JPS63219045A - Ic card - Google Patents

Ic card

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Publication number
JPS63219045A
JPS63219045A JP62051928A JP5192887A JPS63219045A JP S63219045 A JPS63219045 A JP S63219045A JP 62051928 A JP62051928 A JP 62051928A JP 5192887 A JP5192887 A JP 5192887A JP S63219045 A JPS63219045 A JP S63219045A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
data
area
eeprom
defective address
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62051928A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hirotaka Mizuno
浩孝 水野
Fuminobu Furumura
文伸 古村
Akira Kagami
晃 加賀美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP62051928A priority Critical patent/JPS63219045A/en
Publication of JPS63219045A publication Critical patent/JPS63219045A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To rewrite a data a number of times more than the life of an EEPROM itself by finding out an area, in which the reliability of a held data decreases in the EEPROM, and securing and using a preparatory storage area substituting for it. CONSTITUTION:The area of the EEPROM (electrically erasable and writable non-volatile memory) 15 is divided into an open area, an operation area, a secret area and a preparatory area. The preparatory area is the area that the substituting storage area of a defective address whose reliability is decided to be decreased in the operation area, is secured. A correspondence relation between the defective address and its substituting address is held in a PROM 16 as a defective address map. When a data on the operation area is read out, at first, it is checked whether it is the defective address or not, by referring to the defective address map in the PROM 16, and if it is registered as the defective address, the substituting address comes to be the candidate of the address, in which the data to be read out next time is held.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はICチップをプラスチック板に取りつけたIC
カードに係り、%に保存すべきデータの曹き換えの頻度
が高い用途に好適なICカードに関する。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to an IC in which an IC chip is attached to a plastic plate.
The present invention relates to an IC card suitable for use in which data to be stored is frequently replaced.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のICカードの中で保存すべきデータの書き換えが
可能なものは、サイエンス1986年1月号第84頁か
ら第93頁において論じられているように、プラスチッ
ク板に取り付けられたICチップ内にプログラム格納用
のROM (読出し専用メモリ)とデータ一時保存用の
RAM (読み書きできる揮発性メモリンとデータ保存
用のEEPROM(電気的に消去可能でプログラム可能
なROM)の3種のメモリと、これらとカードの外の外
部装置との間の信号授受をすべて制御するCPUおよび
入出力装置が実装され′fc構成となっていた。
Conventional IC cards that allow rewritable data are those that have an IC chip attached to a plastic plate, as discussed in Science, January 1986, pages 84 to 93. There are three types of memory: ROM (read-only memory) for program storage, RAM (volatile memory that can be read and written) for temporary data storage, and EEPROM (electrically erasable and programmable ROM) for data storage. A CPU and an input/output device were installed to control all signal exchange with external devices outside the card, resulting in an 'fc configuration.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上記従来技術においてはデータを保存するためにEEP
ROM (電気的に消去およびプログラム可能な不揮発
性メモリ)が使用されるが、EEPROMはプログラム
のし直しが無限にできるというものではない。EEPR
OMを構成する二酸化シリコンの薄い絶縁層の中に欠陥
が存在するため、0から1.1から0というプログラム
のし直しを1万回くり返した後では、二ば化シリコン層
にかなりの′1子が捕捉されてしまい漏洩路が形成され
ることが原因で常に低流が流れる(すなわち例えば常に
00)状態になる。したがってEEPROM内の頻繁に
゛データの書き換えが行なわれる領域では徐々に保持す
るデータの1ぎ頼性が低下するという問題かめる。
In the above conventional technology, EEP is used to store data.
ROM (Electrically Erasable and Programmable Non-Volatile Memory) is used, but EEPROM is not infinitely reprogrammable. EEPR
Due to the presence of defects in the thin insulating layer of silicon dioxide that makes up the OM, after 10,000 reprograms from 0 to 1.1 to 0, the silicon dioxide layer has a significant amount of '1. The child is trapped and a leakage path is formed, resulting in a constant low flow (ie, always 00). Therefore, in areas in the EEPROM where data is frequently rewritten, a problem arises in that the reliability of the data held gradually decreases.

本発明の第1の目的は、上記のEEPROM内でのデー
タの信頼性低下を防止するICカードを提供することに
ある。
A first object of the present invention is to provide an IC card that prevents the reliability of data in the EEPROM from decreasing.

