JPS63255274A - Production of phthalic anhydride - Google Patents
Production of phthalic anhydrideInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は無水フタル酸の製造方法に関するものである。[Detailed description of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a method for producing phthalic anhydride.
詳しく述べると、分子状酸素含有ガスによりインデンま
たはインダンを気相で接触酸化して無水フタル酸を製造
する方法に関するものである。Specifically, the present invention relates to a method for producing phthalic anhydride by catalytically oxidizing indene or indane in a gas phase using a molecular oxygen-containing gas.
(従来の技術)
無水フタル酸は、工業的には触媒を充填した多管式反応
器にナフタレンまたはオルソキシレンと分子状酸素含有
ガスとよりなる混合ガスを高温で通過させて接触酸化す
ることにより製造されている。(Prior art) Phthalic anhydride is industrially produced by catalytic oxidation by passing a mixed gas of naphthalene or ortho-xylene and molecular oxygen-containing gas through a multitubular reactor filled with a catalyst at high temperature. Manufactured.
しかしながら、ナフタレンおよびオルソキシレン等の原
料は高価であり、吊鉤にも限られているものである。そ
のためナフタレンまたはオルソキシレン等の原料を使用
する代わりに、コールタールや石油留分中に比較的脇富
に含まれているインデンまたはインダン等を原料または
原料の一部として、これを気相酸化して無水フタル酸を
製造すすることができれば有利なことでおる。However, raw materials such as naphthalene and ortho-xylene are expensive, and their use is limited to hanging hooks. Therefore, instead of using raw materials such as naphthalene or orthoxylene, indene or indane, which is relatively contained in coal tar and petroleum distillates, is used as a raw material or a part of the raw material, and it is oxidized in the gas phase. It would be advantageous if phthalic anhydride could be produced using the same method.
インデン、インダン等を含む留分またはインダンとキシ
レン等を接触気相酸化して無水フタル酸を製造する方法
がケミカルアブストラクツCA32 (15)9785
jまたは米国特許第2,581、’068gに記載され
ているがこれらの方法では、工業的に満足し得る程度の
収率あるいは生産性で無水フタル酸を得ることはできな
い。Chemical Abstracts CA32 (15) 9785 describes a method for producing phthalic anhydride by catalytic gas phase oxidation of a fraction containing indene, indane, etc. or indane and xylene, etc.
J or US Pat. No. 2,581, '068g, these methods do not allow phthalic anhydride to be obtained with an industrially satisfactory yield or productivity.
(発明が解決しようとする問題点〉
本発明は、インデンまたはインダンを原料の一部または
全部として生産性よく、かつ高い収率で無水フタル酸を
製造することを目的とする。(Problems to be Solved by the Invention) The object of the present invention is to produce phthalic anhydride with good productivity and high yield using indene or indane as part or all of the raw materials.
(問題点を解決するためのf一段)
上記の目的は、二酸チタン70〜90重量%、五酸化バ
ナジウム10〜30重量%およびアルカリ金属化合物0
.5〜5M吊%(ただし、硫酸塩として計算)よりなる
触媒活性成分を非多孔性の不活性担体に担持させてなる
触媒を充填した触媒層にインデンおよび/またはインダ
ンを含有する分子状酸素含有ガス混合物を接触させて酸
化することにより達成される。(One step f to solve the problem) The above purpose is to combine 70-90% by weight of titanium dioxide, 10-30% by weight of vanadium pentoxide, and 0% by weight of an alkali metal compound.
.. Molecular oxygen containing indene and/or indane in a catalyst bed filled with a catalyst formed by supporting a catalytically active component of 5 to 5 M suspension % (calculated as sulfate) on a non-porous inert carrier. This is achieved by contacting and oxidizing the gas mixture.
