JPS63291304A - Metallized constituent - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、IC,LSI、チップ部品などを搭載し、か
つそれらを相互配線した回路の高密度実装用基板として
用いることのできるメタライズ組成物に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a metallized composition that can be used as a substrate for high-density mounting of circuits on which ICs, LSIs, chip parts, etc. are mounted and interconnected. It is.
従来の技術
従来より、セラミック配線基板の導体ペースト用金属と
しては、Au、Au−PL、Ag−Pt。BACKGROUND OF THE INVENTION Conventionally, the metals used for conductor paste of ceramic wiring boards include Au, Au-PL, and Ag-Pt.
Ag−Pd等の貴金属、W、Mo、Mo−Mn等の高融
点卑金属が広く用いられていた。前者のAu、Au−P
t、Ag−Pt、Ag−Pd等の貴金属ペーストは空気
中で焼付けができるという反面、コストが高いという問
題を抱えている。また、後者のW、Mo、Mo−Mn等
の高融点卑金属は1600℃程度、すなわちグリーンシ
ートの焼結温度(約1500℃)以上の高温で同時焼成
するため多層化しやすいが、一方、導電性が低(、還元
雰囲気中で焼成する必要があるため危険である。また、
ハンダ付けのために導体表面にNi等によるメッキ処理
を施す必要があるなどの問題を有している。そこで安価
で導電性が良く、ハンダ付は性の良好なCuペーストが
用いられるようになってきた。ここで、Cuペーストを
用いたセラミック配線基板の製造方法の一例を述べる。Noble metals such as Ag--Pd and base metals with high melting points such as W, Mo, and Mo--Mn have been widely used. The former Au, Au-P
Although noble metal pastes such as T, Ag-Pt, and Ag-Pd can be baked in air, they have the problem of high cost. In addition, the latter high-melting point base metals such as W, Mo, and Mo-Mn are easily multilayered because they are co-fired at a high temperature of about 1,600°C, that is, higher than the sintering temperature of green sheets (about 1,500°C), but on the other hand, they are conductive. is dangerous because it requires firing in a reducing atmosphere.Also,
This method has problems such as the need to plate the conductor surface with Ni or the like for soldering. Therefore, Cu paste, which is inexpensive, has good conductivity, and has good soldering properties, has come to be used. Here, an example of a method for manufacturing a ceramic wiring board using Cu paste will be described.
従来の方法はアルミナ等の焼結基板上にCuペーストを
スクリーン印刷して配線パターンを形成し、乾燥後、C
uの融点よりも低い温度で、かつCuが酸化されず、導
体ペースト中の有機成分が十分に燃焼するように酸素分
圧を制御した窒素雰囲気中で焼成するというものである
。またCuぺ−ストを用いたセラミック多層配線基板の
場合は、さらに絶縁ペーストとCuペーストの印刷、乾
燥。The conventional method is to screen print Cu paste on a sintered substrate such as alumina to form a wiring pattern, and after drying,
The process involves firing in a nitrogen atmosphere at a temperature lower than the melting point of u and in which the oxygen partial pressure is controlled so that the Cu is not oxidized and the organic components in the conductor paste are sufficiently combusted. In the case of a ceramic multilayer wiring board using Cu paste, the insulation paste and Cu paste are further printed and dried.
中性雰囲気中での焼成をそれぞれ所望の回数繰り返し、
多層化するというものである。Repeat firing in a neutral atmosphere the desired number of times,
This means making it multi-layered.
