JPS63238584A - 放射線検出装置 - Google Patents
放射線検出装置Info
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- JPS63238584A JPS63238584A JP7163287A JP7163287A JPS63238584A JP S63238584 A JPS63238584 A JP S63238584A JP 7163287 A JP7163287 A JP 7163287A JP 7163287 A JP7163287 A JP 7163287A JP S63238584 A JPS63238584 A JP S63238584A
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- scintillator
- light
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- fiber
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- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
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- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 16
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- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
(産業上の利用分野)
本発明は、放射線CTスキャナ、放射線テレビジョン等
の放射51検出器として使用される放射線検出装置に関
する。
の放射51検出器として使用される放射線検出装置に関
する。
(従来の技術)
第4図は従来のこの種の放射線検出装置の一構成例を示
す斜視図であって、図中1は放射線例えばX線2が当た
ると発光するシンチレータ板、3は複数の光ファイバを
束ねてなるファイバプレート、4は複数チャンネルの光
電変換素子群としてのホトダイオードアレイと電荷転送
素子としてのCCD (Charge −Couple
d −Device )とを組合わせてなる光用リニア
アレイセンサであり、このリニアアレイセンサ4の各チ
ャンネルにファイバプレート3を介してシンチレータ板
1で発光したX線像を写し込む。つまり、シンチレータ
板1にて発生した光を多数の光ファイバでそれぞれ平行
光束に変換しながら取込み、リニアアレイセンサ4にお
ける該当チャンネルの光電変換素子に導くようになって
いる。
す斜視図であって、図中1は放射線例えばX線2が当た
ると発光するシンチレータ板、3は複数の光ファイバを
束ねてなるファイバプレート、4は複数チャンネルの光
電変換素子群としてのホトダイオードアレイと電荷転送
素子としてのCCD (Charge −Couple
d −Device )とを組合わせてなる光用リニア
アレイセンサであり、このリニアアレイセンサ4の各チ
ャンネルにファイバプレート3を介してシンチレータ板
1で発光したX線像を写し込む。つまり、シンチレータ
板1にて発生した光を多数の光ファイバでそれぞれ平行
光束に変換しながら取込み、リニアアレイセンサ4にお
ける該当チャンネルの光電変換素子に導くようになって
いる。
しかるに、このような従来装置には次のような欠点があ
った。すなわち、シンチレータ板1にて発生した光はフ
ァイバプレート3との接合面を通過し、さらにファイバ
プレート3とリニアアレイセンサ4との接合面とを通過
してリニアアレイセンサ4に取込まれる。このため1口
れら接合面での反射等によりシンチレータ板1にて発生
じた光を効率よくリニアアレイセンサ4における該当チ
ャンネルの光電変換素子に導くことができなった上、他
チャンネルとのクロストークが発生し、検出誤差を生じ
易かった。
った。すなわち、シンチレータ板1にて発生した光はフ
ァイバプレート3との接合面を通過し、さらにファイバ
プレート3とリニアアレイセンサ4との接合面とを通過
してリニアアレイセンサ4に取込まれる。このため1口
れら接合面での反射等によりシンチレータ板1にて発生
じた光を効率よくリニアアレイセンサ4における該当チ
ャンネルの光電変換素子に導くことができなった上、他
チャンネルとのクロストークが発生し、検出誤差を生じ
易かった。
(発明が解決しようとする問題点)
上’rLしたように、従来装置においては、接合面での
光の反射に起因して高精度な放射線検出が因!「であっ
t二。
光の反射に起因して高精度な放射線検出が因!「であっ
t二。
そこで本発明は、ファイバプレートのコア部をシンチレ
