JPS63218728A - Amphoteric polymeric compound and production thereof - Google Patents

Amphoteric polymeric compound and production thereof

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Publication number
JPS63218728A
JPS63218728A JP61275533A JP27553386A JPS63218728A JP S63218728 A JPS63218728 A JP S63218728A JP 61275533 A JP61275533 A JP 61275533A JP 27553386 A JP27553386 A JP 27553386A JP S63218728 A JPS63218728 A JP S63218728A
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JP
Japan
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formulas
tables
mathematical
chemical
chemical formulas
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Application number
JP61275533A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masakazu Kamikita
正和 上北
Hiroshi Awaji
弘 淡路
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Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide the titled compound capable of film formation by the Langmuir-Blodgett procedure, constituted of such linear necurring units with each specific two organic groups linked alternately that specific hydrocarbon- contg. group is linked thereto through covalent bond. CONSTITUTION:A monomer containing at least divalent >=2C organic group R2 and a second monomer containing at least divalent >=2C organic group R2 are used in such a combination as of formula I, II, III or IV (A is acidic group; B is basic group), also being selected so that either or both of said monomers contain one or two replaceable 10-30C hydrocarbon-contg. group R3, followed by polycondensation of these monomers, thus obtaining the objective compound constituted of such linear recurring units with said organic groups R1 and R2 linked alternately through divalent group that the hydrocarbon-contg. group R3 is linked thereto through covalent bond. Said combination is e.g., one between a monomer of formula V and a second monomer of formula VI.

Description

【発明の詳細な説明】 鼓fbと匣 本発明は、両性高分子化合物、特にラングミュア・プロ
ジェット法によって製膜できるように修飾された両性高
分子化合物とその製°造法に関する・皿米皇狡逝 すでに1930年代、炭素数16〜22くらいの脂肪酸
が水面上に単分子膜をつくり、それを基質上に累積でき
ることがラングミュアとプロジェットにより見出された
が、技術的応用についての検討が行われはじめたのは最
近のことである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an amphoteric polymer compound, particularly an amphoteric polymer compound modified so that it can be formed into a film by the Langmuir-Prodgett method, and a method for producing the same. Already in the 1930s, Langmuir and Prodgett discovered that fatty acids with about 16 to 22 carbon atoms could form a monomolecular film on the surface of water and accumulate it on a substrate, but studies on its technical application remained unclear. It has only recently begun to be carried out.

これまでの研究の概要については、固体物理17(12
) 45 (1982) Th1n 5olid Fi
lms 88 No、1 (1980) 。
For an overview of past research, see Solid State Physics 17 (12
) 45 (1982) Th1n 5olid Fi
lms 88 No. 1 (1980).

ibi+L 99 No、 1.2.3 (1983)
 In5oluble monolayersat l
iquid−gas 1nterfaces (G、L
、 Ga1ns、 Inter−science Pu
blishers、 New York+ 1966)
などにまとめられているが、従来の直鎖飽和脂肪酸のラ
ングミエア・プロジェット膜(以下rLB膜」とい、う
)は耐熱性、機械的強度に欠点があり、実用的応用には
そのままでは使えないという問題点がある。
ibi+L 99 No. 1.2.3 (1983)
In5olable monolayer sat l
iquid-gas 1nterfaces (G,L
, Ga1ns, Inter-science Pu
blishers, New York+ 1966)
However, the conventional Langmiea-Prodget membrane (hereinafter referred to as "rLB membrane") made of straight-chain saturated fatty acids has shortcomings in heat resistance and mechanical strength, and cannot be used as is for practical applications. There is a problem.

これらを改善するものとして不飽和脂肪酸、例えばω−
トリコセン酸、ω−ペブタデセン酸やα−オクタデシル
アクリル酸や脂肪酸の不飽和エステル、例えばステアリ
ン酸ビニル、オクタデシルアクリレートのほか、ジアセ
チレン誘導体などの重合膜が検討されているが、耐熱性
は充分とはいえないし、電気的にもすぐれたものとはい
えない。
Unsaturated fatty acids, such as ω-
Polymer films made of tricosenic acid, ω-pebutadenoic acid, α-octadecyl acrylic acid, unsaturated esters of fatty acids such as vinyl stearate, octadecyl acrylate, and diacetylene derivatives have been investigated, but they do not have sufficient heat resistance. It cannot be said that it is electrically superior.

ポリマーについてもポリアクリル酸、ポリビニルアルコ
ール、エチルアクリレート、ポリペプチドなど親水性基
をもつ高分子に成膜性のあるものが知られているが、特
にラングミュア・プロジェット膜用の材料として修飾さ
れた高分子はこれまで検討されていないし、すぐれ゛た
LB膜材料と言えるものはない。
Regarding polymers, polymers with hydrophilic groups such as polyacrylic acid, polyvinyl alcohol, ethyl acrylate, and polypeptide are known to have film-forming properties, but they are particularly modified as materials for Langmuir-Prodgett membranes. Polymers have not been studied so far, and there is no material that can be considered an excellent LB film material.

一方、耐熱性フィルムとしてポリイミドがあるが、スピ
ンコードなどの方法によっては通常は1戸以上せいぜい
1000Å以上であり、1000Å以下のピンホールの
ない耐熱性薄膜を作成するのは非常に困難である。
On the other hand, polyimide is used as a heat-resistant film, but depending on methods such as spin cording, the thickness is usually at least 1,000 Å or more, and it is extremely difficult to create a heat-resistant thin film with no pinholes of 1,000 Å or less.

■が力°しし゛と る口 占 本発明は、本来、ラングミエア・プロジェット法では製
膜が困難である高分子化合物を修飾することにより同法
による製膜を可能にすることであり、耐熱性、耐薬品性
、接着力などの機械的特性の改善された一般的には製膜
が難しい厚みの高分子LB膜の材料である両性高分子化
合物と、その製造法を提供することである。
The purpose of the present invention is to modify a polymer compound that is originally difficult to form into a film using the Langmier-Projet method, thereby making it possible to form a film using the Langmier-Projet method. An object of the present invention is to provide an amphoteric polymer compound, which is a material for a polymer LB film having a thickness that is generally difficult to form, and which has improved mechanical properties such as durability, chemical resistance, and adhesive strength, and a method for producing the same. .

p  占  7°       の 前81問題点は、本発明により、少な(とも2Bの炭素
原子を有する少なくとも2価の第1の有機基R1と、少
なくとも2Bの炭素原子ををする少なくとも2価の第2
の有機基R2とが2価の結合基によって交互に連結され
ている線状の繰返し単位を有し、かつ該繰返し単位へ共
有結合した、置換基を含むこともある炭素数10〜30
の炭化水素含有基R3を少なくとも1つ含んでいる両性
高分子化合物を提供することによって解決される。
According to the present invention, an at least divalent first organic group R1 having at least 2B carbon atoms and an at least divalent second organic group R1 having at least 2B carbon atoms can be solved by the present invention.
having a linear repeating unit in which the organic groups R2 are alternately connected by divalent bonding groups, and having a carbon number of 10 to 30 and may contain a substituent covalently bonded to the repeating unit.
The present invention is solved by providing an amphoteric polymer compound containing at least one hydrocarbon-containing group R3.

さらに詳しく説明すれば、本発明の高分子化合物は基本
骨格となる線状の繰り返し単位とじて−一÷−A −R
1−AB −Rz−B−÷−一(1)−一÷−A −R
1−B A −R2−B−÷−−(2)−H−B −R
1−BA −R2−A−÷−一(3)から構成される。
To explain in more detail, the polymer compound of the present invention has linear repeating units as a basic skeleton of -1÷-A-R.
1-AB -Rz-B-÷-1 (1)-1÷-A -R
1-B A -R2-B-÷--(2)-H-B-R
It is composed of 1-BA-R2-A-÷-1 (3).

ここでR1は少なくとも2Bの炭素原子を含有する少な
くとも2価の第1の有機基であり、R2は少なくとも2
Bの炭素原子を含有する少なくとも2価の第2の有機基
である。さらに好ましくはR1゜R2のいずれか一方ま
たは両方が少なくとも6個の炭素原子数を有するベンゾ
ノイド不飽和によって特徴づけられた基である。
wherein R1 is an at least divalent first organic group containing at least 2B carbon atoms, and R2 is at least 2B carbon atoms.
B is an at least divalent second organic group containing a carbon atom. More preferably, one or both of R1 and R2 is a group characterized by benzonoid unsaturation having at least 6 carbon atoms.

(1)〜(3)式におけるAB、BAは、O,N、S、
P、Bなどのへテロ原子を含む酸性基Aと塩基性基Bの
反応によってできた2価の結合基である。さらに具体的
には、−COOR,(Rはアルキル基または水素原子、
以下同じ) −COX、 (XはαまたはBr+以下同
じ) −NCO,−NC5,−CN、  −CONHR
,−5OzNORなどの酸性基Aと、−11HR,−O
R,−5R,−X等の塩基性基Bの反応によってできた
基で、 等であり、 等であ、る。
AB and BA in formulas (1) to (3) are O, N, S,
It is a divalent bonding group formed by a reaction between an acidic group A containing a heteroatom such as P or B and a basic group B. More specifically, -COOR, (R is an alkyl group or a hydrogen atom,
(Same below) -COX, (X is α or Br+ Same below) -NCO, -NC5, -CN, -CONHR
, -5OzNOR and other acidic groups A and -11HR, -O
A group formed by the reaction of basic group B such as R, -5R, -X, etc., etc.

本発明の高分子化合物は、(1)〜(3)の基本骨格の
同じ繰返し単位中にそれへ共有結合した、置換基を有す
ることもある炭素数lO〜30.好ましくは炭素数16
〜22の炭化水素含有基R3の少なくとも1つ、好まし
くは2つを含有し、ラングミュア・プロジェット法で製
膜可能なように修飾されたものである。
The polymer compound of the present invention may have a substituent covalently bonded to the same repeating unit of the basic skeleton of (1) to (3) with a carbon number of 10 to 30. Preferably carbon number 16
It contains at least one, preferably two, of ~22 hydrocarbon-containing groups R3, and is modified so that it can be formed into a film by the Langmuir-Prodgett method.

このような修飾を実現する方法には3つの方法が考えら
れる。
There are three possible methods for achieving such modification.

(1) (1)〜(3)式の線状の繰返し単位中のAB
、 BAの基に含まれる原子にR3を置換する方法。
(1) AB in the linear repeating unit of formulas (1) to (3)
, A method of substituting R3 to an atom included in the group of BA.

(n) R1,R2に直接R3を置換する方法と、さら
には、 (III) Rt、 Rzの線状繰返し単位を作るのに
使われている以外のR1,Rzの置換基を通してR3を
置換する方法である。
(n) A method of directly substituting R3 on R1, R2, and further, (III) Substituting R3 through a substituent of R1, Rz other than those used to create the linear repeating unit of Rt, Rz. It's a method.

勿論(1)  (II)  (I[[)を併用してもさ
しつがえない、また、R3が2つ以上のときは同一でも
異なってもよい。
Of course, (1) (II) (I[[) may be used together, and when R3 is two or more, they may be the same or different.

(1)  (II)  (III)について具体的に例
示すれば、(1)は、 上表のようにAB、 BAの窒素原子上の水素原子の代
わりにR3を置換する方法である。
(1) (II) To specifically illustrate (III), (1) is a method in which R3 is substituted for the hydrogen atom on the nitrogen atom of AB or BA as shown in the above table.

〔■〕の方法は、R1,R2に直接R3を置換する方法
で、 はその具体例の一部である。
The method [■] is a method in which R3 is directly substituted for R1 and R2, and these are some specific examples thereof.

さらに多くの可能性を含む方法は[I[r)の方法であ
る。これについて詳しく説明する。
A method that includes even more possibilities is the method of [I[r). This will be explained in detail.

(III)の方法は一、R1,R2として少な(とも一
方は少なくとも3価の有機基を用いる方法で、R1゜R
2を含む繰返し単位を作るのに使われている以外の置換
基を通してR3を置換する方法で、勿論これに限定され
るわけではないが、R1がR2と価数が等しいか、多い
場合について価数が6までを例示すると、 ム立1致  h二玉監 ■      32 ■       42 ■       52 ■       62 ■       33 ■       43 ■       53 ■       63 ■      44 [相]      54 ■55 ■        65 0       6G である。
Method (III) is a method in which one, R1, and R2 are small (one of which uses at least a trivalent organic group, and R1゜R
This is a method of substituting R3 through a substituent other than that used to create a repeating unit containing 2, and is of course not limited to this, but it is a method in which R1 has a valence equal to or greater than R2. To give an example of numbers up to 6, these are: MU Tachi 1 H 2 ball supervised ■ 32 ■ 42 ■ 52 ■ 62 ■ 33 ■ 43 ■ 53 ■ 63 ■ 44 [phase] 54 ■ 55 ■ 65 0 6G.

ここにはR1,R2が5価以上の例もリストアンプされ
ているが、R1,R2は4価までが特に好ましい例であ
る。
Although examples in which R1 and R2 have a valence of 5 or more are listed here, it is particularly preferable that R1 and R2 have a valence of up to 4.

Rt=3.Rz=2価 R1瓢4.Rz■2 R1雪3.R2諺3 R1露4.Rz=3 Rx=4.Rz露4 について可能な具体例について列挙すると、R1謬3.
R2諺2のとき、 R5−4,Rz−2のときは、 R1−3* R2繍3のときは、 R1禦4.R2諺3のときは、 R1−4,R2=4のときは、 を作るのに使われていないA/Bが存在するが、(II
[]の方法はこの置換基を通してR3を置換する方法で
ある0例えば(4)〜(75)でAなら−COOR3、
−CONHR3,−NHCOOR3、−NHCSOR3
等、Bなら、−N)IR3,−0R3,−5R3等によ
って置換することができる。
Rt=3. Rz=bivalent R1 gourd4. Rz■2 R1 snow 3. R2 proverb 3 R1 dew 4. Rz=3 Rx=4. Possible specific examples for Rz 4 are listed below: R1 error 3.
When R2 is 2, R5-4, when Rz-2, R1-3* When R2 is 3, R1 is 4. In R2 proverb 3, when R1-4, R2=4, there is A/B that is not used to create, but (II
The method [] is a method of substituting R3 through this substituent.0 For example, if A in (4) to (75), -COOR3,
-CONHR3, -NHCOOR3, -NHCSOR3
etc., B can be replaced by -N)IR3, -0R3, -5R3, etc.

次にR1,R2について説明する。 R1,RZは少な
(とも2Bの炭素原子を含有する、好ましくは5〜20
個の炭素原子を含有する少なくとも2(il[iの基で
あり、芳香族の基であってもよく、脂肪族の基であって
もよく、環状脂肪族の基であってもよく、これらの基が
組合わざった基であらてもよく、さらにはこれらの基が
脂肪族、環状脂肪族あるいは芳香族(これらが相互に組
合わさっていてもよい)の炭素数1〜30の1価の基(
これらの基がハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シア
ノ基、メトキシ基、アセトキシ基などの基でi換されて
シ)テもよい)、あるいは咳1価の基が−Q +、−c
oo−・−Nl(Co−、−CO−−S +、 −cs
s、−、−NHC5−。
Next, R1 and R2 will be explained. R1, RZ are small (both containing 2B carbon atoms, preferably 5 to 20
is a group of at least 2 (il[i) containing 2 carbon atoms, which may be an aromatic group, an aliphatic group, or a cycloaliphatic group; These groups may be a combination of groups, and furthermore, these groups may be aliphatic, cycloaliphatic, or aromatic (these groups may be combined with each other) monovalent group having 1 to 30 carbon atoms. Group (
These groups may be substituted with a halogen atom, a nitro group, an amino group, a cyano group, a methoxy group, an acetoxy group, etc.), or a monovalent group may be substituted with -Q +, -c
oo-・-Nl(Co-, -CO--S +, -cs
s,-,-NHC5-.

−C3−などに結合した基で置換され8夫導体となった
基であってもよい、しかし、R1,Rzが少なくとも6
個の炭素原子数を有するベンゼノイド構造Gこよって特
徴づけられた基である場合には、耐熱性、耐薬品性や機
械的特性などの点から好ましシ)。
It may be a group substituted with a group bonded to -C3-, etc. to become an octoconductor, but if R1 and Rz are at least 6
A group characterized by a benzenoid structure G having the number of carbon atoms is preferred from the viewpoint of heat resistance, chemical resistance, mechanical properties, etc.).

本発明のベンゼノイド不飽和とは炭素環式化合(以下余
白) R1,Rzについてさらに詳しく述べるために好適なも
のを例示すれば以下のとおりである。
The benzenoid unsaturation of the present invention is a carbocyclic compound (the following is a blank space). Preferred examples for describing R1 and Rz in more detail are as follows.

ここでR4は −o−、−co−、−s−。Here R4 is -o-, -co-, -s-.

R5:アルキルまたはアリール基 H3 ■ C)+30 − (CH2)IOCH−CH3、−(CH2)3−C
−(CHz)z +。
R5: Alkyl or aryl group H3 ■ C)+30 - (CH2)IOCH-CH3, -(CH2)3-C
-(CHz)z +.

−(CHz)3−0−(CH2)2−o−(CH2)3
− 。
-(CHz)3-0-(CH2)2-o-(CH2)3
−.

