JPS63249115A - Production of device using lithium tetraborate crystal - Google Patents

Production of device using lithium tetraborate crystal

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JPS63249115A
JPS63249115A JP8259687A JP8259687A JPS63249115A JP S63249115 A JPS63249115 A JP S63249115A JP 8259687 A JP8259687 A JP 8259687A JP 8259687 A JP8259687 A JP 8259687A JP S63249115 A JPS63249115 A JP S63249115A
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JP
Japan
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lithium tetraborate
photoresist
tetraborate crystal
crystal
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP8259687A
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Japanese (ja)
Inventor
Hisatoshi Saito
久俊 斉藤
Masashi Omura
正志 大村
Shusuke Abe
秀典 阿部
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Eneos Corp
Original Assignee
Nippon Mining Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS63249115A publication Critical patent/JPS63249115A/en
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Abstract

PURPOSE:To prevent a device from damages, to improve the characteristics of the device, and to miniaturize the device, by forming metallic film or dielectric film with a photoresist splitable at a principal chain, using also an org. solvent for all treating liquid. CONSTITUTION:A high molecular compd. splitable at a principal chain which changes its dissolution velocity into an org. solvent when its principal chain is split is used as photoresist, and an org. solvent alone is used for the treating liquid at the same time. Suitable photoresist is polymethyl isopropenyl ketone. An org. solvent consisting primarily of methyl ethyl ketone, acetone, and xylene, is used as developing liquid. Xylene is used as rinsing liquid,and acetone is used as releasing agent for the resist. By this constitution, a metallic film pattern or dielectric film can be formed without causing damage of lithium tetraborate crystal. Thus, devices such as surface acoustic wave element, etc. can be made to have high performance, and suitability for high frequency. Miniaturization of the device is also possible.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] この発明は、四硼酸リチウム結晶を基板として用いたデ
バイスの製造方法に関し、例えば弾性表面波素子および
光導波路や導波型A10素子等の光素子の形成に利用し
て効果的な技術に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for manufacturing devices using lithium tetraborate crystal as a substrate. The present invention relates to effective techniques that can be used to form elements.

[従来の技術] 弾性表面波(SAW)を利用したSAW素子や、弾性表
面波と導波光の相互作用を利用するいわゆる導波型A1
0素子を構成する圧電基板として、従来の水晶やニオブ
酸リチウム(L i N b Oi)結晶、タンタル酸
リチウム(L x T a Os)結゛晶等に代えて、
四硼酸リチウム(L x x B 40 t )結晶を
用いる技術が提案されている(特開昭60−21430
7号、特開昭60−259012号)。
[Prior art] SAW elements that use surface acoustic waves (SAW) and so-called waveguide type A1 that utilizes the interaction between surface acoustic waves and guided light
Instead of conventional crystal, lithium niobate (L i N b Oi) crystal, lithium tantalate (L x Ta Os) crystal, etc., as the piezoelectric substrate constituting the zero element,
A technique using lithium tetraborate (L x x B 40 t ) crystal has been proposed (Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-21430).
No. 7, Japanese Patent Publication No. 60-259012).

四硼酸リチウム結晶は、上記従来のLiNb0゜結晶や
L i T a O,結晶に比べて遅延時間温度係数(
T CD)が小さく、水晶やL i T a O,結晶
に比べて電気機械結合係数(K2)が大きいと共に、他
結晶に比べてSAW反射率特性に優れ、また光ファイバ
との接続面における反射損失が小さいため、SAW素子
や導波型A10素子の結晶基板として期待されている。
Lithium tetraborate crystal has a lower delay time temperature coefficient (
It has a small TCD), a large electromechanical coupling coefficient (K2) compared to quartz, LiTaO, and other crystals, superior SAW reflectance characteristics compared to other crystals, and low reflection at the connection surface with the optical fiber. Because of its low loss, it is expected to be used as a crystal substrate for SAW devices and waveguide type A10 devices.

