JPS63298983A - 導電物質を付設した酸化物系超伝導体 - Google Patents
導電物質を付設した酸化物系超伝導体Info
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば磁気浮上列車および粒子加速器等の磁
気コイル部分や電子デバイス等に使用される酸化物系超
伝導体に関するものである。
気コイル部分や電子デバイス等に使用される酸化物系超
伝導体に関するものである。
現在、超伝導体はNbzGe:Nb3Snに代表される
金属系超伝導体が実用化されているが、その臨界温度(
Tc)はたかだか23.2に程度までである。
金属系超伝導体が実用化されているが、その臨界温度(
Tc)はたかだか23.2に程度までである。
しかし乍ら、近時希土類元素、アルカリ土類元素及び酸
化銅の混合物からなる酸化物系超伝導体はその臨界温度
が金属系超伝導体と比べ著しく高いものであることが発
表(例えば東京大学工学グループの米国物理学会では9
0Kを達成したと発表)され、高価で極低温(4,2K
・−268,8℃)の液体ヘリウム中に換え、安価で比
較的高温(77K・−196℃)である液体窒素(Li
q・NZ)中において充分使用可能となったことから、
この酸化物系超伝導体の各種利用分野における実用化の
百度に大きな前進が見られた。これらの発表に伴い、こ
の酸化物系超伝導体の臨界温度(Tc)をさらに常温に
まで高めようとする研究がさかんに行われている。
化銅の混合物からなる酸化物系超伝導体はその臨界温度
が金属系超伝導体と比べ著しく高いものであることが発
表(例えば東京大学工学グループの米国物理学会では9
0Kを達成したと発表)され、高価で極低温(4,2K
・−268,8℃)の液体ヘリウム中に換え、安価で比
較的高温(77K・−196℃)である液体窒素(Li
q・NZ)中において充分使用可能となったことから、
この酸化物系超伝導体の各種利用分野における実用化の
百度に大きな前進が見られた。これらの発表に伴い、こ
の酸化物系超伝導体の臨界温度(Tc)をさらに常温に
まで高めようとする研究がさかんに行われている。
しかし乍ら、上記酸化物系超伝導体の製造においては、
酸化物粉末の粉砕・混合・焼成過程をふむため生成され
る超伝導を引き起こす結晶(以下超伝導結晶と称し、例
えば層状ペロプスカイト型構造を有する結晶等)が不安
定となり易く、焼成体全体に均一かつ密にこの結晶を生
成させることが容易でない。したがって、そのために焼
成体中の超伝導結晶を均一かつ密にするための手段を見
出すか、又は超伝導結晶を何らかの方法で連結すること
により焼成体全体を超伝導化させ、超伝導現象を安定化
させる必要がある。
酸化物粉末の粉砕・混合・焼成過程をふむため生成され
る超伝導を引き起こす結晶(以下超伝導結晶と称し、例
えば層状ペロプスカイト型構造を有する結晶等)が不安
定となり易く、焼成体全体に均一かつ密にこの結晶を生
成させることが容易でない。したがって、そのために焼
成体中の超伝導結晶を均一かつ密にするための手段を見
出すか、又は超伝導結晶を何らかの方法で連結すること
により焼成体全体を超伝導化させ、超伝導現象を安定化
させる必要がある。
一方、酸化物系超伝導体に電極を付設する必要性につい
て現在のところ報告がなされていない。
て現在のところ報告がなされていない。
超伝導体にわざわざ高抵抗な電極を付設することは無意
味なことの様に思われるが、例えば電子デバイス等の外
部周辺回路と接続する必要がある場合、外部リードとの
接合用、電極接合用若しくはそれ自身が電極用として利
用できる導電物質を付設した超伝導体が要求される。
味なことの様に思われるが、例えば電子デバイス等の外
部周辺回路と接続する必要がある場合、外部リードとの
接合用、電極接合用若しくはそれ自身が電極用として利
用できる導電物質を付設した超伝導体が要求される。
そこで、本発明者は上記問題点に鑑みて鋭意研究の結果