ータ板と同様の材質で形成することによりシンチレータ
板を不要にしくq、コアにて発生した光を他のチャンネ
ルとのクロストークを生じることなく効率よくリニアア
レイセンサまで導くことが可能で、誤差の少ない高精度
な放射線検出を行ない(りる放射線検出装置を提供する
ことを目的とする。
ータ板と同様の材質で形成することによりシンチレータ
板を不要にしくq、コアにて発生した光を他のチャンネ
ルとのクロストークを生じることなく効率よくリニアア
レイセンサまで導くことが可能で、誤差の少ない高精度
な放射線検出を行ない(りる放射線検出装置を提供する
ことを目的とする。
[発明の構成コ
(問題点を解決するための手段)
本発明の放射線検出装置は、けい光物質でコア部を形成
した光ファイバを複数本束ねて形成されるファイバプレ
ートと、このファイバプレートの光ファイバ切出し面に
接合される光電変換素子群と、前記ファイバプレー1・
の光電変換素子群接合面以外を被覆する光反射膜と、前
記光電変換素子群にてそれぞれ光電変換された光情報を
読出す手段とを備えたものである。
した光ファイバを複数本束ねて形成されるファイバプレ
ートと、このファイバプレートの光ファイバ切出し面に
接合される光電変換素子群と、前記ファイバプレー1・
の光電変換素子群接合面以外を被覆する光反射膜と、前
記光電変換素子群にてそれぞれ光電変換された光情報を
読出す手段とを備えたものである。
(作用)
このような手段を講じた放射線検出装置であれば、ファ
イバプレートに放射線が投射されると、このファイバプ
レートのコア部を形成するけい光物質で放射線が光に変
換され、この光はファイバ内をクロストークを生じるこ
となく、かつ光反射膜により外部へ漏れることなく光電
変換素子群の該当チャンネルに導かれ、ここで電気信号
に変換されて読出される。
イバプレートに放射線が投射されると、このファイバプ
レートのコア部を形成するけい光物質で放射線が光に変
換され、この光はファイバ内をクロストークを生じるこ
となく、かつ光反射膜により外部へ漏れることなく光電
変換素子群の該当チャンネルに導かれ、ここで電気信号
に変換されて読出される。
(実胎例)
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第1図は本発明の一実籠例の外1!構成を示す斜視図で
ある。同図において11はけい光物質をコア材とする多
数の光ファイバを束ねて形成されるシンチレータファイ
バプレートである。12は1024チヤンネルまたは2
048チヤンネルのリニアアレイを形成する光電変換素
子群としてのホトダイオードアレイと、このホトダイオ
ードアレイにて光電¥換された光情報を読出す手段とを
組合わせてなる光用リニアアレイセンサであって、前記
シンチレータファイバプレート11の光ファイバ切出し
面が上記ホトダイオードアレイの入力側に直結している
。13は例えばアルミニウムからなる光反射膜であって
、前記シンチレータファイバプレート11のホトダイオ
ードアレイ接合面を除く外周面を被覆する。そして、全
体の形状は例えばDIPタイプのIC状の形をなしてい
る。
ある。同図において11はけい光物質をコア材とする多
数の光ファイバを束ねて形成されるシンチレータファイ
バプレートである。12は1024チヤンネルまたは2
048チヤンネルのリニアアレイを形成する光電変換素
子群としてのホトダイオードアレイと、このホトダイオ
ードアレイにて光電¥換された光情報を読出す手段とを
組合わせてなる光用リニアアレイセンサであって、前記
シンチレータファイバプレート11の光ファイバ切出し
面が上記ホトダイオードアレイの入力側に直結している
。13は例えばアルミニウムからなる光反射膜であって
、前記シンチレータファイバプレート11のホトダイオ
ードアレイ接合面を除く外周面を被覆する。そして、全
体の形状は例えばDIPタイプのIC状の形をなしてい
る。
なお、Ili射線2の入射方向は同図ではシンチレータ
ファイバプレート11に対し水平方向となっているが、
垂直方向、斜め方向など、どの方向からでもよい。
ファイバプレート11に対し水平方向となっているが、
垂直方向、斜め方向など、どの方向からでもよい。
第2図は前記シンチレータファイバプレート11を形成
する1本のシンチレータファイバ11−1の断面構造図
であって、円筒状のシンチレータコア21の周囲には光
を屈折させるクラッド22が?!!!覆されている。し
かして、同図に示すように、シンチレータコア21に入
射した放射線2は光に変換され、シンチレータコア21
とクラッド22との接合面にて反射を繰返しながら出力
側へ導かれる。
する1本のシンチレータファイバ11−1の断面構造図
であって、円筒状のシンチレータコア21の周囲には光
を屈折させるクラッド22が?!!!覆されている。し
かして、同図に示すように、シンチレータコア21に入
射した放射線2は光に変換され、シンチレータコア21
