JPS63273380A - Laser output controller - Google Patents

Laser output controller

Info

Publication number
JPS63273380A
JPS63273380A JP62106346A JP10634687A JPS63273380A JP S63273380 A JPS63273380 A JP S63273380A JP 62106346 A JP62106346 A JP 62106346A JP 10634687 A JP10634687 A JP 10634687A JP S63273380 A JPS63273380 A JP S63273380A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
semiconductor laser
current
laser
scanning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62106346A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Fukuda
茂 福田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP62106346A priority Critical patent/JPS63273380A/en
Publication of JPS63273380A publication Critical patent/JPS63273380A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/06832Stabilising during amplitude modulation

Abstract

PURPOSE:To obtain an image having no irregular concentration by detecting the quantity of light of a semiconductor laser to control a bias current and controlling a driving current. CONSTITUTION:The intensity of the output light of a semiconductor laser 1 is detected by a photodetector 9, and a detector 21 outputs an add/subtract signal of the application current of the laser 1 in response to the detection output. Bias current control means 22 made of bias current applying circuit 20 applies a bias voltage to the laser 1 in response to the output of the detector 21. A detector 24 outputs an add/subtract signal of the application current of the laser 1 in response to the output of the photodetector 9, and detects whether the output of the laser 1 is a predetermined value or not. Driving current control means 25 made of a driving circuit 23 applies a driving current to the laser 1 in response to the output of the detector 24.

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明はレーザ出力制御装置に関し、より詳細には、半
導体レーザビームを走査して画像を形成するレーザビー
ムプリンタに適用し得るレーザ出力制御装置に関するも
のである。
Detailed Description of the Invention (Technical Field) The present invention relates to a laser output control device, and more particularly to a laser output control device that can be applied to a laser beam printer that scans a semiconductor laser beam to form an image. be.

(従来技術) 半導体レーザの出力強度は温度に対して非常に不安定で
ある為、半4体レーザの周囲温度が変化する環境下では
半導体レーザ出力制御装置等により半導体レーザの出力
強度を安定化させる必要がある。半導体レーザ出力制御
装置にはカウンタを用いる方式があり、第8図はその方
式の一例を採用したレーザプリンタの一例を示す。
(Prior art) Since the output intensity of a semiconductor laser is extremely unstable with respect to temperature, the output intensity of the semiconductor laser must be stabilized using a semiconductor laser output control device, etc. in an environment where the ambient temperature of the semi-quadram laser changes. It is necessary to do so. There is a type of semiconductor laser output control device that uses a counter, and FIG. 8 shows an example of a laser printer that employs an example of this type of type.

半導体レーザlより発生したレーザビームはコリメータ
レンズ2によりコリメートされて回転多面鏡よりなる光
走査装置3で偏向され、fθレンズ4により感光体ドラ
ム5の帯電された表面に結像されてその結像スポットが
回転多面鏡3の回転で矢印X方向に反復して移動すると
同時に感光体ドラム5が回転する。光検出器6は情報書
き込み領域外に設けられ、回転多面鏡3で偏向されたレ
ーザビームを検出して同期信号を発生する。信号処理回
路7は情報信号を半導体レーザ駆動回路8に印加するが
、そのタイミングを光検出器6からの同期信号により制
御する。半導体レーザ駆動回路8は信号処理回路7から
の情報信号に応じて半導体レーザ1を駆動し、従って情
報信号で変調されたレーザビームが感光体ドラム5に照
射されて静電潜像が形成される。この静電潜像は現像器
で現像されて転写器で紙等に転写される。また半導体レ
ーザlから後方に出射されるレーザビームは光検出器9
に入射してその光強度が検出され、制御回路10が光検
出器9の出力信号に応じて半導体レーザ駆動回路8を制
御して半導体レーザ1の出力光量を一定に制御する。
A laser beam generated by a semiconductor laser 1 is collimated by a collimator lens 2, deflected by an optical scanning device 3 consisting of a rotating polygon mirror, and is imaged by an fθ lens 4 on the charged surface of a photoreceptor drum 5. As the spot moves repeatedly in the direction of arrow X by the rotation of the rotating polygon mirror 3, the photosensitive drum 5 rotates at the same time. A photodetector 6 is provided outside the information writing area, detects the laser beam deflected by the rotating polygon mirror 3, and generates a synchronization signal. The signal processing circuit 7 applies an information signal to the semiconductor laser drive circuit 8, and its timing is controlled by a synchronization signal from the photodetector 6. The semiconductor laser drive circuit 8 drives the semiconductor laser 1 according to the information signal from the signal processing circuit 7, and therefore the laser beam modulated by the information signal is irradiated onto the photoreceptor drum 5 to form an electrostatic latent image. . This electrostatic latent image is developed by a developing device and transferred onto paper or the like by a transfer device. In addition, the laser beam emitted backward from the semiconductor laser l is detected by a photodetector 9.
The light intensity is detected by the control circuit 10, which controls the semiconductor laser drive circuit 8 in accordance with the output signal from the photodetector 9 to keep the output light amount of the semiconductor laser 1 constant.

第9図は上記半導体レーザ駆動回路8及び制御回路10
を詳細に示す。
FIG. 9 shows the semiconductor laser drive circuit 8 and the control circuit 10.
is shown in detail.