、酸化物系超伝導体の表面に液体窒素中の低温度に有効
な物性からなる導電物質を塗付して、この超伝導体表面
に不均一に散在又は部分的に散在する超伝導結晶相互間
を前記導電物質により連結させることにより焼成体の略
全体を超伝導化させ得ること、及びこの酸化物系超伝導
体が外部周辺回路と何らかの接続を必要とする場合には
、前記導電物質が外部リードとの接続用、電極接合用若
しくはそれ自身が電極として使用することができ、外部
周辺回路と接続可能な酸化物系超伝導体が得られること
を見出した。
、酸化物系超伝導体の表面に液体窒素中の低温度に有効
な物性からなる導電物質を塗付して、この超伝導体表面
に不均一に散在又は部分的に散在する超伝導結晶相互間
を前記導電物質により連結させることにより焼成体の略
全体を超伝導化させ得ること、及びこの酸化物系超伝導
体が外部周辺回路と何らかの接続を必要とする場合には
、前記導電物質が外部リードとの接続用、電極接合用若
しくはそれ自身が電極として使用することができ、外部
周辺回路と接続可能な酸化物系超伝導体が得られること
を見出した。
本発明においては酸化物系超伝導体の焼成体全体を超伝
導化して安定した超伝導現象が得られ、かつ外部周辺回
路と接続可能な導電物質を付設した酸化物系超伝導体を
提供することを目的とする。
導化して安定した超伝導現象が得られ、かつ外部周辺回
路と接続可能な導電物質を付設した酸化物系超伝導体を
提供することを目的とする。
本発明に依れば、常温以下で抵抗が零となる酸化物系超
伝導体の表面にガリウム(Ga)が40〜85重量%と
、インジウム(In)が15〜60重量%との合金から
なる導電物質を形成したことを特徴とする導電物質を付
設した酸化物系超伝導体が提供される。
伝導体の表面にガリウム(Ga)が40〜85重量%と
、インジウム(In)が15〜60重量%との合金から
なる導電物質を形成したことを特徴とする導電物質を付
設した酸化物系超伝導体が提供される。
ガリウム(Ga)とインジウム(In)との合金(以下
単にGa−In合金と称す)が液体窒素(Liq・N、
)等の低温度中で使用される酸化物系超伝導体に有効な
理由は、先ずガリウム(Ga)とインジウム(In)と
を接触させるとほぼ常温(Ga−In合金の組成比によ
り異なる約16℃前後)において融解状の合金となる。
単にGa−In合金と称す)が液体窒素(Liq・N、
)等の低温度中で使用される酸化物系超伝導体に有効な
理由は、先ずガリウム(Ga)とインジウム(In)と
を接触させるとほぼ常温(Ga−In合金の組成比によ
り異なる約16℃前後)において融解状の合金となる。
これに対し、従来電極や、接合導体として提供されてい
る金属として例えばロウ材、ウッドメタル及び銀ロウが
あり、これら金属の融点はロウ材が約250〜300℃
、ウッドメタルが約60℃、銀ロウが約700℃とGa
−In合金と比べ極めて高い融点を有する。この様な金
属を高温で酸化物系超伝導体表面に溶着すると、その超
伝導体表面の溶着領域に存在する前述の超伝導結晶が溶
着時の温度により破壊され超伝導現象を不安定化させる
恐れがある。従って、Ga−In合金はほぼ常温で酸化
物系超伝導体表面に付着させることができるので、この
超伝導体表面の結晶を破壊することなく有効に使用でき
る。
る金属として例えばロウ材、ウッドメタル及び銀ロウが
あり、これら金属の融点はロウ材が約250〜300℃
、ウッドメタルが約60℃、銀ロウが約700℃とGa
−In合金と比べ極めて高い融点を有する。この様な金
属を高温で酸化物系超伝導体表面に溶着すると、その超
伝導体表面の溶着領域に存在する前述の超伝導結晶が溶
着時の温度により破壊され超伝導現象を不安定化させる
恐れがある。従って、Ga−In合金はほぼ常温で酸化
物系超伝導体表面に付着させることができるので、この
超伝導体表面の結晶を破壊することなく有効に使用でき
る。
また、Ga−In合金は酸化物である超伝導体に対し、