本発明の第2の目的は、上記のEEPROM内でのデー
タの信頼性低下(誤動作)を検出し、誤りを訂正するI
Cカードを提供することにある。
A second object of the present invention is to detect a decrease in data reliability (malfunction) in the EEPROM and correct the error.
The purpose is to provide C cards.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記目的を達成するため不発明の第1の特徴は、前述の
ICチップ内のEEPBOM内に予備の領域を設け、さ
らに別にEEPROM内の常用の領域中でデータ保持の
信頼性が低下した記憶番地と上述の予備領域内に確保し
た代替番地との対応(以降では不良番地マツプと呼ぶ。
In order to achieve the above object, the first feature of the invention is to provide a spare area in the EEPBOM in the above-mentioned IC chip, and furthermore, to provide a memory address in a regular area in the EEPROM where the reliability of data retention is lowered. and the alternative address secured in the above-mentioned spare area (hereinafter referred to as a defective address map).

)を記憶するだめのメモリを設けることにある。このメ
モリは280M(1回書き込み可能な不揮発性メモリ)
あるいはEEPkLOMである。そして、ICの動作す
べてを記述したプログラムを格納するROMには、FR
OMに記録された不良番地マツプを利用して番地変換を
行なった後に、しかるべきEEPROM上の番地に対し
て読み薔きを行なう機能を追加したプログラムを格納す
る。
) is to provide a memory for storing the information. This memory is 280M (non-volatile memory that can be written once)
Or EEPkLOM. The ROM that stores the program that describes all the operations of the IC contains the FR
After address conversion is performed using the defective address map recorded in the OM, a program is stored that has an added function of reading and writing to the appropriate address on the EEPROM.

また、上記目的を達成するために、本発明の第2の特徴
は、ICチップ上にデータ格納用のEEPROMの他に
この第1のEEPR,OMと等しい構造で正負逆の論理
でデータを格納する第2のEEPROMを設け、さらに
これら2つのEEPROMの同−記1番地の内容を読み
出して比較する。あるいは同一記憶番地へそれぞれデー
タを書き込む手段を設けることにある。
In addition, in order to achieve the above object, the second feature of the present invention is that in addition to the EEPROM for data storage on the IC chip, data is stored with a structure equal to the first EEPR and OM with positive and negative logic. A second EEPROM is provided, and the contents of the same address 1 of these two EEPROMs are read out and compared. Alternatively, means for writing data to the same memory address may be provided.

〔作用〕[Effect]

第1の特徴では、EEL’此OM内のある番地i(常用
の領域中)のデータ音読み出す場合には、まずPROM
内の不良番地マツプを参照する。不良番地マツプにiが
記録されてなけnば1番地iに保持されるデータの信頼
性は高いということになL  EEPROMの番地!の
内容をその11読み出す。不良番地マツプにiが記録さ
れていれば同時に記録されている代替番地j (EEP
ROMの予備領域中)が次に読み出すデータが保持され
ている番地の候補である。このjについても不良番地マ
ツプに記録烙れているかどうか調べ、記録されていれば
Jに対する代替番地kを読み出す番地の候補とする。以
上の動作を最終的に不良番地マツプに記録されていない
番地の候補tが得られるまでくり返す。そして番地L(
もちろん予備領域中)の内容を読み出し、これを番地i
の内容を読み出した結果とする。
The first feature is that when reading data sound at a certain address i (in a commonly used area) in the EEL' OM, the PROM
Refer to the defective address map in If i is not recorded in the defective address map, the reliability of the data held at address 1 is high.L EEPROM address! Read out the contents of 11. If i is recorded in the defective address map, the alternative address j (EEP
(in the spare area of the ROM) is a candidate address where data to be read next is held. This j is also checked to see if it is recorded in the defective address map, and if so, an alternative address k for J is selected as a candidate for the read address. The above operations are repeated until finally a candidate t for an address not recorded in the defective address map is obtained. And the address L (
Of course, the contents of the spare area) are read out and stored at address i.
This is the result of reading the contents of .

次にEEPROM内のある番地i(常用領域中)にデー
タを書き込む場曾であるが、はじめに読み出しの場合と
同様の動作により不良帯地マツプに記録されていない番
地の候@J(これはiに等しいかもしれないし、あるい
は別の予備領域中の番地かもしnない。)を求め、この
番地jにデータを書き込む。次にjの内容を読み出し、
データが正しく記録さnたかをチェックする。チェック
の結果が正しければこれで終わりである。正しく記録さ
nていない場合には、不良番地マツプにJを記録し、同
時に予備領域中の未使用の番地kを求めてkも記録する
。そして番地kにデータを曹き込み、続いて読み出しを
行ない内容をチェックする。これらをチェックの結果が
正しくなるまでくり返すことにより信頼性の低下した(
誤動作の可能性の鍋い)記憶番地へのデータ書込みを防
ぐことができる。
Next, it is necessary to write data to a certain address i (in the common area) in the EEPROM, but first, by the same operation as in the case of reading, an address @J (this is written to i) that is not recorded in the defective strip map is (It may be the same address, or it may be an address in another spare area.) and write data to this address j. Next, read the contents of j,
Check whether the data was recorded correctly. If the check results are correct, this is the end. If it is not recorded correctly, J is recorded in the defective address map, and at the same time, an unused address k in the spare area is found and k is also recorded. The data is then written to address k, and then read out to check the contents. By repeating these steps until the check results are correct, the reliability decreases (
It is possible to prevent data from being written to a memory address (which increases the possibility of malfunction).

