+n using W ultra-pressure mercury lamp
Baking was performed for 2.25 seconds, and baking was performed for 10 minutes in a clean oven at 70°C. Furthermore, development was carried out using a dedicated developer (A-1, 35) for 100 seconds, and rinsing was performed for 60 seconds using a dedicated rinse (C-200).
こののちに」−配力法と同様にして樹脂屑2のラミネー
ト、銅のスパンタリング、樹脂層2の剥離の1′、程を
繰り返して第二層目の回路12を形成しく第2図(11
)乃至第2図(j))、二層回路構成の回路基板を得た
。After this, repeat steps 1' of laminating the resin scraps 2, sputtering the copper, and peeling off the resin layer 2 in the same manner as in the force distribution method to form the second layer of the circuit 12 (see Fig. 2). 11
) to FIG. 2(j)), circuit boards having a two-layer circuit configuration were obtained.
徂−
実施例1と同様にして形成したマスクの樹脂層2に、L
SI原図作成用ブロックにけがと劃を取り付けた装置を
用いて機械的加工で孔4の作成をした。この孔4は線幅
が50μ、間隔が75μとなるように形成され、また小
穴は150μφで形成された。あとは実施例1と同様に
して二層回路構成の回路基板を得た。- L was added to the resin layer 2 of the mask formed in the same manner as in Example 1.
Hole 4 was created by mechanical processing using a device in which a scar and a stub were attached to a block for creating SI original drawings. The holes 4 were formed to have a line width of 50 μm and an interval of 75 μm, and the small holes were formed to have a diameter of 150 μφ. The rest was carried out in the same manner as in Example 1 to obtain a circuit board having a two-layer circuit configuration.
火産性影
100Lo+++角に切断したポリエーテルエーテルケ
トンフィルムを樹脂)ft 2とし、100+nm角に
切断したAp箔をバックメタル3とし、Q(脂)@2の
裏面にバックメタル3を熱圧着したのちに樹脂層2の表
面にポリイミド接着剤を塗布して回路形成用マスクを作
成した。あとは実施例1と同様にして二層回路構成の回
路基板を得た。A polyetheretherketone film cut into 100Lo+++ squares was used as resin) ft 2, Ap foil cut into 100+nm squares was used as back metal 3, and back metal 3 was thermocompression bonded to the back side of Q (fat)@2. Later, a polyimide adhesive was applied to the surface of the resin layer 2 to create a mask for forming a circuit. The rest was carried out in the same manner as in Example 1 to obtain a circuit board having a two-layer circuit configuration.
尚、ドライプロセスで回路形成するにあたっては、第3
図に示す回路形成用マスクを用いることもできる。この
マスクは金属箔18の裏面に(M脂フィルム19を熱圧
着などして裏打ちすることによって形成されるものであ
り(第3図(a))、金属箔としてはA(箔、Fe箔、
Ni箔、Cr箔、Cu箔、P b箔、A8箔やこれらの
合金の箔などを用いることができ、また樹脂フィルム1
9としてはエツチング液などに犯されない耐薬品性のあ
るものであれば何でもよい。このものにあっては、金属
箔18の表面にエラチンブレジス)20を設けてさらに
パターンマスク21をセットしく第3図(+1))、こ
れを露光、現像することによってパターンマスク20で
覆われて露光されない部分を除去する(第3図(C))
。こののちにエツチング液などによって金属箔18にエ
ツチングを施して金属箔18のエラチンブレジス)20
で覆われず露出された部分を除去すると共にエラチンブ
レシス)20を溶剤などで溶解除去する。このようにし
て金属箔18に回路パターンで孔4を形成させることが
でき(第3図(d))、こののちに金属箔18の表面に
エポキシ樹脂やポリイミドなどの接着剤1を塗布する。In addition, when forming a circuit using a dry process, the third
The circuit forming mask shown in the figure can also be used. This mask is formed by lining the back side of the metal foil 18 with a M fat film 19 by thermocompression bonding (Fig. 3(a)), and the metal foil may be A (foil, Fe foil,
Ni foil, Cr foil, Cu foil, Pb foil, A8 foil, foil of an alloy of these, etc. can be used, and the resin film 1
As the material 9, any material may be used as long as it is chemically resistant and is not attacked by etching solutions. In this case, an eratin brace 20 is provided on the surface of the metal foil 18, and a pattern mask 21 is further set (Fig. 3 (+1)), which is exposed and developed to be covered with the pattern mask 20 and exposed. Remove the parts that are not included (Figure 3 (C))
. Thereafter, the metal foil 18 is etched using an etching solution or the like to form an etching layer (20) on the metal foil 18.
