JPS63297553A - Alloy target for thin film manufacture - Google Patents
Alloy target for thin film manufactureInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、薄膜とくに垂直磁化薄膜を製造するのに好適
な合金ターゲットに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an alloy target suitable for producing thin films, particularly perpendicularly magnetized thin films.
〔発明の技術的背景ならびにその問題点〕従来、光磁気
記録媒体用の垂直磁化薄膜を製造するための合金ターゲ
ットとして、Ｔｄ、 Ｇｄ、 ａｙ等の重希土類元素−
Ｆｅ、 Ｇｏ等の３ｄ遷移元素系のものが存在する。[Technical background of the invention and its problems] Conventionally, heavy rare earth elements such as Td, Gd, and ay have been used as alloy targets for producing perpendicularly magnetized thin films for magneto-optical recording media.
There are 3d transition element types such as Fe and Go.
しかし、このような重希土類元素−３ｄ遷移元素系合金
は、補償組成近辺で金属間化合物を作り易く、それらを
溶融し鋳造しただけでは割れ易いという問題があった。However, such heavy rare earth element-3d transition element alloys tend to form intermetallic compounds in the vicinity of the compensation composition, and there is a problem in that they are easily cracked if they are simply melted and cast.
したがって、大面積の合金ターゲットを得ようとすれば
するほど、破損による歩留り低下が大きくなり、製造コ
ストの高騰を招いていた。Therefore, the larger the attempt is to obtain an alloy target with a larger area, the greater the reduction in yield due to breakage, leading to a rise in manufacturing costs.
一方、特開昭６１−１６８２２２号公報には、Ｎｄ−重
希土類−３ｄ遷移元素系の合金ターゲットが開示されて
おり、前記系に比べて割れにくく、製造も容易である旨
が記述されている。On the other hand, JP-A-61-168222 discloses a Nd-heavy rare earth-3d transition element alloy target, and describes that it is less likely to break and easier to manufacture than the above-mentioned systems. .
しかし、該公報の合金ターゲットそして前記重希土［−
３ｄ遷移元素系の合金ターゲットでもそうであるが、こ
れらの合金ターゲットがら得られる垂直磁化膜は耐酸化
性に問題があった。However, the alloy target of this publication and the heavy rare earth [-
As with 3d transition element alloy targets, perpendicularly magnetized films obtained from these alloy targets have a problem in oxidation resistance.
このような遷移金属と希土類元素とを含む合金非晶Ｗ’
Ｎ膜からなる光磁気記録媒体の酸化劣化のメカニズムは
、たとえば日本応用磁気学会誌第９巻、Ｎα２、第９３
〜９６真で検討されており、以下のような３タイプがあ
ることが報告されている。An alloy amorphous W' containing such a transition metal and a rare earth element
The mechanism of oxidative deterioration of magneto-optical recording media made of N films is described, for example, in Journal of the Japan Society of Applied Magnetics, Vol. 9, Nα2, No. 93.
~96 true, and it has been reported that there are three types as shown below.
イ）孔食
孔食とは合金非晶質薄膜にピンホールが発生することを
意味するが、この腐食は、主として高温雰囲気下で進行
し、たとえばＴｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｃｏ系などで著しく
進行する。b) Pitting Pitting corrosion refers to the formation of pinholes in an amorphous thin film of an alloy. This corrosion mainly progresses in a high temperature atmosphere, and is particularly noticeable in Tb-Fe systems, Tb-Co systems, etc. proceed.
口）表面酸化
合金非晶質薄膜に表面酸化層が形成され、カー回転角θ
ｋが経時的に変化し、ついにはカー回転角θｋが減少し
てしまう。) A surface oxidation layer is formed on the amorphous thin film of the surface oxidation alloy, and the Kerr rotation angle θ
k changes over time, and the Kerr rotation angle θk eventually decreases.
