JPS63269443A - Electron beam apparatus - Google Patents
Electron beam apparatusInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は電子ビームテスター、電子顕微鏡および電子ビ
ーム露光装置等の鏡筒内の光学系部品に経時的に付着し
た絶縁膜(該鏡筒内に微量に残留したイオウや炭素化合
物等に電子ビームが照射されることによって生成される
物質であり、コンタミネーションと呼ばれている。)を
除去するために、該鏡筒内に希ガス導入口と、イオンビ
ーム発生部と、プラズマ用の電磁コイルと、イオン中和
用コイルとを備えていることを特徴としている。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to an insulating film that adheres over time to optical system components in the lens barrel of electron beam testers, electron microscopes, electron beam exposure devices, etc. In order to remove contamination, which is a substance generated when sulfur, carbon compounds, etc. It is characterized by comprising a generator, a plasma electromagnetic coil, and an ion neutralization coil.
これにより、真空を維持しながら電子ビーム経路ノアパ
ーチャや電子レンズに付着したコンタミネーションを主
、副偏向器、7ライメントコイルおよびスキャンコイル
とを走査することによってエツチングすることができる
。Thereby, contamination attached to the electron beam path noaperture and electron lens can be etched away by scanning the main and sub deflectors, the 7-line coil, and the scan coil while maintaining a vacuum.
このため、従来のような電子ビーム鏡筒の分解1組み立
て及び排気作業等を省略することが可能である。また電
子光学系部品の寿命を実質的に長くすることが可能であ
る。Therefore, it is possible to omit the conventional disassembly and assembly of the electron beam column, exhaust operations, and the like. It is also possible to substantially extend the life of the electronic optical system components.
本発明は電子ビーム装置に関するものであり、更に詳し
く言えば電子ビーム鏡筒内にコンタミネーションを除去
する機能を備えた電子ビーム欠lに関するものである。The present invention relates to an electron beam device, and more particularly to an electron beam detector having a function of removing contamination within an electron beam column.
第2図は従来例を説明する図である。 FIG. 2 is a diagram illustrating a conventional example.
まず電子ビームStlの構造を筒単に説明すれば、同図
において、1は電子ビーム鏡筒、2は゛電子銃、3はア
ライメントコイル、4は主偏向器。First, to briefly explain the structure of the electron beam Stl, in the figure, 1 is an electron beam column, 2 is an electron gun, 3 is an alignment coil, and 4 is a main deflector.
5は副偏向器、6および8は電子レンズ、7はスキャン
コイル、9は7ノード、10.11および12はアパー
チャ(絞り)、13は試料室、14はステージ、15は
電子ビームを示している。5 is a sub-deflector, 6 and 8 are electron lenses, 7 is a scan coil, 9 is a 7-node, 10.11 and 12 are apertures (stops), 13 is a sample chamber, 14 is a stage, and 15 is an electron beam. There is.
次に電子ビーム装置の鏡筒内を真空にするため真空ポン
プを用いて排気を行う、なお、この際に真空ポンプのオ
イルやオーリングのグリス等は不純物となって該鏡筒内
に微量ながら残留する〔発明が解決しようとする問題点
〕
ところで従来の構成によれば経時的にアパーチャや光学
系部品等に絶縁膜(コンタミネーション)が付着し、こ
れに電子ビームがあたって該絶縁膜に電荷が帯電するチ
ャージアップ現象を誘発する。このため電子ビームが異
常に偏向され、電子ビームが光軸に通らないなどの不安
定を招く。Next, a vacuum pump is used to evacuate the inside of the lens barrel of the electron beam device. At this time, oil from the vacuum pump, grease from the O-ring, etc. become impurities and may enter the lens barrel in small amounts. However, according to the conventional configuration, an insulating film (contamination) adheres to the aperture, optical system components, etc. over time, and when the electron beam hits this, the insulating film is damaged. It induces a charge-up phenomenon in which electric charges are charged. This causes the electron beam to be abnormally deflected, causing instability such as the electron beam not passing through the optical axis.
このためコンタミネーションを除去する必要があり、そ
の都度電子ビーム鏡筒を分解して順次アパーチャや光学
系部品を堆り出して、各部品毎にア七トン等を浸した布
などで清掃しなくてはならない。For this reason, it is necessary to remove contamination, and it is not necessary to disassemble the electron beam column each time, take out the aperture and optical system parts one by one, and clean each part with a cloth soaked in A7Ton, etc. must not.