(以下余白) (Raは前出に同じ) 以上の中からR1,R2のさらに好ましい例をあげれば (R4は前出に同じ)である。(Margin below) (Ra is the same as above) Among the above, more preferable examples of R1 and R2 are given. (R4 is the same as above).

R3は炭素数10〜30好ましくは16〜22の炭化水
素含有基であるが、脂肪族、環状脂肪族と脂肪族、芳香
族と脂肪族の結合、それらの置換体から選ばれた1価の
基は好ましい具体的な例であり、列挙すれば (CHs) (CHz)n−t 、  CHz−CH(
CHz)n−zH3 ここで7+mxn−5、n−10〜30好ましくは16
〜22等であり、直鎖系脂肪族炭化水素基が特に好まし
い例である。
R3 is a hydrocarbon-containing group having 10 to 30 carbon atoms, preferably 16 to 22 carbon atoms, and is a monovalent group selected from aliphatic, cycloaliphatic and aliphatic, aromatic and aliphatic bonds, and substituents thereof. Preferred specific examples of the groups include (CHs) (CHz)nt, CHz-CH(
CHz)n-zH3 where 7+mxn-5, n-10~30 preferably 16
~22, etc., and straight chain aliphatic hydrocarbon groups are particularly preferred examples.

これらに対する置換基としてはハロゲン原子。The substituent for these is a halogen atom.

ニトロ基、アミノ基、シアン基、メトキシ基、アセトキ
シ基等があるが必須ではない、しかしフッ素原子は水素
原子より疎水性を向上させるので場合により使われるこ
とが望ましい。
There are nitro groups, amino groups, cyan groups, methoxy groups, acetoxy groups, etc., but they are not essential, but fluorine atoms improve hydrophobicity more than hydrogen atoms, so it is preferable to use them in some cases.

即ち、フッ素を含有させることによってアルキル鎖の長
さを短(できる0例えば C3F17 (CH2) 4
−においてルー2で充分であり、炭素数10で製膜が可
能なようにできる。
That is, by containing fluorine, the length of the alkyl chain can be shortened (for example, C3F17 (CH2) 4
In -, 2 roux is sufficient, and it is possible to form a film with 10 carbon atoms.

本発明の製膜方法に通用可能な高分子化合物の具体的な
例は(1) 〜(75)式にR1,R2,Ra、 A。
Specific examples of polymer compounds applicable to the film forming method of the present invention include R1, R2, Ra, and A in formulas (1) to (75).

B、 AB、 BAの具体例およびR3を置換する方法
の具体例をそれぞれ代入することによって明らかになる
。(1)〜(75)には共重合体は含まれていないが、
これらから類推される共重合体やそれらの混合物も勿論
本発明に含まれる。
It becomes clear by substituting specific examples of B, AB, BA and specific examples of the method of substituting R3. Although (1) to (75) do not contain copolymers,
Of course, copolymers analogous to these and mixtures thereof are also included in the present invention.

又さらに必須ではないが、本発明の高分子化合物がCI
)(n)(m)の方法によって炭素数1〜9の炭化水素
含有基によって置換されていてもよい。
Further, although it is not essential, the polymer compound of the present invention may be CI
)(n)(m) may be substituted with a hydrocarbon-containing group having 1 to 9 carbon atoms.

本発明の高分子化合物の分子量については特に限定はな
い、しかし分子量が低くても、本発明の製膜方法によっ
て製膜は可能であるが、良好な耐熱性1機械的強度、耐
薬品性を得ることはできない、また一方分子量が大きす
ぎると、粘度が高すぎて製膜がうまくいかない。
There is no particular limitation on the molecular weight of the polymer compound of the present invention. However, even if the molecular weight is low, it is possible to form a film using the film forming method of the present invention. On the other hand, if the molecular weight is too large, the viscosity will be too high and film formation will not be successful.

従って、数平均分子量が2.000〜300.000程
度のものが望ましい、さらに好ましくは10.000〜
150.000である。
Therefore, it is desirable that the number average molecular weight is about 2.000 to 300.000, more preferably 10.000 to 300.000.
It is 150.000.

モノマーおよびポリマーの合成上、コスト的な考慮から
望ましい具体例を示せば次のようになる・勿論これに限
定されるわけではない。
In terms of synthesis of monomers and polymers, preferred specific examples from cost considerations are as follows; of course, the present invention is not limited to these.

(157”) 式中、−は異性を表す。(157”) In the formula, - represents isomerism.

例えば、下式(83)で説明すれば、 および を表す。For example, if explained using the formula (83) below, and represents.

本発明は(83−1)  (83−2)が単独である場
合(83−1)  (83−2)が共存する場合を含ん
でいる。
The present invention includes cases where (83-1) and (83-2) are present alone, and cases where (83-1) and (83-2) coexist.

他の例は、例えば神戸博太部編、「高分子の耐熱性」 
(培風館、 S45.3.5 ”) 、r高分子の熱分
解と耐熱性」 (培風館、 S49.3.15)等の底
置に求めることができる。
Other examples include "Heat resistance of polymers" edited by Hakutabe Kobe.
(Baifukan, S45.3.5"), "Thermal decomposition and heat resistance of r-polymer" (Baifukan, S49.3.15), etc.

本発明はまた、前記両性高分子化合物の製造法を提供す
る。該方法は、第1の有機基R1を含むモノマーと、第
2の有機基R2を含むモノマーをA−R1−A  + 
 B −R2−BA−R1−B  +  B −R2−
BB −R4−B  +  B −R2−AA −Rs
’     +  B −Rz−BB −R1+   
A −Rz−A 八     Ij          ABAA   
       B115 AB          A      k3BB  
        AA A       B          A     
  B八      5          ABIj
       I3A       ABi2    
      八     八(式中、Aは酸性基、Bは
塩基性基を表す、)のいずれかの組合せにおいて、かつ
組合せる2Mの七ツマ−の少なくとも一方が1個または
2Bの炭化水素含有基R3を含有している七ツマ−を使
用し、第1の有機基R1を含むモノマーと第2の有機基
Rzを含むモノマーを重縮合させることよりなる。
The present invention also provides a method for producing the amphoteric polymer compound. In this method, a monomer containing a first organic group R1 and a monomer containing a second organic group R2 are A-R1-A +
B -R2-BA-R1-B + B -R2-
BB -R4-B + B -R2-AA -Rs
' + B -Rz-BB -R1+
A -Rz-A 8 Ij ABAA
B115 AB A k3BB
AA A B A
B8 5 ABIj
I3A ABi2
(8) In any combination of (8) (in the formula, A represents an acidic group and B represents a basic group), and at least one of the 2M hexamers to be combined has one or 2B hydrocarbon-containing groups R3. The method consists of polycondensing a monomer containing a first organic group R1 and a monomer containing a second organic group Rz using a hexamer contained therein.

先の(76)〜(178)の具体的な例について製造方
法を例示すれば次のようである。
The manufacturing method for the above-mentioned specific examples (76) to (178) is as follows.

(86)’ → (94)’ (96)夕 →(97)’ (98)’ (99)’ (100)’ (101)’ →(102)’ →(103)’ →(104)’ →(105)’ −(106)’ = (107)’ = (108’)ゝ −(109)’ −(110)’ 一一一(111)’ (112)り −(113)’ 一一一(114)’ = (115)’ −(116)’ −(117)’ −(118)’ −(119)’ 一一→(120)’ −  (121)j −(122)’ − (123)’ −(124)ツ ー (125)’ −(126)’ −(127)’ −(128)フ (129)ツ ーーー(130)’ −m−(131)’ (132)’ 一一→(133)’ 一一→ (134)’ (135)’ = (136)’ −(137)’ R = (13B )う = (139)’ −(140)’ 一一一(141)’ = (142)’ = (143)’ 一一一(144)’ −(145)’ □ (146”)’ −(147)’ −(148)’ 一一一 (149)’ (150)’ (151)フ (152)’ 一一→(153)’ 一一一(154)’ (155”)ツ ー (156)’ (157)’ −(15B )’ −(159)’ 一一一(160)’ −(161)’ (162)’ −m−(163)’ −(164)” 一−→ (165)’ 一一→(166)’ −(167)’ = (16B )’ = (169)’ 一一一(170)’ 一一一(171)2 − (172)’ 一一一一一一−ゆ (173)ラ ーーー→(174)’ 一一一一一一一ゆ  (175)ラ ーー→(176)5 一一→ (17? )’ 一一一(178”)ツ これらの具体例から類推できるように次のような方法で 共重合体も容易に製造できる0本発明がこのような共重
合体を含むことは勿論であるが、R1,R2の一方また
は両方に、少な(とも2個の炭素原子を有する3価以上
の有機基を含んだような共重合体をも、次のような方法
で 容易に製造することができ、このようにして製造された
共重合体も本発明に含まれる。このような共重合体では
冴熱性の改善が期待され、望ましい実施!3様である0
本発明には、他にも非常に多くの共重合体が含まれるが
、これらも、先に述べた製造法によって製造することが
できる。
(86)' → (94)' (96) Evening → (97)'(98)'(99)'(100)'(101)' → (102)' → (103)' → (104)' → (105)' - (106)' = (107)' = (108') - (109)' - (110)' 111 (111)' (112) ri - (113)' 111 ( 114)' = (115)' - (116)' - (117)' - (118)' - (119)' 11 → (120)' - (121)j - (122)' - (123)' -(124) Two (125)'-(126)'-(127)' -(128) Fu (129) Two (130)'-m-(131)'(132)' One one → (133)' 11 → (134)'(135)' = (136)' - (137)' R = (13B) U = (139)' - (140)' 111 (141)' = (142)' = (143)' 111 (144)'-(145)' □ (146'')'-(147)'-(148)' 111 (149)'(150)' (151) Fu (152) '11 → (153)' 111 (154)'(155") 2 (156)'(157)' - (15B)' - (159)' 111 (160)' - (161)'(162)'-m-(163)'-(164)" 1-→ (165)'11->(166)'-(167)' = (16B)' = (169)' 1-1 (170 )' 111 (171) 2 - (172)' 111111 - Yu (173) Rah → (174)' 111111 Yu (175) Ra → (176) 5 11 → (17?)' 111 (178") As can be inferred from these specific examples, copolymers can be easily produced by the following method. 0 The present invention includes such copolymers. Of course, copolymers containing a trivalent or higher valent organic group having a small number of carbon atoms (both have two carbon atoms) in one or both of R1 and R2 can be easily prepared using the following method. Copolymers produced in this way are also included in the present invention.Such copolymers are expected to improve thermostability, and are desirable embodiments!3.
Numerous other copolymers are included in the present invention, and these can also be produced by the production methods described above.

これらの修飾された高分子化合物の薄膜の製造方法を説
明するために(91)式でR’a −CHs(CHz)
 ty−の場合について述べる。ピロメリット酸ジ無水
物のアルコリシスによって得られる を実質的に無水の条件下で、有機極性溶剤中で温度−1
0℃以上で、好ましくはO〜40℃程度でチオニルクロ
ライドでアシル化し、これにジアミノジフェニルエーテ
ルを温度−10℃以上、好ましくはO〜+10℃で反応
させるが、反応を完結させるために後反応を20℃以上
で行ってもよい。
In order to explain the method for producing thin films of these modified polymer compounds, R'a -CHs(CHz) in formula (91)
The case of ty- will be described. obtained by alcoholysis of pyromellitic dianhydride under substantially anhydrous conditions in an organic polar solvent at a temperature of -1
Acylation is carried out with thionyl chloride at a temperature of 0°C or higher, preferably from about 0 to 40°C, and this is reacted with diaminodiphenyl ether at a temperature of -10°C or higher, preferably from 0 to +10°C, but a post-reaction is not necessary to complete the reaction. You may carry out at 20 degreeC or more.

アシル化およびアミド化の反応は通常0℃以下−10℃
程度で行われるが、本発明では長鎖アルキル基等の置換
基が凍結固化する傾向があるので、上記の温度で行われ
ることが望ましい、勿論以上の場合において、異なった
置換基をもつ原料を混合して共重合体としたり、0〜3
0%程度の置換基のない、あるいは炭素数が10以下の
置換基をもつテトラカルボン酸ジ無水物やジアミンと混
合してもよい。
Acylation and amidation reactions are usually below 0℃ -10℃
However, in the present invention, substituents such as long-chain alkyl groups tend to freeze and solidify, so it is preferable to carry out the process at the above temperature.Of course, in the above cases, raw materials with different substituents may be used. Mix to make a copolymer, or 0 to 3
It may be mixed with a tetracarboxylic acid dianhydride or diamine having about 0% of no substituents or a substituent having 10 or less carbon atoms.

以上のように製造された両性ポリイミド前駆体について
は分離精製して製膜材料としても、製造復心Wならクロ
ロホルム、ベンゼンなどを添加して直接製膜用溶液とし
てもよい。
The amphoteric polyimide precursor produced as described above may be separated and purified to be used as a film-forming material, or in the case of manufactured concentric W, chloroform, benzene, etc. may be added to it and used directly as a film-forming solution.

本発明の高分子化合物を製膜する方法について述べる。A method for forming a film from the polymer compound of the present invention will be described.

溶剤キャスト法、スピンコード法、ラングミュア・プロ
ジェット法があり、ラングミュア・プロジェット法が配
向した数十人単位で厚みの制御されたピンホールの少な
い薄膜を得る方法として好ましい。
There are a solvent casting method, a spin cord method, and a Langmuir-Prodgett method, and the Langmuir-Prodgett method is preferred as a method for obtaining an oriented thin film with a controlled thickness in units of several tens of layers and fewer pinholes.

溶剤キャスト法およびスピンコード法による場合、本発
明の高分子化合物あるいはその混合物をベンゼン、クロ
ロホルム、エチルエーテル、酢酸エチル、テトラヒドロ
フラン、ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセ
トアミドなどの溶剤にとかし、スピンコード法などの方
法により基板上に塗布するなどすればよ(、分子を配向
させることはできないが、膜厚が100〇八、程度より
厚い場合にピンホールのない良質な膜が得られる。
In the case of the solvent casting method and the spin-coding method, the polymer compound of the present invention or a mixture thereof is dissolved in a solvent such as benzene, chloroform, ethyl ether, ethyl acetate, tetrahydrofuran, dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, etc., and the spin-coding method is performed. If the film is coated on a substrate using a method such as (1), it is not possible to orient the molecules, but if the film is thicker than about 10,000 mm, a high-quality film without pinholes can be obtained.

次に本発明に用いるラングミュア・プロジェット膜の製
法について説明する。
Next, a method for manufacturing the Langmuir-Prodgett film used in the present invention will be explained.

ラングミュア・プロジェット膜の製法としては膜を形成
する物質を水面上に展開し、水面上に展開された物質を
一定の表面厚で圧縮して単分子膜を形成し、その膜を横
切って基板を上下させ基板上に移しとる方法(垂直浸漬
法)のほか水平付着法、回転円筒法などの方法(新実験
化学術座、第18巻、界面とコロイド、498−508
)などがあげられ、通常行われている方法であればとく
に限定されることなく使用することができる。
The Langmuir-Prodgett film is manufactured by spreading the film-forming material on the water surface, compressing the material spread on the water surface to a certain surface thickness to form a monomolecular film, and then passing the film across the substrate. In addition to the method of transferring the material by moving it up and down onto the substrate (vertical dipping method), methods such as the horizontal attachment method and the rotating cylinder method (New Experimental Science Academy, Vol. 18, Interfaces and Colloids, 498-508
), and any commonly used method can be used without particular limitation.

ラングミュア・プロジェット法は配向した、しかも厚み
を数十人単位で制御できる方法で200Å以下さらには
1000Å以下、数百へ、数十への薄膜を形成するのに
すぐれた方法であり、本発明の基板上の薄膜もこの特徴
をもつ。しかし10゜000Aまたはそれ以上の厚みの
膜もこの方法で製膜し得る。
The Langmuir-Prodgett method is an excellent method for forming thin films of 200 Å or less, even 1000 Å or less, hundreds or even tens of oriented films, in which the thickness can be controlled on the order of tens of layers. Thin films on substrates also have this characteristic. However, films with a thickness of 10°000 A or more can also be formed by this method.

ラングミュア・プロジェット法により膜を形成する成分
を水面上に展開する際、一般には溶媒として水には熔け
ないで気相中に蒸発してしまうベンゼン、クロロホルム
などが使用されるが、本発明の高分子化合物の場合は、
溶解度をあげるために有機極性溶剤を併用することが望
ましい、好ましい有機極性溶剤は、N、X−ジメチルホ
ルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−
ジエチルホルムアミド、N、N−ジエチルアセトアミド
、N、N−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルス
ルホキシド、N−メチル−2−ピロリドン、ピリジン、
ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホルアミド、テト
ラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン
などである。
When components forming a film are spread on the water surface using the Langmuir-Prodgett method, benzene, chloroform, etc., which are not soluble in water and evaporate into the gas phase, are generally used as solvents, but the present invention In the case of polymer compounds,
In order to increase solubility, it is desirable to use an organic polar solvent in combination. Preferred organic polar solvents include N,X-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N,N-
Diethylformamide, N,N-diethylacetamide, N,N-dimethylmethoxyacetamide, dimethylsulfoxide, N-methyl-2-pyrrolidone, pyridine,
These include dimethyl sulfone, hexamethylphosphoramide, tetramethylene sulfone, and dimethyltetramethylene sulfone.

