JPS63297297A - Production of compound semiconductor single crystal - Google Patents
Production of compound semiconductor single crystalInfo
- Publication number
- JPS63297297A JPS63297297A JP13206287A JP13206287A JPS63297297A JP S63297297 A JPS63297297 A JP S63297297A JP 13206287 A JP13206287 A JP 13206287A JP 13206287 A JP13206287 A JP 13206287A JP S63297297 A JPS63297297 A JP S63297297A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- liquid
- single crystal
- solid
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 7
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 17
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004033 diameter control Methods 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- LULLIKNODDLMDQ-UHFFFAOYSA-N arsenic(3+) Chemical compound [As+3] LULLIKNODDLMDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、発光、受光デバイスや高速IC用の基板とし
て使用されるInPやGaAs等の化合物半導体単結晶
の成長方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for growing compound semiconductor single crystals such as InP and GaAs used as substrates for light emitting and light receiving devices and high speed ICs.
[従来技術]
InPやGaAs等の化合物半導体単結晶の育成におい
ては、PやAs等化合物融点での解離圧の高い元素の蒸
発を抑える目的で、B2O3やNaCQ −KCQの固
溶体といった液体封止剤を用い、LEC(Llquld
Encapsulated Czochralskl
)法が広く適用されている。[Prior art] In the growth of compound semiconductor single crystals such as InP and GaAs, liquid sealants such as B2O3 and solid solutions of NaCQ-KCQ are used to suppress the evaporation of elements with high dissociation pressure at the melting point of the compound such as P and As. using LEC (Llquld
Encapsulated Czochralskl
) law is widely applied.
第3図は、従来のヒーターを用いた化合物半導体単結晶
の育成装置を示す。FIG. 3 shows a compound semiconductor single crystal growth apparatus using a conventional heater.
るつぼ3を囲んで成長融液6に対応してヒーター2が配
置され、液体封止剤5、固液界面9に対応してヒーター
1が配置され、るつぼ3は下軸lOによって昇降し、回
転できるように構成される。A heater 2 is arranged surrounding the crucible 3 and corresponds to the growth melt 6, a heater 1 is arranged corresponding to the liquid sealant 5 and the solid-liquid interface 9, and the crucible 3 is moved up and down by the lower axis lO and rotated. configured to be able to do so.
又、上軸8は昇降し、回転できるように構成され、その
先端に種結晶7を取付け、液体封止剤5の下面に接しで
ある固液界面9でインゴット4が育成され、順次引上げ
られる。なお図示していないが装置全体は反応容器中に
納められている。Further, the upper shaft 8 is configured to be able to move up and down and rotate, and a seed crystal 7 is attached to the tip of the upper shaft 8, and the ingot 4 is grown at the solid-liquid interface 9 that is in contact with the lower surface of the liquid sealant 5, and is successively pulled up. . Although not shown, the entire device is housed in a reaction container.
上述のようなLEC法に限らず、単結晶の育成では、転
位等の結晶欠陥を抑制するために、成長したインゴット
と原料融液との界面近傍での温度勾配を小さくすること
が非常に重要であり、その目的を達成するために、遮蔽
板を用いたり、多分割のヒーターを使用する等、様々な
努力がはられれ集P、588等で報告されている。Not limited to the LEC method mentioned above, when growing single crystals, it is extremely important to reduce the temperature gradient near the interface between the grown ingot and the raw material melt in order to suppress crystal defects such as dislocations. In order to achieve this objective, various efforts have been made, such as using a shielding plate and a multi-segmented heater, and these efforts have been reported in Collection P, 588, etc.
更に固液界面の温度勾配を小さく保ちながら、液体封止
剤表面の温度を比較的低温に設定することを目的として
、封止剤の厚みを非常に厚くする、j’E’c (Fu
ll、y Encapsulated Czochra
lskl)法も試みられている。これは例えば特公昭6
1−31381号公報に示されている。Furthermore, j'E'c (Fu
ll,y Encapsulated Czochra
lskl) method has also been attempted. This is, for example, the Tokuko Sho 6
1-31381.