半導体レーザ1から後方に出射されたレーザビームはフ
ォトダイオードよりなる光検出器9に入射し、フォトダ
イオード9はそのレーザビームの強度に比例した電流を
出力する。この電流は増幅器11により電圧に変換され
、比較器12で基準電圧■1..と比較される。比較器
12の出力電圧は比較器12の両入力電圧の大小関係に
より高レベルまたは低レベルとなり、アップダウンカウ
ンタ13のカウントモードを制ねゴする。例えば半導体
レーザ1からのレーザビームの強度が基準値より弱い時
には比較器12の出力が低レベルになり、アップダウン
カウンタ13はアップカウンタとして動作する状態とな
る。タイミング信号T1によリエツジ検出回路14がア
ップダウンカウンタ13へのイネーブル信号を解除する
と、アップダウンカウンタ13は発振器15からのクロ
ック信号によりその計数値が増加して行く、このアップ
ダウンカウンタ13の計数出力はデジタル/アナログ変
換器16でアナログ量に変換されて半導体レーザ駆動回
路8に入力される。半導体レーザ駆動回路8は信号処理
回路7からの情報信号により半導体レーザ1を駆動する
が、その駆動電流をデジタル/アナログ変換器16の出
力に応じて変化させる。従ってアップダウンカウンタ1
3の計数値が徐々に増加することにより半導体レーザ1
からのレーザビームの強度が徐々に増加し、増幅器11
の出力を増加する。そして比較δ12の出力が低レベル
から高レベルに反転すると、エツジ検出回路14が比較
器12の出力の立ち上がりエツジを検出してアップダウ
ンカウンタ13にイネーブル信号を加える。よってアッ
プダウンカウンタ13はイネーブル状態になってその計
数値を保持し、従って半導体レーザlの駆動電流の大き
さがそのまま保持される。次にタイミング信号T、によ
りエツジ検出回路14がアップダウンカウンタ13のイ
ネーブル状態を解除すると、比較器12の出力が高レベ
ルであれば(半導体レーザ1の出力強度が強ければ)ア
ップダウン力うンタ13はダウンカウンタとして動作し
発振器15からのクロック信号により計数値が減少して
行く。よってデジタル/アナログ変換器16の出力が減
少して半導体レーザ1の駆動電流が城少し、増幅器11
の出力が減少する。そして増幅器11の出力が基準電圧
V1..より小さくなって比較器12の出力が高レベル
から低レベルに反転すると、エツジ検出回路14は比較
器12の出力の立ち下がりエツジを検出してアップダウ
ンカウンタ13をイネーブル状態にする。従ってアップ
ダウンカウンタ13が計数値を保持することになり、半
導体レーザ1の駆動電流の大きさがそのまま保持される
。ここにレーザプリンタでは環境温度の変化が緩やかで
あり半導体レーザとその取付金具の熱容量の影響で半導
体レーザの出力変動は短時間では無視できろ。
A laser beam emitted backward from the semiconductor laser 1 is incident on a photodetector 9 made of a photodiode, and the photodiode 9 outputs a current proportional to the intensity of the laser beam. This current is converted into a voltage by an amplifier 11, and a reference voltage 1. .. compared to The output voltage of the comparator 12 becomes a high level or a low level depending on the magnitude relationship between both input voltages of the comparator 12, and controls the counting mode of the up/down counter 13. For example, when the intensity of the laser beam from the semiconductor laser 1 is weaker than the reference value, the output of the comparator 12 becomes a low level, and the up/down counter 13 enters a state in which it operates as an up counter. When the edge detection circuit 14 releases the enable signal to the up-down counter 13 in response to the timing signal T1, the up-down counter 13 increases its count value in response to the clock signal from the oscillator 15. The output is converted into an analog quantity by the digital/analog converter 16 and input to the semiconductor laser drive circuit 8. The semiconductor laser drive circuit 8 drives the semiconductor laser 1 based on the information signal from the signal processing circuit 7, and changes its drive current in accordance with the output of the digital/analog converter 16. Therefore up/down counter 1
As the count value of 3 gradually increases, the semiconductor laser 1
The intensity of the laser beam from the amplifier 11 increases gradually.
increase the output of When the output of the comparator δ12 is inverted from low level to high level, the edge detection circuit 14 detects the rising edge of the output of the comparator 12 and applies an enable signal to the up/down counter 13. Therefore, the up/down counter 13 is enabled and holds its count value, so that the magnitude of the driving current of the semiconductor laser I is maintained as it is. Next, when the edge detection circuit 14 releases the enable state of the up/down counter 13 by the timing signal T, if the output of the comparator 12 is at a high level (if the output intensity of the semiconductor laser 1 is strong), the up/down force is increased. 13 operates as a down counter, and the count value decreases by the clock signal from the oscillator 15. Therefore, the output of the digital/analog converter 16 decreases, and the driving current of the semiconductor laser 1 decreases.
output decreases. Then, the output of the amplifier 11 is set to the reference voltage V1. .. When the output of the comparator 12 becomes smaller and the output of the comparator 12 is inverted from high level to low level, the edge detection circuit 14 detects the falling edge of the output of the comparator 12 and enables the up/down counter 13. Therefore, the up/down counter 13 holds the count value, and the magnitude of the driving current of the semiconductor laser 1 is maintained as it is. Here, in a laser printer, the environmental temperature changes slowly, and the output fluctuations of the semiconductor laser can be ignored in a short period of time due to the heat capacity of the semiconductor laser and its mounting hardware.

このため上記タイミング信号T+に例えば記録開始毎の
プリントスタート信号、電源投入時のパワーオンリセッ
ト信号を用いることにより、半導体レーザの出力光量の
変動を少なく押さえて高品質の記録画像を得ることが出
来る。
For this reason, by using, for example, a print start signal at each start of recording or a power-on reset signal at power-on as the timing signal T+, it is possible to suppress fluctuations in the output light amount of the semiconductor laser and obtain high-quality recorded images. .

ところで、半導体レーザには前述のような周囲温度によ
る光出力の変動の他に、自己発熱による光出力の変動が
問題となる場合も多く、前記従来例のごとく、光検出器
9の出力をモニタして所定の出力となるように駆動電流
を光走査毎に制御しても第10図の特性図の実線のよう
な光出力の変動が生じ、感光体上の潜像電位の不均一お
よび画像濃度の不均一となって現れる。
Incidentally, in addition to fluctuations in optical output due to ambient temperature as described above, semiconductor lasers often have problems with fluctuations in optical output due to self-heating, and as in the conventional example, the output of the photodetector 9 is monitored. Even if the drive current is controlled for each optical scan so that a predetermined output is obtained, the optical output fluctuates as shown by the solid line in the characteristic diagram of FIG. This appears as non-uniform density.

半導体レーザの自己発熱による光出力の変動を少なくす
るためには、特開昭61−191083号の開示のごと
く、半導体レーザの消灯時においてもしきい値電流より
少ない所定の値の電流をバイアス電流として印加するこ
とにより、自己発熱を促進させておいて点灯時の自己光
熱分を少なくし、点滅による差を少なくする方法が考え
られる。
In order to reduce fluctuations in optical output due to self-heating of the semiconductor laser, as disclosed in JP-A-61-191083, a current of a predetermined value smaller than the threshold current is used as a bias current even when the semiconductor laser is turned off. A possible method is to promote self-heat generation by applying a voltage to the light, thereby reducing the amount of self-heat generated during lighting, thereby reducing the difference caused by blinking.

第11図はその一実施例を示す回路図で、消灯時にはト
ランジスタ17によりバ・イアスミ流!。
FIG. 11 is a circuit diagram showing one embodiment of the invention, and when the light is turned off, the transistor 17 causes a bias flow! .

を印加し、点灯時にはバイアス電流■8と半導体レーザ
駆動回路8の電流11を半導体レーザ1の駆動電流■。
is applied, and at the time of lighting, the bias current (8) and the current (11) of the semiconductor laser drive circuit 8 are changed to the drive current (2) of the semiconductor laser 1.

、とし、て印加している。また、図中、第9図の回路と
同じ構成要素には同一符号を付して説明は省略する。尚
、図中、18はバイアス電流I8を調整するための可変
抵抗器、19はバイアス電流の上限を決め且つ過電流に
よる半導体レーザの故障を防止するための制限抵抗であ
る。
, and is applied. Further, in the figure, the same components as those in the circuit of FIG. 9 are given the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted. In the figure, 18 is a variable resistor for adjusting the bias current I8, and 19 is a limiting resistor for determining the upper limit of the bias current and preventing damage to the semiconductor laser due to overcurrent.

−Sに、半導体レーザの定格出力時の駆動電流TOPに
対するしきい値電?1tTtbの割合はI th/ I
 or=2/3程度であるから、バイアス電流■8をし
きい値電流■1にほぼ等し7い値とすれば、消灯時のバ
イアス電流111による自己発熱量W8は定格出力時の
駆動電流T。、によろ自己発熱量V7 o pの約2/
3となる。すなわち、定格出力での点灯時の自己発熱に
よる光出力の変動量はバイアス電流I。
-S is the threshold voltage for the drive current TOP at the rated output of the semiconductor laser? The ratio of 1tTtb is I th/I
Since or=about 2/3, if the bias current 8 is approximately equal to the threshold current 1, the self-heating amount W8 due to the bias current 111 when the lights are turned off is equal to the drive current at the rated output. T. , about 2/ of the self-heating amount V7 op
It becomes 3. In other words, the amount of variation in optical output due to self-heating when lighting at rated output is bias current I.

を流さない場合に比べ!/3程度となり、第10図に示
す破線のような光出力の変動となる。
Compared to not flowing! /3, and the optical output fluctuates as shown by the broken line in FIG.

しかしながら、半導体レーザの発光効率にはバラツキが
あり、かつ前述したように、周囲温度および自己発熱に
よる変動があるため、第11図の装置ではこれらのバラ
ツキおよび変動を考慮してバイアス電流1aがしきい値
電流」いより大きくならないような安全な値に設定され
る。これに対してこの装置の目的とする半導体レーザ点
灯時の自己発熱による光出力の変動を少なくするために
はバイアス電流1.の値をしきい値電流Iいにより近く
した方が良い訳であり、第11図の装置の効果は十分と
は言えない。
However, there are variations in the luminous efficiency of semiconductor lasers, and as mentioned above, there are variations due to ambient temperature and self-heating. The threshold current is set to a safe value that does not exceed 0. On the other hand, in order to reduce fluctuations in optical output due to self-heating when the semiconductor laser is turned on, which is the objective of this device, the bias current is 1. It is better to make the value of the threshold current I closer to the threshold current I, and the effect of the device shown in FIG. 11 cannot be said to be sufficient.

