JPS6327162A - Output controller for semiconductor laser array - Google Patents

Output controller for semiconductor laser array

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JPS6327162A
JPS6327162A JP61171150A JP17115086A JPS6327162A JP S6327162 A JPS6327162 A JP S6327162A JP 61171150 A JP61171150 A JP 61171150A JP 17115086 A JP17115086 A JP 17115086A JP S6327162 A JPS6327162 A JP S6327162A
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JP
Japan
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semiconductor laser
output
comparator
lasers
counter
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Application number
JP61171150A
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Japanese (ja)
Inventor
Isamu Shibata
柴田 勇
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To simplify circuit constitution, to reduce cost, and to make the adjustments of respective semiconductor laser outputs common with each other and simple by using a common comparator and a common counter, etc. for output controls for the semiconductor lasers. CONSTITUTION:Semiconductor laser driving circuits 8a and 8b output currents respectively proportionate to the output signals of D/A converters 16a and 16b for the plural semiconductor lasers 1a and 1b constituting a semiconductor laser array. The beam outputs of the lasers 1a and 1b are detected by a detector 9, undergo an amplifier 11, and compared with a reference signal voltage Vref by the comparator 12. This means that the beam outputs of the lasers 1a and 1b are controlled to be equal to the reference value time sequence by the circuits 8a and 8b. In this case, the photodetector 9, the amplifier 11, comparator 12, and the counter 13 are mommonly used for the output control, also, since the interval between the lasers 1a and 1b is short, variance due to positional shifting hardly occurrs. Therefore, only one reference value is necessary. As a result, the circuit constitution can be made simple, the cost is reduced, as well as the output adjustment can be simplified.

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明はレーザプリンタ等に用いられる半導体レーザア
レイの出力制御装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field) The present invention relates to an output control device for a semiconductor laser array used in a laser printer or the like.

(従来技術) 半導体レーザの出力強度は温度に対して非常に不安定で
ある為、半導体レーザの周囲温度が変化する環境下では
半導体レーザ出力制御装置等により半導体レーザの出力
強度を安定化させる必要がある。半導体レーザ出力制御
装置にはカウンタを用いる方式があり、第3図はその方
式の一例を採用したレーザプリンタの一例を示す。
(Prior art) Since the output intensity of a semiconductor laser is extremely unstable with respect to temperature, it is necessary to stabilize the output intensity of the semiconductor laser using a semiconductor laser output control device, etc. in an environment where the ambient temperature of the semiconductor laser changes. There is. There is a type of semiconductor laser output control device that uses a counter, and FIG. 3 shows an example of a laser printer that employs one example of this type of type.

半導体レーザ1より発生したレーザビームはコリメータ
レンズ2によりコリメートされて回転多面鏡よりなる光
走査装置3で偏向され、fθレンズ4により感光体ドラ
ム5の帯電された表面に結像されてその結像スポットが
回転多面鏡3の回転で矢印方向に反復して移動すると同
時に感光体ドラム5が回転する。光検出器6は情報書込
領域外に設けられ、回転多面鏡3で偏向されたレーザビ
ームを検出して同期信号を発生する。信号処理回路7は
情報信号を半導体レーザ駆動回路8に印加するが、その
タイミングを光検出器6からの同期信号により制御する
。半導体レーザ駆動回路8は信号処理回路7からの情報
信号に応じて半導体レーザ1を駆動し、したがって情報
信号で変調されたレーザビームが感光体ドラム5に照射
されて静電潜像が形成される。この静電潜像は現像器で
現像されて転写器で紙等に転写される。また半導体レー
ザ1から後方に出射されるレーザビームは光検出回路9
に入射してその光強度が検出され、制御回路lOが光検
出器9の出力信号に応じて半導体レーザ駆動回路8を制
御して半導体レーザ1の出力光量を一定に制御する。
A laser beam generated by a semiconductor laser 1 is collimated by a collimator lens 2, deflected by an optical scanning device 3 consisting of a rotating polygon mirror, and is imaged by an fθ lens 4 on the charged surface of a photoreceptor drum 5. As the spot moves repeatedly in the direction of the arrow by the rotation of the rotating polygon mirror 3, the photosensitive drum 5 rotates at the same time. A photodetector 6 is provided outside the information writing area, and detects the laser beam deflected by the rotating polygon mirror 3 to generate a synchronization signal. The signal processing circuit 7 applies an information signal to the semiconductor laser drive circuit 8, and its timing is controlled by a synchronization signal from the photodetector 6. The semiconductor laser drive circuit 8 drives the semiconductor laser 1 according to the information signal from the signal processing circuit 7, and therefore the laser beam modulated by the information signal is irradiated onto the photoreceptor drum 5 to form an electrostatic latent image. . This electrostatic latent image is developed by a developing device and transferred onto paper or the like by a transfer device. Further, the laser beam emitted backward from the semiconductor laser 1 is transmitted to a photodetector circuit 9.
The light intensity is detected by the control circuit 10, which controls the semiconductor laser drive circuit 8 in accordance with the output signal from the photodetector 9 to keep the output light amount of the semiconductor laser 1 constant.

