JPS63216837A - 新規ビニルシクロペンテン類 - Google Patents
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は下記一般式(XI)で表わされる新規なビニル
シクロペンテン類に関する。
シクロペンテン類に関する。
〔式中Rは水素原子または水酸基の保!!基である〕。
前記一般式(XI)で表わされる化合物は、下記一般式
(1)で表わされる新規な線虫卵卿(式中、R1はCH
!OR” (但し、R3は水素原子または水酸基の保護
基である。)またはC0OR’(但し、R4は水素原子
またはカルボキシル基の保護基である。)を表わしR1
はC3〜Chの低級アルキル基、アリール基またはアラ
ルキル基を表わす、) 化促進物質の製造過程において、重要な中間体となるも
のである。
(1)で表わされる新規な線虫卵卿(式中、R1はCH
!OR” (但し、R3は水素原子または水酸基の保護
基である。)またはC0OR’(但し、R4は水素原子
またはカルボキシル基の保護基である。)を表わしR1
はC3〜Chの低級アルキル基、アリール基またはアラ
ルキル基を表わす、) 化促進物質の製造過程において、重要な中間体となるも
のである。
農作物に多大な被害を与えている植物寄生性線虫の駆除
に関して従来は液剤を用いる方法や、燻蒸剤などが用い
られていた。
に関して従来は液剤を用いる方法や、燻蒸剤などが用い
られていた。
しかしながら、DBCD (ネマゴン)やDCIP(ネ
マモール)等の液剤は、無差別に土壌微生物を殺す傾向
にあり、土壌への悪影響が懸念され、作物への薬害も無
視出来ないものがある。また強い毒性により取扱いに注
意を要する。D−D、クロルピクリン、メチルプロミド
、ジブロムエチレン等の燻蒸剤は、有毒ガスの土壌中へ
の拡散により効果を発揮するものであるが残留性等の危
険性が高いため、現在では使用が禁止されている。
マモール)等の液剤は、無差別に土壌微生物を殺す傾向
にあり、土壌への悪影響が懸念され、作物への薬害も無
視出来ないものがある。また強い毒性により取扱いに注
意を要する。D−D、クロルピクリン、メチルプロミド
、ジブロムエチレン等の燻蒸剤は、有毒ガスの土壌中へ
の拡散により効果を発揮するものであるが残留性等の危
険性が高いため、現在では使用が禁止されている。
本発明者らは、かか不状況に鑑み鋭意検討した結果、前
記一般式(1)で表わされる新規な物質が、植物寄生性
腺虫卵の強力な4化促進作用を有することを見いだした
。この活性を利用することにより、植物寄生性線虫の選
択的駆除剤として用いることができる。
記一般式(1)で表わされる新規な物質が、植物寄生性
腺虫卵の強力な4化促進作用を有することを見いだした
。この活性を利用することにより、植物寄生性線虫の選
択的駆除剤として用いることができる。
−a式(1)で表わされる物質は、近年大豆根より極微
量抽出、単離された天然の線虫卵卿化促進物質グリシノ
エクレビンA (17式) (A。
量抽出、単離された天然の線虫卵卿化促進物質グリシノ
エクレビンA (17式) (A。
Fukuzawa、A、Furusaki。
M、Ikura、and T、Masamune。
J、Chem、Soc、 、Chem、Commun。
1985.222)の骨格中、ステロイド環の命名法に
従った時のC−D環に相当するものである。
従った時のC−D環に相当するものである。
本発明者らは、一般式N)で表ゎさるC−D環部を製造
し、4化促進活性 試験を行った所、C−〇環部のみで
も強力な線虫卵岬化促進活性を有することを見いだし、
前記一般式(1)で表わされる化合物の合成中間体であ
る本発明を完成した。
し、4化促進活性 試験を行った所、C−〇環部のみで
も強力な線虫卵岬化促進活性を有することを見いだし、
前記一般式(1)で表わされる化合物の合成中間体であ
る本発明を完成した。
本発明の1.3−ジメチル−2−エチニル−5−(3−
オキシ−1−メチルプロピル)シクロベンター1−エン
類(式χ1) (式中Rは前記と同一の意味を有する
。)は、以下の工程により合成できる。
オキシ−1−メチルプロピル)シクロベンター1−エン
