JPS6323738B2 - - Google Patents
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- JPS6323738B2 JPS6323738B2 JP55165047A JP16504780A JPS6323738B2 JP S6323738 B2 JPS6323738 B2 JP S6323738B2 JP 55165047 A JP55165047 A JP 55165047A JP 16504780 A JP16504780 A JP 16504780A JP S6323738 B2 JPS6323738 B2 JP S6323738B2
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- metal plates
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Landscapes
- Protection Of Static Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、単位コンデンサを多数個並列接続も
しくは、単位コンデンサを適当数個集合したコン
デンサ群を集合して構成する充放電用コンデンサ
バンクにおいて単位コンデンサの内部絶縁波壊事
故に伴うコンデンサの爆発、コンデンサブツシン
グの破損、バンク母線の破壊等を未然に防止する
保護装置に関するものである。
しくは、単位コンデンサを適当数個集合したコン
デンサ群を集合して構成する充放電用コンデンサ
バンクにおいて単位コンデンサの内部絶縁波壊事
故に伴うコンデンサの爆発、コンデンサブツシン
グの破損、バンク母線の破壊等を未然に防止する
保護装置に関するものである。
従来から核融合実験装置等に用いられる衝撃電
流発生装置は、多数個の単位コンデンサを特別な
デイカツプリング素子を用いずに並列接続して充
放電用コンデンサバンクを形成し充電エネルギー
を蓄積して、これを単一負荷に放電する方式がと
られている。
流発生装置は、多数個の単位コンデンサを特別な
デイカツプリング素子を用いずに並列接続して充
放電用コンデンサバンクを形成し充電エネルギー
を蓄積して、これを単一負荷に放電する方式がと
られている。
この方式において、充放電用コンデンサバンク
の１個の単位コンデンサが内部絶縁破壊事故を起
こすと、当該単位コンデンサに他の並列接続され
た単位コンデンサから過大なエネルギーが流れ込
み爆発事故やコンデンサブツシング、バンク母線
等の破壊事故を起こすことがある。
の１個の単位コンデンサが内部絶縁破壊事故を起
こすと、当該単位コンデンサに他の並列接続され
た単位コンデンサから過大なエネルギーが流れ込
み爆発事故やコンデンサブツシング、バンク母線
等の破壊事故を起こすことがある。
これを防止する為に従来考えられている方法
は、事故コンデンサに並列接続された他の単位コ
ンデンサから流れ込む大電流を利用し発生させた
電磁力により事故コンデンサ端子間を低インピー
ダンス回路で短絡させて事故コンデンサに流れ込
む大電流を低インピーダンス回路に転流させ、事
故コンデンサに過大なエネルギーが流入するのを
抑制するものであつた。
は、事故コンデンサに並列接続された他の単位コ
ンデンサから流れ込む大電流を利用し発生させた
電磁力により事故コンデンサ端子間を低インピー
ダンス回路で短絡させて事故コンデンサに流れ込
む大電流を低インピーダンス回路に転流させ、事
故コンデンサに過大なエネルギーが流入するのを
抑制するものであつた。
今充放電用コンデンサバンクにおいて充電々圧
をＥ、単位コンデンサの静電容量をＣ、単位コン
デンサ１台当りのバンク母線インダクタンスを
Ｌ、並列接続数をＮ、事故コンデンサに流れ込む
電流波高値をＩとするとＮが数台を越えると、Ｉ
はＮに無関係となり、Ｉ＝√×Ｅで与えら
れＮの増加は、事故コンデンサに流れこむエネル
ギーのみに寄与する事が実験的にも理論的にも確
認された。
をＥ、単位コンデンサの静電容量をＣ、単位コン
デンサ１台当りのバンク母線インダクタンスを
Ｌ、並列接続数をＮ、事故コンデンサに流れ込む
電流波高値をＩとするとＮが数台を越えると、Ｉ
はＮに無関係となり、Ｉ＝√×Ｅで与えら
れＮの増加は、事故コンデンサに流れこむエネル
