JPS6331556A - 精白米の破砕方法 - Google Patents
精白米の破砕方法Info
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- JPS6331556A JPS6331556A JP17643186A JP17643186A JPS6331556A JP S6331556 A JPS6331556 A JP S6331556A JP 17643186 A JP17643186 A JP 17643186A JP 17643186 A JP17643186 A JP 17643186A JP S6331556 A JPS6331556 A JP S6331556A
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Landscapes
- Disintegrating Or Milling (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は米を各種の加工食品や工業製品に利用する為
、精米後に適当な大きさに破砕するための方法に関する
。
、精米後に適当な大きさに破砕するための方法に関する
。
従来、精白米を破砕するには、通常は回転速度の異なる
２個のロール間に米を送り込み、ロールにより米に回転
圧擦力を加えて破砕する方法が用いられている。この方
法は機械的な力のみによって米を砕く方式であり、砕粒
の大きさの調節はロール面の形状や、米に加える力を加
減することにより行われる。
２個のロール間に米を送り込み、ロールにより米に回転
圧擦力を加えて破砕する方法が用いられている。この方
法は機械的な力のみによって米を砕く方式であり、砕粒
の大きさの調節はロール面の形状や、米に加える力を加
減することにより行われる。
ところが、従来の機械的な力による破砕方法では、破砕
時に微粉や希望値以下の細かな微粒子が大量に発生し、
これらが全てロス分となるので、作業の歩留シが極めて
悪い他、破砕時には大きな力を加えるので、発熱を伴い
、米の変質を招くという欠点がある。
時に微粉や希望値以下の細かな微粒子が大量に発生し、
これらが全てロス分となるので、作業の歩留シが極めて
悪い他、破砕時には大きな力を加えるので、発熱を伴い
、米の変質を招くという欠点がある。
本発明はこのような点を解消し、細粒子の発生が極めて
少なく、且つ、極めて小さな力で米を適当な大きさに砕
くことのできる破砕方法を提供せんとするものである。
少なく、且つ、極めて小さな力で米を適当な大きさに砕
くことのできる破砕方法を提供せんとするものである。
本発明の精白米の破砕方法の技術的手段は、予じめ搗精
した精白米に加水して、米粒内に水を浸透させ、その後
、米粒を生乾燥または完全乾燥させて、米粒表面にヒビ
割れを発生させ、このヒビの割れ目から精白米を分断す
ることにある。
した精白米に加水して、米粒内に水を浸透させ、その後
、米粒を生乾燥または完全乾燥させて、米粒表面にヒビ
割れを発生させ、このヒビの割れ目から精白米を分断す
ることにある。
本発明では予じめ必要な程度に精白処理された米を用い
る。この際の精米方式や精白度については自由である。
る。この際の精米方式や精白度については自由である。
加水方法は米粒を水中に漬ける浸漬方法でも、また米粒
に水を散布する方法でもよい。ただし、散水付与方法で
大量吸水させる場合には適当な時間間隔で繰り返し散水
する必要がある。加水による米内への吸水率は少なくと
も１％以上が必要であり、米内への吸水率が高くなる程
、砕粒が細くなる。従って、希望する砕粒条件に合わせ
て加水時間や吸水率を調節する。通常５〜８個に砕粒す
る場合には、米粒などによシ若干の違いはあるが、加水
時間は浸漬方法で３〜８分程度、吸水率４〜８％程度で
ある。乾燥方法は自由であり、自然乾燥でも、強制乾燥
でも、加熱乾燥でもよい。即ち、米粒を水から出し、そ
のまま常温で放置する方法や、この米粒に風を当てる方
法や、あるいは、米粒を攪拌しながら送風乾燥させる方
法や、更にほこの風を加熱しておく方法など全く自由で
ある。乾燥必要時間は乾燥方法及び吸水率によって大幅
に異なるが、常温送風乾燥の場合では０．５時間以上が
必要である。乾燥時間には制限かない。乾燥が進むにつ
れて、先ず、米粒の表面に細いヒビ割れが発生し、次に
このヒビ割れが進行し、最後には乾燥、ヒビ割れ共、自
然に進行が停止する。そこでこの進行途中の段階または
進行の亭土した段階で外圧をかけて破砕する。破砕の為
の機械的外力を付与する手段は自由であり、ロール式で
も攪拌式でも、あるいは高所よシ落下させた９する方式
などでもよい。充分な吸水と乾燥とを行った場合には全
く外力を加えなくても、独りでに破砕することもある。
に水を散布する方法でもよい。ただし、散水付与方法で
大量吸水させる場合には適当な時間間隔で繰り返し散水
する必要がある。加水による米内への吸水率は少なくと
も１％以上が必要であり、米内への吸水率が高くなる程
、砕粒が細くなる。従って、希望する砕粒条件に合わせ
て加水時間や吸水率を調節する。通常５〜８個に砕粒す
る場合には、米粒などによシ若干の違いはあるが、加水
時間は浸漬方法で３〜８分程度、吸水率４〜８％程度で
ある。乾燥方法は自由であり、自然乾燥でも、強制乾燥
でも、加熱乾燥でもよい。即ち、米粒を水から出し、そ
のまま常温で放置する方法や、この米粒に風を当てる方
法や、あるいは、米粒を攪拌しながら送風乾燥させる方
法や、更にほこの風を加熱しておく方法など全く自由で
ある。乾燥必要時間は乾燥方法及び吸水率によって大幅
に異なるが、常温送風乾燥の場合では０．５時間以上が
必要である。乾燥時間には制限かない。乾燥が進むにつ
れて、先ず、米粒の表面に細いヒビ割れが発生し、次に
このヒビ割れが進行し、最後には乾燥、ヒビ割れ共、自
然に進行が停止する。そこでこの進行途中の段階または
進行の亭土した段階で外圧をかけて破砕する。破砕の為
の機械的外力を付与する手段は自由であり、ロール式で
も攪拌式でも、あるいは高所よシ落下させた９する方式
などでもよい。充分な吸水と乾燥とを行った場合には全
く外力を加えなくても、独りでに破砕することもある。
本発明の破砕方法では、加水により先ず米粒の内部に水
分が浸透して、米粒が膨張する。次にこの米粒を乾燥さ
せると、収率にょυ先ず表面にヒビ割れが生じ、これが
乾燥と共に内部に進行する。
分が浸透して、米粒が膨張する。次にこの米粒を乾燥さ
せると、収率にょυ先ず表面にヒビ割れが生じ、これが
乾燥と共に内部に進行する。
ヒビ割れの本数は米粒の水分吸収量によって異なシ、吸
水量が少ない場合は通常、２〜６本、程度で、吸水量の
多い場合には８〜１５木程度である。
水量が少ない場合は通常、２〜６本、程度で、吸水量の
多い場合には８〜１５木程度である。
