JPS63301027A - 液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は液晶素子に関し、特に高分子液晶性化合物を含
有する高分子液晶組成″物中に紫外線吸収剤を添加した
液晶層を有する液晶素子に関するものである。

［従来の技術］ 従来、メモリーやディスプレイ等に使用されている液晶
素子は、高速応答性等の要求に応じるために、低分子液
晶か多く用いられている。しかしながら、近年、大画面
ディスプレイの要望や液晶素子の実装の簡素化などの点
から、高分子液晶性化合物と低分子液晶性化合物との混
合系、あるいは高分子液晶系などいわゆる高分子液晶組
成物を用いた液晶素子の検討か行なわれてきた。

この様な高分子液晶組成物を用いることは、以下の点で
有効であると考えられる。

■　高分子液晶組成物は、溶液塗布等により成膜化する
ことが可能であり、また液晶素子の大面積化が実現でき
る上に、ｇ膜化、膜厚制御か容易なため、従来、低分子
液晶で行なわれているセル基板間のギャップ制御などの
難点が解消される。

■　高分子液晶組成物の中には、延伸等によって配向さ
せることが可能なものもあり、低分子液晶で用いられて
いる配向膜が不要になる可能性がある。

■　メモリーやディスプレイなどに液晶素子を用いる際
には、コントラストの向上のために、光吸収性色素を含
有させることが行なわれる。高分子液晶組成物の場合は
、ポリマーの色素に対する相溶性などを活用できるため
、染料や顔料などの色素類を均一に分散させることがで
きる。

このように高分子液晶組成物を用いることにより、数々
の有効性が見出される一方で、液晶素子の使用環境によ
っては、長時間にわたって太陽光やその他の光源からの
紫外線照射を受けることがある。このような紫外線照射
は液晶素子を構成する材料、例えば、基板や液晶層中の
高分子液晶性化合物等の高分子材料や光吸収性色素など
の分解を招く、特に、光吸収性色素は分解を受けやすく
、液晶素子のコントラストの低下などを起し、経時安定
性に欠けるという問題点があった。

［発明が解決しようとする問題点コ 本発明は、少なくとも１種類以上の高分子液晶性化合物
を含有する高分子液晶組成物を液晶層とする液晶素子に
おいて、該高分子液晶組成物中に紫外線吸収剤を含有さ
せることにより、耐光性、経時安定性および耐久性に優
れた液晶素子を提供することを目的とするものである。

［問題点を解決するための手段］ 即ち、本発明は、少なくとも１種類以上の高分子液晶性
化合物を含有する高分子液晶組成物からなる液晶層を有
する液晶素子において、該高分子液晶組成物中に少なく
とも１種類以上の紫外線吸収剤を含有していることを特
徴とする液晶素子である。

以下、本発明の詳細な説明する。

一般に、プラスチック、高分子液晶性化合物等の高分子
材料や、光吸収性色素類は、主として太陽光からの紫外
線照射を受けると、光酸化反応等により分解され、耐光
性に欠けるという問題かあるが、このような材料中に紫
外線吸収剤を添加することにより、紫外線照射に対する
耐光性、経時安定性および耐久性を向上させることがで
きる。

照射される光のうち、特に紫外線は、量子エネルギーが
大きく、特に光酸化反応が起こりやすい。

したがって、本発明においては、高分子液晶組成物に紫
外線吸収剤を含有させることにより、液晶素子の耐光性
、経時安定性および耐久性を向上させることができる。

本発明において用いることのできる紫外線吸収剤は、特
に限定することなく通常の広範囲の紫外線吸収剤を使用
することができるが、その具体例を示すと、サリチレー
ト系、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、シア
ノアクリレート系等が挙げられる。

