JPS63263699A - Sample holding circuit - Google Patents

Sample holding circuit

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Publication number
JPS63263699A
JPS63263699A JP62099405A JP9940587A JPS63263699A JP S63263699 A JPS63263699 A JP S63263699A JP 62099405 A JP62099405 A JP 62099405A JP 9940587 A JP9940587 A JP 9940587A JP S63263699 A JPS63263699 A JP S63263699A
Authority
JP
Japan
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transistor
current
circuit
diode
emitter
Prior art date
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Pending
Application number
JP62099405A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuya Sone
曽根 一也
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPS63263699A publication Critical patent/JPS63263699A/en
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Abstract

PURPOSE:To maintain the holding function of a sample holding circuit by interrupting a prescribed transistor (TR) in a holding mode to remove droop due to bias current. CONSTITUTION:When a control input voltage SH and the inverse of SH are respectively 'L' and 'H', i.e. when both TRs Q14, Q17 are interrupted and TRs Q15, Q16 are conducted, the device is set up in a holding mode. In a sampling mode, emitter follower operation is executed, a TR Q12 changing a capacitor CH is interrupted by the connection of a diode D14 to stop its charging operation and the instantaneous value of the CH is held. Thereby, the operating current of the conductive TR Q16 is supplied from a power supply 15 and the operating current of the TR Q15 becomes the output current of a current mirror circuit consisting of TRs Q19, Q20 and a reference current for the current mirror circuit which flows in the route of a TR Q11 and a diode D14. Thereby, the voltage VCE of the TR Q15 is boosted, the base voltage of the TR Q12 is dropped and the TR Q12 is interrupted.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はアナログ信号の瞬時値を標本化し保持するサン
プルホールド回路に関し、特に高速のアナログ信号を取
り扱い、集積回路に適用して有効な技術に関する。
Detailed Description of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to a sample-and-hold circuit that samples and holds the instantaneous value of an analog signal, and particularly relates to a technique that handles high-speed analog signals and is effective when applied to integrated circuits. .

(従来の技術) 従来、この種のサンプルホールド回路として、第2図に
示すような回路があるが、その動作を以下に述べる。
(Prior Art) Conventionally, there is a circuit as shown in FIG. 2 as this type of sample and hold circuit, and its operation will be described below.

いま、第2図において、サンプルホールド制御入力端子
3および4(通常、入力端子4には入力端子3に対して
位相が180度異金石矩形波の反転入力が入力される。
Now, in FIG. 2, sample-and-hold control input terminals 3 and 4 (normally, an inverted input of a chalcopyrite rectangular wave having a phase difference of 180 degrees with respect to input terminal 3 is input to input terminal 4.

)の制御入力電圧SH,SHがそれぞれハイレベル状態
“H”、ロウレベル状態“し” (以下、単に“H”お
よび“L”と示す、)にある場合には差動トランジスタ
対Qa+Qsおよび差動トランジスタ対Q6.Q7のう
ちトランジスタQ4.Q7が共に導通状態、トランジス
タQg、Q6は共にしゃ断状態となり本回路の状態はサ
ンプルモードとなる。すなわち、入力端子1から入力さ
れるアナログ入力信号ViaはトランジスタQ1のベー
スに印加され、Qlはエミッタフォロワ動作をするeQ
tのエミッタに接続されたダイオードD!ないしD3は
レベルシフト回路として動作し、その電流は定電流源I
4により供給される。Qlのペースエミッタ間電圧をV
BR1+ダイオードDsないしD3の順方向電圧をすべ
て等しいと仮定しv!1とおくと、トランジスタQ2の
ベースに印加される電圧はVln−Vaε1+3V!l
となる。定電流源14の電流とQlの動作電流とを加え
合せた電流はQ4を介して定電流源11の電流となる。
), the differential transistor pair Qa+Qs and the differential transistor pair Qa+Qs and the differential transistor pair Qa+Qs and Transistor pair Q6. Of transistor Q7, transistor Q4. Both transistors Q7 are in a conductive state, transistors Qg and Q6 are both in a cut-off state, and the state of this circuit is in the sample mode. That is, the analog input signal Via input from input terminal 1 is applied to the base of transistor Q1, and Ql is eQ which operates as an emitter follower.
Diode D connected to the emitter of t! D3 operates as a level shift circuit, and its current is connected to a constant current source I.
Supplied by 4. The pace emitter voltage of Ql is V
Assuming that the forward voltages of BR1 + diodes Ds to D3 are all equal, v! 1, the voltage applied to the base of transistor Q2 is Vln-Vaε1+3V! l
becomes. A current obtained by adding the current of the constant current source 14 and the operating current of Ql becomes the current of the constant current source 11 via Q4.