[発明が解決しようとする問題点コ
LEC法においては、液体封止剤を1〜3cm程度に設
定するのが掻く一般的な成長条件であるが、そのような
条件では、炉内環境を調整して固液界面の温度勾配を小
さくすると、液体封止剤の表面の温度が高く保たれるた
めに、成長後液体封止剤から出てきたインゴットの表面
から解離圧の高い元素が蒸発してしまう。その結果、元
素の抜けた部分が結晶欠陥の発生源となったり、あるい
は残った解離圧の低い元素が集まって液体となって下方
に垂れて行き、遂には固液界面に到達して結晶欠陥を誘
発するという問題があり、固液界面の温度勾配を自由に
設定することができない。[Problems to be solved by the invention] In the LEC method, the general growth condition is to set the liquid sealant to about 1 to 3 cm, but under such conditions, it is necessary to adjust the furnace environment. When the temperature gradient at the solid-liquid interface is reduced, the surface temperature of the liquid encapsulant is kept high, so elements with high dissociation pressure evaporate from the surface of the ingot that has come out of the liquid encapsulant after growth. It ends up. As a result, the missing element becomes a source of crystal defects, or the remaining elements with low dissociation pressure gather, become a liquid, and drip downward, eventually reaching the solid-liquid interface and causing crystal defects. There is a problem in that the temperature gradient at the solid-liquid interface cannot be freely set.
また、これらの問題を解決する方法として提案された前
記FEC法については、液体封止剤の層が厚く、融液を
目視することが困難であるために種付けや結晶径制御に
まだ問題がある。In addition, the FEC method proposed as a method to solve these problems still has problems with seeding and crystal diameter control because the layer of liquid sealant is thick and it is difficult to visually observe the melt. .
〔発明の構成]
本発明は、上記の問題を解決する目的でなされたもので
あって、るつぼを囲む多段分割ヒーターのうち、特に液
体封止剤と固液界面近傍に対応するヒーターに熱放射面
を内側に湾曲させたヒーターを用いることによって成長
中のインゴットの固液界面近傍にあるいは液体封止剤の
下部を中心とした箇所にヒーター加熱エネルギーを集中
できるようにし、固液界面の温度勾配は小さく保ち、液
体封止剤表面の温度は比較的低温に設定しようとするも
のである。[Structure of the Invention] The present invention has been made for the purpose of solving the above-mentioned problems, and among the multi-stage divided heaters surrounding the crucible, heat radiation is applied to the heaters corresponding to the liquid sealant and the solid-liquid interface in particular. By using a heater whose surface is curved inward, it is possible to concentrate heater heating energy near the solid-liquid interface of the growing ingot or around the bottom of the liquid sealant, thereby reducing the temperature gradient at the solid-liquid interface. is kept small and the temperature of the surface of the liquid sealant is set at a relatively low temperature.
以下第1図に示す装置により本発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below using the apparatus shown in FIG.
第3図と同一部分は同一符号で示す。The same parts as in FIG. 3 are indicated by the same reference numerals.
るつぼ3を囲んで、融液6に対応してヒーター2が配置
され、液体封止剤5、固液界面9に対応して加熱エネル
ギーを集中できるように、内側に湾曲した熱放射面を備
える環状のヒーター11が配置される。ヒーター11と
ヒーター2との上下間隔は図示していないが調整できる
ように構成する。A heater 2 is disposed surrounding the crucible 3 and corresponds to the melt 6, and has an inwardly curved heat radiation surface so as to concentrate heating energy corresponding to the liquid sealant 5 and the solid-liquid interface 9. An annular heater 11 is arranged. Although the vertical distance between the heater 11 and the heater 2 is not shown, it is configured to be adjustable.
また、図示のようにヒーターは2個に限ることなく複数
段備えるものであればよい。Furthermore, the number of heaters is not limited to two as shown in the figure, but any heater may be provided in multiple stages.