ベンゼン、クロロホルムなどと有機極性溶剤を併用した
ときには、膜を展開時ベンゼン、クロロホルム等は気相
中に蒸発し、有機極性溶剤は大量の水に溶解すると考え
られる。
When benzene, chloroform, etc. are used together with an organic polar solvent, it is thought that the benzene, chloroform, etc. will evaporate into the gas phase when the membrane is developed, and the organic polar solvent will dissolve in a large amount of water.

本発明に使用される基板については本発明の薄膜を何に
応用するかということによって限定されるが、その他大
きく固定されることはなく、ガラス、アルミナ、石英な
どのような一般的無機の基板のほか、金属、プラスチッ
クやSi、 GaAs、 ZnSのような■族、 II
I−V、  I[−Vl族等の半導体、PbTiO3,
BaTiOs、 LiNbO5,LiTaO5のような
強誘電体等や磁性体薄膜を含むものも基板として用いる
ことができる。また、通常行われるような表面処理を施
したものも勿論使うことができる。表面処理の中で、シ
ランカフブリング剤とくにアミン基や、エポキシ基を有
するシランカフブリング剤やアルミキレート化合物で処
理し、加熱処理を施す方法は本発明の高分子薄膜と基板
の接着性を改善できるために好ましい、勿論、当業界で
行われるように基板が高級脂肪酸の金属で数層処理され
てもよい。
The substrate used in the present invention is limited depending on the application of the thin film of the present invention, but is not particularly fixed, and may be a general inorganic substrate such as glass, alumina, quartz, etc. In addition to metals, plastics, and group II materials such as Si, GaAs, and ZnS,
IV, I[-Vl group semiconductors, PbTiO3,
A material containing a ferroelectric material such as BaTiOs, LiNbO5, LiTaO5, or a magnetic thin film can also be used as the substrate. Moreover, it is of course possible to use a material that has been subjected to a surface treatment that is commonly performed. Among the surface treatments, a method of treating with a silane cuffing agent, especially a silane cuffing agent having an amine group or an epoxy group, or an aluminum chelate compound and applying heat treatment improves the adhesion between the polymer thin film of the present invention and the substrate. Of course, the substrate may be treated with several layers of higher fatty acid metals as is done in the art.

本発明の特徴は、よい画然性をもった高分子化合物をラ
ングミュア・プロジェット法で基板上に薄膜を形成でき
ることであるが、さらにあるものは、この薄膜を部分的
にあるいは完全に閉環させることによってさらに耐熱性
の向上した薄膜を基板上に形成できるという特徴をもう
A feature of the present invention is that it is possible to form a thin film of a high-molecular compound with good image quality on a substrate using the Langmuir-Prodgett method. As a result, it is possible to form a thin film with even higher heat resistance on the substrate.

(76)〜(17B )の例のうち次にあげるものがヘ
テロ原子を含む5員環または6員環へ部分的にあるいは
完全に閉環させることができる例であり、完全閉環後の
構造は次のようになる。
Among the examples (76) to (17B), the following are examples that can be partially or completely closed to a 5- or 6-membered ring containing a heteroatom, and the structure after complete ring closure is as follows. become that way.

または               (106)’″
または (152)” (155)” 閉環の方法については特に限定されないが、例えば先の
(91)式の具体例であるイミド化の場合には200°
〜400℃近辺の温度に加熱することによりて(91)
式の高分子化合物 の反応が起こって閉環が達成される。このとき、疎水化
のために導入した基がアルコールとして脱離するが、こ
の脱離したアルコールは200°〜400℃近辺の温度
で必要ならガスの流れの下に置くか、真空下に響くこと
によって飛散させることができるので非常に耐熱性のよ
いポリイミド薄膜を搏ることができる。
or (106)'″
or (152)"(155)" The method of ring closure is not particularly limited, but for example, in the case of imidization, which is a specific example of the above formula (91), 200°
By heating to temperatures around ~400°C (91)
Reaction of the macromolecular compound of formula occurs to achieve ring closure. At this time, the group introduced for hydrophobization is eliminated as alcohol, but this eliminated alcohol must be placed under a gas flow or under vacuum at a temperature of around 200° to 400°C. Since it can be dispersed by the heat treatment, a polyimide thin film with very good heat resistance can be rubbed.

勿論、一般的なイミド化の際に使用される無水酢酸やピ
リジン、イソキノリンのような化学キュア剤、あるいは
それと熱を併用してもよい。
Of course, a chemical curing agent such as acetic anhydride, pyridine, or isoquinoline, which is commonly used in imidization, or heat may be used in combination with the curing agent.

以上述べたように本発明の高分子化合物をラングミュア
・プロジェット法により基板上に累積し必要ならそれに
統く閉環反応によって作られた基板上の薄膜は耐熱性、
機械的特性、i薬品性も良好で、すぐれた電気絶縁性を
もち、そのうえ、1oooo八以下という非常に薄い膜
であり、5000人、2000人、望むなら10〜10
00人にもし得るという特徴を持っている。
As described above, the thin film on the substrate made by accumulating the polymer compound of the present invention on the substrate by the Langmuir-Prodgett method and, if necessary, conducting the ring-closing reaction, has heat resistance,
It has good mechanical properties and chemical properties, has excellent electrical insulation, and is a very thin film of less than 1000 yen.
It has the characteristic that it can hold up to 00 people.

特に1000八以下、数百人、50〜100程度度でも
良好な物性なかでもI X 10’ V/cm以上の絶
縁破壊強度を実現できるので種々のデバイスの中に使用
することができる。中でも50人程度から数百人程度の
薄膜では、特異な膜厚の効果、例えばトンネル効果が期
待され、それを利用した多くの興味ある応用が可能とな
る。
In particular, it can be used in various devices because it can achieve dielectric breakdown strength of I x 10' V/cm or more, among other good physical properties, even when the temperature is less than 1,000 degrees, several hundred degrees, or about 50 to 100 degrees. In particular, for thin films with a thickness of about 50 to several hundred particles, a unique film thickness effect, such as a tunnel effect, is expected, and many interesting applications using this effect are possible.

次にこれら薄膜の用途について述べる。Next, we will discuss the uses of these thin films.

本発明の薄膜は、耐熱性、耐薬品性、機械的特性がすぐ
れ、非常に薄い膜であるという特徴を生かしてエレクト
ロニクス分野、エネルギー変換や物質分離など広範な分
野で使うことができる。
The thin film of the present invention has excellent heat resistance, chemical resistance, and mechanical properties, and can be used in a wide range of fields such as electronics, energy conversion, and material separation by taking advantage of the fact that it is a very thin film.

導電性、光導電性、光学特性、絶縁性、熱特性や化学反
応性を生かしたエレクトロニクス分野でのデバイスにつ
いてまず電気・電子デバイスについて述べる。
First, we will discuss electrical and electronic devices, which are devices in the electronics field that take advantage of conductivity, photoconductivity, optical properties, insulation, thermal properties, and chemical reactivity.

第1に重要な本発明の薄膜を含んだ電気・電子デバイス
は金属/絶縁膜/半導体構造(以下MISという)のデ
バイスであり、平面エレクトロニクスデバイスや集積回
路の基本となる構造である。
The first important electric/electronic device containing the thin film of the present invention is a device with a metal/insulating film/semiconductor structure (hereinafter referred to as MIS), which is the basic structure of planar electronic devices and integrated circuits.

第1〜7図が代表的模式図である。第1図は半導体基板
に絶縁膜として本発明の薄膜を形成させその上に金属電
極を設けたものである。Si+ Geなどの■族半導体
・ GaAs、 GaPなどの■−V族半導体、CdT
e、 CdS+ ZnS、 Zn5e、 CdHgTe
などのn−vx族半導体を使用することによって例えば
太陽電池のような光電変換素子、LED、EL、フォト
ダイオードのような発光素子、受光素子、光検出素子そ
の他ガスセンサー、温度センサーのような各種トランス
ジューサーを構成することができる。
1 to 7 are representative schematic diagrams. In FIG. 1, a thin film of the present invention is formed as an insulating film on a semiconductor substrate, and a metal electrode is provided thereon. ■Group semiconductors such as Si+Ge, ■-V group semiconductors such as GaAs and GaP, and CdT
e, CdS+ ZnS, Zn5e, CdHgTe
By using n-vx group semiconductors such as, for example, photoelectric conversion elements such as solar cells, light emitting elements such as LEDs, ELs, and photodiodes, light receiving elements, photodetecting elements, and various other devices such as gas sensors and temperature sensors. A transducer can be configured.

勿論本発明の半導体としては単結晶、多結晶あるいはア
モルファスのいずれが選ばれてもよい。
Of course, the semiconductor of the present invention may be selected from single crystal, polycrystal, or amorphous.

第2図は第1図と同等であるが1つの基板上に2(II
以上の素子を作る場合にこのような電極が付けられる。
Figure 2 is similar to Figure 1, but with two (II)
Such electrodes are attached when manufacturing the above element.

このような構成によってCCD (Charg@−co
upled device)のような電荷移動型デバイ
スが作られ興味ある応用である。
With this configuration, CCD (Charg@-co
Charge-transfer devices such as (upled devices) have been created and are an interesting application.

次に第3図は電極(透明電極であってもよく、勿論パタ
ーン化されていてもよい、)をもつ絶縁基板上に、半導
体が多くの場合は半゛導体薄膜が形成されその上に本発
明の薄膜および電極が設けられた構造になっている。
Next, Fig. 3 shows that a semiconductor (often a semiconductor thin film) is formed on an insulating substrate having an electrode (which may be a transparent electrode, or of course may be patterned), and a semiconductor thin film is formed on it. It has a structure in which the thin film and electrode of the invention are provided.

第4図は薄膜が絶縁基板側電極と半導体薄膜との間に設
けられている点に第3図と違いがある。
FIG. 4 differs from FIG. 3 in that the thin film is provided between the insulating substrate side electrode and the semiconductor thin film.

半導体薄膜は分子線エピタキシ(MBE)有機金属気相
生長法(MOCVD)原子層エピタキシ(ALE)蒸着
法、スパッタ法、スプレーパイロリシス法、塗布法など
通常半導体薄膜を作製するのに使われる方法で作られ限
定されない。
Semiconductor thin films are manufactured using methods commonly used to fabricate semiconductor thin films, such as molecular beam epitaxy (MBE), metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), atomic layer epitaxy (ALE), evaporation, sputtering, spray pyrolysis, and coating methods. Created and not limited.

半導体としては先に第1.2図の説明で挙げたものを同
様に使うことができ、作られるデバイスも同様である。
As the semiconductor, those mentioned above in the explanation of FIG. 1.2 can be used in the same manner, and the devices produced are also the same.

第4図の構成では本発明の薄膜の上に半導体薄膜が形成
されるので形成時の熱が薄膜の耐熱性を越えると望まし
くないが、閉環後の薄膜ではアモルファスシリコン等は
十分累積できるし、その他の半導体も低温形成技術が進
んでいるので今後、多くの半導体が使えるようになるで
あろう。
In the structure shown in FIG. 4, a semiconductor thin film is formed on the thin film of the present invention, so it is not desirable if the heat during formation exceeds the heat resistance of the thin film, but amorphous silicon etc. can be sufficiently accumulated in the thin film after ring closure. As low-temperature formation technology for other semiconductors is progressing, many semiconductors will likely become usable in the future.

MIS構造デバイスのもっとも重要なデバイスの構造は
第5.6図で代表的に表されるゲート電極でチャンネル
電流を制御して駆動するタイプのいわゆる電界効果トラ
ンジスターCFET)構造をもつものである。
The most important device structure of the MIS structure device is the so-called field effect transistor (CFET) structure, which is typically driven by controlling the channel current with a gate electrode, as shown in FIG.

第5図は半導体基板を使っているのに対し、第6図では
絶縁基板上に形成された半導体、多くの場合半導体薄膜
を使っている違いがある。
The difference is that FIG. 5 uses a semiconductor substrate, whereas FIG. 6 uses a semiconductor formed on an insulating substrate, in most cases a semiconductor thin film.

MISFETはデバイスの基本型の一つであり、これに
より種々のデバイスを作ることができる。
MISFET is one of the basic types of devices, and various devices can be made using it.

大面積基板上に作れば液晶ディスプレイを駆動させる薄
膜トランジスターや集積度を上げれば集積回路を構成で
きる。
If made on a large-area substrate, thin-film transistors can be used to drive a liquid crystal display, and if the degree of integration is increased, an integrated circuit can be constructed.

他の興味ある応用は第5.6図でゲート電極をとりはず
した構造であり、絶縁膜あるいはそれと併用してイオン
、ガスや活性物質に感応する膜をつけることにより、イ
オン感応FET (I 5FET)やガス感応EET 
(Chem  FET) 、免疫FET (IMFET
) 、酵素FET (ENFET)を構成できる。
Another interesting application is the structure shown in Figure 5.6 with the gate electrode removed and an ion-sensitive FET (I 5FET) by adding an insulating film or a film sensitive to ions, gases, or active substances in conjunction with it. and gas sensitive EET
(Chem FET), Immune FET (IMFET)
), an enzyme FET (ENFET) can be constructed.

動作原理はイオンやガス活性物質がゲート絶縁膜表面と
作用することによる電界効果によって説明できるが、本
発明の薄膜を用いる場合には、その上に種々の有限物で
さらに修飾する際に従来の無機物にくらべて有利となる
。特に長鎖アルキル基の残っている厚膜ではそのアルキ
ル基(疎水性)部分とタンパク質の疎水性部分との相互
作用を利用できる。
The operating principle can be explained by the electric field effect caused by the interaction of ions or gaseous active substances with the surface of the gate insulating film, but when using the thin film of the present invention, conventional methods are used to further modify it with various finite substances. It has advantages over inorganic materials. In particular, in thick films with residual long-chain alkyl groups, the interaction between the alkyl group (hydrophobic) portion and the hydrophobic portion of the protein can be utilized.

第7図はl5FETの例で石英基板上に半導体膜が図の
ように形成され、その上に絶縁膜とイオン感応膜を設け
た構造となっている。この絶縁膜として本発明の薄膜を
用いることができる。
FIG. 7 shows an example of an 15FET, which has a structure in which a semiconductor film is formed on a quartz substrate as shown in the figure, and an insulating film and an ion-sensitive film are provided thereon. The thin film of the present invention can be used as this insulating film.

MIS構造のデバイスを構成するときの半導体として通
常、良好な絶縁膜を酸化などの方法で形成するのが難し
いI[[−V、  ff−VT族などの化合物半導体を
使う場合が本発明の好ましい実施態様であり、CaAs
の場合にはFETを形成する場合、上記の問題点から?
Ietal−SemiconductorFET (M
ESFET)の形で実用化されているが、MIS構造に
することによって性能の向上が期待される。
In the present invention, it is preferable to use a compound semiconductor such as I[[-V, ff-VT group, etc., which is difficult to form a good insulating film by oxidation or other methods, as a semiconductor when configuring a device with an MIS structure. In an embodiment, CaAs
In this case, when forming an FET, what are the above problems?
Ietal-Semiconductor FET (M
Although it has been put into practical use in the form of ESFET, it is expected that performance will improve by adopting an MIS structure.

GaAsを使ってMIS集積回路を構成すると駆動電圧
を低げる効果のほか、GaAs半導体中での゛キャリヤ
ーモビリティーの大きさを利用した高速で動作する集積
回路(HEMT)を非常に簡単な方法で作ることができ
る。
Constructing MIS integrated circuits using GaAs not only has the effect of lowering the driving voltage, but also enables the creation of high-speed integrated circuits (HEMTs) that utilize the large carrier mobility in GaAs semiconductors in a very simple manner. can be made.

第2に重要な本発明の薄膜を含んだ電気・電子デバイス
は金属/絶縁膜/金冗(以下MIMという)構造のデバ
イスである。
The second important electric/electronic device containing the thin film of the present invention is a device with a metal/insulating film/metallic structure (hereinafter referred to as MIM).

第8〜10図が模式図である。絶縁基板あるいは半導体
基板を用いその上に金属、絶縁膜、金属の順に形成され
る。
8 to 10 are schematic diagrams. An insulating substrate or a semiconductor substrate is used, and a metal, an insulating film, and a metal are formed thereon in this order.

第8図はキャパシターの構造であり、キャパシタンスの
湿度による変化を追跡すれば湿度センサーとなる。また
この構造によってMIM構造のトランジスターを1乍る
こともできる。
Figure 8 shows the structure of a capacitor, which can be used as a humidity sensor by tracking changes in capacitance due to humidity. This structure also allows one MIM structure transistor to be included.

第9図のようにすれば、熱電子トランジスターを構成で
きる。
A thermionic transistor can be constructed as shown in FIG.

第10図のように半導体あるいは半導体デバイス上にキ
ャパシターを作ることによってVLSIのメモリセルの
キャパシターとして使うことができる。
By forming a capacitor on a semiconductor or semiconductor device as shown in FIG. 10, it can be used as a capacitor for a VLSI memory cell.

