JPS6326627B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6326627B2
JPS6326627B2 JP10134580A JP10134580A JPS6326627B2 JP S6326627 B2 JPS6326627 B2 JP S6326627B2 JP 10134580 A JP10134580 A JP 10134580A JP 10134580 A JP10134580 A JP 10134580A JP S6326627 B2 JPS6326627 B2 JP S6326627B2
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JP
Japan
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transistor
voltage
output
diode
winding
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JP10134580A
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JPS5727318A (en
Inventor
Masamori Ishibashi
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication of JPS5727318A publication Critical patent/JPS5727318A/ja
Publication of JPS6326627B2 publication Critical patent/JPS6326627B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/325Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/338Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a self-oscillating arrangement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明はテレビジヨン受像機等の電子機器にお
ける電源回路に係り、自励発振方式のスイツチン
グレギユレータに関するものである。
(従来の技術) 各種電子機器においては、電源電圧を安定化す
る手段としてスイツチングレギユレータが利用さ
れている。一般に自励発振方式のスイツチングレ
ギユレータは、回路が比較的簡単であることから
少電力用として、よく用いられており、出力電圧
の変化に応じてスイツチングトランジスタのオ
ン、オフ状態をコントロールし、出力電圧の変化
を補正し、常に安定した出力を得るようにしてい
る。
このようなスイツチングトランジスタを用いた
回路では、トランジスタのベースに十分なベース
電流を流してドライブした場合、トランジスタを
カツトオフ状態に移行させるときに問題が発生す
る。それはトランジスタのベースキヤリア(蓄積
電荷)の存在であり、このベースキヤリアによつ
てスイツチング動作の遅れを起たすことである。
スイツチングトランジスタをオンからオフにさせ
る場合、ベースキヤリアが長い時間蓄積するタイ
プのものではスイツチング周波数をあまり高く設
定できず、出力電圧の広範囲な安定化は望めな
い。
上記ベースキヤリアの蓄積時間を短くしてスイ
ツチングトランジスタのオフタイミングを確実に
とるようにしたスイツチングレギユレータの一例
として、第3図に示すようなサイリスタを用いた
回路がある。
第3図は、従来の、スイツチングトランジスタ
をサイリスタで制御する方式のスイツチングレギ
ユレータを示した回路図である。その構成は、ダ
イオードブリツヂ1による整流回路に交流入力
ACが供給され、その整流出力端子に生ずる出力
電圧を出力トランスの入力巻線TP(巻数NP、イン
ダクタンスLP)の一端に供給するように接続し
ている。入力巻線TPの他端は、出力トラジスタ
としてのスイツチングトランジスタQ1のコレク
タに接続しており、このコレクタは、コンデンサ
C1及び抵抗R1Aを介して、出力トランジスタQ1
エミツタに接続しており、抵抗R1Aと並列にダイ
オードD1を接続している。このダイオードD1
出力トランジスタQ1の保護用であり、Q1のエミ
ツタにダイオードD1のカソード側が接続されて