ファンデルワース力(金属粒子間の引力)が強く、この
超伝導体表面に対し強固な結合力で接合することができ
、その結合力は低温になればなる程強固となるものと考
えられ、液体窒素中において有効に使用できる。また、
Ga−Zn合金は他の金属(金・銀・銅)と比べ酸化物
と接する界面電位差が非常に小さいので他の金属と比べ
界面の接触部分で印加電流に対し電圧の立上りが早く、
またコイル状として使用した場合一定の磁場を安定して
作ることができる。
ファンデルワース力(金属粒子間の引力)が強く、この
超伝導体表面に対し強固な結合力で接合することができ
、その結合力は低温になればなる程強固となるものと考
えられ、液体窒素中において有効に使用できる。また、
Ga−Zn合金は他の金属(金・銀・銅)と比べ酸化物
と接する界面電位差が非常に小さいので他の金属と比べ
界面の接触部分で印加電流に対し電圧の立上りが早く、
またコイル状として使用した場合一定の磁場を安定して
作ることができる。
Ga−In合金の組成比は、ガリウム(Ga)が40重
量%未満、インジウム(In)が60重量%を越えて含
有すると、インジウムが溶は難く超伝導体表面に付着し
難い。ガリウム(Ga)が85重量%を越え、インジウ
ム(In)が15重量%未満で含有すると、Ga−In
合金としては完全に溶解して粘性が極めて低くなり過ぎ
、表面張力が働くため酸化物系超伝導体表面に逆に付着
し難くなる。
量%未満、インジウム(In)が60重量%を越えて含
有すると、インジウムが溶は難く超伝導体表面に付着し
難い。ガリウム(Ga)が85重量%を越え、インジウ
ム(In)が15重量%未満で含有すると、Ga−In
合金としては完全に溶解して粘性が極めて低くなり過ぎ
、表面張力が働くため酸化物系超伝導体表面に逆に付着
し難くなる。
〔実験例1 〕
Y2O,が約15重量%、BaC0,が約53重量%及
びCuOが約32重量%となる混合粉末を湿式回転ボー
ルミルにより約20時間部合し、この混合粉末をICm
”当たり約1000Kgの圧力でプレス成形した。得ら
れた成形体を850〜950℃の温度にて空気中又は窒
素中で焼成することにより第1図に示す如き10 X
4.5 X 1.5mmの試料片1を得た。
びCuOが約32重量%となる混合粉末を湿式回転ボー
ルミルにより約20時間部合し、この混合粉末をICm
”当たり約1000Kgの圧力でプレス成形した。得ら
れた成形体を850〜950℃の温度にて空気中又は窒
素中で焼成することにより第1図に示す如き10 X
4.5 X 1.5mmの試料片1を得た。
得られた試料片に第1表に示す組成比を有するGa−I
n合金を常温にて塗布し、この合金が塗布された各試料
を液体窒素(LicI−Nz)中に浸漬し、塗布面を針
先端で剥がしてみた。この時の付着性を評価した結果を
第1表に示す。
n合金を常温にて塗布し、この合金が塗布された各試料
を液体窒素(LicI−Nz)中に浸漬し、塗布面を針
先端で剥がしてみた。この時の付着性を評価した結果を
第1表に示す。
第1表
*印を付した試料番号のものは本発明の範囲外である。
第1表から理解されるように、Ga/Inが重量百分率
(χ)で20/80及び90/10の組成比を有する試
料番号1及び6のものは容易に剥離したものに対し、試
料番号2〜5の本発明の試料については剥離せず試料片
表面に強固に付着していた。
(χ)で20/80及び90/10の組成比を有する試
料番号1及び6のものは容易に剥離したものに対し、試
料番号2〜5の本発明の試料については剥離せず試料片
表面に強固に付着していた。
第1表の結果からガリウム(Ga)が40〜85重景%
、インジウム(In)が15〜60重量%の範囲の合金
組成比が酸化物系超伝導体に好適であることが理解され
る。好ましくはガリウム(Ga)が45〜80重景%、
インジウム(In)が20〜55重景%である。
、インジウム(In)が15〜60重量%の範囲の合金
組成比が酸化物系超伝導体に好適であることが理解され
