JPS63229914A - Level converting circuit - Google Patents

Level converting circuit

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JPS63229914A
JPS63229914A JP62062717A JP6271787A JPS63229914A JP S63229914 A JPS63229914 A JP S63229914A JP 62062717 A JP62062717 A JP 62062717A JP 6271787 A JP6271787 A JP 6271787A JP S63229914 A JPS63229914 A JP S63229914A
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JP
Japan
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npn
logic level
current
signal
circuit
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Application number
JP62062717A
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Japanese (ja)
Inventor
Michinori Nakamura
中村 通憲
Yasuhiro Sugimoto
泰博 杉本
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Publication of JPS63229914A publication Critical patent/JPS63229914A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/018Coupling arrangements; Interface arrangements using bipolar transistors only
    • H03K19/01806Interface arrangements
    • H03K19/01812Interface arrangements with at least one differential stage

Abstract

PURPOSE:To convert the logic level signal of a positive ECL or CML to the logic level signal of TTL only with a positive single voltage source by applying conduction control to bipolar transistors connected in totempole shape between a positive voltage source and a ground potential. CONSTITUTION:In giving a high level ECL logic level signal to an input terminal A and a low level signal opposite to the said signal level to an input terminal, the inverse of A, an NPN transistor (TR) Q6 is conductive and an NPN TR Q7 is nonconductive. The collector potential of an NPN TR Q19 is clamped by a clamping circuit provided on the NPN TR Q19 and NPN TRs Q21, Q16 are nonconductive. The the NPN TR Q15 is conductive, the potential at an output terminal F is the subtraction of the base potential of the VBE of the NPN TR Q15 and the VBE of the NPN TR Q17 from the base potential of the NPN TR Q15 to obtain a TTL logic level signal.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、E CL (E m1tter  Cou
pledl−ogic)の論理レベル信号をTTL(T
 ransistor  T ransistor  
L ogic)の論理レベル信号に変換するレベル変換
回路に関する。
[Detailed description of the invention] [Object of the invention] (Industrial application field) This invention
TTL (T
transistor T transistor
The present invention relates to a level conversion circuit that converts a logic level signal into a logic level signal (Logic).

(従来の技術) ECLの論理レベル信号からTTLの論理レベル信号に
変換するレベル変換回路としてtま、例えば第3図に示
すようなものがある。これGま、文献FD、△、 Ho
des、他著;゛デジタル集積回路の解析と設計(A 
nalysis  and  D esion  of
D 1g1tal  Integrated  C1r
cuit) ” 、 7編。
(Prior Art) As a level conversion circuit for converting an ECL logic level signal to a TTL logic level signal, there is one shown in FIG. 3, for example. This is G, literature FD, △, Ho
Des, et al.; ``Analysis and Design of Digital Integrated Circuits (A
Analysis and analysis of
D 1g1tal Integrated C1r
cuit)”, 7th edition.

7章、・P、P、294°」に記載されて0るものであ
る。
It is described in Chapter 7, ・P, P, 294°.

このレベル変換回路は、+5.0 (V)の電圧源Vc
c、!ニー5.2 (V) ノミ圧′ffAVEEとの
2つの正負の電圧源を用いており、入力端子A、B力\
ら与えられるマイナスのECL論理レベし信号により導
通制御され、並列に接続されたNPN型のバイポーラト
ランジスタ(以下rNPNJと呼ぶ)Ql、Q2と、入
力端子A、Bに与えられる信号のハイレベル、ロウレベ
ルを判定する負の比較電圧VRにより導通状態にあるN
PNQ3とで構成された差動対を有し、トーテムポール
形に接続されその接続点を出力端子FとするNPNQ4
゜Q5によって構成された出力段を有している。
This level conversion circuit uses a voltage source Vc of +5.0 (V).
c,! Knee 5.2 (V) Two positive and negative voltage sources with chisel pressure 'ffAVEE are used, and input terminals A and B power\
Conduction is controlled by a negative ECL logic level signal given from NPN bipolar transistors (hereinafter referred to as rNPNJ) Ql and Q2 connected in parallel, and high and low levels of signals given to input terminals A and B. N is in a conductive state due to the negative comparison voltage VR that determines
NPNQ4, which has a differential pair configured with PNQ3, is connected in a totem pole shape, and the connection point is the output terminal F.
It has an output stage constituted by ゜Q5.