本発明で使用する触媒は、非多孔性の不活性担体に、二
酸イ6チタン70〜90重景%、好ましくは75〜85
重贋%、五酸1朋バナジウム10〜30重滑%、好まし
くは12〜22重量%およびアルカリ金属化合物0.5
〜5重景%、好ましくは2〜4.5重屑%(ただし、硫
酸塩として計算)からなる触媒成分を、前記担体1ρ当
り20〜200び、好ましくは40〜15Q3担持させ
てなるものである。なお前記触媒活性成分中には、MO
,W 、Fe、Co 、Sn等の化合物が少量含まれて
も差し支えない。The catalyst used in the present invention contains 70 to 90% by weight, preferably 75 to 85% by weight of 6-titanium diacid, on a non-porous inert carrier.
% heavy weight, 1% vanadium pentate, 10-30% weight loss, preferably 12-22% by weight, and 0.5% alkali metal compound.
20 to 200, preferably 40 to 15 Q3 catalyst components are supported per 1 ρ of the carrier, preferably 2 to 4.5 weight percent, preferably 2 to 4.5 weight percent (calculated as sulfate). be. Note that the catalytically active component contains MO
, W 2 , Fe, Co 2 , Sn, and other compounds may be contained in small amounts.
この触媒は、例えば常法により製造される。すなわち、
五酸化バナジウムまたは加熱により五酸化バナジウムに
変化し得るバナジウム化合物、例えばバナジン酸アンモ
ニウム、あるいはバナジウムの硫酸塩、シュウ酸塩、ギ
酸塩、酢酸塩、酒石酸塩等を水またはアルコール等の有
機溶媒と水との混合溶媒に溶解し、これに適当なアルカ
リ金属化合物を添hOシ、微粒子状二酸化チタンまたは
水酸化チタンと混合し、得られるスラリー状混合物を不
活性担体に噴霧するかあるいは該スラリー状混合物中に
不活性担体を浸漬したのち所定の温度に加熱するか、あ
るいは所定の温度に加熱された担体上に前記スラリー状
混合物を噴霧することにより製造される。This catalyst is produced, for example, by a conventional method. That is,
Vanadium pentoxide or a vanadium compound that can be converted to vanadium pentoxide by heating, such as ammonium vanadate, or vanadium sulfate, oxalate, formate, acetate, tartrate, etc., is mixed with water or an organic solvent such as alcohol and water. Add a suitable alkali metal compound thereto, mix with finely divided titanium dioxide or titanium hydroxide, and spray the resulting slurry mixture onto an inert carrier, or spray the slurry mixture onto an inert carrier. It is produced by immersing an inert carrier therein and then heating it to a predetermined temperature, or by spraying the slurry mixture onto the carrier heated to a predetermined temperature.
好適なアルカリ金属化合物としては、例えば、カリウム
、ルビジウムおよびセシウムの化合物がおるが、好まし
くはセシウム化合物である。またアルカリ金属は硫酸塩
、酸化物、炭酸塩、酢酸塩おるいは硝酸塩等の形で使用
することできるが、好ましくは硫酸塩でおる。硫酸塩を
除いてこれらの化合物は比較的高い温度において酸化物
に変化する。触媒中ではアルカリ金属は硫r!!L塩、
酸化物、バナジン酸塩等として存在するが、硫酸塩また
はピロ硫酸塩等の硫黄のオキシ酸塩の形として存在する
のが最も好ましい。Suitable alkali metal compounds include, for example, potassium, rubidium and cesium compounds, preferably cesium compounds. Alkali metals can be used in the form of sulfates, oxides, carbonates, acetates, nitrates, etc., but sulfates are preferred. With the exception of sulfates, these compounds convert to oxides at relatively high temperatures. In the catalyst, the alkali metal is sulfur! ! L salt,
It exists as oxides, vanadates, etc., but most preferably in the form of sulfur oxyacid salts, such as sulfates or pyrosulfates.