ところが、四硼酸リチウム結晶は酸類によって溶解され
易いという性質を有している。そのため、四硼酸リチウ
ム結晶基板上にアルミニウム層からなる櫛形の送信電極
および受信電極を形成して構成されるSAW素子等のプ
ロセスにおいて、リン酸系のエツチング液を用いてアル
ミニウム電極の形成を行なう従来の電極形成工程では、
結晶基板が損傷されて素子特性が劣化するとともに、電
極の微細な加工も困難になる。
However, lithium tetraborate crystals have the property of being easily dissolved by acids. Therefore, in the process of SAW devices, etc., which are constructed by forming comb-shaped transmitting electrodes and receiving electrodes made of aluminum layers on a lithium tetraborate crystal substrate, conventionally the aluminum electrodes are formed using a phosphoric acid-based etching solution. In the electrode formation process,
This damages the crystal substrate, deteriorating the device characteristics, and also makes it difficult to finely process the electrodes.

そこで、アルミニウム電極の形成を、リフトオフ法によ
り行なうことで、基板の損傷を防止する技術が提案され
ている。
Therefore, a technique has been proposed in which the aluminum electrode is formed by a lift-off method to prevent damage to the substrate.

リフトオフ法は、金属膜蒸着前にレジスト膜をつけて露
光及び現像を行ない、電極としての金属を残したい部分
のレジストを除去した逆パターンを形成し、その後全面
に金属を蒸着してからレジストを溶かしてその上の不要
金属膜とともに除去し、所望の電極パターンを残す方法
である。
In the lift-off method, a resist film is applied before the metal film is deposited, exposed and developed, and a reverse pattern is formed by removing the resist in the areas where the metal is desired to remain as an electrode.After that, the metal is deposited on the entire surface, and then the resist is removed. This method involves melting and removing the unnecessary metal film on it, leaving the desired electrode pattern.

このリフトオフ法を適用した弾性表面波素子の製造方法
を第1図を参照にして説明する。
A method of manufacturing a surface acoustic wave device using this lift-off method will be described with reference to FIG.

先ず、鏡面研磨した圧電基板1上に、フォトレジスト2
をスピンコードしくa)、所望のパターン3aを有する
フォトマスク3をフォトレジスト2上に密着或いは、狭
い隙間をあけて可視光または紫外線を照射しくb)、そ
の基板を現像液で現像した後、リンス液で現像を停止さ
せ、電極パターンと逆のレジストパターン2′を形成す
る(C)。
First, a photoresist 2 is placed on a mirror-polished piezoelectric substrate 1.
a) After applying the photomask 3 having the desired pattern 3a onto the photoresist 2 or irradiating it with visible light or ultraviolet light with a narrow gap, b) developing the substrate with a developer, The development is stopped with a rinsing solution, and a resist pattern 2' opposite to the electrode pattern is formed (C).

その後、レジストパターン2′を有する基板上に金属膜
4を被着しくd)、レジスト剥離剤を用いてレジスト2
′をその上の不要金属膜と共に除去し、所望の金属膜パ
ターン4′を形成する(e)。
After that, a metal film 4 is deposited on the substrate having the resist pattern 2'.
' is removed together with the unnecessary metal film thereon to form a desired metal film pattern 4' (e).

最後に基板1を所定の大きさに切断して、個々のデバイ
スに分離し、容器に収容して、弾性表面波素子が完成す
る。
Finally, the substrate 1 is cut into a predetermined size, separated into individual devices, and placed in a container to complete the surface acoustic wave device.

ところで、上述したりフトオフ法におけるフォトレジス
トは、解像度、露光時間などから従来はナフトキノンジ
アジド基などを光分解剤として用いたポジ型のフォトレ
ジストが使用されることが多い、このナフトキノンジア
ジド基は、可視光或いは紫外線を照射されることにより
アルカリ性水溶液に可溶になる。つまり現像液としてア
ルカリ水溶液を用いることによりレジストパターンが形
成される。また通常は、現像停止及び現像液除去のため
に純水等によるリンスが行なわれる。
By the way, for the photoresist used in the above-mentioned foot-off method, a positive type photoresist using a naphthoquinone diazide group as a photodegrading agent is often used due to resolution, exposure time, etc. This naphthoquinone diazide group is It becomes soluble in alkaline aqueous solution by irradiation with visible light or ultraviolet light. That is, a resist pattern is formed by using an alkaline aqueous solution as a developer. Further, rinsing with pure water or the like is usually performed to stop development and remove the developer.