このような構成において、入力端子へ、Bに与えられる
負のECLの論理レベル信号によりNPNQl、Q2.
Q3のエミッタ端子を流れる電流を制御して、出力段を
構成するNPNQ4゜Q5をスイッチング動作させる。
In such a configuration, NPNQl, Q2 .
The current flowing through the emitter terminal of Q3 is controlled to cause the NPN Q4 to Q5 forming the output stage to perform a switching operation.

これにより、入力端子A、Bに与えられる信号の論理和
出力がTTL論理レベルに変換され、出力端子Fから出
力される。また、このレベル変換回路にあっては、NP
NQ2を取り除けば、入力端子Aに与えられるECL論
理レベルの信号がTTL論理レベルに変換されて、出力
端子Fから出力される。
As a result, the logical sum output of the signals applied to input terminals A and B is converted to a TTL logic level and output from output terminal F. Moreover, in this level conversion circuit, NP
If NQ2 is removed, the ECL logic level signal applied to input terminal A is converted to TTL logic level and output from output terminal F.

(発明が解決しようとする問題点) 現在、デジタル信号等に用いられようとしている高速の
A/D変換器(サンプリング周波数3OMH2程度)に
おいて、アナログ信号をA/D変換して得られたデジタ
ル信号を、0MO8構成のプロセッサで処理したいとい
う要求がある。このような場合には、A/D変換器の内
部動作は、正の電圧源を用いて差動対の負荷から出力信
号を1ル7ラスノcML (Current  Mod
e  Loaic)、あるいは、正の電圧源を用いて上
記CMLに接続されたエミッタホロワ回路から出力信号
を得るスート(Pseuclo ) ECL (プラス
のECL)構成の回路で行ない、出力のレベルは、TT
L論理レベルあるいは0MO8論理レベルとすることが
最も効率的である。
(Problem to be solved by the invention) A digital signal obtained by A/D converting an analog signal in a high-speed A/D converter (sampling frequency of about 3OMH2) that is currently being used for digital signals, etc. There is a demand for processing by a processor with a 0MO8 configuration. In such a case, the internal operation of the A/D converter uses a positive voltage source to convert the output signal from the load of the differential pair to 1 le 7 cML (Current Mod
A positive voltage source is used to obtain an output signal from an emitter follower circuit connected to the above CML.The output level is TT.
It is most efficient to use the L logic level or the 0MO8 logic level.

したがって、第3図に示した回路構成にあっては、+5
. O(V) ト−5,2(V)(7)2ツ17)電圧
源を必要とするため、通常+5.0(V、)の単一電源
で動作するTTLあるいは0MO8構成の回路に用いる
ことができないという問題があった。
Therefore, in the circuit configuration shown in FIG.
.. O(V) -5,2(V) (7)2tsu17) Since it requires a voltage source, it is usually used in TTL or 0MO8 configuration circuits that operate with a single +5.0 (V, ) power supply. The problem was that I couldn't do it.

さらに、第3図に示した回路構成では、正の入力信号に
対して動作させることができず、入力信号を正とするp
seudo  E CLもしくはプラスのCMLに対応
することができないという不具合を招いていた。
Furthermore, the circuit configuration shown in FIG. 3 cannot be operated for positive input signals;
This caused the problem that it was not compatible with seudo E CL or plus CML.