エミッタにホールド容量C,が接続されエミッタフォロ
ワ動作をするQ2は上記V 1n −VBI、1+ 3
 Vll f)電圧ヲヘースに受けCHを充電する。こ
の時のQ2のペースエミッタ間電圧をVBε2とおくと
C,の電位はVln −(Vaat +Vap−2) 
+3VDとなり、Vlnに対して電位が3V!+ −(
VBEI +Vap2) レベルシフトされて追従する
。さらに、第2図に示すようにQ2のエミッタにベース
が接続されたトランジスタQ8および定電流源I3とか
らなるエミッタフォロワ回路を接続し、Qaのエミッタ
すなわち出力端子2より出力信号voを取り出すように
した場合には、Qaのペースエミッタ間電圧がVB+!
8の時・VOはVln−(Vaas +Vap:2+V
aag)+3Vnとなる。ここで、Q1+ 02 +Q
 a + D sないしD3の各素子の電流密度が等し
くなるよう設定するとVaas +Vap2+Var:
g #3v!1とおくことができ、その結果V xo 
#V oとすることが可能となる。すなわち、サンプル
モードにおいては出力信号Voは入力信号Vlnに等し
く追従することになる。
Q2, which has a hold capacitor C, connected to its emitter and operates as an emitter follower, has the above V 1n -VBI, 1+ 3
Vll f) Receives voltage and charges CH. If the pace emitter voltage of Q2 at this time is set as VBε2, the potential of C is Vln - (Vaat +Vap-2)
+3VD, the potential is 3V with respect to Vln! + -(
VBEI +Vap2) Level shifted and followed. Furthermore, as shown in FIG. 2, an emitter follower circuit consisting of a transistor Q8 whose base is connected to the emitter of Q2 and a constant current source I3 is connected so that the output signal vo is taken out from the emitter of Qa, that is, the output terminal 2. In this case, the pace emitter voltage of Qa is VB+!
When 8, VO is Vln-(Vaas +Vap:2+V
aag)+3Vn. Here, Q1+ 02 +Q
If the current densities of each element from a + Ds to D3 are set to be equal, Vaas +Vap2+Var:
g #3v! 1, so that V xo
It becomes possible to set #V o. That is, in the sample mode, the output signal Vo follows the input signal Vln equally.

次に、SH,SHがそれぞれ11,1″、“H″の場合
、Q4.Q7が共にしゃ断状態、Q弓wQ6が共に導通
状態になり、本回路はホールドモードとなる。すなわち
、Q7.Q2がしゃ断状態となるからC,の充電動作は
停止され、ベースがCHの接地側でない一端に接続され
たトランジスタQ:1が動作を開始して、CHの電位v
1[l+v、の値は保持される。この時、定電流源t、
l I2の電流はダイオードD4およびQs 、Qaを
介して定電流源■4からと、QaおよびQ!1.Q6を
介して電源115より供給される。
Next, when SH and SH are 11, 1'' and "H", respectively, Q4 and Q7 are both cut off, and Q bow wQ6 is both turned on, and the circuit is in hold mode. That is, Q7 and Q2 Since C is cut off, the charging operation of C is stopped, and the transistor Q:1 whose base is connected to one end of CH other than the ground side starts operating, increasing the potential of CH
The value of 1[l+v, is retained. At this time, constant current source t,
l The current of I2 is from constant current source 4 via diode D4, Qs, and Qa, and Qa and Q! 1. It is supplied from power supply 115 via Q6.

以上に述べたように、第2図により、サンプルモードに
おいては入力信号V1nに出力信号voが追従(Vo 
=V1n ) L、ホールドモードに状態が切り換わる
とV、Ilの瞬時値を保持するというサンプルホールド
回路の機能が実行される。
As mentioned above, as shown in FIG. 2, in the sample mode, the output signal vo follows the input signal V1n (Vo
=V1n) When the state is switched to L and hold mode, the function of the sample and hold circuit to hold the instantaneous values of V and Il is executed.