[発明の解決しようとする問題点コ しかしながら、四硼酸リチウム結晶は、本出願人が先に
出願した特願昭61−305409号でも明らかなよう
に、塩酸、酢酸、純水などに、H1イオン濃度に比例し
て溶解する性質を有している。第2図に、pHに対する
四硼酸リチウム結晶の溶解速度を示す。
[Problems to be Solved by the Invention] However, as is clear from Japanese Patent Application No. 61-305409 previously filed by the present applicant, lithium tetraborate crystals are susceptible to H1 ions in hydrochloric acid, acetic acid, pure water, etc. It has the property of dissolving in proportion to the concentration. FIG. 2 shows the dissolution rate of lithium tetraborate crystals with respect to pH.

このグラフからも分かるとおり、四硼酸リチウム結晶は
、酸類に比べると大幅に少ないとはいえるが、アルカリ
性、水溶液によってもある程度溶解される。例えば、ア
ルカリ性水溶液で現像を行なった後、純水で1分〜3分
程度リンスを行なった場合、四硼酸リチウム結晶は、2
00人〜600人程度エツチングされる。
As can be seen from this graph, lithium tetraborate crystals can be dissolved to some extent in alkaline and aqueous solutions, although the amount is significantly less than in acids. For example, when rinsing with pure water for about 1 to 3 minutes after development with an alkaline aqueous solution, lithium tetraborate crystals
Approximately 00 to 600 people will be etched.

その結果、前述したような四硼酸リチウム結晶を基板と
するSAW素子等のデバイスの特性が劣化したり、電極
等の微細加工が困難になる。
As a result, the characteristics of devices such as SAW elements using lithium tetraborate crystals as substrates as described above deteriorate, and microfabrication of electrodes and the like becomes difficult.

この発明の目的は、四硼酸リチウム結晶を用いるデバイ
スプロセスにおいて、現像液やリンス液、剥離剤等のプ
ロセスの途中で使用される各種処理液によって結晶基板
が損傷されないようにし、もって四硼酸リチウム結晶基
板上に金属膜もしくは誘電体膜のパターンを形成して構
成されるデバイスの特性を向上させると共に、より微細
な加工を行なえるような製造技術を提供することにある
The purpose of this invention is to prevent the crystal substrate from being damaged by various processing solutions used during the process, such as developing solution, rinsing solution, and stripping agent, in a device process using lithium tetraborate crystals. The object of the present invention is to provide a manufacturing technique that improves the characteristics of a device constructed by forming a pattern of a metal film or dielectric film on a substrate, and allows finer processing.

[問題を解決するための手段] この発明は、四硼酸リチウム結晶は、アセトン等の有機
溶剤には溶解しないという性質に着目し、露光によりア
ルカリ性水溶液に対する溶解速度が変化するタイプのフ
ォトレジストの代わりに、ポリマーの主鎖が切断される
と分子量が小さくなって有機溶剤に対する溶解速度が変
化するような主鎖切断型のフォトレジストを、金属膜や
誘電体膜の形成に用いると共に、現像液やリンス液、レ
ジスト剥離剤その他プロセスに用いられるすべての処理
液として有機溶剤を用いるようにするものである。
[Means for Solving the Problem] This invention focuses on the property that lithium tetraborate crystals do not dissolve in organic solvents such as acetone, and provides a substitute for a type of photoresist whose dissolution rate in an alkaline aqueous solution changes depending on exposure. In addition, photoresists with main chain cleavage, in which the molecular weight decreases when the main chain of the polymer is cleaved and the dissolution rate in organic solvents changes, are used to form metal films and dielectric films, and they are also used in developing solutions and Organic solvents are used as rinsing liquids, resist stripping agents, and all other processing liquids used in the process.

[作用] 上記した手段によれば、四硼酸リチウム結晶を基板とす
るデバイスの製造工程において、四硼酸リチウム結晶が
溶解する水および酸もしくはアルカリ性水溶液を一切使
用しないですむようになり。
[Function] According to the above means, in the manufacturing process of a device using lithium tetraborate crystal as a substrate, it is no longer necessary to use water and acid or alkaline aqueous solution in which the lithium tetraborate crystal is dissolved.