いる。そして、出力トランジスタQ1のエミツタ
は、誤差増幅回路2及びドライブ回路3に接続す
ると共に、抵抗R1Bを介して、前記ダイオードブ
リツジ1の基準電圧端子に接続している。尚、ダ
イオードブリツジ1の整流出力端子と基準電圧端
子間にはコンデンサC3を接続してあり、出力ト
ランジスタQ1のベースは、抵抗R2を介して、ダ
イオードブリツジ1の整流出力端子に接続してい
る。
前記誤差増幅回路2はトランジスタQ2を有し、
そのベースは調整抵抗R3の摺動端子に接続して
いる。この抵抗R3の一端は抵抗R4を介して定電
圧ダイオードD2のカソードに接続し、他端はト
ランジスタQ1のエミツタに接続している。定電
圧ダイオードD2のアノードはトランジスタQ2
エミツタに接続するとともに抵抗R6を介してト
ランジスタQ1のエミツタに接続している。トラ
ンジスタQ2のコレクタは抵抗R5を介して、サイ
リスタQ3のゲートに接続している。また、トラ
ンスの制御用巻線T1の両端間にダイオードD3
コンデンサC4による整流平滑回路を接続してお
り、コンデンサC4の両端電圧を定電圧ダイオー
ドD2と抵抗R6の直列回路に供給するようにして
いる。
前記ドライブ回路3はサイリスタQ3を有し、
そのアノードを、コンデンサC5を介してトラン
スのドライブ巻線T2の一端に接続し、かつダイ
オードD4のカソードに接続している。このダイ
オードD4のアノードはドライブ用巻線T2の他端
に接続している。ドライブ巻線T2の一端は抵抗
R7とコイルL1の並列回路を介して、出力トラン
ジスタQ1のペースに接続しており、サイリスタ
Q3のカソードは、ダイオードブリツジ1の基準
電圧端子に接続している。さらにドライブ巻線
T2の他端は、抵抗R8および、ダイオードD5,D6
の逆並列接続とコンデンサC6との3素子並列回
路とを介して出力トランジスタQ1のエミツタに
接続している。またサイリスタQ3のゲートは、
抵抗R9及びコンデンサC7の並列回路を介して、
出力トランジスタQ1のエミツタに接続しており、
かつ抵抗R10を介してコンデンサC2の一端および
ダイオードD7のアノードに接続している。尚、
コンデンサC2の他端はトランジスタQ1にエミツ
タに接続し、ダイオードD7のカソードはドライ
ブ用巻線T2の一端に接続している。
そして、トランスの出力巻線TS(巻数NS、イン
ダクタンスLS)の両端間には、ダイオードD8
コンデンサC8で成る整流回路を接続しており、
この整流回路の出力電圧を負荷(図示せず)に供
給するようにしている。
以上の構成からなる従来のスイツチングレギユ
レータの動作を説明すると、交流入力ACはダイ
オードブリツジ1によつて整流されコンデンサ
C3によつて平滑される。この整流平滑された直
流電圧が入力巻線LPを介してトランジスタQ1
供給されるが、この出力トランジスタQ1をスイ
ツチング動作させることで周波数の高い交流信号
に変換され、出力トランスを通して出力側TS
整流回路(ダイオードD8及びコンデンサC8)に
伝達される。この整流回路からの出力電圧を安定
化するために、誤差増幅回路2が設けられてい
る。即ち制御巻線T1に発生するパルスをダイオ
ードD3、コンデンサC4にて整流平滑した電圧が
抵抗R4,R3にて分圧されてトランジスタQ2のベ
ースに供給され、またエミツタにはツエナーダイ
オードD2による基準電圧が供給されることで、
基準電圧と制御用巻線T1での誘起電圧を比較し、
その比較結果に応じて誤差信号を出力する。この
誤差信号を、抵抗R5を介して、ドライブ回路3
のサイリスタQ3のゲートへ供給される。したが
つてこのサイリスタQ3は出力電圧の大きさに応
じてオン、オフすることになり、このサイリスタ
Q3のオン、オフによつてサランジスタQ1は、そ
のベースバイアスが制御され、トランジスタQ1
のオン期間およびオフ期間が制御され、パルス幅
制御による出力電圧の安定化を図つている。
(発明が解決しようとする問題点) 一般にスイツチングレギユレータでは前述した
ようにベースキヤリアによつてトランジスタのオ
フ状態が遅れることがある。この点、第3図の回
路ではサイリスタQ3がオンすることにより出力
トランジスタQ1はベースが負方向にバイアスさ
れて短時間にベースキヤリアを一掃することがで
きる。
しかし第3図の回路の如きパルス幅制御方式の
スイツチングレギユレータではトランスの入力巻
線電流にリンギング波形が重畳されていたり、一
次巻線間に存在する分布容量による放電電流が生
じた場合、出力トランジスタQ1に流れる電流iC
第4図の如きリンギング電流やスパイク電流が重
畳されることがある。