類(式χ1) (式中Rは前記と同一の意味を有する
。)は、以下の工程により合成できる。
第一工程
本工程における出発物質となる3、4−ジメチル−2−
シクロベンテノン(弐■)は、文献既知の物質であり、
クロトン酸イソプロピルエステルより大量に容易に合成
できる(J、−M。
シクロベンテノン(弐■)は、文献既知の物質であり、
クロトン酸イソプロピルエステルより大量に容易に合成
できる(J、−M。
Con1a and M、−L。
Leriverend、Bull、Sac。
Chim、Fr、、1970.2981参照)。
本工程は前記式(ff+)で表わされるシクロベンテノ
ンに一触式(IV)で表わされる3−ブテニルメタルを
共役付加させ、式(V)で表わされる3゜4−ジメチル
−5−(3−ブテニル)シクロペンタノンを製造するも
のである。
ンに一触式(IV)で表わされる3−ブテニルメタルを
共役付加させ、式(V)で表わされる3゜4−ジメチル
−5−(3−ブテニル)シクロペンタノンを製造するも
のである。
本工程を実施するに当って、一般式(V)で表わされる
3−ブテニルメタルとしては、触IfcIのCulの存
在下における、3−ブテニルマグネシウムプロミド、同
ヨーシト、同クロリド、同じく触媒量のCulの存在下
における3−ブテニルリチウム、および3−ブテニル銅
化合物などをあげることができる。
3−ブテニルメタルとしては、触IfcIのCulの存
在下における、3−ブテニルマグネシウムプロミド、同
ヨーシト、同クロリド、同じく触媒量のCulの存在下
における3−ブテニルリチウム、および3−ブテニル銅
化合物などをあげることができる。
本工程は、溶媒の存在下に行われるものである。
用いられる溶媒としては、ジメチルエーテル、ジエチル
エーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル
、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン
などのエーテル類や、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキ
サン、ヘプタン、ベンゼン、トルエンなどの炭化水素類
を挙げることができる。
エーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル
、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン
などのエーテル類や、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキ
サン、ヘプタン、ベンゼン、トルエンなどの炭化水素類
を挙げることができる。
本工程は、−100℃〜100℃の範囲で行われるが、
好適には〜30℃〜25℃の範囲である。
好適には〜30℃〜25℃の範囲である。
第二工程
本工程は式(V)で表わされる物質を閉環し、式(Vl
)で表わされる4、5.8−トリメチル−2−オキソビ
シクロ(3,3,0)オクタンを製造するものである。
)で表わされる4、5.8−トリメチル−2−オキソビ
シクロ(3,3,0)オクタンを製造するものである。
閉環は加熱によって行われる。
温度は、2−50℃から400℃の範囲で行われるが、
好適には310℃から330℃の範囲で行うのが良い0
本工程を行うに当っては溶媒の存在は特に必要ではない
が、所望によっては、上記温度で不活性な溶媒の存在下
に行っても良い。
好適には310℃から330℃の範囲で行うのが良い0
本工程を行うに当っては溶媒の存在は特に必要ではない
が、所望によっては、上記温度で不活性な溶媒の存在下
に行っても良い。
第三工程
本工程は、式(Vl)で表わされる物質をバイヤー・ビ
リガー(Baeyer−Vi l l Igor)酸化
反応に付し、式(■)で表わされる5、6゜9−トリメ
チル−2−オキサ−3−オキソビシクロ(4,3,O)
ノナンを製造するものである。
リガー(Baeyer−Vi l l Igor)酸化
反応に付し、式(■)で表わされる5、6゜9−トリメ
チル−2−オキサ−3−オキソビシクロ(4,3,O)
ノナンを製造するものである。
