JPS633077A - 表面被覆膜 - Google Patents
表面被覆膜Info
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- JPS633077A JPS633077A JP14519286A JP14519286A JPS633077A JP S633077 A JPS633077 A JP S633077A JP 14519286 A JP14519286 A JP 14519286A JP 14519286 A JP14519286 A JP 14519286A JP S633077 A JPS633077 A JP S633077A
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- Pending
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、表面被覆膜に関し、特に、表面への空気中の
ゴミなどの吸着をきらい、且つ、表面硬度の著しく高い
ことを要求される、電子表示装置、磁気記録装置などの
表示媒体、透視媒体や記録媒体などに適した表面被覆膜
に関する。
ゴミなどの吸着をきらい、且つ、表面硬度の著しく高い
ことを要求される、電子表示装置、磁気記録装置などの
表示媒体、透視媒体や記録媒体などに適した表面被覆膜
に関する。
従来の技術
表面硬度を上げ、摩損や傷を防ぐために、SiC。
TiN その他保護膜を形成する技術は広く汎用され
ている。特に最近は、硬度の非常に高いダイヤモンド状
炭素やi状炭素と呼ばれる高硬度の、ダイヤモンドに類
似した薄膜を表面被覆材に利用する研究が盛んである。
ている。特に最近は、硬度の非常に高いダイヤモンド状
炭素やi状炭素と呼ばれる高硬度の、ダイヤモンドに類
似した薄膜を表面被覆材に利用する研究が盛んである。
このような炭素被膜は、種々の方法で作成されているが
、いずれも、1oパスカル以下の減圧中で行われ、炭素
ターゲットをイオンスバワターなどで、又、メタンガス
をプラズマなどで分解して、得られた活性炭素を被覆す
るものである。作成条件によって、硬いダイヤモンド状
のものから、軟らかい石昂状のものまで種々の性状にな
る。この時、前者では、優に1012Ω/i以上、後者
では105Ω/i以下の表面抵抗を示す。即ち、硬さと
抵抗は共に高く、ないしは低くなる。
、いずれも、1oパスカル以下の減圧中で行われ、炭素
ターゲットをイオンスバワターなどで、又、メタンガス
をプラズマなどで分解して、得られた活性炭素を被覆す
るものである。作成条件によって、硬いダイヤモンド状
のものから、軟らかい石昂状のものまで種々の性状にな
る。この時、前者では、優に1012Ω/i以上、後者
では105Ω/i以下の表面抵抗を示す。即ち、硬さと
抵抗は共に高く、ないしは低くなる。
又、得られた薄膜は、島状か、多くの孔があり完全な被
覆膜となっていない。
覆膜となっていない。
発明が解決しようとする問題点
従来の方法によれば、ダイヤモンドに近い硬度のCやT
iN などの低摩耗被覆膜を形成し得る。
iN などの低摩耗被覆膜を形成し得る。
清浄度の高い雰囲気中では繰り返し摩擦テストでも殆ん
ど劣化のないことが確認された。ところが、ゴミの多い
通常環境でテストを行うと、殆んど劣化のない部分があ
る一方、瞬間的に破壊している部分が認められた。しか
も、この破壊は急速に拡大してゆくことが判明した。
ど劣化のないことが確認された。ところが、ゴミの多い
通常環境でテストを行うと、殆んど劣化のない部分があ
る一方、瞬間的に破壊している部分が認められた。しか
も、この破壊は急速に拡大してゆくことが判明した。
本発明は、このような破壊の拡大や、劣化を実用上問題
のない水準にまで低下せしめるものである。
のない水準にまで低下せしめるものである。
問題点を解決するための手段
表面抵抗107Ω/d以下となる不純物元素を含んだダ
イヤモンド状炭素を主体として被覆膜を構成する。
イヤモンド状炭素を主体として被覆膜を構成する。
作用
不純物が炭素膜中に導入されることによって、半導体化
される。この結果、導入不純物量に従って、バルク抵抗
値は数桁容易に低下する。正確な濃度は測定されていな
いが、推定10 pp!11 以上の濃度のBやPの存
在で、表面抵抗は107Ω/d以下になっている。この
ような低抵抗においては、空気中のホコリ等を殆んど吸
着しない。
される。この結果、導入不純物量に従って、バルク抵抗
値は数桁容易に低下する。正確な濃度は測定されていな
いが、推定10 pp!11 以上の濃度のBやPの存
在で、表面抵抗は107Ω/d以下になっている。この
ような低抵抗においては、空気中のホコリ等を殆んど吸
着しない。
このため、このような保護皮膜の表面を繰り返し摩擦し
ても殆んどホコリ等をかみ込むことがなく、従って表面
に傷がつかない。又、透視用の窓に使用しても、ホコリ
を吸着せず、又、上に乗っても簡単に除去され、曇るこ
ともない。
ても殆んどホコリ等をかみ込むことがなく、従って表面
に傷がつかない。又、透視用の窓に使用しても、ホコリ
を吸着せず、又、上に乗っても簡単に除去され、曇るこ
ともない。
さらに、薄膜形成中に帯電することがなく、このため、