なお、ここでは不良番地マツプはデータを保持するEE
PROMとは別の280Mに保持されているとしたが、
EEPROM内に予備領域と同様に不良番地マツプ領域
として実現しても問題はない。
Note that here, the defective address map is the EE that holds the data.
It is assumed that it is held in 280M separate from PROM, but
There is no problem even if it is realized as a defective address map area in the same way as a spare area in the EEPROM.

不良番地マツプは1度記録されると2度と変更されない
情報なので、この記録自体の信頼性は高いからである。
This is because the reliability of this recording itself is high, since the defective address map is information that is never changed once it is recorded.

また、第2の特徴では、ICチップにおいて。Moreover, in the second feature, in the IC chip.

データ書き込みの際には格納すべきデータを第10E 
EP R,0M内の所定の番地へ書き込み、これととも
にこのデータを正負逆の論理で(つまり否定をとって)
第2のEEPROMの相対的に同一の番地へ書き込む。
When writing data, write the data to be stored in the 10th E.
Write to a specified address in EP R, 0M, and also write this data with reverse logic (that is, take negation)
Write to the relatively same address in the second EEPROM.

EEPROMにおいてはデータ更新を頻繁にくり返せば
データ保持の信頼性が低下する(誤動作を起こす)が、
誤動作を起したビットは例えば常に0の状態になってし
まう。つまり1が誤って0になる確率が高くなる。これ
に比べ0が誤って1になる確率はきわめて低い。また0
を記憶しているかぎシ問題はない。
In EEPROM, if data is updated frequently, the reliability of data retention decreases (causing malfunction).
For example, a bit that has malfunctioned will always be in a 0 state. In other words, the probability that 1 becomes 0 by mistake increases. Compared to this, the probability that 0 becomes 1 by mistake is extremely low. 0 again
There is no problem with remembering the key.

第1のE E P R,C)Mと第2のEEPROMで
は対応する記憶番地でお互いに逆の0,1パターンでデ
ータを格納しであるが、各々のEEPROMの誤動作と
しては以下の6ケースが考えられる。各々のgEpfL
oM内の対応するビットをA、Bとすれば。
The first EEPROM and the second EEPROM store data in a reverse 0, 1 pattern at corresponding memory addresses, but each EEPROM malfunctions in the following six cases. is possible. Each gEpfL
Let the corresponding bits in oM be A and B.

(1)  A : 1→ 0 (2)  A : 0→ 1 (3)  B : 1−→ 0 (4)  B : 0→ 1 (5)  A ; 1→ 0.B:0→ 1(6)  
A : O→ 1.B:1→ Oしかし、ケース(乃、
 (4)、 (5)、 (6)は0から1への誤動作が
極めて起こりにくいことから、これらのケースに比べれ
ばケース(1)、 (3)が起こる確率がはるかに大き
い。(L)、 (3)では結果としてAとBはどちらも
0となシ尋しくなる。格納したデータを読み出す際には
、第1のEEPROMと第2のEEPROMの各々の所
定の番地の内容を読み出し、2つのデータの対応するビ
ット毎の比較を行なう。すべてのビットがお互いに反転
の関係にめれば(これは対応するビット間で排他的論理
利金とれば判る。)いずれのデータも正しく保持さnて
いると判断してよいから、第1のEEPROMから読み
出したデータをそのまま利用すればよい。
(1) A: 1→ 0 (2) A: 0→ 1 (3) B: 1-→ 0 (4) B: 0→ 1 (5) A; 1→ 0. B: 0 → 1 (6)
A: O→ 1. B: 1 → O However, case (ノ,
In cases (4), (5), and (6), malfunction from 0 to 1 is extremely unlikely to occur, so the probability that cases (1) and (3) will occur is much higher than in these cases. In (L) and (3), both A and B are likely to be 0 as a result. When reading the stored data, the contents of each predetermined address of the first EEPROM and the second EEPROM are read, and the corresponding bits of the two data are compared. If all bits are inverted with respect to each other (this can be seen by taking the exclusive logical interest between corresponding bits), it can be determined that all data is correctly held, so the first The data read from the EEPROM may be used as is.