しかしながら、上記のようなCuペーストを用いた場合
、セラミック配線基板の製造方法においていくつかの大
きな問題点がある。末ず第1に焼成工程において、Cu
を酸化させず、なおかつCuペースト中の有機成分を完
全に燃焼させるような酸素分圧に炉内を制御するという
ことが非常に困難であるということである。酸素分圧が
高ければ、Cu表面が酸化され、ハンダ付は性が悪くな
り、導電性の低下につながり、逆に酸素分圧が低過ぎれ
ば、Cuメタライズの良好な接着が得られないばかりか
、Cuペースト中に含まれる有機成分の使用に困難が生
しる。つまり、ペーストのビヒクルに用いられる有機バ
インダ等が、完全に燃焼し除去されないということであ
る。特にCuの融点以下の温度においては、有機バイン
ダは分解しないといわれている。However, when using the above-mentioned Cu paste, there are several major problems in the method of manufacturing a ceramic wiring board. First of all, in the firing process, Cu
It is extremely difficult to control the oxygen partial pressure in the furnace to such a level that the organic components in the Cu paste are completely combusted without oxidizing the Cu paste. If the oxygen partial pressure is too high, the Cu surface will be oxidized, resulting in poor soldering properties and reduced conductivity.On the other hand, if the oxygen partial pressure is too low, good adhesion of Cu metallization may not be obtained. , difficulties arise in using the organic components contained in the Cu paste. This means that the organic binder used in the paste vehicle is not completely burned off and removed. It is said that the organic binder does not decompose especially at temperatures below the melting point of Cu.
(文献者 たとえば特開昭55−128+399号公報
)
また、金属Cuを用いた場合、たとえ脱バインダの工程
と、Cu焼付けの工程を分けたとしても、金属Cuが脱
バインダの工程で酸化され、CuOとなり体積膨張を起
こすため、基板からの剥離等の問題を生ずる。第2に、
多I―にする場合、印刷。(Reference person, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-128+399) Furthermore, when metal Cu is used, even if the binder removal process and the Cu baking process are separated, the metal Cu will be oxidized in the binder removal process. Since it becomes CuO and causes volumetric expansion, problems such as peeling from the substrate occur. Second,
If you want to make multiple I-, print.
乾燥後、その都度焼成を行なうのでリードタイムが長く
なる、さらには設備などのコストアップにつながるとい
う問題を有している。そこで、特願昭59−14783
3号公報において、酸化銅ペーストを用い、絶縁ペース
トと導体ペーストの印−11を繰り返し行ない多層化し
、炭素に対して充分な酸化雰囲気で、かつ内部の有機成
分を熱分解させるに充分な温度で熱処理を行ない、しか
る後、Cuに対して非酸化性となる雰囲気とし、印刷さ
れた酸化銅が金属Cuに還元され、焼結することを特徴
とするセラミック多層配線基板の製造方法について、す
でに開示されている。この方法によって、焼成時の雰囲
気制御が容易になり、同時焼成が可能となった。さらに
、焼成後の絶縁層は非常に緻密で、優れた絶縁特性を有
するものであった。一方、酸化銅ペーストについては、
特開昭61−183807号公報において、アルミナ焼
結基板との接着性も良好な、CuOにBi2O3゜Cd
O,MnO□、Aff203等を添加した酸化銅ペース
トを提案した。Since firing is performed each time after drying, there are problems in that the lead time becomes long and furthermore, the cost of equipment and the like increases. Therefore, patent application No. 59-14783
In Publication No. 3, a copper oxide paste is used, and the insulating paste and the conductor paste are repeated in the step 11 to form a multilayer structure, and the process is carried out in an oxidizing atmosphere sufficient for carbon and at a temperature sufficient to thermally decompose the organic components inside. A method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board has already been disclosed, which is characterized in that heat treatment is performed, and then the atmosphere is made non-oxidizing to Cu, and the printed copper oxide is reduced to metal Cu and sintered. has been done. This method makes it easier to control the atmosphere during firing and allows simultaneous firing. Furthermore, the insulating layer after firing was very dense and had excellent insulating properties. On the other hand, for copper oxide paste,
In JP-A No. 61-183807, Bi2O3°Cd is added to CuO, which has good adhesion to an alumina sintered substrate.
We proposed a copper oxide paste containing O, MnO□, Aff203, etc.