この様な紫外線吸収剤としては、例えば以下のものがあ
る。

（サリチレート系） フェニルサリシレート、　ｐ−ｔｅｒｔ−プチルフェニ
ルサリシレート、ｐ−オクチルフェニルサリシレート、 （ベンゾフェノン系） ２．４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ
−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−
オクトキシベンゾフェノン、２．２′−ジヒドロキシ−
４，４′−ジメトキシベンゾフェノン） （ベンゾトリアゾール系） ２−（２’−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）ベン
ゾトリアゾール、 ２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニル）ベンゾトリアゾール、 ２−（２’−ヒドロキシ−３’　、５’−ジー七ｃｒｔ
−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、 ２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５
′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール
、２−（２’−ヒドロキシ−３’　、５’−ジーｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール
、２−（２’−ヒドロキシ−３’　、５’−シーｔｅｒ
ｔ−アミルフエニル）ベンゾトリアゾール、 （シアノアクリレート系） ２−エチルへキシル−２−シアノ−３，３′−ジフェニ
ルアクリレート、 エチル−２−シアノ−３，３′−ジフェニルアクリレー
ト笠か挙げられるが、これらに限定されるものではない
。これら紫外線吸収剤は、１種類もしくは２種類以上混
合して使用してもよく、また必要に応じて酸化防止剤等
として併用してもよい。

また、高分子液晶組成物中における紫外線吸収剤の含有
量は、高分子液晶組成物に対して０．０００１〜ＩＯ重
量％、好ましくはｏ、ｏｏｏｓ〜８重量％が望ましく、
０．０００１重量％未満では紫外線防止効果が充分に得
られず、１０重量％をこえると必要以上の量を使用する
ことになり不経済である。

本発明の液晶素子に使用される高分子液晶組成物中には
、高分子液晶性化合物と低分子液晶性化合物の混合系、
または高分子液晶性化合物と高分子液晶性化合物どうし
との混合系、あるいは１種類の高分子液晶性化合物が含
まれる。

高分子液晶性化合物としては、従来公知の主鎖型あるい
は側鎖型高分子液晶性化合物を用いることかできる。

一般に、高分子液晶組成物を用いた液晶素子は、低分子
液晶を用いる場合に比べて応答性が悪い場合が多い。

そこで、充分な高速応答性を得るためには、強誘電性高
分子液晶を用いるか、高分子液晶性化合物に低分子の強
誘電性液晶を混合した高分子液晶組成物を使うのが適当
である。さらに、液晶組成物として高分子液晶組成物を
用いると、それらをガラス転位点以下に保つことで、従
来の低分子液晶にはないメモリ性の向上か実現できる。

また、高分子液晶性化合物と低分子液晶性化合物との混
合系では、特に光学活性な高分子液晶性化合物を用いる
ことにより、低分子液晶性化合物との相溶性が非常に大
きく、液晶素子の高速応答性や高配向性に寄与すること
かてきる上に、添加する紫外線吸収剤の分散も良好なた
め、その効、果も大きい。

本発明において用いられる不斉炭素を有する高分子液晶
性化合物としては、側鎖型高分子液晶性化合物および主
鎖型高分子液晶性化合物等を用いることができる。側鎖
型高分子液晶性化合物としては、下記の式（１）〜（１
５）に示すようなものか挙げられる。（但し１式中　零
は不斉炭素中心を示し、ｎ＝５〜１０００である） （ｍ、＝２〜１０） ？Ｈ・ （履２＝２〜１５） （７）■ −＋　ＣＨ，−Ｃ→− １″ −＋　ｃｏ２−ｃ→− Ｐ 夏 ＋０１１□−Ｃ← （１１２＝２〜１５） （勧＝２〜１５） （ｘ＋ｙ＝　１　、　ｑ＝　１〜１０．　Ｐ２＝　１〜
１５）Ｃ１（３ ＣＩ＋。

