JPS63221582A - Radio frequency heater - Google Patents

Radio frequency heater

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Publication number
JPS63221582A
JPS63221582A JP5334387A JP5334387A JPS63221582A JP S63221582 A JPS63221582 A JP S63221582A JP 5334387 A JP5334387 A JP 5334387A JP 5334387 A JP5334387 A JP 5334387A JP S63221582 A JPS63221582 A JP S63221582A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
capacitor
semiconductor switching
switching element
diode
Prior art date
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Pending
Application number
JP5334387A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
晃久 高野
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP5334387A priority Critical patent/JPS63221582A/en
Publication of JPS63221582A publication Critical patent/JPS63221582A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はインバータ一方式の高電圧発生回路を用いたマ
グネトロン利用機器における高周波加熱器に関するもの
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a high-frequency heater in a magnetron-based device using an inverter-type high-voltage generating circuit.

従来の技術 電子レンジに用いられるマグネトロンは4KV程度の高
電圧を必要とする。従来このような高電圧は、ケイ素鋼
板を用いたトランスで約2KVまで昇圧し、更に倍電圧
回路により所望の約4KVの電圧を得ていた。しかしな
がら、トランスはその電力が約1KW程度となり、大き
さ、及び重量も相当大きなものとなっていた。
Prior art magnetrons used in microwave ovens require high voltages on the order of 4KV. Conventionally, such a high voltage was boosted to about 2KV using a transformer using a silicon steel plate, and then a desired voltage of about 4KV was obtained using a voltage doubler circuit. However, the power of the transformer is about 1 kW, and the size and weight of the transformer are also quite large.

このような欠点を改善するためにインバータ一方式を用
いた高電圧発生回路が提案されている。
In order to improve these drawbacks, a high voltage generation circuit using one type of inverter has been proposed.

この方式は、商用電源を、ダイオードによって整流し、
電源コンデンサによって弱冠の平滑を施したのち、高周
波トランスの一次巻線と共振コンデンサによって共振回
路を構成し、これと半導体スイッチング素子を用いて、
人間の可聴周波数を越えた20KHzもしくはこれ以上
の周波数で前記高周波トランスを駆動してマグネトロン
に必要な4KVの高電圧を得るものである。この結果、
トランスは小形化する事ができるので有利である。この
方式を、以降、インバータ一方式高圧発生回路と呼ぶこ
とにする。
This method rectifies the commercial power supply using a diode.
After performing slight smoothing with a power supply capacitor, a resonant circuit is constructed with the primary winding of the high-frequency transformer and a resonant capacitor, and using this and a semiconductor switching element,
The high frequency transformer is driven at a frequency of 20 KHz or higher, which exceeds the human audible frequency, to obtain the high voltage of 4 KV required for the magnetron. As a result,
The transformer is advantageous because it can be made smaller. This system will hereinafter be referred to as an inverter one-way high voltage generation circuit.

発明が解決しようとする問題点 上記のように、インバータ一方式高圧発生回路を用いる
ことによって、トランスは小型化することができるが、
半導体スイッチング素子、ダイオード、2つのコンデン
サ、および、前記半導体スイッチング素子を制御するた
めのインバーター制御回路等が必要となり、以下に示す
ような種々の問題点が発生する。すなわち、 (1)部品点数が増加する。
Problems to be Solved by the Invention As mentioned above, by using an inverter-type high voltage generation circuit, the transformer can be made smaller;
A semiconductor switching element, a diode, two capacitors, an inverter control circuit for controlling the semiconductor switching element, and the like are required, which causes various problems as shown below. That is, (1) The number of parts increases.

(2)半導体スイッチング素子および共振コンデンサは
商用電源の3〜10倍の過渡電圧が発生するので、絶縁
距離を十分とったり、あるいはゴミ、湿気々どによる絶
縁劣化を防止しなければならない。
(2) Semiconductor switching elements and resonant capacitors generate transient voltages 3 to 10 times higher than commercial power supplies, so sufficient insulation distance must be provided or insulation deterioration due to dust, moisture, etc. must be prevented.