特に軽負荷時においてはスパイク電流のピーク
値が通常のコレクタ電流よりも大きくなることが
あり、スパイク電流のあるレベルでサイリスタ
Q3が誤動作にて導通し、正常に動作しなくなる。
また出力トランジスタQ1のベースキヤリアは、
検出用抵抗R1Bを通して移動するため、その時定
数により必要以上に蓄積時間が長くなる。更に、
サイリスタQ3はターンオフ時間が存在するため、
トランジスタQ1のオフ時間は少くとも上記ター
ンオフ時間より長くなければならないが、軽負荷
時において出力トランジスタQ1のスイツチング
周波数が高くなつたりすると、サイリスタQ3
ターンオフ時間より出力トランジスタQ1のオフ
時間が短くなる場合もあり、出力電圧が変動する
原因となつて好ましくない。そしてまた第3図の
回路ではダイオードD7、コンデンサC2等からな
る、サイリスタゲートを負にバイアスするための
負電源が必要となる等の不都合があつた。
本発明はこのような問題に対処し、サイリスタ
を用いずにスイツチングトランジスタのオン、オ
フをコントロールし、ベースキヤリアによる影響
を防止するようにしたスイツチングレギユレータ
を提供することを目的とする。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 本発明は上述した点に鑑みてなされたもので、
出力電圧に比例した電圧が誘起される制御用巻線
の電圧によつて誤差増幅器が誤差信号を出力した
際、この巻線の誘起電圧を分圧して、この分圧電
圧をコンデンサに充電し、このコンデンサの出力
と前記誤差増幅器の誤差信号とを重畳して、スイ
ツチングトランジスタのベース電流を可変する制
御回路の入力に供給するようにしたものである。
(作用) 本発明ではスイツチングトランジスタのオン時
間を負荷の変動によつて調整するもので、出力電
圧を安定化でき、また、スイツチングトランジス
タの動作周波数を高周波化しても、出力トランジ
スタの蓄積電荷の影響を制御回路により除去する
ことができ、もつてスイツチング損失を少なく
し、且つ出力トランスの小容量化が可能である。
(実施例) 以下、本発明の一実施例を第1図及び第2図を
参照して説明する。
第1図には、本発明に係る一実施例の回路図が
示されている。この図において、第3図と同一の
要素には同符号が付してあり、それらの詳細につ
いては説明を省略する。第1図において、誤差増
幅器2のトランジスタQ2のコレクタは、抵抗R11
を介して制御回路4を構成するトランジスタQ4
のベースに接続し、且つパルス幅可変回路5を構
成するコンデンサC9の一端に接続している。コ
ンデンサC9の他端は、制御用巻線T1と並列に接
続された抵抗R12及びR13の直列回路の接続点に
接続している。また、この接続点にはダイオード
D9のカソードを接続し、そのアノードは制御用
巻線T1の他端に接続している。制御用巻線T1
他端は、ダイオードブリツジ1の基準電圧端子に
接続している。そしてパルス幅可変回路5のコン
デンサC9の一端は、抵抗R14を介して誤差増幅器
2を構成する定電圧ダイオードD2のカソードに
接続している。
前記したトランジスタQ4のエミツタはダイオ
ードブリツジ1の基準電圧端子に接続しており、
コレクタはトランジスタQ5のベースに接続して
いる。トランジスタQ4のコレクタとトランジス
タQ5のエミツタ間に抵抗R15が接続され、トラン
ジスタQ5のエミツタは、コンデンサC5の一端と
ダイオードD4のカソードとの接続点に接続して
いる。トランジスタQ5のコレクタは、トランジ
スタQ4のエミツタに接続すると共に、ダイオー
ドD10のアノードに接続している。ダイオード
D10のカソードは抵抗R10を介して、ドライブ用
巻線T2の他端に接続してある。ドライブ用巻線
T2の一端の接続は第3図と同様である。
また、出力トランジスタQ1のエミツタ、ダイ
オードD1のカソード及び抵抗R1Aの接続点は、ダ
イオードブリツジ1の基準電圧端子に接続してい
る。尚、制御用巻線T1の巻線N1とし、ドライブ
巻線T2の巻数をN2とする。
第2図は、第1図の動作を示す波形図である。
第2図において、電圧VPはトランスの入力巻線
TPでの電圧波形、V1は制御巻線T1での誘起電圧
波形、VBE4はトランジスタQ4のベース・エミツ
タ間電圧波形を示している。またIC5はトランジ
スタQ5のコレクタ電流波形、IB1はトランジスタ
Q1のベース電流波形、IC1はトランジスタQ1のコ
レクタ電流波形、ID8はダイオードD8の電流波形
である。各横軸は時間であり、トランジスタQ1
のオン、オフ周期はTで示され、TONはトランジ