また、不斉炭素を有する高分子液晶性化合物として、よ
り好ましくは、下記の式（１６）〜（２９）に示される
主鎖型高分子液晶性化合物か挙げられる。

（ｍｚ＝　２〜Ｉｓ、　ｘ　＋　ｙ　＝　１　）ＣＩ＋
。

Ｒ，＝　−（：Ｈ２ＣＨ２Ｃ：Ｈ−＋　ＣＩｌ□←　　
Ｒ２＝　＋　ＣＩ＋２→−（ｘ＋ｙ＝１．　ｍ、＝２〜
１５） ｆ Ｒ，＝−ｃｏ２ｃ＋＋＋ＣＩ＋２→−Ｒ，＝−（−（：
Ｉｌ□→−（ｘ＋ｙ＝　１　、　ｍ２＝２〜１５）（ｘ
＋ｙ＝１．　　肩、＝２〜１５） （ｍ、＝１〜５） （ｉ、Ｕ＝ｏ〜５） ｒ 前述の高分子液晶性化合物と混合でき、高分子液晶組成
物に用いるのに適する低分子液晶性化合物としては、ネ
マチック相もしくはスメクチック相を有するものを用い
ることができるが、より好ましくは、カイラルスメクチ
ック相を有する低分子液晶性化合物が用いられる。より
具体的には、下記の式（３０）〜（４４）で表わされ低
分子液晶性化合物が挙げられる。

Ｐ−デシロキシベンシリデンーＰ′−アミノ−２−メチ
ルフ゛チルシンナメート　（ＤＯＢ八ＭへＧ）（：１１
）　　　　　　　　　　　　　　　　　ｃ、。

Ｃｇｌｌ　ｒ　ｘ　Ｏ＋ＣＩＩ＝　Ｎ　＋Ｃｔｈｅ　Ｉ
ｌ−Ｇｏ　０Ｃ１ｂ　Ｃｔｉｃ　１１３Ｐ−へキシロキ
シベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−クロルプロピルシ
ンナメート　（ＩＩＯＢＡＣＰＣ）Ｐ−デシロキシベン
ジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチルブチル−α−シア
ノシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣＧ）Ｐ−テトラデシロ
キシベンシリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチＪレブチＪ
レーα−シアノシンナメート（ＴＩ）ＯＲＡＭＢＣＣ）
Ｐ−才クチルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−α−クロロシンナメート　（ＯＯＢＡＭ
ＢＣＣ）Ｐ−オクチルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミ
ノ−２−メチルブチル−α−メチルシンナメート４．４
′−アゾキシシンナミ・ンクアシ・ントーヒ′ス（２−
メチルブチル）エステル リ１１ ４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリチン−４′
−オクチルアニリン　（ＭＢＲＡ　８）オキシビフェニ
ル−４−カルボキシレート４−へキシルオキシフェニル
−４−（２″−メチルブチル）ビフェニル−４′−カル
ボキシレート４−オクチルオキシフェニル−４−（２′
−メチフレブチル）ビフェニル−４′−カルボキシレー
ト４′−へブチルフェニル−４−（２′−メチルヘキシ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート４−（２”−
メチルッチル）フェニル−４−（４′−メチルヘキシル
）ビフェニル−４′−カルホキシレー１〜７４．３°Ｃ
８１，０°Ｃ ３ａ＋Ｃ”〈−３ｎ＋Ａ 以上に示す様な不斉炭素を有するところの高分子液晶性
化合物と低分子液晶性化合物を含有する高分子液晶組成
物において、該高分子液晶性化合物の含有驕はｌＯ〜９
０改量％、好ましくは２０〜８５玉量％であることか望
ましい。１０重量％未満では。

圧力・熱刺激等に対して高分子液晶性化合物より生ずる
配向安定性か十分に発揮されない。また、９０重量％を
こえると５セル注入もしくはＪｊ２．脱時に粘度が高く
なりすぎるために厚みが不均一になりやすく、注入時間
も増大するために劣化しやすく、十分な特性か得られな
い。

なお、不斉炭素を有する高分子液晶性化合物と低分子液
晶性化合物をそれぞれ複数種組み合わせて用いることは
、デバイス設計の必要１−から好ましく、温度特性・光
学特性・電気特性等を制御することが出来る。