At the same time, the exposed parts not covered with the elatin blisters are removed, and the elatin blesis 20 is dissolved and removed using a solvent or the like. In this way, holes 4 can be formed in the metal foil 18 in a circuit pattern (FIG. 3(d)), and then an adhesive 1 such as epoxy resin or polyimide is applied to the surface of the metal foil 18.
そしてこのマスクを用いて回路形成をおこなうのである
が、まず基板5の表面にマスクの金属箔18を接着剤1
によって貼り付ける(第4図(a))。This mask is then used to form a circuit. First, the metal foil 18 of the mask is attached to the surface of the substrate 5 with an adhesive 1.
(Fig. 4(a)).
金属箔18は孔4の形態を保持するために樹脂フィルム
1つを裏打ちした状態で基板5に貼り付けられるもので
あり、このように貼り付けをおこなったのちに金属箔1
8がら樹脂フィルム19を剥離する(第4図(b))。The metal foil 18 is pasted on the substrate 5 while being lined with a resin film to maintain the shape of the hole 4. After pasting in this way, the metal foil 18 is
8, the resin film 19 is peeled off (FIG. 4(b)).
そしてあとは第2図(c)以下と同様にしてリフトオフ
法で回路形成をし、回路基板を作成することができる(
第2図(11)では0(脂層2の代わりに金属ff11
8が用いられる)。尚、このものにあっては基板5にラ
ミネートするのは金属箔18であるために、耐久性があ
って再利用が可能である。Then, the circuit can be formed using the lift-off method in the same manner as shown in Figure 2(c) and below to create a circuit board (
In Figure 2 (11), 0 (metal ff11 instead of fat layer 2)
8 is used). In this case, since the metal foil 18 is laminated to the substrate 5, it is durable and can be reused.
次ぎにこのマスクを用いた回路形成について具体例でさ
らに説明する。Next, circuit formation using this mask will be further explained using a specific example.
結目上
金属箔18として100+++m角に切断した厚み50
μのAl箔を用い、また樹脂フィルム19として厚み5
00μのポリエステルフィルムを用い、金属箔18の裏
面に樹脂フィルム19を熱圧着で積層させた(第3図(
a))。次いで金属箔18の表面にエツチングレジスト
20を塗布すると共にパターンマスク21をセットしく
vJ3図(b))、露光、現像したく第3図(C))。Thickness 50 cut into 100+++m square as metal foil 18 on knot
μ aluminum foil is used, and the resin film 19 has a thickness of 5
Using a 00μ polyester film, a resin film 19 was laminated on the back side of the metal foil 18 by thermocompression bonding (see Figure 3).
a)). Next, an etching resist 20 is applied to the surface of the metal foil 18, and a pattern mask 21 is set (Fig. 3(b)), followed by exposure and development (Fig. 3(c)).
次いで金属箔18にエツチング処理を施すと共に残留す
るエツチングレジスト20を溶剤で除去し、金属箔18
に回路パターンの孔4を形成した(第3図(d))。こ
ののちに金属箔18の表面にエポキシ樹脂接着剤1を塗
布した(第3図(e))。このものにあって、IL4は
線幅が50μ、間隔が75μとなるように形成され、ま
たランドなどを形成するための小穴は150μφで形成
された。このように形成したマスクを用い、あとは第2
図に示す手順に従って実施例1と同様Iこして二層回路
構成の回路基板を得た。Next, the metal foil 18 is etched and the remaining etching resist 20 is removed with a solvent.
Holes 4 of a circuit pattern were formed in (FIG. 3(d)). Thereafter, epoxy resin adhesive 1 was applied to the surface of metal foil 18 (FIG. 3(e)). In this product, the IL4 was formed to have a line width of 50 μm and an interval of 75 μm, and small holes for forming lands etc. were formed to have a diameter of 150 μΦ. Using the mask formed in this way, the rest is
According to the procedure shown in the figure, a circuit board having a two-layer circuit structure was obtained by straining in the same manner as in Example 1.