ハ）希土類金属の選択酸化
合金非晶質薄膜中の希土類金属が選択的に酸化され、保
磁力Ｈｃが経時的に大きく変化してしまう。c) Selective oxidation of rare earth metal The rare earth metal in the alloy amorphous thin film is selectively oxidized, and the coercive force Hc changes greatly over time.
また、Ｔｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｃｏ系などの合金非晶質薄
膜中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるために、第３
の金属を添加する方法が種々試みられている。In addition, in order to improve the oxidation resistance of the thin film, a third layer is added to the amorphous thin film of alloys such as Tb-Fe and Tb-Co.
Various methods of adding metals have been attempted.
たとえば、上述した日本応用磁気学会誌では、Ｔｂ−Ｆ
ｅあるいはＴｂ−Ｃｏに、Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｐｔ、、Ａ
ｌＸＣｒ。For example, in the above-mentioned Journal of the Japan Society of Applied Magnetics, Tb-F
e or Tb-Co, Co, Ni, Pt,,A
lXCr.
Ｔｉなどの第３金属を３．５原子％までの量で添加する
ことによって、Ｔｂ−Ｆｅ系あるいはＴｂ−Ｃｏ系の合
金非晶質薄膜の耐酸化性を向上させる試みがなされてい
る。そしてＴｂ−ＦｅあるいはＴｂ−ＣｏにＣｏ、 Ｎ
ｉ、ｐｔを少量添加した場合には、表面酸化の防止およ
び孔食の防止には有効であるが、この合金非晶質薄膜中
の希土類金属であるＴｂの選択酸化の防止には効果がな
いと報告されている。このことは、Ｔｂ−Ｆｅあるいは
Ｔｂ−Ｃｏに少量のＣ０１Ｎｉ、 Ｐｔを添加した場合
には、得られる合金非晶質薄膜では、Ｔｂが選択酸化さ
れてしまい、保磁力Ｈｃが経時的に大きく変化してしま
うことを意味している。したがってＴｂ−Ｆｅあるいは
Ｔｂ−Ｃｏに３．５原子％までの量のＣｏ、 Ｎｉ、
Ｐｔを添加しても、得られる合金非晶質薄膜の耐酸化性
は充分には改善されていない。Attempts have been made to improve the oxidation resistance of Tb--Fe or Tb--Co alloy amorphous thin films by adding a third metal such as Ti in an amount of up to 3.5 atomic %. And Co, N to Tb-Fe or Tb-Co
When a small amount of i, pt is added, it is effective in preventing surface oxidation and pitting corrosion, but it is not effective in preventing selective oxidation of Tb, which is a rare earth metal in this alloy amorphous thin film. It is reported that. This means that when a small amount of CO1Ni or Pt is added to Tb-Fe or Tb-Co, Tb is selectively oxidized in the resulting amorphous alloy thin film, and the coercive force Hc changes greatly over time. It means to do it. Therefore, in Tb-Fe or Tb-Co, up to 3.5 at% of Co, Ni,
Even when Pt is added, the oxidation resistance of the resulting alloy amorphous thin film is not sufficiently improved.
また第９回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９８５
年１１月）の第２０９頁には、やはり合金非晶質薄膜の
耐酸化性を向上させる目的で、Ｔｂ−ＦｅあるいはＴｂ
−Ｆｅ−Ｃｏにｐｔ、八１、Ｃｒ、 Ｔｉを１０原子％
までの量で添加してなる合金非晶質薄膜が教示されてい
る。ところがＴｂ−ＦｅあるいはＴｂ−Ｆｅ−Ｇｏに１
０原子％までの量のＰＬ、 ＡＩ、Ｃｒ、 Ｔｉを添加
しても、表面酸化および孔食は防止できるものの、得ら
れる合金非晶質薄膜中のＴｂの選択酸化に対する酸化防
止性は充分ではなく、やはり時間の経過ととももに磁力
Ｈｃが大きく変化し、ついには保磁力Ｈｃが大きく低下
してしまうという問題点は依然としてあった。Also, the 9th Academic Lecture Summary of the Japanese Society of Applied Magnetics (1985)
(November 2013), page 209, there is a study of Tb-Fe or Tb
-Fe-Co with 10 atomic% of pt, 81, Cr, and Ti
Amorphous thin films of alloys have been taught with additions of up to However, 1 in Tb-Fe or Tb-Fe-Go
Even if PL, AI, Cr, and Ti are added in amounts up to 0 atomic %, surface oxidation and pitting corrosion can be prevented, but the antioxidant properties against selective oxidation of Tb in the resulting alloy amorphous thin film are not sufficient. However, there still remained the problem that the magnetic force Hc changed greatly over time and eventually the coercive force Hc significantly decreased.