(目的) 本発明は、上述した従来装置の欠点を改善すべくなれた
もので、その目的とするところは半導体レーザの点灯時
の自己発熱による光量変動を少なくするためにバイアス
電流の値を自動的にかつ効率的な値に設定しそして濃度
ムラのない画像を得ることが出来るレーザ出力側?a装
置を提供することである。
(Purpose) The present invention was made to improve the above-mentioned drawbacks of the conventional device.The purpose of the present invention is to automatically adjust the value of the bias current in order to reduce fluctuations in the amount of light due to self-heating when the semiconductor laser is turned on. Is it possible to set the laser output side to an effective and efficient value and obtain an image with uniform density? a) to provide a device.

(構成) 本発明は上記の目的を達成させるため、半導体レーザの
光出力を検出する光検出手段を有し、該光検出手段の出
力に応じて前記半導体レーザの駆動電流を制御するレー
ザ出力制御装置において、前記光検出手段の出力をモニ
タして前記半導体レーザのしきい値電流の値を検出しか
つ該しきい値電流より少ない電流を前記半導体レーザへ
印加するバイアス電流制御手段と、前記光検出手段の出
力をモニタして前記半導体レーザの光出力が所定の値と
なるように駆動電流を制御する駆動電流制御手段とを備
えたことを特徴とするものである。
(Structure) In order to achieve the above object, the present invention includes a photodetection means for detecting the optical output of a semiconductor laser, and a laser output control that controls the driving current of the semiconductor laser according to the output of the photodetection means. In the apparatus, bias current control means monitors the output of the light detection means to detect a threshold current value of the semiconductor laser and applies a current smaller than the threshold current to the semiconductor laser; The present invention is characterized by comprising a drive current control means for monitoring the output of the detection means and controlling the drive current so that the optical output of the semiconductor laser becomes a predetermined value.

以下、本発明の一実施例に基づいて具体的に説明する。Hereinafter, a detailed explanation will be given based on one embodiment of the present invention.

第1図はより効果的にバイアス電流を印加するための本
発明によるレーザ出力制御装置の一実施例を示すブロッ
ク回路図である。この回路は半導体レーザl、光検出器
9、半導体レーザ1のしきい値電流の値を検出するネ食
出回路21、バイアス電流印加回路20、バイアス電流
制御手段22、検出回路24、駆動回路23および駆動
電流制御手段25から構成される。検出回路21は半導
体レーザ1の光出力を入射して光強度を検出する光検出
器9の出力に応じて半導体レーザ1の印加電流の加減信
号を出力する。バイアス電流印加回路20からなるバイ
アス電流制御手段22は検出回路21の出力に応じて半
導体レーザ1にバイアスを印加する。検出回路24は光
検出器9の出力に応じて半導体レーザlの印加電流の加
減信号を出力しかつ半導体レーザ1の出力が所定の値で
あるかを検出する。駆動回路23からなる駆動′71.
流制御子制御5は検出回路24の出力に応じて半導体レ
ーザ1に駆動電流を印加する。
FIG. 1 is a block circuit diagram showing an embodiment of a laser output control device according to the present invention for applying a bias current more effectively. This circuit includes a semiconductor laser l, a photodetector 9, a negative output circuit 21 for detecting the threshold current value of the semiconductor laser 1, a bias current application circuit 20, a bias current control means 22, a detection circuit 24, and a drive circuit 23. and drive current control means 25. The detection circuit 21 outputs a signal for adjusting the current applied to the semiconductor laser 1 in accordance with the output of the photodetector 9 which receives the optical output of the semiconductor laser 1 and detects the light intensity. A bias current control means 22 consisting of a bias current application circuit 20 applies a bias to the semiconductor laser 1 according to the output of the detection circuit 21. The detection circuit 24 outputs a signal for adjusting the current applied to the semiconductor laser 1 in accordance with the output of the photodetector 9, and detects whether the output of the semiconductor laser 1 is a predetermined value. Drive '71. consisting of drive circuit 23.
The current controller 5 applies a drive current to the semiconductor laser 1 according to the output of the detection circuit 24.

第2図に示すna+な回路を参照してt記実施例の動作
を説明する。この回路は増幅器26、比較器27.28
、Dフリップフロップ(F/F)29゜30、ノア回路
31およびJ−にフリップフロップ(F/F)32から
なる半導体レーザ1のしきい値(スレフシュし・ベル)
検出回路と、アップダウンカウンタ33、デジタル/ア
ナログ(D/A)コンバータ34、増幅器35.36お
よびトランジスタ37からなるバイアス電流印加回路に
より構成されたバイアス電流制御手段と、比較器39゜
40、Dフリップフロップ41,42、ノア回路43お
よびJKフリップフロップ44からなる検出回路と、ア
ップダウンカウンタ46、D/Aコンバータ47、増幅
器48.49およびトランジスタ50からなる駆動電流
制御手段からなっている。
The operation of the embodiment will be described with reference to the na+ circuit shown in FIG. This circuit consists of an amplifier 26, comparators 27 and 28
, a D flip-flop (F/F) 29°30, a NOR circuit 31, and a J- flip-flop (F/F) 32.
A detection circuit, bias current control means constituted by a bias current application circuit consisting of an up/down counter 33, a digital/analog (D/A) converter 34, an amplifier 35, 36, and a transistor 37, and comparators 39, 40, and D. It consists of a detection circuit consisting of flip-flops 41, 42, a NOR circuit 43 and a JK flip-flop 44, and a drive current control means consisting of an up/down counter 46, a D/A converter 47, amplifiers 48, 49 and a transistor 50.

このような回路において、アップダウンカウンタ33.
46の値を初期化するための信号PRが入力されると、
アップダウンカウンタ33.46は所定の値、例えばカ
ウンタの最大値がセットされる。これによりD/Aコン
バータ34.47には最大値が入力され、出力の最大値
を制限する可変抵抗器38.45によって制限された最
大値が出力され、増幅器35.36および48.j9に
よりトランジスタ37.50のベースに反転された電圧
信号を印加する。すなわち、最も少ない電圧レベル信号
が印加される。なお、増幅器36および49に接続され
ている可変抵抗51.52は各々トランジスタ37.’
50に印加される電圧信号の上限値を規制するものであ
る。このようにしてPR信号によりトランジスタ37に
流れるバイアス電流I、が最小値に設定され、またトラ
ンジスタ50に流れる駆動電流夏、が最少値に設定され
る。なお、ここでのバイアス電流■、の最少値とは、必
ずしもゼロでなくても良く、予め想定される半導体レー
ザのしきい値電流より充分小さな値であれば良いことに
なる。同様に、トランジスタ50に流れる駆動電流11
 もゼロである必要はなく、バイアス電流1.と駆動電
流■1の和が、後述する半導体レーザの出力が所定の値
となるべ←電流値■。、より充分小さければ良い、なお
、この時点では半導体レーザ1の変調信号videoは
低レベルであり、したがって差動トランジスタ53はオ
フしており、駆動電流!+ はトランジスタ54から流
れるため、半導体レーザ1の電流I。Pは1op”I蕗
となっている。
In such a circuit, up/down counter 33.
When the signal PR for initializing the value of 46 is input,
The up/down counters 33 and 46 are set to predetermined values, for example, the maximum value of the counters. As a result, the maximum value is input to the D/A converter 34.47, the maximum value limited by the variable resistor 38.45 that limits the maximum output value is output, and the maximum value is output to the amplifiers 35.36 and 48.47. j9 applies an inverted voltage signal to the base of transistor 37.50. That is, the lowest voltage level signal is applied. Note that variable resistors 51 and 52 connected to amplifiers 36 and 49 are transistors 37 and 52, respectively. '
The upper limit value of the voltage signal applied to the voltage signal 50 is regulated. In this manner, the bias current I flowing through the transistor 37 is set to the minimum value by the PR signal, and the drive current I flowing through the transistor 50 is set to the minimum value. Note that the minimum value of the bias current (2) here does not necessarily have to be zero, but may be a value sufficiently smaller than the previously assumed threshold current of the semiconductor laser. Similarly, the drive current 11 flowing through the transistor 50
is not necessarily zero, and the bias current 1. The sum of the drive current ■1 and the output of the semiconductor laser described later should be a predetermined value ←Current value ■. Note that at this point, the modulation signal video of the semiconductor laser 1 is at a low level, so the differential transistor 53 is off, and the drive current ! + flows from the transistor 54, so the current I of the semiconductor laser 1. P is 1op” Ibuki.