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような酸化銅ペーストを用い銅多層
セラミック配線基板を作製した場合問題点がある。それ
は、上記の酸化銅ペーストを用いた場合の銅多層セラミ
ック配線基板の製造方法である。製造には、脱パインダ
ニ程、還元工程、焼成工程が存在するが、特に焼成工程
の温度が1000℃と高く、また昇降温速度が300℃
/時間とゆっくりしているためにリードタイムが長くな
るという問題がある。これは、絶縁層材料として硼珪酸
ガラス−アルミナ系を用いるためである。そのため、銅
多層セラミック配線基板作製のより低温、短時間化を実
現するために、特願昭−9′
61−74739号において、酸化鉛を含むガラスを主
成分とする絶縁ペースト組成物を提案した。Problems to be Solved by the Invention However, there are problems when producing a copper multilayer ceramic wiring board using the copper oxide paste as described above. This is a method for manufacturing a copper multilayer ceramic wiring board using the above copper oxide paste. The manufacturing process includes a depine removal process, a reduction process, and a firing process, but the temperature of the firing process is particularly high at 1000°C, and the temperature rise/decrease rate is 300°C.
/There is a problem in that the lead time becomes long because the time is slow. This is because borosilicate glass-alumina is used as the insulating layer material. Therefore, in order to realize a lower temperature and shorter time for manufacturing copper multilayer ceramic wiring boards, an insulating paste composition mainly composed of glass containing lead oxide was proposed in Japanese Patent Application No. 1999-61-74739. .
しかしながら上記の絶縁ペースト組成物に対して、酸化
銅ペーストとして、CuOにB ! 203゜CdO,
MnO2、Afi、08等を添加したものを用いた場合
、メタライズ性に問題があり、絶縁層と導体層の間で良
好な接着性が得られなかった。However, for the above insulation paste composition, as a copper oxide paste, CuO contains B! 203°CdO,
When using a material to which MnO2, Afi, 08, etc. were added, there was a problem in metallization, and good adhesion was not obtained between the insulating layer and the conductor layer.
さらに、96%A#208上においても、焼成時間を短
縮した場合には、充分な接着強度を得ることができなか
った。Furthermore, even on 96% A#208, sufficient adhesive strength could not be obtained when the firing time was shortened.
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明のメタライズ組成物
においては、酸化銅粉末にCu A l 204を添加
物として加えた無機成分に、少なくとも有機バインダと
有機溶剤とを含む有機ビヒクルを加え、混練して適度な
粘度に調製したものである。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, in the metallizing composition of the present invention, at least an organic binder and an organic solvent are added to the inorganic component, which is copper oxide powder with Cu Al 204 added as an additive. It is prepared by adding an organic vehicle containing the ingredients and kneading it to an appropriate viscosity.
作用
本発明は上記したように、酸化銅ペーストであるという
ことで、あらかじめ熱処理を、有機バインダの除去のた
めに充分な酸化雰囲気中で行なう一
ことができる、そのために多N基板においても絶縁層が
残存炭素による悪影響をほとんど受けない。Function As described above, since the present invention is a copper oxide paste, heat treatment can be performed in advance in an oxidizing atmosphere sufficient to remove the organic binder. is hardly affected by residual carbon.
そしてまた、バインダ除去を酸化雰囲気中で行なうため
に、ペースト用の有機ビヒクル材料を広い範囲から選択
することができる0次にCuAl204はCuメタライ
ズ層の接着強度の向上に効果がある。Cu層と96Af
203基板や絶縁層の界面においては、CuAl20.
の層が形成され、この界面での生成物が接着強度を得る
ために大きな役割を演じている。そのCuAl20.を
CuOの添加物としてメタライズ組成物(酸化銅ペース
ト)の無機成分としてあらかじめ入れておくことによっ
て、少ない添加量で、接着に充分な効果があり、さらに
、銅多層基板作製にあたって、低温化、短時間化に非常
に効果があることがわかった。Further, since the binder is removed in an oxidizing atmosphere, the organic vehicle material for the paste can be selected from a wide range. Zero-order CuAl204 is effective in improving the adhesive strength of the Cu metallized layer. Cu layer and 96Af
At the interface between the 203 substrate and the insulating layer, CuAl20.
layer is formed, and the products at this interface play a major role in obtaining adhesive strength. The CuAl20. By pre-adding CuO as an inorganic component to the metallization composition (copper oxide paste), a small amount of addition can have a sufficient effect on adhesion. It was found to be very effective in time management.