スタQ1のオン期間を示し、TOFFはオフ期間を示
す。
尚、図中一点鎖線は交流接地レベルを示し、細
線は直流レベルを示す。
以上の構成よりなる本発明に係るスイツチング
レギユレータの動作を説明する。電源投入により
起動抵抗R2を通して出力トランジスタQ1に若干
のベース電流が供給され、トランジスタQ1のコ
レクタ電流IC1が流れる。このコレクタ電流IC1は、
ダイオードブリツジ1の整流出力端子からトラン
スの入力巻線TPを介してトランジスタQ1のコレ
クタに向かう方向に流れ始め、ドライブ巻線T2
に同極性の誘起電圧を発生する。この誘起電圧
は、トランジスタQ1のベース電流を更に増加さ
せるようにするので、トランジスタQ1は完全に
飽和領域に達する。トランジスタQ1が飽和した
後も、前記したようにドライブ巻線T2にはベー
ス電流を増加させる方向に誘起電圧が生じている
ので、トランジスタQ1ベース電流は増加し続け
る。
このベース電流IB1は 略 (Vi・N2/NP)×(VF(D10)+VBE1)/R10 但しViは電源の電圧値、 VF(D10)はダイオードD10の順方向電圧降下、 VBE1はトランジスタQ1のベース、エミツタ間
電圧値 によつて示される。
このベース電流IB1に対し、トランジスタQ1
コレクタ電流IC1は略d/dtIC1=Vi/LPの傾きでもつて 上昇する。そして出力トランス等により定められ
る。コレクタ飽和電流に達すると、前記コレクタ
電流の上昇率を示す式の値は減少し始め、それと
同時にドライブ巻線の誘起電圧の極性が変わるの
で、トランジスタQ1のベース電流IB1はドライブ
巻線の時定数で除々に減少する。前記ベース電流
IB1があるしきい値まで減少すると、トランジス
タQ1は不飽和領域に達する。一方、出力トラン
スの入力巻線TPに発生した電圧VPはダイオード
D8により負荷側に供給され、トランジスタQ1
スイツチング動作が終了する。以後所定の出力電
圧VOに達する迄、この過程を繰り返すものであ
る。
定常状態の動作について第2図を参照して説明
する。
最初、出力トランジスタQ1がオフのときは、
トランスの出力巻線TSに出力電圧VOが誘起され、
入力巻線電圧VPによる磁気エネルギーが供給さ
れ、負荷供給電圧を出力している。この入力巻線
電圧VPを第2図の電圧波形VPにて示す。そして
この入力巻線電圧VPは、制御用巻線T1に誘起電
圧V1=VON1/NSで表わされるパルス電圧を誘起し ている(第2図の電圧波形V1参照)。この誘起パ
ルス電圧V1を充放電するためのコンデンサC9
び抵抗R12,R13よる時定数R12R13×C9をトラ
ンジスタQ1のオフ期間TOFFより小さく設定すれ
ば、コンデンサC9はトランジスタQ1のオフ期間
TOFF中に誘起パルス電圧を充電できる。この充電
電圧は、(V1・R13/R12+R13−VBE4)でほぼ表わすこ
とが できる。(この充電電圧は、後にトランジスタQ1
がターンオンする際、制御トランジスタQ4のベ
ースに放電して負電源を供給するためのバイアス
となる。第2図の電圧波形VBE4は、トランジスタ
Q4のベース、エミツタ間電圧を示し、前記した
時定数R12R13×C9により、トランジスタQ1
オン時間TONを制御することができる。) またドライブ巻線T2の誘起パルス電圧VO
N2/NSによりコンデンサC5はダイオードD4を通
して充電されるがこの充電電圧はトランジスタ
Q1をカツトオフする際の逆バイアス源となる。
このダイオードD4の導通時、トランジスタQ5
オン可能であるが、コレクタ電流は流れない。
(第4図の電流波形IC5参照)。
そしてトランジスタQ1のオフ期間TOFF中、ダ
イオードD8が導通して、出力トランスの磁気エ
ネルギーが負荷側に完全に放出された時点でダイ
オードD8がオフする。その後、トランスのイン
ダクタンスLPに並列に存在する分布容量がもつ
静電エネルギーにより、インダクタンスLPとこ
の分布容量が共振し、いわゆるバツクスイングと
称されるパルスが発生する(第4図の電源波形
IC1参照)。この過程において巻線間電圧VPの極性
が反転し、トランジスタQ1はオンする。そして
前記した様に、極性反転した入力巻線電圧VPが、
制御用巻線T1に誘起されることにより、トラン
ジスタQ4は、コンデンサC9の充電電圧により逆
バイアスされ、オフする。
一方、出力トランジスタQ1がオンとなつて再
びオフするタイミングは、トランジスタQ5がオ
ンすることにより得られる。即ち、トランジスタ
Q1のオン時間TONは制御トランジスタQ4及びQ5
のオフ時間によつて決定され、出力トランジスタ