本工程を行うに当って用いられる酸化剤としては、過ギ
酸、過酢酸、トリフルオロ過酢酸、過安息香酸、メタク
ロル過安息香酸、過フタール酸などのを機過酸や、過酸
化水素、t−ブチルヒドロペルオキシドなどを用いるこ
とができる。
酸、過酢酸、トリフルオロ過酢酸、過安息香酸、メタク
ロル過安息香酸、過フタール酸などのを機過酸や、過酸
化水素、t−ブチルヒドロペルオキシドなどを用いるこ
とができる。
本工程は溶媒の存在下に行うことが望ましく、用いられ
る溶媒としては、有機過酸の場合には塩化メチレン、ク
ロロホルム、エーテル、アセトニトリル等、もしくはこ
れらの混合物を、過酸化水素、t−ブチルヒドロペルオ
キシドの場合には水、t−ブチルアルコール、t−アミ
ルアルコール、アセトニトリル等や、これらの混合物が
好適に使用できる。
る溶媒としては、有機過酸の場合には塩化メチレン、ク
ロロホルム、エーテル、アセトニトリル等、もしくはこ
れらの混合物を、過酸化水素、t−ブチルヒドロペルオ
キシドの場合には水、t−ブチルアルコール、t−アミ
ルアルコール、アセトニトリル等や、これらの混合物が
好適に使用できる。
反応は一30℃〜40℃で円滑に進行する。
第四工程
本工程は式(■)で表わされるラクトンを還元し、式(
■)(R−H)で表わされる、2,5−ジメチル−2−
(5−ヒドロキシ−1−メチル−プロピル)シクロペン
タノールを製造するものである0本工程は還元剤を用い
て行うものであり、例えば、水素化アルミニウムリチウ
ム、水素化ジイソブチ゛ルアルミニウムなどを用いるこ
とができる。本工程は、溶媒の存在下に行うことが好ま
しく、例えば水素化アルミニウムリチウムを用いる場合
には、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、ジメトキシエタンのごとき、エーテル系の
溶媒を、水素化ジイソブチルアルミニウムの場合には、
上記の他にトルエン、塩化メチレンを、用いることがで
きる0反応温度は、−78℃〜70℃を還元剤および、
溶媒に応じて、選択することができる。
■)(R−H)で表わされる、2,5−ジメチル−2−
(5−ヒドロキシ−1−メチル−プロピル)シクロペン
タノールを製造するものである0本工程は還元剤を用い
て行うものであり、例えば、水素化アルミニウムリチウ
ム、水素化ジイソブチ゛ルアルミニウムなどを用いるこ
とができる。本工程は、溶媒の存在下に行うことが好ま
しく、例えば水素化アルミニウムリチウムを用いる場合
には、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、ジメトキシエタンのごとき、エーテル系の
溶媒を、水素化ジイソブチルアルミニウムの場合には、
上記の他にトルエン、塩化メチレンを、用いることがで
きる0反応温度は、−78℃〜70℃を還元剤および、
溶媒に応じて、選択することができる。
第五工程
本工程は、式(■)(R−H)で表わされるジオールの
1級水酸基を保護し、さらに2級水酸基を酸化し、式(
IX)で表わされる2−(3−アルコキシ−1−メチル
−プロピル)−2,5−ジメチル−シクロペンタノンを
製造するものである。
1級水酸基を保護し、さらに2級水酸基を酸化し、式(
IX)で表わされる2−(3−アルコキシ−1−メチル
−プロピル)−2,5−ジメチル−シクロペンタノンを
製造するものである。
1級水酸基の保!II試剤としては、t−プチルジフヱ
ニルシリルクロリド、t−ブチルジメチルシリルクロリ
ド、トリフェニルメチルクロリドなどを好適に使用する
ことができる0本工程は、塩基の存在下に行うもので、
イミダゾール、トリエチアミンなどの有機塩基を用いた
場合に好結果が得られる6本工程は、溶媒の存在下に行
うことが望ましく、例えば、DMF、ピリジン、塩化メ
チレン、クロロホルムおよびこれらの混合溶媒を用いる
ことができる0反応温度は、−10℃〜60℃の範囲で
行われる。
ニルシリルクロリド、t−ブチルジメチルシリルクロリ
ド、トリフェニルメチルクロリドなどを好適に使用する
ことができる0本工程は、塩基の存在下に行うもので、
イミダゾール、トリエチアミンなどの有機塩基を用いた
