JPS63251779A - 電子計算機の冷却装置 - Google Patents
電子計算機の冷却装置Info
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- JPS63251779A JPS63251779A JP62086663A JP8666387A JPS63251779A JP S63251779 A JPS63251779 A JP S63251779A JP 62086663 A JP62086663 A JP 62086663A JP 8666387 A JP8666387 A JP 8666387A JP S63251779 A JPS63251779 A JP S63251779A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Devices That Are Associated With Refrigeration Equipment (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子計算機の冷却装置に係り、特に冷却装置の
部材の腐食状態がモニタリングされ、耐食信頼性の大き
い冷却袋はに関する。
部材の腐食状態がモニタリングされ、耐食信頼性の大き
い冷却袋はに関する。
電子計算機は年々、高密度、大容量化されるに従い、半
導体ＬＳＩの発熱密度が大幅に上昇する傾向にある。従
来、電子計算機の冷却方式は、ファンにより風を内部に
送り込む所謂強制空冷方式が用いられて来た。しかし、
上述の如く電子計算機の大容量化に伴ない発熱量が増え
ているため、強制空冷から液体冷却が必要になって来た
。
導体ＬＳＩの発熱密度が大幅に上昇する傾向にある。従
来、電子計算機の冷却方式は、ファンにより風を内部に
送り込む所謂強制空冷方式が用いられて来た。しかし、
上述の如く電子計算機の大容量化に伴ない発熱量が増え
ているため、強制空冷から液体冷却が必要になって来た
。
従来の液体による冷却方式は、特開昭６０−１６０１４
９号、特開昭６０−１６０１５０号、特開昭５２−１６
９８１号等に開示されているように、ＬＳＩ発熱素子を
効率良く冷却することを主体としたものである。
９号、特開昭６０−１６０１５０号、特開昭５２−１６
９８１号等に開示されているように、ＬＳＩ発熱素子を
効率良く冷却することを主体としたものである。
液体による冷却方式として、第２図に示すような可撓ベ
ローズを有する冷却構造体が知られている。
ローズを有する冷却構造体が知られている。
即ち、可撓性を有するステンレス鋼或いはニッケル製の
ベローズ１に冷却水へラダ２、及び冷却板３（例えば５
ｉＣ）からなる構成部材を接合し、冷却水を流す。また
基板５上に設置されたＬＳＩチップ４を冷却板３に接触
させ、ＬＳＩチップ４の発熱を冷却板３に熱伝達し、更
に冷却板３を冷却液によって冷却し、除熱がなされる。
ベローズ１に冷却水へラダ２、及び冷却板３（例えば５
ｉＣ）からなる構成部材を接合し、冷却水を流す。また
基板５上に設置されたＬＳＩチップ４を冷却板３に接触
させ、ＬＳＩチップ４の発熱を冷却板３に熱伝達し、更
に冷却板３を冷却液によって冷却し、除熱がなされる。
ここで冷却液としては種々の観点から水が最も一般的に
用いられる。
用いられる。
この冷却構造体は種々の材温で構成されている。
このため、これらの各種の構成材料はハンダ若しくはロ
ウ材料により接合される。この接合は冷却構造体の組立
及び補修等のために融点の異なった数種のハンダが使用
される。例えば、第２図に示す冷却構造体において３種
類の接合部があり、ベローズ１と冷却板３との接合部Ａ
にはＡｕ−Ｇｅ（融点３６５℃）、冷却水路本体とベロ
ーズ１との接合部ＢにはＩ ｎ −Ａ ｇ −Ｐ ｂ
（融点１４９℃）、及び冷却水へラダフタと冷却水ヘッ
ダ２との接合部ＣにはＳｎ−Ａｇ（融点２２１°Ｃ）の
ハンダが使用される。構成部材はこれらのハンダにより
水密に接合され、冷却水が流される。
ウ材料により接合される。この接合は冷却構造体の組立
及び補修等のために融点の異なった数種のハンダが使用
される。例えば、第２図に示す冷却構造体において３種
類の接合部があり、ベローズ１と冷却板３との接合部Ａ