そこで、この発明は、上記に鑑みてなされたものであり
、その目的とするところは、正の単一電圧源だけを用い
て、pseudo  E CLあるいはプラスのCML
の論理レベル信号をTTLの論理レベル信号に変換する
レベル変換回路を提供することにある。
Therefore, this invention was made in view of the above, and its purpose is to generate pseudo E CL or positive CML using only a single positive voltage source.
An object of the present invention is to provide a level conversion circuit that converts a TTL logic level signal into a TTL logic level signal.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 上記目的を達成するために、この発明は、それぞれの入
力端子に電圧レベルとして与えられるプラスのECL論
理レベルあるいはCML論理レベルの差動入力信号を、
それぞれの信号に応じたPNP型のバイポーラトランジ
スタのコレクタ電流として取り出す電圧電流変換回路と
、この電圧電流変換回路の負荷となる負荷回路と、定電
流源から流れ出る電流経路を前記一方のPNP型のバイ
ポーラトランジスタのコレクタ電流によって選択する回
路と、接続点を出力端子として正の電圧源と接地電位と
の間にトーテムポール形に接続され、前記電流経路にし
たがって導通制御されるバイポーラトランジスタを備え
た出力回路とから構成される。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the present invention provides a differential input with a positive ECL logic level or CML logic level applied as a voltage level to each input terminal. signal,
A voltage-current conversion circuit extracts the collector current of a PNP-type bipolar transistor according to each signal, a load circuit that serves as a load for this voltage-current conversion circuit, and a current path flowing from a constant current source into one of the PNP-type bipolar transistors. An output circuit comprising a circuit selected by the collector current of the transistor, and a bipolar transistor connected in a totem pole shape between a positive voltage source and ground potential with the connection point as an output terminal, and whose conduction is controlled according to the current path. It consists of

(作用) このレベル変換回路においては、正の電圧レベルとして
与えられるECL論理レベルあるいはCML論理レベル
の差動入力信号を、それぞれの入力信号に応じた電流に
変換して、この電流にしたがって出力回路を構成するバ
イポーラトランジスタをスイッチング動作させ、プラス
のECL論理レベルあるいはCML論理レベルの入力信
号をTTL論理レベルの信号に変換している。
(Function) In this level conversion circuit, a differential input signal of ECL logic level or CML logic level given as a positive voltage level is converted into a current corresponding to each input signal, and an output circuit is output according to this current. The bipolar transistors constituting the circuit are operated to switch, and an input signal at a positive ECL logic level or CML logic level is converted into a signal at a TTL logic level.

(実施例) 以下図面を用いてこの発明の詳細な説明する。(Example) The present invention will be described in detail below using the drawings.

第1図はこの発明の一実施例に係るレベル変換回路の構
成を示す回路図である。同図に示すレベル変換回路は、
+5.0 (V)cD単−M m V ccヲ用いて、
入力端子Aに与えられる正のECL論理レベルの信号を
TTL論理レベルの信号に変換して、出力端子Fから出
力するものである。
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a level conversion circuit according to an embodiment of the present invention. The level conversion circuit shown in the figure is
+5.0 (V) cD mono-M m V ccwo,
A positive ECL logic level signal applied to input terminal A is converted into a TTL logic level signal and output from output terminal F.

第1図において、入力端子Aに与えられる信号をベース
端子で受けるNPNQ6と、入力端子Aに与えられる入
力端子Aに与えられた信号と逆のレベルの信号をベース
端子で受けるNPNQ7とで差動対が構成され、この差
動対とPNP型のバイポーラトランジスタ(以下rPN
PJと呼ぶ)Q8.Q9のエミッタ端子と電圧源Vcc
との間に接続された抵抗R1,R2とで、ホールディラ
ドカスコード回路が構成されている。このホールディラ
ドカスコード回路は、入力端子A、Aに電圧として与え
られる差動入力を、この差動入力に応じた電流に変換す
るものである。
In Figure 1, an NPNQ6 whose base terminal receives a signal applied to input terminal A, and an NPNQ7 whose base terminal receives a signal of a level opposite to that of the signal applied to input terminal A, which is applied to input terminal A. A pair is configured, and this differential pair and a PNP type bipolar transistor (rPN
(I call it PJ) Q8. Emitter terminal of Q9 and voltage source Vcc
The resistors R1 and R2 connected between the two constitute a Hall Derad cascode circuit. This Hall Derad cascode circuit converts a differential input given as a voltage to input terminals A and A into a current corresponding to this differential input.