第4図は上記半導体レーザ駆動回路8及び制御回路10
を詳細に示す。
FIG. 4 shows the semiconductor laser drive circuit 8 and the control circuit 10.
is shown in detail.

半導体レーザ1から後方に出射されたレーザビームはフ
ォトダイオードよりなる光検出器9に入射し、フォトダ
イオード9はそのレーザビームの強度に比例した電流を
出力する。この電流は増幅器11により電圧に変換され
、比較器12で基S!雷電圧refと比較される。比較
器12の出力電圧は比較器12の両入力電圧の大小関係
により高レベル又は低レベルとなりアップダウンカウン
タ13のカウントモードを制御する。例えば半導体レー
ザ1からのレーザビームの強度が基準値より弱い時には
比較器12の出力が低レベルになり、アンプダウンカウ
ンタ13はアップカウンタとして動作する状態となる。
A laser beam emitted backward from the semiconductor laser 1 is incident on a photodetector 9 made of a photodiode, and the photodiode 9 outputs a current proportional to the intensity of the laser beam. This current is converted into a voltage by an amplifier 11, and a comparator 12 converts the current to the voltage S! It is compared with the lightning voltage ref. The output voltage of the comparator 12 becomes a high level or a low level depending on the magnitude relationship between both input voltages of the comparator 12, and controls the counting mode of the up/down counter 13. For example, when the intensity of the laser beam from the semiconductor laser 1 is weaker than the reference value, the output of the comparator 12 becomes a low level, and the amplifier down counter 13 enters a state in which it operates as an up counter.

タイミング信号T1によりエツジ検出回路14がアップ
ダウンカウンタ13ヘイネーブル信号を加えると、アッ
プダウンカウンタ13は発振器15からのクロック信号
をアップカウントしてそのカウント値が増加して行く。
When the edge detection circuit 14 applies an enable signal to the up-down counter 13 in response to the timing signal T1, the up-down counter 13 up-counts the clock signal from the oscillator 15, and its count value increases.