絶縁破壊等によるピンホールの発生のないことが、走査
型電子顕微鏡で確認された。
絶縁破壊等によるピンホールの発生のないことが、走査
型電子顕微鏡で確認された。
実施例
ダイヤモンド状炭素ないしはi状炭素膜を高硬度で且つ
低い表面抵抗を有するように形成する。
低い表面抵抗を有するように形成する。
炭素を含む、例えばメタンガス等を、主ガスとし、これ
に対して、B+Pのように、四族に隣接する他側の元素
を同様ガス状とし、0.01〜1oチ量を混合せしめ、
プラズマを生じしめ、炭素皮膜を形成せしめる。この結
果皮膜中へ、不純物が110−1O00pp混入され、
このため表面抵抗が107ΩA 以下となり、帯電しな
いようになる。
に対して、B+Pのように、四族に隣接する他側の元素
を同様ガス状とし、0.01〜1oチ量を混合せしめ、
プラズマを生じしめ、炭素皮膜を形成せしめる。この結
果皮膜中へ、不純物が110−1O00pp混入され、
このため表面抵抗が107ΩA 以下となり、帯電しな
いようになる。
次によシ具体的に実施例を説明する。CI(4/ムr/
Bl!15 を2 / 1 / 0.002〜0.2
の比で混合し、被覆層を形成すべき基体を充填した真空
室内に約10 TQrr の圧力になるよう導入した
。流量は全体で1OCC/分 である。直流バイアスを
500−2ooovかけ、13.45 MHz o r
r大入力500Wかけ、プラズマ化して、水冷した基体
上にダイヤモンド状の炭素膜を形成した。得られた膜の
屈折率は2.2〜2.4、表面抵抗はいずれも10’Ω
/d以下(相対湿度70チの環境下)であることが判明
した。結果を第1表に示す。
Bl!15 を2 / 1 / 0.002〜0.2
の比で混合し、被覆層を形成すべき基体を充填した真空
室内に約10 TQrr の圧力になるよう導入した
。流量は全体で1OCC/分 である。直流バイアスを
500−2ooovかけ、13.45 MHz o r
r大入力500Wかけ、プラズマ化して、水冷した基体
上にダイヤモンド状の炭素膜を形成した。得られた膜の
屈折率は2.2〜2.4、表面抵抗はいずれも10’Ω
/d以下(相対湿度70チの環境下)であることが判明
した。結果を第1表に示す。
同表に示すように、必らずしも安定した結果を得ていな
いが、これは、膜そのものが非晶質状であり、構造その
ものが非常に微妙に変化し、不純物の導入量や、抵抗値
が、簡単に変わるものと考えられる。
いが、これは、膜そのものが非晶質状であり、構造その
ものが非常に微妙に変化し、不純物の導入量や、抵抗値
が、簡単に変わるものと考えられる。
(以下余 白)
しかしながら、化学分析の結果(Si02上に形成した
炭素膜厚をエリプソメーターで計測した後、試料を酸化
し、得られたB2O2を定量、膜厚から求めた炭素量と
対比、濃度を算定した)、第1表に示すように、いずれ
も10 ppm11 以上の濃度のあることが判明した
。ただし、濃度測定には±50チに及ぶかなりの誤差が
含まれている。
炭素膜厚をエリプソメーターで計測した後、試料を酸化
し、得られたB2O2を定量、膜厚から求めた炭素量と
対比、濃度を算定した)、第1表に示すように、いずれ
も10 ppm11 以上の濃度のあることが判明した
。ただし、濃度測定には±50チに及ぶかなりの誤差が
含まれている。
電子顕微鏡観察の結果、試料番号16以外はいずれにも
ピンホールのないことが確認された。
ピンホールのないことが確認された。
次にCH4/PH5を170.0o01〜0.06の比
で混合し、同上の条件でダイヤモンド状炭素膜を形成し
た所、第2表に示す結果を得た。
で混合し、同上の条件でダイヤモンド状炭素膜を形成し
た所、第2表に示す結果を得た。
(以 下金 白)
これらの膜はいずれも非常に硬く、摩擦係数は0.1以
下であり、ラマン分析の結果、ダイヤモンド状炭素膜に
特有のピークが観察された。又、試料番号11以外の膜
には、放電等のために形成されるピンホールは観察され
なかった。
下であり、ラマン分析の結果、ダイヤモンド状炭素膜に
特有のピークが観察された。又、試料番号11以外の膜
には、放電等のために形成されるピンホールは観察され
なかった。
次に、第1表三項目の膜を、12.61B巾のNi蒸着
テープ上に約60人厚に形成し、その保護膜特性を試験
した。VH3型のVTRに実装し、いわゆるステル試験
(相対湿度1oチ下で静止画像を見続ける苛酷な摩耗テ
スト)t−行った所、20分以上問題がなかった。これ
に対して、このような保護膜がなく、ステアリン酸のよ
うな固体潤滑剤を塗布した場合では、5分以下で劣化が
見られた。又、本発明のテープを室内に放置しても、ホ
コリの吸着は殆んどなかった。
テープ上に約60人厚に形成し、その保護膜特性を試験
した。VH3型のVTRに実装し、いわゆるステル試験
(相対湿度1oチ下で静止画像を見続ける苛酷な摩耗テ
スト)t−行った所、20分以上問題がなかった。これ
に対して、このような保護膜がなく、ステアリン酸のよ
うな固体潤滑剤を塗布した場合では、5分以下で劣化が
見られた。又、本発明のテープを室内に放置しても、ホ
コリの吸着は殆んどなかった。
これに対して、不純物の入らない第1表試料16や第2