また、各部品の清掃後、電子ビーム鏡筒の組立てをし、
さらに排気作業をしなくてはならないというメンテナン
ス上の問題がある。After cleaning each part, assemble the electron beam column.
Furthermore, there is a maintenance problem in that exhaust work must be performed.
本発明はかかる従来例の問題に鑑みて創作されたもので
あり、鏡筒内の真空状態を保ちなからアパーチャや光学
系部品等のコンタミネーションを除去することができる
機能を備えた電子ビーム装置の提供を目的とする。The present invention was created in view of the problems of the conventional example, and provides an electron beam device having a function of removing contamination from the aperture, optical system components, etc. while maintaining a vacuum state within the lens barrel. The purpose is to provide.
上記目的を達成させるため本発明は、実施例第1図に示
すように電子ビームm筒21内に電子銃22、アライメ
ントコイル23.複数のアパーチャ30,31,32、
偏向器24,25、電子レンズ26.28及びスキャン
コイル27等の電子部品、光学系部品を有する電子ビー
ム装置において、電子ビーム鏡筒21内に希ガスを導入
するための希ガス導入口33と、電子銃22の下方に設
けられるイオンビーム発生部34と、該イオンビーム発
生部34の周囲に設けられプラズマ生成に用いる電磁コ
イル35と、前記鏡筒21内の電子部品および光学系部
品毎にその被清掃面上に設けられるイオン中和用フィラ
メント36 、37 。In order to achieve the above object, the present invention provides an electron gun 22, an alignment coil 23. multiple apertures 30, 31, 32,
In an electron beam device having electronic components and optical system components such as deflectors 24 and 25, electron lenses 26 and 28, and scan coil 27, a rare gas inlet 33 for introducing rare gas into the electron beam column 21; , an ion beam generating section 34 provided below the electron gun 22, an electromagnetic coil 35 provided around the ion beam generating section 34 and used for plasma generation, and each electronic component and optical system component within the lens barrel 21. Ion neutralizing filaments 36 and 37 are provided on the surface to be cleaned.
38.39を備えている電子ビーム装置を提供する。38.39 An electron beam device is provided.
本発明によれば例えば、主偏向器用のアパーチャを清掃
する場合には希ガスを該鏡筒内に導入し、イオン発生部
でプラズマ化した希ガスイオン(例えばAr・)を加速
して鏡筒内に引出し、希ガスイオンビー′ムを副偏向器
によって制御し、該アパーチャ上に設けたイオン中和用
アライメントによって希ガスイオンを直前で中和し、加
速した希ガス(Ar)jX子を表面に衝突させることに
よってエツチングし、これによりコンタミネーションを
除去することができる。According to the present invention, for example, when cleaning the aperture for the main deflector, a rare gas is introduced into the lens barrel, and the rare gas ions (for example, Ar) that have been turned into plasma in the ion generator are accelerated to The rare gas ion beam is controlled by a sub-deflector, the rare gas ions are neutralized just before using the ion neutralization alignment provided on the aperture, and the accelerated rare gas (Ar) By impacting the surface, it can be etched, thereby removing contamination.
このため、真空状態を保持しながら、従来のように電子
ビーム鏡筒を分解することなく光学系部品等の清掃をす
ることが可能となる。Therefore, while maintaining a vacuum state, it is possible to clean optical system components and the like without disassembling the electron beam column as in the past.
次に図を参照しながら本発明の実施例について説明する
。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の実施例に係る電子ビーム装置を説明す
る図であり、同図(&)は電子ビーム装置の構成図、同
図(b)は該m、筒内に設けられるイオン発生部の構成
図である。FIG. 1 is a diagram for explaining an electron beam device according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 (&) is a configuration diagram of the electron beam device, and FIG. FIG.