本発明で用いることのできる光吸収性色素としては、例
えばホスト−ゲストタイプの表示素子に用いる２色性色
素類や半導体レーザー光のような近赤外波長領域に吸収
を有する色素類か挙げられる。

２色性色素としては、具体的には以下のものが挙げられ
る。

Ｘ　　−Ｉｔ、Ｃ１ｂ、ｎ−Ｃ３Ｈａ、　　１ｓｏ−Ｃ
ｚｌｌ。

また、近赤外波長領域に吸収を有する色素としては、具
体的には、以下のものが挙げられる。

−Ｌ Ｄ−２ よ・ （注）但し、ｎは正の整数、またＲは芳香族ジアミン残
基、Ａは芳香族テトラカルボン酸残基を表わし、ａおよ
びｂはそれぞれ独立に０または１〜５０の整数で、かつ
ａ＋ｂは１〜１００の整数である。

次に、本発明の液晶素子の構成図の一例を第１図に示す
、同第１図において、１，１′は基板、４．４′は配向
制御膜（以下、配向膜と記す）、５は高分子液晶組成物
の層（以下、液晶層と記す）を示す。

蒸着あるいはスピンコード法等によ’）基板ｆ。

１′上にそれぞれ配向膜２，２′を作成し、必要に応じ
て表面をラビング処理も行うことにより一軸配向性を与
える。この上に、本発明の高分子液晶組成物をスピンコ
ード法により塗工して、両基板を貼り合わせ、端面な接
着層３で封止することにより液晶素子が得られる。必要
に応じて、液晶素子を高分子液晶組成物の等吉相以上の
温度に加熱して徐冷する等により高分子液晶組成物を均
一に配向させることもある。

このようにして得られた液晶素子は、光又は熱あるいは
電界等を用いて、高分子液晶組成物の光学的あるいは電
気的特性を変化させることにより、例えば、光記録媒体
や表示素子として用いることができる。

このような場合には、基板や電極の光透過性あるいは高
分子液晶性化合物の光吸収特性（光吸収性色素を高分子
液晶組成物に含有させるなど）を考慮する必要がある。

［作用］ 本発明の液晶素子は、少なくとも１種類以上の高分子液
晶性化合物を含有する高分子液晶組成物からなる液晶層
を有する液晶素子において、該高分子液晶組成物中に少
なくとも１種類以上の紫外線吸収剤を含有しているので
、該紫外線吸収剤は、有害な紫外線を吸収して分子内で
無害な熱、蛍光、リン光等にエネルギー転換することに
より、高分子液晶性化合物等のポリマー中に存在する発
色団や添加されている光吸収性色素が紫外光によって励
起されるのをおさえると共に、これらか励起された際に
は励起状態を安定化させ、耐光性、経時安定性および耐
久性に優れた液晶素子を得ることがてきる。

［実施例］ 以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。

実施例１ つオレットサイズでプレグル−ブを有する１ｍｍ厚のガ
ラス基板上にＩＴＯｇを設け、この上にポリアミラフ酸
溶液（日立化成工業■製ｐｒｑ　：不揮発分濃度３ｗｔ
％）をスピンコード法により塗布した後、２０℃て３０
分間、２００℃て６０分間、３５０°Ｃで３０分間加熱
して、ガラス基板上にポリイミド配向膜を設け、ラビン
グ処理を行なって一軸配向性を与えた。

一方、高分子液晶性化合物を以下の様にして得た。

（１）−３−メチルアジポイルクロライド９．９ｇを１
００＋ｓｊ＋の乾燥１．２−ジクロロエタンに溶解し、
ハイドロキノン１７．６ｇを５０ＩＩＩ！の乾燥とりジ
ンに溶解したものを滴下した。滴下絆了後、４８ｈｒ反
応させたのち、１．２−ジクロロエタンを留去し、水で
洗浄した生成物をトルエンにより再結晶し、下記の構造
式（Ｉ）で表わされる化合物９ｇ（収率５０％）を得た
。（ｓ、ｐ、１１０°Ｃ）次に、テレフタル酸クロライ
ド３．０ｇを乾燥ＤＭＦ　ＺＯＯ厘ｐに溶解したのち、
上記（Ｉ）式の中間体３．５ｇを３０＋ｓｊ）のトライ
ピリジンに溶解したものを滴下し、５０　ｈ　ｒ反応さ
せたのち、８０℃で２ｈｒ反応させた。水とアセトンか
ら再沈して高分子液晶性化合物を得た。