これによってフォトレジストの現像液やリンス液等によ
る結晶基板表面の損傷を防止して、デバイスの特性を向
上させると共に、より微細な加工を行なえるようにする
という上記目的を達成することができる。
This makes it possible to prevent damage to the surface of the crystal substrate caused by a photoresist developer, rinse solution, etc., to improve the characteristics of the device, and to achieve the above-mentioned purpose of enabling finer processing.

[実施例] 以下、本発明を、四硼酸リチウム結晶基板上へアルミニ
ウム電極を形成してSAW素子を得る工程に適用した場
合の一実施例を説明する。
[Example] Hereinafter, an example will be described in which the present invention is applied to a process of forming an aluminum electrode on a lithium tetraborate crystal substrate to obtain a SAW element.

なお、本実施例のりフトオフ法を使用したプロセスその
ものは第1図に示した従来のプロセスと同一であるので
、以下第1図を参照しながら説明する。
Note that the process itself using the lift-off method in this embodiment is the same as the conventional process shown in FIG. 1, and therefore will be described below with reference to FIG. 1.

先ず、鏡面研磨された四硼酸リチウム結晶基板を用意し
、この結晶基板1の表面に、ポリメチルイソプロペニル
ケトンのような主鎖切断型のフォトレジストをスピンコ
ードして、厚み1.0〜1゜5μm程度のレジスト膜2
を全面的に形成する(第1図(a))。その後、この基
板に対し、100℃前後の温度で20〜30分程度のプ
リベークを行なってフォトレジストを乾燥させる。ポリ
メチルイソプロペニルケトンは、平均分子量約9万であ
るが、上記プリベークによる乾燥によって、有機溶剤に
対する溶解速度は非常に遅い性質に変化する。
First, a mirror-polished lithium tetraborate crystal substrate is prepared, and a main chain-cleaved photoresist such as polymethyl isopropenyl ketone is spin-coded on the surface of the crystal substrate 1 to a thickness of 1.0 to 1. Resist film 2 of about 5μm
is formed over the entire surface (Fig. 1(a)). Thereafter, this substrate is prebaked at a temperature of about 100° C. for about 20 to 30 minutes to dry the photoresist. Although polymethyl isopropenyl ketone has an average molecular weight of about 90,000, its dissolution rate in organic solvents changes to a very slow property due to drying by the above-mentioned prebaking.

次に、所望の電極に対応したパターン3aを有するフォ
トマスク3を、レジスト膜2上に密着させ、波長250
nmの遠紫外線を照射する(第1図(b))。
Next, a photomask 3 having a pattern 3a corresponding to a desired electrode is brought into close contact with the resist film 2, and
irradiate with deep ultraviolet rays (Fig. 1(b)).

これによって、ポリメチルイソプロペニルケトンは、3
40nmよりも短い波長の光の照射を受けた部分で、次
式のような反応式によって−CH2−C−CH,−C−
の主鎖が切断され平均分子量約2万の分子に切断される
By this, polymethyl isopropenyl ketone becomes 3
In the part irradiated with light with a wavelength shorter than 40 nm, -CH2-C-CH, -C-
The main chain of is cleaved into molecules with an average molecular weight of about 20,000.

しfi、    U員、        シMg   
   シtt。
Shifi, U member, Shi Mg
Shitt.

そこで、メチルエチルケトン、アセトン、キシレンなど
の有機溶剤からなる現像液で基板に対する現像処理を行
なった後、キシレン等からなるリンス液で洗浄して現像
を停止させ、かつ現像液を除去する。すると、上記露光
によって主鎖が切断されて低分子量物質に変化した部分
は、有機溶剤に対する溶解速度が増加されるため、光の
照射を受けた部分のフォトレジストが現像液によって溶
解され、第1図(Q)のように所望の電極パターンと逆
のレジストパターン2′が残る。
Therefore, after the substrate is developed with a developer made of an organic solvent such as methyl ethyl ketone, acetone, or xylene, the development is stopped by washing with a rinse solution made of xylene or the like, and the developer is removed. Then, the dissolution rate in the organic solvent increases in the part whose main chain is cut and changed into a low molecular weight substance by the exposure, so the photoresist in the part irradiated with light is dissolved by the developer, and the first As shown in Figure (Q), a resist pattern 2' opposite to the desired electrode pattern remains.