続いて、バイアス電流1.を設定するための信号B、S
ETが入力されると、J−にフリップフロップ32はク
リアされてQ出力端子よりアップダウンカウンタ33を
イネーブルにする。比較器28の出力信号はDフリップ
フロップ29でクロック信号CLKによりラッチされ、
このDフリップフロップ29の出力信号はアップダウン
カウンタ33に計数モード信号として加えられてその計
数モードを制御すると同時にDフリップフロップ30で
クロックCLKによりラッチされる。Dフリップフロッ
プ29の非反転出力QおよびDフリップフロップ30の
反転出力はノア回路31に入力され、該ノア回路31の
出力信号によりJ−にフリップフロップ32がセットさ
れる。今、比較器28の出力が低レベル(半導体レーザ
lの光出力がない)であるので、アップダウンカウンタ
33はダウンカウンタとして動作する。これによりD/
Aコンバータ34の出力は減少して行き且つしたがって
トランジスタ37のベース電圧信号を上昇して行く、こ
れにより半導体レーザ1のバイアス電流I、が上昇して
しきい値に達すると光出力を発生する。半導体レーザl
より光出力が発生すると、光検出器9はこの光を入射し
て光強度に応じた出力を発生する。これによって比較器
27は光出力の発生を検出して反転し且つしたがって高
レベルとなる。
Next, bias current 1. Signals B and S for setting
When ET is input, the J- flip-flop 32 is cleared and the up/down counter 33 is enabled from the Q output terminal. The output signal of the comparator 28 is latched by the D flip-flop 29 using the clock signal CLK.
The output signal of the D flip-flop 29 is applied to the up/down counter 33 as a counting mode signal to control its counting mode, and at the same time is latched by the D flip-flop 30 using the clock CLK. The non-inverted output Q of the D flip-flop 29 and the inverted output of the D flip-flop 30 are input to a NOR circuit 31, and the output signal of the NOR circuit 31 sets the flip-flop 32 to J-. Since the output of the comparator 28 is now at a low level (there is no optical output from the semiconductor laser I), the up/down counter 33 operates as a down counter. As a result, D/
The output of the A converter 34 decreases and thus increases the base voltage signal of the transistor 37, which causes the bias current I of the semiconductor laser 1 to increase and produce an optical output when a threshold is reached. semiconductor laser l
When more light output is generated, the photodetector 9 receives this light and generates an output according to the light intensity. This causes comparator 27 to detect the occurrence of a light output and invert and therefore go high.

Dフリップフロップ29はこの高レベルをクロックCL
KでラッチしてQ出力によりアップダウンカウンタ33
をアップカウント動作に切り換える。これにより今度は
トランジスタ37のベース電圧信号は減少し、したがっ
てバイアス電流が減少するためにしきい値より小さくな
る。再び比較器28の出力が低レベルとなると、これを
Dフリップフロップ29でクロックCLKによりラッチ
し、Q出力を高レベルとする。このとき、Dフリップフ
ロップ30は前段のDフリップフロップ29の出力であ
る高レベルを同様にクロック(LKでラツチレでいるた
め、ノア回路31の入力が共に低レベルとなって出力の
高レベルがJ−にフリップフロップ32に入力され、ク
ロックCLKでラッチされてアップダウンカウンタ33
をディスエーブルにする。この結果カウント動作を終了
してバイアス電流が固定されることになる。このように
してバイアス電流はしきい値よりD/Aコンバータの1
ビット分解能分だけ小さい値で固定されることになる。
The D flip-flop 29 uses this high level as the clock CL.
Latch with K and up/down counter 33 with Q output
Switch to up-count operation. This in turn causes the base voltage signal of transistor 37 to decrease and therefore become less than the threshold because the bias current decreases. When the output of the comparator 28 becomes low level again, it is latched by the D flip-flop 29 using the clock CLK, and the Q output is made high level. At this time, the D flip-flop 30 uses the high level output of the D flip-flop 29 in the previous stage as the clock (LK), so the inputs of the NOR circuit 31 both become low level, and the high level of the output changes to J. − is input to the flip-flop 32, latched by the clock CLK, and output to the up/down counter 33.
Disable. As a result, the counting operation ends and the bias current is fixed. In this way, the bias current is lower than the threshold voltage at the D/A converter.
It will be fixed at a value smaller by the bit resolution.

次に、半導体レーザ1の光出力を所定の値とするために
、まずVideo信号を高レベルとして半導体レーザ1
を流れる電流10Fがトランジスタ37を流れるバイア
ス電流■3とトランジスタ50を流れる駆動電流■、の
和となる状態としてJ−にフリップフロップ44のCL
K端子にP、SET信号(低レベル)を入力することに
よりJ−にフリップフロップ44がクリアされてアップ
ダウンカウンタ46をイネーブルにする。比較器40の
出力信号はDフリップフロップ41でクロックCLKに
よりラッチされ、このDフリップフロップ41の出力信
号はアップダウンカウンタ46に計数モード信号として
加えられてその計数モードを制御すると同時にDフリッ
プフロップ42でクロックCLKによりラッチされる。
Next, in order to set the optical output of the semiconductor laser 1 to a predetermined value, the Video signal is first set to a high level, and the semiconductor laser 1
Assuming that the current 10F flowing through the transistor 37 is the sum of the bias current (3) flowing through the transistor 37 and the drive current (2) flowing through the transistor 50, the CL of the flip-flop 44 is connected to J-.
By inputting the P, SET signal (low level) to the K terminal, the flip-flop 44 at J- is cleared and the up/down counter 46 is enabled. The output signal of the comparator 40 is latched by the clock CLK in a D flip-flop 41, and the output signal of this D flip-flop 41 is applied as a counting mode signal to the up/down counter 46 to control its counting mode, and at the same time, the D flip-flop 42 It is latched by the clock CLK.