る。好ましくはガリウム(Ga)が45〜80重景%、
インジウム(In)が20〜55重景%である。
−〔実験例2 〕
前記実験例1と同一の試料片3を3個ずつ4組作成し、
1組目には前記実験例1の試料番号5の組成比を有する
Ga−In合金を(常温で2乃至3組目にはロウ材、ウ
ッドメタル及び銀ロウを夫々第2図に示す如く各試料片
周囲に4つの電極として帯状に前述した温度で溶着させ
た。両側の2つの電極2.3は定電圧印加用、内側の2
つの電極4.5は測定用電極としてこれらを治具に固化
し、液体窒素へ徐々に近づけ四端子法により抵抗値(比
抵抗)を測定した。抵抗値(ρ)は−測定電極4.5間
の距離を(L)、その間の断面積(■−■線断面)を(
A)試料片lに定電圧■を印加した時のV/Iから求め
られる抵抗(R)としたとき、抵抗値をρ=A −R/
Lで求めた。
1組目には前記実験例1の試料番号5の組成比を有する
Ga−In合金を(常温で2乃至3組目にはロウ材、ウ
ッドメタル及び銀ロウを夫々第2図に示す如く各試料片
周囲に4つの電極として帯状に前述した温度で溶着させ
た。両側の2つの電極2.3は定電圧印加用、内側の2
つの電極4.5は測定用電極としてこれらを治具に固化
し、液体窒素へ徐々に近づけ四端子法により抵抗値(比
抵抗)を測定した。抵抗値(ρ)は−測定電極4.5間
の距離を(L)、その間の断面積(■−■線断面)を(
A)試料片lに定電圧■を印加した時のV/Iから求め
られる抵抗(R)としたとき、抵抗値をρ=A −R/
Lで求めた。
そして、前記4組の各試料が抵抗値が3個中何個が零と
なったか、又は零となった場合の臨界温度(Tc)を測
定し第2表に示す。
なったか、又は零となった場合の臨界温度(Tc)を測
定し第2表に示す。
第2表
第2表から理解されるように、溶着温度が高いロウ材、
ウッドメタル及び銀ロウを電極材料として使用したもの
は夫々抵抗値が零となったものとならなかったものとの
バラツキがあり、また臨界温度も79に以下であった。
ウッドメタル及び銀ロウを電極材料として使用したもの
は夫々抵抗値が零となったものとならなかったものとの
バラツキがあり、また臨界温度も79に以下であった。
これに対し、Ga−In合金を電極材料として使用した
ものは全て臨界温度84〜87Kにおいて抵抗値が零と
なった。
ものは全て臨界温度84〜87Kにおいて抵抗値が零と
なった。
第2表の結果から溶着温度の高い電極材料を酸化物系超
伝導体に付着させると、溶着時の温度の影響で超伝導体
である焼成体表面近傍に存在する超伝導結晶が破損され
るものと考えられ、安定した超伝導現象が得られず、か
つ臨界温度も低くなる傾向にあることが理解される。
伝導体に付着させると、溶着時の温度の影響で超伝導体
である焼成体表面近傍に存在する超伝導結晶が破損され
るものと考えられ、安定した超伝導現象が得られず、か
つ臨界温度も低くなる傾向にあることが理解される。
〔実験例3 〕
実験例2においてGa−In合金の電極を付した試料を
液体窒素中に徐々に近づけ抵抗値が零になることを確認
したが、その時の温度降下に伴う抵抗値変化を読取り、
その温度特性曲線Xを第3図の温度特性図に実線で示し
た。
液体窒素中に徐々に近づけ抵抗値が零になることを確認
したが、その時の温度降下に伴う抵抗値変化を読取り、
その温度特性曲線Xを第3図の温度特性図に実線で示し
た。
一方、実験例1で作成した電極を有しない酸化物系超伝
導体を第4図に示す如く、その両端に針状の金電極6.
7をスプリング8.9を介して超伝導体1の側面に押圧
し、超伝導体の底面を固定して上面に同様の針状の金電
極10.11をスプリング12.13を介して超伝導体
1上面に押圧させ測定電流を出力させるようにし、これ
らを治具に固定して液体窒素中に徐々に近づけ前記と同
様、温度降下に伴う抵抗値変化を読取り、その時の温度
特性曲線Yを第3図の温度特性図に点線で示した。
導体を第4図に示す如く、その両端に針状の金電極6.