このアップダウンカウンタ13のカウント出力はデジタ
ル/アナログ変換器16でアナログ量に変換されて半導
体レーザ駆動回路8に入力される。半導体レーザ駆動回
路8は信号処理回路7からの情報信号により半導体レー
ザ1を駆動するが、その駆動電流をデジタル/アナログ
変換器16の出力に応じて変化させる。したがって7ツ
プダウンカウンタ13のカウント値が徐々に増加するこ
とにより半導体レーザ1からのレーザビームの強度が徐
々に増加し、増幅器11の出力を増加する。そして比較
器12の出力が低レベルから高レベルに反転すると、エ
ツジ検出回路14が比較器12の出力の立上りエツジを
検出してアップダウンカウンタ13へのイネーブル信号
をオフする。よってアップダウンカウンタ13はディス
エーブル状態になってそのカウント値を保持し、従って
半導体レーザ1の駆動電流の大きさがそのまま保持され
る。次にタイミング信号T工によりエツジ検出回路14
がアップダウンカウンタ13のディスエーブル状態を解
除すると、比較器12の出力が高レベルであれば(半導
体レーザの出力強度が強ければ)アップダウンカウンタ
13はダウンカウンタとして動作し発振器15からのク
ロック信号をダウンカウントしてそのカウント値が減少
して行く。よってデジタル/アナログ変換器16の出力
が減少して半導体レーザ1の駆動電流が減少し、増幅器
11の出力が減少する。そして増幅器11の出力が基準
電圧Vrefより小さくなって比較器12の出力が高レ
ベルから低レベルに反転すると、エツジ検出回路14は
比較器12の出力の立下りエツジを検出してアップダウ
ンカウンタ13をディスエーブル状態にする。
The count output of the up/down counter 13 is converted into an analog quantity by a digital/analog converter 16 and input to the semiconductor laser drive circuit 8. The semiconductor laser drive circuit 8 drives the semiconductor laser 1 based on the information signal from the signal processing circuit 7, and changes its drive current in accordance with the output of the digital/analog converter 16. Therefore, as the count value of the 7-up down counter 13 gradually increases, the intensity of the laser beam from the semiconductor laser 1 gradually increases, and the output of the amplifier 11 increases. When the output of the comparator 12 is inverted from low level to high level, the edge detection circuit 14 detects the rising edge of the output of the comparator 12 and turns off the enable signal to the up/down counter 13. Therefore, the up/down counter 13 becomes disabled and holds its count value, so that the magnitude of the driving current of the semiconductor laser 1 is maintained as it is. Next, the edge detection circuit 14 is activated by the timing signal T.
When the disable state of the up/down counter 13 is released, if the output of the comparator 12 is at a high level (if the output intensity of the semiconductor laser is strong), the up/down counter 13 operates as a down counter and receives the clock signal from the oscillator 15. is counted down and the count value decreases. Therefore, the output of the digital/analog converter 16 decreases, the drive current of the semiconductor laser 1 decreases, and the output of the amplifier 11 decreases. Then, when the output of the amplifier 11 becomes smaller than the reference voltage Vref and the output of the comparator 12 is inverted from high level to low level, the edge detection circuit 14 detects the falling edge of the output of the comparator 12 and inverts the up/down counter 13. Disable.

したがってアップダウンカウンタ13がカラントイ直を
保持することになり、半導体レーザ1の駆動電流の大き
さがそのまま保持される。ここにエツジ検出回路14は
タイミング信号T□によりアップダウンカウンタ13の
ディスエーブル状態を解除して比較器12の出力が低レ
ベルから高レベルに反転した時にのみアップダウンカウ
ンタ13をディスエーブル状態にするように構成してお
けば比較12の出力が低レベルでタイミング信号T工に
よりアンプダウンカウンタ13のディスエーブル状態が
解除されている時に比較器12の出力が低レベルから高
レベルに反転すると、アップダウンカウンタ13はディ
スエーブル状態になってカウント値を保持する。
Therefore, the up/down counter 13 maintains the current value, and the magnitude of the driving current of the semiconductor laser 1 is maintained as it is. Here, the edge detection circuit 14 releases the disabled state of the up/down counter 13 using the timing signal T□, and disables the up/down counter 13 only when the output of the comparator 12 is inverted from a low level to a high level. With this configuration, when the output of the comparator 12 is at a low level and the disable state of the amplifier down counter 13 is released by the timing signal T, when the output of the comparator 12 is reversed from low level to high level, the up The down counter 13 becomes disabled and holds the count value.