次に、前記高分子液晶性化合物と強誘電性低分子液晶性
化合物（４４）を、玉が混合比ｌ：４て混合しく相転移
温度 次いて、下記の構造式（ｆｆ）で示される光吸収性色素 （ＴＩ） （高分子液晶組成物に対して０．１　ｗｔ％）と紫外線
吸収剤ユビナル（［Ｊｖｉｎｕｌ）−Ｎ−５：１９　　
（２−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３′−ジフェ
ニルアクリレート：ＢＡＳＦ社製、高分子液晶組成物に
対して０．００１ｗｔ％）を添加して高分子液晶組成物
を得た。この高分子液晶組成物のジクロロエタン溶液を
、前述した１■厚のガラス基板上のポリイミド配向膜側
にマスクをつけた上て、ブレードコーティングによって
塗工した後、　１００°Ｃで乾燥し、基板中央部に約５
ｇｍの液晶層を設けた。

一方、１＋ｓｍ厚のＡｉｌ基板上にガラス基板と同様の
手法でポリイミド配向膜を設け、ラビング処理を行なっ
て、−軸配向性を与えた。この配向膜上に４μ重のシリ
カビーズを含有させたエポキシ接着剤を第２図（ｅ）、
（ｆ）のように基板の周辺部に印刷塗工た。

以上のようにして得られたガラス基板、　ＡＲ大基板ら
なる各々の積層体を、配向膜のラビング方向が同方向に
なるように重ね合せ、約１８０°Ｃの熱圧ローラを通過
させて、両積層体を接着した。さらに、開口部から出た
過剰の液晶層材を取り除き、開口部をエポキシ接着剤で
封止した。

次に、この積層体のＡＪ−ＩＴＯ［間に電界を印加した
ままで１８５℃に加熱し、液晶層を等吉相まて変化させ
、その後、室温まで徐冷することにより、液晶層を均一
に配向させ、自発分極の方向を一定方向にそろえた。

このようにして得られた光カートの層構成図を第２図（
ａ）に示す。得られた光カードの記録・再生・消去は、
第２図（ｂ）に示す構成の装置て行なうことかてき、そ
の方法の一例を以下に述べる。

光カードのＡｊ）−１ＴＯ膜間に前述の電界と逆方向の
電界（逆電界）を印加した状態で、ｌ■厚のガラス基板
側から半導体レーザー光（入□Ｘ８３０ｎ＋ｉ、出力１
ｍＷ）を照射し、液晶層を５ＩＩＣ”相を示す温度域へ
加熱した後、徐冷することにより光照射部の液晶層の自
発分極の方向を反転させて情報の記録を行なった。

次に、半導体レーザーの出力を０．２ｍＷにして、液晶
層の自発分極の方向に対応した複屈折の差を偏光子１３
と検出子１４を通し、反射光強度の差を光強度検出器１
１で検出することにより、記録の再生を行なった。再生
コントラスト比は０．５２であった。

Ａ、Ｂは記録部、非記録部の反射光強度を示す）また、
再度Ａ１１−　ＩＴＯ膜間に順方向の電界を印加した状
態で半導体レーザー光の照射やその他の外部加熱手段に
より、液晶層の一部分又は全面を加熱し、５ＩＩＣ”相
状態から室温まで徐冷することにより、部分消去又は全
面消去を行なうことかできた。