逆に比較の結果、2つのデータの対応するあるビットA
とBがどちらも0となっていた場合%A。
Conversely, as a result of the comparison, a certain bit A corresponding to the two data
%A if both and B are 0.

Bいずれかが誤動作した(ケース(1)か(3)ンと判
定するが、(1)と(3)のどちらかを特定できない。
Either B malfunctions (cases (1) or (3)), but it is determined that either (1) or (3) is not working.

そこで以下の手順によりデータの訂正を行な9゜まずA
、 Bに1を書き込み、それを読み出す。その結果によ
り以下の3つのパターンに誤動作を分類できる。
Therefore, correct the data by following the steps below.
, writes 1 to B and reads it. Based on the results, malfunctions can be classified into the following three patterns.

(イ)A:0.B:1  (Aのみ誤動作)(ロ)A:
1  、B:0  (Bのみ誤動作)?i  A:0 
 、a二o  (A、Bとも誤動作ン(イ)の場合には
ケース(1)と判定できるのでAを1に訂正できる。ま
た(r:IJの場合にもケース(3ンと判定できるので
Aは0のままでよいことが判る。r−tではA、 Bと
も誤動作しているため、ケース(1)か(3)かを判定
できず、AがOか1かを特定することができないが、こ
の確率は(イ)−?((ロ)の確率に比較すれば低いも
のと考えられる。
(b) A: 0. B: 1 (Only A malfunctions) (B) A:
1, B: 0 (only B malfunctions)? i A: 0
, a2o (If both A and B malfunction (b), it can be determined as case (1), so A can be corrected to 1. Also, in the case of (r: IJ, it can be determined as case (3), so It turns out that A can be left as 0. Since both A and B are malfunctioning in rt, it is not possible to determine whether it is case (1) or case (3), and it is impossible to determine whether A is O or 1. Although it is not possible, this probability is considered to be low compared to the probability of (a) -? ((b).

以上により、第1のEEPROMと第2のEEPROM
の対応する記憶領域のいずれかが誤動作した場合には、
誤動作の検出と読み出した第10EEPROMのデータ
の訂正を行なうことができる。
As described above, the first EEPROM and the second EEPROM
If one of the corresponding storage areas malfunctions,
Malfunctions can be detected and data read from the tenth EEPROM can be corrected.

なお、A、Bへは最初に読み出したデータを戻しておく
Note that the first read data is returned to A and B.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例を図を用いて説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図はICカード内のICチップ内の一実施例の装置
構成を示す。図において11はCPUでめり、チップ内
のメモリとカード外の種々の外部装置との間のデータの
授受をすべて゛制御する。12はデータの入出力を実際
に行なう入出力装置でめる。13はROM (@み出し
専用不揮発性メモリ)であり、CPUIIが一定の命令
を外部から与えられたときに従うべき命令群(プログラ
ム)を格納しである。14はRAM (読み書き可能の
揮発性メモリ)でCPUが動作する際の作業領域でらる
。そして15はEEPROIld (電気的に消去可能
で書き込み可能の不揮発性メモリ)であり、実際にデー
タが記録される。16は280M(1回書き込み可能の
不揮発性メモリ)で前述のEEPROM15に関する不
良番地マツプが記録される。
FIG. 1 shows the device configuration of an embodiment of an IC chip in an IC card. In the figure, reference numeral 11 denotes a CPU, which controls all data exchange between the memory within the chip and various external devices outside the card. Reference numeral 12 designates an input/output device that actually inputs and outputs data. Reference numeral 13 denotes a ROM (read-only non-volatile memory), which stores a group of instructions (program) that the CPU II should follow when given a certain instruction from the outside. 14 is a RAM (readable/writable volatile memory) which is a work area when the CPU operates. And 15 is EEPROIld (electrically erasable and writable non-volatile memory) in which data is actually recorded. 16 is a 280M (one-time writable nonvolatile memory) in which a defective address map regarding the EEPROM 15 described above is recorded.

第2図にはデータ記録用のEEPROM 15の内部を
データの使用目的に応じて4種類の領域に分割した例を
示す。それぞれを開放領域21.動作領域22.秘密領
域23.予備領域24と呼ぶことにする。開放領域21
にはICカード所有者の氏名、住所1口座番号等が記録
されており、この領域の内容はどのカード読み取り機で
も読めるが。
FIG. 2 shows an example in which the inside of the EEPROM 15 for data recording is divided into four types of areas depending on the purpose of data use. Each is an open area 21. Operating area 22. Secret area 23. This will be called a spare area 24. open area 21
The IC card holder's name, address, account number, etc. are recorded in the area, and the contents of this area can be read by any card reader.