とクラッド22との接合面にて反射を繰返しながら出力
側へ導かれる。
第3図はりニアアレイセンサ12の具体的な回路構成図
である。ホトダイオードアレイ30は、ホトダイオード
31とホトダイオード31からの電荷を蓄積する電荷蓄
積用コンデンサ32どで1チヤンネルを構成し、各チャ
ンネル毎の出力端はそれぞれ対応するスイッチングトラ
ンジスタ33のエミッタ端子に接続している。各スイッ
チングトランジスタ33はシフトレジスタ34の出力に
応じて駆動するようになっており、各スイッチングトラ
ンジスタ33のコレクタ端子は共通してビデオ出力端子
35に接続している。シフトレジスタ34は駆動回路3
6からの3相駆動パルスによつて1ill Mされ、前
記スイッチングトランジスタ33を順次走査して各チャ
ンネル毎に電気信号に変換された光情報をビデオ出力端
子から読出すようになっている。
である。ホトダイオードアレイ30は、ホトダイオード
31とホトダイオード31からの電荷を蓄積する電荷蓄
積用コンデンサ32どで1チヤンネルを構成し、各チャ
ンネル毎の出力端はそれぞれ対応するスイッチングトラ
ンジスタ33のエミッタ端子に接続している。各スイッ
チングトランジスタ33はシフトレジスタ34の出力に
応じて駆動するようになっており、各スイッチングトラ
ンジスタ33のコレクタ端子は共通してビデオ出力端子
35に接続している。シフトレジスタ34は駆動回路3
6からの3相駆動パルスによつて1ill Mされ、前
記スイッチングトランジスタ33を順次走査して各チャ
ンネル毎に電気信号に変換された光情報をビデオ出力端
子から読出すようになっている。
次に、本実茄例装置の動作について説明する。
今、第1図に示す如く、シンチレータファイバプレー1
・11に対して水平方向からX線等の放射線2が投射さ
れると、放射線2は各シンチレータファイバ11−1の
シンチレータコア21にて光に変換され、シンチレータ
コア21とクラッド22との接合面で反射を繰返しなが
ら出力側に直結された該当チャンネルのホトダイオード
31に導かれる。なお、シンチレータファイバ11−1
の出力側と相反する側には光反射膜13が被覆されてい
るため、ここでも光が反射して外部へ漏れるおそれがな
いので、放射線量に相当する光は効率良く出力側へ導か
れる。また、上記光反射膜13は外部からの外乱光の侵
入を防止する役目も兼ねている。
・11に対して水平方向からX線等の放射線2が投射さ
れると、放射線2は各シンチレータファイバ11−1の
シンチレータコア21にて光に変換され、シンチレータ
コア21とクラッド22との接合面で反射を繰返しなが
ら出力側に直結された該当チャンネルのホトダイオード
31に導かれる。なお、シンチレータファイバ11−1
の出力側と相反する側には光反射膜13が被覆されてい
るため、ここでも光が反射して外部へ漏れるおそれがな
いので、放射線量に相当する光は効率良く出力側へ導か
れる。また、上記光反射膜13は外部からの外乱光の侵
入を防止する役目も兼ねている。
しかして、各チャンネルのフォトダイオード31では光
電変換が行なわれ、光ωに相当する電荷が対応する電荷
蓄積用コンデンサ32に蓄積される。一方、シフトレジ
スタ34は駆動回路36からの3相駆動パルスによって
駆動され、スイッチングトランジスタ33を順次オン動
作させる。
電変換が行なわれ、光ωに相当する電荷が対応する電荷
蓄積用コンデンサ32に蓄積される。一方、シフトレジ
スタ34は駆動回路36からの3相駆動パルスによって
駆動され、スイッチングトランジスタ33を順次オン動
作させる。
そうすると、オン動作したトランジスタ33からは対応
する電荷蓄積コンデンサ32にて蓄積された電荷がビデ
オ出力端子35から出力される。すなわち、シフトレジ
スタ34によってスイッチングトランジスタ33を順次
走査することにより光電変換された光情報、つまりはシ
ンチレータファイバプレート11に投射された放射線情
報が各チャンネル毎に、ビデオ出力端子35から出力さ
れる。
する電荷蓄積コンデンサ32にて蓄積された電荷がビデ
オ出力端子35から出力される。すなわち、シフトレジ
スタ34によってスイッチングトランジスタ33を順次
走査することにより光電変換された光情報、つまりはシ
ンチレータファイバプレート11に投射された放射線情
報が各チャンネル毎に、ビデオ出力端子35から出力さ
れる。
このように、本実施例によれば、ファイバプレート11
のコア部にシンチレータを用い、ファイバプレート11
に投射された放G’l I!を直接光に変換して伝送す
ることができるので、第4図に示す従来例のシンチレー
タ板1が不要となる。したがって、シンチレータ板1と
ファイバプレート3との接合面での光反射によるクロス
トークを除去できる。また、シンチレータファイバプレ
ート11内のシンチレータコア21にて発生した光はシ
ンチレータコア21とクラッド22との接合面で反q1
