JPS6330350U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6330350U JPS6330350U JP12251286U JP12251286U JPS6330350U JP S6330350 U JPS6330350 U JP S6330350U JP 12251286 U JP12251286 U JP 12251286U JP 12251286 U JP12251286 U JP 12251286U JP S6330350 U JPS6330350 U JP S6330350U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- ion source
- ion
- pores
- extracting
- Prior art date
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- Granted
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は、この考案の一実施例に係るイオン源
を示す概略断面図である。第２図は、第１図のイ
オン源の電極の一例を示す概略斜視図である。第
３図は、イオンビーム収束性の実験例を説明する
ための図である。第４図は、従来例のイオン源を
用いたイオンビームスパツタリング装置の一例を
示す概略断面図である。第５図は、従来のイオン
源の他の例を示す概略断面図である。 ４……ターゲツト、１０……イオンビーム、２
６……正電極、２８……負電極、２６０，２８０
……細孔。
を示す概略断面図である。第２図は、第１図のイ
オン源の電極の一例を示す概略斜視図である。第
３図は、イオンビーム収束性の実験例を説明する
ための図である。第４図は、従来例のイオン源を
用いたイオンビームスパツタリング装置の一例を
示す概略断面図である。第５図は、従来のイオン
源の他の例を示す概略断面図である。 ４……ターゲツト、１０……イオンビーム、２
６……正電極、２８……負電極、２６０，２８０
……細孔。
Claims (1)
- イオンビームを引出すための引出し電極系を、
多数の細孔を有する平板状の電極をく字状にイオ
ンビーム引出し側へ折り曲げた電極で構成してい
ることを特徴とするイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986122512U JPH0734924Y2 (ja) | 1986-08-09 | 1986-08-09 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986122512U JPH0734924Y2 (ja) | 1986-08-09 | 1986-08-09 | イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6330350U true JPS6330350U (ja) | 1988-02-27 |
| JPH0734924Y2 JPH0734924Y2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=31012767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986122512U Expired - Lifetime JPH0734924Y2 (ja) | 1986-08-09 | 1986-08-09 | イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734924Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH046272A (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-10 | Hitachi Ltd | イオンビームスパッタリング装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5645600A (en) * | 1979-09-19 | 1981-04-25 | Hitachi Ltd | Perforated ion source assembly* adjustment* and device therefor |
| JPS58108699A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-28 | 株式会社日立製作所 | 中性粒子入射装置用イオン源の電極組立方法 |
-
1986
- 1986-08-09 JP JP1986122512U patent/JPH0734924Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5645600A (en) * | 1979-09-19 | 1981-04-25 | Hitachi Ltd | Perforated ion source assembly* adjustment* and device therefor |
| JPS58108699A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-28 | 株式会社日立製作所 | 中性粒子入射装置用イオン源の電極組立方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH046272A (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-10 | Hitachi Ltd | イオンビームスパッタリング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0734924Y2 (ja) | 1995-08-09 |