このホールディラドカスコード回路のPNPQ8.Q9
は、そのベース端子がPNPQlo。
PNPQ8 of this Hall Dirad cascode circuit. Q9
whose base terminal is PNPQlo.

Qllのベース端子に接続され、PNPQ8゜Q9.Q
10.Ql 1でカレントミラー回路が構成されている
。PNPQloは、そのコレクタ端子が直列に接続され
た抵抗R3,R4を介して、差動対を構成するNPNQ
6.Q7の定電流源となるNPNQl2とカレントミラ
ー回路を構成するNPNQl3のベース端子及びコレク
タ端子に接続されている。直列に接続された抵抗R3,
R4は、その接続点CがPNPQ14のベース端子に接
続されており、この接続点Cの電位はNPNQl3のコ
レクタ電流及び抵抗R3,R4により3.95 (V)
程度に設定されている。
Qll is connected to the base terminal of PNPQ8゜Q9. Q
10. Ql 1 constitutes a current mirror circuit. PNPQlo constitutes a differential pair through resistors R3 and R4 whose collector terminals are connected in series.
6. It is connected to the base terminal and collector terminal of NPNQl2, which is a constant current source of Q7, and NPNQl3, which forms a current mirror circuit. A resistor R3 connected in series,
R4 has its connection point C connected to the base terminal of PNPQ14, and the potential of this connection point C is 3.95 (V) due to the collector current of NPNQl3 and resistors R3 and R4.
It is set to about.

NPNQl4は、そのエミッタ端子がNPNQl5のベ
ース端子に接続されている。このNPNQl5は、電圧
源Vccとグランドとの間にトーテムポール形にNPN
Ql6と接続されて出力段を構成しており、NPNQl
6のコレクタ端子を出力端子Fとしている。また、NP
NQl5のエミッタ端子と出力端子Fとの間には、ベー
ス端子とコレクタ端子が接続されたNPNQI 7と抵
抗R8が挿入されている。このNPNQI 7は、ダイ
オードとして作用して、出力端子Fがロウレベル時にN
PNQl 5を非導通状態にさせるものである。
NPNQl4 has its emitter terminal connected to the base terminal of NPNQl5. This NPNQl5 is a totem pole NPN between the voltage source Vcc and ground.
It is connected to Ql6 to form an output stage, and NPNQl
The collector terminal of No. 6 is used as the output terminal F. Also, NP
Between the emitter terminal of NQl5 and the output terminal F, an NPNQI 7 whose base terminal and collector terminal are connected and a resistor R8 are inserted. This NPNQI 7 acts as a diode, and when the output terminal F is at a low level, NPNQI7 acts as a diode.
This causes PNQl 5 to become non-conductive.

一方、ホールディラドカスコード回路を構成するPNP
Q8.Q9は、そのコレクタ端子がPNPQ8.Q9の
負荷となるカレントミラー回路を構成するNPNQl8
.Ql9のコレクタ端子に抵抗R5,R6を介して接続
されており、それぞれのPNPQ8.Q9から流れ出る
電流は、入力端子A、Aに与えられる信号のレベルによ
って制御されている。
On the other hand, the PNP constituting the Holderad cascode circuit
Q8. Q9 has its collector terminal PNPQ8. NPNQl8 that constitutes a current mirror circuit that becomes the load of Q9
.. Ql9 is connected to the collector terminal of each PNP Q8. The current flowing out of Q9 is controlled by the level of the signal applied to input terminals A and A.