同図(a)において21は電子ビーム鏡筒本体、22は
電子銃、23は該ビームを位置合わせするためのアライ
メントコイル、24および25は該ビームを偏向させる
ための主、副静電偏向器、26および28は光学的レン
ズの働きをする電子レンズ、27は該ビームを走査する
スキャンコイル、29は7ノード、30,31および3
2は光学的絞りの働きをするアパーチャ、33は希ガス
導入口、34は昂ガスをプラズマ化して加速して引き出
すためのイオンビーム発生部、35はプラズマ発生用の
電磁コイル、36゜37.38および39はイオン中和
用フィラメント、40は試料室、41はステージ、42
は電子ビームを示している。In the same figure (a), 21 is an electron beam column body, 22 is an electron gun, 23 is an alignment coil for aligning the beam, and 24 and 25 are main and sub electrostatic deflectors for deflecting the beam. , 26 and 28 are electron lenses that function as optical lenses, 27 is a scanning coil that scans the beam, 29 is 7 nodes, 30, 31, and 3.
2 is an aperture that functions as an optical diaphragm; 33 is a rare gas inlet; 34 is an ion beam generator for converting the gas into plasma, accelerating it, and extracting it; 35 is an electromagnetic coil for plasma generation; 36°, 37. 38 and 39 are filaments for ion neutralization, 40 is a sample chamber, 41 is a stage, 42
indicates an electron beam.
また同図(b)において、43は希ガスイオンビーム、
44は熱電子を放出させるためのカソード、45は希ガ
スをプラズマ化するための円筒上の陽極、46は希ガス
イオンビーム43を制御するメツシュ状の制御用グリッ
ド、47は希ガスイオンビームを鏡筒内に引き出すため
のメツシュ状の引き出し用グリッド、48はこれらを支
持する絶縁ホルダを示している。In addition, in the same figure (b), 43 is a rare gas ion beam;
44 is a cathode for emitting thermoelectrons, 45 is a cylindrical anode for converting rare gas into plasma, 46 is a mesh-like control grid for controlling the rare gas ion beam 43, and 47 is for controlling the rare gas ion beam. A mesh-like drawer grid 48 is used to draw the lens into the lens barrel, and numeral 48 indicates an insulating holder that supports the mesh-like drawer grid.
次にコンタミネーションを清掃する場合についての動作
を説1!1する。Next, we will explain the operation when cleaning contamination.
まず、真空状態を保持したまま希ガス、例えば本発明で
はArを希ガス導入口33より鏡筒内21に導入する。First, a rare gas, for example Ar in the present invention, is introduced into the lens barrel 21 through the rare gas inlet 33 while maintaining a vacuum state.
カソード44、陽極45および電磁コイル35に電圧を
加えてArガスをプラズマ化する0次いで制御用グリッ
ド46および引出し用グリッド47を加減してAr’イ
オンビームを加速して鏡筒内に引き出す。A voltage is applied to the cathode 44, the anode 45, and the electromagnetic coil 35 to turn the Ar gas into plasma. Then, the control grid 46 and the extraction grid 47 are adjusted to accelerate the Ar' ion beam and extract it into the lens barrel.
例えばアパーチャ31に付着したコンタミネーションを
除去したいときは、アライメントコイル23または副偏
向器25を制御してAr’イオンビームなアパーチャ3
1の表面に走査し照射する0次にアパーチャ31の直前
に設けられたイオン中和用フィラメント37に電圧を加
えることによりAr”イオンを直前で中和して、Ar原
子をアパーチャを表面に衝突させてエツチングする。こ
れによりコンタミネーションを除去することかでさる。For example, when it is desired to remove contamination attached to the aperture 31, the alignment coil 23 or the sub-deflector 25 is controlled to
By applying a voltage to the ion neutralizing filament 37 provided just before the 0-order aperture 31 that scans and irradiates the surface of 1, the Ar'' ions are neutralized just before the aperture 31 and the Ar atoms collide with the surface of the aperture. This removes contamination.
なお、希ガスイオンビームは中和しない限りアライメン
トコイル23、主、副偏向器24および25、電子レン
ズ26および28.スキャンコイル27によって偏向し
たり縮小したりすることができる。Note that unless the rare gas ion beam is neutralized, the alignment coil 23, main and sub deflectors 24 and 25, electron lenses 26 and 28 . It can be deflected or reduced by the scan coil 27.
このように他のアパーチャや光学部品等の表面に付着し
たコンタミネーションも真空を破ることなく順次f:I
MすることがでJる。これにより従来のような電子ビー
ム鏡筒を分解したり1組立てたり、排気したりする作業
が不要となる。In this way, contamination that has adhered to the surfaces of other apertures and optical components can be sequentially removed by f:I without breaking the vacuum.