次に、基板1上に蒸着法あるいはスパッタ法等によりア
ルミニウムのような金属膜4を全面的に形成する(第1
図(d))、Lかる後、アセトンのような有機溶剤を用
いた洗浄等により、基板1上の残留レジストパターン2
′を剥離し、その上の不要金属膜4を除去する。これに
よって、所望の金属膜パターン4′が、基板1上に形成
される(第1図(e))。
Next, a metal film 4 such as aluminum is formed entirely on the substrate 1 by vapor deposition or sputtering (the first
After cleaning, the remaining resist pattern 2 on the substrate 1 is washed with an organic solvent such as acetone.
' is peeled off, and the unnecessary metal film 4 thereon is removed. As a result, a desired metal film pattern 4' is formed on the substrate 1 (FIG. 1(e)).

その後、基板を所望の大きさに切断してから容器に封入
することにより、弾性表面波素子のようなデバイスが完
成される。
Thereafter, the substrate is cut to a desired size and then sealed in a container to complete a device such as a surface acoustic wave element.

上記実施例に従うと、酸や水あるいはアルカリ性水溶液
のような四硼酸リチウム結晶を僅かでも溶解するような
溶液はプロセスにおいて一切使用せず、四硼酸リチウム
結晶を全く溶解しない有機溶剤のみを用いて電極の形成
を行なうことができる。
According to the above example, no solution such as acid, water, or alkaline aqueous solution that dissolves lithium tetraborate crystals even slightly is used in the process, and only an organic solvent that does not dissolve lithium tetraborate crystals at all is used to form an electrode. can be formed.

そのため、リフトオフ法による電極形成工程において使
用される現像液やリンス液、レジスト剥離剤によって基
板表面が損傷されることがない。
Therefore, the substrate surface is not damaged by the developer, rinse solution, and resist stripping agent used in the electrode formation process using the lift-off method.

その結果、これまで基板表面の損傷があったため正確な
素子設計が行なえなかったが、設計値どおりの正確な素
子を製作でき、デバイスの特性が向上される。また、基
板表面の損傷のばらつきがなくなるため素子製造ばらつ
きが減少する。さらに、基板溶解による電極形状の変化
もなくなるため、より微細な電極パターンの形成が可能
となる。
As a result, although accurate device design has not been possible due to damage to the substrate surface, it is now possible to manufacture devices that are accurate to the designed values, and the characteristics of the device are improved. Further, since variations in damage to the substrate surface are eliminated, variations in device manufacturing are reduced. Furthermore, since there is no change in electrode shape due to substrate melting, it becomes possible to form finer electrode patterns.

なお、本発明者は、本実施例で使用したメチルエチルケ
トンやアセトン、キシレン以外の有機溶剤についても四
硼酸リチウム結晶の溶解の有無を調べた結果、メチルエ
チルケトン、アセトン、キシレンはもちろん、モノクロ
ロベンゼンやトルエン、シクロヘキサノン等の有機溶剤
は四硼酸リチウム結晶を溶解しないことを確認した。ま
た、トリクレンも四硼酸リチウム結晶を溶解しないこと
が知られている。
The inventor investigated the dissolution of lithium tetraborate crystals in organic solvents other than methyl ethyl ketone, acetone, and xylene used in this example, and found that not only methyl ethyl ketone, acetone, and xylene, but also monochlorobenzene, toluene, It was confirmed that organic solvents such as cyclohexanone do not dissolve lithium tetraborate crystals. It is also known that trichlene does not dissolve lithium tetraborate crystals.

従って、実施例で使用した有機溶剤の外に、モノクロロ
ベンゼン、トルエン、シクロヘキサノン、トリクレン等
の有機溶剤を現像液、リンス液、レジスト剥離剤として
使用するようにしてもよい。
Therefore, in addition to the organic solvents used in the examples, organic solvents such as monochlorobenzene, toluene, cyclohexanone, and trichlene may be used as a developer, a rinse agent, and a resist stripping agent.