場合に好結果が得られる6本工程は、溶媒の存在下に行
うことが望ましく、例えば、DMF、ピリジン、塩化メ
チレン、クロロホルムおよびこれらの混合溶媒を用いる
ことができる0反応温度は、−10℃〜60℃の範囲で
行われる。
2級水酸基の酸化は、酸化剤を用いて行うものであり、
例えばPCC,PDC,Co I I i ns試薬な
どのクロム酸系の酸化剤を用いた場合に反応は好適に進
行する0本工程は、溶媒の存在下に行うことが好ましく
、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジメトキシエタンのごとき、エーテル系の溶媒
や、クロロホルム、塩化メチレン、DMFを酸化剤に応
して選択することができる0反応温度は、−78℃〜7
0℃を酸化剤および、溶媒に応じて、選択することがで
きる。
例えばPCC,PDC,Co I I i ns試薬な
どのクロム酸系の酸化剤を用いた場合に反応は好適に進
行する0本工程は、溶媒の存在下に行うことが好ましく
、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジメトキシエタンのごとき、エーテル系の溶媒
や、クロロホルム、塩化メチレン、DMFを酸化剤に応
して選択することができる0反応温度は、−78℃〜7
0℃を酸化剤および、溶媒に応じて、選択することがで
きる。
第六工程
本工程は、式(IX)で表わされる物質を塩基の存在下
、無水トリフルオロメタンスルホン酸と反応させること
により、前記一般式(X)で表わされる、2− (3−
アルコキシ−1−メチル−プロピル)−2,5−ジメチ
ル−シクロペンタ−1−エン−1−イル トリフレート
を製造するものである0本工程は、塩基の存在下に行う
ことが必要で、例えば、4−メチル−2,6−ジーt−
ブチルピリジン、2.6−ジーt−ブチルピリジン、ピ
リジン、トリメチルアミンなどを好適に使用することが
できる0本工程は、溶媒の存在下に行うことカ望ましく
、例えば、塩化メチレン、クロロホルム、1.2−ジク
ロロエタンを用いた場合に好結果が得られる6反応は、
室温〜70℃にて円滑に進行するものである。
、無水トリフルオロメタンスルホン酸と反応させること
により、前記一般式(X)で表わされる、2− (3−
アルコキシ−1−メチル−プロピル)−2,5−ジメチ
ル−シクロペンタ−1−エン−1−イル トリフレート
を製造するものである0本工程は、塩基の存在下に行う
ことが必要で、例えば、4−メチル−2,6−ジーt−
ブチルピリジン、2.6−ジーt−ブチルピリジン、ピ
リジン、トリメチルアミンなどを好適に使用することが
できる0本工程は、溶媒の存在下に行うことカ望ましく
、例えば、塩化メチレン、クロロホルム、1.2−ジク
ロロエタンを用いた場合に好結果が得られる6反応は、
室温〜70℃にて円滑に進行するものである。
第七工程
本工程は、前記一般式(X)で表わされるトリフレート
をパラジウム(0)触媒、および、ハロゲン化リチウム
の存在下にビニルトリブチルスズと反応せしめ、一般式
(XI)で表わされるビニルシクロペンテン類を製造す
るものである。
をパラジウム(0)触媒、および、ハロゲン化リチウム
の存在下にビニルトリブチルスズと反応せしめ、一般式
(XI)で表わされるビニルシクロペンテン類を製造す
るものである。
本工程において用いられるパラジウム触媒としては例え
ばテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを、ハ
ロゲン化リチウムとしては例えば塩化リチウムを用いる
ことができる。
ばテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを、ハ
ロゲン化リチウムとしては例えば塩化リチウムを用いる
ことができる。
本工程は、溶媒中で行うことが望ましく、例えば、ジメ
チルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン
、ジメトキシエタンのごとき、エーテル系の溶媒を好適
に使用できる。
チルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン
、ジメトキシエタンのごとき、エーテル系の溶媒を好適
に使用できる。
反応は、室温〜100℃にて円滑に進行する。
保護基で水f12基が保護された一般式(XI)で表わ
される化合物は必要に応じて脱保護し、一般式(XI)
においてR−Hで表わされる化合物に導くことができる
。脱保護は、水酸基の保護基が、シリルエーテル系の場
合にはフン化水素酸を、トリフェニルメチル基などのエ
ーテル系の場合には、希硫酸、p−)ルエンスルホン酸
などの酸性条件下に行う0本反応は、溶媒の存在下に行
うもので、t−ブタノール、イソプロパツール、エタノ
ール、メタノールなどのアルコール系溶媒、ジオキサン
、・テトラヒドロフラン、エチルエーテルなどのエーテ
ル系の溶媒を用いることができる、フン化水素酸を用い
て脱保護を行う場合にはアセトニトリルを用いると効率
良く脱保護を行うことができる。
される化合物は必要に応じて脱保護し、一般式(XI)
においてR−Hで表わされる化合物に導くことができる
。脱保護は、水酸基の保護基が、シリルエーテル系の場
合にはフン化水素酸を、トリフェニルメチル基などのエ
ーテル系の場合には、希硫酸、p−)ルエンスルホン酸
などの酸性条件下に行う0本反応は、溶媒の存在下に行
うもので、t−ブタノール、イソプロパツール、エタノ
ール、メタノールなどのアルコール系溶媒、ジオキサン
、・テトラヒドロフラン、エチルエーテルなどのエーテ
ル系の溶媒を用いることができる、フン化水素酸を用い
て脱保護を行う場合にはアセトニトリルを用いると効率
良く脱保護を行うことができる。
以上のようにして製造された一般式(XI)で表わされ
る中間体は、以下のようにしてさらにグリシノエクレピ
ンA C−D環部へと導くことができる。
る中間体は、以下のようにしてさらにグリシノエクレピ
ンA C−D環部へと導くことができる。
(式中、Rは前記と同一の意味を有し、R’はCHiO
R”(但し、R′は水素原子 または水酸基の保m基で
ある。)またはGOOR’ (但し、R4は水素原子ま
たはカルボキシル基の保護基である。)を表わし、R2
はC0〜C6の低級アルキル基、アリール基またはアラ
ルキル基を表わす。)第八工程 本工程は、−11式(XI)で表わされる物質と、アセ
チレンジカルボン酸ジエステル(Xll)とをディール
ス・アルダ−(Dials−Alder)反応に付した
後側鎖の水酸基が保護されている場合には保護基を脱保
護し、さらに酸化して得られるカルボン酸をエステル化
することにより、前記一般式(X1mで表わされる 1
.7−シメチルー2.3−ジカルボキシ−7−(2−ア
ルコキシカルボニル−1−メチル−エチル)ビシクロ〔
4゜3.0〕ソナー2.5−ジエンを製造するものであ
る。
R”(但し、R′は水素原子 または水酸基の保m基で
ある。)またはGOOR’ (但し、R4は水素原子ま
たはカルボキシル基の保護基である。)を表わし、R2
はC0〜C6の低級アルキル基、アリール基またはアラ
ルキル基を表わす。)第八工程 本工程は、−11式(XI)で表わされる物質と、アセ
チレンジカルボン酸ジエステル(Xll)とをディール
ス・アルダ−(Dials−Alder)反応に付した
後側鎖の水酸基が保護されている場合には保護基を脱保
護し、さらに酸化して得られるカルボン酸をエステル化
することにより、前記一般式(X1mで表わされる 1
.7−シメチルー2.3−ジカルボキシ−7−(2−ア
ルコキシカルボニル−1−メチル−エチル)ビシクロ〔
4゜3.0〕ソナー2.5−ジエンを製造するものであ
る。
ディールス・アルダ−反応には、溶媒の存在は特に必要
ないが、トルエン、ベンゼン、キシレン、デカリンなど
を用いても反応は円滑に進行する。
ないが、トルエン、ベンゼン、キシレン、デカリンなど
を用いても反応は円滑に進行する。
反応温度は、80℃〜150℃を溶媒によって選択する
ことができる。
ことができる。
脱保護は、水酸基の保護基が、シリルエーテル系の場合
にはフン化水素酸を、トリフェニルメチル基などのエー
テル系の場合には、希硫酸、p−トルエンスルホン酸な
どの酸性条件下に行う0本反応は、溶媒の存在下に行う
もので、t−ブタノール、イソプロパツール、エタノー