I can do M and I can do J. This eliminates the need for the conventional work of disassembling the electron beam column, assembling it, and evacuation.
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば真空状態を保持し
たままで、アパーチャや光学部品等に付着したコンタミ
ネーションを清掃することができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, contamination attached to the aperture, optical components, etc. can be cleaned while maintaining a vacuum state.
これにより、従来のような分解、組立ておよび排気作業
等を省略することができるので、電子ビーム装置の稼動
効率を向上させることが可壱となる。This makes it possible to omit the conventional disassembly, assembly, exhaust work, etc., thereby making it possible to improve the operating efficiency of the electron beam device.
第1図は本発明の実施例に係る電子ビーム装置の構成を
説明する図、
第2図は本発明の詳細な説明する図である。
(符号の説明)
1.21・・・電子ビーム鏡筒、
2.22・・・電子鏡、
3.23・・・アライメントコイル。
4.24・・・主偏向器、
5.25・・・副偏向器、
6.8,26.28・・・電子レンズ、7.27・・・
スキャンコイル、
9.29・・・7ノード。
10.11,12,29,30,31.32・・・アバ
ーチt、
13.40・・・試料室、
14.41・・・ステージ、
15.42・・・電子ビーム。
33・・・希ガス導入口、
34・・・イオンビーム発生部。
35・・・電磁コイル。
36.37,38.39・・・イオン中和用フィラメン
ト、
43・・・島ガスイオンビーム、
44・・・カソード。
45・・・陽極。
46・・・制御用グリッド、
47・・・引き出し用グリッド、
48・・・絶縁ホルダ。FIG. 1 is a diagram illustrating the configuration of an electron beam apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram illustrating details of the present invention. (Explanation of symbols) 1.21...Electron beam column, 2.22...Electron mirror, 3.23...Alignment coil. 4.24... Main deflector, 5.25... Sub-deflector, 6.8, 26.28... Electronic lens, 7.27...
Scan coil, 9.29...7 nodes. 10.11, 12, 29, 30, 31.32... Avert t, 13.40... Sample chamber, 14.41... Stage, 15.42... Electron beam. 33... Rare gas inlet, 34... Ion beam generation part. 35... Electromagnetic coil. 36.37, 38.39...Filament for ion neutralization, 43...Island gas ion beam, 44...Cathode. 45... Anode. 46... Control grid, 47... Drawer grid, 48... Insulating holder.
Claims (1)
チャ(30、31、32)、偏向器(24、25)、複
数の電子レンズ(26、28)及びスキャンコイル(2
7)等の電子部品、光学系部品を有する電子ビーム装置
において、 前記電子ビーム鏡筒(21)内に設けられる希ガスを導
入するための希ガス導入口(33)と、前記電子銃(2
2)の下方に設けられるイオンビーム発生部(34)と
、 該イオンビーム発生部(34)の周囲に設けられプラズ
マ生成に用いる電磁コイル(35)と、前記鏡筒(21
)内の電子部品および光学系部品毎にその被清掃面上に
設けられるイオン中和用フィラメント(36、37、3
8、39)を備えていることを特徴とする電子ビーム装
置。[Claims] In the electron beam column (21), an electron gun (22), an alignment coil (23), a plurality of apertures (30, 31, 32), a deflector (24, 25), a plurality of electron Lenses (26, 28) and scan coils (2
In an electron beam device having electronic components and optical system components such as 7), a rare gas inlet (33) for introducing a rare gas provided in the electron beam column (21), and a rare gas inlet (33) for introducing a rare gas provided in the electron beam column (21);
2) an ion beam generation section (34) provided below, an electromagnetic coil (35) provided around the ion beam generation section (34) and used for plasma generation, and the lens barrel (21).
) ion neutralizing filaments (36, 37, 3) provided on the surface to be cleaned for each electronic component and optical system component.
8, 39).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10497087A JPS63269443A (en) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | Electron beam apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10497087A JPS63269443A (en) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | Electron beam apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63269443A true JPS63269443A (en) | 1988-11-07 |
Family
ID=14394962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10497087A Pending JPS63269443A (en) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | Electron beam apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63269443A (en) |
-
1987
- 1987-04-28 JP JP10497087A patent/JPS63269443A/en active Pending
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