書き換えについては、几0M13に格納されたプログラ
ムによりソフト的にあるいはノ・−ド的に糸上されてい
る。動作領域22は例えば買物にカードを使用する時に
金額や日付等を記録するのに用いられる。この領域につ
いてはCPUIIは特定の条件の下(例えばカードの暗
証番号が正しく入力されているという条件下)でのみ書
き込み読み取りが許される。秘密領域23には、カード
の暗証番号、!R造会社の符号等を記憶しており、カー
ド所有者はアクセス不能の領域である。以上3つの領域
のうち内容の書き換えがくり返して行なわれ得る動作領
域22は他の2つに比べて保持するデータの信頼性は低
下する可能性がある。予備領域24は動作領域22中で
信頼性が低下したと判定された記憶番地(不良番地と呼
ぶことにする)の代替記憶領域を確保したものである。
Rewriting is carried out either by software or by a node using a program stored in the 0M13. The operation area 22 is used, for example, to record the amount, date, etc. when using the card for shopping. The CPU II is only allowed to write and read this area under certain conditions (for example, if the card's PIN number has been entered correctly). The secret area 23 contains the card's PIN number! This area stores the code of the R manufacturing company and is inaccessible to the cardholder. Of the three areas mentioned above, the operation area 22, whose contents can be repeatedly rewritten, may have lower reliability of the data it holds than the other two areas. The spare area 24 is a storage area reserved as an alternative storage area for a storage address (hereinafter referred to as a defective address) whose reliability has been determined to have deteriorated in the operation area 22.

不良番地iとその代替番地(m (i)とする)との対
応関係(以降では不良番地マツプと呼ぶ。)はFROM
16に保持される。第3図はPROM内での不良番地マ
ツプの表現例である。図で30は280M上の番地、3
1は不良番地1の欄、32は代替番地m(i)の欄を示
す。
The correspondence relationship between a defective address i and its alternative address (referred to as m (i)) (hereinafter referred to as a defective address map) is FROM
It is held at 16. FIG. 3 is an example of a representation of a defective address map in a PROM. In the figure, 30 is the address on 280M, 3
1 indicates a column for defective address 1, and 32 indicates a column for alternative address m(i).

次にEEPROM 15内の動作領域22上の番地lの
データ読み出しの手順について第4図(a)のフローチ
ャートを用いて説明する。まずPROMIa内の不良番
地マツプを参照する。マツプ中の不良番地欄31に番地
iが記録されているかどうか調べる(ステップ42)。
Next, the procedure for reading data at address l on the operating area 22 in the EEPROM 15 will be explained using the flowchart of FIG. 4(a). First, the defective address map in PROMIa is referred to. It is checked whether address i is recorded in the defective address field 31 in the map (step 42).

iが記録されていなければ番地iの内容を読み出す(ス
テップ44)。不良番地欄31に番地iが記録されてい
る場合には対応する代替査地欄32の番地m(+)が次
に読み出すデータが保持されている番地の候補である。
If i is not recorded, the contents of address i are read (step 44). When an address i is recorded in the defective address column 31, the corresponding address m(+) in the alternative address column 32 is a candidate address where data to be read next is held.

このm(1)’にあらためてiとする(ステップ43)
Let this m(1)' be i again (step 43)
.

このiについても不良番地マツプの不艮番地欄31に記
録されているかどうか調べ(ステップ42)、記録され
ていれば1に対する代替番地m(りを次に読み出す番地
の候補にする(ステップ43)。以上の動作(ステップ
42.43)を最終的に不良番地vlA31に記録番地
の候補が得られるまで繰り返す。そして得られた番地i
(もちろん予備領域24中)の内容を読み出し、これを
最初に与えられた動作領域22上の番地の内容とする(
ステップ44)。
It is checked whether this i is also recorded in the failed address field 31 of the defective address map (step 42), and if it is recorded, the alternative address m(i) for 1 is selected as a candidate for the address to be read next (step 43). The above operations (steps 42 and 43) are repeated until a recording address candidate is finally obtained for the defective address vlA31.Then, the obtained address i
(of course in the spare area 24) and make this the content of the address on the first given operating area 22 (
Step 44).