ギーのみに寄与する事が実験的にも理論的にも確
認された。
Ｎが多くかつバンクの√が小さい場合、
すなわちバンクの充電エネルギーが多くて特性イ
ンピーダンスが大きい場合は、事故コンデンサに
流入する電流の波高値が比較的低く、流入するエ
ネルギーのみが大きい。従がつて事故コンデンサ
に流れ込む電流の２乗に比例して発生する電磁力
によつて事故コンデンサ端子間を低インピーダン
ス回路で短絡し事故コンデンサに流入するエネル
ギーを抑制することは困難である。以上の様に、
従来の方法では、比較的小電流で過大なエネルギ
ーの事故コンデンサへの流入は充分抑制出来ない
欠点があつた。
すなわちバンクの充電エネルギーが多くて特性イ
ンピーダンスが大きい場合は、事故コンデンサに
流入する電流の波高値が比較的低く、流入するエ
ネルギーのみが大きい。従がつて事故コンデンサ
に流れ込む電流の２乗に比例して発生する電磁力
によつて事故コンデンサ端子間を低インピーダン
ス回路で短絡し事故コンデンサに流入するエネル
ギーを抑制することは困難である。以上の様に、
従来の方法では、比較的小電流で過大なエネルギ
ーの事故コンデンサへの流入は充分抑制出来ない
欠点があつた。
本発明は、これらの欠点を排除し、事故コンデ
ンサへ流出入するエネルギー、もしくは事故コン
デンサに流出入するエネルギーと、流出入する電
流により発生させた電磁力の両方を利用した安価
でしかも動作範囲の広範な充放電用コンデンサバ
ンク保護装置を提供するものである。
ンサへ流出入するエネルギー、もしくは事故コン
デンサに流出入するエネルギーと、流出入する電
流により発生させた電磁力の両方を利用した安価
でしかも動作範囲の広範な充放電用コンデンサバ
ンク保護装置を提供するものである。
以下添付図面に従つて本発明の実施例を説明す
る。
る。
第１図ａ、第２図ａ、第３図ａは、単位コンデ
ンサもしくは単位コンデンサを適当数個集合した
コンデンサ群Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４…Cn−１，
Cnを、それぞれ保護装置Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ
４…Sn−１，Sn（又はＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４…
Sn／２−１，Sn／２）を介して並列接続しスイ
ツチＳ，Ｗを通して負荷Ｌに放電する様に結線さ
れた充放電用コンデンサバンクを含む衝撃電流発
生装置の回路図である。万一この充放電用コンデ
ンサバンクのうちどれかが内部絶縁破壊事故を起
こすと他の単位コンデンサもしくはコンデンサ群
の充電エネルギーにより保護装置を通して異常電
流が流れ事故コンデンサに接続された保護装置に
は集中的に異常電流が流れる事になる。
ンサもしくは単位コンデンサを適当数個集合した
コンデンサ群Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４…Cn−１，
Cnを、それぞれ保護装置Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ
４…Sn−１，Sn（又はＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４…
Sn／２−１，Sn／２）を介して並列接続しスイ
ツチＳ，Ｗを通して負荷Ｌに放電する様に結線さ
れた充放電用コンデンサバンクを含む衝撃電流発
生装置の回路図である。万一この充放電用コンデ
ンサバンクのうちどれかが内部絶縁破壊事故を起
こすと他の単位コンデンサもしくはコンデンサ群
の充電エネルギーにより保護装置を通して異常電
流が流れ事故コンデンサに接続された保護装置に
は集中的に異常電流が流れる事になる。
第１図ｂ、第２図ｂ、第３図ｂはそれぞれ１個
の保護装置の縦断面図とこれに接続される単位コ
ンデンサもしくはコンデンサ群の接続図である。
の保護装置の縦断面図とこれに接続される単位コ
ンデンサもしくはコンデンサ群の接続図である。
第１図ｂにおいて、１部がヒユーズエレメント
２で構成されている金属板１，３は、定格充電々
圧に充分耐える厚みの絶縁シート４で包まれてお
り、金属板５，６とボルト・ナツト８により押え
つけられている。ヒユーズエレメント２は、金属