にはＡｕ−Ｇｅ（融点３６５℃）、冷却水路本体とベロ
ーズ１との接合部ＢにはＩ ｎ −Ａ ｇ −Ｐ ｂ
（融点１４９℃）、及び冷却水へラダフタと冷却水ヘッ
ダ２との接合部ＣにはＳｎ−Ａｇ（融点２２１°Ｃ）の
ハンダが使用される。構成部材はこれらのハンダにより
水密に接合され、冷却水が流される。
冷却構造体において、上記接合部は異種の金属材料が接
触された状態で冷却水にさらされることになり、これら
の金属の電位差に起因する異種金属接触腐食が発生する
。本発明者らの検討にょれば、純水中における冷却装置
の構成部材、例えばステンレス鋼、ニッケル等は腐食速
度が約０．１μｍ ／ Ｙと非常に小さいのに対し、上
記接合部材、例えばハンダ材、ロウ材等をステンレス鋼
と接触した場合の接合部の腐食速度は約１００μｍ／Ｙ
と非常に大きい。このために冷却構造体の耐食信頼性は
上記冷却構成材料の接合部の耐食性によって大きく左右
される。
触された状態で冷却水にさらされることになり、これら
の金属の電位差に起因する異種金属接触腐食が発生する
。本発明者らの検討にょれば、純水中における冷却装置
の構成部材、例えばステンレス鋼、ニッケル等は腐食速
度が約０．１μｍ ／ Ｙと非常に小さいのに対し、上
記接合部材、例えばハンダ材、ロウ材等をステンレス鋼
と接触した場合の接合部の腐食速度は約１００μｍ／Ｙ
と非常に大きい。このために冷却構造体の耐食信頼性は
上記冷却構成材料の接合部の耐食性によって大きく左右
される。
また、冷却水としては、不純物例えばＣＱ″″イオン等
が含まれていると冷却構成材料の腐食が促進されるので
、不純物の極度に除かれた純水が使用される。また、こ
の純水中の溶存酸素が可能な限り低濃度に抑えられるこ
とにより一層防食効果が期待される。しかし、この様な
純水が用いられても上記接合部材料は他の構成部材の材
料に比し耐食性が劣ることは否定されない。
が含まれていると冷却構成材料の腐食が促進されるので
、不純物の極度に除かれた純水が使用される。また、こ
の純水中の溶存酸素が可能な限り低濃度に抑えられるこ
とにより一層防食効果が期待される。しかし、この様な
純水が用いられても上記接合部材料は他の構成部材の材
料に比し耐食性が劣ることは否定されない。
また、最近開発されている大型電子計算機ではその性能
の優れている点もさることながら、信頼性が極めて重要
である。このために冷却装置の構成材料の腐食、特に接
合部の異常腐食（異種金属接触腐食）に伴なう冷却水の
漏洩は致命的な問題になっている。
の優れている点もさることながら、信頼性が極めて重要
である。このために冷却装置の構成材料の腐食、特に接
合部の異常腐食（異種金属接触腐食）に伴なう冷却水の
漏洩は致命的な問題になっている。
上記従来技術の水冷却装置は、電子計算機の発熱部を冷
却する装置であるが、冷却装置材料の腐食、特に接合部
の異常腐食の検知、及びその対策については全く配慮さ
れておらず、耐食信頼性に問題があった。従って、本発
明の目的は上記従来技術の問題点を解決し、耐食信頼性
の高い電子計算機の冷却装置を提供することにある。
却する装置であるが、冷却装置材料の腐食、特に接合部
の異常腐食の検知、及びその対策については全く配慮さ
れておらず、耐食信頼性に問題があった。従って、本発
明の目的は上記従来技術の問題点を解決し、耐食信頼性
の高い電子計算機の冷却装置を提供することにある。
本発明の電子計算機の冷却装置は、複数個の半導体を備
えたモジュールに冷却液を供給してなる電子計算機冷却
装置において、前記半導体素子に接して冷却構造体が設
けられ、前記冷却構造体の内部の構成部材、特に接合部
の部材が冷却液により腐食されて溶存される部材成分を
測定する測定装置、及び前記冷却構造体の部材成分の異
常腐食をモニタリングするモニタリング装置が設けられ
た装置である。
えたモジュールに冷却液を供給してなる電子計算機冷却
装置において、前記半導体素子に接して冷却構造体が設
けられ、前記冷却構造体の内部の構成部材、特に接合部
の部材が冷却液により腐食されて溶存される部材成分を
測定する測定装置、及び前記冷却構造体の部材成分の異
常腐食をモニタリングするモニタリング装置が設けられ
た装置である。
また１本冷却装置の前記測定装置は電気伝導度測定装置
又は／及びイオン分析装置が使用され。