さらにまた特開昭６１−２５５５４６号公報には、３ｄ
の遷移元素−希土類元素系光磁気記録膜の耐酸化性向上
のためにｐｔやＰｄを添加することが示されている。そ
して、Ｔｂ−Ｆｅ等では、ｐｔの添加量は１０原子％迄
が限度で、それ以上の添加はカー回転角θにの低下（す
なわち０．１５ｄｅ、ｇ以下のカー回転角となる）によ
る再生低下を虞れて検討しておらず、また上記θにの問
題から１０原子％迄の添加が限度であると断定している
。しかし、１０原子％程度の添加では、前述のように希
土類元素の選択酸化を防止できないことは明らかである
。Furthermore, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-255546 describes
It has been shown that pt or Pd can be added to improve the oxidation resistance of transition element-rare earth element based magneto-optical recording films. For Tb-Fe, etc., the amount of pt added is limited to 10 at %, and adding more than that will cause regeneration due to a decrease in the Kerr rotation angle θ (that is, the Kerr rotation angle will be less than 0.15 de, g). This study has not been carried out due to the fear of a decrease in θ, and it has been determined that the addition of up to 10 atom % is the limit due to the above-mentioned problem with θ. However, it is clear that addition of about 10 atomic % cannot prevent selective oxidation of rare earth elements as described above.
本発明は、上記のような従来技術に伴なう問題点を解決
しようとするものであって、保磁力が大きくかつカー回
転角やファラデー回転角が大きいなどの優れた光磁気光
学特性を有し、しかも耐酸化性に優れて、経時的に保磁
力が変化したりあるいはカー回転角が変化することなく
、さらに反射率も高いので仮にカー回転角が０．１５ｄ
ｅｇ以下と小さくなっても再生特性の悪化のないような
非晶質合金薄膜を提供できる合金ターゲット、あるいは
割れにくくて製造が容易な合金ターゲット、さらにはプ
レスパツタリングをほとんど必要としない合金ターゲッ
トを提供することを目的としている。The present invention is an attempt to solve the problems associated with the prior art as described above, and is directed to a magneto-optical material having excellent magneto-optical properties such as a large coercive force and a large Kerr rotation angle and Faraday rotation angle. Moreover, it has excellent oxidation resistance, and the coercive force or Kerr rotation angle does not change over time. Furthermore, the reflectance is high, so even if the Kerr rotation angle is 0.15d.
An alloy target that can provide an amorphous alloy thin film with no deterioration in playback characteristics even when the size is smaller than EG, an alloy target that is hard to break and easy to manufacture, and an alloy target that hardly requires press sputtering. is intended to provide.
〔発明の概要］
すなわち、本発明は、 （ｉ）ＦｅおよびＣｏの両者あ
るいはＣｏと、 （ｉｉ） Ｐｔ、、Ｐｄから選ばれる
少なくとも１種と、（ｉｉｉ ）希土類元素から選ばれ
る少なくとも１種の元素とからなり、Ｐｔおよび／また
はＰｄの含有量〉２０原子％であることを特徴とする合
金ターゲットである。[Summary of the Invention] That is, the present invention provides: (i) both Fe and Co or Co; (ii) at least one selected from Pt, Pd; and (iii) at least one selected from rare earth elements. This is an alloy target characterized in that the content of Pt and/or Pd is >20 atomic %.