(3)数の増えた部品の結線に手間がかかる。(3) It takes time to connect the increased number of parts.

(4)半導体スイッチング素子およびダイオード等を効
率良く冷却する必要がある。
(4) It is necessary to efficiently cool semiconductor switching elements, diodes, etc.

(6)インバーターの発振周波数の高周波(低調波)に
よるうなり等を防止する必要がある 等々の問題がある。
(6) There are problems such as the need to prevent beats and the like due to high frequencies (subharmonics) of the oscillation frequency of the inverter.

問題点を解決するだめの手段 本発明は、前述の従来例の全ての問題を解決するもので
ある。すなわち、前述のインバータ一方式高圧発生回路
において、主電源電流の流れる主要部品、すなわち、整
流用ダイオード、平滑コンデンサ、共振コンデンサ、な
らびに半導体スイッチング素子を、金属製放熱板と共に
樹脂によって一体モールドする構成である。
Means for Solving the Problems The present invention solves all the problems of the prior art described above. That is, in the above-mentioned one-way inverter high voltage generation circuit, the main components through which the main power current flows, namely the rectifying diodes, smoothing capacitors, resonant capacitors, and semiconductor switching elements, are integrally molded with resin together with the metal heat sink. be.

作用 樹脂で一体にモールドするために、部品点数は1つとな
り、過渡電圧が発生しても、樹脂で満されているので安
全であり、また放熱板と一体に構成されているので、放
熱も容易に行えるし、樹脂で固めているので可聴域のう
なり音も発生しない。
Since it is integrally molded with working resin, there is only one part, and even if a transient voltage occurs, it is safe because it is filled with resin, and it is also integrated with the heat sink, so it can dissipate heat. It's easy to do, and since it's hardened with resin, it doesn't make any audible humming noises.

実施例 第2図は、本発明と家庭用電子レンジに実施する際のイ
ンバータ一方式高圧発生回路の一実施例の要部回路図で
ある。同図において、1は商用電源、2はインバーター
モジュール、3は整流用ダイオード、4は平滑用の電源
コンデンサで、前記ダイオードの直流出力に並列に接続
されている。
Embodiment FIG. 2 is a circuit diagram of a main part of an embodiment of the present invention and a one-way inverter type high voltage generation circuit when implemented in a household microwave oven. In the figure, 1 is a commercial power supply, 2 is an inverter module, 3 is a rectifier diode, and 4 is a smoothing power supply capacitor, which are connected in parallel to the DC output of the diode.

なお、ダイオードと電源コンデンサとの間には、必要に
望して、不要輻射を防止するためのチff−クコイルを
挿入しても良い。5は共振用コンデンサであり、高周波
昇圧トランス6の一次側と並列に接続される。7は半導
体スイッチング素子である。これは制御入力端子8を通
して、インバータ制御回路9と接続される。10.11
は、前記インバーター制御回路に入力する為の制御電圧
端子である。
Note that, if necessary, a check coil may be inserted between the diode and the power supply capacitor to prevent unnecessary radiation. 5 is a resonance capacitor, which is connected in parallel with the primary side of the high frequency step-up transformer 6. 7 is a semiconductor switching element. This is connected to an inverter control circuit 9 through a control input terminal 8 . 10.11
is a control voltage terminal for inputting to the inverter control circuit.

インバーター制御回路9によって、半導体スイッチング
素子をオン/オフする制御信号が形成され、これに応じ
て半導体スイッチング素子がオグ/オブする。これによ
って高周波昇圧トランス602次側に高電圧が誘起され
、マグネトロン12は電波を発生する。
The inverter control circuit 9 generates a control signal for turning on/off the semiconductor switching element, and the semiconductor switching element turns on/off in response to this. As a result, a high voltage is induced on the secondary side of the high frequency step-up transformer 60, and the magnetron 12 generates radio waves.