本発明において使用される触媒における二酸化チタン源
としては、アナターゼ型二酸化チタン、二酸化チタン永
和物等がある。この両者を併用することによって、触媒
活性成分の比表面積を調製することが可能である。本発
明においてその比表面積を20TIt/7以上、好まし
くは40〜1507ii/gとすると触媒活性がより向
上する。The titanium dioxide source in the catalyst used in the present invention includes anatase type titanium dioxide, titanium dioxide permanent product, and the like. By using both in combination, it is possible to adjust the specific surface area of the catalytically active component. In the present invention, when the specific surface area is set to 20 TIt/7 or more, preferably 40 to 1507 ii/g, the catalytic activity is further improved.
また、本発明において使用される非多孔性の不活性担体
には、焼結または溶融されたケイ酸塩、ステアタイト、
磁器、アルミナ、炭化ケイ素等がある。前記担体の形状
は、球状、円柱状、リング状等が必り、その相当直径は
約3〜12#、好ましくは約6〜10mである。また、
円柱状、リング状のものについては、その高さは約3〜
”10mm。Non-porous inert supports used in the present invention also include sintered or fused silicates, steatite,
Examples include porcelain, alumina, and silicon carbide. The shape of the carrier is necessarily spherical, cylindrical, ring-shaped, etc., and its equivalent diameter is about 3 to 12 m, preferably about 6 to 10 m. Also,
For cylindrical and ring-shaped items, the height is approximately 3~
"10mm.
好ましくは約4〜8#であり、より好ましくは相当直径
の約70〜80%の高さである。これらの内、リング状
のものが好ましく、特に特公昭61−48980号に開
示されているようなレッシングリング状のものが圧力損
失を小さくし、かつ高濃度酸化を可能とするので好まし
い。リング状の担体とした場合、内径は2〜10m、好
ましくは約4〜8InInであり、レッシングリング状
のもの2については、はぼ中央に仕切壁を設け、0.5
〜2mm、好ましくは0.6〜1Mnの壁厚とすること
が適当である。Preferably the height is about 4-8#, more preferably about 70-80% of the equivalent diameter. Among these, a ring-shaped one is preferred, and a Lessing ring-shaped one as disclosed in Japanese Patent Publication No. 61-48980 is particularly preferred because it reduces pressure loss and enables high-concentration oxidation. In the case of a ring-shaped carrier, the inner diameter is 2 to 10 m, preferably about 4 to 8 InIn, and for the Lessing ring-shaped carrier 2, a partition wall is provided at the center of the carrier, and the inner diameter is 0.5 m.
A wall thickness of ~2 mm, preferably 0.6-1 Mn is suitable.
触媒活性物質を担持させたのち、これを加熱して触媒と
する。加熱は300〜600 ’C1好ましくは酸素雰
囲気中で4〜10時間加熱分解して行なわれる。After supporting a catalytically active substance, this is heated to form a catalyst. Heating is carried out by thermal decomposition at 300 to 600' C1, preferably in an oxygen atmosphere for 4 to 10 hours.
この触媒を反応管に充填して触媒層を形成させ、この触
!iにインデンおよび/またはインダンを含有する分子
状酸素含有ガス混合物を通してインデンおよび/または
インダンを接触酸化させる。This catalyst is filled into a reaction tube to form a catalyst layer, and this touch! The indene and/or indane is catalytically oxidized through a molecular oxygen-containing gas mixture containing the indene and/or indane.