記録に対する光学応答時間は３．５ｍ５ｅｃであった。

一方、この光カートの記録・再生・消去方法は、以下の
別法も可使である。

光カードの、Ｌｊ）−ｒＴＯ膜間に、電界を印加しない
で半導体レーザー光（λ、１．８３０ｎｍ　、出力２ｍ
１ｌｌ）を照射し、液晶層を等吉相まで加熱後、徐冷し
、光照射部の液晶層の自発分極を消失させることにより
記録を行なった。

記録の再生及び消去の方法は、前述の方法と同じ方法に
より行なうことができ、再生のコントラスト比は０．５
２、記録に対する光学応答時間は２．８■Ｓｅｃてあっ
た。

表１に、この光カードをキセノンアーク灯形耐光試験ａ
ｌ！（東洋理化■製、１．５ＫＷ　、明暗法）て５００
時間紫外線照射を行ない、記録再生コントラスト比と記
録に対する光学応答時間の変化を示す。

実施例２ １ｍｍ厚のガラス基板２枚にそれぞれストライプ状の　
ＩＴＯ膜を作成し、この上に実施例１と同様の手法てポ
リイミド配向膜を設け、一方は　ＩＴＯ膜のストライプ
の方向と同方向にラビング処理を行ない（基板Ａ）、他
方は直角方向にラビング処理を行ない（基板Ｂ）、−軸
配向性を与えた。

次に、基板Ａのポリイミド配向膜の上に、第２図（Ｃ）
、（ｄ）に示すようなマスクを重ね、実施例１と同様の
高分子液晶組成物と実施例１と同様の紫外線吸収剤と下
記の構造式（ｍ）で表わされる二色性色素 Ｃ１１゜ （ｍ） （高分子液晶組成物に対し０．１　ｗｔ％を添加）のジ
クロロエタン溶液を、スピンコード法により塗工し、８
５℃で乾燥させて基板中央部に厚さ５琲■の液晶層を形
成した。

一方、基板Ｂのポリイミド配向膜の上には、４４ｍのガ
ラスピーズを゛含むエポキシ接着剤を第２図（ｅ）、（
ｆ）のように基板周辺部に印刷塗工した。

次に、ポリイミド配向膜の方向か同方向になり、ストラ
イプ状の　ＩＴＯｌｇｌの方向が直交するように２つの
積層体を重ね、約１８０℃の熱圧ローラーを通過させて
接着した。

積層体の外に出た過剰の高分子液晶組成物を取り除き、
積層体の開口部をエポキシ接着剤て封止した。

次に、積層体を１８５°Ｃに加熱して、液晶層を等吉相
にした後、Ｓ■Ｃ８相を示す温度域まで徐冷することに
より、液晶層を均一に配向さた。この状態で、　　ＩＴ
Ｏ膜間に適当な信号電圧を印加することにより、液晶層
の自発分極を反転させた。次に、自発分極の方向に対し
て、最も大きな透過強度差が得られるように、積層体の
下面に偏光フィルム１６を接着して第３図（ａ）で示さ
れる構成の表示素子を作成した。

得られた表示素子をバックライト光源を有する透明な抵
抗発熱体ステージ上に載せて液晶層をＳａｃ”相まで加
熱し、マトリックス構成された　ＩＴＯ膜間に電圧を印
加することにより、第４図に示すような構成のディスプ
レイを得た。

得られたディスプレイの表示コントラストは０．５１、
表示０非表示に要する光学応答時間は３ｓｓｅｃ　（±
１６Ｖ印加１００℃）であった。

Ａ、Ｂは表示、非表示部の透過光強度を示す）また、こ
のディスプレイをキセノンアーク灯形耐光試験機（東洋
理化輛製、１．５ＫＷ　、明暗法）て５００時皿光照射
を行ない、表示コントラスト比−光学応答時間の変化を
表２に示す。