ル、メタノールなどのアルコール系溶媒や、ジオキサン
、テトラヒドロフラン、エチルエーテルなどのエーテル
系の溶媒を用いることができる。フッ化水素酸を用いて
脱保護を行う場合には、アセトニトリルを用いると効率
良く脱保護を行うことができる。
にはフン化水素酸を、トリフェニルメチル基などのエー
テル系の場合には、希硫酸、p−トルエンスルホン酸な
どの酸性条件下に行う0本反応は、溶媒の存在下に行う
もので、t−ブタノール、イソプロパツール、エタノー
ル、メタノールなどのアルコール系溶媒や、ジオキサン
、テトラヒドロフラン、エチルエーテルなどのエーテル
系の溶媒を用いることができる。フッ化水素酸を用いて
脱保護を行う場合には、アセトニトリルを用いると効率
良く脱保護を行うことができる。
酸化は、酸性条件下に行うことが好ましく、例えば、J
ones試薬を用いることができる。
ones試薬を用いることができる。
酸化反応は、溶媒の存在下に行うものであり、アセトン
、2−ブタノンなどを用いることができる。
、2−ブタノンなどを用いることができる。
エステル化反応は、中性あるいは、酸性条件下に行うこ
とが望ましく、ジアゾメタンを用いた場合に最も効率良
く反応は進行する。
とが望ましく、ジアゾメタンを用いた場合に最も効率良
く反応は進行する。
脱保護、酸化、エステル化の各反応は、−20℃〜80
℃にて円滑に進行する。
℃にて円滑に進行する。
第九工程
本工程は、一般式(XTI+)で表わされる物質を有機
過酸により酸化し、前記一般式(XIV)で表わされる
1、7−シメチルー2.3−ビス(アルコキシカルボニ
ル)−5,6−オキソ−?−<2−置換−1−メチル−
エチル)ビシクロ(4,3゜0〕ノナ−2−エンを製造
するものである。
過酸により酸化し、前記一般式(XIV)で表わされる
1、7−シメチルー2.3−ビス(アルコキシカルボニ
ル)−5,6−オキソ−?−<2−置換−1−メチル−
エチル)ビシクロ(4,3゜0〕ノナ−2−エンを製造
するものである。
本工程において用いられる有機過酸としては、例えば、
メタクロル過安息香酸、過安息香酸、過酢酸などを好適
に使用することができる。
メタクロル過安息香酸、過安息香酸、過酢酸などを好適
に使用することができる。
本工程は、溶媒の存在下に行うことが好ましく、例えば
、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジメトキシエタンのごとき、エーテル系の溶媒
、クロロホルム、塩化メチレン、四塩化炭素、などの含
へ口系の溶媒の他、ヘキサン、ベンゼン、酢酸エチルな
どを使用することができる。
、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジメトキシエタンのごとき、エーテル系の溶媒
、クロロホルム、塩化メチレン、四塩化炭素、などの含
へ口系の溶媒の他、ヘキサン、ベンゼン、酢酸エチルな
どを使用することができる。
本工程は、pH7に調製した燐酸緩衝液などの緩衝液の
存在下に行うと効率良く反応が進行する。
存在下に行うと効率良く反応が進行する。
本反応は、−30℃〜室温で円滑に進行する。
策士工程
本工程は、前記一般式(XIV)で表わされるエポキシ
ドをルイス酸の存在下にメチル基の転位反応に付し、一
般式(1)で表わされる6、7−シメチルー2.3−ビ
ス(アルコキシカルボニル)−5−ヒドロキシ−7−(
2−置換−1−メチル−エチル)ビシクロ(4,3,0
)ノナ−2,9−ジエンを製造するものである。
ドをルイス酸の存在下にメチル基の転位反応に付し、一
般式(1)で表わされる6、7−シメチルー2.3−ビ
ス(アルコキシカルボニル)−5−ヒドロキシ−7−(
2−置換−1−メチル−エチル)ビシクロ(4,3,0
)ノナ−2,9−ジエンを製造するものである。
本工程において用いられるルイス酸としては、例えば、
トリメチルシリルトリフレート、臭化マグネシウム、三
フッ化ホウ素エチルエーテル、ジエチルアルミニウムク
ロリドなどを好適に使用できる。
トリメチルシリルトリフレート、臭化マグネシウム、三
フッ化ホウ素エチルエーテル、ジエチルアルミニウムク