Dフリップフロップ41および42の反転出力はノア回
路43に入力され、該ノア回路43の出力信号によりJ
−にフリップフロップ44がセットされる。今、比較器
40の出力が低レベルである(半導体レーザ1の光出力
が所定の値より小さい)場合、アップダウンカウンタ4
6はダウンカウンタとして動作する。したがって、D/
Aコンバータ47の出力は減少して行き、したがってト
ランジスタ50のベース信号は上昇して行く。これによ
り半導体レーザ1の駆動電流■1が上昇し、光出力が所
定の値に達すると比較器40は反転して高レベルとなる
。Dフリップフロップ41はこの高レベルをクロックC
LKでラッチしてQ出力によりアップダウンカウンタ4
6をアップカウント動作に切り換える。これにより今度
はトランジスタ50のベース電圧信号は減少し、したが
って駆動電流が減少するため、その光出力は所定レベル
より小さくなる。これにより再び比較器40の出力が低
レベルに反転し、これをDフリップフロップ41でクロ
ックCLKによりラッチしてQ出力を高レベルとする。
The inverted outputs of the D flip-flops 41 and 42 are input to the NOR circuit 43, and the output signal of the NOR circuit 43 causes the J
The flip-flop 44 is set to -. If the output of the comparator 40 is now at a low level (the optical output of the semiconductor laser 1 is smaller than a predetermined value), the up/down counter 4
6 operates as a down counter. Therefore, D/
The output of A converter 47 is decreasing, and therefore the base signal of transistor 50 is increasing. As a result, the drive current 1 of the semiconductor laser 1 increases, and when the optical output reaches a predetermined value, the comparator 40 is inverted and becomes a high level. D flip-flop 41 uses this high level as clock C
Latch with LK and use Q output to create up/down counter 4
6 to up count operation. This in turn causes the base voltage signal of transistor 50 to decrease, thus reducing its drive current and thus its light output to be less than a predetermined level. As a result, the output of the comparator 40 is again inverted to a low level, which is latched by the D flip-flop 41 using the clock CLK, thereby setting the Q output to a high level.

このとき、Dフリップフロップ42は前段のDフリップ
フロップ41の出力である高レベルを同じクロックCL
Kでラッチしているため、ノア回路43の入力が共に低
レベルとなり、出力の高レベルがJ−にフリップフロッ
プ44に入力され、クロックCLKでラッチされてアッ
プダウンカウンタ46をディスエーブルにする。この結
果カウント動作を終了して駆動電流itが固定されるこ
とになる1以上により半導体レーザ1を流れる電流I。
At this time, the D flip-flop 42 outputs the high level output from the previous stage D flip-flop 41 to the same clock CL.
Since it is latched at K, the inputs of the NOR circuit 43 are both at low level, and the high level output is input to the flip-flop 44 at J-, which is latched at clock CLK and disables the up/down counter 46. As a result, the counting operation ends and the drive current it is fixed.The current I flows through the semiconductor laser 1 due to one or more.

Pはバイアス電流I、と駆動電流!、の和となり、光出
力が所定の値となるような値で固定される。
P is bias current I, and drive current! , and is fixed at a value such that the optical output becomes a predetermined value.

この後、バイアス電流の再設定時にはJ−にフリップフ
ロップ32にB、SET信号をまた、駆動電流の再設定
時にはVideo信号を高レベルとした状態でJ−にフ
リップフロップ44にP、SET信号を与えることによ
り再設定が可能である。
After that, when resetting the bias current, apply the B, SET signal to the flip-flop 32 at J-, and apply the P, SET signal to the J- flip-flop 44 with the Video signal at high level when resetting the drive current. It can be reset by giving

以上のごとく、バイアス電流Imは、必要に応じて再設
定43号を与えることにより、しきい値電流■いに近い
、r*<Iいの関係を保つことができ、また駆動電流1
0Fも光出力が所定の値となるように制御されることに
なる。
As described above, the bias current Im can maintain the relationship of r*<I, which is close to the threshold current, by giving reset No. 43 as necessary, and the drive current 1
0F is also controlled so that the optical output becomes a predetermined value.

なお、増幅器27に接続された可変抵抗器55は光検出
器9の暗電流のレベルをキャンセルするためのものであ
り、また増幅器39に接続された可変抵抗器56は光出
力を所定の値に設定するためのものである。
The variable resistor 55 connected to the amplifier 27 is used to cancel the dark current level of the photodetector 9, and the variable resistor 56 connected to the amplifier 39 is used to adjust the optical output to a predetermined value. This is for setting.

第3図は第2図の回路を変形した実施例を示す回路図で
、図中第2図と同一部分には同一符号を付して詳細な説
明は省略する。第3図において、バイアス電流Imを設
定するための信号B、SETの入力により、第2図で説
明したような動作の後ノア回路31の出力が高レベルと
なる。これがJ−にフリップフロップ32でクロックC
LKによりラッチされてアップダウンカウンタ33がデ
ィスエーブルとなる。このバイアス電流IIが固定され
た状態において、J−にフリップフロップ32の出力信
号によりスイッチ57を開とすることにより増幅器36
の利得を小さくしてトランジスタ37のベース電圧信号
をRr/R++Rzに切り換えるようにしたものである
。これによれば、例えばバイアス電流の再設定の周期が
長い場合等で、温度変動等によりバイアス電流■、がし
きい値電流を越える可能性がある場合等には、しきい値
レベルに対して安全性を見込んだ一定の割合のバイアス
電流の設定が可能となる。
FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment that is a modification of the circuit shown in FIG. 2, in which the same parts as those in FIG. 2 are given the same reference numerals and detailed explanations are omitted. In FIG. 3, by inputting the signal B and SET for setting the bias current Im, the output of the NOR circuit 31 becomes high level after the operation described in FIG. 2. This is connected to J- by flip-flop 32 and clock C
It is latched by LK and the up/down counter 33 is disabled. With this bias current II fixed, the amplifier 36 is opened by opening the switch 57 by the output signal of the flip-flop 32 at J-.
The base voltage signal of the transistor 37 is switched to Rr/R++Rz by reducing the gain of the transistor 37. According to this, for example, when the cycle of resetting the bias current is long, and when there is a possibility that the bias current exceeds the threshold current due to temperature fluctuations, etc., It becomes possible to set the bias current at a constant rate with safety in mind.

次に、第3図の実施例で示したレーザ駆動装置を用いた
レーザ走査装置の実施例について第4図を参照して説明
する。第1図、第3図および第4図を参照して、まず、
電源投入により信号処理回路7からバイアス電流制御手
段22の制御回路21および駆動電流制御手段25の制
御回路24にバイアス電流I、および駆動電流I、を初
期化する信号PRが送られる。これにより前述のごとく
、アップダウンカウンタ33および46に初期値、例え
ば最大値がセットされ、アップダウンカウンタ33.4
6の出力によってD/Aコンバータ3447は各々可変
抵抗器38.45で設定された最大値を出力する。これ
によりトランジスタ370ベース電圧信号はトランジス
タ37を介して半導体レーザ1に流れるバイアス電流が
半導体レーザ1のしきい値電流レベルより充分少ない値
となるように設定される。
Next, an embodiment of a laser scanning device using the laser driving device shown in the embodiment of FIG. 3 will be described with reference to FIG. 4. Referring to FIGS. 1, 3, and 4, first,
When the power is turned on, a signal PR for initializing the bias current I and the drive current I is sent from the signal processing circuit 7 to the control circuit 21 of the bias current control means 22 and the control circuit 24 of the drive current control means 25. As a result, as described above, the up/down counters 33 and 46 are set to initial values, for example, the maximum value, and the up/down counters 33.4
6, the D/A converter 3447 outputs the maximum value set by the variable resistor 38.45. As a result, the base voltage signal of the transistor 370 is set so that the bias current flowing to the semiconductor laser 1 via the transistor 37 has a value sufficiently smaller than the threshold current level of the semiconductor laser 1.

また、トランジスタ50のベース電圧信号はトランジス
タ37を介して流れるバイアス電流I。
Further, the base voltage signal of the transistor 50 is a bias current I flowing through the transistor 37.

が半導体レーザ1のしきい値電流レベルより少ない所定
の値に設定された状態でトランジスタ37を介して半導
体レーザ1に流れるバイアス電流■8とV 1deo信
号を高レベルとしたときにトランジスタ53と50を介
して半導体レーザ1を流れる駆動電流■1との和り。P
による光出力が回転多面鏡3よりなる走査手段により走
査されたときに光検出器9よりなる走査光検出手段によ
り検出可能なように設定される。なお、初期状態ではV
ideo信号は低レベルであるため駆動電流■1はトラ
ンジスタ54と50を介して流れ、半導体レーザ1には
バイアス電流■。のみが流れる。
The bias current 8 and V flowing through the semiconductor laser 1 through the transistor 37 are set to a predetermined value smaller than the threshold current level of the semiconductor laser 1. When the 1deo signal is set to a high level, the transistors 53 and 50 The sum of the driving current (1) flowing through the semiconductor laser 1 via the drive current (1). P
The setting is such that when the light output from the rotary polygon mirror 3 is scanned by the scanning means made up of the rotating polygon mirror 3, it can be detected by the scanning light detection means made up of the photodetector 9. In addition, in the initial state, V
Since the ideo signal is at a low level, the drive current (1) flows through the transistors 54 and 50, and the semiconductor laser 1 receives a bias current (2). only flows.

