JPS63221692A - Semiconductor light amplifier - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光フアイバ通信システムや光交換機等を構成
する際に必要な光増幅器、特に半導体光増幅器に関する
ものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an optical amplifier, particularly a semiconductor optical amplifier, necessary for constructing an optical fiber communication system, an optical exchange, and the like.
〈従来の技術）
例えば光通信システムにおいて、光フアイバ中を伝播し
た光信号は、光フアイバ内における損失によりその光強
度が減衰する。このため、一定の伝送間隔毎に設置され
た中継器により光強度の増幅が行なわれている。また、
将来実用化が期待されている光交換機においても、光マ
トリツクススイッチを経た光信号には、その伝送路長及
びスイッチング回数等に応じて光信号強度の大きな減衰
を生じる。したがって、光交換機においても光増幅器が
必要となる。<Prior Art> For example, in an optical communication system, an optical signal propagated through an optical fiber has its optical intensity attenuated due to loss within the optical fiber. For this reason, optical intensity is amplified by repeaters installed at fixed transmission intervals. Also,
Even in optical switching systems that are expected to be put into practical use in the future, optical signals passing through an optical matrix switch experience large attenuation in optical signal strength depending on the transmission path length, the number of switching operations, and the like. Therefore, optical amplifiers are also required in optical exchanges.
従来、光信号を増幅するためには、光信号を一旦電気信
号に変換して増幅し、その後再び光信号に変換するとい
う方式が一最にとられてきた。しかしこの方式では、光
電変換の応答速度が比救的遅いなめ、光通信等の高速及
び大容量化に対する一つの障壁となっていた。このため
、光信号を直接増幅しようとする試みがなされており、
そのうちの一つとして半導体レーザを利用した半導体光
増幅器がある。Conventionally, in order to amplify an optical signal, the most common method has been to first convert the optical signal into an electrical signal, amplify it, and then convert it back into an optical signal. However, in this method, the response speed of photoelectric conversion is comparatively slow, which has been an obstacle to increasing the speed and capacity of optical communications. For this reason, attempts have been made to directly amplify the optical signal.
One of these is a semiconductor optical amplifier that uses a semiconductor laser.
このような分野の技術としては、電子通信学会技術研究
報、０ＱＥ８６−１１４（１９８６）Ｐ、２３−３０に
記載されるものがある。以下、その構成を図を用いて説
明する。Techniques in this field include those described in IEICE Technical Report, 0QE86-114 (1986) P, 23-30. The configuration will be explained below using figures.
第２図は前記文献に記載された従来の半導体光増幅器の
一構成例を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing an example of the configuration of the conventional semiconductor optical amplifier described in the above-mentioned document.
この半導体光増幅器１は、光増幅器本体２とこれを保持
して収容するための筺体３を有しており、光増幅器本体
２の両端部には単一モード光ファイバ４が接続されてい
る。This semiconductor optical amplifier 1 has an optical amplifier main body 2 and a housing 3 for holding and accommodating the optical amplifier main body 2, and single mode optical fibers 4 are connected to both ends of the optical amplifier main body 2.
前記光増幅器本体２は、通常の屈折率導波形半導体レー
ザと同様の構造を有する半導体レーザチップ２−１とそ
のレーザ発振を抑制するために半導体レーザ２−１の両
端面に形成された反射防止膜２−２により構成されてい
る。半導体レーザチップ２−１は活性層のキャリア濃度
を充分高くして反転分布状態になるように設定されてい
る。The optical amplifier main body 2 includes a semiconductor laser chip 2-1 having a structure similar to that of a normal index-guided semiconductor laser, and anti-reflection chips formed on both end faces of the semiconductor laser 2-1 to suppress laser oscillation. It is composed of a membrane 2-2. The semiconductor laser chip 2-1 is set so that the carrier concentration in the active layer is sufficiently high to create a population inversion state.
前記光フエイバ４は、光増幅器本体２の両端部において
、半導体レーザチップ２−１の導波路とそれぞれ光学的
結合をなしており、前記筺体３は、光増幅器本体２とこ
れに結合された光ファイバ４の一部を固定保持すると同
時に、半導体レーザチップ２−１を保護している。The optical fiber 4 is optically coupled to the waveguide of the semiconductor laser chip 2-1 at both ends of the optical amplifier body 2, and the housing 3 is connected to the optical amplifier body 2 and the light coupled thereto. A portion of the fiber 4 is fixedly held, and at the same time, the semiconductor laser chip 2-1 is protected.