表試料11のダイヤモンド状炭素膜においては、20分
以上変化のない場合もあったが、殆んど5〜16分の間
に急に劣化し、下地Co /Ni層まで破壊された。
表試料11のダイヤモンド状炭素膜においては、20分
以上変化のない場合もあったが、殆んど5〜16分の間
に急に劣化し、下地Co /Ni層まで破壊された。
次に、レコード板上に第2表−項目の膜を約150人形
成した。通常のレコード板と異なり、板上についたホコ
リは簡単に吹き飛ばし、又、拭き取ることができた。こ
の結果、針の下にホコリをかみ込むことが少なく、又、
かみ込んでも、傷がつかなかった。さらに故意に針を次
の溝へ滑らしても、傷が入らない等非常に硬い、ホコリ
のつかない膜が形成されていることが判った。
成した。通常のレコード板と異なり、板上についたホコ
リは簡単に吹き飛ばし、又、拭き取ることができた。こ
の結果、針の下にホコリをかみ込むことが少なく、又、
かみ込んでも、傷がつかなかった。さらに故意に針を次
の溝へ滑らしても、傷が入らない等非常に硬い、ホコリ
のつかない膜が形成されていることが判った。
次に、プラスチック製風防上に第1表三項目の炭素膜を
厚さ260人形成した。この風防上へ、1〜6μm径の
5in2粉を含むジェ・ソト気流を衝突させた所、少し
曇りはしたものの、1時間以上視界を保っていた。これ
に対し、TiN を蒸着したものでは、約15分で、保
護膜のないものでは瞬時に視界がなくなり、全く白く曇
ってしまった。
厚さ260人形成した。この風防上へ、1〜6μm径の
5in2粉を含むジェ・ソト気流を衝突させた所、少し
曇りはしたものの、1時間以上視界を保っていた。これ
に対し、TiN を蒸着したものでは、約15分で、保
護膜のないものでは瞬時に視界がなくなり、全く白く曇
ってしまった。
発明の効果
以上の説明で明らかなように、本発明による表面被覆層
は、表面抵抗が低いため、ホコリなどを吸着せず、異常
放電によるピンホールの形成もない。又、耐着したホコ
リも簡単に落ちる等の特徴を有すると同時に、ダイヤモ
ンド程度の硬度を有する。さらに、ホコリの耐着が少な
いこと、ピンホール等のないことが相まって、傷が形成
され難いO このような特性があるため、繰シ返し接触の多い苛酷な
使用をされる接触媒体(テープ、ディスク、レコード、
風防、タッチパネル等のいずれであっても)用の被覆層
として、非常に有用である。
は、表面抵抗が低いため、ホコリなどを吸着せず、異常
放電によるピンホールの形成もない。又、耐着したホコ
リも簡単に落ちる等の特徴を有すると同時に、ダイヤモ
ンド程度の硬度を有する。さらに、ホコリの耐着が少な
いこと、ピンホール等のないことが相まって、傷が形成
され難いO このような特性があるため、繰シ返し接触の多い苛酷な
使用をされる接触媒体(テープ、ディスク、レコード、
風防、タッチパネル等のいずれであっても)用の被覆層
として、非常に有用である。
Claims (1)
- 表面抵抗10^7Ω/cm^2以下となる不純物元素を
含んだダイヤモンド状炭素を主体とした表面被覆膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14519286A JPS633077A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 表面被覆膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14519286A JPS633077A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 表面被覆膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS633077A true JPS633077A (ja) | 1988-01-08 |
Family
ID=15379551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14519286A Pending JPS633077A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 表面被覆膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS633077A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6468617B1 (en) | 1993-07-20 | 2002-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP14519286A patent/JPS633077A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
US6468617B1 (en) | 1993-07-20 | 2002-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
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