るつぼ3は下軸lOによって昇降し、回転できるように
構成され、上軸8は昇降し、回転できるように構成され
、その先端に種結晶7を取付け、液体封止剤5と下面に
接しである固液界面8で成長インゴットが育成され、順
次引上げられる。The crucible 3 is configured to be able to move up and down and rotate by a lower shaft 10, and the upper axis 8 is configured to be able to move up and down and rotate. A growing ingot is grown at a certain solid-liquid interface 8 and pulled up sequentially.
さて、図示のように、ヒーターl!はその熱放射面が内
側に湾曲しており、成長するインゴット4と融液6の固
液界面近傍、あるいは液体封止剤5の下面を中心とした
箇所を集中的に加熱する働きを担っている。またヒータ
ー2は成長融液6を主に加熱する働きを担ったヒーター
であり、ヒーターロ、ヒーター2は互に補い合って、イ
ンゴット4、成長融液6、液体封止剤5を加熱し、両ヒ
ーター11.2はその出力を微少に調節することによっ
て、インゴットの成長径を任意に設定するという重要な
働きをしている。Now, as shown, the heater l! has a heat radiation surface curved inward, and serves to intensively heat the area near the solid-liquid interface between the growing ingot 4 and the melt 6, or the lower surface of the liquid sealant 5. There is. Furthermore, the heater 2 is a heater that mainly serves to heat the growth melt 6, and the heater 2 and the heater 2 complement each other to heat the ingot 4, the growth melt 6, and the liquid sealant 5, and both heaters 11.2 plays an important role of arbitrarily setting the growth diameter of the ingot by minutely adjusting its output.
第2図は、第3図に示す従来の装置による結晶成長時の
液体封止剤、融液上部近傍の温度分布を示しく図の(1
)、(目)の線)、又本発明実施の第1図に示す装置に
よる結晶成長時の同様温度分布を示している(図の(目
I)の線)。Figure 2 shows the temperature distribution near the top of the liquid sealant and melt during crystal growth using the conventional apparatus shown in Figure 3.
), (line I)), and the same temperature distribution during crystal growth using the apparatus shown in FIG. 1 for carrying out the present invention (line I).
なお図は、GaAsの単結晶の成長を対象としており、
液体封止剤はB2O3を用いている。The figure is for the growth of a single crystal of GaAs.
B2O3 is used as the liquid sealant.
すでに述べた第3図の従来型のヒーターを用いた装置に
よれば、(1)に示すような温度分布が典型的に得られ
る。また、この装置においても、成長融液6やるつぼ3
とヒーター1,2との相対位置や上側のヒーター1によ
り大きな出力をかけることで、第3図の(目)で示すよ
うに、封止剤B2O3とGaAsとの界面の温度勾配の
小さな温度分布を実現することはできる。しかし、B2
O3表面温度が同時に高くなってしまい良好なインゴッ
トは得られない。According to the apparatus using the conventional heater shown in FIG. 3, which has already been described, a temperature distribution as shown in (1) is typically obtained. Also, in this device, the growth melt 6 and the crucible 3
By adjusting the relative position of the heaters 1 and 2 and applying a larger output to the upper heater 1, the temperature distribution with a small temperature gradient at the interface between the encapsulant B2O3 and GaAs can be achieved, as shown by the (eye) in Figure 3. It is possible to achieve this. However, B2
At the same time, the O3 surface temperature increases, making it impossible to obtain a good ingot.
これに対して、本発明実施の装置におけるように、上側
ヒーターに湾曲したヒーターを用いると、(Ill)で
示すようにB2O3とGaAsの界面の温度勾配を小さ
くしなからB2O3表面の温度を低く保つことができる
。On the other hand, if a curved upper heater is used as in the apparatus of the present invention, the temperature of the B2O3 surface can be lowered without reducing the temperature gradient at the interface between B2O3 and GaAs, as shown in (Ill). can be kept.