又は／及びイオン分析装置が使用され。
また眞記冷却構造体の部材がステンレス鋼、ニッケル等
であり、その部材の接合部の材質はＡｕ−Ｇｅ、Ｓｎ−
Ａｇ、Ｉｎ−Ａｇ−Ｐｂ等からなるハンダ材、あるいは
ロウ材が用いられる。
であり、その部材の接合部の材質はＡｕ−Ｇｅ、Ｓｎ−
Ａｇ、Ｉｎ−Ａｇ−Ｐｂ等からなるハンダ材、あるいは
ロウ材が用いられる。
また、前記モニタリング装置は、前記測定装置の測定値
に応じて冷却液を浄化装置に導入する制御装置、及び前
記冷却構造体の部材の異常腐食を表示する警報装置に接
続されており、更に冷却液の純度測定値に応じて自動的
に冷却液を通常の循環流路から浄化装置への導流路に切
り換える流路制御装置に接続されていることが好適であ
る。
に応じて冷却液を浄化装置に導入する制御装置、及び前
記冷却構造体の部材の異常腐食を表示する警報装置に接
続されており、更に冷却液の純度測定値に応じて自動的
に冷却液を通常の循環流路から浄化装置への導流路に切
り換える流路制御装置に接続されていることが好適であ
る。
尚、電子計算機の冷却液系統の特定場所に冷却液の電気
伝導測定装置やイオン分析装置が備えられる。その特定
場所は冷却液が電子計算機を出た後の流路で、冷却液の
浄化装置の前が望ましい。
伝導測定装置やイオン分析装置が備えられる。その特定
場所は冷却液が電子計算機を出た後の流路で、冷却液の
浄化装置の前が望ましい。
この浄化装置としてイオン交換樹脂塔及び脱酸素樹脂塔
が設けられる。冷却液として防食の点から純水が使用さ
れるが、腐食により生成したイオン類及びリークにより
混入される酸素は浄化装置で除去され、冷却水の純度が
一定に保たれるようにされる。
が設けられる。冷却液として防食の点から純水が使用さ
れるが、腐食により生成したイオン類及びリークにより
混入される酸素は浄化装置で除去され、冷却水の純度が
一定に保たれるようにされる。
本発明は、冷却液系統に設けられたイオン分析装置によ
り、冷却液、特に冷却水中の個々のイオン址をイオン種
別に連続的に測定する。この測定により特定のイオン種
が増えつづけると構成金属材料との関連で、冷却液系統
のどの部位に使われている材料の腐食が激しいか推定で
きる。更に、材料の組成比と冷却液中に溶出されたイオ
ン種の量を対比することにより、金属材料のある種の成
分のみが溶出される選択腐食などの異常腐食が察知され
る。即ち、通常の状態では冷却装置の構成部材は腐食に
より溶出されるイオン成分量が極く微是であるが、接合
部材料は腐食され易いので、その接合部の部材成分の溶
出が著しく大きくなる。
り、冷却液、特に冷却水中の個々のイオン址をイオン種
別に連続的に測定する。この測定により特定のイオン種
が増えつづけると構成金属材料との関連で、冷却液系統
のどの部位に使われている材料の腐食が激しいか推定で
きる。更に、材料の組成比と冷却液中に溶出されたイオ
ン種の量を対比することにより、金属材料のある種の成
分のみが溶出される選択腐食などの異常腐食が察知され
る。即ち、通常の状態では冷却装置の構成部材は腐食に
より溶出されるイオン成分量が極く微是であるが、接合
部材料は腐食され易いので、その接合部の部材成分の溶
出が著しく大きくなる。
この冷極構造体の接合には、成分の異なった数種のハン
ダ材が使用されているので、腐食により冷却液中に溶出
された成分の種類及び量を測定解析することにより、腐
食部の位置及び腐食状況を推測することができる。例え
ば接合部ハンダの異種金属接触腐食により溶出されたハ
ンダ成分が測定され、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｇｅ等
が連続的に測定、解析される。各ハンダ特有の成分検出
により、どの部位の接合個所に異種金属接触腐食が発生
しておるかが推測される。
ダ材が使用されているので、腐食により冷却液中に溶出
された成分の種類及び量を測定解析することにより、腐
食部の位置及び腐食状況を推測することができる。例え
ば接合部ハンダの異種金属接触腐食により溶出されたハ
ンダ成分が測定され、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｇｅ等
が連続的に測定、解析される。各ハンダ特有の成分検出