第10図のfi成で熱電子を半導体中に注入するような
タイプのデバイスも作製できる。さらに金属のかわりに
Nbのような起電導体を使うことにより、ジ賃セフソン
ジャンクシロン(J J)デバイスを作ることも可能で
ある。
It is also possible to fabricate a type of device in which hot electrons are injected into a semiconductor using the fi formation shown in FIG. Furthermore, by using a electromotive conductor such as Nb instead of metal, it is also possible to make a JJ device.

第3の薄膜を含んだ電気・電子デバイスは・絶縁膜/金
属構造(1M構造)のデバイスであり、第11図で模式
的に表される。もっとも単純なもので、金属の上に絶縁
膜として本発明の薄膜を形成することにより得られる。
The electrical/electronic device including the third thin film is a device with an insulating film/metal structure (1M structure), and is schematically represented in FIG. The simplest method is obtained by forming the thin film of the present invention as an insulating film on a metal.

一つの応用は液晶配向膜であり、パターン化した電極、
通常はITOなどの透明電極の上に本発明の薄膜を形成
することによって得られる。
One application is liquid crystal alignment films, where patterned electrodes,
It is usually obtained by forming the thin film of the present invention on a transparent electrode such as ITO.

次の応用は′tyJ12.13の独立した二つの@極上
に本発明の薄膜を形成することにより湿度、ガスなどの
センサーとして使うことができる。
In the next application, by forming the thin film of the present invention on two independent layers of 'tyJ12.13, it can be used as a sensor for humidity, gas, etc.

以上本発明の薄膜を含んだ電気・電子デバイスについて
述べたが、他の応用例は前記に挙げた文献の中に特にP
、S、 Vincett、 G、G、 Roberts
の総説(Thin 5olid Filn+s u13
5〜171 (1980)に求めることができる。
Although the electrical/electronic devices containing the thin film of the present invention have been described above, other application examples can be found in the above-mentioned documents, especially P.
, S. Vincett, G.G. Roberts
Review of (Thin 5solid Filn+s u13
5-171 (1980).

その他の半導体デバイス、化合物半導体デバイスについ
てはE、S、 Yang+ Fundamentals
 of Sem1−conductor Device
s MaGraw−Hill、 1978+今井ら編著
、化合物半導体デバイス〔■〕 〔■〕工業調査会(1
984)の底置を参考にすることができる。
For other semiconductor devices and compound semiconductor devices, please contact E, S, Yang+ Fundamentals.
of Sem1-conductor Device
s MaGraw-Hill, 1978+edited by Imai et al., Compound Semiconductor Devices [■] [■] Kogyo Kenkyukai (1
984) can be used as a reference.

次に電気・電子デバイス以外のデバイスについて述べる
Next, we will discuss devices other than electrical and electronic devices.

色素を含む薄膜や、TeOxなど無機薄膜にビット形成
や相変化をさせることによりその変化を0.1で光学的
に読み出す記録方式の採用が進んでいる。
Recording methods are increasingly being adopted in which a thin film containing a dye or an inorganic thin film such as TeOx undergoes bit formation or phase change, and the change is optically read out at 0.1.

本発明の薄膜は光、熱特に通常光学記録に使われるレー
ザー光によって反応を起こし、薄膜の厚みの間化が生じ
ビットが形成されること、またこの反応によって薄膜の
屈折率も変化するので、これを利用した光学記録が可能
であることが示唆される。
The thin film of the present invention causes a reaction with light, heat, especially laser light commonly used in optical recording, and the thickness of the thin film becomes thinner and bits are formed.This reaction also changes the refractive index of the thin film. It is suggested that optical recording using this is possible.

本発明の薄膜は熱に対して反応性があることは、これま
での説明で明らかであるが、この反応性を利用して熱的
に閉環した部分としない部分をつくり、しない部分を溶
剤で除去することによつてパターン化することができる
。残った部分は、耐熱性、機械的強度、耐薬品性にすぐ
れているのでレジスト膜として使用することができる。
It is clear from the above explanation that the thin film of the present invention is reactive to heat. Taking advantage of this reactivity, we create thermally ring-closed parts and non-thermal ring-closed parts, and remove the non-thermal ring-closed parts with a solvent. It can be patterned by removing it. The remaining portion can be used as a resist film because it has excellent heat resistance, mechanical strength, and chemical resistance.

また本発明の実施態様の一つであるようにアルキル鎮部
分に二重結合や、三重結合を含むものを使うことによっ
て光に対しても反応性をもつようにすることが可能であ
る。
Furthermore, as in one embodiment of the present invention, it is possible to make the alkyl group reactive to light by using an alkyl moiety containing a double bond or a triple bond.

そのほか、ウニイブガイド用のクラツド材あるいは光学
回路成分としても応用が考えられる。
In addition, it can also be used as a cladding material for Unibu guides or as an optical circuit component.

レジストで述べた方法によってパターン化し、光学回路
を形成することもできる。本発明の薄膜の場合、厚みの
正確なコントロールと化合物を変えることによって屈折
率の調整ができる。このことは光学回路成分としての重
要な要件である。
An optical circuit can also be formed by patterning using the method described for resist. In the case of the thin film of the present invention, the refractive index can be adjusted by accurately controlling the thickness and changing the compound. This is an important requirement for optical circuit components.

あらゆる分野での保護用コーティング材料としても好適
であろうし、−a的にLB膜の分野で使われる機能性の
LB材料と脂肪酸の混合膜、積層膜の手法を、本発明の
混合物を脂肪酸のかわりに使うことによって種々の機能
性を発現でき、これを使った用途が考えられる0例えは
色素、酵素を含んだ膜を作成することによりて、光電変
換素子やバイオセンサーを作ることができる。
The mixture of the present invention may be suitable as a protective coating material in all fields. By using it instead, it can exhibit various functionalities, and it can be used to create photoelectric conversion elements and biosensors.

また、この薄膜を使った物質分離の分野での用途も考え
られる。
It is also conceivable that this thin film could be used in the field of substance separation.

最近−多孔質フィルム基板上に微細な孔をもつ薄膜を形
成して、それを物質分離に使用する試みがさかんになっ
ている。
Recently, there have been many attempts to form thin films with fine pores on porous film substrates and use them for material separation.

本発明の薄膜を特に公知のラングミュア膜材料の存在す
る条件でつくり、そのあと閉環反応を行うことによって
微細な孔をもつ薄膜が形成できる。
A thin film having fine pores can be formed by producing the thin film of the present invention under conditions in which a known Langmuir film material is present, and then carrying out a ring-closing reaction.

例えばポリイミド多孔質フィルム上にポリイミド前駆体
構造をもつ化合物をステアリルアルコールの過剰存在す
る条件で製膜し、そのあと300〜400℃でイミド化
することによって微細な孔をもつポリイミドN膜をポリ
イミド多孔質フィルム上に作ることができる。
For example, by forming a film of a compound having a polyimide precursor structure on a polyimide porous film in the presence of an excess of stearyl alcohol, and then imidizing it at 300 to 400°C, a polyimide N film with fine pores is formed into a polyimide porous film. Can be made on quality film.

次に本発明の両性高分子化合物の製法と製膜の方法を実
施例に基づき説明する。
Next, a method for producing an amphoteric polymer compound and a method for forming a film according to the present invention will be explained based on Examples.

実施例1 メカニカルスターラーおよび冷却管を装置した2 00
m124つロフラスコにp−フェニレンジアミン(97
%、15.6g、0.140モル)、ステアリルプロミ
ド(15,5g、 0.0466モル)および水酸化ナ
トリウム(粉末にしたもの、1.96g。
Example 1 200 equipped with mechanical stirrer and cooling pipe
p-phenylenediamine (97
%, 15.6 g, 0.140 mol), stearyl bromide (15.5 g, 0.0466 mol) and sodium hydroxide (pulverized, 1.96 g.

0、0466モル)を入れ、窒素ガス流通下、攪律しな
がら約3.5時間140〜150℃に加熱した。
0.0466 mol) and heated to 140 to 150° C. for about 3.5 hours while stirring under nitrogen gas flow.

反応溶液に水を約50−投入し、室温まで冷却、析出し
た。黒紫色の固体を口割し、水、エタノールの順で洗浄
する。さらに熱エタノール、続いて塩化メチレンで洗浄
することによって目的のN、 N’−ジステアリル−p
−フェニレンジアミンが桃色粉末として5.77g(収
率40%)得られた。この粉末をクロロホルムより再結
すると桃色板状結晶が得られた。この構造はII−NM
R(図14)およびIRスペクトル(図15)ならびに
融点測定、元素分析により決定した。
Approximately 50 g of water was added to the reaction solution, and the mixture was cooled to room temperature to precipitate. Cut the black-purple solid into pieces and wash with water and ethanol in that order. Further washing with hot ethanol followed by methylene chloride yields the desired N,N'-distearyl-p
- 5.77 g (yield: 40%) of phenylenediamine was obtained as a pink powder. When this powder was recrystallized from chloroform, pink plate-like crystals were obtained. This structure is II-NM
It was determined by R (FIG. 14) and IR spectra (FIG. 15), melting point measurements, and elemental analysis.

(4):  rll、p、  102〜103℃Ana
1.Ca1cd  for  (a)bNz :oun
d C,82,28:H,13,15、N、4.57C,8
1,93;H,13,22:N、4.63エユ1」」運
針1戊 1.23g(2ミリ与ル)のN、 N’−ジステアリル
−p−フェニレンジアミンを140−の乾燥へキサメチ
ルホスホルアミドに熔かし、約60℃で、0、406 
gのイソフタル酸クロリドの乾燥へキサメチルホスホル
アミド溶液を滴下し、さらに2時間反応させた0反応混
合物を再蒸留水中に注いで・析出した沈澱を分離した。
(4): rll, p, 102-103℃Ana
1. Ca1cd for (a)bNz :own
d C,82,28:H,13,15,N,4.57C,8
1,93; H, 13,22: N, 4.63 eu 1'' 1.23 g (2 milliliters) of N, N'-distearyl-p-phenylenediamine was dried in 140- Melted in hexamethylphosphoramide at about 60°C, 0.406
A dry hexamethylphosphoramide solution of isophthalic acid chloride (g) was added dropwise, and the reaction mixture was further reacted for 2 hours. The reaction mixture was poured into redistilled water to separate the precipitate.

水、エタノールで洗浄して灰青色粉末としてポリアミド
を得た。
After washing with water and ethanol, polyamide was obtained as a gray-blue powder.

IH−NlIR,I Rスペクトル、熱分析(T G 
A −DTA)を行ったところ下記の結果が得られた。
IH-NlIR, IR spectrum, thermal analysis (TG
A-DTA) was performed and the following results were obtained.

王二N?IR丘丘 CDae3中測定されたプロトンNMRチャートは図1
6のようであった。
WangjiN? Figure 1 shows the proton NMR chart measured in IR Odoka CDae3.
It was like 6.

δ−1,25ppm  74H(ZXQsJ量)δ= 
6〜8.25 ppm 8 H(aromatic)ユ
ニ1工畳−トと氷近 KBrディスク法でとられたIRチャートは図17のよ
うで、エステル、アミドI、I、アルキル鎮およびエー
テルの特徴的な吸収があられれた。
δ-1,25ppm 74H (ZXQsJ amount) δ=
The IR chart taken using the 6-8.25 ppm 8H (aromatic) unit and Hichika KBr disc method is shown in Figure 17, showing the characteristic properties of esters, amides I, I, alkyl groups, and ethers. I was able to absorb a lot.

窒素上にアルキル鎖があるため、アミド■吸収帯は見ら
れなかった。
Because of the presence of the alkyl chain on the nitrogen, no amide ■ absorption band was observed.

a ’  (TGA−DTA) 理学電機IRTG−DTA (H)タイプでフルスケー
ルTGA10q、DTA100#V、温度1000℃で
昇温10℃/min、窒素気流(30mffi/lll
1n )中で測定された結果が18図である。
a' (TGA-DTA) Rigaku IRTG-DTA (H) type, full scale TGA10q, DTA100#V, temperature 1000℃, temperature increase 10℃/min, nitrogen flow (30mffi/lll)
Figure 18 shows the results measured in 1n).

TGAには435,480,635,785℃に・変曲
点があり、435゛から480℃の間に92.6%の重
量減があり、ポリアミドが分解していると考えられ、D
TAにもこれに対応して吸熱ピークが現れている。
TGA has an inflection point at 435,480,635,785°C, and there is a weight loss of 92.6% between 435° and 480°C, and it is thought that the polyamide has decomposed.
Corresponding to this, an endothermic peak also appears in TA.

実施(ダ!2 ポリアミドのLB膜としての基本特性を評価するために
、常法に従い、表面圧−面積(π−A)曲線を描き、さ
らに垂直浸漬法(LB法)によりアルミ蒸着ガラス基板
に累積を試みた。
Implementation (Da! 2) In order to evaluate the basic characteristics of polyamide as an LB film, a surface pressure-area (π-A) curve was drawn according to the conventional method, and then it was applied to an aluminum-deposited glass substrate by the vertical dipping method (LB method). Tried to accumulate.

条件は次のとおりである。The conditions are as follows.

装 置  Joyce−Loeble )ラフ溶 媒 
 クロロホルム 濃  度    0.795xlO−3モル/1Sub
phase   再蒸留水(Cd4−は含まず)水温 
18〜19℃ ポリアミドのπ−A曲線を図19に示す0表面圧が45
dyne/cmまでは立ち上がりがゆるやかであり、液
体膜の領域であると考えられる。45dyne/口以上
では傾斜が急峻になり、固体膜になっていると考えられ
るが、64dyne/cmで膜が崩壊している0表面圧
がOにおける単位分子が占める面積(極限面積)は、約
47.5 A”/unitであった。
Apparatus Joyce-Loeble) rough solvent
Chloroform concentration 0.795xlO-3mol/1Sub
phase Double distilled water (does not contain Cd4-) water temperature
18-19℃ The π-A curve of polyamide is shown in Figure 19.0 surface pressure is 45
The rise is gradual up to dyne/cm, which is considered to be in the liquid film region. At 45 dyne/cm or higher, the slope becomes steeper and it is considered to be a solid film, but at 64 dyne/cm, the area occupied by a unit molecule at 0 surface pressure (0 surface pressure) where the film collapses (limit area) is approximately It was 47.5 A”/unit.

このポリアミドを水面上に展開しておき、表面圧を約2
9 dyne/ amに保ちながらアルミ蒸着ガラス板
上に、LB法で累積を試みた。基板の上昇時、下降時と
もに膜面積の減少が見られ、累積比は1で理想的なY型
膜が形成されていると考えられる。
This polyamide is spread on the water surface, and the surface pressure is approximately 2
Accumulation was attempted using the LB method on an aluminum vapor-deposited glass plate while maintaining the temperature at 9 dyne/am. A decrease in the film area was observed both when the substrate was raised and when it was lowered, and the cumulative ratio was 1, indicating that an ideal Y-type film was formed.

実施例3.4 1.23g(2ミリモル)のN、N’−ジステアリル−
p−フ二二レンジアミンをテトラヒドロフラン・水に溶
かし、室温で良好な攪欅下、ベンゼンに溶かした0、j
06gのイソフタル酸クロリドを滴下し、界面重縮合法
でポリアミドを合成した。塩化水素のトラップは炭酸ナ
トリウムで行った。
Example 3.4 1.23 g (2 mmol) of N,N'-distearyl-
0,j, which was dissolved in p-phenyl diamine in tetrahydrofuran/water and dissolved in benzene under good stirring at room temperature.
06 g of isophthalic acid chloride was added dropwise to synthesize polyamide by interfacial polycondensation method. Hydrogen chloride was trapped using sodium carbonate.

またイソフタル酸クロリドの代わりにテレフタル酸クロ
リドを用いて、次の構造をもつポリアミドを合成した。
In addition, a polyamide with the following structure was synthesized using terephthalic acid chloride instead of isophthalic acid chloride.

1)(−NMR,I Rスペクトル、熱分析(TGA−
DTA)をjテったところ、実施例1のポリアミドとほ
ぼ同じ結果が得られた。
1) (-NMR, IR spectrum, thermal analysis (TGA-
DTA), almost the same results as the polyamide of Example 1 were obtained.

実施例5.6 実施例3.4で合成されたポリアミドのLB膜としての
基本特性は実施例1めポリアミドと同じで、アルミ蒸着
基板上に垂直浸漬法によりY型で累積された。
Example 5.6 The basic properties of the polyamide synthesized in Example 3.4 as an LB film were the same as those of the polyamide in Example 1, and it was deposited in a Y-shape on an aluminum vapor-deposited substrate by a vertical dipping method.

実施例7 ビ゛ロメリット酸ジ無水物2.18 g (0,01モ
ル)とステアリルアルコール5.40 g (0,02
モル)とをフラスコ中乾燥窒素流通下、約100℃で3
時間反応させた。
Example 7 2.18 g (0.01 mol) of biromellitic dianhydride and 5.40 g (0.02 mol) of stearyl alcohol
mol) in a flask at about 100°C under a flow of dry nitrogen.
Allowed time to react.

