JPS6326717A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
Semiconductor integrated circuitInfo
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- JPS6326717A JPS6326717A JP17051886A JP17051886A JPS6326717A JP S6326717 A JPS6326717 A JP S6326717A JP 17051886 A JP17051886 A JP 17051886A JP 17051886 A JP17051886 A JP 17051886A JP S6326717 A JPS6326717 A JP S6326717A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野〕
本発明は、バスライン全内部に有する半導体集積回路に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a semiconductor integrated circuit included entirely within a bus line.
一般に半導体集積回路の内部のバスラインは、マイクロ
コンピュータ内の各装置間の情報の受は渡しに使用さ几
、その受は渡しに要する時間が短い事が要求ζルる。Generally, bus lines inside a semiconductor integrated circuit are used to transfer information between devices within a microcomputer, and the time required for the transfer is required to be short.
半導体集積回路に関する従来技術の一例?第3図に示す
。An example of conventional technology related to semiconductor integrated circuits? It is shown in Figure 3.
llnMOSインバータ、Tri、 Tr2 f’c
、NチャネルMOS,Tr3 n、PチャネルMOS
゜311に電NCL端子である。第3図において、プリ
チャージ信号111がロウレベルの時、バスライン14
がプリチャージさ几、信号111がハイレベルの時、各
装置間の情報の受は渡しが行なわれ、この時、各装置が
情報を出し、その情報がバスライン上に乗り、情報の受
は子側のMOSインバータ11へ情報が伝達さ几る。llnMOS inverter, Tri, Tr2 f'c
, N channel MOS, Tr3 n, P channel MOS
゜311 is the power NCL terminal. In FIG. 3, when the precharge signal 111 is at low level, the bus line 14
When the signal 111 is precharged and the signal 111 is at a high level, information is passed between each device, and at this time, each device outputs information, the information is placed on the bus line, and the information is not received. Information is transmitted to the MOS inverter 11 on the slave side.
今、Tri、Tr2 に装置の出力が接続ζ−nた場
合について説明する。Now, the case where the output of the device is connected to Tri and Tr2 will be explained.
プリチャージ信号111がハイレベルの時信号112,
113がそ几ぞ几ハイレベルになnば、バスライン14
にプリチャージさ几た電荷が放電シハスライン14は、
ロウレベルとなり、インバータ11の出力信号211i
、ハイレベルになる。When the precharge signal 111 is at high level, the signal 112,
If 113 reaches a high level, bus line 14
The precharged charge is discharged from the discharge line 14,
The output signal 211i of the inverter 11 becomes low level.
, reach a high level.
プリチャージ信号111がハイレベル0時、信号112
.113のいずれがあるいに両方が、ロウレベルであれ
ば、バスライン14にプリチャージさ九た電荷に、その
壕ま、残る為バスライン14にハイレベル?保持し、イ
ンバータ11の出力信号211i’!、ロウレベルの1
1である。When the precharge signal 111 is at high level 0, the signal 112
.. If either or both of 113 are at low level, the bus line 14 will be pre-charged and its hole will remain, so the bus line 14 will be at high level? The output signal 211i' of the inverter 11 is held. , low level 1
It is 1.
従来の半導体集積回路に、そのバスライン上の容忙、抵
抗などの負荷にエフバスラインの信号の時間的な遅几が
太きいという欠点がある。そこで本発明の目的は、上述
した従来のバスラインの欠点を解決し、信号の時間的な
遅れが小さい半導体集積回路全提案することにある。Conventional semiconductor integrated circuits have a drawback in that the time delay of signals on the F-bus line is large due to loads such as load and resistance on the bus line. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks of the conventional bus line and to propose an entire semiconductor integrated circuit in which the time delay of signals is small.
し問題点?解決するための手段〕
本発明のバスラインに、プリチャージ方式の第1のバス
ラインと前記第1のバスラインのディスチャージ用MO
S)ランジスタとディスチャージ方式の第2バスライン
と前記肌2のバスラインのプルアップ用〜IOSトラン
ジスタとを有し前記第1のバスラインに、前記第2のバ
スラインのプルアップ用MO3トランジスタのゲートに
接硬さ几、前記第2のバスラインは、前記第1のバスラ
インのディスチャージ用MOS)ランジスタのゲートに
接続されることを有することにエフ構532.さ几る。The problem? Means for Solving] The bus line of the present invention includes a precharge type first bus line and a discharge MO for the first bus line.