また、本実施例においてはフォトレジストとしてポリメ
チルイソプロペニルケトンを使用したが、それに限定さ
れずポリメチルメタクリレートなど他の主鎖切断型フォ
トレジストを使用してもよく、それによって上記実施例
と同様に有機溶剤のみで現像、リンス、レジスト剥離等
を行なうことができる。
Further, in this example, polymethyl isopropenyl ketone was used as the photoresist, but the photoresist is not limited thereto, and other main chain cleavage type photoresists such as polymethyl methacrylate may be used, thereby making it similar to the above example. Development, rinsing, resist stripping, etc. can be performed using only organic solvents.

また本実施例においては、電極としてアルミニウムを使
用しているがAu、Cr、Ti、Cu。
Further, in this embodiment, aluminum is used as the electrode, but Au, Cr, Ti, and Cu may also be used.

Niもしくはこれらの合金等、蒸着法やスパッタ法によ
り堆積可能な金属であれば同様な効果が得られることは
明らかである。ところで、本実施例においては、フォト
マスクを使用した露光を行なったが、フォトマスクを使
用しない電子ビームによる直接描画の場合にも、同様な
効果が得られる。
It is clear that similar effects can be obtained using metals that can be deposited by vapor deposition or sputtering, such as Ni or alloys thereof. Incidentally, in this embodiment, exposure was performed using a photomask, but similar effects can be obtained even in the case of direct writing using an electron beam without using a photomask.

さらに、金属電極の代わりにSin、5in2、Si、
N、等のような誘電体膜を用いることがあるので、その
ような誘電体膜を所定パターンに形成する場合にも本発
明を適用することができる。
Furthermore, instead of metal electrodes, Sin, 5in2, Si,
Since a dielectric film such as N, etc. may be used, the present invention can also be applied to the case where such a dielectric film is formed in a predetermined pattern.

また1本発明は弾性表面波素子の他、光導波路や導波型
A10素子のような光素子、バルク振動子、センサ等、
四硼酸リチウム結晶を用いたデバイスの形成一般に利用
することができる。
In addition to surface acoustic wave devices, the present invention also applies to optical devices such as optical waveguides and waveguide type A10 devices, bulk vibrators, sensors, etc.
It can be used generally to form devices using lithium tetraborate crystals.

例えば、光導波路の製法には、結晶基板上に金属薄膜を
蒸着して所定のパターンに形成してから、加熱を行なっ
て該金属を基板内部に拡散させることにより形成する方
法があり、この製造工程における金属パターンの形成に
上記実施例を適用することができる。
For example, there is a method for manufacturing optical waveguides in which a thin metal film is deposited on a crystal substrate to form a predetermined pattern, and then heated to diffuse the metal into the substrate. The above embodiment can be applied to the formation of a metal pattern in a process.

また、リフトオフ法以外のプロセスにてSAW素子等の
デバイスを形成する場合にも、本発明を適用することが
可能である。
Furthermore, the present invention can be applied to the case where a device such as a SAW element is formed by a process other than the lift-off method.

