JPH01109806A - Sample-and-hold circuit - Google Patents

Sample-and-hold circuit

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JPH01109806A
JPH01109806A JP62267003A JP26700387A JPH01109806A JP H01109806 A JPH01109806 A JP H01109806A JP 62267003 A JP62267003 A JP 62267003A JP 26700387 A JP26700387 A JP 26700387A JP H01109806 A JPH01109806 A JP H01109806A
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hold
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Abstract

PURPOSE:To eliminate droop due to a bias current by supplying an operating current of a differential pair in the hold mode from a bias voltage source via a diode switch and supplying the operating current to the other from a power line. CONSTITUTION:In reaching the hold mode, the emitter follower operation is attained in the sample mode, and a transistor(TR) Q12 charging a hold capacitor CH is interrupted by the conduction of a diode D14, the charging is stopped and an instantaneous value of a potential Vin+VD of the capacitor CH is held. The operating current of the TR Q15 is supplied from a bias voltage terminal 17 via the diode D14 and the operating current of the TR Q16 is supplied from a power line 15. Thus, the droop rate is reduced remarkably to 2/5 of that of a conventional circuit.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はアナログ信号の瞬時値を標本化し保持するサン
プルホールド回路に関し、特に高速のアナログ信号を取
り扱い、集積回路化に適したサンプルホールド回路に関
する。
Detailed Description of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to a sample-and-hold circuit that samples and holds instantaneous values of analog signals, and particularly to a sample-and-hold circuit that handles high-speed analog signals and is suitable for integrated circuit implementation. .

(従来の技術) 従来、この種のサンプルホールド回路として、第2図に
示すような回路があるが、その動作を以下に述べる。
(Prior Art) Conventionally, there is a circuit as shown in FIG. 2 as this type of sample and hold circuit, and its operation will be described below.

いま、第2図において、サンプルホールド制御入力端子
3および4(通常、入力端子4は入力端子3に対して位
相が180度異なる矩形波の反転入力が入力される。)
の制御入力電圧SH,SHがそれぞれハイレベル状態“
J(”、ロウレベル状態“し” (以下、単に“H”お
よび“L”と示す、)にある場合には差動トランジスタ
対Q、、Qsおよび差動トランジスタ対Q、、Q7のう
ちトランジスタQ、、Qyが共に導通状態、トランジス
タQ、、Q6は共にじゃ(!!r状態となり本rgJ#
iの状態はサンプルモードとなる。すなわち、入力端子
1から入力されるアナログ入力信号■、はトランジスタ
Q1のベースに印加され、Qlはエミッタフォロワ動作
をする。Q、のエミッタに接続されたダイオードD、な
いしり、はレベルシフト回路として動作し、その電流は
定電流源I4により供給される。Qlのペースエミッタ
間電圧をV a m l 、ダイオードDIないしD3
の順方向電圧をすべて等しいと仮定しVDとおくと、ト
ランジスタQ2のベースに印加される電圧はV+−Va
g+ +3V、どなる、定電流源I、の電流とQ、の動
作電流とを加え合せた電流はQ4を介して定電流源■1
の電流となる。エミッタにホールド容Ji CHが接続
されエミッタフォロワ動作をするQlは上記V +−V
 sg+ + 3 Vpの電圧をベースに受けCMを充
電する。この時のQlのペースエミッタ間電圧をVH2
とおくとCMの電位は■、−(Vms+ +Vsg* 
) +3Vo トナリ、V、、ニ対1゜て電位が3 V
o   (Vlllll +VB12 )レベルシフト
されて追従する。さらに、第2図に示すようにQlのエ
ミッタにベースが接続されたトランジスタQaおよび定
電流源Isとからなるエミッタフォロワ回路を接続し、
Q8のエミッタすなわち出力端子2より出力信号Vaを
取り出すようにした場合には、Q8のペースエミッタ間
電圧がV□8の時、■。はV+−(Vsa+ +Vam
2+■s*s )+3Voとなる。ここで、Q r +
 Q 21 Q s +D1ないしり、の各素子の電流
密度が等しくなるよう設定するとVa*+ +Vl11
2 +V++ga = 3 V。
Now, in FIG. 2, sample and hold control input terminals 3 and 4 (normally, input terminal 4 receives an inverted input of a rectangular wave whose phase is 180 degrees different from input terminal 3).
The control input voltages SH and SH are respectively in a high level state “
When the transistor is in the low level state (hereinafter simply referred to as "H" and "L"), the transistor Q of the differential transistor pair Q, , Qs and the differential transistor pair Q, , Q7 ,, Qy are both in conduction state, transistors Q, , Q6 are both in (!r state), and this rgJ#
The state of i is in sample mode. That is, the analog input signal (2) inputted from the input terminal 1 is applied to the base of the transistor Q1, and Ql operates as an emitter follower. A diode D connected to the emitter of Q operates as a level shift circuit, and its current is supplied by a constant current source I4. The pace emitter voltage of Ql is V a m l , and the diode DI to D3 is
Assuming that the forward voltages of are all equal and set as VD, the voltage applied to the base of transistor Q2 is V+-Va
g+ +3V, the current that is the sum of the current of constant current source I and the operating current of Q is passed through Q4 to constant current source ■1
The current will be . The hold capacitor Ji CH is connected to the emitter and the Ql that performs emitter follower operation is the above V + - V
The CM is charged by receiving a voltage of sg+ + 3 Vp as the base. The pace emitter voltage of Ql at this time is VH2
Then, the potential of CM is ■, -(Vms+ +Vsg*
) +3Vo Tonari, V,, the potential is 3 V at 1°
o (Vlllll +VB12) Level shifted and followed. Furthermore, as shown in FIG. 2, an emitter follower circuit consisting of a transistor Qa whose base is connected to the emitter of Ql and a constant current source Is is connected,
When the output signal Va is taken out from the emitter of Q8, that is, the output terminal 2, when the pace emitter voltage of Q8 is V□8, ■. is V+-(Vsa+ +Vam
2+■s*s)+3Vo. Here, Q r +
If the current density of each element is set to be equal between Q 21 Q s +D1 and Shiri, Va*+ +Vl11
2 +V++ga = 3V.