次に、信号処理回路7からバイアス電流を設定するため
の信号B、SETが送られると、前述の動作により半導
体レーザ1のしきい値電流レベルが検出され、J−にフ
リップフロップ32のQ出力によりバイアス電流1.の
加減動作が終了し、同時に、スイッチ57が開かれ、バ
イアス電流!。
Next, when signals B and SET for setting the bias current are sent from the signal processing circuit 7, the threshold current level of the semiconductor laser 1 is detected by the above-described operation, and the Q output of the flip-flop 32 is sent to J-. The bias current is 1. At the same time, the switch 57 is opened and the bias current! .

は半導体レーザlのしきい値電流より少ない所定の値に
固定される。なお、このときのバイアス電流■、の値は
電源電圧の変動、装置および半導体レーザl自体の温度
変動等によってもしきい値電流レベルを越えないように
、このしきい(a電流レベルの80〜90%程度とすれ
ば良い。
is fixed at a predetermined value smaller than the threshold current of the semiconductor laser l. Note that the value of the bias current (2) at this time is set at a value within the range of 80 to 90 It may be about %.

バイアス電流I3が設定されると、信号処理回路7はバ
イアスセット完了信号を、例えば、J−にフリップフロ
ップ32のQ出力より入力し、続いてV 1deo信号
を高レベルとしてトランジスタ53をオンさせ、トラン
ジスタ54をオフさせることにより、I・ランジスタ5
3および50を介して半導体レーザ1に駆動電流!1を
印加する。この結果半導体レーザ1にはバイアス電流1
mと駆動電流11の和であるl。Pが印加される。これ
により半導体レーザlは、前述したごとく、その走査光
が光検出器9により検出可能な所定レベルの光出力を発
生する。信号処理回路7は光検出器9より検出信号BD
を入力すると、所定のタイミングをもって、駆動電流制
御手段の制御回路24へ駆動電流I、を設定するための
信号P、SETを送る。
When the bias current I3 is set, the signal processing circuit 7 inputs a bias set completion signal to, for example, J- from the Q output of the flip-flop 32, and then sets the V1deo signal to high level to turn on the transistor 53. By turning off the transistor 54, the I transistor 5
Drive current to the semiconductor laser 1 via 3 and 50! Apply 1. As a result, the semiconductor laser 1 has a bias current of 1
l which is the sum of m and drive current 11; P is applied. As a result, the semiconductor laser 1 generates a light output of a predetermined level that allows its scanning light to be detected by the photodetector 9, as described above. The signal processing circuit 7 receives a detection signal BD from the photodetector 9.
When input, a signal P, SET for setting the drive current I is sent to the control circuit 24 of the drive current control means at a predetermined timing.

これにより駆動電流■1は、前述したごとく、バイアス
電流■、との和であるI。Pによる光出力が所定レベル
となるように加減され、所定レベルとなるとJ−にフリ
ップフロップ44のQ出力によって加減動作を終了して
固定される。この結果信号処理回路7はパワーセット完
了信号を、例えばJ−にフリップフロップ44のQ出力
より入力し、駆動電流の設定が完了したことを知る。こ
れにより画像データの走査が可能となったことを判断し
てVideo信号を低レベルとし、例えば周辺装置に信
号を出力し、画像走査開始信号等の情報信号により画像
データの走査を行う。これと同時に、光検出器9の検出
信号に基づき所定のタイミングで駆動電流IIの設定の
ための信号P、SETを出力し、したがって駆動電流制
御手段は倍走査ごとに駆動電流■1の設定を行うことに
なる。
As a result, the drive current (1) is the sum of the bias current (1) and the bias current (I), as described above. The optical output by P is adjusted to a predetermined level, and when it reaches the predetermined level, the adjustment operation is completed and fixed to J- by the Q output of the flip-flop 44. As a result, the signal processing circuit 7 inputs a power set completion signal to, for example, J- from the Q output of the flip-flop 44, and knows that the setting of the drive current is completed. As a result, it is determined that image data can be scanned, the video signal is set to a low level, a signal is output to a peripheral device, and image data is scanned using an information signal such as an image scan start signal. At the same time, signals P and SET for setting the drive current II are outputted at predetermined timing based on the detection signal of the photodetector 9, and therefore the drive current control means sets the drive current II for each double scan. I will do it.

これによれば、回転多面鏡3からなる走査手段による走
査1周期(1面の走査期間)に対する画像データの走査
に要する期間の割合(走査期間率)が高く、走査1周期
ごとの半導体レーザ駆動電流の設定に許容される期間が
短い走査装置においても、安定した光出力を発生するた
めの駆動電流の設定が可能となる0以上の動作は第5図
のタイミングチャートに示される。図中、αはしきい値
電流レベルの程度を示し、前述のごとく、80〜90%
である。
According to this, the ratio of the period required for scanning image data (scanning period ratio) to one scanning period (scanning period of one surface) by the scanning means consisting of the rotating polygon mirror 3 is high, and the semiconductor laser is driven for each scanning period. The timing chart in FIG. 5 shows the operation of 0 or more, which allows the drive current to be set to generate stable optical output even in a scanning device where the period allowed for setting the current is short. In the figure, α indicates the degree of threshold current level, and as mentioned above, 80 to 90%
It is.

また、走査1周期に対する画像データの走査に要する期
間の割合(走査期間率)が低く、走査1周期ごとの半導
体レーザ駆動電流の設定に許容される期間が比較的長い
場合には、光検出器9の検出信号に基づき、倍走査ごと
に所定のタイミングで信号処理回路7からバイアス電流
設定のための信号B、SETおよび駆動電流設定のため
の信号P、SETを順次送ることにより、毎走査毎にバ
イアス電流および駆動電流の設定が可能であり、この場
合には、バイアス電流の値をしきい値電流のレベルに近
づけることが可能(電源変動、装置および半導体レーザ
1自体の温度変動に対する余裕分を小さくすることが出
来る)となるため、より効果的なバイアス電流および駆
動電流の制御ができ、したがって目的とする半導体レー
ザ1の点灯中の自己発熱をより小さくすることが出来る
In addition, if the ratio of the period required for scanning image data to one scanning period (scanning period ratio) is low and the period allowed for setting the semiconductor laser drive current for each scanning period is relatively long, the photodetector Based on the detection signal 9, signals B and SET for bias current setting and signals P and SET for drive current setting are sequentially sent from the signal processing circuit 7 at a predetermined timing for each double scan. In this case, it is possible to set the bias current and drive current close to the threshold current level. Therefore, the bias current and drive current can be controlled more effectively, and the self-heating during lighting of the target semiconductor laser 1 can be further reduced.

この動作のタイミングチャートを第6図に示す。A timing chart of this operation is shown in FIG.