S) It has a transistor, a discharge type second bus line, and an IOS transistor for pulling up the bus line of the skin 2, and an MO3 transistor for pulling up the second bus line on the first bus line. F structure 532.The second bus line is connected to the gate of a discharge MOS transistor of the first bus line. It will be reduced.
この工うにすることにLす、信号の時間的な遅几が小さ
い半導体集積回路が得ら几る、
〔実施例〕
以下本発明の詳細tその実施ψ11に基づき図面?参照
して説明する。By using this method, it is possible to obtain a semiconductor integrated circuit in which the time delay of the signal is small. [Embodiment] The details of the present invention will be described below. Refer to and explain.
第1図に、本発明の半導体集積回路の一実施例の回路図
であり、1. 2. 3にM O84ンバータ、Tr1
3.Tr15.Tr16.Tr17t−zpチャネルh
iO8゜Trll、’1’r12.Tr14.Tri8
tlNチャネルMOS +301〜303に電源端子
である。第2図に第1図のタイミングチャートである。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a semiconductor integrated circuit of the present invention.1. 2. 3 M O84 inverter, Tr1
3. Tr15. Tr16. Tr17t-zp channel h
iO8°Trll, '1'r12. Tr14. Tri8
tlN channel MOS +301 to 303 are power supply terminals. FIG. 2 is a timing chart of FIG. 1.
第1図、第2図においで、入力信号102,103と出
力信号201に、正論理として動作し、入力信号105
,106と出力信号202に、負論理で動作する。そこ
でクロック信号101が、ロウレベルの時、hiosイ
ンバータ3の出力信号に、ハイレベルが出力され第1の
バスライン4と第2のバスライン5は、そ几ぞnプリチ
ャージ、ディスチャージさ几、信号101がハイレベル
の時VC信号の受は渡しが行なわれる。In FIGS. 1 and 2, the input signals 102 and 103 and the output signal 201 operate as positive logic, and the input signal 105
, 106 and the output signal 202, it operates with negative logic. Therefore, when the clock signal 101 is at a low level, a high level is output as the output signal of the HIOS inverter 3, and the first bus line 4 and second bus line 5 are precharged, discharged, and then When 101 is at high level, the VC signal is received and passed.
すなわち、信号101が、ハイレベルの時入力償号10
2,103が共にハイレベルであnば、′ 第1のバス
ライン4框、ロウレベルとなり、Tr15に、第2のバ
スライン5を充電する為、第2のバスライン5は、ハイ
レベルとなりTr14tl、第1のバスライン4全デイ
スチヤージする為、第1のバスライン4汀ロウレベルの
1まであり、出力信号201.20:lX、そnぞ几ハ
イレベルとロウレベルとなる。又、信号101がハイレ
ベルであり、信号105,106が共にロウレベルの時
は信号104がロウレベルになり、信号102,103
が共にハイレベルの時と同様の動作を行なう。That is, when the signal 101 is at a high level, the input compensation signal 10
If both 2 and 103 are at high level, the first bus line 4 becomes low level, and in order to charge the second bus line 5 to Tr15, the second bus line 5 becomes high level and Tr14tl In order to completely discharge the first bus line 4, the first bus line 4 has a low level of 1, and the output signal 201.20:1X becomes a high level and a low level respectively. Further, when the signal 101 is at a high level and the signals 105 and 106 are both at a low level, the signal 104 is at a low level, and the signals 102 and 103 are at a low level.
The same operation is performed when both are at high level.
本発明にLnば、半導体集積回路内部に設けられたバス
ラインを分割できる為に従来のバスラインニ比へて負荷
全軽減でき、バスラインの時間的な遅九を小さくできる
。According to the present invention, since the bus line provided inside the semiconductor integrated circuit can be divided, the load can be completely reduced compared to the conventional bus line, and the time delay of the bus line can be reduced.