以下、本発明に係る合金ターゲットについて具体的に説
明する。Hereinafter, the alloy target according to the present invention will be specifically explained.
本発明に係る合金ターゲットは、 （ｉ）ＦｅおよびＣ
ｏの両者あるいはＣｏと、 （ｉｉ） Ｐｔ、 Ｐｄが
ら選ばれる少なくとも１種と、（ｉｉｉ ）希土類元素
から選ばれる少なくとも１種の元素とからなり、Ｐｔお
よび／またはＰｄの含有量〉２０原子％である合金ター
ゲットからなっている。The alloy target according to the present invention includes (i) Fe and C
o or Co; (ii) at least one element selected from Pt and Pd; and (iii) at least one element selected from rare earth elements, with a content of Pt and/or Pd>20 at% It consists of an alloy target.
（ｉ）ＦｅおよびＣｏの両者あるいはＣｏは合金ターゲ
ット中に好ましくは５〜８０原子％、より好ましくは５
〜７５原子％、とくに好ましくは５〜７０原子％の量で
存在している。(i) Both Fe and Co or Co is preferably 5 to 80 atomic %, more preferably 5 atomic % in the alloy target.
It is present in an amount of up to 75 atom %, particularly preferably between 5 and 70 atom %.
（ｉｉ）ＰｔまたはＰｄあるいはこの両者は、上述のよ
うに合金ターゲット中に２０原子％を越えて１００％未
満、好ましくは９０原子％以下、さらに好ましくは２３
〜７０原子％の量で存在している。(ii) Pt and/or Pd is present in the alloy target in an amount of more than 20 atomic % and less than 100 atomic %, preferably 90 atomic % or less, more preferably 23 atomic % or less, as described above.
It is present in an amount of ~70 at.%.
このｐｔまたはＰｄあるいはこの両者の含有量が２０原
子％以下であると、得られる合金ターゲラ［・の耐酸化
性が充分には改善されず、これによって得られる薄膜は
経時的に保磁力１’ｌｃが大きく変化したりあるいはカ
ー回転角θｋが減少したりまた反射率Ｒもｐｔあるいは
Ｐｄを添加しない系に比べて劣ったり変化率が大きかっ
たりするため好ましくない。また、９ｏ原子％を越えて
存在する場合には、得られる非晶質合金薄膜の非品性が
損われて結晶性になり易くなる傾向もある。If the content of pt, Pd, or both is less than 20 at %, the oxidation resistance of the resulting alloy Targetera will not be sufficiently improved, and the resulting thin film will have a coercivity of 1' over time. This is not preferable because lc changes greatly, the Kerr rotation angle θk decreases, and the reflectance R is inferior or has a large rate of change compared to a system without pt or Pd. Furthermore, if the content exceeds 90 atomic %, the resulting amorphous alloy thin film tends to lose its quality and become crystalline.
（ｉｉｉ ）本発明に係る合金ターゲットは、上記（ｉ
）および（ｉｉ ）に加えて、希土類元素から選ばれる
少なくとも１種の元素を含んで構成されている。とくに
好ましく使用されるのはＴｂを除く希土類元素すなわち
Ｌａ、 Ｃｅ、 Ｐｒ、 Ｎｄ、 Ｐｍ、 Ｓｍ、 Ｅ
ｕ。(iii) The alloy target according to the present invention includes the above (i)
) and (ii), it contains at least one element selected from rare earth elements. Particularly preferably used are rare earth elements other than Tb, namely La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, and E.
u.