とおくことができ、その結果V 1fi= V oとす
ることが可能となる。すなわち、サンプルモードにおい
ては出力信号Voは入力信号v1mに等しく追従するこ
とになる。
As a result, it becomes possible to set V 1fi=V o. That is, in the sample mode, the output signal Vo equally follows the input signal v1m.

次に、SH,SHがそれぞれ“Lm、uHnの場合、Q
4.Q7が共にしゃ断状態、Qs 、Q。
Next, if SH and SH are "Lm and uHn, respectively, then Q
4. Q7 are both cut off, Qs and Q.

が共に導通状態になり、本回路はホールドモードとなる
すなわち、Q7.Qlがしゃ断状態となるためCMの充
電動作は停止され、ベースがC11の接地側でない一端
に接続されたトランジスタQ。
Q7. are both conductive, and the circuit is in hold mode. In other words, Q7. The charging operation of CM is stopped because Ql is cut off, and the transistor Q whose base is connected to one end of C11 that is not the ground side.

が動作を開始して、C□の電位V、、+Voの値は保持
される。この時、定電流源It、Itの電流はダイオー
ドD4およびQs 、Q6を介して定電流源I、からと
、Q、およびQs 、Qaを介して電源線5より供給さ
れる。
starts operating, and the values of the potentials V, . . . +Vo of C□ are held. At this time, the currents of the constant current sources It, It are supplied from the constant current source I via the diodes D4, Qs, and Q6, and from the power supply line 5 via Q, Qs, and Qa.

以上に述べるように、サンプルモードにおいては入力信
号v1.に出力信号Voが追従(VO==v、、)L、
ホールドモードに状態が切り換わるとV l mの瞬時
値を保持するというサンプルホールド回路の機能が実行
される。
As described above, in the sample mode, the input signal v1. The output signal Vo follows (VO==v,,)L,
When the state is switched to the hold mode, the function of the sample and hold circuit to hold the instantaneous value of V l m is executed.

(発明が解決しようとする問題点) 上述した従来のサンプルホールド回路においてはホール
ドモードの際、ホールド容量CMに接続されたトランジ
スタのバイアス電流(ベース電流)I8が原因で、出力
信号V0がI m / Coなる率で漸時減少傾向を呈
する、いわゆるドルーグ特性を示す。
(Problems to be Solved by the Invention) In the conventional sample-and-hold circuit described above, in the hold mode, the output signal V0 becomes I m due to the bias current (base current) I8 of the transistor connected to the hold capacitor CM. It exhibits the so-called drogue characteristic, which shows a gradual decreasing tendency at a ratio of /Co.