比較例１および比較例２ 実施例１．２で紫外線吸収剤を含有させなかった以外は
実施例１．２と同様に行ない、各々比較例１．２とした
。その結果を表１．２に示す。

表　　　１ 表　　　２ （注）＊はキャノンアーク灯形耐光試験機（東洋理化■
製）１．５にＷ、明暗法で５ｏ口時間使用。

実施例３ 高分子液晶組成物を以下のようにして得る以外は、実施
例１と同様の光吸収性色素及び紫外線吸収剤を添加して
同様の実験を行なった。

再生コントラスト比及び光学応答時間も実施例１と同様
の方法で求めた。その結果を表３に示す。

（Ｓ）−２−テトラハイドロピラニルオキシ−１−ハイ
ドロキシプロパン８．Ｏｇ　（０，０５ｍｏｉ’）を１
．５０ｇのＮａＯＨを分散したＴＨＦに加え、室温でＢ
　ｈｒＷｌ拌し、さらに２ｈｒ加熱還流した。この溶液
にＴＨＦに溶解した５、８ｇのベンジルクロライドを加
え、２ｈｒ加熱還流したものを冷却し、水へ投入してエ
ーテルで抽出した。

エーテルを留去して減圧蒸留し、下記（ＩＶ）式の化合
物を８ｇ得た。

（１’Ｖ）式の化合物７ｇとＩｇのアンバーライトをメ
タノールに溶解し、ａ　ｈｒＷ１拌したものからメタノ
ールを留去し、蒸留することにより、下記（Ｖ）式の化
合物４ｇを得た。

”ＣｌｌＯＨ（Ｖ　） ＣＩＩ：Ｉ （Ｖ）式の化合物３ｇを３０■ρのＤＭＦに溶解し、０
．４３ｇのＮ　ａ　１１をＤＭＦに分散したものへ加え
、室温で５　ｈｒｌｆｉ拌した。さらに、６０℃に昇温
して２ｈｒ攪拌したものへ、６ｇの（Ｓ）−１トシルオ
キシ−２−テトロヒドロピラニルオキシプロパンのＤＭ
Ｆ溶液を加え、室温で３ｈｒ、８０℃でｌ　ｈｒｌＱ拌
した。

アンバーライトにて保護基を除去したものを蒸留し、２
ｇの下記（Ｖｌ）の化合物を得た。（ｂｐ。

１５０°Ｃ１０，１ｍｌｍｍ１ｔ ？ ｃｏ２（ＶＩ　） ”Ｃｌ１−ＯＨ ■ ｅｌｌ。

（ＶＩ）の化合物をエタノールに溶解し、Ｐｄ（１０％
）バな触媒として水素添加し、Ｉｇの下記式（Ｗ［）　
（７）−）オールを得た。（ｂｐ、　１００’Ｃ／Ｉｍ
ｍｌ１ｇｌｍｍ１ｌ〜ＯＨ ”Ｃ１１゜−ＣＨ：１ ■ ０Ｈ。

５００ｍＡ’のエタノールへ６０ｇの４−ハイドロキシ
安息香酸を溶解し、１５ｇのＮ　ａ　ＯＩｔを５００ｍ
ｊ）の水に溶解したものを加えた。この溶液へ５０ｇの
ペンシルクロライドを加え、室温で２　ｈｒｌＱ拌し、
さらに２ｈｒ加熱還流した。溶媒を留去し、エタノール
から再結晶して、４０ｇのベンジル−４−ハイドロキシ
安息香酸の結晶を得た。１７ｇのペンシル−４−ハイド
ロキシ安息香酸を１０ｈｆのピリジンに溶解したものへ
、８ｇのテレフタロイルクロライドを加え、室温で２ｈ
ｒＪｌＩｌ拌したのち、７０°Ｃで１　ｈｒＪｆｉ拌し
た。反応物を５００ｍ１）の２ＭｌｌＣｆ溶液へ投入し
、ビス（４−ベンジルオキシカーボニルフェニル）テレ
フタレートｌＯｇを得た。このビス（４−ベンジルオキ
シカーボニルフェニル）テレフタレート１０ｇを１５０
ｏｊ７のトリフルオロ酢酸へ加え、さらに１ｏＩｌｊ！
の３３％ｌｌＢｒ酢酸溶液を加え、室温で１２ｈｒ反応
させた。アセトンを加え析出した結晶を分離し、アセト
ンて洗浄して４ｇのビス（４−カーボキシフェニル）テ
レフタレートを得た。このシアジット２ｇへ４０ｍｆｆ
のｓｏｃ！！□を加え、２ｈｒ加熱還流し、減圧にて過
剰の５ＯＣｐ２を除去したものへ、１．２−ジクロロエ
タンを加え、さらに５１１１のピリジンへ（■）式の化
合物Ｉｇを加えた。６０°Ｃで３ｈｒ反応させたのち、
室温でｌｏｈｒ反応させた。反応物をアセトンから再沈
し、水洗して下記式（ＶＷ）の高分子液晶性化合物を得
た。（ηｉｎｈ　＝０．０２ｄｉ）／ｇ）（ＶＩＡ） この高分子液晶性化合物１部に下記構造式（ＩＸ）で表
わされる低分子液晶性化合物３部を加え、Ｎ２気流下で
３００°Ｃに加熱して均一に溶解し、高分子液晶組成物
を得た。