実施例
以下本発明の一実施例を図面を参照しながら詳細に説明
する。EXAMPLE Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
まず本発明に係るセラミック基板材料には1インチ×2
インチ、厚さl is tのアルミナ96%の焼結済基
板を用いた。そして、メタライズ組成物としては、Cu
O粉を主成分とし、第1表に示すように、添加物として
Cu A 120 aを用いた無機成分粉体に、有機バ
インダであるエチルセルロースをターピネオールにン容
かしたビヒクルを加えたものを3段ロールにより適度な
粘度になるよう混練し、CuOペーストとしたものを用
いた。このようにして調製したペーストを用いセラミッ
ク配線基板を作製し、接着強度、ハンダ付は性について
評価した。評価用のテストピースは第1図に示すような
断面を有している。ta+は導体層をアルミナ基板上に
形成した場合であり、(blは絶縁層上に導体層を形成
した場合である。First, the ceramic substrate material according to the present invention has 1 inch x 2
A sintered substrate made of 96% alumina and having a thickness of l ist was used. As the metallizing composition, Cu
As shown in Table 1, an inorganic component powder containing O powder as the main component and Cu A 120 a as an additive was added with a vehicle containing ethyl cellulose as an organic binder in terpineol. A CuO paste was used by kneading it with corrugated rolls to a suitable viscosity. Ceramic wiring boards were prepared using the paste thus prepared, and adhesive strength and solderability were evaluated. The test piece for evaluation has a cross section as shown in FIG. ta+ is the case where the conductor layer is formed on the alumina substrate, and (bl is the case where the conductor layer is formed on the insulating layer).
(以下余白)
第1表
ここでCuAl20.の調製であるが、これはCuOと
Al2O3の等モル混合物を酸素雰囲気中800℃〜9
00℃で3時間熱処理したものをメノウの乳鉢で粉砕し
たものである。(Margins below) Table 1 Here CuAl20. This is the preparation of an equimolar mixture of CuO and Al2O3 at 800°C to 90°C in an oxygen atmosphere.
It was heat treated at 00°C for 3 hours and ground in an agate mortar.
次に、本実施例において使用した絶縁ペーストであるが
、これは、第2表に示す組成のガラス粉末とセラミック
粉末を重量比で1対1に混合した無機粉末に、有機バイ
ンダであるエチルセルロースをターピネオールに溶かし
たビヒクルを加えたものを3段ロールにより適度な粘度
になるように混練したものを用いた。Next, the insulation paste used in this example is an inorganic powder made by mixing glass powder and ceramic powder in a 1:1 weight ratio with the composition shown in Table 2, and ethyl cellulose as an organic binder. A mixture of terpineol and a dissolved vehicle was used, which was kneaded using three-stage rolls to obtain an appropriate viscosity.
(以下余白)
次にテストピースfat、 (blの作製方法について
示す。まず、テストピース(alはアルミナ基板上に、
酸化銅ペーストを250メソシュ乳剤厚5μmのスクリ
ーンで印刷、乾燥(120℃で10分間)して導体パタ
ーンを形成した。テストピース(blの場合は、アルミ
ナ基板上に、絶縁ペーストを200メツシュ乳剤厚10
μmのスクリーンを用いて、はぼ全面に印刷、乾燥(1
20℃で10分間)の後、絶縁層上に、酸化銅ペースト
をfatの場合と同じ条件で印刷、乾燥し、導体パター
ンを形成した。(Left below) Next, we will explain how to make the test pieces fat and (bl.) First, the test piece (al) is made of
A conductor pattern was formed by printing a copper oxide paste using a 250 mesh emulsion screen with a thickness of 5 μm and drying (at 120° C. for 10 minutes). Test piece (for BL, apply insulation paste on an alumina substrate with a 200 mesh emulsion thickness of 10
Using a μm screen, print on the entire surface and dry (1
After that (at 20° C. for 10 minutes), copper oxide paste was printed on the insulating layer under the same conditions as in the case of fat, and dried to form a conductor pattern.