これに対して、高速の入力信号を扱う場合には、一般に
素子の動作電流を大きく設定する必要があり、バイアス
電流も大きくなるため第2図に示すような従来例におい
てはドループが大きくなりすぎ、サンプルホールド回路
本来の保持機能を失う。
On the other hand, when handling high-speed input signals, it is generally necessary to set the operating current of the element to a large value, and the bias current also becomes large, so in the conventional example shown in Figure 2, the droop becomes too large. , the sample and hold circuit loses its original holding function.

また、ドループを小さくするため、バイアス電流1.を
小さくする意図でホールド容量C11に接続されるトラ
ンジスタに接合形電界効果トランジスタあるいは電流増
幅率の大きなトランジスタが用いられることがしばしば
あるが、集積回路化を考慮すると、標準的な集積1回路
プロセスに加え上記の特殊なトランジスタを同時に作り
込むためのプロセスを要し、このドループの問題に対処
するためだけの理由でプロセスが複雑すなわち高価なも
のになるという不都合が生ずる。
In addition, in order to reduce the droop, the bias current is set to 1. A junction field effect transistor or a transistor with a large current amplification factor is often used as the transistor connected to the hold capacitor C11 with the intention of reducing the In addition, a process is required to fabricate the above-mentioned special transistors at the same time, and the process becomes complicated and expensive just to deal with the droop problem.

さらに、C)に接続されるトランジスタをダーリントン
接続形式とすること、あるいはバイアス電流補償回路を
新たに設けること等の回路技術を用いる場合やCMの値
を大きくした場合のように、複雑かつ高価な集積回路プ
ロセスを必要としない場合を考慮しても、これらは本質
的に高速化には適当ではなく、サンプルモードにおける
速い変化の入力信号に回路の応答が追従できなくなると
いう問題を生ずる。
Furthermore, there are cases where complicated and expensive circuit technology is used, such as using a Darlington connection type for the transistor connected to C), or installing a new bias current compensation circuit, or when increasing the value of CM. Even considering that integrated circuit processes are not required, they are inherently unsuitable for high speeds and create problems in that the circuit response cannot follow rapidly changing input signals in sample mode.

〈問題点を解決するための手段) 本発明のサンプルホールド回路は、カレントミラー回路
と、入力信号がベースに入力されコレクタが前記カレン
トミラー回路のダイオード形式接続に接続された第1の
トランジスタと、前記第1のトランジスタのエミッタに
カソード側が接続されアノード側が前記カレントミラー
回路の出力点に接続された単一若しくは複数のダイオー
ド又はダイオード接続されたトランジスタからなる第1
のダイオード素子と、アノード側がバイアス電圧に接続
されカソード側が前記第1のダイオード素子のアノード
側に接続された単一若しくは複数のダイオード又はダイ
オード接続されたトランジスタからなる第2のダイオー
ド素子と、一方のトランジスタのコレクタが前記第1の
トランジスタのエミッタに接続され他方のトランジスタ
のコレクタが前記第1のダイオード素子のアノード側に
接続された第1の差動回路と、ベースが前記第1のダイ
オード素子のアノード側に接続されコレクタが電源に接
続されエミッタにホールド容量が接続された第2のトラ
ンジスタと、一方のトランジスタのコレクタが電源に接
続され他方のトランジスタのコレクタが前記第2のトラ
ンジスタのエミッタに接続された第2の差動回路とを備
えてなる。
<Means for Solving the Problems> The sample and hold circuit of the present invention includes a current mirror circuit, a first transistor having a base to which an input signal is input and a collector connected to a diode-type connection of the current mirror circuit; A first transistor comprising a single or plural diodes or diode-connected transistors, the cathode of which is connected to the emitter of the first transistor, and the anode of which is connected to the output point of the current mirror circuit.
a second diode element consisting of one or more diodes or diode-connected transistors whose anode side is connected to a bias voltage and whose cathode side is connected to the anode side of the first diode element; a first differential circuit in which a collector of a transistor is connected to an emitter of the first transistor and a collector of the other transistor is connected to an anode side of the first diode element; and a base of the first diode element; a second transistor connected to the anode side, the collector connected to the power supply, and the emitter connected to the hold capacitor; the collector of one transistor is connected to the power supply and the collector of the other transistor is connected to the emitter of the second transistor; and a second differential circuit.