(発明が解決しようとする問題点) 上述した従来のサンプルホールド回路においてはホール
ドモードの際、ボールド容量CHに接続されたトランジ
スタのバイアス電流(ベース電流)!Bが原因で、出力
信号voがIS/CHなる率で漸時減少傾向を呈する、
いわゆるドループ特性を示す。
(Problems to be Solved by the Invention) In the conventional sample-and-hold circuit described above, in the hold mode, the bias current (base current) of the transistor connected to the bold capacitor CH! Due to B, the output signal vo gradually decreases at a rate of IS/CH.
It exhibits so-called droop characteristics.

高速の入力信号を扱う場合には、一般に素子の動作電流
を大きく設定する必要があるのでバイアス電流も大きく
なり、第2図に示すような従来例においてはドループが
大きくなりすぎ、サンプルホールド回路本来の保持機能
を失うことになる。
When handling high-speed input signals, it is generally necessary to set the operating current of the element to a large value, so the bias current also becomes large, and in the conventional example shown in Figure 2, the droop becomes too large and the sample-and-hold circuit is will lose its retention function.

また、ドループを小さくする目的で、バイアス電流I1
1を小さくするためにホールド容量C,に接続されるト
ランジスタとして接合形電界効果トランジスタあるいは
電流増幅率の大きなトランジスタが用いられることがし
ばしばある。しかし、他の部分とは異なる型式のトラン
ジスタを衝く一部とはいえ採用すると、集積回路化にお
いて、標準的な集積回路プロセスに加え上記の特殊なト
ランジスタを同時に作り込むためのプロセスを必要とす
ることになるので集積化プロセスが複雑かつ高価なもの
になるという不都合が生ずる。
Also, in order to reduce the droop, the bias current I1
1, a junction field effect transistor or a transistor with a large current amplification factor is often used as the transistor connected to the hold capacitor C. However, if a transistor of a different type than other parts is used in one part, in addition to the standard integrated circuit process, a process to simultaneously manufacture the above-mentioned special transistors will be required. This results in the disadvantage that the integration process becomes complicated and expensive.

ドループ特性を改善するために、ホールド容量CHに接
続されるトランジスタをダーリントン接続形式としたり
、あるいはバイアス電流補償回路を新たに設けること等
の回路技術を用いたり、ホールド容量CHの値を大きく
したりする処置のように、複雑かつ高価な集積回路プロ
セスを必要としない対策が考えられる。しかし、このよ
うな回路の採用は本質的に回路応答の高速化には適当で
はなく、サンプルモードにおける速い変化の入力信号に
回路の応答が追従できなくなるという問題を生ずる。
In order to improve the droop characteristics, the transistor connected to the hold capacitor CH may be connected to Darlington, or circuit techniques such as installing a new bias current compensation circuit may be used, or the value of the hold capacitor CH may be increased. Countermeasures such as those that do not require complex and expensive integrated circuit processes are possible. However, the employment of such a circuit is essentially not suitable for increasing the speed of circuit response, and causes a problem that the circuit response cannot follow a rapidly changing input signal in the sample mode.

(問題点を解決するための手段) 本発明のサンプルホールド回路は、カレントミラー回路
と、サンプルホールドされるアナログの入力信号がベー
スに入力されコレクタが前記カレントミラー回路のダイ
オード形式接続点に接続された第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのエミッタにカソード側が接続
されアノード側が前記カレントミラー回路の出力点に接
続された単一若しくは複数のダイオードまたはダイオー
ド接続されたトランジスタからなる第1のダイオード素
子と、前記第1のトランジスタのエミッタにアノード側
が接続されカソード側が前記第1のダイオード素子のア
ノード側に接続された第2のダイオードまたはダイオー
ド接続されたトランジスタと、一方のトランジスタのコ
レクタが前記第1のトランジスタのエミッタに接続され
他方のトランジスタのコレクタが前記第1のダイオード
素子のアノード側に接続された第1の差動回路と、ベー
スが前記第1のダイオード素子のアノード側に接続され
コレクタが電源に接続されエミッタにホールド容量が接
続された第2のトランジスタと、一方のトランジスタの
コレクタが電源に接続され他方のトランジスタのコレク
タが前記第2のトランジスタのエミッタに接続された第
2の差動回路とを有している。
(Means for Solving the Problems) The sample and hold circuit of the present invention includes a current mirror circuit, an analog input signal to be sampled and held is input to the base, and the collector is connected to the diode type connection point of the current mirror circuit. a first transistor;
a first diode element consisting of a single or plural diodes or diode-connected transistors whose cathode side is connected to the emitter of the first transistor and whose anode side is connected to the output point of the current mirror circuit; a second diode or a diode-connected transistor whose anode side is connected to the emitter of the transistor and whose cathode side is connected to the anode side of the first diode element; and a collector of one transistor is connected to the emitter of the first transistor. and a first differential circuit in which the collector of the other transistor is connected to the anode side of the first diode element, the base is connected to the anode side of the first diode element, the collector is connected to a power supply, and the emitter is connected to the anode side of the first diode element. a second transistor connected to a hold capacitor; and a second differential circuit in which a collector of one transistor is connected to a power supply and a collector of the other transistor is connected to an emitter of the second transistor. There is.