民体贋↓
金属箔18として100m+o角に切断した厚み30μ
のAg−Ni合金箔を用い、また樹脂フィルム19とし
て厚み200μのポリエステルフィルムを用い、金属箔
18の裏面に樹脂フィルム19を熱圧着で積層させた。Civilian fake ↓ Metal foil 18 cut into 100m + o angle, thickness 30μ
The resin film 19 was laminated on the back surface of the metal foil 18 by thermocompression bonding, using an Ag-Ni alloy foil as shown in FIG.
この金属箔18に具体例1と同様にして孔4を形成した
。孔4は線幅が25μ、間隔が30μとなるように形成
され、また小穴は50μφで形成された。あとは具体例
1と同様にして二層回路構成の回路基板を得た。Holes 4 were formed in this metal foil 18 in the same manner as in Example 1. The holes 4 were formed to have a line width of 25 μm and an interval of 30 μm, and the small holes were formed to have a diameter of 50 μΦ. The rest was carried out in the same manner as in Example 1 to obtain a circuit board having a two-layer circuit configuration.
λ良九影
金属箔18として1001角に切断した厚み50μのA
I箔を用い、また樹脂フィルム19として厚み400μ
のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用
い、あとは具体例1と同様に次ぎに、す7トオ7法によ
る回路形成のさらに他の方法について説明する。A with a thickness of 50μ cut into 1001 squares as λ Ryo-Kuage metal foil 18
I foil was used, and the resin film 19 had a thickness of 400 μm.
Next, another method of forming a circuit using a polyethylene terephthalate (PET) film using the same method as in Example 1 will be described.
まず基板5の表面にネが型のレジスト22を塗布してパ
ターンマスク23をセットしく第5図(、)(b))、
露光、現像してパターンマスク23で覆われ露光されな
い部分のレジスト22を除去する。First, a square-shaped resist 22 is applied to the surface of the substrate 5, and a pattern mask 23 is set.
After exposure and development, the portions of the resist 22 covered by the pattern mask 23 and not exposed to light are removed.
このようにしてレジスト22に回路パターンで孔4を形
成させ(第5図(C))、以下この孔4を設けたレジス
ト22を回路形成用マスクとして回路の形成をおこなう
。すなわち、まずレジスト22の表面から孔4内の基板
5の表面に亘って物理メツキ法で導体層6を形成させる
(第5図(d))。このようにレジスト22の表面がら
孔4内の基板5の表面にかけて導体N6を形成したのち
に、レジスト22を溶剤に溶解して除去する。このレジ
スト22の除去でレジスト22の表面の余分な導体層6
も同時に除去され、レジスト22の孔4内において形成
された導体層6のみが回路7として基板5の表面に残り
、いわゆるリフトオフ法によって回路形成をすることが
できる(第5図(e))。さら=16=
に回路基板を多層回路基板として製造するにあたっては
、回路7の上から基板5の表面に感光性樹脂8を塗布し
て設けると共に感光性樹脂8の表面にパターンマスク9
をセットする(第5図(f))。そして露光して現像す
ることによってパターンマスク9で覆われ露光されない
部分において感光性樹脂8を除去し、この除去部分をパ
イヤホール10として回路7の所定部分を露出させる(
第5図(g))。次ぎに感光性樹脂8の表面にレジスト
22を塗布して設けてパターンマスク24をセットしく
第5図(h))、露光、現像してパターンマスク24で
覆われ露光されない部分のレジスト22を除去する。こ
のようにしてレジスト22に回路パターンで孔4を形成
させ(第5図い))、レノスト22の表面から孔4内の
感光性樹脂8の表面に1〔って物理メツキ法で第二の導
体Jv111を形成させる(第5図(j))。このとき
導体ノー11は一部がパイヤホール10内に入り込んで
おり、パイヤホール10内において回路7に一体に接続
されている。このように第二の導体層11を形成したの
ちに、レジスト22を溶剤に溶解して除去する。このレ
ジスト22の除去でレノスト22の表面の余分な導体7
111、1も同時に除去され、レノスト2の孔4内にお
いて形成された導体層11のみが第二の回路12として
感光性樹脂8の表面に残り、回路形成をすることができ
る。第二の回路12は感光性樹脂8を層間絶M/iとし
て前記の第一の回路7と絶縁を確保されていると共に、
パイヤホール10によって第一の回路7と第二の回路9
とを接続させることができ、このようにして二層回路構
成の多層回路板を得ることができる(第5図(k))。In this way, holes 4 are formed in the resist 22 in a circuit pattern (FIG. 5(C)), and a circuit is formed using the resist 22 provided with the holes 4 as a mask for circuit formation. That is, first, a conductor layer 6 is formed from the surface of the resist 22 to the surface of the substrate 5 in the hole 4 by a physical plating method (FIG. 5(d)). After the conductor N6 is thus formed from the surface of the resist 22 to the surface of the substrate 5 within the hole 4, the resist 22 is dissolved in a solvent and removed. By removing this resist 22, the excess conductor layer 6 on the surface of the resist 22 is removed.