(作用) 本発明は、動作電流を差動スイッチにより制御する形式
のアナログスイッチを入力回路として用いてサンプルモ
ード、ホールドモードの切り換えを行ない、ホールドモ
ードにおける一方の差動対の動作電流を、ダイオードス
イッチを介してバイアス電圧源から、また他方は直接電
源線から供給することによりホールド容量充電用トラン
ジスタをしゃ断して、バイアス電流に起因するドループ
を無くするものである。
(Function) The present invention switches between sample mode and hold mode using an analog switch in which the operating current is controlled by a differential switch as an input circuit, and in the hold mode, the operating current of one differential pair is controlled by a diode. By supplying one voltage from the bias voltage source via a switch and the other directly from the power supply line, the hold capacitor charging transistor is cut off, thereby eliminating droop caused by the bias current.

(実施例) 次に、本発明について図面を参照して説明する。(Example) Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.

いま゛、サンプルホールド制御入力端子13およびその
反転入力端子14の入力電圧SH,SHがそれぞれ“H
″、“L′状態、すなわち本回路の状態がサンプルモー
ドの場合には、差動トランジスタ対Q H4,Q rう
および差動トランジスタ対Q161Q17のうちトラン
ジスタQ + 4 T Q l?が共に導通状態、トラ
ンジスタQ ls+ Q 16が共にしゃ断状態となり
、入力端子11、から入力されるアナログ信号v1.は
トランジスタQllのベースに印加され、Q ++はエ
ミッタフォロワ動作をする。Q目のエミッタに接続され
たダイオードD、ないしI)tiは、トランジスタQ 
+9+ Q 20からなるカレントミラー回路の出力電
流がその動作電流となり、レベルシフト回路として動作
する。
Now, the input voltages SH and SH of the sample and hold control input terminal 13 and its inverted input terminal 14 are respectively “H”.
", "L' state, that is, when the state of this circuit is in the sample mode, the transistor Q + 4 T Q l? of the differential transistor pair Q H4, Q r and the differential transistor pair Q161Q17. are both in a conductive state, transistors Q ls+Q 16 are both in a cut-off state, and the analog signal v1 . is applied to the base of transistor Qll, and Q++ acts as an emitter follower. The diode D or I)ti connected to the Qth emitter is the transistor Q
The output current of the current mirror circuit consisting of +9+Q20 becomes its operating current and operates as a level shift circuit.

エミッタにホールド容量Cnが接続されたトランジスタ
Q12はエミッタフォロワ動作をし、0.4を充電する
* Q II+ Q 12のペースエミッタ間電圧をそ
れぞれV@lll+ k11+ダイオードD、Iないし
Dtsの順方向電圧をすべて等しく■ゎと仮定できると
すればC8の電位は、V、、−(V、、、。
Transistor Q12, whose emitter is connected to hold capacitor Cn, operates as an emitter follower and charges 0.4 If we can assume that all are equally ■ゎ, then the potential of C8 is V, , -(V, , .).

+ V sm+2> +3 V oとおくことができ、
vl、ニ対して3Vo   (V*t+++Vsg+2
)だけレベルシフトして入力に追従する。さらに、第1
図に示すようにQ10のエミッタにベースが接続された
トランジスタQ +aおよび定電流源Itsとからなる
エミッタフォロワ回路を付加し、Q +sのエミッタす
なわち出力端子12から出力信号Voを取り出すように
した場合、Q +6のベースエミッタ間電圧fi’ V
 eg ls テTo ルトするトVo =Vt−(V
mg+++Vsatt+Vsgta) + 3 Voと
なる。ここでQ 口+Q 11+ Q 1m、 D 日
ないしDlmの各素子の電流密度を等しく設定するとV
B11+V@H2#2VD 。
+ V sm+2> +3 V o can be set,
vl, 3Vo (V*t+++Vsg+2
) to follow the input. Furthermore, the first
As shown in the figure, an emitter follower circuit consisting of a transistor Q +a whose base is connected to the emitter of Q10 and a constant current source Its is added, and the output signal Vo is taken out from the emitter of Q +s, that is, the output terminal 12. , Q +6 base-emitter voltage fi' V
eg ls Teto Vo =Vt-(V
mg+++Vsatt+Vsgta) + 3 Vo. Here, if the current density of each element of Q mouth + Q 11 + Q 1m and D day or Dlm is set equal, V
B11+V@H2#2VD.