次にEEPROM 15内の動作領域220番地lへデ
ータを書き込む手順について第4図(b)のフローチャ
ートを用いて説明する。まずデータ読み出しの場合と同
様の動作を行ない不良番地欄31に記録されていない番
地の候補(あらためてこれをiと呼ぶ。これは最初に与
えられた動作領域22中の番地かもし肚ないし、予備領
域24中の別の番地かもしnない。ンヲ求める(ステッ
プ46゜47)。そしてこの番地iにデータを誉き込む
(ステップ48)。続いてこの番地の内存を読み出しく
ステップ49)、正しくデータが記録されたかを調べる
(ステップ50)。正しく記録されていない場合には、
不良番地マツプの不艮蕾地欄31に1を登録し、同時に
予備領域24中の未使用の記憶番地m(j)を求めこれ
を代替番地欄32にi己録する(ステップ51)。この
mい)を新たに1とする(ステップ51)。そしてこの
番地iにデータ′f1:g!き込み(ステップ48)、
続いて読み出しを行ない内容を比較する(ステップ49
.50)。
Next, the procedure for writing data into the operating area 220 address 1 in the EEPROM 15 will be explained using the flowchart shown in FIG. 4(b). First, the same operation as in the case of data reading is performed, and a candidate address (hereafter referred to as i) that is not recorded in the defective address column 31 is used. It may be another address in 24. Find it (steps 46 and 47). Then, write data into this address (step 48). Next, read the existence of this address (step 49), and check if the data is correct. Check whether it has been recorded (step 50). If it is not recorded correctly,
1 is registered in the defective address column 31 of the defective address map, and at the same time, an unused memory address m(j) in the spare area 24 is found and recorded in the alternative address column 32 (step 51). This m) is newly set to 1 (step 51). And data 'f1:g! at this address i! Input (step 48),
Subsequently, reading is performed and the contents are compared (step 49).
.. 50).

この動作(ステップ48〜51)を比較結果が正しくな
るまでくり返すことにより動作領域22めるいにその代
替記憶領域としての予備領域24へのデータ格納を行な
う。
By repeating this operation (steps 48 to 51) until the comparison result is correct, data is stored in the spare area 24 as an alternative storage area for the operating area 22.

本実施例によれば、  EEPR(JM 15内の動作
領域22および予備領域241cおいて頻繁に舊き換え
をくり返したことによジデータ保持の信頼性の低下した
不良記憶番地を発見し、これの代替記憶番地をEEPR
OM内の予備領域内に確保し、以後はこの代替記憶番地
を利用するので、EEPROMの寿命以上のデータ書き
換えを行なうことができるという効果がある。
According to this embodiment, a defective memory address whose data retention reliability has deteriorated due to frequent replacement in the operating area 22 and spare area 241c in the EEPR (JM 15) is discovered, and the defective memory address is removed. EEPR the alternate memory address
Since the memory address is secured in a spare area within the OM and this alternative storage address is used thereafter, there is an advantage that data can be rewritten for a period longer than the life of the EEPROM.

なお、本実施例では不良番地マツプの記憶領域としてデ
ータ記憶領域であるEEPR,OM 15とは別にFR
OM(1回書き込み可能のROM)16を備える構成と
したが、EEPROMl5内に第5の領域として不良番
地マツプ領域を設けておく構成も可能でらる。
In addition, in this embodiment, FR is used as a storage area for the defective address map in addition to the data storage area EEPR, OM 15.
Although the configuration includes the OM (one-time writeable ROM) 16, it is also possible to provide a defective address map area as the fifth area in the EEPROM 15.

第5図はICカード内のICチップ内の他の実施例の装
置構成を示す。図において61はCPUでありチップ内
のメモリとカード外の種々の外部装置との間のデータ授
受をすべて制御する。62はデータの入出力を実際に行
なう入出力装置である。63はROM (読み出し専用
の不揮発性メモリ)であり、CPU61が一定の命令を
外部から与えられたときに促うべき命令群(プログラム
)を格納している。64はRAM(読み書き可能の揮発
性メモリ)で、CPU61が動作する際の作業領域であ
る。そして65はEEPROM(’II、気的に消去可
能で蛙き込み可能の不揮発性メモリ)でおり、実際にデ
ータが記録される(これをEEPROMlと呼ぶことに
する。j066は65のEEP几0rnlと同一構造の
EEPROMであり(これf:EEPROM2と呼ぶこ
ととする。)、EEPROM1と相対的に同一の番地に
正負逆の論理で同一データが記録さnる。そして67は
65のEEPROMlと66のEEPROM2の同一番
地についてのデータの畳込み読み出し、および読み出し
た2つのデータを用いてデータの誤シ訂正を行なう比較
回路であり、CPU61の制御の下で動作する。
FIG. 5 shows the device configuration of another embodiment within the IC chip within the IC card. In the figure, 61 is a CPU that controls all data exchange between the memory in the chip and various external devices outside the card. 62 is an input/output device that actually inputs and outputs data. 63 is a ROM (read-only non-volatile memory), which stores a group of instructions (program) to be prompted when the CPU 61 is given a certain instruction from the outside. 64 is a RAM (readable/writable volatile memory), which is a work area when the CPU 61 operates. And 65 is an EEPROM ('II, a non-volatile memory that is erasable and programmable), in which data is actually recorded (this will be called EEPROMl). j066 is the EEPROM of 65. (This will be referred to as f:EEPROM2), and the same data is recorded in the relatively same address as EEPROM1 with opposite logic.And 67 is EEPROM1 of 65 and EEPROM1 of 66 This is a comparator circuit that performs convolutional reading of data regarding the same location of the EEPROM 2 and performs data error correction using the two read data, and operates under the control of the CPU 61.