(作用) 本発明では、動作電流を差動スイッチにより制御する形
式のアナログスイッチを入力回路として用いてサンプル
モードとホールドモードとの切り換えを行なう、そして
、ホールドモードにおける一方の差動対の動作電流とし
て、第1のトランジスタから第2のダイオード(又はダ
イオード接続されたトランジスタ)の経路で流れるカレ
ントミラー回路の基準電流とカレントミラー回路の出力
電流との和を供給し、第2のトランジスタ(ホールド容
量充電用トランジスタ)をしゃ断することによりバイア
ス電流に起因するドループを無くしている。
(Function) In the present invention, an analog switch in which the operating current is controlled by a differential switch is used as an input circuit to switch between the sample mode and the hold mode, and the operating current of one differential pair in the hold mode is , the sum of the reference current of the current mirror circuit flowing in the path from the first transistor to the second diode (or diode-connected transistor) and the output current of the current mirror circuit is supplied, and the second transistor (hold capacitance By cutting off the charging transistor (charging transistor), droop caused by bias current is eliminated.

(実施例) 次に、本発明について図面を参照して説明する。(Example) Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention.

いま、サンプルホールド制御入力端子13およびその反
転入力端子14の入力電圧SH,SHがそれぞれ“H″
、“H″の状態、すなわち本回路の状態がサンプルモー
ドの場合には、差動トランジスタ対Q14.Q□5およ
び差動トランジスタ対Q16゜(hyのうちトランジス
タ(h41 Q*yが共に導通状態となり、トランジス
タ(hs+ Qleaが共にしゃ断状態となる。入力端
子11から入力されるアナログ信号V1nはトランジス
タ(hlのベースに印加され、Qllはエミッタフォロ
ワ動作をするaQtrのエミッタに接続されたダイオー
ドD11〜D13は、トランジスタQ1e*Q2oから
なるカレントミラー回路の出力電流がその動作電流とな
りレベルシフト回路として動作する。エミッタにホール
ド容量C。
Now, the input voltages SH and SH of the sample hold control input terminal 13 and its inverted input terminal 14 are respectively "H".
, in the "H" state, that is, when the state of this circuit is in the sample mode, the differential transistor pair Q14. Q□5 and differential transistor pair Q16゜(hy, transistor (h41 Q*y) are both in a conductive state, transistor (hs+ The diodes D11 to D13 connected to the emitter of aQtr are applied to the base of hl, and Qll operates as an emitter follower.The output current of the current mirror circuit consisting of transistors Q1e*Q2o becomes the operating current of the diodes D11 to D13, which operate as a level shift circuit. .Hold capacitance C at the emitter.

が接続されたトランジスタQ12はエミッタフォロワ動
作をし、CHを充電する* Qlll C112のペー
スエミッタ間電圧をそれぞれvBal 1 + ” I
IB 12、ダイオードD11ないしD13の順方向電
圧をすべて等しくvllと仮定できるとすればcHの電
位は、V五a−(Var+sx+Vaa*z) +3V
!1 トオ<、ニドtjEでき、Vム。に対し”C3V
n−(Var:s1+Vaat2>だけレベルシフトし
て入力に追従する。さらに、第1図に示すように(h2
のエミッタにベースが接続されたトランジスタQ1aお
よび定電流源113とからなるエミッタフォロワ回路を
付加し、Qjaのエミッタすなわち出力端子12から出
力信号v。
The transistor Q12 to which Q11 is connected operates as an emitter follower and charges CH.
If we can assume that the forward voltages of IB 12 and diodes D11 to D13 are all equal vll, then the potential of cH is V5a-(Var+sx+Vaa*z) +3V
! 1 Too <, Nido tjE deki, Vmu. For “C3V”
The level is shifted by n-(Var:s1+Vaat2> to follow the input.Furthermore, as shown in FIG.
An emitter follower circuit consisting of a transistor Q1a whose base is connected to the emitter of Qja and a constant current source 113 is added, and an output signal v is output from the emitter of Qja, that is, the output terminal 12.