カレントミラー回路のNPNQl9には、N、、、pN
Q20と抵抗R5とからなるクランプ回路が接続されて
いる。このクランプ回路は、PNPQ9のコレクタ電流
が減少した時に、NPNQl9を飽和させないようにす
るために、NPNQl9のコレクタ電位を0.3 (V
)程度にクランプするものである。また、NPNQl9
は、そのコレクタ端子がNPNQ21のベース端子に接
続されており、このNPNQ21のエミッタ端子は抵抗
R7を介してNPNQl6のベース端子に接続されてい
る。このNPNQl6及びNPNQ21には、NPNQ
l9と同様に、NPNQ22及び抵抗R7、NPNQ2
3及び抵抗R6からなるクランプ回路が接続されている
NPNQl9 of the current mirror circuit has N, , pN
A clamp circuit consisting of Q20 and resistor R5 is connected. This clamp circuit lowers the collector potential of NPNQl9 by 0.3 (V
). Also, NPNQl9
has its collector terminal connected to the base terminal of NPNQ21, and the emitter terminal of NPNQ21 is connected to the base terminal of NPNQ16 via resistor R7. These NPNQl6 and NPNQ21 include NPNQ
Similar to l9, NPNQ22 and resistor R7, NPNQ2
3 and a clamp circuit consisting of a resistor R6 is connected.

以上説明したように、この実施例は構成されており、次
にこの実施例の作用を説明する。
As explained above, this embodiment is constructed, and the operation of this embodiment will be explained next.

まず、入力端子AにハイレベルのスートのECL論理レ
ベル信号が与えられ、入力端子Aにこの信号と逆のロウ
レベルの信号が与えられると、NPNQ6は導通状態、
NPNQ7は非導通状態となり、抵抗R2を流れる電流
の一部はNPNQ6に流れ込み、PNPQ9のコレクタ
電流は減少する。この時に、NPNQl9に設けられた
クランプ回路によってNPNQl9のコレクタ電位は、
0.3 (V)程度にクランプされ、NPNQl9を飽
和状態にさせないようにしている。
First, when a high-level soot ECL logic level signal is applied to input terminal A, and a low-level signal opposite to this signal is applied to input terminal A, NPNQ6 becomes conductive.
NPNQ7 becomes non-conductive, part of the current flowing through resistor R2 flows into NPNQ6, and the collector current of PNPQ9 decreases. At this time, the collector potential of NPNQl9 is changed by the clamp circuit provided in NPNQl9.
It is clamped to about 0.3 (V) to prevent NPNQl9 from becoming saturated.

これにより、NPNQ21は非導通状態となり、NPN
Ql6は非導通状態となる。さらに、NPNQ21が非
導通状態になることで、PN PQ 14のエミッタ電
位は、PNPQ14のベース電位(3,95(V)程i
) ニPN PQ 14ノVs E(ベース・エミッタ
間電圧)を加えた電位となり、4.7 (V)程度とな
る。
As a result, NPNQ21 becomes non-conductive, and NPNQ21 becomes non-conductive.
Ql6 becomes non-conductive. Furthermore, as NPNQ21 becomes non-conductive, the emitter potential of PNPQ14 becomes lower than the base potential of PNPQ14 (approximately 3.95 (V) i
) NiPN PQ 14 Vs E (base-emitter voltage) is added to the potential, which is about 4.7 (V).

このため、NPNQ15は導通状態となり、出力端子F
の電位は、NPNQ15のベース電位からNPNQ15
のVBEとNPNQ17のVBEを引いたものとなり、
3.3 (V)程度となる。
Therefore, NPNQ15 becomes conductive, and the output terminal F
The potential of NPNQ15 is from the base potential of NPNQ15 to
The VBE of NPNQ17 is subtracted from the VBE of NPNQ17.
It will be about 3.3 (V).

したがって、入力端子Aに与えられたハイレベルのスー
トのECL論理レベル信号がハイレベルのTTL論理レ
ベル信号に変換されることになる。
Therefore, the high level soot ECL logic level signal applied to the input terminal A is converted to the high level TTL logic level signal.

次に、入力端子AにロウレベルのスートのECL論理レ
ベル信号が与えられ、入力端子Aにこの信号と逆のハイ
レベルの信号が与えられると、NPNQ6は非導通状態
、NPNQ7は導通状態となり、抵抗R1を流れる電流
の一部はNPNQ7に流れ込み、F’NPQ8のコレク
タ電流はPNPQ9のコレクタ電流に比べてかなり減少
する。
Next, when a low-level soot ECL logic level signal is applied to input terminal A, and a high-level signal opposite to this signal is applied to input terminal A, NPNQ6 becomes non-conductive, NPNQ7 becomes conductive, and the resistance A portion of the current flowing through R1 flows into NPNQ7, and the collector current of F'NPQ8 is significantly reduced compared to the collector current of PNPQ9.