板５の突出部と絶縁シート４と金属板１，３に囲
まれボルト・ナツト８で締めつけられている為気
密室に閉じ込まれている。ヒユーズエレメント
２、金属板１，３は、単位コンデンサもしくはコ
ンデンサ群Ｃ１の充放電により流出入する電流経
路に直列に挿入されており、金属板１は、単位コ
ンデンサもしくはコンデンサ群の充電側端子へ、
金属板６は低インピーダンス接続線１４により、
もう一方の端子へ接続されている。この様に接続
された第１図ａに示す充放電用コンデンサバンク
において仮に単位コンデンサもしくはコンデンサ
群Ｃ１が絶縁破壊すると、他の単位コンデンサも
しくはコンデンサ群から異常電流が金属板３、ヒ
ユーズエレメント２、金属板１を通り流れ込みヒ
ユーズエレメント２は、爆発溶断する。金属板５
の突出部と絶縁シート４、金属板１，３、ボル
ト・ナツト８で形成される気密室は、ヒユーズエ
レメントの爆発溶断による金属蒸気で高圧力とな
りアークプラズマが充満し、絶縁シート４を破り
金属板５にあけられた圧力抜き穴７から吹き出
す。金属板１，３，５，６で囲まれる空間はアー
クプラズマが充満し絶縁シート４は蒸発して金属
板１，３，５，６は金属接触に近い導通状態とな
る。その後流れ込む異常電流は金属板３，６ない
し金属板３，５、ボルト・ナツト８、金属板６を
流れて、低インピーダンス接続線１４に流れ込み
単位コンデンサもしくはコンデンサ群Ｃ１の内部
素体には過大なエネルギーが流入しない。第１図
ａは第１図ｂの保護装置を用いた充放電用コンデ
ンサバンクを含む衝撃電流発生装置の回路図であ
る。
２で構成されている金属板１，３は、定格充電々
圧に充分耐える厚みの絶縁シート４で包まれてお
り、金属板５，６とボルト・ナツト８により押え
つけられている。ヒユーズエレメント２は、金属
板５の突出部と絶縁シート４と金属板１，３に囲
まれボルト・ナツト８で締めつけられている為気
密室に閉じ込まれている。ヒユーズエレメント
２、金属板１，３は、単位コンデンサもしくはコ
ンデンサ群Ｃ１の充放電により流出入する電流経
路に直列に挿入されており、金属板１は、単位コ
ンデンサもしくはコンデンサ群の充電側端子へ、
金属板６は低インピーダンス接続線１４により、
もう一方の端子へ接続されている。この様に接続
された第１図ａに示す充放電用コンデンサバンク
において仮に単位コンデンサもしくはコンデンサ
群Ｃ１が絶縁破壊すると、他の単位コンデンサも
しくはコンデンサ群から異常電流が金属板３、ヒ
ユーズエレメント２、金属板１を通り流れ込みヒ
ユーズエレメント２は、爆発溶断する。金属板５
の突出部と絶縁シート４、金属板１，３、ボル
ト・ナツト８で形成される気密室は、ヒユーズエ
レメントの爆発溶断による金属蒸気で高圧力とな
りアークプラズマが充満し、絶縁シート４を破り
金属板５にあけられた圧力抜き穴７から吹き出
す。金属板１，３，５，６で囲まれる空間はアー
クプラズマが充満し絶縁シート４は蒸発して金属
板１，３，５，６は金属接触に近い導通状態とな
る。その後流れ込む異常電流は金属板３，６ない
し金属板３，５、ボルト・ナツト８、金属板６を
流れて、低インピーダンス接続線１４に流れ込み
単位コンデンサもしくはコンデンサ群Ｃ１の内部
素体には過大なエネルギーが流入しない。第１図
ａは第１図ｂの保護装置を用いた充放電用コンデ
ンサバンクを含む衝撃電流発生装置の回路図であ
る。
実験例として定格充放電々流最大値5KA、半
値巾1.5ｍsecの単極性パルス電流のヒユーズエレ
メントを用い、絶縁破壊時に保護装置に流出入す
る異常電流を最大値70KA、半値巾300μsecの単
極性パルス電流で模擬し保護装置の動作模擬実験
を行つたところ動作遅れ時間約120μsecの高速で
動作した。ヒユーズエレメントを適切に選択すれ
ば、定格充放電々流では動作せず、絶縁破壊等に
よる異常電流で保護装置を高速に動作させる事は
容易なことである。
値巾1.5ｍsecの単極性パルス電流のヒユーズエレ
メントを用い、絶縁破壊時に保護装置に流出入す
る異常電流を最大値70KA、半値巾300μsecの単
極性パルス電流で模擬し保護装置の動作模擬実験
を行つたところ動作遅れ時間約120μsecの高速で
動作した。ヒユーズエレメントを適切に選択すれ
ば、定格充放電々流では動作せず、絶縁破壊等に
よる異常電流で保護装置を高速に動作させる事は