[発明の効果] 以上説明したように、この発明は、四硼酸リチウム結晶
を用いたデバイスのプロセスにおいて、フォトレジスト
として主鎖切断型レジストを使用すると共に、現像液、
リンス液及びレジスト剥離剤等の処理液として有機溶剤
のみを使用するようにしたので、水及び酸もしくはアル
カリ性水溶液を一切使用せずに、四硼酸リチウム結晶を
基板とするデバイスの製造が可能となる。これによって
、四硼酸リチウム結晶を損傷することなく金属膜パター
ンあるいは誘電体膜パターンを形成することができ、弾
性表面波素子等のデバイスの高性能化、高周波化を図る
ことができるとともに、デバイスの微細化が可能となる
[Effects of the Invention] As explained above, the present invention uses a main chain cleavage type resist as a photoresist in the process of a device using lithium tetraborate crystals, and also uses a developer,
Since only organic solvents are used as processing liquids such as rinsing liquid and resist stripping agent, it is possible to manufacture devices using lithium tetraborate crystal as a substrate without using any water or acid or alkaline aqueous solutions. . This makes it possible to form metal film patterns or dielectric film patterns without damaging the lithium tetraborate crystal, making it possible to improve the performance and frequency of devices such as surface acoustic wave elements, and to improve the performance and frequency of devices such as surface acoustic wave elements. Miniaturization becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図(a)〜(e)は、本発明が適用される四硼酸リ
チウム結晶基板上への電極形成工程の一例を示す断面図
、 第2図は四硼酸リチウム結晶の溶解量と処理液のPHと
の関係を示すグラフである。 1・・・・四硼酸リチウム結晶基板、2・・・・フォト
レジスト膜、2′・・・・レジストパターン、3・・3
.フォトマスク、4・・・・金属膜、4′・・・・電極
パターン。 第1図
FIGS. 1(a) to (e) are cross-sectional views showing an example of the electrode formation process on a lithium tetraborate crystal substrate to which the present invention is applied; FIG. 2 is a diagram showing the amount of lithium tetraborate crystal dissolved and the treatment solution. It is a graph showing the relationship between PH and PH. 1...Lithium tetraborate crystal substrate, 2...Photoresist film, 2'...Resist pattern, 3...3
.. Photomask, 4...metal film, 4'...electrode pattern. Figure 1

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)四硼酸リチウム結晶を基板とするデバイスの製造
工程において、フォトレジストとしてその主鎖が切断さ
れると、有機溶媒への溶解速度が変化する主鎖切断型の
高分子化合物を使用すると共に、処理液として有機溶剤
のみを用いるようにしたことを特徴とする四硼酸リチウ
ム結晶を用いたデバイス製造方法。
(1) In the manufacturing process of a device using lithium tetraborate crystal as a substrate, a polymer compound with a main chain cleavage type is used as a photoresist whose dissolution rate in an organic solvent changes when the main chain is cleaved. A method for manufacturing a device using lithium tetraborate crystal, characterized in that only an organic solvent is used as a processing liquid.
(2)四硼酸リチウム結晶上にフォトレジストを塗布し
、このフォトレジストに対して所定パターンの露光を行
なった後、現像液を用いて現像してからリンス液を用い
てリンスを行ない、しかる後、フォトレジスト上に金属
膜あるいは誘電体膜を被着し、レジスト剥離剤を用いて
不要レジストを除去することにより金属膜パターンある
いは誘電体膜パターンを形成するデバイス製造方法であ
って、前記フォトレジストとして、主鎖切断型の高分子
化合物を使用し、前記現像液、リンス液、レジスト剥離
剤として有機溶剤を用いるようにしたことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の四硼酸リチウム結晶を用い
たデバイス製造方法。
(2) After applying a photoresist on the lithium tetraborate crystal and exposing the photoresist in a predetermined pattern, the photoresist is developed using a developer, and then rinsed using a rinsing solution. , a device manufacturing method in which a metal film pattern or a dielectric film pattern is formed by depositing a metal film or a dielectric film on a photoresist and removing unnecessary resist using a resist stripping agent, the method comprising: The lithium tetraborate crystal according to claim 1, wherein a main chain-cleaved polymer compound is used as the lithium tetraborate crystal, and an organic solvent is used as the developer, rinse agent, and resist stripping agent. A device manufacturing method using
(3)前記フォトレジストとして、ポリメチルイソプロ
ペニルケトンを用いると共に、前記現像液としてメチル
エチルケトン、アセトン、キシレンを主成分とする有機
溶剤を用い、前記リンス液としてキシレンを用い、前記
レジスト剥離剤としてアセトンを用いることを特徴とす
る特許請求の範囲第2項記載の四硼酸リチウム結晶を用
いたデバイス製造方法。
(3) Polymethyl isopropenyl ketone is used as the photoresist, an organic solvent containing methyl ethyl ketone, acetone, and xylene as the main components is used as the developer, xylene is used as the rinsing liquid, and acetone is used as the resist stripping agent. A method for manufacturing a device using a lithium tetraborate crystal according to claim 2, characterized in that the method uses a lithium tetraborate crystal.
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