なお、この触媒を反応管の上層(原料ガス混合物の流通
方向に対して上流側)に充填し、アルカリ金属化合物を
含まず、必要によりリン化合物、錫化合物等を含む触媒
を充填し、前記ガス混合物を接触させてもよい。また本
発明の原料としては、インデンまたはインダンのどちら
も使用可能でおり、これらを単独で使用してもよくまた
両者を混合して使用してもよい。さらにナフタレン、オ
ルソキシレン等の他の無水フタル酸の原料を混合して使
用することも可能である。特に本発明の触媒は、ナフタ
レンまたはオルソキシレンを原料とし無水フタル酸を製
造する場合においても優れた無水フタル酸の収率を与え
るので、ナフタレン、オルソキシレンが不足する場合、
触媒を変換することなく原料を切り替えることができる
。なお、使用するインデンまたはインダンの純度は、特
に制限されるものではなく、例えばインデン留分等をそ
のまま使用することも可能であるが、90%以上のもの
が好ましい。Note that this catalyst is filled in the upper layer of the reaction tube (on the upstream side with respect to the flow direction of the raw material gas mixture), and a catalyst that does not contain an alkali metal compound and contains a phosphorus compound, a tin compound, etc. as necessary is filled, and the gas The mixtures may be brought into contact. Further, as the raw material of the present invention, either indene or indane can be used, and they may be used alone or in a mixture. Furthermore, it is also possible to use a mixture of other phthalic anhydride raw materials such as naphthalene and ortho-xylene. In particular, the catalyst of the present invention provides an excellent yield of phthalic anhydride even when phthalic anhydride is produced using naphthalene or orthoxylene as a raw material.
Feedstocks can be switched without converting the catalyst. Note that the purity of the indene or indane used is not particularly limited, and for example, an indene fraction or the like can be used as is, but a purity of 90% or more is preferable.
反応条件は、反応温度300〜400’C(ナイタ一温
度)、好ましくは330〜3806C,原料濃度30〜
809/Nm3−空気、好ましくは40〜60び/Nm
3−空気、空間速度1.○O○〜8゜○○□hr−+、
好ましくは2,000〜5.000ナフタレン又はオル
ソキシレンを混合して使用する場合も上記と同様な条件
が採用できる。The reaction conditions are a reaction temperature of 300-400'C (Naitor temperature), preferably 330-3806C, and a raw material concentration of 30-400'C.
809/Nm3 - air, preferably 40-60 bi/Nm
3-Air, space velocity 1. ○○○~8゜○○□hr-+,
Preferably, the same conditions as above can be adopted when using a mixture of 2,000 to 5,000 naphthalene or ortho-xylene.
(実施例) ゛
次に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。な
お、下記実施例における「%」は特にことわらない限り
重量%である。(Example) Next, the present invention will be explained in more detail by giving examples. In addition, "%" in the following examples is weight % unless otherwise specified.
実施例1〜13
(△)触媒の調製
二酸化チタン、メタバナジン酸アンモニウムおよびアル
カリ金属の硫酸塩を水に7JOえ十分撹拌および乳化し
て水溶性化合物は溶解せしめ、二酸化チタン粉末は乳化
または懸濁させ、スラリー状の液とした。回転炉中に、
直径8#、高ざ6蒜の磁製レッシングリング状担体を挿
入し、200〜250’Cに予熱しおき、回転炉を回転
させながら担体上に上記スラリー液を噴霧して、担体1
Ω当り触媒成分803担持するよう触媒成分を担持させ
た。次いで、空気を流通させながら550’Cにて6時
間焼成して触媒とした。得られた触媒の活性成分の含有
邑および比表面積を第1表に示す。Examples 1 to 13 (△) Preparation of catalyst Titanium dioxide, ammonium metavanadate, and alkali metal sulfate were added to 7JO of water, thoroughly stirred and emulsified to dissolve water-soluble compounds, and titanium dioxide powder was emulsified or suspended. , it was made into a slurry-like liquid. In the rotary furnace,
A porcelain lessing ring-shaped carrier with a diameter of 8# and a height of 6 mils is inserted, preheated to 200 to 250'C, and the slurry liquid is sprayed onto the carrier while rotating the rotary furnace to form carrier 1.
The catalyst components were supported so that 803 catalyst components were supported per Ω. Next, the mixture was calcined at 550'C for 6 hours while circulating air to obtain a catalyst. Table 1 shows the active component content and specific surface area of the obtained catalyst.