以上のように構成された半導体光増幅器１の動作につい
て説明する。The operation of the semiconductor optical amplifier 1 configured as above will be explained.
先ず、光増幅器本体２に通常の半導体レーザを発振させ
る場合と同様に電流を流す。このとき、半導体レーザチ
ップ２−１の両端面には反射防止膜２−２が形成されて
いるのでレーザ発振は生じないが、活性層は反転分布状
態にあり、導波路内における導波光の光学的損失よりも
利得が大きくなる状態にある。このような活性層の状態
において、いずれか一端の光ファイバ４から光信号が入
力されれば、この光信号は導波路を進行するにつれて増
幅され、他端の光ファイバ４へ増幅された光信号が出力
される。First, a current is applied to the optical amplifier main body 2 in the same way as when making a normal semiconductor laser oscillate. At this time, since the antireflection film 2-2 is formed on both end faces of the semiconductor laser chip 2-1, no laser oscillation occurs, but the active layer is in a population inversion state, and the optical axis of the guided light in the waveguide is The situation is such that the gain is greater than the loss. In such a state of the active layer, if an optical signal is input from the optical fiber 4 at one end, this optical signal is amplified as it travels through the waveguide, and the amplified optical signal is sent to the optical fiber 4 at the other end. is output.
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記構成の半導体光増幅器においては、
半導体レーザチップ２−１の両端部に反射防止膜２−２
を形成し、それぞれの端部において単一モード光ファイ
バ４と結合する構成であるため、次のような問題点があ
った。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the semiconductor optical amplifier with the above configuration,
An anti-reflection film 2-2 is provided on both ends of the semiconductor laser chip 2-1.
Since the single mode optical fiber 4 is formed and coupled to the single mode optical fiber 4 at each end, there are the following problems.
（１）レーザ発振を抑制する反射防止膜２−２は、例え
ば１×１０−５のような非常に小さい反射率が要求され
、その膜厚や膜質の制御は極めて難しい。このような反
射防止膜２−２を半導体レーザチップ２−１の２箇所に
形成する必要があるため、光増幅器本体２の生産効率や
歩留りを向上させることは非常に困難である。(1) The antireflection film 2-2 that suppresses laser oscillation is required to have a very low reflectance, for example, 1×10 −5 , and it is extremely difficult to control its film thickness and film quality. Since such an antireflection film 2-2 needs to be formed at two locations on the semiconductor laser chip 2-1, it is very difficult to improve the production efficiency and yield of the optical amplifier main body 2.
（２）光ファイバ４のコア径は９μｍ程度、通常の半導
体レーザチップ２−１の導波路寸法は２〜３μｍ程度と
非常に小さく、これらを結合するための位置合わせ精度
及び結合技術は極めて高度なものが要求される。このた
め、光ファイバ４を２箇所で結合することは生産効率及
び歩留り上得策ではなく、製造工程等における大きな障
壁となってしまう。(2) The core diameter of the optical fiber 4 is about 9 μm, and the waveguide size of the normal semiconductor laser chip 2-1 is very small, about 2 to 3 μm, and the alignment accuracy and coupling technology for coupling these are extremely advanced. something is required. Therefore, coupling the optical fibers 4 at two locations is not a good idea in terms of production efficiency and yield, and becomes a major barrier in the manufacturing process.
本発明は、前記従来技術が持っていた問題点として、半
導体光増幅器１の製造に関し最も高度な技術が要求され
る反射防止膜２−２の形成と光ファイバ４の結合を半導
体レーザチップ２−１の両端部に対して行なう必要があ
るため、その製造工程等において大きな支障となるおそ
れがある点について解決した半導体光増幅器を提供する
ものである。The present invention solves the problems that the prior art had in the semiconductor laser chip 2-2 by forming the anti-reflection film 2-2 and coupling the optical fiber 4, which require the most advanced technology in manufacturing the semiconductor optical amplifier 1. The object of the present invention is to provide a semiconductor optical amplifier that solves the problem that it is necessary to perform this on both ends of the semiconductor optical amplifier, which may cause a major hindrance in the manufacturing process.