次に、これら、fat、 fblの2種類の構成からな
るテストピースの未焼結体を用いて脱バインダを行なう
0本実施例に使用した絶縁層用ペーストに用いた第2表
のガラスの軟化点は650℃である。Next, the binder was removed using unsintered test pieces consisting of these two types of configurations, FAT and FBL. The point is 650°C.
したがって脱バインダの温度は軟化点以下の温度で実施
する必要がある。また、酸化銅ペーストおよび導体ペー
ストに使用した有機バインダは、エチルセルロースであ
るので、空気中の熱処理で短時間(約100分)で分解
させるためには約600℃以上の温度が望まれる。した
がって600℃で脱バインダを行なった。なお、軟化点
以上の温度での脱バインダでは、内部の酸化第2銅がそ
のまま密閉されるため後の還元工程で銅に還元できなく
なるおそれがあるためである。また、エチルセルロース
の分解除去は、空気中の熱処理によって分解されずに残
るカーボンを分析することによって調べた。その結果5
00℃では約150ppmのカーボンが、550℃では
80ppmのカーボンが、600℃では数toppmで
あり、充分な分解除去ができたことを示している0本税
パインダニ程の概略を第2図に示した。Therefore, it is necessary to remove the binder at a temperature below the softening point. Further, since the organic binder used in the copper oxide paste and the conductive paste is ethyl cellulose, a temperature of about 600° C. or higher is desired in order to decompose it in a short time (about 100 minutes) by heat treatment in the air. Therefore, the binder was removed at 600°C. This is because if the binder is removed at a temperature higher than the softening point, the cupric oxide inside is sealed as it is, so there is a risk that it will not be able to be reduced to copper in the subsequent reduction step. In addition, the decomposition and removal of ethylcellulose was investigated by analyzing carbon that remained undecomposed by heat treatment in the air. Result 5
At 00°C, the amount of carbon was approximately 150 ppm, at 550°C, it was 80 ppm, and at 600°C, it was a few top ppm, indicating that sufficient decomposition and removal was possible.Figure 2 shows a schematic diagram of 0-pine mites. Ta.
次に還元工程のプロファイルを第3図に示す。Next, the profile of the reduction process is shown in FIG.
まず120mmφの管状炉内に前記の脱バインダ済の未
焼結体を挿入し、窒素ガスを0.76/分、水素ガスを
0.117分の流量で炉芯管内に流入させた。還元は4
00℃で2時間保持し、冷却後、取出した。CuOの金
属Cuへの還元はH2ガス中では約250℃で起こると
言われているが、300℃程度の温度で還元した場合、
導体層の内部にCuOと思われる黒色の部分が存在する
。また一方、600℃程度の温度以上で還元した場合、
絶縁層が灰色になる。これは絶縁層中の酸化鉛が還元さ
れたことによるものである。よって、本実施例の還元温
度は400℃とした。First, the debinding unsintered body was inserted into a 120 mm diameter tube furnace, and nitrogen gas was flowed into the furnace core tube at a flow rate of 0.76/min and hydrogen gas was flowed into the furnace core tube at a flow rate of 0.117 min. Reduction is 4
It was held at 00°C for 2 hours, and after cooling, it was taken out. It is said that the reduction of CuO to metal Cu occurs at about 250°C in H2 gas, but when reduced at a temperature of about 300°C,
There is a black part believed to be CuO inside the conductor layer. On the other hand, when reduced at a temperature of about 600°C or higher,
The insulation layer turns gray. This is due to reduction of lead oxide in the insulating layer. Therefore, the reduction temperature in this example was set to 400°C.