ＧＬ Ｄｙ、Ｈａｓ Ｅｒ、 Ｔｍｓ ＹＪ Ｌｕがら
選ばれる少なくとも１種の希土類元素であり、さらに好
ましくはこれらからＧｄを除いた希土類元素であり、合
金ターゲット中に、好ましくは５〜５ｏ原子％、さらに
好ましくは８〜４５原子宛、とくに好ましくは１０〜４
０原子％の量で存在している。At least one rare earth element selected from GL Dy, Has Er, and Tms YJ Lu, more preferably a rare earth element excluding Gd from these, preferably 5 to 5 atomic %, more preferably is for 8 to 45 atoms, particularly preferably 10 to 4
It is present in an amount of 0 atomic %.
上記のような組成を有する合金ターゲットにより得られ
る薄膜は、膜面に垂直な磁化容易軸を有し、多くはカー
・ヒステリシスが良好な角形ループを示す垂直磁気およ
び光磁気記録可能な非晶質薄膜となることが広角Ｘ線回
折などにより確かめられる。Thin films obtained using alloy targets with the above compositions have an easy axis of magnetization perpendicular to the film surface, and are often amorphous, exhibiting square loops with good Kerr hysteresis and capable of perpendicular magnetic and magneto-optical recording. It is confirmed by wide-angle X-ray diffraction that it becomes a thin film.
また、Ｐｔおよび／またはＰｄの存在によって延性およ
び展性が付与され、割れにくい合金ターゲットとなる。Furthermore, the presence of Pt and/or Pd imparts ductility and malleability, making the alloy target difficult to crack.
本発明に係る合金ターゲットは、耐酸化性に著しく優れ
ており、したがってこの合金ターゲットを用いてスパッ
タリングで成膜する際プレスバッタリングの手間を省く
か軽減することができ、また得られる非晶質合金薄膜を
使用する際に′、必ずしも酸化防止保護膜を非晶質合金
薄膜上に設ける必要はないという優れた特性を有してい
る。The alloy target according to the present invention has extremely excellent oxidation resistance. Therefore, when forming a film by sputtering using this alloy target, the effort of press battering can be omitted or reduced, and the amorphous When using an alloy thin film, it has an excellent property in that it is not necessarily necessary to provide an antioxidant protective film on the amorphous alloy thin film.
上記のような本発明の合金ターゲットを使用して得られ
る非晶質合金薄膜の別の特長は、反射率Ｒが大きいこと
である。一般に、非晶質合金薄膜を光磁気記録に利用す
る場合、非晶質合金薄膜であるので結晶粒界による媒体
雑音を考慮する必要がなく、光検出器のショット雑音が
問題となる。Another feature of the amorphous alloy thin film obtained using the alloy target of the present invention as described above is that the reflectance R is large. Generally, when an amorphous alloy thin film is used for magneto-optical recording, since it is an amorphous alloy thin film, there is no need to consider medium noise due to grain boundaries, and shot noise of a photodetector becomes a problem.
この場合、Ｃ／Ｎｏ（Ｒθにの関係を有することがらＣ
／Ｎを向上するにはＲまたはθにの少なくともいずれか
一方の値を向上すればよい。In this case, since there is a relationship between C/No(Rθ), C
/N can be improved by increasing at least one of R and θ.
したがって、本発明の非晶質合金薄膜のＲが大きいとい
うことは、光磁気記録におけるＣ／Ｎを向上せしめる利
点を有する。Therefore, the large R of the amorphous alloy thin film of the present invention has the advantage of improving the C/N in magneto-optical recording.
なお、従来から知られているｐｔを１０原子％以下の量
で含有する光磁気記録膜では、ｐｔを含有しない系と比
べてむしろ反射率が減少する傾向であることから、本発
明のような効果は全（予測外である。In addition, in conventionally known magneto-optical recording films containing PT in an amount of 10 atomic % or less, the reflectance tends to decrease compared to systems that do not contain PT. The effect is total (unexpected).