比較器12の出力が高レベルでタイミング信号T□によ
りアップカウンタ13のディスエーブル状態が解除され
ている時に比較器12の出力が高レベルから低レベルに
なると、アンプダウンカウンタ13はディスエーブル状
態が解除されたまま比較器12の出力によりアップカウ
ンタとして動作することになる。そして半導体レーザ1
のg動電流が増加し比較器12の出力が低レベルから高
レベルレニ反転すると、エツジ検出回路14がその立上
りエツジを検出してアップダウンカウンタ13をディス
エーブル状態にしそのカウント値を保持させる。上記タ
イミング信号T工はフレーム同期信号の立上りエツジを
検出して作ったプリントエンド信号が用いられ、フレー
ム記録終了毎に半導体レーザ1の駆動電流が調整される
When the output of the comparator 12 is at a high level and the disable state of the up counter 13 is released by the timing signal T□, when the output of the comparator 12 changes from high level to low level, the amplifier down counter 13 is disabled. With the output of the comparator 12 remaining released, it operates as an up-counter. and semiconductor laser 1
When the g dynamic current increases and the output of the comparator 12 is inverted from a low level to a high level, the edge detection circuit 14 detects the rising edge and disables the up/down counter 13 to hold the count value. The print end signal generated by detecting the rising edge of the frame synchronization signal is used as the timing signal T, and the drive current of the semiconductor laser 1 is adjusted every time frame recording is completed.

また上記レーザプリンタにおいて半導体レーザ1の代り
に半導体レーザアレイを用い、この半導体レーザアレイ
を構成する各半導体レーザについて第4図の半導体レー
ザ出力制御装置を設ける方式が考えられている。
Further, a system has been considered in which a semiconductor laser array is used in place of the semiconductor laser 1 in the laser printer, and a semiconductor laser output control device as shown in FIG. 4 is provided for each semiconductor laser constituting the semiconductor laser array.

しかしこの方式では各半導体レーザ毎に半導体レーザ出
力制御装置を設けるので、回路構成が複雑になって高価
になり、各半導体レーザの光出力を別々に調整しなけれ
ばならなくて面倒である。
However, in this method, since a semiconductor laser output control device is provided for each semiconductor laser, the circuit configuration becomes complicated and expensive, and the optical output of each semiconductor laser must be adjusted separately, which is troublesome.

(目   的) 本発明は上記欠点を改善し、回路構成の簡単化及び低コ
スト化と半導体レーザ光出力の調整簡単化を計ることが
できる半導体レーザアレイ出力制御装置を提供すること
を目的とする。
(Objective) It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser array output control device that can improve the above-mentioned drawbacks, simplify the circuit configuration, reduce costs, and simplify the adjustment of semiconductor laser light output. .

(横  成) 本発明は半導体レーザアレイの光出力を検出する光検出
手段と、この光検出手段の出力信号を基準信号と比較す
る比較器と、この比較器の出力信号により制御されるカ
ウンタと、このカウンタの出力がそれぞれ入力される複
数のラッチ回路と、この複数のラッチ回路の各出力信号
をそれぞれアナログ量に変換する複数のデジタル/アナ
ログ変換器と、この複数のデジタル/アナログ変換器の
各出力信号に比例した電流をそれぞれ上記半導体レーザ
アレイの各半導体レーザに流す複数の半導体レーザ駆動
回路と、制御手段とを有し、この制御手段が上記半導体
レーザを上記比較器の面入力信号の差が常に零になるよ
うに時間順次で点灯させる。
(Yokonari) The present invention comprises a photodetector for detecting the optical output of a semiconductor laser array, a comparator for comparing the output signal of the photodetector with a reference signal, and a counter controlled by the output signal of the comparator. , a plurality of latch circuits into which the outputs of the counters are respectively input, a plurality of digital/analog converters that convert each output signal of the plurality of latch circuits into analog quantities, and a plurality of digital/analog converters. It has a plurality of semiconductor laser driving circuits that respectively flow a current proportional to each output signal to each semiconductor laser of the semiconductor laser array, and a control means, and the control means controls the semiconductor laser according to the surface input signal of the comparator. The lights are turned on in time order so that the difference is always zero.

以下図面を参照しながら本発明の実施例について説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例を示す。この実施例は前述の
レーザプリンタにおいて半導体レーザアレイを構成する
複数の半導体レーザla、lbについて出力制御用の光
検出器9、増幅器11、比較器12、カウンタ13を共
通化したものである。
FIG. 1 shows an embodiment of the invention. In this embodiment, a photodetector 9, an amplifier 11, a comparator 12, and a counter 13 for output control are made common to a plurality of semiconductor lasers la and lb constituting a semiconductor laser array in the laser printer described above.