ここで、家庭用電子レンジに用いる場合には、インバー
タ一方式高圧発生回路は約1KWに近い電力を発生する
必要があり、共振コンデンサの両端は、商用電源が1o
ovの場合でも500〜eoovに達する。これらの部
品を通常の電線による接続をすれば、部品点数が多いの
で複雑になるばかりでなく、各部品全保持する為の構成
が複雑になる。本発明はこれらの問題点を解決するもの
で、その一実施例を第1図に示している。
When used in a household microwave oven, the inverter-type high-voltage generating circuit needs to generate power close to approximately 1KW, and the commercial power supply is connected to both ends of the resonant capacitor.
Even in the case of ov, it reaches 500 to eoov. If these parts are connected using ordinary electric wires, not only will the number of parts become complicated, but the structure for holding all the parts will also become complicated. The present invention solves these problems, and one embodiment thereof is shown in FIG.

第1図は本発明の一実施例要部斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of essential parts of an embodiment of the present invention.

第1図に於て、13は、アルミ金属の引抜き工法等でく
し形の凸凹が形成された放熱板である。
In FIG. 1, reference numeral 13 denotes a heat dissipation plate on which comb-shaped unevenness is formed using an aluminum metal drawing method or the like.

14は111記放熱板にとりつけられたケースである。14 is a case attached to the heat sink 111.

この中には、前述の整流用ダイオード3.電源コンデン
サ4.共撮コンデンサ6、および半導体スイッチング素
子7が納められている。特に半導体スイッチング素子7
とダイオードは、特に放熱が必要なため前記放熱板13
に密着するように取付けられている。16〜2oは外部
回路と接続する為の端子である。
This includes the aforementioned rectifier diode 3. Power supply capacitor 4. A common camera capacitor 6 and a semiconductor switching element 7 are housed therein. Especially semiconductor switching element 7
The heat dissipation plate 13 is used for the diodes and diodes, which require heat dissipation.
It is installed in close contact with the 16 to 2o are terminals for connecting to an external circuit.

半導体スイッチング素子と整流ダイオードは、あらかじ
め放熱板にとりつけられ、他の部品も、部品単位でのモ
ールド成形する前の段階で必要な結線を行い、その後適
当な成形型に入れて樹脂モールドを行う。
The semiconductor switching elements and rectifier diodes are attached to the heat sink in advance, and the necessary connections are made to other parts before molding each part, and then the parts are placed in an appropriate mold and resin molded.

また別の方法としては、半導体スイッチング素子と電源
ダイオードは半導体のチップのままで前記放熱板に接着
すると更に放熱効果が出る。第3図はこの方式の一実施
例要部断面図を示している。
Another method is to bond the semiconductor switching element and the power supply diode to the heat sink while remaining as semiconductor chips, resulting in a further heat dissipation effect. FIG. 3 shows a sectional view of a main part of an embodiment of this method.

第3図に於て、13は金属製の放熱板で、その上にセラ
ミックより成る絶縁板21を接着し、更にその上に半導
体チップ22を接着し、同様に構成された端子24にボ
ンディングワイヤー26によって接続する。その上に、
半導体チップを覆うように第1の樹脂で、半導体チップ
をモールドする。
In FIG. 3, reference numeral 13 denotes a metal heat sink, on which an insulating plate 21 made of ceramic is bonded, a semiconductor chip 22 is further bonded on top of this, and bonding wires are attached to terminals 24 having the same structure. Connect by 26. in addition,
The semiconductor chip is molded with a first resin so as to cover the semiconductor chip.

そして全体を第2の樹脂でモールドしたものである。第
1の樹脂は、半導体チップの熱ストレスによる破壊を防
ぐために、比較的軟らかい樹脂を用いるのが良い。この
ような構成を行うことによって、半導体チップの放熱を
更に良くすることができる。
The entire body is then molded with a second resin. It is preferable to use a relatively soft resin as the first resin in order to prevent damage to the semiconductor chip due to thermal stress. By adopting such a configuration, heat dissipation from the semiconductor chip can be further improved.

また、インバーター制御回路をも、これら樹脂モールド
内に納めてしまうと更に部品点数及び配線が減少するの
で便利になる。
Further, if the inverter control circuit is also housed within these resin molds, the number of parts and wiring can be further reduced, making it convenient.