このため、PNPQ9のコレクタ電流の大部分はNPN
Q21のベース端子及びNPNQ23のコレクタ端子に
流れ込み、NPNQ21は導通状態となる。これにより
、NPNQ16は導通状態となり、抵抗R7の両端の電
位を0.3 (V)程度に設定すれば、出力端子Fの電
位は、0.3(V)程度となる。
Therefore, most of the collector current of PNPQ9 is NPN
It flows into the base terminal of Q21 and the collector terminal of NPNQ23, and NPNQ21 becomes conductive. As a result, the NPNQ16 becomes conductive, and if the potential across the resistor R7 is set to about 0.3 (V), the potential at the output terminal F becomes about 0.3 (V).

この時に、NPNQ21が導通状態になることによって
、NPNQ15のベース電位は、1.3(V)程度に低
下する。さらに、NPNQ17のエミッタ電位は0.3
Vである。したがって、NPNQ16が導通状態になる
と、NPNQ15とQl7は非導通状態になるので、電
圧@ V ccからグランドへの慣通電流は流れないこ
とになる。
At this time, since NPNQ21 becomes conductive, the base potential of NPNQ15 drops to about 1.3 (V). Furthermore, the emitter potential of NPNQ17 is 0.3
It is V. Therefore, when NPNQ16 becomes conductive, NPNQ15 and Ql7 become non-conductive, so that no current flows from voltage @Vcc to ground.

したがって、入力端子へに与えられたロウレベルのスー
トのE CL論理レベル信号が、ロウレベルのTTL論
理レベル信号に変換されることになる。
Therefore, the low level soot ECL logic level signal applied to the input terminal is converted to the low level TTL logic level signal.

ところで、上述した差動形式のホールディラドカスコー
ド回路において、入力端子A、Aに与えられる電圧を電
流に変換する際に、この変換動作を低電流で高速に行な
うためには、PNPQ8゜Q9.Q10はV−PNP 
(バーチカルPNP)型のトランジスタであることが必
要となる。
By the way, in the differential type Hall Derad cascode circuit described above, when converting the voltage applied to the input terminals A and A into a current, in order to perform this conversion operation at low current and high speed, PNPQ8°Q9. Q10 is V-PNP
(Vertical PNP) type transistor is required.

以上説明したように、上記実施例においては、+5.0
 (V)の単一電源を用いて、比較的低電流で高速にス
ートのECL論理レベルの信号をTTLの論理レベルの
信号に変換することができる。
As explained above, in the above embodiment, +5.0
A single (V) power supply can be used to convert a soot ECL logic level signal to a TTL logic level signal at relatively low current and high speed.

この結果、上記実施例のレベル変換回路は、+5.0 
(V)の単一電源でデジタル出力信号がTTL論理レベ
ルのA/D変換器及び、+5.0(V)の単一電源で出
力信号がTTL論理レベルのプリスケーラに利用するこ
とが可能となり、CMOSプロセッサに直接接続して用
いることができる。
As a result, the level conversion circuit of the above embodiment has a +5.0
It can be used for an A/D converter whose digital output signal is at TTL logic level with a single (V) power supply, and a prescaler whose output signal is at TTL logic level with a single +5.0 (V) power supply. It can be used by directly connecting to a CMOS processor.