今、半導体レーザ制御信号T工が入力されると。Now, when the semiconductor laser control signal T is input.

エツジ検出回路17がカウンタ13をクリアすると共に
ラッチ指令回路18にラッチ回路19aのラッチを解除
させてラッチ回路19bを保持モードにさせる。
The edge detection circuit 17 clears the counter 13, and at the same time causes the latch command circuit 18 to release the latch of the latch circuit 19a and put the latch circuit 19b into the holding mode.

そしてカウンタ13は比較器12の出力信号がエツジ検
出回路17を介してアップ/ダウン端子に入力されて比
較器12の出力信号に応じたカウントモードで発振器1
5からのクロック信号をアップカウント又はダウンカウ
ントし、そのカウント値がラッチ回路19aを通ってデ
ジタル/アナログ変換器16aによりアナログ量に変換
される。半導体レーザ駆動回路8aはデジタル/アナロ
グ変換器16aの出力信号に比例した電流を半導体レー
ザ1aに流し、半導体レーザ1aの光出力が光検出器9
で検出されて増幅器11を介して比較器12にて基準信
号電圧Vrefと比較される。よって半導体レーザ1a
の光出力は比較器12の両入力の差が零になるように制
御される。
The output signal of the comparator 12 is input to the up/down terminal of the counter 13 via the edge detection circuit 17, and the oscillator 1
The clock signal from 5 is counted up or down, and the count value is converted into an analog quantity by the digital/analog converter 16a through the latch circuit 19a. The semiconductor laser drive circuit 8a passes a current proportional to the output signal of the digital/analog converter 16a to the semiconductor laser 1a, and the optical output of the semiconductor laser 1a is detected by the photodetector 9.
It is detected by the comparator 12 via the amplifier 11 and compared with the reference signal voltage Vref. Therefore, the semiconductor laser 1a
The optical output of the comparator 12 is controlled so that the difference between the two inputs of the comparator 12 becomes zero.

エツジ検出回路17は比較器12の出力信号のエツジを
検出すると、ラッチ指令回路19にラッチ回路19aを
ラッチ状態にさせてカウンタ13の出力を保持させると
同時にラッチ回路19bのラッチを解除し、カウンタ1
3をクリアする。したがってカウンタ13は比較器12
の出力信号に応じたカウントモードで発振器15からの
クロック信号をカウントし、そのカウント値がラッチ回
路19bを通ってデジタル/アナログ変換器16bによ
りアナログ量に変換される。半導体レーザ駆動回路8b
はデジタル/アナログ変換器16bの出力信号に比例し
た電流を半導体レーザ1bに流し、半導体レーザ1bの
光出力が光検出器9で検出されて増幅器11を介して比
較器12に出力される。従って半導体レーザla、Ib
は半導体レーザ駆動回路8a 、 8bにより時間順次
で光出力が基準値に制御される。そしてエツジ検出回路
17は比較器12の出力信号のエツジを検出すると、ラ
ッチ指令回路18にラッチ回路19bをラッチ状態にさ
せてカウンタ13の出力を保持させる。これにより半導
体レーザ1a、1bの光出力制御が完了して半導体レー
ザ駆動回路8a、8bが変調信号による半導体レーザl
a、lbの変調を開始する。この時半導体レーザla、
lbにはラッチ回路19a、19bの出力信号に応じた
電流が流れる。なお半導体レーザla、1bの間隔は約
100μmと非常に狭いから半導体レーザアレイ後方に
配置された光検出器9は半導体レーザla 、 lbの
位置による入射光量のばらつきがほとんどなく、従って
基準値は一つで良く調整も簡単である。
When the edge detection circuit 17 detects an edge of the output signal of the comparator 12, it causes the latch command circuit 19 to put the latch circuit 19a into the latched state to hold the output of the counter 13, and at the same time releases the latch of the latch circuit 19b, so that the counter 1
Clear 3. Therefore, the counter 13 is the comparator 12
The clock signal from the oscillator 15 is counted in a count mode according to the output signal of the oscillator 15, and the count value is converted into an analog quantity by the digital/analog converter 16b through the latch circuit 19b. Semiconductor laser drive circuit 8b
A current proportional to the output signal of the digital/analog converter 16b flows through the semiconductor laser 1b, and the optical output of the semiconductor laser 1b is detected by the photodetector 9 and outputted to the comparator 12 via the amplifier 11. Therefore, the semiconductor laser la, Ib
The optical output is time-sequentially controlled to a reference value by semiconductor laser drive circuits 8a and 8b. When the edge detection circuit 17 detects an edge of the output signal of the comparator 12, the latch command circuit 18 causes the latch circuit 19b to be in a latched state to hold the output of the counter 13. This completes the optical output control of the semiconductor lasers 1a and 1b, and the semiconductor laser drive circuits 8a and 8b operate the semiconductor lasers 1a and 1b using modulation signals.
Start modulating a and lb. At this time, the semiconductor laser la,
A current flows through lb according to the output signals of the latch circuits 19a and 19b. Note that since the distance between the semiconductor lasers la and 1b is very narrow, approximately 100 μm, the photodetector 9 placed behind the semiconductor laser array has almost no variation in the amount of incident light depending on the position of the semiconductor lasers la and lb, and therefore the reference value is constant. Good and easy to adjust.