容易なことである。
第２図は、ヒユーズエレメントに流れる電流が
異常値になつた時発生する強力な電磁力を利用し
ヒユーズエレメントに機械的損傷を与えてヒユー
ズエレメントの爆発溶断時間を高速化する事を図
つた第１図の変形実施例である。第２図ｂにおい
てヒユーズエレメント２、金属板１，３，５、絶
縁シート４は第１図ｂと同様に構成されており、
金属板６のみが第１図ｂと構造接続方法共異なつ
ている。
異常値になつた時発生する強力な電磁力を利用し
ヒユーズエレメントに機械的損傷を与えてヒユー
ズエレメントの爆発溶断時間を高速化する事を図
つた第１図の変形実施例である。第２図ｂにおい
てヒユーズエレメント２、金属板１，３，５、絶
縁シート４は第１図ｂと同様に構成されており、
金属板６のみが第１図ｂと構造接続方法共異なつ
ている。
金属板６は、絶縁性のボルトナツト８を用い絶
縁シート４で包まれた１部がヒユーズエレメント
２で構成された金属板１，３を金属板５を用い押
えつけている。金属板６の一端は、単位コンデン
サもしくはコンデンサ群Ｃ１の充電側と異なるも
う一方の端子に接続されており、金属板６の他端
は、他の保護装置Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４…Sn−１，
Snを介して単位コンデンサもしくはコンデンサ
群Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４…Cn−１，Cnと並列接続さ
れている。この様に接続された第２図ａに示す充
放電用コンデンサバンクにおいて仮に単位コンデ
ンサもしくはコンデンサ群Ｃ１が内部絶縁破壊事
故を起こしたとすると、他の単位コンデンサもし
くはコンデンサ群から異常電流が金属板３、ヒユ
ーズエレメント２、金属板１を通して事故単位コ
ンデンサもしくはコンデンサ群Ｃ１に流れ込み金
属板６を通して流出する。従がつてヒユーズエレ
メント２と金属板６を流れる電流方向が逆方向と
なり、異常電流の２乗に比例して発生する電磁反
発力によりヒユーズエレメント２は金属板５にあ
けられた圧力抜き穴７に押しつけられ機械的損傷
を受けるため異常電流による爆発溶断時間がより
高速化する。ヒユーズエレメント２の爆発溶断後
に流出入する異常電流は、金属板３，６もしくは
金属板３，５、ボルトナツト８、金属板６を通り
単位コンデンサもしくはコンデンサ群Ｃ１の内部
素体には過大なエネルギーが流入しない。
縁シート４で包まれた１部がヒユーズエレメント
２で構成された金属板１，３を金属板５を用い押
えつけている。金属板６の一端は、単位コンデン
サもしくはコンデンサ群Ｃ１の充電側と異なるも
う一方の端子に接続されており、金属板６の他端
は、他の保護装置Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４…Sn−１，
Snを介して単位コンデンサもしくはコンデンサ
群Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４…Cn−１，Cnと並列接続さ
れている。この様に接続された第２図ａに示す充
放電用コンデンサバンクにおいて仮に単位コンデ
ンサもしくはコンデンサ群Ｃ１が内部絶縁破壊事
故を起こしたとすると、他の単位コンデンサもし
くはコンデンサ群から異常電流が金属板３、ヒユ
ーズエレメント２、金属板１を通して事故単位コ
ンデンサもしくはコンデンサ群Ｃ１に流れ込み金
属板６を通して流出する。従がつてヒユーズエレ
メント２と金属板６を流れる電流方向が逆方向と
なり、異常電流の２乗に比例して発生する電磁反
発力によりヒユーズエレメント２は金属板５にあ
けられた圧力抜き穴７に押しつけられ機械的損傷
を受けるため異常電流による爆発溶断時間がより
高速化する。ヒユーズエレメント２の爆発溶断後
に流出入する異常電流は、金属板３，６もしくは
金属板３，５、ボルトナツト８、金属板６を通り
単位コンデンサもしくはコンデンサ群Ｃ１の内部
素体には過大なエネルギーが流入しない。
第３図は、定格充放電々流により発生する電磁
力は、ヒユーズエレメントや絶縁シートに機械的
損傷を与えずかつ内部絶縁破壊事故を起した単位
コンデンサもしくはコンデンサ群に接続された保
護装置のヒユーズエレメントのみに異常電流によ
り発生する電磁力が機械的損傷を与え爆発溶断時