すなわち、後述する実施例に見られるように、ｐｔ含有
量を増加して行くと、１ｏ原子％まではむしろ反射率が
低下し、その後含有量の増加と共に反射率も増加傾向に
なり、１５原子％付近でｐｔ無添加系以上となり、２０
原子％で飽和に達することがわかる。That is, as seen in the examples described later, as the pt content is increased, the reflectance decreases up to 10 atom%, and then the reflectance tends to increase as the content increases, and up to 15 atom%. %, it becomes more than the PT-free system, and 20
It can be seen that saturation is reached at atomic%.
したがって、Ｐｔ含有量が２０原子％以下では、Ｐｔ含
有量が少量でも組成変化すると反射率が大幅に変化して
再生特性の急激な変動を誘発する。よってＰｔ含有量は
２０原子％を越えて含まれることが重要で、とくに合金
ターゲットから得られる薄膜の組成変動を考慮すると、
合金ターゲット中のＰｔ含有量は２３原子％以上とする
と薄膜のＰｔ含有量は確実に２０原子％を越えることに
なり好ましい。Therefore, when the Pt content is 20 atomic % or less, even a small change in the composition causes a significant change in the reflectance and induces rapid fluctuations in the reproduction characteristics. Therefore, it is important that the Pt content exceeds 20 atomic %, especially considering the compositional fluctuation of the thin film obtained from the alloy target.
If the Pt content in the alloy target is 23 atomic % or more, the Pt content in the thin film will surely exceed 20 atomic %, which is preferable.
本発明においては、その他に種々の元素を添加して、得
られる薄膜のキュリ一温度や補償温度あルイハＨｃやθ
にの改善あるいは低コスト化を計ってもよい。In the present invention, various other elements are added to increase the Curie temperature, compensation temperature, IHc, and θ of the obtained thin film.
Improvements in performance or cost reduction may be considered.
これらの原子は、希土類元素に対してたとえば５０原子
％未溝の割合で置換可能である。These atoms can be substituted for the rare earth element at a ratio of, for example, 50 atomic percent.
併用される他の元素の例としては、
（１） Ｆｅ、 Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素具体的には、
Ｓｃ、 Ｔｉ、 Ｖ、Ｃｒ、、Ｍｎ、 Ｎｉ、 Ｃｕ。Examples of other elements used in combination include (1) 3d transition elements other than Fe and Co, specifically:
Sc, Ti, V, Cr, Mn, Ni, Cu.
Ｚｎが用いられる。Zn is used.
これらのうち、Ｔｉ、 Ｎｉ、 Ｃｕ、 Ｚｎなどが好
ましく用いられる。Among these, Ti, Ni, Cu, Zn, etc. are preferably used.
（Ｉｔ）ｐａ基以外４ｄ遷移元素
具体的には、Ｙ 、Ｚｒ、Ｎｂｓ ＭＯ％ ＴＣ％ Ｒ
ｕ 、ＲｈｚＡｇ、 Ｃｄが用いられる。(It) 4d transition elements other than pa group Specifically, Y, Zr, Nbs MO% TC% R
u, RhzAg, and Cd are used.
このうちＺｒ、 Ｎｂ、が好ましく用いられる。Among these, Zr and Nb are preferably used.
（ＩＩＩ） Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素
具体的には、Ｉｆｆ、 Ｔａ、 Ｗ、 Ｒｅ、 Ｏｓ、
Ｉｒ、八ｕ１Ｈｇが用いられる。(III) 5d transition elements other than Pt Specifically, If, Ta, W, Re, Os,
Ir, 8u1Hg are used.
このうちＴａが好ましく用いられる。Among these, Ta is preferably used.
（ＩＶ）Ｉ［［Ｂ族元素
具体的には、Ｂ−、ＡＩ、Ｇａｓ Ｉｎ、 Ｔｔが用い
られる。(IV) I[[B group element Specifically, B-, AI, Gas In, and Tt are used.