ロリドなどを好適に使用できる。
本工程は、溶媒の存在下に行うものであり、例えば、ジ
メチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジメトキシエタンのごとき、エーテル系の溶媒、ク
ロロホルム、塩化メチレン、四塩化炭素、などの含ハロ
系の溶媒の他、ヘキサン、トルエン、ベンゼンなどをル
イス酸に応じて選択する。
メチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジメトキシエタンのごとき、エーテル系の溶媒、ク
ロロホルム、塩化メチレン、四塩化炭素、などの含ハロ
系の溶媒の他、ヘキサン、トルエン、ベンゼンなどをル
イス酸に応じて選択する。
反応は、−78℃〜120℃で円滑に進行する。
さらに弐(1)で表わされる化合物はR1およびR2が
保護されている場合は脱保護により式(■′)で表わさ
れるカルボン酸に導かれる。
保護されている場合は脱保護により式(■′)で表わさ
れるカルボン酸に導かれる。
本反応においては水酸化リチウム、水酸化ナトリウム等
のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム等のアルカリ金属炭酸塩等に好適に用いられる。
のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム等のアルカリ金属炭酸塩等に好適に用いられる。
反応は溶媒の存在下に行われ、水やメタノール、エタノ
ール、【−ブタノール等のアルコール類、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン等のエーテル類、およびこれらの混
合物を用いることができる。
ール、【−ブタノール等のアルコール類、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン等のエーテル類、およびこれらの混
合物を用いることができる。
反応は一10℃〜100℃で円滑に進行する。
以上参考例、実施例及び試験例によりさらにくわしく説
明する。
明する。
参考例1
アルゴン雰囲気下、ブテニルマグネシウムプロミドのT
HF溶液(100m l、 0.074M)にCul
(1,41g)を加え、−15℃に冷却下3゜4−
ジメチル−2−シクロベンテノン(4,08g。
HF溶液(100m l、 0.074M)にCul
(1,41g)を加え、−15℃に冷却下3゜4−
ジメチル−2−シクロベンテノン(4,08g。
37mmo+)のTHF溶液(50ml)を1時間かけ
て滴下した0反応液にエーテルを加え、飽和塩化アンモ
ニウム水溶液(100mlx4)と水で洗浄した。有機
層を乾燥後濃縮して得た残さをシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー(ヘキサン/エーテル 10:1)にて精
製し、オイル状の3−(3−ブテニル)−3,4−ジメ
チル−シクロペンタノンを4.54 g (73,7
%)得た。
て滴下した0反応液にエーテルを加え、飽和塩化アンモ
ニウム水溶液(100mlx4)と水で洗浄した。有機
層を乾燥後濃縮して得た残さをシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー(ヘキサン/エーテル 10:1)にて精
製し、オイル状の3−(3−ブテニル)−3,4−ジメ
チル−シクロペンタノンを4.54 g (73,7
%)得た。
TLC上のRfi直:0.21(ヘキサン/エーテル
10:1) ’H−NMF? (CDCI、): δ 0.89
(s。
10:1) ’H−NMF? (CDCI、): δ 0.89
(s。
3H)、 1.02 (d、3H,J=6Hz)。
5.05 (m、 28)、 5.83 (m
、 IH)。
、 IH)。
参考例2
3−(3−ブテニル)−3,4−ジメチル−シクロペン
タノン(4,34g、26.1mmo +)をステンレ
ス製耐圧容器中、3時間、320℃に加熱した。室温ま
で冷却後、反応混合物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(ヘキサン/酢酸エチ 20:1)にて精製し、