（問題点を解決するための手段）
本発明は、前記問題点を解決するために、半導体光増幅
器を、入射した光を増幅するための導波路を有し該導波
路にほぼ垂直な両端面の一方の端面側に該導波路と光フ
ァイバとの光学的結合をなす結合部を有する半導体レー
ザチップと、前記結合部側の端面に形成され前記光の反
射を防止する反射防止膜と、前記両端面の他方の端面に
形成され前記光を反射する全反射膜と、前記半導体レー
ザチップ、反射防止膜及び全反射膜を収容する筺体とで
構成したものである。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a semiconductor optical amplifier having a waveguide for amplifying incident light, with both end faces substantially perpendicular to the waveguide. a semiconductor laser chip having a coupling part for optically coupling the waveguide and the optical fiber on one end face side thereof; an antireflection film formed on the end face on the coupling part side to prevent reflection of the light; It is composed of a total reflection film that is formed on the other of both end faces and reflects the light, and a housing that houses the semiconductor laser chip, the antireflection film, and the total reflection film.
（作用）
本発明によれば、以上のように半導体光増幅器を構成し
たので、半導体レーザチップの両端面の一方の端面側の
みに設けられた光ファイバとの結合部と、他方の端面に
形成された全反射膜は、半導体光増幅器の製造に関し最
も高度な技術が要求される光ファイバとの結合工程と反
射防止膜の形成工程のいずれをも従来の１／２に減らす
働きをする。この働きにより、大幅な工数削減と歩留り
の向上が図られる。したがって、前記間厘点を除去する
ことが可能となる。(Function) According to the present invention, since the semiconductor optical amplifier is configured as described above, the coupling portion with the optical fiber provided only on one end surface side of both end surfaces of the semiconductor laser chip, and the coupling portion formed on the other end surface. The total reflection film thus developed serves to reduce both the optical fiber coupling process and the anti-reflection film formation process, which require the most advanced technology in the manufacture of semiconductor optical amplifiers, to one half of the conventional process. This function significantly reduces man-hours and improves yield. Therefore, it becomes possible to remove the above-mentioned intermittent points.
（実施例）
第１図は本発明の実施例を示す半導体光増幅器の断面図
である。(Embodiment) FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor optical amplifier showing an embodiment of the present invention.
この半導体光増幅器１１は、光増幅器本体１２とこれを
収容して保護するための筺体１３を有しており、光増幅
器本体１２の両端面の一方の端面側に設けられた結合部
には、単一モード光ファイバ１４が光学的に結合されて
いる。This semiconductor optical amplifier 11 has an optical amplifier main body 12 and a casing 13 for accommodating and protecting the optical amplifier main body 12. A coupling portion provided on one end face side of both end faces of the optical amplifier main body 12 has a A single mode optical fiber 14 is optically coupled.
前記光増幅器本体１２は、例えばＶＩＰＳ（Ｖ−ｇｒｏ
ｏｖｅｄ ｒｎｎｅｒ−ｓｔｒｉｐｅ Ｌａ５ｅｒ Ｄ
ｉｏｄｅ ｏｎ Ｐ ｔｙｐｅＩｎＰ ５ｕｂｓｔｒａ
ｔｅ）形の半導体レーザチップ１２−１を有しており、
その内部の前記両端面方向には図示しない導波路が形成
されている。半導体レーザチップ１２−１の前記先ファ
イバ１４が結合される側の端面には、ＳｉＯｘ等から成
る反射防止膜１２−２が形成されている。この反射防止
膜１２−２は、例えばｌＸ１０−５の低反射率を有する
もので、この低反射率を得るために、反射防止膜１２−
２の屈折率ｎ、膜厚ｄ、及び反射防止膜１２−２中の光
の波長λとの間に、ｒｌ−ｄ−λ／４なる関係が成り立
つように設定されている。一方、半導体レーザチップ１
２−１の反射防止膜１２−２に対向する端部には、例え
ばＡ、Ｑ ２０３膜とＡｕ膜から成る全反射膜１２−３
が形成されている。The optical amplifier main body 12 is, for example, VIPS (V-gro
oved rnner-stripe La5er D
iode on P typeInP 5ubstra
te) type semiconductor laser chip 12-1,
A waveguide (not shown) is formed in the interior thereof in the direction of both end faces. An antireflection film 12-2 made of SiOx or the like is formed on the end face of the semiconductor laser chip 12-1 on the side to which the tip fiber 14 is coupled. This anti-reflection film 12-2 has a low reflectance of, for example, lX10-5, and in order to obtain this low reflectance, the anti-reflection film 12-2
The refractive index n of 2, the film thickness d, and the wavelength λ of light in the antireflection film 12-2 are set so that the relationship rl-d-λ/4 holds true. On the other hand, semiconductor laser chip 1
At the end opposite to the anti-reflection film 12-2 of 2-1, there is a total reflection film 12-3 made of, for example, A, Q 203 films and an Au film.
is formed.