CPU61がEEPROMl内の番地iヘデータ金書き
込む場合には、比較回路67はCPU61から番地iと
データを受は取りEEP几PMIの番地iヘデータを書
き込み、同時にこのデータの各ビットの1とOを反転さ
せたデータをEEPROM2の番地iに書き込む。
When the CPU 61 writes data to the address i in the EEPROM1, the comparison circuit 67 receives the address i and the data from the CPU 61, writes the data to the address i in the EEPROM PMI, and simultaneously inverts 1 and 0 of each bit of this data. The resulting data is written to address i of EEPROM2.

CPU61がEEPROMl内の番地1のデータを読み
出す場合には、比較回路67はCPU61から番地1を
受けと9.EEPROMlとEEPROM2の七れぞれ
の番地iからデータaとデータbを読み出す。そして比
較回路67はaとbの間でビット毎に排他的−理和をと
る。その結果がすべて1(すべてのビットで0と1がお
互いに反転している)であれば、データaを七のままE
EPROMIの番地iの内容としてCPU61へ送る。
When the CPU 61 reads data at address 1 in the EEPROM1, the comparator circuit 67 receives address 1 from the CPU 61 and 9. Data a and data b are read from each of seven addresses i in EEPROM1 and EEPROM2. The comparator circuit 67 performs an exclusive sum between a and b for each bit. If the result is all 1 (0 and 1 are inverted with each other in all bits), leave data a as 7 and write E.
It is sent to the CPU 61 as the contents of address i of EPROMI.

もしaとbの両方で0であるビット(この位置をKとす
る)が存在した場合は、a、bの否定をとったデータa
、  l)lそれぞれEEPROMIおよびEEPRO
M2の番地lへ畜き込み、続いて番地iの内容を読み出
す。これらをc、dとする。aとCの間、およびbとd
の間でそれぞnビット毎に排他的論理和をとる。それぞ
れの結果におけるビット位置にの値をe、  fとして
、e、fの値によシ以下の処理を行なう。
If there is a bit that is 0 in both a and b (this position is K), then the data a obtained by negating a and b
, l)l EEPROMI and EEPRO respectively
The data is stored in address l of M2, and then the contents of address i are read out. Let these be c and d. between a and C, and b and d
Exclusive OR is performed for every n bits between them. The values at the bit positions in each result are set as e and f, and the following processing is performed depending on the values of e and f.

(イ)  e=1.f=0の場合にはEEPROMIの
みが誤動作したと判定し、データaのピッ)Kilに訂
正する。
(b) e=1. If f=0, it is determined that only the EEPROMI has malfunctioned, and the data a is corrected to P/Kil.

(ロ)  e=0.f=1の場合K ハEEPfLOM
 2(7)、ME誤動作していると判定する。データa
のビットには訂正する必要がない。
(b) e=0. When f=1, K EEPfLOM
2(7), it is determined that the ME is malfunctioning. data a
There is no need to correct the bits in .

(ハ)e=f=lの場合には2 つOEEPR,OM 
ト4に誤動作を起していると判定し、CPU11ヘデー
タ読み出し不能と通報し、処理を中止する。
(c) In the case of e=f=l, two OEEPR, OM
It is determined that a malfunction has occurred in the CPU 11, and the CPU 11 is notified that the data cannot be read, and the process is stopped.

以上(イ)、(n’を誤動作が検出されたすべてのピッ
ト位置Kについて行ない、訂正を行なったデータ’eE
EPROM1O番地io内容としてCPU61に送る。
Above (a), (n' is performed for all pit positions K where malfunctions were detected, and the corrected data 'eE
It is sent to the CPU 61 as the EPROM address io contents.