得られた反応物をヘキサメチレンホスファミド40cc
に熔解して0〜5℃に冷却してチオニルクロライド2.
38 gを約5℃で滴下し、滴下後約5℃で1時間保持
し、反応を終了させた。
The obtained reaction product was added to 40 cc of hexamethylene phosphamide.
2. Melt and cool to 0-5°C to produce thionyl chloride.
38 g was added dropwise at about 5°C, and after the dropwise addition, the temperature was maintained at about 5°C for 1 hour to complete the reaction.

そののちジメチルアセトアミド50ccに熔解させたジ
アミノジフェニルエーテル2g(0,01モル)を0〜
5℃で滴下し、滴下後約1時間反応させた後、反応液を
エタノール600 cc中に注いで反応生成物を析出さ
せた。析出物を口過、40℃で真空乾燥して約6gの式
(82)の繰返し単位を持つ高分子化合物を得た。
After that, 2 g (0.01 mol) of diaminodiphenyl ether dissolved in 50 cc of dimethylacetamide was added to
The mixture was added dropwise at 5° C., and after reaction for about 1 hour, the reaction solution was poured into 600 cc of ethanol to precipitate a reaction product. The precipitate was passed through the mouth and dried under vacuum at 40° C. to obtain about 6 g of a polymer compound having a repeating unit of formula (82).

IRスペクトル分析、熱it分析(T G A −DT
A) 、GPCによる分子量測定を行ったところ下記の
結果が得られた。
IR spectrum analysis, thermal IT analysis (TGA-DT
A) When the molecular weight was measured by GPC, the following results were obtained.

IRスペク ル KBrディスク法でとられたIRチャートは第20図の
ようで、エステル、アミドI、■、■、アルキル鎖およ
びエーテルの特徴的な吸収が表れた。
IR Spectrum The IR chart taken with the KBr disk method is shown in Figure 20, and characteristic absorptions of ester, amide I, ■, ■, alkyl chain, and ether were displayed.

執    TGA−DTA) 理学電機層RTG−DTA、(H)タイプでフルスケ−
/L/TGA 10 w、 DTA 100 # v、
温度1000℃で昇温10℃/min、窒素気流(30
mffi/min )中で測定された結果が21図であ
る。
(TGA-DTA) Rigaku Denki layer RTG-DTA, full scale (H) type
/L/TGA 10 w, DTA 100 # v,
Temperature: 1000°C, heating rate: 10°C/min, nitrogen flow (30°C)
Figure 21 shows the results measured in mffi/min).

TGAには、207℃、262℃に顕著な変曲点が見ら
れる。明確な分解点はみられないが、400℃以゛上で
は分解が進行していると思われる。
TGA shows significant inflection points at 207°C and 262°C. Although there is no clear decomposition point, decomposition appears to progress at temperatures above 400°C.

他方22図は、300℃まで昇温し、300℃に1時間
保ったときのTGA−DTA曲線で、300℃1時間で
ほぼ重N減少がな(なり、42.8%の重量減が本実施
例の高分子化合物からステアリルアルコールがなくなっ
たときの重量減(計算値)43.1%とほぼ一致し、イ
ミド化が完了してポリアミドイミドが生成していると考
えられる。
On the other hand, Figure 22 shows the TGA-DTA curve when the temperature was raised to 300°C and kept at 300°C for 1 hour. This is almost the same as the weight loss (calculated value) of 43.1% when stearyl alcohol is removed from the polymer compound of Example, and it is considered that imidization is completed and polyamide-imide is produced.

また、これはこの処理をしたあとの生成物のIRスペク
トルからも示唆される(23図)。
This is also suggested by the IR spectrum of the product after this treatment (Figure 23).

GPCによる   肖 N、N−ジメチルアセトアミド・クロロホルム混合溶媒
で測定されたGPCの結果をボリスチレン標準サンプル
と比較することによって算出された数平均分子量は約2
0.000であった。
By GPC The number average molecular weight calculated by comparing the GPC results measured with a mixed solvent of N,N-dimethylacetamide and chloroform with a standard sample of boristyrene is approximately 2.
It was 0.000.

実施例8 ジアミノジフェニルエーテルの代わりにp−フ二二レン
ジアミンを使って実施例7と同様に合成して式(83)
の繰返し単位をもつ高分子化合物を得た。IRスペクト
ル、熱分析結果は図24.25のようであり、実施例7
と同様の特徴を示した。
Example 8 Formula (83) was synthesized in the same manner as in Example 7 using p-phenyl diamine instead of diaminodiphenyl ether.
A polymer compound with repeating units was obtained. The IR spectrum and thermal analysis results are as shown in Figure 24.25, and Example 7
showed similar characteristics.

実施例9 実施例7,8の生成物をそれぞれ2.389ミリユニツ
ト蒸留したクロロホルム/ジメチルアセトアミド−57
5(容量比)の混合液に熔解して25成のLB膜用展開
液を調製した。
Example 9 Chloroform/dimethylacetamide-57 distilled with 2.389 milliunits of each of the products of Examples 7 and 8.
A developing solution for LB film of 25 compositions was prepared by dissolving it in a mixed solution of 5 (volume ratio).

再蒸留水上、20℃で表面圧と繰返し単位当たりの面積
との関係を測定したところ、第26,27図に示す結果
が得られた。それぞれ75人/unit+50人/un
itぐらいから表面圧は急激に立ち上がり、良好な凝縮
膜を生成した。また極限面積はそれぞれ60 A2/u
nit、  38 A2/unitであり、崩壊圧も4
0dyne/am以上と高分子膜としては非常に高い値
を示した。
When the relationship between the surface pressure and the area per repeating unit was measured at 20° C. over double-distilled water, the results shown in FIGS. 26 and 27 were obtained. 75 people/unit+50 people/un each
The surface pressure rose rapidly from about 100 mt, and a good condensed film was formed. Also, the ultimate area is 60 A2/u for each
nit, 38 A2/unit, and the collapse pressure is also 4
It showed a very high value of 0 dyne/am or more for a polymer membrane.

次に水面上の膜の表面圧を25dyne/co+に保ワ
て、累積速度10w/minでLB法でガラス基板ある
いはCaFZ板上にそれぞれ25と247ii累積させ
た。 CaFz板上に得られた膜からのFT−I Rは
実施例7で得られた化合物のIRと一致した0面積一時
間曲線からY型膜であることも確認された。
Next, the surface pressure of the film on the water surface was maintained at 25 dyne/co+, and 25 and 247 ii of the films were accumulated on a glass substrate or a CaFZ plate, respectively, by the LB method at an accumulation rate of 10 w/min. It was also confirmed that the FT-IR from the film obtained on the CaFz plate was a Y-type film from the 0 area 1 hour curve that coincided with the IR of the compound obtained in Example 7.

なお、本実施例で用いた実施例7の製膜時に、Cd″な
どが含まれておらず、膜厚も薄いので、X線回折法によ
る分析ではピークは観測されなかった。
It should be noted that when the film of Example 7 used in this example was formed, no peak was observed in analysis by X-ray diffraction because Cd'' etc. were not included and the film thickness was thin.

実施例10 とロメリフト酸ジ無水物2.18 g (0,01モル
)とステアリルアルコール5.40 g (0,02モ
ル)とをフラスコ中、乾燥窒素気流下、約100℃で3
時間反応させた。
Example 10, 2.18 g (0.01 mol) of lomeliftic dianhydride, and 5.40 g (0.02 mol) of stearyl alcohol were mixed in a flask at about 100°C under a stream of dry nitrogen.
Allowed time to react.

得られた反応物をヘキサメチレンホスファミド40cc
に熔解して0〜5℃に冷却してチオニルクロライド2.
38 gを約5℃で滴下し、滴下後約5℃で“1時間保
持し、反応を終了させた。
The obtained reaction product was added to 40 cc of hexamethylene phosphamide.
2. Melt and cool to 0-5°C to produce thionyl chloride.
38 g was added dropwise at about 5°C, and after the dropwise addition, the temperature was maintained at about 5°C for 1 hour to complete the reaction.

そののちジメチルアセトアミド5 Q ccニt8!す
せたジアミノジフェニルエーテル2g(0,01モル)
を0〜5℃で滴下し、滴下後約1時間反応させたのち、
反応液を蒸留水600 cc中に注いで反応生成物を析
出させた。析出物を口過し、約40℃で減圧乾燥して約
9gの淡黄色粉末を得た。
Then dimethylacetamide 5 Q cc nit8! 2 g (0.01 mol) of soluted diaminodiphenyl ether
was added dropwise at 0 to 5°C, and after reacting for about 1 hour,
The reaction solution was poured into 600 cc of distilled water to precipitate the reaction product. The precipitate was passed through the mouth and dried under reduced pressure at about 40°C to obtain about 9 g of pale yellow powder.

得られた粉末についてIRスペクトル分析、熱分析(T
CA−DTA) 、GPCによる分子量測定を行った。
The obtained powder was subjected to IR spectrum analysis and thermal analysis (T
CA-DTA), the molecular weight was measured by GPC.

IRスペクトル分析 KBrディスク法で測定したIRスペクトラムを第28
図に示す、IRスペクトルにはエステル、アミドI吸収
帯、■吸収帯、■吸収帯、アルキル鎖およびエーテルの
特徴的な吸収があられれている。
IR spectrum analysis The IR spectrum measured by the KBr disk method was
The IR spectrum shown in the figure includes characteristic absorptions of ester, amide I absorption band, (2) absorption band, (2) absorption band, alkyl chain, and ether.

熱分析(TGA−DTA) 理学電機製RTG−DTA (H)タイプでフルスケー
ルでTGA 10 tg、 DTA 100 /JV、
温度1000℃で昇温10℃/min、  窒素気流(
30mg/min )中で測定した結果を第29図に示
す。
Thermal analysis (TGA-DTA) Full scale TGA 10 tg, DTA 100 /JV, RTG-DTA (H) type manufactured by Rigaku Denki,
Temperature 1000℃, temperature increase 10℃/min, nitrogen flow (
Figure 29 shows the results of the measurement at 30 mg/min).

TGAには271.318,396.592℃に変曲点
があり、DTAには657℃付近に特徴的なピークがあ
る。
TGA has inflection points at 271.318 and 396.592°C, and DTA has a characteristic peak around 657°C.

また第30図は得られた前駆体を400℃まで10℃/
lll1nで昇温し、400℃に1時間保ったのち室温
まで戻し、10℃/winで1000℃まで昇温した時
の結果を示す。
Figure 30 shows how the obtained precursor was heated at 10°C/10°C to 400°C.
The results are shown when the temperature was raised at 111n, kept at 400°C for 1 hour, returned to room temperature, and then raised to 1000°C at a rate of 10°C/win.

400℃に1時間保つことによってほぼ重量は恒量に達
し、イミド化反応が終結する。これを室温に戻して再び
昇温しても重量変化は450℃をすぎるまでなく、ポリ
イミドフィルムの示す熱分解温度と同じ584℃で熱分
解が始まることが明らかになり、イミド化の反応を終結
することによりポリイミドフィルムと同様の耐熱性のも
のが得られることがわかる。
By keeping it at 400°C for 1 hour, the weight almost reaches a constant weight and the imidization reaction is completed. Even when this was returned to room temperature and heated again, the weight did not change until it exceeded 450°C, and it became clear that thermal decomposition started at 584°C, which is the same as the thermal decomposition temperature of polyimide film, and the imidization reaction was terminated. It can be seen that by doing so, a film having the same heat resistance as a polyimide film can be obtained.

GPCによる分子量測定 N、N−ジメチルアセトアミド溶媒で測定されたGPC
の結果をポリスチレン標準サンプルと比較することによ
って算出された数平均分子量は約5o、oooであった
Molecular weight measurement by GPC GPC measured with N,N-dimethylacetamide solvent
The number average molecular weight calculated by comparing the results with polystyrene standard samples was about 5o, ooo.

実施例11 実施例10の生成物55.1■を蒸留したクロロホルム
/ジメチルアセトアミド−872(容量比)の混合液に
熔解して25r1の溶液としたLB膜用展開液をi裂し
た。
Example 11 A developing solution for LB membrane was prepared by dissolving 55.1 ml of the product of Example 10 in a mixture of distilled chloroform/dimethylacetamide-872 (volume ratio) to make a 25r1 solution.

得られた展開液を用いて再蒸留水上、20℃で表面圧π
と繰返し単位(uni t)あたりの面積との関係を測
定したところ、第31図に示す結果が得られた。75に
/unitぐらいから表面圧は急激にたちあがり、良好
な凝縮膜を形成した。極限面積は60 A”/unit
であり、崩壊圧力も55dyne/caと高分子膜とし
ては非常に高い値を示した。また表面圧を25 dyn
e/ amに保って膜を水面上に保持しても2時間にわ
たって面積の減少が認められず、安定な膜でありた。゛ 次に水面上の膜の表面圧を20℃で25dyne/口に
保って累積速度10 m/minでり、B法でガラス基
板あるいはCaFz板上に60層累積させた。
Using the obtained developing solution, place the surface pressure π on double distilled water at 20°C.
When the relationship between this and the area per repeating unit (unit) was measured, the results shown in FIG. 31 were obtained. The surface pressure rose rapidly from around 75/unit, forming a good condensed film. The ultimate area is 60 A”/unit
The collapse pressure was also 55 dyne/ca, which is a very high value for a polymer membrane. Also, the surface pressure is 25 dyn.
Even when the membrane was held on the water surface at a constant temperature of e/am, no decrease in area was observed over 2 hours, indicating that the membrane was stable. Next, the surface pressure of the film on the water surface was kept at 25 dyne/mouth at 20° C., and the cumulative speed was 10 m/min, and 60 layers were accumulated on a glass substrate or a CaFz plate by method B.

CaFt板上に形成された膜をFT−IR分析すると第
32図のようなスペクトラムが得られ、実施例10で得
られた化合物の累積膜であり、面積一時間曲線からY型
膜であることが確認された。なお本実施例で用いた水層
にはCd”イオンなどが含まれていないにもかかわらず
、累積膜90FtOX線回折法による分析ではピークが
20−4.65゜に1本だけ観測された。
When the film formed on the CaFt plate was analyzed by FT-IR, a spectrum as shown in Figure 32 was obtained, indicating that it was a cumulative film of the compound obtained in Example 10, and that it was a Y-type film from the area-hour curve. was confirmed. Although the aqueous layer used in this example does not contain Cd'' ions, etc., only one peak was observed at 20-4.65° in analysis by cumulative film 90FtOX ray diffraction.

れ、実施例1で得られた化合物の累積膜であり、面積一
時間曲線からY型膜であることが確認された。なお本実
施例で用いた水層にはCd”イオンなどが含まれていな
いにもかかわらず、累積膜90層のX線回折法による分
析ではピークが20−4゜65°に1本だけ観測された
This was a cumulative film of the compound obtained in Example 1, and it was confirmed from the area-hour curve that it was a Y-type film. Although the water layer used in this example does not contain Cd" ions, etc., only one peak was observed at 20-4° and 65° in the X-ray diffraction analysis of the 90 layers of the cumulative film. It was done.

ブラッグ回折条件 nλ−2dsin θで、n=3.
+  λ−1,5418人としたときのd(−Nの膜厚
)は28.5人と計算され、両性ポリイミド前駆体にお
いて長鎖アルキル基が垂直に立っているとしたときの値
とほぼ一致する。
Bragg diffraction conditions: nλ-2dsin θ, n=3.
+λ-1,5418 people, d (-N film thickness) is calculated to be 28.5 people, which is almost the same as the value when the long chain alkyl group stands vertically in the amphoteric polyimide precursor. Match.

さらに該累積膜を400℃で1時間加熱することによっ
て、α、β−不飽和5員環イミドが生成することがFT
−ATR−IR分析による1790011−”% 17
10aa−1のピークにより確認された。
Further, by heating the cumulative film at 400°C for 1 hour, α, β-unsaturated 5-membered ring imide is produced.
-1790011-”% 17 by ATR-IR analysis
It was confirmed by the peak of 10aa-1.

おな実施例10の生成物を400℃で1時間加熱すると
58%(重量%、以下同様)の減少がおこり、イミド化
することが赤外線吸収スペクトル分析などにより確認さ
れている°、前記の重量減少はイミド化によりステアリ
ルアルコールが消失する場合の計算値58.7%ともよ
く一致した。
Furthermore, when the product of Example 10 was heated at 400°C for 1 hour, it was confirmed that the weight decreased by 58% (weight %, the same applies hereinafter) and that it was imidized by infrared absorption spectrum analysis. The decrease was in good agreement with the calculated value of 58.7% when stearyl alcohol disappears by imidization.

比較例1 実施例10と同様にしてステアリルアルコールの代わり
にn−デシルアルコール(n−CmfhOH)を用いて
ポリイミド前駆体を合成した。
Comparative Example 1 A polyimide precursor was synthesized in the same manner as in Example 10 using n-decyl alcohol (n-CmfhOH) instead of stearyl alcohol.

このポリイミド前駆体はIRスペクトル分析、熱分析、
GPCによる分子量測定の結果、はぼ実施例10のポリ
イミド前駆体と同じ特徴を育するものであうたが、表面
圧面積曲線の測定結果は第33図に示すとおりであり、
液体膨張相のみで凝縮相の存在を示さなかった。従って
炭素数10のアルキル基を用いたものでは安全な凝縮相
を得るためには短すぎることが明らかとなった。
This polyimide precursor was analyzed by IR spectrum analysis, thermal analysis,
As a result of molecular weight measurement by GPC, it was found that the polyimide precursor had the same characteristics as the polyimide precursor of Example 10, but the measurement results of the surface pressure area curve were as shown in FIG.
It showed only a liquid expanding phase and no condensed phase. Therefore, it has become clear that the length using an alkyl group having 10 carbon atoms is too short to obtain a safe condensed phase.