シ、かつ光反射膜13でも反射して効率良く出力側に導
かれる上、光反射膜13によって外部からの外乱光の浸
入を防止できる。したがって、放射線aに相当する光が
効率良く該当検出チャンネルの光電変換素子に導かれる
上、他の検出チャンネルとのクロストークも減少しつる
ので、検出誤差を著しく低減することができ、精度の高
い放射線検出を行なうことができる。
のコア部にシンチレータを用い、ファイバプレート11
に投射された放G’l I!を直接光に変換して伝送す
ることができるので、第4図に示す従来例のシンチレー
タ板1が不要となる。したがって、シンチレータ板1と
ファイバプレート3との接合面での光反射によるクロス
トークを除去できる。また、シンチレータファイバプレ
ート11内のシンチレータコア21にて発生した光はシ
ンチレータコア21とクラッド22との接合面で反q1
シ、かつ光反射膜13でも反射して効率良く出力側に導
かれる上、光反射膜13によって外部からの外乱光の浸
入を防止できる。したがって、放射線aに相当する光が
効率良く該当検出チャンネルの光電変換素子に導かれる
上、他の検出チャンネルとのクロストークも減少しつる
ので、検出誤差を著しく低減することができ、精度の高
い放射線検出を行なうことができる。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではない。
例えば、前記実施例では直線状のシンチレータファイバ
プレート11の一端にリニアアレイセンサ12を結合し
た場合を示したが、この場合、垂直方向から放射線2を
照射すると放射線2が直接リニアアレイセンサ12に投
射されることがあり、センサの故障等を招くおそれがあ
る。そこで、シンチレータファイバを曲折させてその先
端にリニアアレイセンサ12を接合させ、放射線2の投
射方向からりニアアレイセンサ12をずらすように構成
してもよい。また、シンチレータファイバ11−1を逆
円雄状とし、小径面に光電変換素子を直結させるように
することにより、隣接する検出チャンネル間のクロスト
ークを防止できる。
プレート11の一端にリニアアレイセンサ12を結合し
た場合を示したが、この場合、垂直方向から放射線2を
照射すると放射線2が直接リニアアレイセンサ12に投
射されることがあり、センサの故障等を招くおそれがあ
る。そこで、シンチレータファイバを曲折させてその先
端にリニアアレイセンサ12を接合させ、放射線2の投
射方向からりニアアレイセンサ12をずらすように構成
してもよい。また、シンチレータファイバ11−1を逆
円雄状とし、小径面に光電変換素子を直結させるように
することにより、隣接する検出チャンネル間のクロスト
ークを防止できる。
また、前記実施例ではりニアアレイセンサ12を第3回
に示す構成としたが、これに限るものではない。例えば
、光電変模索子としてホトダイオード31を用い、電荷
Nm用コンデンサ32で電荷を蓄積する場合を示したが
、CODを用いて光電変換および電荷の蓄積を行なうよ
うにしてもよい。また、電荷の蓄積はMOSキャパシタ
を代行させることも可能である。ざらに、リニアアレイ
ではな(エリアセンサとすることも可能なのは言うまで
もない。
に示す構成としたが、これに限るものではない。例えば
、光電変模索子としてホトダイオード31を用い、電荷
Nm用コンデンサ32で電荷を蓄積する場合を示したが
、CODを用いて光電変換および電荷の蓄積を行なうよ
うにしてもよい。また、電荷の蓄積はMOSキャパシタ
を代行させることも可能である。ざらに、リニアアレイ
ではな(エリアセンサとすることも可能なのは言うまで
もない。
このほか、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実
施可能であるのは勿論である。
施可能であるのは勿論である。
[発明の効果]
以上詳述したように、本発明によれば、ファイバプレー
トのコア部をシンチレータ板と同様の材質で形成するこ
とによりシンチレータ板を不要にし1り、コアにて発生
した光を他のチャンネルとのクロストークを生じること
なく効率よくリニアアレイセンサまで導くことが可能で
、誤差の少ない高情度な放射線検出を行ない1qる放射
線検出装置を提供できる。
トのコア部をシンチレータ板と同様の材質で形成するこ
とによりシンチレータ板を不要にし1り、コアにて発生
した光を他のチャンネルとのクロストークを生じること
なく効率よくリニアアレイセンサまで導くことが可能で
、誤差の少ない高情度な放射線検出を行ない1qる放射
線検出装置を提供できる。
?J1図ないし第3図は本発明の一実施例を示す図であ
って、第1図は全体構成を示す斜視図、第2図はシンチ
レータファイバの断面構造図、第3図はりニアアレイセ
ンサの回路構成図、第4図は従来の放射線検出装置の斜
視図である。 11・・・シンチレータファイバプレート、12・・・
光用リニアアレイセンサ、13・・・光反射膜、21・