7をスプリング8.9を介して超伝導体1の側面に押圧
し、超伝導体の底面を固定して上面に同様の針状の金電
極10.11をスプリング12.13を介して超伝導体
1上面に押圧させ測定電流を出力させるようにし、これ
らを治具に固定して液体窒素中に徐々に近づけ前記と同
様、温度降下に伴う抵抗値変化を読取り、その時の温度
特性曲線Yを第3図の温度特性図に点線で示した。
即ち、Ga−In合金電極を付した場合の温度特性曲線
xと、針状の金電極を押付けた場合の温度特性曲線Yと
を比較すると特性曲線Xに比べ特性曲線Yが高温時に不
安定である。
xと、針状の金電極を押付けた場合の温度特性曲線Yと
を比較すると特性曲線Xに比べ特性曲線Yが高温時に不
安定である。
これは、金電極先端と超伝導体との界面における電位差
がGa−In合金と比べ大きいため印加電流が不安定と
なり、そのため抵抗零の超伝導状態となった場合におい
ても安定した磁場を作ることが出来なかったからだと考
えられる。
がGa−In合金と比べ大きいため印加電流が不安定と
なり、そのため抵抗零の超伝導状態となった場合におい
ても安定した磁場を作ることが出来なかったからだと考
えられる。
次に、本発明の詳細な説明する。
実施例1(第5図)及び実施例2(第6図)は超伝導体
の超伝導結晶を連結する場合、実施例3(第7図)、実
施例4(第8図)および実施例5(第9図)は外部接続
用として使用する場合、実施例6(第10図イ・口)は
外部接続用にそれ自体を電極として使用する場合に、G
a−In合金を応用した例を示す。
の超伝導結晶を連結する場合、実施例3(第7図)、実
施例4(第8図)および実施例5(第9図)は外部接続
用として使用する場合、実施例6(第10図イ・口)は
外部接続用にそれ自体を電極として使用する場合に、G
a−In合金を応用した例を示す。
〔実施例1 〕
第5図では超伝導体1の表面及び裏面にGa−In合金
から成る導電物質14.15を塗布した。これによると
、超伝導体1表裏面において超伏4結晶がバラツク場合
にこれらを有効に連結することができる。
から成る導電物質14.15を塗布した。これによると
、超伝導体1表裏面において超伏4結晶がバラツク場合
にこれらを有効に連結することができる。
〔実施例2 〕
第6図では超伝導体1の表面及び裏面の他、側面にGa
−In合金から成る導電物質16.17を塗布した。こ
れによると、超伝導体1の表裏面及び側面において超伝
導結晶がバラツク場合にこれらを有効に連結することが
出来る。
−In合金から成る導電物質16.17を塗布した。こ
れによると、超伝導体1の表裏面及び側面において超伝
導結晶がバラツク場合にこれらを有効に連結することが
出来る。
〔実施例3 〕
第7図では回路基板18上の配線パターン19.20と
スルーホール21.22を介して裏面の配線パターン2
3.24とに超伝導体1を接続するためにGa−In合
金からなる導電物質25.26を使用した。
スルーホール21.22を介して裏面の配線パターン2
3.24とに超伝導体1を接続するためにGa−In合
金からなる導電物質25.26を使用した。
〔実施例4 〕
第8図では超伝導体1両端の銅電極27.28の接合用
として超伝導体lと銅電極27.28間にGa−In合
金から成る導電物質29.30を介在させた。
として超伝導体lと銅電極27.28間にGa−In合
金から成る導電物質29.30を介在させた。
〔実施例5 〕
第9図では超伝導体1と外部素子31の電極とを接合す
る場合に、Ga−In合金からなる導電物質32を使用
した。
る場合に、Ga−In合金からなる導電物質32を使用
した。
〔実施例6 〕
第10図(イ)及び該図のコイル端部の拡大断面を示す
第10図(ロ)ではコイル状超伝導体1aの両端に電源
Vから電線33を直接Ga−In合金からなる導電物質
34により接続したもので、Ga−In合金はそれ自体
で電極として使用できる。
第10図(ロ)ではコイル状超伝導体1aの両端に電源
Vから電線33を直接Ga−In合金からなる導電物質
34により接続したもので、Ga−In合金はそれ自体
で電極として使用できる。
尚、本発明は上記各実施例に示すものの他、各種用途に
応じて酸化物系超伝導体上に付設することができる。
応じて酸化物系超伝導体上に付設することができる。
上述の如く、本発明においては常温以下で抵抗が零とな
る酸化物系超伝導体の表面に、ガリウム(Ga)とイン
ジウム(In)との連節な組成比の合金からなる導電物
質を形成することにより、超伝導体表面に不均一に散在
又は部分的に散在する超伝導結晶の相互間をこの導電物
質により連結させることができ、安定した超伝導現象が
得られる一方、外部接続用及び電極としてこの導電物質
を使用して外部接続用超伝導体が得られると共に安定し
た接続部を有する超伝導体が得られる。
る酸化物系超伝導体の表面に、ガリウム(Ga)とイン
ジウム(In)との連節な組成比の合金からなる導電物
質を形成することにより、超伝導体表面に不均一に散在
又は部分的に散在する超伝導結晶の相互間をこの導電物
質により連結させることができ、安定した超伝導現象が
得られる一方、外部接続用及び電極としてこの導電物質
を使用して外部接続用超伝導体が得られると共に安定し
た接続部を有する超伝導体が得られる。
第1図は本発明の実験に使用した超伝導試料片を示す図
、第2図は測定のために電極を付設した超伝導試料片を
示す図、第3図は測定のために本発明の導電物質からな
る電極を使用した場合と金電極を使用した場合とを比較
するための温度特性図、第4図は測定方法を示す説明図
、第5図及び第6図は超伝導体の結晶を連結する場合の