are also removed at the same time, and only the conductor layer 6 formed in the hole 4 of the resist 22 remains on the surface of the substrate 5 as a circuit 7, and a circuit can be formed by the so-called lift-off method (FIG. 5(e)). Furthermore, in manufacturing the circuit board as a multilayer circuit board, a photosensitive resin 8 is coated on the surface of the substrate 5 from above the circuit 7, and a pattern mask 9 is formed on the surface of the photosensitive resin 8.
(Fig. 5(f)). Then, by exposing and developing, the photosensitive resin 8 is removed from the portions covered by the pattern mask 9 and not exposed, and the removed portions are used as pie holes 10 to expose a predetermined portion of the circuit 7 (
Figure 5(g)). Next, a resist 22 is coated on the surface of the photosensitive resin 8 and a pattern mask 24 is set (FIG. 5(h)), exposed and developed to remove the resist 22 in the portions covered by the pattern mask 24 and not exposed. do. In this way, holes 4 are formed in the resist 22 with a circuit pattern (see Fig. 5), and a second layer is formed from the surface of the resist 22 to the surface of the photosensitive resin 8 in the holes 4 using the physical plating method. A conductor Jv111 is formed (FIG. 5(j)). At this time, a portion of the conductor 11 enters into the pipe hole 10 and is integrally connected to the circuit 7 within the pipe hole 10. After forming the second conductor layer 11 in this manner, the resist 22 is dissolved in a solvent and removed. By removing this resist 22, the excess conductor 7 on the surface of the resist 22 is removed.
111, 1 is also removed at the same time, and only the conductor layer 11 formed in the hole 4 of the lenost 2 remains on the surface of the photosensitive resin 8 as the second circuit 12, allowing circuit formation. The second circuit 12 is insulated from the first circuit 7 by using the photosensitive resin 8 as an interlayer M/i, and
A first circuit 7 and a second circuit 9 are connected by a pie hole 10.
In this way, a multilayer circuit board having a two-layer circuit structure can be obtained (FIG. 5(k)).
そして第5図(r)・〜第5図(k)の工程を繰り返す
ことによってさらに多層の回路構成となった回路板を得
ることができる。By repeating the steps shown in FIGS. 5(r) to 5(k), a circuit board having a multilayer circuit structure can be obtained.
次ぎにこのレジスト22をマスクとして用いた回路形成
法について具体例でさらに説明する。Next, a circuit forming method using this resist 22 as a mask will be further explained using a specific example.
5−19N上−
基板5として75111111X 75mmX0.63
111[0、純度96%のアルミナ基板を用い、この基
板5の表面にネガ型の液状のレジスト22を厚み12μ
で塗布しく第5図(a)(+1))、露光、現像した。5-19N - As board 5 75111111X 75mmX0.63
111[0, an alumina substrate with a purity of 96% is used, and a negative liquid resist 22 is applied to the surface of this substrate 5 to a thickness of 12 μm.
The film was coated, exposed and developed (Fig. 5(a) (+1)).