間を高速化する様に構成した第１図の変形実施例
である。第３図ｂにおいて、ヒユーズエレメント
２、金属板１，３、絶縁シート４とヒユーズエレ
メント１０、金属板９，１１、絶縁シート１２
は、第１図ｂと同様に形成されている。お互いに
絶縁シート４，１２で包まれているヒユーズエレ
メント２，１０を含む金属板１，３と９，１１
は、金属板５と６とボルトネジ８により押えつけ
られている。ヒユーズエレメント２，１０は、金
属板５，６の突出部と絶縁シート４，１２と金属
板１，２，９，１１に囲まれボルトナツト８で押
えられているため気密室に閉じ込まれている。ヒ
ユーズエレメント２、金属板１，３とヒユーズエ
レメント１０金属板９，１１は単位コンデンサも
しくはコンデンサ群Ｃ１，Ｃ２にそれぞれ直列に
挿入されている。金属板１，９は、単位コンデン
サもしくはコンデンサ群Ｃ１，Ｃ２の充電側端子
へ、金属板５は低インピーダンス接続線１４によ
りもう一方の端子へそれぞれ接続されている。
力は、ヒユーズエレメントや絶縁シートに機械的
損傷を与えずかつ内部絶縁破壊事故を起した単位
コンデンサもしくはコンデンサ群に接続された保
護装置のヒユーズエレメントのみに異常電流によ
り発生する電磁力が機械的損傷を与え爆発溶断時
間を高速化する様に構成した第１図の変形実施例
である。第３図ｂにおいて、ヒユーズエレメント
２、金属板１，３、絶縁シート４とヒユーズエレ
メント１０、金属板９，１１、絶縁シート１２
は、第１図ｂと同様に形成されている。お互いに
絶縁シート４，１２で包まれているヒユーズエレ
メント２，１０を含む金属板１，３と９，１１
は、金属板５と６とボルトネジ８により押えつけ
られている。ヒユーズエレメント２，１０は、金
属板５，６の突出部と絶縁シート４，１２と金属
板１，２，９，１１に囲まれボルトナツト８で押
えられているため気密室に閉じ込まれている。ヒ
ユーズエレメント２、金属板１，３とヒユーズエ
レメント１０金属板９，１１は単位コンデンサも
しくはコンデンサ群Ｃ１，Ｃ２にそれぞれ直列に
挿入されている。金属板１，９は、単位コンデン
サもしくはコンデンサ群Ｃ１，Ｃ２の充電側端子
へ、金属板５は低インピーダンス接続線１４によ
りもう一方の端子へそれぞれ接続されている。
この様に接続された第３図ａに示す充放電用コ
ンデンサバンクにおいて仮に単位コンデンサもし
くはコンデンサ群Ｃ１が内部絶縁破壊事故を起こ
したとすると他の単位コンデンサもしくはコンデ
ンサ群から異常電流が金属板３、ヒユーズエレメ
ント２、金属板１を通り流れ込む。この時隣接す
る単位コンデンサもしくはコンデンサ群Ｃ２から
流れ出る電流は、金属板９、ヒユーズエレメント
１０、金属板１１を通る。従がつてヒユーズエレ
メント２，１０を流れる電流の方向はお互いに逆
方向となりヒユーズエレメント２とヒユーズエレ
メント１０を流れる電流の積に比例した電磁反発
力が作用し、ヒユーズエレメント２，１０を金属
板５，６にあけられた圧力抜き穴７，１３に押し
つけヒユーズエレメント２，１０に機械的損傷を
与える。と共に流出入する電流でヒユーズエレメ
ント２，１０は爆発溶断する。
ンデンサバンクにおいて仮に単位コンデンサもし
くはコンデンサ群Ｃ１が内部絶縁破壊事故を起こ
したとすると他の単位コンデンサもしくはコンデ
ンサ群から異常電流が金属板３、ヒユーズエレメ
ント２、金属板１を通り流れ込む。この時隣接す
る単位コンデンサもしくはコンデンサ群Ｃ２から
流れ出る電流は、金属板９、ヒユーズエレメント
１０、金属板１１を通る。従がつてヒユーズエレ
メント２，１０を流れる電流の方向はお互いに逆
方向となりヒユーズエレメント２とヒユーズエレ
メント１０を流れる電流の積に比例した電磁反発
力が作用し、ヒユーズエレメント２，１０を金属
板５，６にあけられた圧力抜き穴７，１３に押し
つけヒユーズエレメント２，１０に機械的損傷を
与える。と共に流出入する電流でヒユーズエレメ
ント２，１０は爆発溶断する。
従がつて爆発溶断時間はより高速化する。実験
結果によると第１図の方式に比べ動作時間遅れは
約20％の短縮、即ち高速化を計ることができた。
これはヒユーズエレメント２，１０は気密室内で
爆発的に溶融すると共に電磁力の反揆力により絶
縁シートと共に圧力抜き穴に圧着し、該穴にめり
込み、アークプラズマとなつて吹き出しを容易と