Q1の蓄積時間をTSG1とすると、TON=TOFF4+TSG1
で示される。ここでTOFF4はトランジスタQ4のオ
フ時間である。トランジスタQ4のオフ時間TOFF4
はコンデンサC5の放電量が関係する。即ち誤差
増幅器2のトランジスタQ2のコレクタ電流によ
つてトランジスタQ4,Q5がオンすることにより、
コンデンサC5の電荷が放電され、その放電電圧
がトランジスタQ4のベース、エミツタ間電圧に
達するとトランジスタQ4はオフする。
誤差増幅器2のトランジスタQ2は、出力トラ
ンジスタQ1のオフ期間中導通するが出力電圧VO
が変化すると前記した誘起電圧VO・N1/NSも、
それに比例して変化し、誤差増幅器2のトランジ
スタQ2のコレクタ電流量がそれに応じて変りト
ランジスタQ4の導通状態つまりオフ時間TOFF4
変化する。これによつて出力トランジスタQ1
オン時間、オフ時間の関係が出力電圧VOを安定
化するように変化する。
トランジスタQ4及びQ5がオンすると、出力ト
ランジスタQ1のベース、エミツタ間を逆バイア
スするため、ベースの蓄積電荷が素早く一掃され
トランジスタQ1はカツトオフする。
尚、ダイオードD9はトランジスタQ1のオン時
に導通するが誤差増幅器2のトランジスタQ2
コレクタ電流が最大のときにも導通するように抵
抗R12の値が設定されており、これによりトラン
ジスタQ4のベース、エミツタ間の逆耐バイアス
電圧値は略(N1VO/NS)×(R13/R12+R13)−
VBE−VF(D9)となり、約5V未満となる。又、ダイ
オードD9はトランジスタQ4がオフしている期間、
ベースから見たトランジスタQ4の入力インピー
ダンスを下げ、トランジスタQ4の蓄積時間によ
るこの回路に与える悪影響をほとんど無視出来る
ように考慮したものである。
〔効果〕
以上述べたように本発明によれば、ベースキヤ
リアを素早く一掃することができる構成であるた
め、スイツチング周波数を高くすることができ、
入力電圧に対するレギユレーシヨン範囲が広く、
しかも幅広い負荷電力の変動に対して安定して動
作することができる。またサイリスタを用いてい
ないので出力トランスのインダクタンスや分布容
量による出力変化時のスパイク電流に対しても回
路が誤動作することがない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る自励発振式スイツチング
レギユレータを示す回路図、第2図は第1図の動
作を説明するための波形図、第3図は従来のサイ
リスタ制御を用いたスイツチングレギユレータの
回路図、第4図は第3図での出力トランジスタの
スパイク電流を示した波形図である。 2……誤差増幅器、Q1……スイツチングトラ
ンジスタ、Q4,Q5……トランジスタ、TP……ト
ランスの入力巻線、T1,T2……制御巻線、ドラ
イブ巻線、D2,D4,D9……ダイオード、R12
R13……抵抗、C5、C9……第1、第2のコンデン
サ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 トランスの入力巻線にコレクタ・エミツタ路
    を直列に接続したスイツチング用の第1のトラン
    ジスタと、 この第1のトランジスタのベースに一端を接続
    したトランスのドライブ巻線と、 このドライブ巻線の他端に接続したダイオード
    および、このダイオードとドライブ巻線の一端間
    に結合し、このダイオードを介して充電される電
    1のコンデンサとを有する回路と、 この第1のコンデンサの充電電圧をコレクタ・
    エミツタ路を介して放電するための第2のトラン
    ジスタと、 トランスの制御巻線に接続された整流回路、お
    よび基準電圧手段を有するとともに、この整流回
    路の出力電圧に比例した電圧と基準電圧手段によ
    る基準電圧とを比較して誤差出力を発生する第3
    のトランジスタを有する誤差増幅器と、 前記制御巻線間に接続された分圧手段と、 この分圧手段による分圧電圧を第2のコンデン
    サを介して前記誤差増幅器の誤差出力とともに前
    記第2のトランジスタのベースに供給する手段と
    を具備して成る自励発振式スイツチングレギユレ
    ータ。
JP10134580A 1980-07-25 1980-07-25 Self-excited oscillation type switching regulator Granted JPS5727318A (en)

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