第2図は本発明の他の実施例を示す。FIG. 2 shows another embodiment of the invention.

この実施例は上記実施例においてカウンタ13のプリセ
ント値をマルチプレクサ2oにょリラノチ回路19a、
19bの出力から選択するようにしたものである。エツ
ジ検出回路17は半導体レーザ1aの光出力制御が完了
して比較器12の出力信号のエツジを検出すると、ラッ
チ指令回路18にラッチ回路19aを保持モードにさせ
てからマルチプレクサ20にランチ回路19bの出力を
選択させてカウンタ13に入力させカウンタ13にラッ
チ回路19bの出力をプリセットさせ、しかる後にラッ
チ指令回路18にランチ回路19bのラッチを解除させ
−C半心体レーザ1bの光出力制御を開始させる。また
エツジ検出回路17は半導体レーザ制御信号T工が入力
されると、ラッチ指令回路18にラッチ回路19bを保
持モートにさせてからマルチプレクサ2oにラッチ回路
19aの出力を選択させてカウンタ13にプリセントさ
せ、しかる後にラッチ指令回路18にラッチ回路19a
のラッチを解除させて半導体レーザ1aの光出力制御を
開始させる。このように半導体レーザla、lbの光出
力を制御する時に前回制御時のカウント値をラッチ回路
19a、19bからマルチプレクサ2oにより選択して
カウンタ13にプリセットすることにより、半導体レー
ザに光出力が基準値に近い状態の電流を流して光出力制
御を開始することができ、上記実施例の如く光出力制御
の開始時にカウンタ13をクリアするものに比べて高速
制御が可能となる。
In this embodiment, in the above embodiment, the precent value of the counter 13 is transferred to the multiplexer 2o and the circuit 19a.
The selection is made from the output of 19b. When the edge detection circuit 17 completes the optical output control of the semiconductor laser 1a and detects an edge of the output signal of the comparator 12, it causes the latch command circuit 18 to put the latch circuit 19a into the holding mode, and then sends the multiplexer 20 to the launch circuit 19b. The output is selected and inputted to the counter 13, and the counter 13 presets the output of the latch circuit 19b.Then, the latch command circuit 18 is made to release the latch of the launch circuit 19b, and the light output control of the -C semicentric laser 1b is started. let Further, when the edge detection circuit 17 receives the semiconductor laser control signal T, it causes the latch command circuit 18 to set the latch circuit 19b to the holding mode, and then causes the multiplexer 2o to select the output of the latch circuit 19a and pre-center the counter 13. , and then the latch command circuit 18 is connected to the latch circuit 19a.
The latch is released to start controlling the optical output of the semiconductor laser 1a. In this way, when controlling the optical output of the semiconductor lasers la and lb, by selecting the count value from the previous control from the latch circuits 19a and 19b using the multiplexer 2o and presetting it in the counter 13, the optical output of the semiconductor laser can be set to the reference value. The light output control can be started by flowing a current in a state close to that of the current state, and higher-speed control is possible compared to the case where the counter 13 is cleared at the start of the light output control as in the above embodiment.