を取り出すようにした場合、Qlgのペースエミッタ間
電圧がvaalaであるとするとVO=VI11−(V
aa*x+Vat*2+Vaasa) + 3 VB 
トナ4 、 、:こでQlll Q121 Q1a+ 
DltないしD13の各素子の電流密度を等しく設定す
るとVaa*1+V@ε第2#2 Vn + vBpt
lj+vllE12+vBa18岬3 VF6とするこ
とが可能であり、従ってCHの電位はv Ia +V1
1、出力電圧V O= V 111となり、それぞれサ
ンプルモードにおいては入力信号Vtaに追従する。
If the pace emitter voltage of Qlg is vaala, then VO=VI11-(V
aa*x+Vat*2+Vaasa) + 3 VB
Tona 4, ,: Kode Qllll Q121 Q1a+
If the current density of each element from Dlt to D13 is set equal, Vaa*1 + V@ε2nd #2 Vn + vBpt
lj + vllE12 + vBa18 Cape 3 VF6, therefore, the potential of CH is v Ia + V1
1, the output voltage V O = V 111, and each follows the input signal Vta in the sample mode.

SH,SHがそれぞれ“L n、“H”の場合、すなわ
ちQ141Q17が共にしゃ断状態、QlN。
When SH and SH are "Ln" and "H", respectively, that is, both Q141 and Q17 are in the cut-off state, QlN.

Q16が共に導通状態になると、本回路はホールドモー
ドとなる。サンプルモードにおいてはエミッタフォロワ
動作をし、CMの充電を行なっていたQs2がダイオー
ドD14の導通によりしゃ断状態となり、充電動作を停
止し、C,4の電位v 、Il+ v Bの瞬時値が保
持される。すなわち、導通状態にあるQ16の動作電流
は電源15から供給され、QJgの動作電流は、Q t
 p + Q 20からなるカレントミラー回路の出力
電流およびQ1111h4の経路で流れるカレントミラ
ー回路の基準電流を加えた電流となる。したがって、ト
ランジスタ(haのVC1=電圧が上昇し、結局トラン
ジスタ(h2のベース電圧が降下し、トランジスタ(h
2はしゃ断状態となる。
When Q16 are both conductive, the circuit is in hold mode. In the sample mode, Qs2, which operates as an emitter follower and was charging CM, becomes cut off due to the conduction of diode D14, stopping the charging operation, and the instantaneous values of the potentials v and Il+vB of C and 4 are held. Ru. That is, the operating current of Q16 in the conducting state is supplied from the power supply 15, and the operating current of QJg is Q t
The current is the sum of the output current of the current mirror circuit consisting of p + Q 20 and the reference current of the current mirror circuit flowing through the path of Q1111h4. Therefore, the VC1=voltage of the transistor (ha) increases, and eventually the base voltage of the transistor (h2) drops, and the voltage of the transistor (h2) increases.
2 is in a cutoff state.

第1図に示すように、負荷を駆動するなめ実用上出力部
にエミッタフォロワを付加した例においては、トランジ
スタQraとホールド容量C,の漏れ電流は無視し得る
ものとしてQsaの電流増幅率いては、トランジスタQ
3 、Qsの電流増幅率をhpaと仮定すると となるため、各定電流源の値を仮にl、=12=13 
=I鵞i  It =2・14と設定するととなる。第
1図の実施例のドループレイトはとなるから、本実施例
の回路によればトループレ能となる。
As shown in Figure 1, in an example in which an emitter follower is added to the output section for practical purposes to drive a load, the current amplification factor of Qsa is , transistor Q
3. Assuming that the current amplification factor of Qs is hpa, let us assume that the value of each constant current source is l, = 12 = 13
If we set =I = 2.14, then it becomes. Since the droop rate of the embodiment shown in FIG. 1 is as follows, the circuit of this embodiment has true playability.