実施態様例を示す説明図、第7図乃至第9図はそれぞれ
外部接続用として使用する場合の実施態様例を示す説明
図、第10図(イ)は外部接続用としてそれ自体が電極
に使用する場合の実施態様例を示す説明図、第10図(
ロ)はその要部拡大断面図である。
、第2図は測定のために電極を付設した超伝導試料片を
示す図、第3図は測定のために本発明の導電物質からな
る電極を使用した場合と金電極を使用した場合とを比較
するための温度特性図、第4図は測定方法を示す説明図
、第5図及び第6図は超伝導体の結晶を連結する場合の
実施態様例を示す説明図、第7図乃至第9図はそれぞれ
外部接続用として使用する場合の実施態様例を示す説明
図、第10図(イ)は外部接続用としてそれ自体が電極
に使用する場合の実施態様例を示す説明図、第10図(
ロ)はその要部拡大断面図である。
Claims (1)
- (1)常温以下で抵抗が零となる酸化物系超伝導体の表
面に、ガリウム(Ga)が40〜85重量%と、インジ
ウム(In)が15〜60重量%との合金からなる導電
物質を形成したことを特徴とする導電物質を付設した酸
化物系超伝導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62132875A JP2936329B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 導電物質を付設した酸化物系超伝導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62132875A JP2936329B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 導電物質を付設した酸化物系超伝導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63298983A true JPS63298983A (ja) | 1988-12-06 |
JP2936329B2 JP2936329B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=15091597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62132875A Expired - Lifetime JP2936329B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 導電物質を付設した酸化物系超伝導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2936329B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01167910A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Kurabe:Kk | セラミック超電導体 |
JPH03150273A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-06-26 | Univ Boston | 超伝導材料を、それら自体に、導電材料に、又は半導体材料に電気的に接合する方法 |
JP2005244703A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Kyocera Kinseki Corp | ベース基板 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5994480A (ja) * | 1983-10-24 | 1984-05-31 | Hitachi Ltd | 超電導デバイス |
-
1987
- 1987-05-28 JP JP62132875A patent/JP2936329B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5994480A (ja) * | 1983-10-24 | 1984-05-31 | Hitachi Ltd | 超電導デバイス |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01167910A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Kurabe:Kk | セラミック超電導体 |
JPH03150273A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-06-26 | Univ Boston | 超伝導材料を、それら自体に、導電材料に、又は半導体材料に電気的に接合する方法 |
JP2538104B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1996-09-25 | トラスティーズ・オブ・ボストン・ユニバーシティ | 超伝導材料を、それら自体に、導電材料に、又は半導体材料に電気的に接合する方法 |
JP2005244703A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Kyocera Kinseki Corp | ベース基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2936329B2 (ja) | 1999-08-23 |
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