このうちＢ、、Ａｌ５Ｇａが好ましく用いられる。Among these, B, Al5Ga are preferably used.
（Ｖ）ＩＶＢＶＢ族
元素的には、Ｃ，Ｓｔ、 Ｇｅ５Ｓｎ、 Ｐｂが用いら
れる。(V) IVBVB group elements include C, St, Ge5Sn, and Pb.
このうち５ｉＳＧｅＳＳｎ、 Ｐｂが好ましく用いられ
る。Among these, 5iSGeSSn and Pb are preferably used.
（Ｖｌ）ＶＢ族元素
具体的には、ＮＳＰ、 Ａｓ、 Ｓｂ、 Ｂｉが用いら
れる。(Vl) VB group element Specifically, NSP, As, Sb, and Bi are used.
このうちｓｂが好ましく用υ）られる。Among these, sb is preferably used.
（■）ＶＩＢ族元素 具体的には、５ＳＳｅＳＴｅ、 Ｐｏが用いられる。(■) VIB group elements Specifically, 5SSeSTe and Po are used.
実施例により、本発明の内容をさらに詳細に説明する。 EXAMPLES The content of the present invention will be explained in more detail with reference to Examples.
本実施例では、低周波溶解炉で溶かし鋳造したものを合
金ターゲットとして用いた。薄膜はいずれもスパッタ法
で作製した。スパッタ法としては、ＤＣマグネトロンス
パッタ法およびＲＰスパッタ法（基板バイアスＯ，−１
００Ｖ）を用いて行った。In this example, an alloy target melted and cast in a low frequency melting furnace was used. All thin films were produced by sputtering. As sputtering methods, DC magnetron sputtering method and RP sputtering method (substrate bias O, -1
00V).
スパッタ条件は真空到達度的３．０Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ
以下、Ａｒ圧５ ｍＴｏｒｒである。The sputtering conditions are 3.0X10-'Torr in terms of vacuum attainment.
Hereinafter, the Ar pressure was 5 mTorr.
第１図は、本発明におけるＰｔ−Ｄｙ−Ｆｅ合金ターゲ
ットと従来のｐｔを含まないＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金ター
ゲットから作製した薄膜の保磁力Ｈｃのスパッタ時間依
存性を示している０本発明の合金ターゲットを用いたも
のは、ターゲット使用開始直後から長時間使用後まで安
定したＨｃが得られた。勿論、各時点で得られた薄膜は
充分なカー回転角を示し、垂直磁化膜であることが支持
された。Figure 1 shows the sputtering time dependence of the coercive force Hc of thin films produced from the Pt-Dy-Fe alloy target of the present invention and the conventional Tb-Fe-Co alloy target that does not contain pt. In the case of using an alloy target, stable Hc was obtained from immediately after the target was started to being used for a long period of time. Of course, the thin films obtained at each time point showed sufficient Kerr rotation angles, supporting the fact that they were perpendicularly magnetized films.
上記のように本発明による合金ターゲットを用いると従
来の合金ターゲットを用いた場合に比べて、耐酸化性が
優れているのでブリスパッタ（通常３〜５時間必要）が
不要である。そのうえ、使用中、空気に暴露された場合
にも耐酸化性が優れているのでブリスパッタは不要であ
る。また、従来の合金ターゲットのように酸化防止のた
めの取り扱いを全く考慮しなくても良い。さらに、後述
するようにＰｔ含有量が２０原子％を越えると、膜の反
射率が約１０％以上増加する。これらのことは、特性の
良い非晶質合金薄膜（磁気光学効果利用型、相変化利用
性）を再現性よく得るうえで有利なことである。As described above, when the alloy target according to the present invention is used, oxidation resistance is superior to that when a conventional alloy target is used, so that bliss sputtering (usually required for 3 to 5 hours) is unnecessary. Moreover, it has excellent oxidation resistance even when exposed to air during use, so bliss sputtering is not necessary. Further, unlike conventional alloy targets, there is no need to consider handling for oxidation prevention at all. Further, as will be described later, when the Pt content exceeds 20 atomic %, the reflectance of the film increases by about 10% or more. These are advantageous in obtaining an amorphous alloy thin film with good characteristics (magneto-optical effect type, phase change type) with good reproducibility.