Vsg+++Vsg+z+Veg+a#3 Vo トT
ルコトカ可能であり、従ってCMの電位はV+−+Vo
、出力電圧■。=v、11となり、それぞれサンプルモ
ードにおいては入力信号■1に追従する。
Vsg+++Vsg+z+Veg+a#3 Vo ToT
Therefore, the potential of CM is V+−+Vo
, output voltage■. =v, 11, and each follows the input signal ■1 in the sample mode.

SH,SHがそれぞれL”、”H″の場合、すなわちQ
141Q17が共にしゃ断状態、Q ls+QI6が共
に導通状態になると、本回路はホールドモードとなる。
When SH and SH are respectively L” and “H”, that is, Q
When Q141Q17 are both cut off and Qls+QI6 are both turned on, this circuit enters the hold mode.

サンプルモードにおいてはエミッタフォロワ動作をし、
CHの充電を行なっていたQ +2がダイオードDI4
の導通によりしゃ断状態となり、充電動作を停止し、C
Hの電位V1.+V。の瞬時値が保持される。この時、
Q12をしゃ断状態にするための条件は、CMの電位V
、、+V、にQ 12のペースエミッタ間電圧を加えた
電位V t、+2 V。すなわちQ l 2のベース電
位が、バイアス電圧端子17の電位からダイオードD1
4の順方向電圧を減じた電位より大きければ良いためバ
イアス電圧端子17の電位をvll、とおき、ダイオー
ドD I4の順方向電圧をQ ll+ Q +□、D+
+ないしDI3に電流密度を等しくしてV、と設定する
と、V s+  V o < V t−+ 2 V o
となる。−例として、voが0〜−2〔v〕の範囲の値
をとるものと仮定すると、Voは一般に0.7〜0.8
  (V)であるからVB+としてはO[:V)程度の
値で十分となる。
In sample mode, it operates as an emitter follower,
Q+2 that was charging CH is diode DI4
Due to the conduction of C, it is cut off and the charging operation is stopped.
H potential V1. +V. The instantaneous value of is held. At this time,
The condition for turning off Q12 is the potential V of CM.
, , +V, plus the pace emitter voltage of Q12, V t, +2 V. That is, the base potential of Q l 2 changes from the potential of the bias voltage terminal 17 to the diode D1.
Since it is sufficient that the potential is greater than the potential obtained by subtracting the forward voltage of 4, the potential of bias voltage terminal 17 is set to vll, and the forward voltage of diode DI4 is Q ll+ Q + □, D+
+ or DI3 with the current density equal to V, then V s+ Vo < V t-+ 2 Vo
becomes. - As an example, assuming that vo takes a value in the range 0 to -2 [v], Vo is generally 0.7 to 0.8
(V), a value of about O[:V] is sufficient for VB+.

あるいは、バイアス電圧端子17は電源線15と共通に
して、DI4を複数のダイオードにより構成して上記の
条件を満足させることも考えられる。
Alternatively, it is also possible to make the bias voltage terminal 17 common to the power supply line 15 and configure DI4 with a plurality of diodes to satisfy the above conditions.

導通状態にあるQL51Q16の動作電流は、Q 15
に関してはD14を介してバイアス電圧端子17から供
給され、まなQ +6に関しては電源線15より供給さ
れる。
The operating current of QL51Q16 in the conducting state is Q15
is supplied from the bias voltage terminal 17 via D14, and Q+6 is supplied from the power supply line 15.

第1図に示すように、負荷を駆動するため実用上出力部
にエミッタフォロワを付加した例においては、トランジ
スタQ1.とホールド容Mcllの漏れ電流は無視し得
るものとしてQ +aの電流増幅率をhpgとおくと、
ドループレイト」Uらt はJJ−L/CHとなる。これに対して従来例pt においては、トランジスタQ3.Q8の電流増加幅率を
hFlと仮定すると 一ハ」Lよ−  I   I  十I  ±I  /C
,4トfcdt        h□ るため、各定電流源の値を仮にI r = I 2 =
 I 5==i、、、I、=2・I4と設定すると佃=
5・ 丹/ c oとなる。
As shown in FIG. 1, in an example in which an emitter follower is practically added to the output section to drive a load, transistors Q1. If we assume that the leakage current of the hold capacitor Mcll can be ignored and the current amplification factor of Q +a is hpg, then
Drupe Plate'U et al becomes JJ-L/CH. On the other hand, in the conventional example pt, transistor Q3. Assuming that the current increase rate of Q8 is hFl, 1H'L - I I 10I ±I /C
, 4 fcdt h□, the value of each constant current source is temporarily set as I r = I 2 =
If I set 5==i,,,I,=2・I4, Tsukuda=
5. Becomes tan/co.