により、どの部位の接合個所に異種金属接触腐食が発生
しておるかが推測される。
また、電気伝導度測定装置により冷却液の電気伝導度を
測定して、冷却装置材料全体の平均的な腐食量が同時に
検出される。水中における電気伝導度は水中におけるイ
オンにより電子が運ばれることにより行なわれる。従っ
て冷却水の電気伝導度が高くなることは、水中に存在す
るイオン量が増えることに対応する。冷却水中のイオン
は水の解難によるＨ＋ 、○Ｈ−の他に冷却装置構成材
料の腐食に伴なって溶出される金属イオンに依存する。
測定して、冷却装置材料全体の平均的な腐食量が同時に
検出される。水中における電気伝導度は水中におけるイ
オンにより電子が運ばれることにより行なわれる。従っ
て冷却水の電気伝導度が高くなることは、水中に存在す
るイオン量が増えることに対応する。冷却水中のイオン
は水の解難によるＨ＋ 、○Ｈ−の他に冷却装置構成材
料の腐食に伴なって溶出される金属イオンに依存する。
すなわち、冷却装置構成材料の腐食と冷却水の電気伝導
度の相関関係を予め把握しておいて、電気伝導度の変化
を連続測定することにより、冷却装置の部材の腐食の総
量を知り、腐食程度が検出される。
度の相関関係を予め把握しておいて、電気伝導度の変化
を連続測定することにより、冷却装置の部材の腐食の総
量を知り、腐食程度が検出される。
上記のようにイオン分析装置及び電気伝導度測定装置か
らの測定値をモニタリング装置で設定値と比較し、測定
値が設定値より大きくなれば、冷却液は自動的に通常の
流路から切り換えて浄化装置に送られ、冷却液中の金属
イオン、溶存酸素をイオン交換樹脂や脱酸素樹脂により
除去する。これに併せて冷却液中に溶存する金属イオン
量が多くなれば警報装置に表示し、冷却装置部材の点検
。
らの測定値をモニタリング装置で設定値と比較し、測定
値が設定値より大きくなれば、冷却液は自動的に通常の
流路から切り換えて浄化装置に送られ、冷却液中の金属
イオン、溶存酸素をイオン交換樹脂や脱酸素樹脂により
除去する。これに併せて冷却液中に溶存する金属イオン
量が多くなれば警報装置に表示し、冷却装置部材の点検
。
補修を早急に耐策できる。従って電子計算機の冷却装置
に電気伝導度測定系及びイオン分析系、これに加えて浄
化装置を作動させるモニタリング装置が設けられている
ので、電子計算機の冷却装置は高い信頼性を有し得る。
に電気伝導度測定系及びイオン分析系、これに加えて浄
化装置を作動させるモニタリング装置が設けられている
ので、電子計算機の冷却装置は高い信頼性を有し得る。
本発明の電子計算機の冷却装置を第１図に示す。
冷却水６は電気伝導度０．１μｓ／ａｎの高純度の純水
が使用される。この冷却水６はポンプ７により電子計算
機８の複数個の半導体を備えたモジュールの冷却部に送
られ、熱交換されて発熱したＬＳＩ素子は冷却されると
同時に、冷却水６は昇温され、冷却水タンク９に流入さ
れる。冷却水タンク９内には冷凍１１０に連結された熱
交換器１１が設けられており、電子計算機内の発熱体を
冷却して昇温された冷却水６は冷却水タンク９の中で再
び冷却される。次いで冷却水タンク９から出た冷却水６
は再び流量制御装置１７で制御され、電子計算機８の冷
却部に送られる。このとき、冷却水６はその一部が冷却
水分岐バルブ１２でサンプリング流路の冷却水サンプリ
ング管１３を通って電気伝導度測定装置１４に導入され
、冷却水６の電気伝導度が測定される。次いで冷却水６
はイオン分析装置１５に導入され、冷却水６の中のイオ
ンの種類と量が測定され、測定後の水はドレン管１６か
ら排出される。その電気伝導度により冷却水６中に溶存
する金属量が分析されて腐食量が検出される。また、イ
オン分析により１例えば冷却水６中のＩｎが多量に検出
された場合は、冷却水へラダフタと冷却水ヘッダ本体２
との接合部Ｃ（第２図参照）、或いはＳｎが多量に検出
された場合は冷却水流路本体２とベローズ１との接合部
１３（第２図参照）、或いはＧｅが多量に検出された場
合はベローズ１と冷却板３との接合部Ａ（第２図参照）
の腐食が異り；りに進行されていることが検知される。
が使用される。この冷却水６はポンプ７により電子計算
機８の複数個の半導体を備えたモジュールの冷却部に送
られ、熱交換されて発熱したＬＳＩ素子は冷却されると
同時に、冷却水６は昇温され、冷却水タンク９に流入さ