この全反射膜１２−３は、はぼ完全な反射率を有するも
ので、例えば９８％の高反射率となるように設定されて
いる。This total reflection film 12-3 has almost perfect reflectance, and is set to have a high reflectance of, for example, 98%.
前記光ファイバ１４は、光増幅器本体１２の端部におい
て半導体レーザチップ１２−１の導波路と光学的結合を
なしており、光ファイバ１４の他端部は光ビームを分岐
するためのビームスプリッタ１５に結合されている。こ
のビームスプリッタ１５は例えばハーフミラ−を用いた
形式のもので、前記光ファイバ１４の他に、２本の単一
モード光ファイバ１６．１７が結合されている。The optical fiber 14 is optically coupled to the waveguide of the semiconductor laser chip 12-1 at the end of the optical amplifier main body 12, and the other end of the optical fiber 14 is connected to a beam splitter 15 for splitting the light beam. is combined with This beam splitter 15 is of a type using, for example, a half mirror, and in addition to the optical fiber 14, two single mode optical fibers 16 and 17 are coupled.
上記構成の半導体光増幅器１１において、光増幅冊本＃
、１２に通電した場合、レーザ発振を抑制する条件とし
て下式を満たすことが必要である。In the semiconductor optical amplifier 11 having the above configuration, the optical amplification book #
, 12, the following equation must be satisfied as a condition for suppressing laser oscillation.
ここで、ｇは光学的利得、αは導波路内での光学的損失
、Ｒ１，Ｒ２は半導体レーザチップ１２−１の前記反射
防止膜１２−２と全反射膜１２−３がそれぞれ形成され
た各端面の反射率、Ｌは導波路長である。Here, g is the optical gain, α is the optical loss within the waveguide, and R1 and R2 are the antireflection film 12-2 and total reflection film 12-3 of the semiconductor laser chip 12-1, respectively. The reflectance of each end face and L are the waveguide length.
前記の式において、光学的利得ｇは電流密度に依存する
が、反射防止膜１２−２の反射率Ｒ１を例えばｌＸ１０
’程度に充分小さくすれば、より広い電流密度範囲でレ
ーザ発振を防止できる。即ち、反射率Ｒ１を充分小さく
することにより、両式の右辺は大きな値となり、それだ
け光学的利得ｇの遭択範囲を広くすることができる。In the above equation, the optical gain g depends on the current density, but if the reflectance R1 of the antireflection film 12-2 is set to
If the current density is made sufficiently small, laser oscillation can be prevented over a wider current density range. That is, by making the reflectance R1 sufficiently small, the right sides of both equations become large values, and the range of optical gain g can be widened accordingly.
以上のように構成される半導体光増幅器１１の動作につ
いて説明する。The operation of the semiconductor optical amplifier 11 configured as described above will be explained.
先ず、通常の半導体レーザに対すると同様に半導体光増
幅器１１に通電した状態において、光ファイバ１６から
微弱な信号光を矢印１８の如く与えるものとする。この
入射光はビームスプリッタ１５及び光ファイバ１４を経
て光増幅器本体１２に入射する。First, it is assumed that a weak signal light is applied from the optical fiber 16 as shown by the arrow 18 while the semiconductor optical amplifier 11 is energized in the same way as for a normal semiconductor laser. This incident light enters the optical amplifier main body 12 via the beam splitter 15 and the optical fiber 14.
入射光は導波路内において、誘導放出により、即ち入射
光の影響を受けて入射光と同位相、同波長の光の放出を
得ることにより増幅される。増幅された光は全反射膜１
２−３で反射された後、再び導波路を経て増幅され、光
ファイバ１４へ戻って来る。The incident light is amplified in the waveguide by stimulated emission, that is, by being influenced by the incident light and emitting light having the same phase and wavelength as the incident light. The amplified light passes through the total reflection film 1
After being reflected by 2-3, it is amplified again through the waveguide and returns to the optical fiber 14.
その後、ビームスプリッタ１５に入射して進路を変え、
光ファイバ１７へ出力される。After that, it enters the beam splitter 15 and changes its course,
The signal is output to the optical fiber 17.
このようにして、光増幅器本体１２内に入射した光は、
導波路を往復するので、導波路長の２倍の光路長となる
。半導体光増幅器において、光の増幅率は光路長に比例
するので、本実施例の半導体光増幅器１１は、従来の半
導体光増幅器に比し２倍の増幅率を有することになる。In this way, the light that has entered the optical amplifier main body 12 is
Since the light travels back and forth through the waveguide, the optical path length is twice the waveguide length. In a semiconductor optical amplifier, the amplification factor of light is proportional to the optical path length, so the semiconductor optical amplifier 11 of this embodiment has an amplification factor twice that of a conventional semiconductor optical amplifier.
