JPS6327066U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6327066U JPS6327066U JP11939986U JP11939986U JPS6327066U JP S6327066 U JPS6327066 U JP S6327066U JP 11939986 U JP11939986 U JP 11939986U JP 11939986 U JP11939986 U JP 11939986U JP S6327066 U JPS6327066 U JP S6327066U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- impurity diffusion
- diffusion region
- forming
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11939986U JPS6327066U (pl) | 1986-08-05 | 1986-08-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11939986U JPS6327066U (pl) | 1986-08-05 | 1986-08-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6327066U true JPS6327066U (pl) | 1988-02-22 |
Family
ID=31006736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11939986U Pending JPS6327066U (pl) | 1986-08-05 | 1986-08-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6327066U (pl) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008507152A (ja) * | 2004-07-19 | 2008-03-06 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | 格子界面を有する画素セル |
| WO2010047086A1 (ja) * | 2008-10-23 | 2010-04-29 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびに表示装置 |
| WO2010050161A1 (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびに表示装置 |
| WO2010084725A1 (ja) * | 2009-01-23 | 2010-07-29 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびに表示装置 |
| WO2010103802A1 (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2010134571A1 (ja) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびに表示装置 |
| WO2011024577A1 (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | シャープ株式会社 | 光センサ、半導体装置、及び液晶パネル |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP11939986U patent/JPS6327066U/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008507152A (ja) * | 2004-07-19 | 2008-03-06 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | 格子界面を有する画素セル |
| WO2010047086A1 (ja) * | 2008-10-23 | 2010-04-29 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびに表示装置 |
| JP5314040B2 (ja) * | 2008-10-23 | 2013-10-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2010050161A1 (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびに表示装置 |
| US8460954B2 (en) | 2008-10-27 | 2013-06-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, method for manufacturing same, and display device |
| WO2010084725A1 (ja) * | 2009-01-23 | 2010-07-29 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびに表示装置 |
| US8829526B2 (en) | 2009-01-23 | 2014-09-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, method for manufacturing same, and display device |
| WO2010103802A1 (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8466048B2 (en) | 2009-03-13 | 2013-06-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Selective recrystallization of semiconductor |
| WO2010134571A1 (ja) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびに表示装置 |
| US8415678B2 (en) | 2009-05-21 | 2013-04-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and display device |
| WO2011024577A1 (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | シャープ株式会社 | 光センサ、半導体装置、及び液晶パネル |