（ＩＸ） 比較例３ 実施例３て紫外線吸収剤を含有させなかった以外は実施
例３と同様に行ない、比較例３とした。

その結果を表３に示す。

表　　　３ （注）＊は５００回記録・再生・消去を行なう。

［発明の効果］ 本発明の液晶素子は、高分子液晶性化合物を含有する高
分子液晶組成物中に紫外線吸収剤を添加することにより
、液晶素子への光照射によって生じる液晶素子の酸化劣
化を防ぐことかてきる耐光性に優れた効果が得られる。

特に、光による酸化を受けやすい光吸収性の色素か高分
子液晶組成物中に存在する場合には、その効果か大きく
、例えば、記録媒体や表示素子として用いる際には、記
録、表示のコントラスト比や応答速度の経時安定性、耐
久性の点て効果かある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の液晶素子の一例を示す構成図、第２図
（ａ）は本発明の実施例１の光カートの断面図、第２図
（ｂ）は本発明の実施例１の光カートの記録・再生・消
去装置の概略図、第２図（ｃ）〜（ｆ）は本発明の実施
例１，２の一対の基板の層作成と接着方法を示す説明図
、第３図（ａ）は本発明の実施例２の表示素子の断面図
、第３図（ｂ）は、本発明の実施例２のガラス基板上に
設けたストライプ状透明電極の方向と配向膜のラビング
方向との関係および２枚のガラス基板の錆層方向を示す
構成図、第４図は本発明の実施例２の表示装置の概略図
である。 １．１′・・・基板　　　　２．２′・・・電極３・・
・接着層　　　　　　４．４′・・・配向膜５・・・液
晶層　　　　　　７・・・ビームスプリッタ−８・・・
電圧発生装置　　　９・・・光カートＩＯ・・・移動ス
テージ　　　１１・・・光強度検出器１２・・・半導体
レーザー　　１３・・・偏光子１４・・・検光子 １５、１５’　−−・ストライプ状電極１６・・・偏光
フィルム １７、１７’・・・配向膜のラビング方向１９・・・抵
抗発熱体用電源

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも１種類以上の高分子液晶性化合物を含
   有する高分子液晶組成物からなる液晶層を有する液晶素
   子において、該高分子液晶組成物中に少なくとも１種類
   以上の紫外線吸収剤を含有していることを特徴とする液
   晶素子。
2. （２）前記高分子液晶組成物中に少なくとも１種類以上
   の光吸収性色素を含有している特許請求の範囲第１項記
   載の液晶素子。
3. （３）前記高分子液晶組成物中に少なくとも１種類以上
   の低分子液晶性化合物を含有している特許請求の範囲第
   １項又は第２項記載の液晶素子。
4. （４）前記高分子液晶組成物中に含有される高分子液晶
   性化合物のうちの少なくとも１つが、不斉炭素を有する
   高分子液晶性化合物である特許請求の範囲第１項、第２
   項又は第３項記載の液晶素子。