次に焼成工程である。炉はBTUエンジニアリング社の
メソシェベルト炉(200tsベルト幅)を使用し、雰
囲気は純窒素で行なった。この時内部の残存o2量を0
□濃度計にて計測したところ1〜21)I)mであった
。焼成工程の温度プロファイルを第4図に示した。Next is the firing process. The furnace used was a Mesoshevert furnace (200 ts belt width) manufactured by BTU Engineering, and the atmosphere was pure nitrogen. At this time, the amount of residual O2 inside is reduced to 0.
□ Measured with a densitometer, it was 1-21)I)m. The temperature profile of the firing process is shown in FIG.
以上のように作製したテストピースを用いて、導体層の
接着強度および半田付は性を評価した。Using the test piece prepared as described above, the adhesive strength and solderability of the conductor layer were evaluated.
半田付は性については、ハンダディップ槽にディップし
、その濡れ性を定性的に判断したもので、優、良が実用
可能な範囲である。一方、接着強度については、211
角パターンに、線中0.8mmφのリード線を基板に垂
直にハンダ付けし、引張り試験機でその破壊強度を測定
した。なおハンダは、62%Sn、 36%Pb、2
%Agのものを使用した。Regarding soldering properties, the wettability was qualitatively judged by dipping the product in a solder dip bath, and rated as excellent or good, which is within the practical range. On the other hand, the adhesive strength is 211
A lead wire with a diameter of 0.8 mm was soldered perpendicularly to the board in a square pattern, and its breaking strength was measured using a tensile tester. The solder is 62% Sn, 36% Pb, 2
%Ag was used.
以上のようにして測定した結果を第3表にまとめた。表
より明らかなように、CuO100%では、アルミナ基
板上においても、絶縁層上においても、接着強度はほと
んど得られないが、cuA120.をQ、5wt%加え
るだけで接着強度は急激に増加している。そして接着強
度についてはCuAl204の添加量が5wt%の時に
最大値をとり、その後は添加量20wt%程度まで少し
ずつ弱くなるものの、充分な接着強度を有していた。ま
たハンダ付は性については、これもCu A jl 2
0□の添加量が5wt%までは非常に良く、l 5wt
%までは、実用可能範囲であった。The results measured as described above are summarized in Table 3. As is clear from the table, with 100% CuO, almost no adhesive strength can be obtained on either the alumina substrate or the insulating layer, but with 100% CuO. The adhesive strength increases rapidly just by adding 5 wt% of Q. The adhesive strength reached its maximum value when the amount of CuAl204 added was 5 wt%, and although it gradually weakened thereafter until the amount added was about 20 wt%, it had sufficient adhesive strength. Regarding soldering, this is also Cu A jl 2
It is very good when the addition amount of 0□ is up to 5wt%, and l 5wt
% was within the practical range.
しかしながら2Qwt%の添加においては、ハンダ付は
性に不安がある。However, with addition of 2Qwt%, there is concern about soldering performance.
以上の結果より、CuAl2 o、の添加量の許容範囲
は、0.5〜l 5wt%であり、最適な添加量は約5
wt%である。From the above results, the allowable range for the amount of CuAl2O added is 0.5 to 5wt%, and the optimal amount is approximately 5wt%.
It is wt%.
(以下余白)
第3表
次に本発明のメタライズ組成物が低温、短時間焼成の銅
条層基板用の導体層として非常にすぐれているというこ
とを示すために、CuOにAJ20゜を添加して作製し
た酸化銅ペーストを用いて前記の測定を行なった。その
結果を第4表に示した。(Margins below) Table 3 Next, in order to show that the metallizing composition of the present invention is very excellent as a conductive layer for a copper strip layer board fired at low temperature and in a short time, 20° of AJ was added to CuO. The above measurements were performed using a copper oxide paste prepared by The results are shown in Table 4.
第4表
この表よりも明らかなように、低温、短時間化の焼成条
件のもとではAn208は添加物としてあまり有効では
なく、CuAl204が添加物として非常に有効である
ことがわかる。Table 4 As is clear from this table, An208 is not very effective as an additive under the firing conditions of low temperature and short time, and CuAl204 is very effective as an additive.