(発明の効果) 以上説明したように、本発明によればアナログ信号の瞬
時値を標本化し、さらにこれを保持する回路すなわちサ
ンプルホールド回路において、特に集積回路化を考慮し
た場合、標本化時の追従速度を損わずに、かつ接合形電
界効果トランジスタ等の特殊な素子を同時に作り込むた
めの複雑すなわち高価な集積回路プロセスを要すること
がなく、標準的なプロセスにより、その保持特性を従来
の回路に比較して2倍以上向上させることが可能となる
効果がある。
(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, in a circuit that samples the instantaneous value of an analog signal and further holds it, that is, a sample-and-hold circuit, when integrating circuits are taken into consideration, Without compromising tracking speed and requiring a complex or expensive integrated circuit process to simultaneously fabricate special elements such as junction field effect transistors, the retention characteristics can be improved compared to conventional processes using a standard process. This has the effect of making it possible to improve the performance by more than twice that of the conventional circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は従来
例の回路図である。 1.11・・・入力端子、2.12・・・出力端子、3
.4゜13、14・・・制御入力端子、5.6,15.
16・・・電源線、Qs 〜Qa 、Qss〜Qzo−
)ランジスタ、D1〜D 4 + D 11〜D14・
・・ダイオード、C,・・・ホールド容量、11〜14
slSj〜1鵞3・・・定電流源。
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional example. 1.11...Input terminal, 2.12...Output terminal, 3
.. 4゜13, 14... control input terminal, 5.6, 15.
16...Power line, Qs ~ Qa, Qss ~ Qzo-
) transistor, D1~D4 + D11~D14・
・・Diode, C, ・・Hold capacitance, 11 to 14
slSj~1鵞3... Constant current source.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] カレントミラー回路と、サンプルホールドされるアナロ
グの入力信号がベースに入力されコレクタが前記カレン
トミラー回路のダイオード形式接続点に接続された第1
のトランジスタと、前記第1のトランジスタのエミッタ
にカソード側が接続されアノード側が前記カレントミラ
ー回路の出力点に接続された単一若しくは複数のダイオ
ードまたはダイオード接続されたトランジスタからなる
第1のダイオード素子と、前記第1のトランジスタのエ
ミッタにアノード側が接続されカソード側が前記第1の
ダイオード素子のアノード側に接続された第2のダイオ
ードまたはダイオード接続されたトランジスタと、一方
のトランジスタのコレクタが前記第1のトランジスタの
エミッタに接続され他方のトランジスタのコレクタが前
記第1のダイオード素子のアノード側に接続された第1
の差動回路と、ベースが前記第1のダイオード素子のア
ノード側に接続されコレクタが電源に接続されエミッタ
にホールド容量が接続された第2のトランジスタと、一
方のトランジスタのコレクタが電源に接続され他方のト
ランジスタのコレクタが前記第2のトランジスタのエミ
ッタに接続された第2の差動回路とを具備してなること
を特徴とするサンプルホールド回路。
a current mirror circuit; and a first circuit whose base is input with an analog input signal to be sampled and held and whose collector is connected to a diode-type connection point of the current mirror circuit.
a first diode element consisting of one or more diodes or diode-connected transistors whose cathode side is connected to the emitter of the first transistor and whose anode side is connected to the output point of the current mirror circuit; a second diode or diode-connected transistor whose anode side is connected to the emitter of the first transistor and whose cathode side is connected to the anode side of the first diode element; and a collector of one transistor is connected to the first transistor. a first transistor connected to the emitter of the transistor and a collector of the other transistor connected to the anode side of the first diode element.
a second transistor whose base is connected to the anode side of the first diode element, whose collector is connected to a power supply and whose emitter is connected to a hold capacitor; and the collector of one transistor is connected to the power supply. A sample hold circuit comprising a second differential circuit in which the collector of the other transistor is connected to the emitter of the second transistor.
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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62099405A Pending JPS63263699A (en) 1987-04-21 1987-04-21 Sample holding circuit

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JP (1) JPS63263699A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5243235A (en) * 1990-10-30 1993-09-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Sample-and-hold circuit

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5243235A (en) * 1990-10-30 1993-09-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Sample-and-hold circuit

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