また、プリント基板上で配線した部品を樹脂モールドす
るのも良いであろう。
It would also be a good idea to resin mold the parts wired on the printed circuit board.

発明の詳細 な説明したように、本発明は、インバーター高圧発生回
路の主要部品を放熱板と共に樹脂でモールドして一体化
したものであるので以下の様な効果がある。
As described in detail, the present invention has the following effects because the main components of the inverter high voltage generation circuit are molded with resin together with the heat sink.

(1)部品が一体化されているので、部品点数は一点と
なるので、機器の構成が単純となる。
(1) Since the parts are integrated, there is only one part, so the configuration of the device is simple.

(2)樹脂でモールドされているので、絶縁が十分保証
され、ゴミや湿度による劣化の心配が全くない。
(2) Since it is molded with resin, sufficient insulation is guaranteed, and there is no need to worry about deterioration due to dust or humidity.

(3)半導体素子は放熱板にとりつけられているので放
熱が良い。
(3) Since the semiconductor element is attached to a heat sink, heat radiation is good.

(4)樹脂により全ての部品が固着されているので、う
なりやビビリ音等の音が出ない。
(4) All parts are fixed with resin, so there is no buzzing or chattering noise.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の要部斜視図、第2図は同イ
ンバータ一方式高圧発生回路の回路図、第3図は同要部
断面図である。 3・・・・・・整流用ダイオード、4・・・・・・電源
コンデンサ、6・・・・・・共振コンデンサ、7・・・
・・・半導体スイッチング素子、13・・・・・・放熱
板、26・・・・・・第1の樹脂、2了・・・・・・第
2の樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名3−
IE−&岸ダイ■−ト 啼−tz民コツグツす 14−一一ケ−人
FIG. 1 is a perspective view of a main part of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of a one-way inverter high voltage generation circuit, and FIG. 3 is a sectional view of the main part. 3... Rectifier diode, 4... Power supply capacitor, 6... Resonance capacitor, 7...
... Semiconductor switching element, 13 ... Heat sink, 26 ... First resin, 2 Ryo ... Second resin. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person3-
IE-&Kishidai ■-to-tz people Kotsugutsusu 14-11 Ke-people

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)商用電源を整流するダイオードと、そのダイオー
ドによる直流電源に並列に挿入される電源コンデンサと
、マグネトロンの高圧電圧を供給する昇圧トランスと、
その昇圧トランスの一次側に並列に接続された共振コン
デンサと、前記昇圧トランスと前記共振コンデンサの並
列回路に直列に接続された半導体スイッチング素子と、
前記共振コンデンサと前記半導体スイッチング素子の直
列回路を前記電源コンデンサに並列に接続され、少くと
も前記ダイオード、前記電源コンデンサ、前記共振コン
デンサ、および前記半導体スイッチング素子を金属製放
熱板と共に樹脂でモールドした事を特徴とする高周波加
熱器。
(1) A diode that rectifies the commercial power supply, a power supply capacitor inserted in parallel with the DC power supply by the diode, and a step-up transformer that supplies the high voltage of the magnetron.
a resonant capacitor connected in parallel to the primary side of the step-up transformer, and a semiconductor switching element connected in series to a parallel circuit of the step-up transformer and the resonant capacitor;
A series circuit of the resonant capacitor and the semiconductor switching element is connected in parallel to the power supply capacitor, and at least the diode, the power supply capacitor, the resonance capacitor, and the semiconductor switching element are molded with resin together with a metal heat sink. A high-frequency heater featuring
(2)半導体スイッチング素子を構成する半導体チップ
の片面を覆うように軟かい樹脂でモールドすると共に、
前記半導体素子と、電源コンデンサ、共振コンデンサ、
ダイオードを一体にモールド成形した事を特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載の高周波加熱器。
(2) Molding with soft resin so as to cover one side of the semiconductor chip constituting the semiconductor switching element,
The semiconductor element, a power supply capacitor, a resonant capacitor,
The high-frequency heater according to claim 1, characterized in that the diode is integrally molded.
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