尚、1つのパッケージ内に複数の発光部を有する半導体
レーザにおいては各々の発光素子による自己発熱の影響
から互いの熱的干渉もあり、バイアス電流による効果は
より大ぎくなろ。また、このような複数の発光部を有す
る半導体レーザにおいてもその光出力を検出する光検出
器9は1個である場合が多い。この場合に、例えば発光
部を4つ有する半導体レーザにおいては、第7図のタイ
ミングチャートに示すように、半導体レーザ1の各々の
発光部の光出力を所定レベルとするための駆動電流制御
に許容される期間を時分割で行う必要があり、各々の発
光部の駆動電流制御に許容される期間はより短かくなる
ため、第5図のタイミングチャートで示した実施例のご
と(、バイアス電流■1を所定レベルで固定し、駆動電
流IIのみを走査ごとに設定する方法が有効になる。
Incidentally, in a semiconductor laser having a plurality of light emitting parts in one package, there is mutual thermal interference due to the influence of self-heating by each light emitting element, and the effect of bias current becomes even more severe. Further, even in such a semiconductor laser having a plurality of light emitting parts, there is often only one photodetector 9 for detecting its optical output. In this case, for example, in a semiconductor laser having four light emitting parts, as shown in the timing chart of FIG. It is necessary to time-divisionally control the drive current of each light emitting section, and the period allowed for drive current control of each light emitting section becomes shorter. 1 is fixed at a predetermined level and only the drive current II is set for each scan.

上述した実施例によれば、半導体レーザの発光効率のバ
ラツキ、且つしたがってしきい値電流レベルのバラツキ
を考慮して、バイアス電流がしきい値電流より大きくな
らないような安全な値に設定している従来装置に比して
、バイアス電流をしきい値電流により近づけてバイアス
電流を高くし、かかる装置をより一層効果的にすること
が出来る。
According to the embodiment described above, the bias current is set to a safe value that does not exceed the threshold current, taking into account the variations in the luminous efficiency of the semiconductor laser and therefore the variations in the threshold current level. Compared to conventional devices, the bias current can be brought closer to the threshold current, increasing the bias current and making such devices even more effective.

(効果) 叙上のごとく、特許請求の範囲の各項に記載の本発明に
よれば、半導体レーザビームを走査して画像を形成する
装置等において、半導体レーザの点灯時の自己発熱によ
る光量変動を少なくするために、バイアス電流の値を自
動的かつ効率的な値、すなわち、しきい値電流の値によ
り近い値に制御することに′より、光出力変動による感
光体上での潜像電位の変化を小さくすることが出来るレ
ーザの出力制御装置を提供することが出来る。
(Effects) As described above, according to the present invention recited in each of the claims, in a device that scans a semiconductor laser beam to form an image, fluctuations in light amount due to self-heating when the semiconductor laser is turned on can be avoided. By automatically and efficiently controlling the bias current value to a value closer to the threshold current value, the latent image potential on the photoreceptor due to light output fluctuations can be reduced. It is possible to provide a laser output control device that can reduce changes in .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明によるレーザの出力側′a装置の一実施
例を示すブロック図、第2図は第1図の装置の詳細を示
す回路図、第3図は本発明によるレーザの出力制御装置
の変形実施例を示す第2図と同様な回路図、第4図は本
発明によるレーザの出力制御装置に使用するレーザ走査
装置を示すブロック図、第5図、第6図および第7図は
本発明によるレーザの出力制御装置の動作を示すタイミ
ングチャート、第8図は従来の半導体レーザの出力制御
装置を示すブロック図、第9図は第8図の従来vi置の
半導体レーザ駆動回路および制御回路を示すブロック図
、第10図は光出力の変動量を示す特性図、第11図は
他の従来Wn Kの例を示すブロック図である。 1・・・半導体レーザ、3・・・回転多面鏡、5・・・
感光体ドラム、7・・・信号処理回路、8・・・レーザ
駆動回路、9・・・光検出器、20・・・印加回路、2
1・・・検出回路、22・・・バイアス電流制御手段、
23・・・駆動回路、24・・・検出回路、25・・・
駆動電流;νIiB手段。 第4図 第7図 P、SEr、4
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the laser output side 'a device according to the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing details of the device in FIG. 1, and FIG. 3 is a laser output control according to the present invention. A circuit diagram similar to FIG. 2 showing a modified embodiment of the device, FIG. 4 a block diagram showing a laser scanning device used in the laser output control device according to the present invention, FIGS. 5, 6, and 7. is a timing chart showing the operation of the laser output control device according to the present invention, FIG. 8 is a block diagram showing the conventional semiconductor laser output control device, and FIG. 9 is a timing chart showing the operation of the conventional semiconductor laser output control device of FIG. FIG. 10 is a block diagram showing the control circuit, FIG. 10 is a characteristic diagram showing the amount of variation in optical output, and FIG. 11 is a block diagram showing another example of conventional WnK. 1... Semiconductor laser, 3... Rotating polygon mirror, 5...
Photosensitive drum, 7... Signal processing circuit, 8... Laser drive circuit, 9... Photodetector, 20... Application circuit, 2
1... Detection circuit, 22... Bias current control means,
23... Drive circuit, 24... Detection circuit, 25...
Drive current; νIiB means. Figure 4 Figure 7 P, SEr, 4