発明の効果
以上述べたように、本発明のメタライズ組成物は、銅条
層基板の製造工程をより低温化、短時間化した場合の導
体層材料として非常に有効であるといえる。また、本発
明のメタライズ組成物を用いて作製した、銅条層セラミ
ック基板は、Cuの持つ導体抵抗の低さ、ハンダ付は性
の良さ、耐マイグレーション性の良さ、低コストの利点
を充分に発揮できるものであり、工業上極めて効果的な
発明である。Effects of the Invention As described above, the metallizing composition of the present invention can be said to be very effective as a conductor layer material when the manufacturing process of a copper strip layer board is lowered in temperature and shortened in time. In addition, the copper strip layer ceramic substrate produced using the metallized composition of the present invention fully takes advantage of Cu's low conductor resistance, good solderability, good migration resistance, and low cost. This is an industrially extremely effective invention.
第1図は、本発明のメタライズ組成物を用いて作製され
たテストピースの断面図、第2図は、本発明の製造法の
脱パインダニ程の温度プロファイルを示す特性図、第3
図は、還元工程の温度プロファイルを示す特性図、第4
図は、同じく焼成工程の温度プロファイルを示す特性図
である。
1・・・・・・銅メタライズ層、2・・・・・・鉛ガラ
スを含む絶縁層、3・・・・・・アルミナ焼結基板。
代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名第1図
1−一一含夙スタライグ、@
(()−) s 、、、、宙沈
1練第2図
弔3図
紐間(分λ
第4図
蒔 関 (BりFIG. 1 is a cross-sectional view of a test piece produced using the metallizing composition of the present invention, FIG. 2 is a characteristic diagram showing the temperature profile of depine mites in the production method of the present invention, and FIG.
The figure is a characteristic diagram showing the temperature profile of the reduction process.
The figure is also a characteristic diagram showing the temperature profile of the firing process. 1... Copper metallized layer, 2... Insulating layer containing lead glass, 3... Alumina sintered substrate. Name of agent Patent attorney Toshio Nakao 1 name Figure 1 1-11 Including 夙STARRAIG, @ (()-) s... 4 diagram maki Seki (Bri)
Claims (1)
0.5〜15重量%からなる無機成分と少なくとも有機
バインダーと有機溶剤とを含む有機成分により構成され
ていることを特徴とするメタライズ組成物。Copper oxide powder 85-99.5% by weight and CuAl_2O_4
A metallizing composition comprising an inorganic component of 0.5 to 15% by weight and an organic component containing at least an organic binder and an organic solvent.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12627487A JPS63291304A (en) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | Metallized constituent |
US07/194,967 US4906405A (en) | 1987-05-19 | 1988-05-17 | Conductor composition and method of manufacturing a multilayered ceramic body using the composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12627487A JPS63291304A (en) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | Metallized constituent |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63291304A true JPS63291304A (en) | 1988-11-29 |
Family
ID=14931144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12627487A Pending JPS63291304A (en) | 1987-05-19 | 1987-05-22 | Metallized constituent |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63291304A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05198698A (en) * | 1991-09-10 | 1993-08-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Copper-base sintering paste and multilayer ceramic-package |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59156981A (en) * | 1983-02-23 | 1984-09-06 | 工業技術院長 | Ceramic metallization |
JPS60178687A (en) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | 株式会社東芝 | High thermal conductivity circuit board |
JPS61183807A (en) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | 松下電器産業株式会社 | Metalized composition |
-
1987
- 1987-05-22 JP JP12627487A patent/JPS63291304A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS59156981A (en) * | 1983-02-23 | 1984-09-06 | 工業技術院長 | Ceramic metallization |
JPS60178687A (en) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | 株式会社東芝 | High thermal conductivity circuit board |
JPS61183807A (en) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | 松下電器産業株式会社 | Metalized composition |
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