換言すれば、同じ増幅率を得るなめには従来の１７２の
導波路長でよく、半導体光増幅器の小型化が可能となる
。さらに、従来と同じ増幅率を得るために必要な電流も
、従来の１７２でよく、低消費電力化を図ることができ
る。In other words, in order to obtain the same amplification factor, the conventional waveguide length of 172 is sufficient, making it possible to downsize the semiconductor optical amplifier. Furthermore, the current required to obtain the same amplification factor as the conventional one may be 172, which is the conventional one, and power consumption can be reduced.
以上の本実施例においては、次のような利点を有する。The present embodiment described above has the following advantages.
（イ） 半導体レーザチップ１２−１の一端部には、従
来の反射防止膜に代えて全反射膜１２−３を形成するこ
ととしたので、大幅な工数削減と歩留りの向上が期待で
きる。即ち、全反射膜１２−３の形成は反射防止膜１２
−２に比し、設定された反射率に対する膜厚や膜質の制
御が遥かに容易であり、しかも材料の選択範囲も拡大さ
れる。それ故、前記工数削減や歩留りの向上が可能とな
る。(a) Since a total reflection film 12-3 is formed at one end of the semiconductor laser chip 12-1 in place of the conventional anti-reflection film, a significant reduction in man-hours and an improvement in yield can be expected. That is, the formation of the total reflection film 12-3 is the formation of the antireflection film 12.
-2, it is much easier to control the film thickness and film quality for a set reflectance, and the selection range of materials is also expanded. Therefore, it is possible to reduce the number of man-hours and improve yield.
（ロ） 光ファイバ１４との結合は一端部のみでよいの
で、高度な技術が要求される結合作業を１７２に減らす
ことができる。したがって、生産効率の向上が可能とな
る。(b) Since the optical fiber 14 only needs to be coupled at one end, the number of coupling operations that require advanced technology can be reduced to 172. Therefore, production efficiency can be improved.
（ハ） 従来の半導体光増幅器と同じ増幅率を得るため
には、′導波路長及び消費電力共に従来の１７２でよい
ので、半導体光増幅器の小型化、低消費電力化を図るこ
とができる。(c) In order to obtain the same amplification factor as a conventional semiconductor optical amplifier, both the waveguide length and the power consumption need to be the same as the conventional 172, so that the semiconductor optical amplifier can be made smaller and have lower power consumption.
なお、本発明は図示の実施例に限定されず、種々の変形
が可能であり、例えば次のような変形例が挙げられる。Note that the present invention is not limited to the illustrated embodiment, and can be modified in various ways, such as the following modifications.
■ 本実施例においては、半導体レーザチップ１２−１
は屈折率導波形半導体レーザのうちのＶＩＰＳ形につい
て示したが、他の形式の屈折率導波形半導体レーザでも
よい。さらにこれに限定されず、例えば利得導波形やＣ
３Ｐ（Ｃｈａｎｎｅｌ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ Ｐｌａｎ
ａｒ）形等の半導体レーザを用いることも可能である。■ In this embodiment, the semiconductor laser chip 12-1
Although the VIPS type of index-guided semiconductor lasers is shown, other types of index-guided semiconductor lasers may be used. Further, it is not limited to this, and for example, a gain waveguide or C
3P (Channel 5ubstrate Plan
It is also possible to use an ar) type semiconductor laser.
■ 半導体光増幅器１１に結合される光ファイバは単一
モード光ファイバ１４としたが、多モード光ファイバと
結合してもよい。また、光ファイバ１４゜１６、１７や
ビームスプリッタ１５の構成や形式等も図示のものに限
定されず、変形が可能であり、例えば光ファイバ１７を
光信号の入力用、光ファイバ１６を出力用とすることも
できる。(2) Although the optical fiber coupled to the semiconductor optical amplifier 11 is a single mode optical fiber 14, it may be coupled to a multimode optical fiber. Furthermore, the configurations and formats of the optical fibers 14, 16, 17 and the beam splitter 15 are not limited to those shown in the drawings, and may be modified. For example, the optical fiber 17 may be used for inputting optical signals, and the optical fiber 16 may be used for outputting. It is also possible to do this.