(B)無水フタル酸の製造
ナイター浴に浸した内径25順の反応管に上記触媒層を
充填し、インデンまたはインダンまたはインダンとナフ
タレンおよび空気との混合ガスを通して無水フタル酸を
製造した。原料濃度は50g/Nm3、空間速度は3,
0OOhr”、ナイタ一温度は350〜360℃の最適
温度とした。条件および無水フタル酸の収率を第1表に
示す。(B) Production of phthalic anhydride A reaction tube with an inner diameter of 25 mm immersed in a nighter bath was filled with the above catalyst layer, and a mixed gas of indene, indane, naphthalene, and air was passed through the tube to produce phthalic anhydride. Raw material concentration is 50g/Nm3, space velocity is 3,
0OOhr'', and the temperature was set to an optimum temperature of 350 to 360°C. The conditions and the yield of phthalic anhydride are shown in Table 1.
参考例1
原料としてナフタレンのみを使用した以外は実施例1〜
14と同様な方法により無水フタル酸を製造した。結果
を第1表に示す。Reference Example 1 Example 1~ except that only naphthalene was used as a raw material
Phthalic anhydride was produced in the same manner as in Example 14. The results are shown in Table 1.
(以下余白)
第−1表
1 C32SO41,01848インダン 1
12.52 r/ 2.018 44 11
4.23 〃3.01S &8 114.9
4 // 3.515 85 114.45
r/ 4.015 105 114.76
Rb25041.018 50 111.37
// 1.518 48 112.28#
2.078 46 113.09 #
2.518 55 113.510 /、
3.018 75 113.711 C82
SO43,51585インダン 115.214
K2304 3.5 15 63 イ
ンダン 112.5□
1 C32SO43,51585ナフタレン105
.0(発明の効果)
本発明によれば、インデンまたはインダンから無水フタ
ル酸を生産性よく高収率で製造することができる。(Left below) Table 1 C32SO41,01848 Indan 1
12.52 r/ 2.018 44 11
4.23 〃3.01S &8 114.9
4 // 3.515 85 114.45
r/ 4.015 105 114.76
Rb25041.018 50 111.37
// 1.518 48 112.28#
2.078 46 113.09 #
2.518 55 113.510 /,
3.018 75 113.711 C82
SO43,51585 Indan 115.214
K2304 3.5 15 63 Indane 112.5□ 1 C32SO43,51585 Naphthalene 105
.. 0 (Effects of the Invention) According to the present invention, phthalic anhydride can be produced from indene or indane with good productivity and high yield.
Claims (1)
10〜30重量%およびアルカリ金属化合物0.5〜5
重量%(ただし、硫酸塩として計算)よりなる触媒活性
成分を非多孔性の不活性担体に担持させてなる触媒を充
填した触媒層にインデンおよび/またはインダンを含有
する分子状酸素含有ガス混合物を接触させて酸化するこ
とを特徴とする無水フタル酸の製造方法。 2、分子状酸素含有ガス混合物がナフタレンおよび/ま
たはオルソキシレン並びにインデンおよび/またはイン
ダンを含有するガス混合物である特許請求の範囲第1項
記載の無水フタル酸の製造方法。[Claims] 1. 70-90% by weight of titanium dioxide, 10-30% by weight of vanadium pentoxide, and 0.5-5% by weight of an alkali metal compound.
A molecular oxygen-containing gas mixture containing indene and/or indane is applied to a catalyst layer filled with a catalyst made of a catalytically active component supported on a non-porous inert carrier. A method for producing phthalic anhydride, which comprises contacting and oxidizing it. 2. The method for producing phthalic anhydride according to claim 1, wherein the molecular oxygen-containing gas mixture is a gas mixture containing naphthalene and/or orthoxylene and indene and/or indane.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62089727A JPS63255274A (en) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | Production of phthalic anhydride |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62089727A JPS63255274A (en) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | Production of phthalic anhydride |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63255274A true JPS63255274A (en) | 1988-10-21 |
Family
ID=13978791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62089727A Pending JPS63255274A (en) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | Production of phthalic anhydride |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63255274A (en) |
-
1987
- 1987-04-14 JP JP62089727A patent/JPS63255274A/en active Pending
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