れる。冷却水タンク９内には冷凍１１０に連結された熱
交換器１１が設けられており、電子計算機内の発熱体を
冷却して昇温された冷却水６は冷却水タンク９の中で再
び冷却される。次いで冷却水タンク９から出た冷却水６
は再び流量制御装置１７で制御され、電子計算機８の冷
却部に送られる。このとき、冷却水６はその一部が冷却
水分岐バルブ１２でサンプリング流路の冷却水サンプリ
ング管１３を通って電気伝導度測定装置１４に導入され
、冷却水６の電気伝導度が測定される。次いで冷却水６
はイオン分析装置１５に導入され、冷却水６の中のイオ
ンの種類と量が測定され、測定後の水はドレン管１６か
ら排出される。その電気伝導度により冷却水６中に溶存
する金属量が分析されて腐食量が検出される。また、イ
オン分析により１例えば冷却水６中のＩｎが多量に検出
された場合は、冷却水へラダフタと冷却水ヘッダ本体２
との接合部Ｃ（第２図参照）、或いはＳｎが多量に検出
された場合は冷却水流路本体２とベローズ１との接合部
１３（第２図参照）、或いはＧｅが多量に検出された場
合はベローズ１と冷却板３との接合部Ａ（第２図参照）
の腐食が異り；りに進行されていることが検知される。
尚、サンプリングされる冷却水６は極めて少量で、ドレ
ン管１６から放出されても影響は余り無い。
ン管１６から放出されても影響は余り無い。
また、電気伝導度測定装置１４及びイオン分析装置１５
には制御装置１８が接続され、電気伝導度及びイオン分
析測定値が入力される。また制御装置は冷却水６を浄化
装置２０に導入する流量制御バルブ１９、及び冷却水６
の循環路の流量制御バルブ１７に接続される。制御装置
１８には予めインプットされた基準とされる電気伝導度
及びイオン種の量と腐食との相関関係により、 ｉｆｉ
ｇ定された電気伝導度及びイオン種の量から腐食状態が
解析される。若し解析により測定された冷却水６の電気
伝導度及びイオン種の量が設定値以上になったとき、制
御装置１８の指示により流量制御バルブ１７を閉じ、流
量制御バルブ１９を開き、冷却水６は浄化装置２０に導
入される。浄化装置２０はイオン交換樹脂、及び脱酸素
樹脂が充填され、冷却水６中の金属イオンや溶存酸素が
除去される。
には制御装置１８が接続され、電気伝導度及びイオン分
析測定値が入力される。また制御装置は冷却水６を浄化
装置２０に導入する流量制御バルブ１９、及び冷却水６
の循環路の流量制御バルブ１７に接続される。制御装置
１８には予めインプットされた基準とされる電気伝導度
及びイオン種の量と腐食との相関関係により、 ｉｆｉ
ｇ定された電気伝導度及びイオン種の量から腐食状態が
解析される。若し解析により測定された冷却水６の電気
伝導度及びイオン種の量が設定値以上になったとき、制
御装置１８の指示により流量制御バルブ１７を閉じ、流
量制御バルブ１９を開き、冷却水６は浄化装置２０に導
入される。浄化装置２０はイオン交換樹脂、及び脱酸素
樹脂が充填され、冷却水６中の金属イオンや溶存酸素が
除去される。
冷却水６は浄化装置２０で浄化され、ポンプ７により電
子計算機８の冷却部に送られる。また、再び冷却水６の
電気伝導度及びイオン量が設定値以下に戻れば、制御装
置１８の制御により自動的に流量制御バルブ１７を開き
、流量制御バルブ１９を閉じ、冷却水６は通常の冷却系
路に流され、電子計算機８は冷却される。
子計算機８の冷却部に送られる。また、再び冷却水６の
電気伝導度及びイオン量が設定値以下に戻れば、制御装
置１８の制御により自動的に流量制御バルブ１７を開き
、流量制御バルブ１９を閉じ、冷却水６は通常の冷却系
路に流され、電子計算機８は冷却される。
更に、制御装置１８にはｇ報装置２１が付帯される。制
御装置１８により電気伝導度の積算値が計算され、これ
により冷却水６中の溶存する金属１度から冷却装置材料
の腐食総量が警報装置２１に表示される。同時に、制御
′ｇｌ置１８によりイオン種の解析結果及びイオン量の
積算値の解析結果から、冷却装置の腐食された接合部、
及びその接合部の材料の異常腐食について警報が表示さ
れる。
御装置１８により電気伝導度の積算値が計算され、これ
により冷却水６中の溶存する金属１度から冷却装置材料
の腐食総量が警報装置２１に表示される。同時に、制御
′ｇｌ置１８によりイオン種の解析結果及びイオン量の