・・シンチレータコア、22・・・クラッド、30・・
・ホトダイオードアレイ、33・・・スイッチングトラ
ンジスタ、34・・・シフトレジスタ、36・・・駆動
回路。 第 17 ↓ 第 2因
って、第1図は全体構成を示す斜視図、第2図はシンチ
レータファイバの断面構造図、第3図はりニアアレイセ
ンサの回路構成図、第4図は従来の放射線検出装置の斜
視図である。 11・・・シンチレータファイバプレート、12・・・
光用リニアアレイセンサ、13・・・光反射膜、21・
・・シンチレータコア、22・・・クラッド、30・・
・ホトダイオードアレイ、33・・・スイッチングトラ
ンジスタ、34・・・シフトレジスタ、36・・・駆動
回路。 第 17 ↓ 第 2因
Claims (1)
- けい光物質を含む光ファイバを複数本束ねて形成される
ファイバプレートと、このファイバプレートの光ファイ
バ切出し面に接合される光電変換素子群と、前記ファイ
バプレートの光電変換素子群接合面以外を被覆する光反
射膜と、前記光電変換素子群にてそれぞれ光電変換され
た光情報を読出す手段とを具備したことを特徴とする放
射線検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7163287A JPS63238584A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 放射線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7163287A JPS63238584A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 放射線検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63238584A true JPS63238584A (ja) | 1988-10-04 |
Family
ID=13466222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7163287A Pending JPS63238584A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 放射線検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63238584A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5308986A (en) * | 1992-12-17 | 1994-05-03 | Nanoptics Incorporated | High efficiency, high resolution, real-time radiographic imaging system |
US5420959A (en) * | 1992-12-17 | 1995-05-30 | Nanoptics Incorporated | High efficiency, high resolution, real-time radiographic imaging system |
US5856673A (en) * | 1996-02-27 | 1999-01-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Depth dose measuring apparatus |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP7163287A patent/JPS63238584A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5308986A (en) * | 1992-12-17 | 1994-05-03 | Nanoptics Incorporated | High efficiency, high resolution, real-time radiographic imaging system |
US5420959A (en) * | 1992-12-17 | 1995-05-30 | Nanoptics Incorporated | High efficiency, high resolution, real-time radiographic imaging system |
US5856673A (en) * | 1996-02-27 | 1999-01-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Depth dose measuring apparatus |
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