その様相の発生の囚を第1図、第3図の装置によって説
明する。図中でヒーター1,11及びるつぼ3の側壁か
ら出ている矢印は、上側ヒーター1゜I1からの放射を
校式的に表現したものである。すなわち両図のヒーター
1,11に同じ出力を印加し、ヒーター1,11の表面
温度が同様な温度となっても、第1図のヒーター11の
場合、ヒーターが湾曲しているために、ヒーターからの
加熱エネルギーを第3図のヒーター1と比較してるつぼ
3側壁のより狭い部分に集中させることが可能となる。The origin of this aspect will be explained using the apparatuses shown in FIGS. 1 and 3. In the figure, the arrows coming out from the side walls of the heaters 1 and 11 and the crucible 3 are calibrated representations of radiation from the upper heater 1°I1. In other words, even if the same output is applied to heaters 1 and 11 in both figures and the surface temperatures of heaters 1 and 11 become similar, in the case of heater 11 in Figure 1, since the heater is curved, It becomes possible to concentrate the heating energy from the crucible 3 in a narrower portion of the side wall of the crucible 3 compared to the heater 1 shown in FIG.
その結果、成長融液、液体封止剤、成長インゴットを含
めた系の温度環境を急峻なものとする。As a result, the temperature environment of the system including the growth melt, liquid sealant, and growth ingot becomes steep.
そしてヒーター1 、IIとるつぼ3との相対位置を調
節することにより、成長インゴットと融液との温度勾配
が小さく、なおかつ液体封止剤の表面の温度の低い第3
図(1董)のような理想的な温度分布を得ることができ
る。By adjusting the relative positions of the heaters 1 and II and the crucible 3, the temperature gradient between the growing ingot and the melt is small, and the temperature of the surface of the liquid sealant is low.
An ideal temperature distribution as shown in Figure (1) can be obtained.
[実施例]
アンドープGaAs単結晶の成長を、B2O3を液体封
止剤に用いて行った。原料としては、純度6Nの金属ガ
リウム及び金属砒素を用い、合計投入量が3 kgで化
学量論的組成を実現できるよう、秤量して投入した。B
2O3は水分量1100ppノ物400gを用いた。る
つぼはPBNを材料としたもので直径は125m、高さ
は200 mmである。[Example] An undoped GaAs single crystal was grown using B2O3 as a liquid sealant. As raw materials, metallic gallium and metallic arsenic with a purity of 6N were used, and they were weighed and introduced so that a stoichiometric composition could be achieved with a total amount of 3 kg. B
For 2O3, 400 g of a substance with a moisture content of 1100 pp was used. The crucible is made of PBN and has a diameter of 125 m and a height of 200 mm.
成長条件としては、雰囲気ガスに高純度Arガスを使い
、圧力は成長中15kg/cJに設定した。成長インゴ
ット及びるつぼはそれぞれIOrpm、2Orpmで逆
方向に回転を与えた。引き上げ速度はI2mm/時であ
る。またB2O3とGaAs融液との界面の高さが成長
を通じて変わらないように、インゴットの成長に伴う融
液の低下分を捕但するだけるつぼの位置を上昇させなが
ら行った。As for the growth conditions, high-purity Ar gas was used as the atmospheric gas, and the pressure was set at 15 kg/cJ during growth. The growth ingot and crucible were rotated in opposite directions at IOrpm and 2Orpm, respectively. The pulling speed is I2 mm/hour. In addition, in order to keep the height of the interface between B2O3 and the GaAs melt unchanged throughout the growth, the crucible was raised as much as possible to catch the drop in the melt as the ingot grew.
結晶の成長径は、直胴部の直径を55mmに設定した。The growth diameter of the crystal was set to 55 mm in the diameter of the straight body.