第２図は、本発明の合金ターゲットから得られたＰｔｘ
ＲＢｙＣｏ ＋。。−□、系垂直磁化膜（ＲＥは希土類
元素）のＰｔ含有量と反射率Ｒの関係を示す図である。Figure 2 shows the Ptx obtained from the alloy target of the present invention.
RByCo+. . -□ is a diagram showing the relationship between the Pt content and the reflectance R of a perpendicularly magnetized film (RE is a rare earth element).
前述したように、Ｐｔ含有量が１０原子％までは、ｐｔ
無添加系に比べて反射率が低下する傾向を示し、１０原
子％を越えると含有量の増加と共に反射率も増加する傾
向となり、２０原子％で飽和に達し以後一定となること
が判る。As mentioned above, up to 10 at% Pt content, pt
It can be seen that the reflectance tends to decrease compared to the additive-free system, and when it exceeds 10 atomic %, the reflectance tends to increase as the content increases, reaches saturation at 20 atomic %, and remains constant thereafter.
そして以上に述べた結果はＰｄ系でも同様にいえる。The results described above are also true for Pd-based materials.
〔発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、合金ターゲットを容
易に作製できる。その効果として、■ 鋳造、加工後に
割れない、
■ 抗酸化性が高い、
■ スパッタ・ターゲットとしてブリスパッタが不要で
ある、
が挙げられる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, an alloy target can be easily produced. Its effects include: ■ No cracking after casting and processing; ■ High anti-oxidation properties; ■ No need for bliss sputtering as a sputter target.
第１図は保磁力Ｈｃのスパッタ時間依存性を示した図で
ある。第２図はｐｔ含有量と反射率の関係を示した図で
ある。FIG. 1 is a diagram showing the sputtering time dependence of coercive force Hc. FIG. 2 is a diagram showing the relationship between pt content and reflectance.
Claims (3)
ｉｉ）Ｐｔ、Ｐｄから選ばれる少なくとも１種と、（ｉ
ｉｉ）希土類元素から選ばれる少なくとも１種の元素と
からなり、Ｐｔおよび／またはＰｄの含有量＞２０原子
％以上であることを特徴とする薄膜作製用合金ターゲッ
ト。(1) [i] Both Fe and Co or Co and (
ii) at least one species selected from Pt and Pd, and (i
ii) An alloy target for thin film production, characterized in that it is made of at least one element selected from rare earth elements, and has a Pt and/or Pd content of >20 atomic % or more.
第１項記載の薄膜作製用合金ターゲット。(2) The alloy target for thin film production according to claim 1, which uses a rare earth element other than Tb.
請求の範囲第１項記載の薄膜作製用合金ターゲット。(3) The alloy target for thin film production according to claim 1, which uses rare earth elements other than Gd and Tb.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13126587A JPS63297553A (en) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Alloy target for thin film manufacture |
| EP19880903378 EP0310680A4 (en) | 1987-04-17 | 1988-04-15 | Photomagnetic recording membrane |
| PCT/JP1988/000379 WO1988008192A1 (en) | 1987-04-17 | 1988-04-15 | Photomagnetic recording membrane |
| KR1019880701679A KR890700898A (en) | 1987-04-17 | 1988-12-16 | Magneto-optical recording film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13126587A JPS63297553A (en) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Alloy target for thin film manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63297553A true JPS63297553A (en) | 1988-12-05 |
Family
ID=15053884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13126587A Pending JPS63297553A (en) | 1987-04-17 | 1987-05-29 | Alloy target for thin film manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63297553A (en) |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP13126587A patent/JPS63297553A/en active Pending
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