なお、上記実施例において、NPNQ16゜Ql9.Q
21を飽和させないようにするために、それぞのNPN
にクランプ回路が設けられているが、クランプ回路を設
けるかわりに、第2図に示す如く、NPNQ16.Ql
9.Q21をショットキーバリヤトランジスタQ24.
Q25.Q26で構成してもよい。また、入力端子A、
Aに与えられる信号のレベルは、プラスのCML論理レ
ベルであってもよいことは勿論である。
In addition, in the above embodiment, NPNQ16°Ql9. Q
In order to avoid saturating 21, each NPN
is provided with a clamp circuit, but instead of providing a clamp circuit, as shown in FIG. Ql
9. Q21 is replaced by a Schottky barrier transistor Q24.
Q25. It may be composed of Q26. In addition, input terminal A,
Of course, the level of the signal applied to A may be a positive CML logic level.

[発明の効果] 以上説明したように、この発明によれば、正の電圧レベ
ルとして与えられる差動入力信号をそれぞれの入力信号
に応じた電流に変換して、この電流にしたがって正の電
圧源と接地電位との間にトーテムポール形に接続された
バイポーラトランジスタを導通制御するようにしたので
、正の単一電圧源だけを用いて、プラスのECLあるい
はCMLの論理レベル信号をTTLの論理レベル信号に
変換するレベル変換回路を提供することができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, differential input signals given as positive voltage levels are converted into currents corresponding to the respective input signals, and a positive voltage source is generated according to the currents. Since the conduction of the bipolar transistors connected in a totem pole configuration between the ground potential and the ground potential is controlled, a positive ECL or CML logic level signal can be converted to a TTL logic level using only a positive single voltage source. A level conversion circuit that converts the signal into a signal can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例を示すレベル変換回路の回
路図、第2図はこの発明の他の実施例を示すレベル変換
回路の回路図、第3図は従来のレベル変換回路の構成を
示す回路図である。 (図の主要な部分を表わす符号の説明)Q6.Q7.Q
l5.Ql6・・・NPN型のバイポーラトランジスタ Q8.Q9.Ql 1.Ql 4・・・PNP型のバイ
ポーラトランジスタ
FIG. 1 is a circuit diagram of a level conversion circuit showing one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of a level conversion circuit showing another embodiment of the invention, and FIG. 3 is a configuration of a conventional level conversion circuit. FIG. (Explanation of symbols representing main parts of the diagram) Q6. Q7. Q
l5. Ql6...NPN type bipolar transistor Q8. Q9. Ql 1. Ql 4...PNP type bipolar transistor

Claims (1)

【特許請求の範囲】 それぞれの入力端子に電圧レベルとして与えられるプラ
スのECL論理レベルあるいはCML論理レベルの差動
入力信号を、それぞれの信号に応じたPNP型のバイポ
ーラトランジスタのコレクタ電流として取り出す電圧電
流変換回路と、この電圧電流変換回路の負荷となる負荷
回路と、定電流源から流れ出る電流経路を前記一方のP
NP型のバイポーラトランジスタのコレクタ電流によっ
て選択する回路と、 接続点を出力端子として正の電圧源と接地電位との間に
トーテムポール形に接続され、前記電流経路にしたがっ
て導通制御されるバイポーラトランジスタを備えた出力
回路と、 を有することを特徴とするレベル変換回路。
[Claims] A voltage current that extracts a differential input signal at a positive ECL logic level or CML logic level applied as a voltage level to each input terminal as a collector current of a PNP type bipolar transistor corresponding to each signal. A conversion circuit, a load circuit serving as a load of this voltage-current conversion circuit, and a current path flowing from a constant current source are connected to one of the P
A circuit that selects based on the collector current of an NP-type bipolar transistor, and a bipolar transistor that is connected in a totem pole configuration between a positive voltage source and a ground potential with the connection point as an output terminal, and whose conduction is controlled according to the current path. A level conversion circuit comprising: an output circuit comprising; and a level conversion circuit comprising:
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61137424A (en) * 1984-12-10 1986-06-25 Hitachi Ltd Digital input interface circuit
JPS61293022A (en) * 1985-06-20 1986-12-23 Sony Corp Ecl-ttl converting and outputting circuit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61137424A (en) * 1984-12-10 1986-06-25 Hitachi Ltd Digital input interface circuit
JPS61293022A (en) * 1985-06-20 1986-12-23 Sony Corp Ecl-ttl converting and outputting circuit

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