またヒビ割れは吸水量の多い場合はど内部に深く進行し
、充分な吸水と乾燥とを加えた場合には独りでに破砕す
ることがある。このようなヒビ割しの生じている米粒に
機械的外力を加えるので、米粒は小さな力で簡単に破砕
する。またこの破砕に伴う倣扮の発生は非常に少ない。
、充分な吸水と乾燥とを加えた場合には独りでに破砕す
ることがある。このようなヒビ割しの生じている米粒に
機械的外力を加えるので、米粒は小さな力で簡単に破砕
する。またこの破砕に伴う倣扮の発生は非常に少ない。
破砕粒の大きさ、個数は加水を加減することによシ調節
できる。
できる。
以下に本発明の破砕方法の実施例について説明する。な
お、実施例に用いた米は、昭和６０年和歌山県産、「日
本晴」１等米である。
お、実施例に用いた米は、昭和６０年和歌山県産、「日
本晴」１等米である。
実施例（１）：
前記精白米５００ｆを、水２１を入れた容器に漬け、そ
のまま静置させた。１分後に米を水から取り出し、金網
の上に敷き均らして、扇風機の風を６０分間当てて乾燥
させた。米粒の表面には深いヒビ割れが平均４本形成さ
れていた。この米粒を摩擦式精米機にかけ外力を加えた
ところ、米粒は簡単に砕けた。破砕粒の個数は平均４個
であった。破砕によって生じた微粒子の量は５ｙであっ
た。
のまま静置させた。１分後に米を水から取り出し、金網
の上に敷き均らして、扇風機の風を６０分間当てて乾燥
させた。米粒の表面には深いヒビ割れが平均４本形成さ
れていた。この米粒を摩擦式精米機にかけ外力を加えた
ところ、米粒は簡単に砕けた。破砕粒の個数は平均４個
であった。破砕によって生じた微粒子の量は５ｙであっ
た。
実施例（２）；
精白米５００ｇを攪拌しながら、これに水３ ｃｃ を
噴霧添加し、そのま才装置し、１０分後に再び３ｃｃを
同様に添加し、更に１０後、水３ｃｃを同様に添加し、
これを金網に広げて放置した。３０分後、生乾き伏、態
のこの米を摩擦式精米機により加圧を加えたところ簡単
に砕けた。破砕粒の個数は平均２．５個であった。発生
した微粒子の量は８ｙであった。
噴霧添加し、そのま才装置し、１０分後に再び３ｃｃを
同様に添加し、更に１０後、水３ｃｃを同様に添加し、
これを金網に広げて放置した。３０分後、生乾き伏、態
のこの米を摩擦式精米機により加圧を加えたところ簡単
に砕けた。破砕粒の個数は平均２．５個であった。発生
した微粒子の量は８ｙであった。
実施例（３）：
精白米５００Ｖを１０分間水に浸漬し、金網の上に広げ
て２時間自然乾燥させた。乾燥するに従い無数の小ヒビ
が生じ、完全乾燥時にはほとんどの米が大きなヒビ割れ
部より６〜８個に分割されていた。これを３ｍの高さよ
り落下させたところ完全粒はなく、全ての米が６〜１０
個に分割された。発生した微粒子の量は２ｙであった。
て２時間自然乾燥させた。乾燥するに従い無数の小ヒビ
が生じ、完全乾燥時にはほとんどの米が大きなヒビ割れ
部より６〜８個に分割されていた。これを３ｍの高さよ
り落下させたところ完全粒はなく、全ての米が６〜１０
個に分割された。発生した微粒子の量は２ｙであった。
Claims (1)
- １、予じめ搗精した精白米に加水して、米粒内に水を浸
透させ、その後、米粒を生乾燥または完全乾燥させて、
米粒表面にヒビ割れを発生させ、このヒビの割れ目から
精白米を分断することを特徴とする精白米の破砕方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17643186A JPS6331556A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 精白米の破砕方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17643186A JPS6331556A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 精白米の破砕方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331556A true JPS6331556A (ja) | 1988-02-10 |
Family
ID=16013583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17643186A Pending JPS6331556A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 精白米の破砕方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6331556A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8878214B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-11-04 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60147255A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-03 | 株式会社 サタケ | 破砕精米の製造方法および製造装置 |
| JPS60150846A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-08 | 株式会社 サタケ | 破砕精米の製造方法および製造装置 |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17643186A patent/JPS6331556A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60147255A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-03 | 株式会社 サタケ | 破砕精米の製造方法および製造装置 |
| JPS60150846A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-08 | 株式会社 サタケ | 破砕精米の製造方法および製造装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8878214B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-11-04 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
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