積算値の解析結果から、冷却装置の腐食された接合部、
及びその接合部の材料の異常腐食について警報が表示さ
れる。
本発明の電子計算機の冷却装置は、冷却液の電気伝導度
ａ［ｌＩ定値及びイオン分析装置が設けられて冷却装置
の構成部材の腐食状況、特に異常腐食を検出し、モニタ
リング装置により冷却液の浄化、及び警報を表示するよ
うに構成されているので、冷却系統の腐食による冷却液
の漏洩等のトラブルを事前に予測して対策することが可
能となり、極めて高い信頼性を有する冷却装置にするこ
とができる。
ａ［ｌＩ定値及びイオン分析装置が設けられて冷却装置
の構成部材の腐食状況、特に異常腐食を検出し、モニタ
リング装置により冷却液の浄化、及び警報を表示するよ
うに構成されているので、冷却系統の腐食による冷却液
の漏洩等のトラブルを事前に予測して対策することが可
能となり、極めて高い信頼性を有する冷却装置にするこ
とができる。
第１図は本発明の電子計算機の冷却装置の構成図を示し
、第２図は可撓ベローズ水冷却構造体の断面図を示す。 ゛ １・・・ベローズ、２・・・冷却水ヘッダ、３・・冷却
板。 ４・・・ＬＳＩチップ、５・・・基板、６・・・冷却水
、７・・・ポンプ、８・・・電子計算機、９・・・冷却
水タンク、１０・・・冷凍機、１４・・・電気伝導度測
定装置、１５・・・イオン分析装置、１８・・・制御装
置（モニタリング装置）、２０・・・浄化装置、２１・
・・警報装置、Ａ。 Ｂ、Ｃ・・・接合部。
、第２図は可撓ベローズ水冷却構造体の断面図を示す。 ゛ １・・・ベローズ、２・・・冷却水ヘッダ、３・・冷却
板。 ４・・・ＬＳＩチップ、５・・・基板、６・・・冷却水
、７・・・ポンプ、８・・・電子計算機、９・・・冷却
水タンク、１０・・・冷凍機、１４・・・電気伝導度測
定装置、１５・・・イオン分析装置、１８・・・制御装
置（モニタリング装置）、２０・・・浄化装置、２１・
・・警報装置、Ａ。 Ｂ、Ｃ・・・接合部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数個の半導体を備えたモジュールに冷却液を供給
してなる電子計算機の冷却装置において、前記半導体素
子に接して冷却構造体が設けられ、前記冷却構造体の内
部の構成部材が冷却液により腐食されて溶存される部材
成分を測定する測定装置、及び前記冷却構造体の部材成
分の異常腐食をモニタリングするモニタリング装置が設
けられていることを特徴とする電子計算機の冷却装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記測定装置が電
気伝導度測定装置又は／及びイオン分析装置であること
を特徴とする電子計算機の冷却装置。 ３、特許請求の範囲第１項又は第２項において、前記冷
却構造体の部材がステンレス鋼、ニッケルであり、その
部材の接合部がＡｕ−Ｇｅ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｉｎ−Ａｇ−
Ｐｂからなるハンダ材又はロウ材であることを特徴とす
る電子計算機の冷却装置。 ４、特許請求の範囲第１項ないし第３項の何れかの項に
おいて、前記モニタリング装置が、前記測定装置の測定
値に応じて冷却液を浄化装置に導入する制御装置、及び
前記冷却構造体の部材の異常腐食を表示する警報装置に
接続されたことを特徴とする電子計算機の冷却装置。 ５、特許請求の範囲第４項において、前記モニタリング
装置は、冷却液の純度測定値に応じて自動的に冷却液を
通常の循環流路から浄化装置への導流路へ切り換える流
路制御装置に接続されていることを特徴とする電子計算
機の冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62086663A JPH0793397B2 (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 電子計算機の冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62086663A JPH0793397B2 (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 電子計算機の冷却装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63251779A true JPS63251779A (ja) | 1988-10-19 |
| JPH0793397B2 JPH0793397B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=13893271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62086663A Expired - Lifetime JPH0793397B2 (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 電子計算機の冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793397B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03191274A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-21 | Hitachi Ltd | 電子計算機の冷却装置 |
| WO2005022707A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Hamamatsu Photonics K. K. | 固体レーザ装置 |
| JP2006312154A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 冷却水装置 |
| JP2009164522A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Fujitsu Ltd | 電子装置用冷却システム |
| JPWO2019167232A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2020-04-09 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 冷却装置および冷却水の処理方法 |
-
1987
- 1987-04-08 JP JP62086663A patent/JPH0793397B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03191274A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-21 | Hitachi Ltd | 電子計算機の冷却装置 |
| WO2005022707A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Hamamatsu Photonics K. K. | 固体レーザ装置 |
| US7502396B2 (en) | 2003-08-28 | 2009-03-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid-state laser apparatus |
| JP2006312154A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 冷却水装置 |
| JP2009164522A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Fujitsu Ltd | 電子装置用冷却システム |
| JPWO2019167232A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2020-04-09 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 冷却装置および冷却水の処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0793397B2 (ja) | 1995-10-09 |
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