所望の直径のインゴットを得゛るために、上軸(引上げ
軸)の上部に装管されたロードセルによって成長中のイ
ンゴットの重量を測定し、その時間変化から成長径を計
算し、その情報をヒーターパワーにフィードバックさせ
る方式を採っている。In order to obtain an ingot of the desired diameter, the weight of the growing ingot is measured using a load cell installed at the top of the upper shaft (pulling shaft), the growing diameter is calculated from the time change, and the information is A method is adopted in which feedback is given to the heater power.
こうした径制御や成長速度やるつぼの上昇速度等は全て
一台のコンピュータによって集中制御を行っている。The diameter control, growth rate, crucible rising rate, etc. are all centrally controlled by a single computer.
従来のヒーターとの差を明らかにするためヒーターと融
液との相対的な位置関係は同じにした。In order to clarify the difference from the conventional heater, the relative positional relationship between the heater and the melt was kept the same.
また従来のヒーターを用いた成長と本発明の湾曲ヒータ
ーを用いた成長とで、ヒーターに流れる電流ができるだ
け同じになるように調整して成長を試みたが、湾曲ヒー
ターを用いた成長では安定した径制御はできなかった。In addition, we attempted to adjust the current flowing through the heater to be as similar as possible between growth using a conventional heater and growth using the curved heater of the present invention, but growth using the curved heater was not stable. Diameter control was not possible.
そこで、湾曲ヒーターに流れる電流を少し押えたところ
、良好な径制御で成長を行うことができた。Therefore, by slightly suppressing the current flowing through the curved heater, we were able to perform growth with good diameter control.
このことからヒーターを1曲させることにより、効果的
に輻射が集中していることがうかがえる。This suggests that radiation is effectively concentrated by turning the heater once.
成長したインゴットをスライスし、 KOHでエツチン
グを行い、転位と関連したピットの数を数えたところ、
従来のヒーターを用いた物で平均7.3 X 1G’
/cJ 1湾曲ヒーターでは1.G X In’ /c
Jという結果が得られた。The grown ingot was sliced, etched with KOH, and the number of pits associated with dislocations was counted.
Average of 7.3 x 1G' using conventional heater
/cJ 1 for a curved heater. G X In' /c
The result was J.
また、成長したインゴットの表面を観察したところ、湾
曲ヒーターを用いた物は従来の物に比べて表面の荒れが
少なく、B2O3の表面の温度が従来より低くなってい
ることが推定される。Furthermore, when the surface of the grown ingot was observed, the surface roughness of the ingot using the curved heater was less than that of the conventional ingot, and it is presumed that the temperature of the B2O3 surface was lower than that of the conventional ingot.
[発明の効果コ
以上述べたように、ヒーターの形状を湾曲させるという
簡単な手段の変更により、従来より転位等の結晶欠陥を
大幅に低減させることが可能となる。[Effects of the Invention] As described above, by simply changing the shape of the heater by curving it, crystal defects such as dislocations can be significantly reduced compared to the conventional method.
半導体デバイスの製作において、基板結晶の転位密度は
デバイスの性能を大きく左右する重要な要素である。例
えば一つのチップにトランジスタを高密度に集積させる
場合、各トランジスタの動作電圧は転位の存在に直接左
右されることが知られており、また半導体レーザを作る
場合でも転位の有る箇所は発光強度に寄与しないと考え
られている。すなわち結晶欠陥の低減を図ることがデバ
イス性能向上への本質的な方向であるが、本発明はこの
ような結晶欠陥のすくない化合物半導体単結晶の製造技
術として効果的である。In the fabrication of semiconductor devices, the dislocation density of the substrate crystal is an important factor that greatly influences the performance of the device. For example, when transistors are integrated in a single chip at a high density, it is known that the operating voltage of each transistor is directly affected by the presence of dislocations, and even when making semiconductor lasers, the emission intensity of the locations with dislocations is considered not to contribute. That is, reducing crystal defects is an essential direction toward improving device performance, and the present invention is effective as a manufacturing technology for compound semiconductor single crystals with few crystal defects.