このようにしてレジスト22に線幅が25μ、線間隔が
30μの回路パターンで孔4を形成させた(tIrJS
図(C))。次ぎにレジスト22の表面から孔4内の基
板5の表面に亘って銅をスパッタリングして厚み8μの
導体層6を形成させた(第5図(d))。ここで銅のス
パッタリングは装置として日型アネルバ製り、Cマグネ
トロン式高速スパッタリング装置(SPF−2108)
を用い、真空度6×10’ T 0rrs A r圧力
3 X 10 3Torr、出力600V、0.8A、
無機基板の温度200℃、時間20分の条件に設定して
おこなった。さらにレジスト22を溶剤で溶解させるこ
とによって除去した。In this way, holes 4 were formed in the resist 22 with a circuit pattern having a line width of 25μ and a line spacing of 30μ (tIrJS
Figure (C)). Next, copper was sputtered from the surface of the resist 22 to the surface of the substrate 5 in the hole 4 to form a conductor layer 6 with a thickness of 8 μm (FIG. 5(d)). Here, copper sputtering is performed using a C magnetron type high speed sputtering device (SPF-2108) manufactured by Nikkei ANELVA.
using, vacuum level 6 x 10' T 0rrs A r pressure 3 x 10 3 Torr, output 600 V, 0.8 A,
The conditions were set such that the temperature of the inorganic substrate was 200° C. and the time was 20 minutes. Furthermore, the resist 22 was removed by dissolving it with a solvent.
このレジスト22の除去でレノスト22の表面の余分な
導体層6も同時に除去され、レジスト22の孔4内にお
いて形成された導体層6のみが回路マとして基板5の表
面に残り、第一層目の回路7の形成がなされた(第5図
(e))。次ぎに感光性樹脂8として旭化成工業社製感
光性ポリイミド(1)N−6)を用い、回路7の上から
基板5の表面に一3000rp、30秒の条件のスピン
塗布で膜厚が20μになるように塗布し、70°Cのク
リーンオーブンで2時間乾燥させた(第5図(f))。When this resist 22 is removed, the excess conductor layer 6 on the surface of the resist 22 is also removed at the same time, and only the conductor layer 6 formed in the hole 4 of the resist 22 remains on the surface of the substrate 5 as a circuit layer. A circuit 7 was formed (FIG. 5(e)). Next, photosensitive polyimide (1)N-6) manufactured by Asahi Kasei Industries, Ltd. was used as the photosensitive resin 8, and spin coating was performed on the surface of the substrate 5 from above the circuit 7 at 13,000 rpm for 30 seconds to obtain a film thickness of 20 μm. It was coated so as to have the following properties and dried in a clean oven at 70°C for 2 hours (Fig. 5(f)).
次いで感光性+1(Jilt 8を露光したのち焼き付
け、さらに現像すると共に140℃で1時間及びN2雰
囲気中で400°Cで1時間それぞれ加熱することによ
って硬化させ、感光性樹Wt8を眉間絶縁層として硬化
形成させると共に感光性樹脂8に5oμφの寸法で形成
したパイヤホール10で回路7の一部を露出させた(第
5図(g))。ここで、露光は250Wffi高圧水銀
灯を用いて200mJ/cm2.25秒の条件でおこな
い、焼き付けは70℃のクリーンオーブンで10分の条
件でおこなった。さらに現像は専用現像液(A−135
)を用いて100秒の条件でおこなうと共に専用リンス
(C−200)を用いて60秒間リンスをおこなった。Next, photosensitivity +1 (Jilt 8) was exposed, baked, developed, and cured by heating at 140°C for 1 hour and 400°C in a N2 atmosphere for 1 hour, and photosensitive wood Wt8 was used as an insulating layer between the eyebrows. While curing and forming, a part of the circuit 7 was exposed through a pipe hole 10 formed in the photosensitive resin 8 with a size of 5oμφ (FIG. 5(g)).Here, the exposure was 200mJ/cm2 using a 250Wffi high-pressure mercury lamp. .25 seconds, and baking was carried out in a clean oven at 70°C for 10 minutes.Furthermore, development was carried out using a special developer (A-135
) for 100 seconds, and a dedicated rinse (C-200) for 60 seconds.
こののちに上記方法と同様にしてレジスト22の塗布、
露光、現像、銅のスパッタリング、レジスト22の除去
の工程を繰り返して第二層目の回路12を形成しく第5
図(11)乃至第5図(k))、二層回路構成の回路2
0一
基板を得た。After this, apply the resist 22 in the same manner as above,
The steps of exposure, development, copper sputtering, and removal of the resist 22 are repeated to form the second layer of the circuit 12.