すると共に電磁反揆力によつて金属板１，３，
９，１１を強制的に把持する金属板５，６に圧着
するためと考えられ、導体の金属板と把持する金
属板とは金属接触に近い導通状態となりその後流
れ込む異常電流は、低インピーダンス接続線１４
に流れ込み単位コンデンサもしくはコンデンサ群
Ｃ１の内部素体に過大なエネルギーが流入しな
い。
結果によると第１図の方式に比べ動作時間遅れは
約20％の短縮、即ち高速化を計ることができた。
これはヒユーズエレメント２，１０は気密室内で
爆発的に溶融すると共に電磁力の反揆力により絶
縁シートと共に圧力抜き穴に圧着し、該穴にめり
込み、アークプラズマとなつて吹き出しを容易と
すると共に電磁反揆力によつて金属板１，３，
９，１１を強制的に把持する金属板５，６に圧着
するためと考えられ、導体の金属板と把持する金
属板とは金属接触に近い導通状態となりその後流
れ込む異常電流は、低インピーダンス接続線１４
に流れ込み単位コンデンサもしくはコンデンサ群
Ｃ１の内部素体に過大なエネルギーが流入しな
い。
本発明による時は、ヒユーズエレメントを適切
に選択する事により定格充放電々流では動作せ
ず、単位コンデンサもしくはコンデンサ群の内部
絶縁破壊等による異常電流が流れると確実にしか
も高速で動作し爆発事故等を防止する動作範囲の
広範な保護装置を経済的に提供する事が出来る。
に選択する事により定格充放電々流では動作せ
ず、単位コンデンサもしくはコンデンサ群の内部
絶縁破壊等による異常電流が流れると確実にしか
も高速で動作し爆発事故等を防止する動作範囲の
広範な保護装置を経済的に提供する事が出来る。
第１図、第２図、第３図は本発明の実施例を示
し、第１図ａ、第２図ａ、第３図ａはそれぞれの
保護装置を装着した充放電用コンデンサバンクを
含む衝撃電流発生装置の回路図を示す。又第１図
ｂ、第２図ｂ、第３図ｂは保護装置の縦断面図と
保護装置１個当りの接続図を示す。 Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４…Cn−１，Cn……単
位コンデンサもしくは単位コンデンサを適当数個
集合したコンデンサ群、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４
…Sn−１，Sn（又はＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４…
Sn／２−１，Sn／２）……保護装置、１，３，
５，６，９，１１……金属板、２，１０……ヒユ
ーズエレメント、４，１２……絶縁シート、７，
１３……圧力抜き穴、８……ボルトナツト、１４
……低インピーダンス接続線。
し、第１図ａ、第２図ａ、第３図ａはそれぞれの
保護装置を装着した充放電用コンデンサバンクを
含む衝撃電流発生装置の回路図を示す。又第１図
ｂ、第２図ｂ、第３図ｂは保護装置の縦断面図と
保護装置１個当りの接続図を示す。 Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４…Cn−１，Cn……単
位コンデンサもしくは単位コンデンサを適当数個
集合したコンデンサ群、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４
…Sn−１，Sn（又はＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４…
Sn／２−１，Sn／２）……保護装置、１，３，
５，６，９，１１……金属板、２，１０……ヒユ
ーズエレメント、４，１２……絶縁シート、７，
１３……圧力抜き穴、８……ボルトナツト、１４
……低インピーダンス接続線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 単位コンデンサもしくは単位コンデンサを多
数個集合したコンデンサ群を集合して構成する充
放電用コンデンサバンクにおいて、単位コンデン
サもしくはコンデンサ群の一方の端子の電流経路
にヒユーズエレメントを挿入し、このヒユーズエ
レメントを連結する前後の導電用金属板と共に絶
縁シートにより被覆し、これらを対をなす挾持用
金属板により挾持し、この対をなす挾持用金属板
と前後の導電用金属板とにより気密室を形成しこ
の気密室内に上記ヒユーズエレメントを収納し、