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体レーザの光出力を検出する光検出手段を有
し、該光検出手段の出力に応じて前記半導体レーザの駆
動電流を制御するレーザ出力制御装置において、前記光
検出手段の出力をモニタして前記半導体レーザのしきい
値電流の値を検出しかつ該しきい値電流より少ない電流
を前記半導体レーザへ印加するバイアス電流制御手段と
、前記光検出手段の出力をモニタして前記半導体レーザ
の光出力が所定の値となるように駆動電流を制御する駆
動電流制御手段とを備えたことを特徴とするレーザ出力
制御装置。
(1) In a laser output control device that has a photodetection means for detecting the optical output of a semiconductor laser and controls a driving current of the semiconductor laser according to the output of the photodetection means, the output of the photodetection means is monitored. bias current control means for detecting a threshold current value of the semiconductor laser and applying a current smaller than the threshold current to the semiconductor laser; and a bias current control means for monitoring the output of the photodetection means to 1. A laser output control device comprising: drive current control means for controlling a drive current so that the optical output of the laser becomes a predetermined value.
(2)前記半導体レーザの光を走査する走査手段と、こ
の走査手段による走査光を検出する走査光検出手段とを
備えてなることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項
に記載のレーザ出力制御装置。
(2) The device according to claim 1, comprising a scanning means for scanning the light of the semiconductor laser, and a scanning light detection means for detecting the scanning light by the scanning means. Laser output control device.
(3)半導体レーザの光出力を検出する光検出手段を有
し、該光検出手段の出力に応じて前記半導体レーザの駆
動電流を制御するレーザ出力制御装置において、前記光
検出手段の出力をモニタして前記半導体レーザのしきい
値電流の値を検出し且つ電源および温度の変動時におい
ても前記しきい値電流を越えることのない、このしきい
値電流に対する一定の割合の電流を前記半導体レーザに
印加するバイアス電流制御手段と、前記光検出手段の出
力をモニタして前記半導体レーザの光出力が所定の値と
なるように駆動電流を制御する駆動電流制御手段とを備
えてなることを特徴とするレーザ出力制御装置。
(3) In a laser output control device that includes a photodetection means for detecting the optical output of a semiconductor laser and controls a drive current of the semiconductor laser according to the output of the photodetection means, the output of the photodetection means is monitored. to detect the value of the threshold current of the semiconductor laser, and to supply a current to the semiconductor laser at a constant rate with respect to the threshold current, which does not exceed the threshold current even when the power supply and temperature change. and drive current control means that monitors the output of the photodetector and controls the drive current so that the optical output of the semiconductor laser becomes a predetermined value. Laser output control device.
(4)前記半導体レーザの光を走査する走査手段と、こ
の走査手段による走査光を検出する走査光検出手段とを
備えてなることを特徴とする特許請求の範囲第(3)に
記載のレーザ出力制御装置。
(4) The laser according to claim 3, characterized in that the laser comprises a scanning means for scanning the light of the semiconductor laser, and a scanning light detection means for detecting the scanning light by the scanning means. Output control device.
(5)半導体レーザの光出力を検出する光検出手段を有
し、該光検出手段の出力に応じて前記半導体レーザの駆
動電流を制御するレーザ駆動装置と、前記半導体レーザ
の光を走査する走査手段および該走査手段による走査光
を検出する走査光検出手段を有するレーザ走査装置とを
備えたレーザ出力制御装置において、前記レーザ駆動装
置が、前記光検出手段の出力をモニタして前記半導体レ
ーザのしきい値電流の値を検出しかつ該しきい値電流よ
り少ない電流を前記半導体レーザへ印加するバイアス電
流制御手段と、前記光検出手段の出力をモニタして前記
半導体レーザの光出力が所定の値となるように駆動電流
を制御する駆動電流制御手段とからなり、待機中は光走
査による前記走査光検出手段の検出信号に基づいてバイ
アス電流のみの設定を行い、画像形成のための光走査期
間中は前記走査光検出手段の検出信号に基づいて駆動電
流のみの設定を行うことを特徴とするレーザ出力制御装
置。
(5) A laser driving device that includes a photodetection means for detecting the light output of a semiconductor laser and controls a driving current of the semiconductor laser according to the output of the photodetection means, and a scanning device that scans the light of the semiconductor laser. and a laser scanning device having a scanning light detecting means for detecting the scanning light by the scanning means, wherein the laser driving device monitors the output of the light detecting means and controls the output of the semiconductor laser. bias current control means for detecting the value of a threshold current and applying a current smaller than the threshold current to the semiconductor laser; and monitoring the output of the photodetection means to adjust the optical output of the semiconductor laser to a predetermined level. During standby, only the bias current is set based on the detection signal of the scanning light detection means by optical scanning, and the optical scanning for image formation is performed. A laser output control device characterized in that during the period, only the drive current is set based on the detection signal of the scanning light detection means.
(6)半導体レーザの光出力を検出する光検出手段を有
し、該光検出手段の出力に応じて前記半導体レーザの駆
動電流を制御するレーザ駆動装置と、前記半導体レーザ
の光を走査する走査手段および該走査手段による走査光
を検出する走査光検出手段を有するレーザ走査装置とを
備えたレーザ出力制御装置において、前記レーザ駆動装
置が、入力信号に基づいて制御動作を開始し、前記光検
出手段の出力をモニタして前記半導体レーザのしきい値
電流の値を検出しかつ該しきい値電流より少ない電流を
前記半導体レーザへ印加してバイアスセット完了信号を
出力するバイアス電流制御手段と、前記バイアスセット
完了信号に基づいて前記走査光検出手段により前記走査
手段の走査光が検出可能な第1の所定の値の光出力とな
るような電流を前記半導体レーザへ印加する手段と、前
記走査光検出手段による前記走査光検出信号に基づいて
前記光検出手段の出力をモニタして前記半導体レーザの
光出力が所定の値となるように印加電流を制御する駆動
電流制御手段とからなることを特徴とするレーザ出力制
御装置。
(6) A laser drive device that includes a photodetector that detects the light output of a semiconductor laser and controls a drive current of the semiconductor laser according to the output of the photodetector, and a scanning device that scans the light of the semiconductor laser. and a laser scanning device having a scanning light detection means for detecting the scanning light by the scanning means, wherein the laser driving device starts a control operation based on an input signal, and the laser driving device starts a control operation based on an input signal, and bias current control means that monitors the output of the means to detect a threshold current value of the semiconductor laser, applies a current smaller than the threshold current to the semiconductor laser, and outputs a bias set completion signal; means for applying a current to the semiconductor laser such that the scanning light of the scanning means has a first predetermined value of light output detectable by the scanning light detection means based on the bias set completion signal; drive current control means for monitoring the output of the light detection means based on the scanning light detection signal from the light detection means and controlling the applied current so that the optical output of the semiconductor laser becomes a predetermined value; Characteristic laser output control device.
(7)半導体レーザの光出力を検出する光検出手段を有
し、該光検出手段の出力に応じて前記半導体レーザの駆
動電流を制御するレーザ出力制御装置において、該レー
ザ駆動装置は前記光検出手段の出力をモニタして半導体
レーザのスレッシュ電流のレベルを検出し該スレッシュ
電流より少ない電流を前記半導体レーザへ印加するバイ
アス電流制御手段と、前記光検出手段の出力をモニタし
て前記半導体レーザの光出力が所定レベルとなるように
印加電流を制御する駆動電流制御手段とよりなり、前記
走査光検出手段の検出信号に基づきバイアス電流の設定
と駆動電流の設定を順次行うことを特徴とするレーザ出
力制御装置。
(7) In a laser output control device that has a photodetection means for detecting the light output of a semiconductor laser and controls a driving current of the semiconductor laser according to the output of the photodetection means, the laser drive device bias current control means for monitoring the output of the light detection means to detect the level of a threshold current of the semiconductor laser and applying a current smaller than the threshold current to the semiconductor laser; A laser comprising a driving current control means for controlling an applied current so that the optical output is at a predetermined level, and sequentially setting a bias current and a driving current based on a detection signal of the scanning light detecting means. Output control device.
JP62106346A 1987-05-01 1987-05-01 Laser output controller Pending JPS63273380A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62106346A JPS63273380A (en) 1987-05-01 1987-05-01 Laser output controller

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62106346A JPS63273380A (en) 1987-05-01 1987-05-01 Laser output controller

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63273380A true JPS63273380A (en) 1988-11-10

Family

ID=14431247

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62106346A Pending JPS63273380A (en) 1987-05-01 1987-05-01 Laser output controller

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63273380A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004106419A (en) * 2002-09-19 2004-04-08 Fuji Xerox Co Ltd Light source control device
JP2007223109A (en) * 2006-02-22 2007-09-06 Brother Ind Ltd Optical controller
JP2009196358A (en) * 2008-01-25 2009-09-03 Ricoh Co Ltd Apparatus and method for image forming
JP2009255547A (en) * 2008-03-18 2009-11-05 Ricoh Co Ltd Image forming apparatus and image forming method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004106419A (en) * 2002-09-19 2004-04-08 Fuji Xerox Co Ltd Light source control device
JP2007223109A (en) * 2006-02-22 2007-09-06 Brother Ind Ltd Optical controller
JP2009196358A (en) * 2008-01-25 2009-09-03 Ricoh Co Ltd Apparatus and method for image forming
JP2009255547A (en) * 2008-03-18 2009-11-05 Ricoh Co Ltd Image forming apparatus and image forming method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4663760A (en) Semiconductor laser output control device
JPS59146069A (en) Stabilizing device of light source
US4796265A (en) Imaging using collectively controlled multiple beams
US4618958A (en) Device for controlling the radiating output of a semiconductor laser
JPS62281485A (en) Output controller for semiconductor laser
JP2003347664A (en) Semiconductor laser drive circuit and image forming device
JPS63273380A (en) Laser output controller
JPH03202807A (en) Light quantity controller for laser oscillator
JP3255295B2 (en) Image exposure equipment
JP2002321402A (en) Imaging apparatus
JPH0313586B2 (en)
JPS60171863A (en) Output controller of semiconductor laser
JPH0363073B2 (en)
JP3511627B2 (en) Image exposure equipment
JPS62273863A (en) Output controller for luminous element array
JPS60169179A (en) Abnormality processing device for semiconductor laser
JPS61175655A (en) Output controller of semiconductor laser
JPS60245364A (en) Picture recording device
JP2000330346A (en) Laser beam quantity controller and control method
JPS60169182A (en) Semiconductor-laser protecting system
JP2672527B2 (en) Semiconductor laser output adjustment device
JPS60170280A (en) Controller for output from semiconductor laser
JPS61109371A (en) Output control device of semiconductor laser
JPS61174786A (en) Output adjusting method of semiconductor laser
JPH05328070A (en) Image forming device