第1図は、本発明を実施する引上げ装置の一例を示す。
第2図は、本発明を実施する装置、従来装置における炉
内の縦方向の温度分布を示す。
第3図は従来の引上げ装置の一例を示す。
コ1,2・・・ヒーター、3・・・るつぼ、4・・・イ
ンゴット、5・・・液体封止剤、6・・・融液、7・・
・種結晶、8・・・上軸、9・・・固液界面、1G・・
・下軸、11・・・湾曲ヒーター。
) 1 図
賽3 図FIG. 1 shows an example of a lifting device implementing the present invention. FIG. 2 shows the temperature distribution in the longitudinal direction inside the furnace in an apparatus implementing the present invention and a conventional apparatus. FIG. 3 shows an example of a conventional lifting device. 1, 2... Heater, 3... Crucible, 4... Ingot, 5... Liquid sealant, 6... Melt, 7...
・Seed crystal, 8...upper axis, 9...solid-liquid interface, 1G...
・Lower shaft, 11...Curved heater. ) 1 Figure dice 3 Figures
Claims (1)
おいて、熱放射面を内側に湾曲させたヒーターを用い、
固液界面部分に前記ヒーターによる加熱エネルギーを集
中させることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方
法。(1) In the LEC method, which uses multi-stage heaters, a heater whose heat radiation surface is curved inward is used.
A method for producing a compound semiconductor single crystal, comprising concentrating heating energy by the heater on a solid-liquid interface.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13206287A JPS63297297A (en) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | Production of compound semiconductor single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13206287A JPS63297297A (en) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | Production of compound semiconductor single crystal |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63297297A true JPS63297297A (en) | 1988-12-05 |
Family
ID=15072620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13206287A Pending JPS63297297A (en) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | Production of compound semiconductor single crystal |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63297297A (en) |
-
1987
- 1987-05-28 JP JP13206287A patent/JPS63297297A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1634981B1 (en) | Indium phosphide substrate, indium phosphide single crystal and process for producing them | |
US7211142B2 (en) | CdTe single crystal and CdTe polycrystal, and method for preparation thereof | |
EP0751242B1 (en) | Process for bulk crystal growth | |
JPS6345198A (en) | Production of crystal of multiple system | |
US20060260536A1 (en) | Vessel for growing a compound semiconductor single crystal, compound semiconductor single crystal, and process for fabricating the same | |
CN107313110A (en) | A kind of p type inp single crystal preparation formula and preparation method | |
JPS60251191A (en) | Process for growing single crystal of compound having high dissociation pressure | |
US5728212A (en) | Method of preparing compound semiconductor crystal | |
JPH10259100A (en) | Production of garium-arsenic single crystal | |
JPS63297297A (en) | Production of compound semiconductor single crystal | |
JP2003206200A (en) | p-TYPE GaAs SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME | |
JP2529934B2 (en) | Single crystal manufacturing method | |
US4824520A (en) | Liquid encapsulated crystal growth | |
JPH0557240B2 (en) | ||
JP2000313699A (en) | PRODUCTION OF SEMIINSULATING InP SINGLE CRYSTAL | |
JP2873449B2 (en) | Compound semiconductor floating zone melting single crystal growth method | |
JP2004099390A (en) | Method of manufacturing compound semiconductor single crystal and compound semiconductor single crystal | |
JP3250409B2 (en) | Vertical crystal growth method and crystal growth vessel used therein | |
EP0261647A2 (en) | High resistivity CdTe crystal and process for producing the same | |
JPS60210599A (en) | Method for growing semiconducting gaas crystal | |
JPH11322489A (en) | Production of semiconductor single crystal | |
JPH07110797B2 (en) | Method for producing compound semiconductor single crystal containing high vapor pressure component | |
JPS5957992A (en) | Manufacture of single crystal of semiconductor of compound | |
JPH0329036B2 (en) | ||
JPS61117198A (en) | Melt for growth of inp single crystal and method for using said melt |