実施例12〜14 実施例10と同様にしてステアリルアルコールのかわり
に、炭素数12.14.16のラウリルアルコール、ミ
リスチルアルコール、セチルアルコールを用いてポリイ
ミド前駆体を合成した(それぞれ実施例12〜14に相
当)・ 炭素数12.14のアルコールを用いた場合には炭素数
10と18との中間的な挙動を示したが、炭素数16の
アルコールを用いたものでは炭素数18の場合のものと
同様安定な凝縮膜を作ることが明らかになった。
Examples 12 to 14 Polyimide precursors were synthesized in the same manner as in Example 10 using lauryl alcohol, myristyl alcohol, and cetyl alcohol each having 12.14.16 carbon atoms instead of stearyl alcohol (Examples 12 to 14, respectively). When alcohol with 12.14 carbon atoms was used, the behavior was intermediate between that with 10 and 18 carbon atoms, but when alcohol with 16 carbon atoms was used, the behavior was similar to that with 18 carbon atoms. It has been revealed that a stable condensation film can be formed in the same manner as in

実施例15 とロメリフト酸ジ無水物10.91gとステアリルアル
コール27.05gを120℃で3時間反応させ、生成
物を200−エタノールで再結晶してM点133〜13
7℃のジステアリルピロメリテートを得た。
Example 15, 10.91 g of lomeliftic acid dianhydride, and 27.05 g of stearyl alcohol were reacted at 120°C for 3 hours, and the product was recrystallized with 200-ethanol to give an M point of 133 to 13.
Distearyl pyromellitate at 7°C was obtained.

このジステアリルピロメリテート3.79 gを6Q 
ccのへキサメチレンホスファミドに溶解して5℃に冷
却してチオニルクロライド1.19 gを約5℃で滴下
し、滴下後約1時間保持し、反応を終了させた、その後
ジメチルアセトアミド30ccに熔解させた1、2gの
ジアミノジフェニルエーテルを約10℃で滴下し、約2
0℃に反応温度をあげて2°時間反応させた後、400
 ccのエタノールに注いで反応生成物を析出させた。
3.79 g of this distearyl pyromellitate was added to 6Q
cc of hexamethylene phosphamide, cooled to 5°C, added dropwise 1.19 g of thionyl chloride at about 5°C, held for about 1 hour after dropping to complete the reaction, and then dissolved in 30 cc of dimethylacetamide. 1 to 2 g of diaminodiphenyl ether dissolved in water was added dropwise at about 10°C, and about 2
After raising the reaction temperature to 0°C and reacting for 2°C, 400
The reaction product was precipitated by pouring into cc of ethanol.

析出物を口過、40℃で乾燥して約3.4gの淡黄色粉
末を得た。
The precipitate was filtered through the mouth and dried at 40°C to obtain about 3.4 g of pale yellow powder.

IRスペクトル分析、熱分析(TGA−DTA)、GP
Cによる分子量測定を行ったところ下記の結果が得られ
た。
IR spectrum analysis, thermal analysis (TGA-DTA), GP
When the molecular weight was measured using C, the following results were obtained.

IRスペクトル分析 KBrディスク法でとられたIRチャートは図34のよ
うでエステル、アミドI、  n、 III、アルキル
鎖およびエーテルの特徴的な吸収があられれた。
IR spectrum analysis The IR chart taken using the KBr disc method is shown in Figure 34, and characteristic absorptions of ester, amide I, n, III, alkyl chain, and ether were observed.

熱分析(TQA−DTA) 理学電機側部RTG−DTA (H)タイプでフルス)
r−ルTGA 10 m;t、 DTA 1’OO、!
fV、温度1000℃で昇温10℃/5hin、  窒
素気流(30m/ll1in l中で測定された結果が
図35のとおりである。TGAには203,270,3
54,403.580℃に変曲点があるが、DTAには
特徴的なピークは存在しない。
Thermal analysis (TQA-DTA) Rigaku Denki side RTG-DTA (H type full)
r-le TGA 10 m;t, DTA 1'OO,!
Figure 35 shows the results measured at a temperature of 1000°C, a temperature increase of 10°C/5h, and a nitrogen flow (30m/1in1).TGA contains 203,270,3
Although there is an inflection point at 54,403.580°C, there is no characteristic peak in DTA.

GPCによる分子量測定 クロロホルム、  N、N−ジメチルアセトアミド(8
:2)混合溶媒゛で測定された数平均分子量はポリスチ
レン換算で約15,000であった。
Molecular weight measurement by GPC Chloroform, N,N-dimethylacetamide (8
:2) The number average molecular weight measured using the mixed solvent was approximately 15,000 in terms of polystyrene.

実施例16 実施例15の生成物55.1■を蒸留したクロロホルム
/ジメチルアセトアミド−18/2 (容量比)の混合
液に熔かして25威のLB膜用展開液を調製した。
Example 16 55.1 square centimeters of the product of Example 15 was dissolved in a mixture of distilled chloroform/dimethylacetamide-18/2 (volume ratio) to prepare a 25-volume developing solution for LB membrane.

実施例7 実施例1の生成物55.1■を蒸留したクロロホルム/
ジメチルアセトアミド−8/2 (容量比)の混合液に
溶かして25−のLB膜用展開液を調製した。
Example 7 Chloroform distilled from 55.1 μ of the product of Example 1/
A developing solution for LB membrane of 25-2 was prepared by dissolving it in a mixed solution of dimethylacetamide-8/2 (volume ratio).

再蒸留水上、20℃で表面圧と繰返し単位当たりの面積
との関係を測定したところ、第36図に示す結果が得ら
れたe 60 A”/unitぐらいから表面圧は急激
に立ち上がり、良好な凝縮膜を生成した。極限面積は約
55に/unitであり、崩壊圧は45dyne/am
であった。(図36−A)上記の溶液と同じモル濃度の
ステアリルアルコールの溶液を同じ容量まぜ合わせ、:
実施例1の生成物の繰返し単位の数とステアリルアルコ
ールの分子数の合計が図3.6=Aと等しくなるように
して表面圧面積曲線を評価したところBのような結果が
得られた。ステアリルアルコールの添加により曲線の立
ち上がりがさらに急になり、崩壊圧も約60dyne/
cmに上昇して、膜が安定化していることがわかる。
When we measured the relationship between the surface pressure and the area per repeating unit over double-distilled water at 20°C, we obtained the results shown in Figure 36.The surface pressure rises rapidly from about 60 A''/unit, indicating a good result. A condensed film was formed with an ultimate area of about 55 dyne/unit and a collapse pressure of 45 dyne/am.
Met. (Figure 36-A) Combine equal volumes of a solution of stearyl alcohol with the same molar concentration as the above solution:
When the surface pressure area curve was evaluated with the sum of the number of repeating units of the product of Example 1 and the number of stearyl alcohol molecules equal to Figure 3.6 = A, a result as shown in B was obtained. The addition of stearyl alcohol made the rise of the curve even steeper, and the collapse pressure was about 60 dyne/
cm, indicating that the film is stabilized.

アルミニウム蒸着したガラス基板およびシランカップリ
ング剤A−1100あるいはA−187を処理したガラ
ス基板上への累積は、ステアリルアルコールを添加する
しないにかかわらずY型であり、良好な累積膜が得られ
た。
The accumulation on the aluminum-deposited glass substrate and the glass substrate treated with the silane coupling agent A-1100 or A-187 was Y-type regardless of whether or not stearyl alcohol was added, and a good accumulated film was obtained. .

さらに実施例15の生成物とステアリルアルコールの1
:1 (モル比)の混合物をゲルマニウム基板上に累積
し、400℃、窒素気流下、1時間加熱すると、FT−
ATR−I R法によりステアリル基の消失と1790
.1710am−1の5員環イミドの出現が観測された
Furthermore, 1 of the product of Example 15 and stearyl alcohol
:1 (molar ratio) was accumulated on a germanium substrate and heated at 400°C under a nitrogen stream for 1 hour.
Disappearance of stearyl group and 1790 by ATR-IR method
.. The appearance of a 5-membered ring imide at 1710 am-1 was observed.

実施例1゛7 実施例15と同様に合成したジステアリルピロメリテー
)2.47gを乾燥へキサメチレンホスファミド12c
c中で0〜5℃に冷却してチオニルクロライド0.74
4 gをアシル化した。゛このアシル化物を続いて前も
ってレゾルシノール0.358gと苛性ソーダ0.26
 gから作成した水溶液に室温、乾燥しながら添加した
。生成した沈澱を分離、再沈精製して0.92gの白色
粉末を得た。IRスペクトル分析、熱分析、cpcによ
る分子量測定を行ったところ下記の結果が得られた。
Example 1゛7 2.47 g of distearylpyromellita synthesized in the same manner as in Example 15 was added to dried hexamethylene phosphamide 12c.
thionyl chloride by cooling to 0-5°C in c
4 g was acylated.゛This acylated product was then mixed with 0.358 g of resorcinol and 0.26 g of caustic soda in advance.
It was added to the aqueous solution prepared from g at room temperature while drying. The generated precipitate was separated and purified by reprecipitation to obtain 0.92 g of white powder. IR spectrum analysis, thermal analysis, and molecular weight measurement by CPC gave the following results.

IRスペクトル分析 実施例15と同様にとられたIRチャートは図37のよ
うでエステル、アルキル鎖の特徴的な吸収があられれた
IR spectrum analysis An IR chart taken in the same manner as in Example 15 is shown in FIG. 37, and characteristic absorptions of ester and alkyl chains were observed.

熱分析 実施例15と同様に測定された結果は図38のとおりで
ある。TGAには265,355,397℃に変曲点が
あり、265℃以上で急速な熱分解がはじまるが、20
0℃くらいまでは熱的に安定であると考えられる。一方
DTAには、160”Cにシャープな吸熱ピークとブロ
ードな熱分解によると見られる発熱ピークが観測された
The results measured in the same manner as in Thermal Analysis Example 15 are shown in FIG. TGA has an inflection point at 265, 355, 397°C, and rapid thermal decomposition begins above 265°C;
It is considered to be thermally stable up to about 0°C. On the other hand, for DTA, a sharp endothermic peak at 160''C and a broad exothermic peak that appears to be due to thermal decomposition were observed.

GPCによる分子量測定 実施例15と同様に測定された数平均分子量はポリスチ
レン換算で約7,000であった。
Molecular Weight Measurement by GPC The number average molecular weight measured in the same manner as in Example 15 was about 7,000 in terms of polystyrene.

実施例18 実施例17の生成物17.3■をクロロホルム/ジメチ
ルアセトアミド−19=1(容量比)の混合液に溶かし
て10−のLBFi用展開液を調製した。
Example 18 A developing solution for 10-LBFi was prepared by dissolving 17.3 .mu. of the product of Example 17 in a mixed solution of chloroform/dimethylacetamide-19=1 (volume ratio).

再蒸留水上、22℃で表面圧と繰返し単位あたりの面積
との関係を測定したところ図39のAのように膨張的で
約30dyne/cnで崩壊した0表面圧2 、Ody
ne/ C20,累積速度10 m/minで累積する
と基板をあげるときにだけ累積された。
The relationship between the surface pressure and the area per repeating unit was measured on double distilled water at 22°C, and as shown in A in Figure 39, it was expansive and collapsed at about 30 dyne/cn.
When ne/C20 was accumulated at a cumulative speed of 10 m/min, it was accumulated only when the substrate was lifted.

次に上記溶液とステアリルアルコールを実施例16のよ
うに混合して表面圧面積曲線を測定すると図39のBの
ように曲線の立ち上がりが急峻になった。また、ステア
リルアルコールとモル比で181に混合することによっ
てガラス基板上にY型膜が得られることが面積一時間曲
線から確認された。
Next, when the above solution and stearyl alcohol were mixed as in Example 16 and the surface pressure area curve was measured, the rise of the curve became steep as shown in B in FIG. Furthermore, it was confirmed from the area-hour curve that a Y-type film could be obtained on a glass substrate by mixing it with stearyl alcohol at a molar ratio of 181.

実施例19 200mi’4つロフラスコ中で、トリメリット酸モノ
ステアリルエステル(2,31g、  5.00ミリモ
ル)、HMPA (30m)および塩化チオニル(1,
19g、10.0ミリモル)とから酸クロリド溶液をt
IIiI製しておく、これに、約5℃、メカニカルスタ
ーラーで攪拌下、2.5−ジアミノベンズアミド(0,
756g、  5.00ミリモル)をン商下する。
Example 19 In a 200 mi' four-loaf flask, trimellitic acid monostearyl ester (2.31 g, 5.00 mmol), HMPA (30 m) and thionyl chloride (1.
19 g, 10.0 mmol) and t of acid chloride solution.
2,5-diaminobenzamide (0,
756 g, 5.00 mmol).

さらに1時間以上攪拌を続け、徐々に室温へ戻す。Continue stirring for an additional hour or more, and gradually return to room temperature.

赤茶色の反応溶液を500iのエタノール中へ、メカニ
カルスターラーで攪拌しながら投入すると白色沈澱が生
成する。これを日別し、水、エタノールの順で洗浄し、
減圧乾燥すると、淡黄色の固体としてポリアミドが得ら
れた(2.30g、収率80%)、構造はIH−NMR
およびIRスペクトル。
When the reddish-brown reaction solution is poured into 500i of ethanol while stirring with a mechanical stirrer, a white precipitate is formed. Separate this daily, wash it with water and ethanol in that order,
After drying under reduced pressure, polyamide was obtained as a pale yellow solid (2.30 g, yield 80%), the structure of which was determined by IH-NMR.
and IR spectrum.

より同定した。Identified it more.

体としてポリアミドが得られた(2.30g、収率80
%)、構造はIH−NMRおよびIRスペクトルより同
定した。
Polyamide was obtained as a body (2.30 g, yield 80
%), and the structure was identified from IH-NMR and IR spectra.

IH−NMRSI Rスペクトル分析、熱重量分析(T
C,A−DTA) 、GPCによる分子量測定を行った
ところ下記の結果が得られた。
IH-NMRSI R spectrum analysis, thermogravimetric analysis (T
C, A-DTA), the molecular weight was measured by GPC and the following results were obtained.

IH−IJMR DMF−dy +CDCJ!3溶媒でとられたプロトン
NMRスペクトルは次のようにアサインされた。
IH-IJMR DMF-dy +CDCJ! The proton NMR spectra taken with the three solvents were assigned as follows.

60.7 〜1.7   (m、  35HC0zCH
zC1) H3ff)δ4.25         (
t、  2HC0zCHzCI?Hsr)δ7.90〜
8.40 (m、 6H,Aromatic )CON
Hのプロトンは見られなかった。
60.7 ~1.7 (m, 35HC0zCH
zC1) H3ff) δ4.25 (
t, 2HC0zCHzCI? Hsr) δ7.90~
8.40 (m, 6H, Aromatic) CON
No H proton was observed.

131こシーロ肚た丘 KBrディスク法でとられたIRチャートは図40のよ
うで、エステル、アミド1.  Il、 II[、アル
キル鎖の特徴的な吸収があられれた。
131 The IR chart taken using the KBr disc method is shown in Figure 40, showing that ester, amide 1. Il, II[, characteristic absorptions of alkyl chains were observed.

軌    TGA−DTA) 理学電機製RTG−DTA (H)タイプでフルスケー
ルTGA10mg、DTA100μv、温度1000℃
で昇温10℃/min+窒素気流(302i/win 
)中で測定された結果が41図である・TGAには23
0,288,360..400゜460.507℃に変
曲点があり、525℃付近に特徴的な山がみられた。
Rigaku RTG-DTA (H) type, full scale TGA 10mg, DTA 100μv, temperature 1000℃
Temperature increase 10℃/min + nitrogen flow (302i/win
) The results measured in Figure 41 are ・TGA has 23
0,288,360. .. There was an inflection point at 400°460.507°C, and a characteristic peak was seen around 525°C.

他方、図42は450℃・まで10℃/minで昇温し
、450℃に1時間保ったときの結果である。
On the other hand, FIG. 42 shows the results when the temperature was raised to 450° C. at a rate of 10° C./min and maintained at 450° C. for 1 hour.

450℃において1時間加熱すると徐々に重量が減少す
るが400〜450℃ね度の耐熱性が期待される。
When heated at 450°C for 1 hour, the weight gradually decreases, but heat resistance of 400 to 450°C is expected.

このように本実施例の両性高分子化合物を閉環させ°た
のちの化合物のIRスペクトルにおいてイミド結合類似
の吸収がみられ、アルキル基は消失していることが確認
された。また450℃に1時間加熱後の重量減は48.
4%で、ステアリルアルコールと水が脱離して閉環構造
が生成することの理Mfa減i5’0.1%とよく一致
している。
As described above, after ring-closing the amphoteric polymer compound of this example, an absorption similar to an imide bond was observed in the IR spectrum of the compound, and it was confirmed that the alkyl group had disappeared. The weight loss after heating at 450°C for 1 hour was 48.
At 4%, stearyl alcohol and water are eliminated to form a closed ring structure, which is in good agreement with the Mfa reduction i5' of 0.1%.