なお半導体レーザアレイは上記実施例では2つの半導体
レーザで構成されているが、3つ以上の半導体レーザで
構成してもよい。
Although the semiconductor laser array is composed of two semiconductor lasers in the above embodiment, it may be composed of three or more semiconductor lasers.

(効  果) 以上のように本発明によれば各半導体レーザについて出
力制御用の比較器やカウンタ等を共通化したので、回路
構成の簡単化及び低コスト化を計ることができ、かつ各
半導体レーザ出力の調整を共通化して簡単にすることも
可能となる。
(Effects) As described above, according to the present invention, the comparators, counters, etc. for output control are made common to each semiconductor laser, so the circuit configuration can be simplified and the cost can be reduced. It also becomes possible to standardize and simplify the adjustment of laser output.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図及び第2図は本発明の各実施例を示すブロック図
、第3図はレーザプリンタの一例を示す図、第4図は同
レーザプリンタの一部を示すブロック図である。 la、lb・・・半導体レーザ、 8a、8b・・・半
導体レーザ駆動回路、9・・・光検出器、12・・・比
較器、13・・・カウンタ、16a、16b・・・デジ
タル/アナログ変換器、17・・・エツジ検出回路、1
8・・・ラッチ指令回路、19a 、 19b・・・ラ
ッチ回路。 処 δ 図 処4 図
1 and 2 are block diagrams showing each embodiment of the present invention, FIG. 3 is a diagram showing an example of a laser printer, and FIG. 4 is a block diagram showing a part of the laser printer. la, lb... Semiconductor laser, 8a, 8b... Semiconductor laser drive circuit, 9... Photodetector, 12... Comparator, 13... Counter, 16a, 16b... Digital/analog Converter, 17... Edge detection circuit, 1
8... Latch command circuit, 19a, 19b... Latch circuit. Location δ Figure 4 Figure

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 半導体レーザアレイの光出力を検出する光検出手段と、
この光検出手段の出力信号を基準信号と比較する比較器
と、この比較器の出力信号により制御されるカウンタと
、このカウンタの出力がそれぞれ入力される複数のラッ
チ回路と、この複数のラッチ回路の各出力信号をそれぞ
れアナログ量に変換する複数のデジタル/アナログ変換
器と、この複数のデジタル/アナログ変換器の各出力信
号に比例した電流をそれぞれ上記半導体レーザアレイの
各半導体レーザに流す複数の半導体レーザ駆動回路と、
上記比較器の両入力信号の差が常に零になるように上記
各半導体レーザを時間順次に点灯させる制御手段とを備
えた半導体レーザアレイ出力制御装置。
a light detection means for detecting the light output of the semiconductor laser array;
A comparator that compares the output signal of the photodetection means with a reference signal, a counter controlled by the output signal of the comparator, a plurality of latch circuits to which the outputs of the counters are respectively input, and the plurality of latch circuits. a plurality of digital/analog converters that convert each output signal into an analog quantity, and a plurality of digital/analog converters that flow a current proportional to each output signal of the plurality of digital/analog converters to each semiconductor laser of the semiconductor laser array. a semiconductor laser drive circuit;
A semiconductor laser array output control device comprising: control means for turning on each of the semiconductor lasers in time sequence so that the difference between both input signals of the comparator is always zero.
JP61171150A 1986-07-21 1986-07-21 Output controller for semiconductor laser array Pending JPS6327162A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05103163A (en) * 1991-10-08 1993-04-23 Canon Inc Image forming device

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