最後に、a、bをそれぞれのEEPROMの元の番地i
へもどしておく。
Finally, set a and b to the original address i of each EEPROM.
I'll put it back.

以上述べたように1本実施例によればEEPROMlと
EEPROM2の内容を読み出して比較することにより
、各々のEEPROMでデータ保持の誤動作が起こった
かどうかを検出し、それを訂正することができるのでデ
ータ保持の信頼度を向上させる効果がbる。
As described above, according to the present embodiment, by reading and comparing the contents of EEPROM1 and EEPROM2, it is possible to detect whether or not a data retention malfunction has occurred in each EEPROM, and to correct it. This has the effect of improving retention reliability.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上述べたように、本発明によれば、データ保持用のE
EPRPM内で頻繁に書き換えが行なわれるため保持す
るデータの信頼性が落ちた(誤動作を起こした)領域を
発見しこれに代わる予備記憶領域を確保して以後はこの
予備記憶領域を利用することにより、データ保持の信頼
性を維持することができるので、EEPROM自体の寿
命以上の回数のデータ書き換えを信頼性高く行なうこと
ができるという効果がある。
As described above, according to the present invention, the E
By discovering an area in the EPRPM where the reliability of retained data has deteriorated (caused a malfunction) due to frequent rewriting, securing a spare storage area to replace it, and using this spare storage area from now on. Since the reliability of data retention can be maintained, data can be rewritten more times than the life of the EEPROM itself with high reliability.

また、本発明によればデータ保持用のEEPROM内で
誤動作が起きた場合に、それを検出し、かつデータを訂
正することができるので、データ保持の信頼度の向上と
いう効果がある。
Furthermore, according to the present invention, if a malfunction occurs in the EEPROM for data retention, it can be detected and the data can be corrected, which has the effect of improving the reliability of data retention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一笑施例のICカード内のICチップ
内の装置構成図、第2図は第1図中のデータ記録用のE
EPROMの内部の使用目的別の領域分割の例の図、第
3図は第1図中のPROM内での不良番地マツプの表現
例の図、第4図はEEPROM内のデータ読み出し、書
き込みの処理フローチャート、第5図は本発明の他の実
施例のICカード内のICチップ内の装置構成図である
。 11.61・・・CPU、13.63・・・ROM、1
4゜64・・・RAM、15,65.66・・・EEP
ROM 。 16・・・PROM。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an IC chip in an IC card according to a simple embodiment of the present invention, and FIG.
Figure 3 is an example of how an EPROM is divided into areas according to purpose of use. Figure 3 is an example of how a defective address map in the PROM shown in Figure 1 is expressed. Figure 4 is an example of data read and write processing in an EEPROM. The flowchart and FIG. 5 are diagrams showing the configuration of devices within an IC chip in an IC card according to another embodiment of the present invention. 11.61...CPU, 13.63...ROM, 1
4゜64...RAM, 15,65.66...EEP
ROM. 16...PROM.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 1.CPUと入出力装置とプログラムを格納するROM
とデータを一時的に保持するRAMとデータを保存する
EEPROMより成るICチツプをプラスチツク板に取
りつけたICカードにおいて、上記ICチツプ上に上記
EEPROM内での不良メモリ番地とその代替番地を格
納するPROMを設けたことを特徴とするICカード。
1. ROM that stores the CPU, input/output devices, and programs
In an IC card in which an IC chip consisting of a RAM for temporarily holding data and an EEPROM for storing data is attached to a plastic board, a PROM for storing a defective memory address in the EEPROM and its replacement address on the IC chip. An IC card characterized by being provided with.
2.CPUと入出力装置とプログラムを格納するROM
とデータを一時的に保持するRAMとデータを保存する
第1のEEPROMより成るICチツプをプラスチツク
板に取りつけたICカードにおいて、上記第1のEEP
ROMに格納した情報と正負逆の論理で同一情報を格納
する第2のEEPROMおよび上記第1のEEPROM
の内容と上記第2のEEPROMの内容とを比較する手
段をICチツプ上に設けたことを特徴とするICカード
2. ROM that stores the CPU, input/output devices, and programs
In an IC card in which an IC chip consisting of a RAM for temporarily holding data and a first EEPROM for storing data is attached to a plastic board, the first EEPROM is attached to a plastic board.
A second EEPROM and the first EEPROM that store the same information with the opposite logic to the information stored in the ROM.
An IC card characterized in that means for comparing the contents of the second EEPROM with the contents of the second EEPROM is provided on the IC chip.
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