GPCによる′−:I N、N−ジメチルアセトアミド・クロロホルム混合溶媒
で測定されたGPCより、数平均分子量はポリスチレン
換算で約16,000であった。
'-:IN by GPC The number average molecular weight was about 16,000 in terms of polystyrene, as determined by GPC using a mixed solvent of N,N-dimethylacetamide and chloroform.

本実施例の生成物を蒸留したクロロホルム/ジメチルア
セトアミド−515(容量比)の混合液に熔解し:c2
5r!LeのLB膜用展開液を調製した。
The product of this example was dissolved in a mixture of distilled chloroform/dimethylacetamide-515 (volume ratio): c2
5r! A developing solution for Le's LB membrane was prepared.

再蒸留水上、20℃で表面圧と繰返し単位あたりの面積
との関係を測定したところ、第43図に示す結果が得ら
れた* 50.p/unitぐらいから表面圧は急激に
立ち上がり、良好な凝縮膜を生成した・崩壊圧は30d
yne/cmであった。ステアリルアルコールを等モル
混合すると非常に良好な表面圧−面積曲線が得られた。
When the relationship between surface pressure and area per repeating unit was measured on double-distilled water at 20°C, the results shown in Figure 43 were obtained*50. The surface pressure rose rapidly from about p/unit, and a good condensation film was formed.The collapse pressure was 30 d.
It was yne/cm. When equimolar amounts of stearyl alcohol were mixed, a very good surface pressure-area curve was obtained.

(図44) 本★施例の両性高分子化合物を等モルのステアリルアル
コールと混合してアルミニウム蒸着ガラス基板に累積す
るとY型で累積されることが明らかになった。
(FIG. 44) It was revealed that when the amphoteric polymer compound of this Example was mixed with an equimolar amount of stearyl alcohol and accumulated on an aluminum-deposited glass substrate, it was accumulated in a Y-shape.

また得られた61層累積膜は厚さ約1800Aでキャパ
シタンス測定から良好な絶縁特性を有するものであった
Further, the obtained 61-layer cumulative film had a thickness of about 1800 Å and had good insulating properties from capacitance measurements.

さらに該累積膜を450℃で1時間加熱することによっ
て゛イミド結合類似の結合が生成することがFT−IR
分析による1790cm−”、1710am ’のピー
クにより確認された。
Further, by heating the cumulative film at 450°C for 1 hour, FT-IR shows that bonds similar to imide bonds are generated.
This was confirmed by analysis of peaks at 1790 cm-'' and 1710 am'.

実施例20 ピロメリット酸二無水物10.91gとステアリルアル
コール27.05gを120℃で3時間反応させ、生成
物を200−エタノールで再結晶して融点133〜13
7℃のとロメリット酸ジステアリルエステルを得た。
Example 20 10.91 g of pyromellitic dianhydride and 27.05 g of stearyl alcohol were reacted at 120°C for 3 hours, and the product was recrystallized with 200-ethanol to give a melting point of 133-13.
Lomellitic acid distearyl ester at 7°C was obtained.

2001ni4つロフラスコ中、室温下、ピロメリト酸
ジステアリルエステル(3,80g、 5.00ミリモ
ル)、塩化チオニル(1,19g、10.Qミリモル)
およびHMPA (50献)より調整した酸クロリド溶
液に約5℃において、メカニカルスターラーで攪拌下、
2.5−ジアミノヘンズアミド(0,765g、 5.
00ミリモル)のジメチルアセトアミド(30d)溶液
を滴下し、さらに1時間以上攪拌し、徐々に室温へ戻す
0反応溶液をキリセフ0−トで口過した後、口演を50
0−のエタノールに投入すると、淡黄色沈澱が生成する
。これを日別し、水、エタノールの順に洗浄したのち、
減圧乾燥するとポリアミドが黄色固体として(3゜55
g、収率81%)得られた。
Pyromellitic acid distearyl ester (3.80 g, 5.00 mmol), thionyl chloride (1.19 g, 10.Q mmol) at room temperature in a 2001ni four-bottle flask.
and HMPA (No. 50) in an acid chloride solution prepared from
2.5-Diaminohenzamide (0,765g, 5.
A dimethylacetamide (30d) solution of 00 mmol) was added dropwise, stirred for more than 1 hour, and gradually returned to room temperature.
When added to 0-ethanol, a pale yellow precipitate is formed. After washing it with water and ethanol in that order,
When dried under reduced pressure, the polyamide becomes a yellow solid (3°55
g, yield 81%) was obtained.

1M−NMR,IRスペクトル分析、熱M量分析(TG
A−GTA) 、PGCによる分子量測定を行ったとこ
ろ、下記の結果が得られた。
1M-NMR, IR spectrum analysis, thermal mass analysis (TG
A-GTA), the molecular weight was measured by PGC, and the following results were obtained.

H−NMR DMF−dr +CDC1g溶液でとられたプロトンN
MRスペクトルは図45のようであった。
H-NMR DMF-dr +Proton N taken with CDC1g solution
The MR spectrum was as shown in FIG.

TRスペ トル KBrディスク法でとられたIRチャートは図46のよ
うで、エステル、アミドI、n、m、アルキル鎖の特徴
的な吸収があられれた。
The IR chart taken using the TR spectrum KBr disk method is shown in Figure 46, and characteristic absorptions of ester, amide I, n, m, and alkyl chains were observed.

執’   TGA−DTA) 理学電機製RTC;−DTA (H)タイプでフルスケ
ールTGA10nw、DTA 1”O’0 μV、温度
1000℃で昇温10 ’C/win 、窒素気流(3
0rtdl / m i n’ )中で測定された結果
が47図である・TGAには238,292.3!55
,400・485.592℃に変曲点があり、DTAに
は特徴的な山がみられない。
-DTA (H) type full scale TGA 10nw, DTA 1"O'0 μV, temperature rise 10'C/win at 1000℃, nitrogen flow (3
Figure 47 shows the results measured in 0rtdl/min') - TGA has 238,292.3!55
There is an inflection point at , 400, 485, and 592 degrees Celsius, and no characteristic peaks are seen in DTA.

他方、図48は500℃まで10℃/+ninで昇温し
、500℃に1時間保ったときの結果である。
On the other hand, FIG. 48 shows the results when the temperature was raised to 500°C at a rate of 10°C/+nin and maintained at 500°C for 1 hour.

soo’cにおいて1時間加熱してもほとんど重量減は
な(熱的に安定で500℃以上の耐熱性が期待される。
Even if heated for 1 hour in soo'c, there is almost no weight loss (thermally stable and heat resistance of 500°C or higher is expected).

このように本実施例の両性高分子化合物を閉環させたの
ちの化合物のIRスペクトルが図49のとおりで透過性
がよくないがイミド結合類似の吸収がみられる。また5
00℃に12時間加熱後の重量減は64.7%で、ステ
アリルアルコールと水が脱離してポリイミドイソインド
ロキナゾリンジオンが生成する。ときの理論減量64.
1%とよ(一致している。
The IR spectrum of the amphoteric polymer compound of this example after ring closure is as shown in FIG. 49, and although the transmittance is not good, absorption similar to imide bonds is observed. Also 5
The weight loss after heating at 00° C. for 12 hours was 64.7%, and stearyl alcohol and water were eliminated to form polyimide isoindoquinazolinedione. Theoretical weight loss 64.
It's 1% (it's consistent).

cpcに     :I N、N−ジメチルアセトアミド・クロロホルム混合溶媒
で測定されたGPCより、数平均分子量はポリスチレン
換算で約42.000であった。
cpc: I According to GPC measured using a mixed solvent of N,N-dimethylacetamide and chloroform, the number average molecular weight was about 42.000 in terms of polystyrene.

本実施例の生成物55.1 trgを蒸留したクロロホ
ルム/ジメチルアセトアミド−872(容量比)の混合
液に溶解して25r1のLB膜用展開液を調製した。
The product 55.1 trg of this example was dissolved in a mixed solution of distilled chloroform/dimethylacetamide-872 (volume ratio) to prepare a 25r1 LB membrane developing solution.

再蒸留水上・20℃で表面圧と繰返し単位あたりの面積
との関係を測定したところ、第50図に示す結果が得ら
れた。90に/unitぐらいから表面圧は急激に立ち
上がり、良好な凝縮膜を生成した。
When the relationship between surface pressure and area per repeating unit was measured at 20° C. over double-distilled water, the results shown in FIG. 50 were obtained. The surface pressure rose rapidly from about 90 mm/unit, and a good condensed film was formed.

極限面積は75 A”/unitで、崩壊圧は30dy
ne/口であった。
The ultimate area is 75 A”/unit and the collapse pressure is 30 dy.
It was ne/mouth.

ステアリルアルコールを等モル混合すると非常に良好な
表面圧−面積曲線が得られた(図51)。
When equimolar amounts of stearyl alcohol were mixed, a very good surface pressure-area curve was obtained (FIG. 51).

本実施例の両性高分子化合物を等モルのステアリルアル
コールと混合してアルミニウム蒸着ガラス基板に累積す
るとY型で累積されることが明らかになった。
It was found that when the amphoteric polymer compound of this example was mixed with equimolar stearyl alcohol and accumulated on an aluminum-deposited glass substrate, it was accumulated in a Y-shape.

また得られた61Jii累積膜は厚さ約1800Aでキ
ャパシタンス測定から良好な絶縁特性を有するものであ
った。
Further, the obtained 61Jii cumulative film had a thickness of about 1800 Å and had good insulation properties as determined by capacitance measurement.

さらに該累積膜を500℃で1時間加熱することによっ
てイミド結合類似の結合が生成することがFT−IR分
析による1790aa−1〜17103−1のピークに
より確認された。
Furthermore, it was confirmed by the peaks of 1790aa-1 to 17103-1 by FT-IR analysis that bonds similar to imide bonds were generated by heating the cumulative film at 500° C. for 1 hour.

実施例21 とロメリフト酸二無水m10.91gとステアリルアル
コール27.05 gを120℃で3時間反応させ、生
成物を200−エタノールで再結晶して融点133〜1
37℃のピロメリット酸ジステアリルエステルを得た。
Example 21, 10.91 g of Lomeliftic dianhydride, and 27.05 g of stearyl alcohol were reacted at 120°C for 3 hours, and the product was recrystallized with 200-ethanol to give a melting point of 133-1.
Pyromellitic acid distearyl ester at 37°C was obtained.

200d4つロフラスコにピロメリト酸ジステアリルエ
ステル(2,84g、3.74ミIjモル)を秤取し、
ヘキサメチルホスホリックトリアミド(HMPA、30
d)に溶解さ、せる、窒素流通下、メカニカルスターラ
ーで攪拌しながら5℃で塩化チオニル(0,87g、 
7.48ミリモル)をン市下し、さらに1時間攪拌を続
けると淡黄色ペースト状の酸クロリドが得られる。これ
に塩化メチレン(塩化カルシウムで乾燥させたもの)を
30〜40d加え、均一溶液にする。別に206−4つ
ロフラスコにテトラアミノベンジジン(0,800g、
 3゜74ミリモル)をジメチルアセトアミド(30d
)に溶解させておき、約5℃、窒素ガス流通下、メカニ
カルスターラーで攪拌しながら、先はどの酸クロリド溶
液を約30分かけて滴下する。さらに3時間攪拌を続は
徐々に室温に戻す0反応完結後、反応混合物を500m
のエタノールにメカニカルスターラーで攪拌しながら投
入すると、淡黄色の沈澱が析出する。これをキリャマロ
ートで四則し、水、エタノールで洗浄した後、減圧乾燥
すると、両性高分子化合物が0.91g(収率26%)
得られた。
Weighed pyromellitic acid distearyl ester (2.84 g, 3.74 mmol) into a 200 d four-bottle flask,
Hexamethylphosphoric triamide (HMPA, 30
Thionyl chloride (0.87 g,
After discharging 7.48 mmol) and continuing stirring for an additional hour, acid chloride in the form of a pale yellow paste was obtained. Add 30 to 40 d of methylene chloride (dried with calcium chloride) to this to make a homogeneous solution. Separately, put tetraaminobenzidine (0,800 g,
3°74 mmol) in dimethylacetamide (30d
), and the acid chloride solution is added dropwise over about 30 minutes at about 5° C. under nitrogen gas flow and stirring with a mechanical stirrer. After stirring for an additional 3 hours, the temperature was gradually returned to room temperature. After the reaction was complete, the reaction mixture was heated to 500 m
When added to ethanol with stirring using a mechanical stirrer, a pale yellow precipitate precipitates out. This was mixed with a Kiryama rotor, washed with water and ethanol, and then dried under reduced pressure to obtain 0.91 g of an amphoteric polymer compound (yield 26%).
Obtained.

IH−NMR,rRスペクトル分析、熱重量分Fr(T
GA−GTA) 、GPCによる分子量測定を行ったと
ころ、下記の結果が得られた。
IH-NMR, rR spectrum analysis, thermogravimetric fraction Fr (T
GA-GTA), the molecular weight was measured by GPC, and the following results were obtained.

IH−NMR DMF−dr +’CDCl3熔液でとられたプロトン
NMRスペクトルは次のようにアサインされた。
IH-NMR The proton NMR spectrum taken with the DMF-dr + 'CDCl3 solution was assigned as follows.

δ1−20    (ffis 70HC02CH2C
I7 Lyり)64.25         (t、 
 4HC0zCHzC1りHm>67.95〜8.25
 (m、 8H,Aromatic )CONHのプロ
トンは見られなかった。
δ1-20 (ffis 70HC02CH2C
I7 Lyri) 64.25 (t,
4HC0zCHzC1Hm>67.95~8.25
(m, 8H, Aromatic) CONH protons were not observed.

IRスペ  ル KBrディスク法でとられたIRチャートは図52のよ
うで、エステル、アミドI、  Il、 III、アル
キル鎖の特徴的な吸収があられれた。
The IR chart taken with the IR spell KBr disc method is shown in Figure 52, and characteristic absorptions of ester, amide I, Il, III, and alkyl chain were observed.

a    TGA−DTA) 理学電機裂RTG−DTA (Hjタイプでフルスケー
ルTGA10mg、DTAloo、IJV、温度100
0℃で昇温10℃/1nin+窒素気流(30m12/
+jn)中モ測定された結果が53図である。
a TGA-DTA) Rigaku Denki Rifu RTG-DTA (Hj type, full scale TGA 10mg, DTAloo, IJV, temperature 100
Temperature increase at 0℃ 10℃/1nin + nitrogen flow (30m12/
+jn) Figure 53 shows the measured results.

TGAには200,275,330,385゜605℃
に変曲点があり、DTAには特徴的な山がみられなかっ
た。
200,275,330,385゜605℃ for TGA
There was an inflection point in the area, and no characteristic peaks were observed in the DTA.

他方、図54は400℃まで10℃/minで昇温し、
450℃に1時間保ったときの結果である。
On the other hand, in FIG. 54, the temperature is increased to 400°C at a rate of 10°C/min,
These are the results when the temperature was kept at 450°C for 1 hour.

400℃において1時間加熱するとほぼ恒量に達した・
400〜450℃程度の耐熱性が期待される。
After heating at 400℃ for 1 hour, it reached almost constant weight.
Heat resistance of about 400 to 450°C is expected.

このように本実施例の両性高分子化合物を閉環させたの
ちの化合物のIRスペクトルにおいてイミド結合類似の
吸収がみられ、アルキル基は消失していることが確認さ
れた。また400℃に1時間加熱後の重量減は65.0
%で、ステアリルアルコールと水が脱離して閉環構造が
生成するときの理論減量61.7%とほぼ一致している
As described above, an absorption similar to an imide bond was observed in the IR spectrum of the amphoteric polymer compound of this example after ring closure, and it was confirmed that the alkyl group had disappeared. Also, the weight loss after heating at 400℃ for 1 hour was 65.0
%, which is almost in agreement with the theoretical weight loss of 61.7% when stearyl alcohol and water are eliminated to form a closed ring structure.

GPCによる   “j N、N−ジメチルアセトアミド・クロロホルム混合溶媒
で測定されたGPCより、数平均分子量はポリスチレン
換鼻で約28.000であった。
According to GPC measurement using a mixed solvent of N,N-dimethylacetamide and chloroform, the number average molecular weight was approximately 28,000 using a polystyrene substituted nose.

本実施例の生成物を蒸留したクロロホルム/ジメチルア
セトアミド−8/2 (容量比)の混合液に溶解して2
5成のLB膜用展開液を調製した。
The product of this example was dissolved in a mixture of distilled chloroform/dimethylacetamide-8/2 (volume ratio).
A five-component developing solution for LB membrane was prepared.

再蒸留水上、20℃七表面圧と繰返し単位あたりの面積
との関係を測定したところ、第55図に示す結果が得ら
れた* 、75 A2/ unitぐらいから表面圧は
急激に立ち上がり、良好な凝縮膜を生成した。
When the relationship between the surface pressure and the area per repeating unit was measured on double-distilled water at 20°C, the results shown in Figure 55 were obtained.* From about 75 A2/unit, the surface pressure rises rapidly and a good result is obtained. A condensed film was formed.