本発明の実施911ヶ便宜上CMOS構成のバスライン
を有する半導体集積回路について説明したが実際には、
それ以外の半導体集積回路のバスラインについても信号
の時間的な遅nt、1小ざくする0とができる。Embodiment 911 of the Invention For convenience, a semiconductor integrated circuit having a CMOS bus line has been described, but in reality,
For bus lines of other semiconductor integrated circuits as well, the time delay nt of the signal can be reduced by 1 to 0.
以上の説明で明らかな如く、本発明のバスラインを有す
る半導体集積回路に工れはバスライン?分割でさるため
負荷が軽減され信号の時間的な遅′nを小でぐする効果
?得ることができる。As is clear from the above explanation, is there a problem with the bus line in the semiconductor integrated circuit having the bus line of the present invention? The effect of reducing the load due to division and reducing the time delay of the signal? Obtainable.
第1図は本発明の一実施例のバスラインの回路図、第2
図に第1図のタイミングチャート、第3図に従来のバス
ラインの回路図、第4図に第3図■タイミングチャート
である。
Try Tr13.Tr15.Tr16.Trl?−・
−PチャネルMOS%Tri、Tr2.Trll、Tr
12.Tr14゜T r 18−−・−NチャネルMO
S,1,2,3,11・・・・・・MOSインバーター
、4.14・・・・・・プリチャージ方式ノバスライン
、5・・・・・・ディスチャージ方式のバスライン、3
01,302,303,311・・・・・・電源端子、
102,103,105,106゜112.113・・
−・・・入力信号、101,111・・・・・・プリチ
ャージ信号、201,202,211・・−・−・出力
信号% 104・・・・・・インバータ3の出力信号。FIG. 1 is a circuit diagram of a bus line according to an embodiment of the present invention, and FIG.
1, FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional bus line, and FIG. 4 is a timing chart shown in FIG. 3. Try Tr13. Tr15. Tr16. Trl? −・
-P channel MOS%Tri, Tr2. Trll, Tr
12. Tr14゜Tr 18--・-N channel MO
S, 1, 2, 3, 11...MOS inverter, 4.14...Precharge system novus line, 5...discharge system bus line, 3
01, 302, 303, 311... Power terminal,
102,103,105,106゜112.113...
-... Input signal, 101, 111... Precharge signal, 201, 202, 211... Output signal % 104... Output signal of inverter 3.
Claims (1)
、プリチャージ方式の第1のバスラインと前記第1のバ
スラインのディスチャージ用MOSトランジスタとディ
スチャージ方式の第2のバスラインと前記第2のバスラ
インのプルアップ用MOSトランジスタとを有し、前記
第1のバスラインは、前記第2のバスラインのプルアッ
プ用MOSトランジスタのゲートに接続され、前記第2
のバスラインは、前記第1のバスラインのディスチャー
ジ用MOSトランジスタのゲートに接続されることを特
徴とする半導体集積回路。In a bus line provided inside a semiconductor integrated circuit, a first bus line of a precharge type, a discharge MOS transistor of the first bus line, a second bus line of a discharge type, and the second bus line. a pull-up MOS transistor, the first bus line is connected to the gate of the pull-up MOS transistor of the second bus line, and the second bus line is connected to the gate of the pull-up MOS transistor of the second bus line.
A semiconductor integrated circuit, wherein the bus line is connected to a gate of a discharge MOS transistor of the first bus line.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17051886A JPS6326717A (en) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17051886A JPS6326717A (en) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6326717A true JPS6326717A (en) | 1988-02-04 |
Family
ID=15906423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17051886A Pending JPS6326717A (en) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6326717A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0275244A (en) * | 1988-09-09 | 1990-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | Signal transmission circuit |
JPH02165249A (en) * | 1988-12-19 | 1990-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Bus control circuit |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP17051886A patent/JPS6326717A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0275244A (en) * | 1988-09-09 | 1990-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | Signal transmission circuit |
JPH02165249A (en) * | 1988-12-19 | 1990-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Bus control circuit |
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