かつ挾持用金属板はコンデンサの他方の端子と低
インピーダンスの接続線で接続してバイパスを形
成すると共に一方の挾持用金属板には上記気密室
に臨む空気抜き穴を穿孔し、ヒユーズエレメント
に流れる電流が設定値を越えたとき上記気密室内
で爆発的に溶断し絶縁シートを破壊して空気抜き
穴から噴出し導電用金属板と挾持用金属板とを連
通し、上記接続線により単位コンデンサもしくは
コンデンサ群の端子間を短絡することを特徴とす
る充放電用コンデンサバンクの保護装置。 ２ ヒユーズエレメントを挾持する挾持用金属板
のうち空気抜き孔を形成しない金属板は単位コン
デンサもしくはコンデンサ群の他方の端子の電流
通路とし、ヒユーズエレメントと逆方向に電流を
流通すると共に電流が異常値になつたときヒユー
ズエレメントと上記挾持用金属板との電磁力の反
揆力によりヒユーズエレメントを絶縁シートを介
して空気抜き穴に圧着し機械的損傷と共に爆発溶
断を行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の充放電用コンデンサバンクの保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16504780A JPS5788825A (en) | 1980-11-21 | 1980-11-21 | Device for protecting discharging condenser bank |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16504780A JPS5788825A (en) | 1980-11-21 | 1980-11-21 | Device for protecting discharging condenser bank |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5788825A JPS5788825A (en) | 1982-06-02 |
| JPS6323738B2 true JPS6323738B2 (ja) | 1988-05-18 |
Family
ID=15804821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16504780A Granted JPS5788825A (en) | 1980-11-21 | 1980-11-21 | Device for protecting discharging condenser bank |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5788825A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5087999A (en) * | 1989-09-21 | 1992-02-11 | Director General, Agency Of Industrial Science And Technology | Capacitor bank provided with a protective device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140264A (ja) * | 1974-09-28 | 1976-04-03 | Hitachi Maxell | Shindoshikidenkikamisorinochibatai no seizoho |
-
1980
- 1980-11-21 JP JP16504780A patent/JPS5788825A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140264A (ja) * | 1974-09-28 | 1976-04-03 | Hitachi Maxell | Shindoshikidenkikamisorinochibatai no seizoho |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5788825A (en) | 1982-06-02 |
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