極限面積は63 i”/unitで、崩壊圧は35dy
ne/口であった。
The ultimate area is 63 i”/unit and the collapse pressure is 35 dy.
It was ne/mouth.

ステアリルアルコールを等モル混合すると非常に良好な
表面圧−面積曲線が得られた(図56)。
When equimolar amounts of stearyl alcohol were mixed, a very good surface pressure-area curve was obtained (FIG. 56).

本実施例の両性高分子化合物を等モルのステアリルアル
コールと混合してアルミニウム蒸着ガラス基板に累積す
るとY型で累積されることが明らかになった。
It was found that when the amphoteric polymer compound of this example was mixed with equimolar stearyl alcohol and accumulated on an aluminum-deposited glass substrate, it was accumulated in a Y-shape.

また得られた61rt1累積膜は厚さ約1800人でキ
ャパシタンス測定から良好な絶縁特性を有するものであ
った。
The obtained 61rt1 cumulative film had a thickness of about 1,800 mm and had good insulation properties from capacitance measurements.

さらに該累積膜を400℃で1時間加熱することによっ
てイミ・ド結合類似の結合が生成することがFT−IR
分析による1790ローエ、1710cmt ’のピー
クにより確認された。
Furthermore, FT-IR shows that bonds similar to imide bonds are generated by heating the cumulative film at 400°C for 1 hour.
This was confirmed by analysis of peaks at 1790 lohe and 1710 cmt'.

主!生肱及 本発明によると本来LB法により製膜が困難である高分
子化合物を修飾することに・より、同法で薄膜を形成す
ることができるようになり、必要なら部分的あ・るいは
完全に環化させることにより、耐熱性の極めて良好で耐
薬品性、機械的特性のよいピンホールの少ない一般的に
は作成がi!シイI’!み、すなわち、10.000Å
以下、望むなら10〜1000人の超薄膜を得ることが
できる。
main! According to the present invention, by modifying a polymer compound that is originally difficult to form into a film using the LB method, it becomes possible to form a thin film using the same method, and if necessary, partial or By completely cyclizing, it is generally possible to create i! which has extremely good heat resistance, chemical resistance, good mechanical properties, and few pinholes. I'! i.e. 10.000 Å
Below, if desired, an ultra-thin film of 10 to 1000 people can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図〜第7図は代表的なMIS構造デバイスの模式図
であり、第8図〜第10図はMTM構造、第11図〜第
13図は1M構造のそれである。 第14.15図はそれぞれN、N’−ジステアリル−p
−フェニレンジアミンのIH−NMRスペクトルと、I
Rスペクトルである。 第16.17図はそれぞれ実施例1で合成されたポリア
ミドのIH−NMRスペクトルとIRスペクトルである
。 第18図は実施例1で合成されたポリアミドの熱分析(
TGA−DTA)の結果であり、第19図は実施例1の
ポリアミドの表面圧−面積曲線である。 第20.24図はそれぞれ実施例7.8で合成された赤
外吸収スペクトルであり、第21.25図は熱重量分析
(TGA−DTA)の結果である。 第22図は300℃まで10℃/winで昇温し、30
0℃に1時間おいたときの@重量分析結果で、第23図
は300℃で1時間処理したあとの赤外吸収スペクトル
である。 また、第26.27図は、それぞれ実施例7゜8で合成
された高分子化合物の表面圧・面積曲線である。 第28図は実施例10で得られた前駆体のIRスペクト
ラム、第29図は実施例10で得られた前駆体の熱重量
分析(TGA−DTA)結果を示すグラフ、第30図は
実施例10で得られた前駆体を室温から400℃まで昇
温し、そこに1時間保って室温まで下げ、さらに100
0℃まで昇温したときの熱重量分析(TGA−DTA)
結果を示すグラフ、第31図は実施例10で得られた前
駆体を実施例11にしたがって水面上に展開した場合の
表面圧と繰返し単位当たりの面積との関係を測定した結
果を示すグラフ、第32図は前記水面上に展開した膜を
CaFz板上へLB法で累積したもののFT−I Rの
測定結果を示すスペクトラム、第33図は比較例1で得
られた前駆体の表面圧と繰返し単位当たりの面積との関
係を測定した結果を示すグラフである。 第34図は実施例15で得られた前駆体の赤外吸収スペ
クトル、第35図は熱分析の結果である。 第36図は実施例15で得られた前駆体とそれをステア
リルアルコールとモル比で1:lに混合した場合の表面
圧−面積曲線である。 第37図は実施例17で得られた高分子化合物のIRス
ペクトラム、第38図はその熱分析(TGA−DTA)
の結果を示すグラフ、第39図は実施例17で得られた
高分子化合物を実施例18にしたがって水面上に展開し
た場合の表面圧と繰返し単位当たりの面積との関係を測
定した結果を示すグラフである。 第40図は実施例19で得られた両性高分子化合物の赤
外吸収スペクトル、第41図は熱重量分析の結果である
。第42図は室温から450℃まで昇温し、そこに1時
間保ったときの重量変化(TGA) 、熱変化(DTA
)である。 第43図は実施例19で得られた両性高分子化合物を水
面上に展開した場合の表面圧と繰返し単位あたりの面積
との関係であり、第44図は等モルのステアリルアルコ
ールを混合したときの表面圧−面積曲線である。 第45.46図は実施例20で得られた両性高分子化合
物のIH−NMRおよび赤外吸収スペクトル、第47図
は熱重量分析の結果である。第48図は室温から500
℃まで昇温し、そこに1時間保ったときの重量変化(T
GA) 、熱変化(DTA)である。 第49図は500℃、1時間加熱閉環した生成物の赤外
吸収スペクトル、第50図は実施例20で得られた両性
高分子化合物を水面上に展開した場合の表面圧と繰返し
単位あたりの面積との関係であり、第51図は等モルの
ステアリルアルコールを混合したときの表面圧−面積曲
線である。 第52図は実施例21で得られた両性高分子化合物の赤
外吸収スペクトル、第53図は熱重量分析の結果である
。第54図は室温から400℃まで昇温し、そこに1時
間保ったときの重N変化(TGA) 、熱変化(DTA
)である。 第55図は実施例21で得られた両性高分子化合物を水
面上に展開した場合の表面圧と繰返し単位あたりの面積
との関係であり、第56図は等モルのステアリルアルコ
ールを混合したときの表面圧−面積曲線である。 第1図        第2図 第7図 第9図 第10図         第11図 第29図 第81図 L fi  (A /unit) 面積 (A’ンunit) 第36図 fo flu 、(A’”/L+nit)第55図 第56図
1 to 7 are schematic diagrams of typical MIS structure devices, FIGS. 8 to 10 are MTM structures, and FIGS. 11 to 13 are 1M structures. Figure 14.15 shows N, N'-distearyl-p, respectively.
- IH-NMR spectrum of phenylenediamine and I
This is the R spectrum. Figures 16 and 17 are the IH-NMR spectrum and IR spectrum of the polyamide synthesized in Example 1, respectively. Figure 18 shows thermal analysis of the polyamide synthesized in Example 1 (
FIG. 19 is a surface pressure-area curve of the polyamide of Example 1. Figures 20 and 24 are infrared absorption spectra synthesized in Example 7.8, and Figures 21 and 25 are the results of thermogravimetric analysis (TGA-DTA). Figure 22 shows that the temperature was raised at 10°C/win up to 300°C, and 30°C
The gravimetric analysis results were obtained when the sample was left at 0°C for 1 hour, and Figure 23 shows the infrared absorption spectrum after being treated at 300°C for 1 hour. 26 and 27 are surface pressure/area curves of the polymer compounds synthesized in Examples 7 and 8, respectively. Figure 28 is the IR spectrum of the precursor obtained in Example 10, Figure 29 is a graph showing the thermogravimetric analysis (TGA-DTA) results of the precursor obtained in Example 10, and Figure 30 is the example The precursor obtained in step 10 was heated from room temperature to 400°C, kept there for 1 hour, cooled to room temperature, and further heated to 400°C.
Thermogravimetric analysis (TGA-DTA) when the temperature is raised to 0℃
A graph showing the results, FIG. 31 is a graph showing the results of measuring the relationship between surface pressure and area per repeating unit when the precursor obtained in Example 10 was spread on the water surface according to Example 11, Figure 32 shows the spectrum showing the FT-IR measurement results of the film developed on the water surface and accumulated on the CaFz plate by the LB method, and Figure 33 shows the surface pressure and surface pressure of the precursor obtained in Comparative Example 1. It is a graph showing the results of measuring the relationship with the area per repeating unit. FIG. 34 shows the infrared absorption spectrum of the precursor obtained in Example 15, and FIG. 35 shows the results of thermal analysis. FIG. 36 is a surface pressure-area curve when the precursor obtained in Example 15 is mixed with stearyl alcohol at a molar ratio of 1:1. Figure 37 is the IR spectrum of the polymer compound obtained in Example 17, and Figure 38 is its thermal analysis (TGA-DTA).
Figure 39 shows the results of measuring the relationship between surface pressure and area per repeating unit when the polymer compound obtained in Example 17 was spread on the water surface according to Example 18. It is a graph. FIG. 40 shows the infrared absorption spectrum of the amphoteric polymer compound obtained in Example 19, and FIG. 41 shows the results of thermogravimetric analysis. Figure 42 shows the weight change (TGA) and thermal change (DTA) when the temperature was raised from room temperature to 450℃ and kept there for 1 hour.
). Figure 43 shows the relationship between the surface pressure and the area per repeating unit when the amphoteric polymer compound obtained in Example 19 is spread on the water surface, and Figure 44 shows the relationship between the area per repeating unit when the amphoteric polymer compound obtained in Example 19 is mixed with equimolar stearyl alcohol. is the surface pressure-area curve of . Figures 45 and 46 show the IH-NMR and infrared absorption spectra of the amphoteric polymer compound obtained in Example 20, and Figure 47 shows the results of thermogravimetric analysis. Figure 48 shows 500 degrees from room temperature.
Change in weight when heated to ℃ and kept there for 1 hour (T
GA), thermal change (DTA). Figure 49 shows the infrared absorption spectrum of the product ring-closed by heating at 500°C for 1 hour, and Figure 50 shows the surface pressure and per repeating unit when the amphoteric polymer compound obtained in Example 20 is spread on the water surface. Fig. 51 shows a surface pressure-area curve when equimolar amounts of stearyl alcohol are mixed. FIG. 52 shows the infrared absorption spectrum of the amphoteric polymer compound obtained in Example 21, and FIG. 53 shows the results of thermogravimetric analysis. Figure 54 shows the heavy N change (TGA) and thermal change (DTA) when the temperature was raised from room temperature to 400°C and kept there for 1 hour.
). Figure 55 shows the relationship between the surface pressure and the area per repeating unit when the amphoteric polymer compound obtained in Example 21 is spread on the water surface, and Figure 56 shows the relationship between the area per repeating unit when the amphoteric polymer compound obtained in Example 21 is mixed with equimolar stearyl alcohol. is the surface pressure-area curve of . Figure 1 Figure 2 Figure 7 Figure 9 Figure 10 Figure 11 Figure 29 Figure 81 L fi (A /unit) Area (A' unit) Figure 36 fo flu , (A'''/L+nit )Figure 55Figure 56

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)少なくとも2Bの炭素原子を有する少なくとも2
価の第1の有機基R_1と、少なくとも2個の炭素原子
を有する少なくとも2価の第2の有機基R_2とが2価
の結合基によって交互に連結されている線状の繰返し単
位を有し、かつ該繰返し単位へ共有結合した、置換基を
含むこともある炭素数10〜30の炭化水素含有基R_
3を少なくとも1つ含んでいる両性高分子化合物。
(1) At least 2 having at least 2B carbon atoms
A linear repeating unit in which a valent first organic group R_1 and at least a divalent second organic group R_2 having at least two carbon atoms are alternately connected by a divalent bonding group. , and a hydrocarbon-containing group R_ having 10 to 30 carbon atoms, which may contain a substituent and covalently bonded to the repeating unit.
An amphoteric polymer compound containing at least one of 3.
(2)繰返し単位当たり炭化水素含有基R_3を2つ含
んでいる第1項記載の両性高分子化合物。
(2) The amphoteric polymer compound according to item 1, which contains two hydrocarbon-containing groups R_3 per repeating unit.
(3)炭化水素含有基R_3が16〜22個の炭素原子
を含んでいる第1項または第2項記載の両性高分子化合
物。
(3) The amphoteric polymer compound according to item 1 or 2, wherein the hydrocarbon-containing group R_3 contains 16 to 22 carbon atoms.
(4)第1および第2の有機基R_1およびR_2の一
方または両方が少なくとも6個の炭素を有するベンゼノ
イド構造の基である第1項または第2項または第3項記
載の両性高分子化合物。
(4) The amphoteric polymer compound according to item 1, item 2, or item 3, wherein one or both of the first and second organic groups R_1 and R_2 is a group having a benzenoid structure having at least 6 carbons.
(5)炭化水素含有基R_3が、脂肪族基、環状脂肪族
と脂肪族の結合した基、芳香族と脂肪族の結合した基、
またはそれらの置換体から選ばれた基である第1項ない
し第4項のいずれかに記載の両性高分子化合物。
(5) The hydrocarbon-containing group R_3 is an aliphatic group, a group in which a cycloaliphatic and an aliphatic are bonded, a group in which an aromatic and an aliphatic are bonded,
or a substituent thereof, the amphoteric polymer compound according to any one of items 1 to 4.
(6)繰返し単位がヘテロ原子を含む5員環または6員
環を生成する前駆体構造を備えている第1項ないし第5
項のいずれかに記載の両性高分子化合物。
(6) Items 1 to 5, in which the repeating unit has a precursor structure that produces a 5-membered ring or a 6-membered ring containing a heteroatom.
The amphoteric polymer compound according to any one of paragraphs.
(7)第1の有機基R_1を含むモノマーと、第2の有
機基R_2を含むモノマーとを、 (A−R_1−A)+(B−R_2−B) (A−R_1−B)+(B−R_2−B) (B−R_1−B)+(B−R_2−A) ▲数式、化学式、表等があります▼+(B−R_2−B
) ▲数式、化学式、表等があります▼+B−R_2−B ▲数式、化学式、表等があります▼+A−R_2−B ▲数式、化学式、表等があります▼+A−R_2−B ▲数式、化学式、表等があります▼+A−R_2−A ▲数式、化学式、表等があります▼+A−R_2−A ▲数式、化学式、表等があります▼+B−R_2−B ▲数式、化学式、表等があります▼+B−R_2−B ▲数式、化学式、表等があります▼+B−R_2−B ▲数式、化学式、表等があります▼+A−R_2−B ▲数式、化学式、表等があります▼+A−R_2−B ▲数式、化学式、表等があります▼+A−R_2−B ▲数式、化学式、表等があります▼+A−R_2−A ▲数式、化学式、表等があります▼+A−R_2−A ▲数式、化学式、表等があります▼+A−R_2−A ▲数式、化学式、表等があります▼+▲数式、化学式、
表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼+▲数式、化学式、
表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼+▲数式、化学式、
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表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼+▲数式、化学式、
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表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼+▲数式、化学式、
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表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼+▲数式、化学式、
表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼+▲数式、化学式、
表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼+▲数式、化学式、
表等があります▼ (式中、Aは酸性基、Bは塩基性基を表す。)のいずれ
かの組合せにおいて、かつ組合せる2種のモノマーの少
なくとも一方が1個または2個の炭化水素含有基R_3
を含有しているモノマーを使用し、第1の有機基R_1
を含むモノマーと第2の有機基R_2を含むモノマーを
重縮合させることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の両性高分子化合物の製造法。
(7) A monomer containing the first organic group R_1 and a monomer containing the second organic group R_2, (A-R_1-A)+(B-R_2-B) (A-R_1-B)+( B-R_2-B) (B-R_1-B)+(B-R_2-A) ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼+(B-R_2-B
) ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼+B-R_2-B ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼+A-R_2-B ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼+A-R_2-B ▲Mathematical formulas, chemical formulas , tables, etc. ▼ + A-R_2-A ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ + A-R_2-A ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ + B-R_2-B ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼+B-R_2-B ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼+B-R_2-B ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼+A-R_2-B ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼+A-R_2- B ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼+A-R_2-B ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼+A-R_2-A ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼+A-R_2-A ▲Mathematical formulas, chemical formulas , tables, etc.▼+A-R_2-A ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼+▲Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼ ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼+▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼ ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼+▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼ ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼+▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼ ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼+▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
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There are tables, etc. ▼ ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼+▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼ (In the formula, A represents an acidic group and B represents a basic group.) In any combination, and at least one of the two monomers to be combined contains one or two hydrocarbons. Group R_3
using a monomer containing the first organic group R_1
2. The method for producing an amphoteric polymer compound according to claim 1, wherein a monomer containing R_2 and a monomer containing the second organic group R_2 are polycondensed.
JP61275533A 1985-11-20 1986-11-19 Amphoteric polymeric compound and production thereof Pending JPS63218728A (en)

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JP26212285 1985-11-20
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JP61-214892 1986-09-10
JP61-214891 1986-09-10
JP61-228578 1986-09-26
JP61-228579 1986-09-26

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