■ 半導体光増幅器１１の構造、形状及び材質等は、上
記の他にも本実施例に限定されず、例えば反射防止膜１
２−２や全反射膜１２−３等の材質は他のものを使用し
てもよい。また、これらの反射率も本実施例の数値に限
定されず、用途に応じて他の数値を選択することができ
る。■ The structure, shape, material, etc. of the semiconductor optical amplifier 11 are not limited to those described above, and include, for example, the antireflection film 1.
2-2, the total reflection film 12-3, etc. may be made of other materials. Furthermore, these reflectances are not limited to the values in this example, and other values can be selected depending on the purpose.
（発明の効果）
以上詳細に説明したように本発明によれば、半導体レー
ザチップの両端面の一方の端面側のみに光ファイバとの
結合部を設け、他方の端面に全反射膜を形成することと
したので、半導体光増幅器の製造に関し最も高度な技術
が要求される反射防止膜の形成工程と光ファイバの結合
工程を従来の１７２に減らすことができる。それ故、大
幅な工数削減と歩留りの向上が可能となり、飛躍的な生
産効率の向上が期待できる。さらに、導波路長及び消費
電力共に従来の半導体光増幅器の１７２でよいので、半
導体光増幅器の小型化、低消費電力化を図れるという効
果もある。(Effects of the Invention) As described above in detail, according to the present invention, a coupling portion with an optical fiber is provided only on one end face side of both end faces of a semiconductor laser chip, and a total reflection film is formed on the other end face. As a result, the number of anti-reflection film forming steps and optical fiber coupling steps, which require the most advanced technology in the manufacture of semiconductor optical amplifiers, can be reduced to 172 compared to the conventional method. Therefore, it is possible to significantly reduce man-hours and improve yield, and a dramatic improvement in production efficiency can be expected. Furthermore, since both the waveguide length and the power consumption can be equal to 172 mm of the conventional semiconductor optical amplifier, there is an effect that the semiconductor optical amplifier can be made smaller and the power consumption can be reduced.
第１図は本発明の実施例を示す半導体光増幅器の断面図
、第２図は従来の半導体光増幅器の一構成例を示す断面
図である。
１１・・・・・・半導体光増幅器、１２・・・・・・光
増幅器本体、１２−１・・・・・・半導体レーザチップ
、１２−２・・・・・・反射防止膜、１２−３・・・・
・・全反射膜、１３・・・・・・筺体、１４．１６．１
７・・・・・・光ファイバ、１５・・・・・・ビームス
プリッタ。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor optical amplifier showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing an example of the configuration of a conventional semiconductor optical amplifier. 11... Semiconductor optical amplifier, 12... Optical amplifier main body, 12-1... Semiconductor laser chip, 12-2... Anti-reflection film, 12- 3...
... Total reflection film, 13 ... Housing, 14.16.1
7...Optical fiber, 15...Beam splitter.
Claims (1)
ぼ垂直な両端面の一方の端面側に該導波路と光ファイバ
との光学的結合をなす結合部を有する半導体レーザチッ
プと、 前記結合部側の端面に形成され前記光の反射を防止する
反射防止膜と、 前記両端面の他方の端面に形成され前記光を反射する全
反射膜と、 前記半導体レーザチップ、反射防止膜及び全反射膜を収
容する筺体とを備えたことを特徴とする半導体光増幅器
。[Claims] A waveguide for amplifying incident light, and a coupling portion for optically coupling the waveguide and an optical fiber on one end face side of both end faces substantially perpendicular to the waveguide. an antireflection film formed on the end face on the coupling portion side to prevent reflection of the light; a total reflection film formed on the other end face of the both end faces to reflect the light; and the semiconductor laser. A semiconductor optical amplifier comprising a chip, an antireflection film, and a total reflection film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5491887A JPS63221692A (en) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | Semiconductor light amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5491887A JPS63221692A (en) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | Semiconductor light amplifier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63221692A true JPS63221692A (en) | 1988-09-14 |
Family
ID=12983990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5491887A Pending JPS63221692A (en) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | Semiconductor light amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63221692A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0387085A (en) * | 1989-06-30 | 1991-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Very short light pulse generating equipment |
| EP0477842A2 (en) * | 1990-09-28 | 1992-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconducteur laser amplifier |
| EP0806824A2 (en) * | 1996-05-07 | 1997-11-12 | Lucent Technologies Inc. | Apparatus and method for a single-port modulator having amplification |
-
1987
- 1987-03-10 JP JP5491887A patent/JPS63221692A/en active Pending
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