Figures (11) to 5(k)), circuit 2 with two-layer circuit configuration
01 substrate was obtained.
具体例2
レジスト22としてドライフィルムを用い、レジスト2
2に線幅が50μ、線間隔が60μの回路パターンで孔
4を形成させるようにすると共に、感光性樹脂8に形成
するパイヤホール10の任を100μφに設定するよう
にした他は、具体例1と同様にして二層回路構成の回路
基板を得た。Specific example 2 Using a dry film as the resist 22, the resist 2
Example 1 except that the hole 4 was formed in a circuit pattern with a line width of 50μ and a line spacing of 60μ in the photosensitive resin 8, and the size of the wire hole 10 formed in the photosensitive resin 8 was set to 100μφ. A circuit board with a two-layer circuit configuration was obtained in the same manner as above.
し発明の効果]
上述のように本発明に係る回路形成用マスクを用いるこ
とによって、エツチングをおこなう必要なくドライプロ
セスで回路形成ができるものであり、エツチングの場合
のような各種の工程を必要とすることなく簡単な工程で
回路を形成することができ、しかもエツチング液の残留
による不純性イオンで絶縁性等の特性に悪影響が生じた
りするおそれがないと共に、またエツチング液の回り込
みで回路にやせ細りなどが生じるおそれがなく、微細な
回路を精密に形成することができるものである。[Effects of the Invention] As described above, by using the circuit forming mask according to the present invention, a circuit can be formed by a dry process without the need for etching, and various steps unlike etching are not required. The circuit can be formed in a simple process without the need for etching, and there is no risk that impurity ions due to residual etching solution will adversely affect properties such as insulation. There is no fear that such problems will occur, and fine circuits can be precisely formed.
第1図(、)(b)は本発明の回路形成用マスクの一実
施例を示す断面図、第2図(a)乃至(j)は同上のマ
スクを用いた回路形成の各工程部分を示す模型的な断面
図、第3図(、)乃至(e)は他の回路形成用マスクの
91造を示す断面図、第4図(a)(b)は同上のマス
クを用いた回路形成の工程の一部を示す模型的な断面図
、第5図(、)乃至(k)はさらに他の回路形成の各工
程部分を示す模型的な断面図である。
1は接着剤、2は樹脂層、3はバックメタルである。FIGS. 1(a) to 2(b) are cross-sectional views showing one embodiment of the circuit forming mask of the present invention, and FIGS. 2(a) to (j) show each step of circuit formation using the same mask. 3(a) to 3(e) are sectional views showing 91 structures of other circuit forming masks, and FIGS. 4(a) and 4(b) are schematic sectional views showing circuit formation using the same mask. FIGS. 5(a) to 5(k) are schematic cross-sectional views showing a part of the process of forming other circuits. 1 is an adhesive, 2 is a resin layer, and 3 is a back metal.
Claims (2)
面に積層されたバックメタルとで形成されて成ることを
特徴とする回路形成用マスク。(1) A mask for circuit formation, characterized in that it is formed of a resin layer provided with an adhesive on the surface and a back metal laminated on the back side of the resin layer.
な耐熱性樹脂であり、バックメタルはAl箔のようなレ
ーザー反射率の高い金属箔であることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の回路形成用マスク。(2) Claim 1, characterized in that the resin layer is a heat-resistant resin that is easy to laser process, such as polyimide, and the back metal is a metal foil with high laser reflectivity, such as Al foil. The mask for forming the circuit described above.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61180988A JPS6336248A (en) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | Mask for forming circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61180988A JPS6336248A (en) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | Mask for forming circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6336248A true JPS6336248A (en) | 1988-02-16 |
Family
ID=16092775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61180988A Pending JPS6336248A (en) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | Mask for forming circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6336248A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106004043A (en) * | 2015-03-25 | 2016-10-12 | 康代有限公司 | Selective solder mask printing on printed circuit board (PCB) |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP61180988A patent/JPS6336248A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106004043A (en) * | 2015-03-25 | 2016-10-12 | 康代有限公司 | Selective solder mask printing on printed circuit board (PCB) |
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