第1図の実施例のドループレイトは 」いム  ・」Δ−/CHとなるから、本実dt  =
2hpg 施例の回路によればドループレイトを従来例の」Lと大
幅に低減することが可能となる。
Since the droop rate of the embodiment shown in FIG.
2hpg According to the circuit of the embodiment, it is possible to significantly reduce the droop rate to "L" of the conventional example.

(発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば、アナログ信号の
瞬時値を標本化し、さらにこれを保持する回路すなわち
サンプルホールド回路において、特に集積回線路化を考
慮した場合、標本化時の追従速度を損わずに、かつ接合
形電界効果トランジスタ等の特殊な素子を同時に作り込
むための複雑すなわち高価な集積回路製造プロセスを要
することがなく、標本的な製造プロセスにより、その保
持特性を従来の回路に比較して2倍以上向上させること
が可能となる効果がある。
(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, in a circuit that samples the instantaneous value of an analog signal and further holds it, that is, a sample-and-hold circuit, the sampling This can be maintained without compromising the time tracking speed and without requiring a complicated or expensive integrated circuit manufacturing process to simultaneously manufacture special elements such as junction field effect transistors. This has the effect of making it possible to improve the characteristics by more than twice that of conventional circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は従来
例の回路図である。 1.11・・・入力端子、2.12・・・出力端子、3
,4゜13、14・・・制御入力端子、5 、6 、1
5.16・・・電源線、17・・・バイアス電圧端子、
Q I”Qs + Qz、Q12゜Q14〜Q2o・・
・トランジスタ、D、〜D 4 、 D +1〜D14
・・・ダイオード、CH・・・ホールド容量、It〜I
4.Ill〜Ill・・・定電流源。
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional example. 1.11...Input terminal, 2.12...Output terminal, 3
, 4゜13, 14... Control input terminal, 5, 6, 1
5.16...Power line, 17...Bias voltage terminal,
Q I"Qs + Qz, Q12゜Q14~Q2o...
・Transistor, D, ~D4, D+1~D14
...Diode, CH...Hold capacitance, It~I
4. Ill~Ill... Constant current source.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] カレントミラー回路と、入力信号がベースに入力されコ
レクタが前記カレントミラー回路のダイオード形式接続
点に接続された第1のトランジスタと、前記第1のトラ
ンジスタのエミッタにカソード側が接続されアノード側
が前記カレントミラー回路の出力点に接続された単一若
しくは複数のダイオード又はダイオード接続されたトラ
ンジスタからなる第1のダイオード素子と、アノード側
がバイアス電圧に接続されカソード側が前記第1のダイ
オード素子のアノード側に接続された単一若しくは複数
のダイオード又はダイオード接続されたトランジスタか
らなる第2のダイオード素子と、一方のトランジスタの
コレクタが前記第1のトランジスタのエミッタに接続さ
れ他方のトランジスタのコレクタが前記第1のダイオー
ド素子のアノード側に接続された第1の差動回路と、ベ
ースが前記第1のダイオード素子のアノード側に接続さ
れコレクタが電源に接続されエミッタにホールド容量が
接続された第2のトランジスタと、一方のトランジスタ
のコレクタが電源に接続され他方のトランジスタのコレ
クタが前記第2のトランジスタのエミッタに接続された
第2の差動回路とを備えてなることを特徴とするサンプ
ルホールド回路。
a current mirror circuit; a first transistor having a base to which an input signal is input and a collector connected to a diode-type connection point of the current mirror circuit; a cathode side connected to the emitter of the first transistor and an anode side connected to the current mirror circuit; a first diode element consisting of a single or a plurality of diodes or diode-connected transistors connected to an output point of the circuit; an anode side connected to a bias voltage and a cathode side connected to the anode side of the first diode element; a second diode element consisting of a single or a plurality of diodes or diode-connected transistors; the collector of one transistor is connected to the emitter of the first transistor, and the collector of the other transistor is connected to the first diode element; a first differential circuit connected to the anode side of the first diode element; a second transistor having a base connected to the anode side of the first diode element, a collector connected to a power supply, and an emitter connected to a hold capacitor; and a second differential circuit in which a collector of one transistor is connected to a power supply and a collector of the other transistor is connected to an emitter of the second transistor.
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