オイル状の4.5゜8−トリメチル−2−オキソビシク
ロ(3,3゜0〕オクタンを2.61 g (60,1
%)を得た。
タノン(4,34g、26.1mmo +)をステンレ
ス製耐圧容器中、3時間、320℃に加熱した。室温ま
で冷却後、反応混合物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(ヘキサン/酢酸エチ 20:1)にて精製し、
オイル状の4.5゜8−トリメチル−2−オキソビシク
ロ(3,3゜0〕オクタンを2.61 g (60,1
%)を得た。
TLC上のRf値:0.32(ヘキサン/酢酸エチル
20:1) ’HNMR(CDCI3) : δ0.8−2.5
(m)。
20:1) ’HNMR(CDCI3) : δ0.8−2.5
(m)。
IR(neat) 41740cm−’(C−0)。
参考例3
4.5.8−トリメチル−2−オキソビシクロ(3,3
,0)オクタン(2,366g、 14.2mmo+
)を塩化メチレン(36ml)に溶解し、0℃にて炭酸
水素ナトリウム(3,59g、42.7mmol)及び
、m−クロル過安4色香酸(3,55g+ 20.6
mmo I)を加え、室温で20時間攪拌した0反応液
に塩化メチレンを加え、10%チオ硫酸ナトリウム水溶
液、飽和重曹水、水の順に洗浄し、乾燥後濃縮した。残
さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/
酢酸エチル101)にて精製し、オイル状の5.6.9
=トリメチル−2−オキサ−3−オキソビシクロ(4,
3,0)ノナンを1.642 g (63,3%)得た
。
,0)オクタン(2,366g、 14.2mmo+
)を塩化メチレン(36ml)に溶解し、0℃にて炭酸
水素ナトリウム(3,59g、42.7mmol)及び
、m−クロル過安4色香酸(3,55g+ 20.6
mmo I)を加え、室温で20時間攪拌した0反応液
に塩化メチレンを加え、10%チオ硫酸ナトリウム水溶
液、飽和重曹水、水の順に洗浄し、乾燥後濃縮した。残
さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/
酢酸エチル101)にて精製し、オイル状の5.6.9
=トリメチル−2−オキサ−3−オキソビシクロ(4,
3,0)ノナンを1.642 g (63,3%)得た
。
TLC上のRf値:0.13(ヘキサン/酢酸エチル
101) ’HNMR(CDCIs):δ1.0(s。
101) ’HNMR(CDCIs):δ1.0(s。
3H)、1.02 (d、3H,J−6Hz)。
1.13 (d、3H,J=6Hz)、4.02(d、
LH,J=6H2)。
LH,J=6H2)。
IR(neat):1750cm−’(C−0)。
参考例4
5、 6. 9−トリメチル−2−オキサ−3−オキソ
ビシクロ(4,3,0)ノナン(165■。
ビシクロ(4,3,0)ノナン(165■。
0.90mmol)をエーテル(8ml)に溶解し、水
素化アルミニウムリチウム(38■、1.0m−mo
I)を加え、室温で3時間攪拌した0反応液中に酢酸エ
チル<0.1m1)を加え30分間攪拌後水を加え、エ
ーテルにて抽出した。有機層を乾燥後t1mし、得られ
たオイル状残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
により精製し、2.5−ジメチル−2−(5−ヒドロキ
シ−1−メチル−プロピル)シクロペンタノールを14
7■(87,2%)得た。
素化アルミニウムリチウム(38■、1.0m−mo
I)を加え、室温で3時間攪拌した0反応液中に酢酸エ
チル<0.1m1)を加え30分間攪拌後水を加え、エ
ーテルにて抽出した。有機層を乾燥後t1mし、得られ
たオイル状残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
により精製し、2.5−ジメチル−2−(5−ヒドロキ
シ−1−メチル−プロピル)シクロペンタノールを14
7■(87,2%)得た。
’H−NMR(CDCIa):δ0.77 (s。
3H)、0.88 (d、3H,、J−7Hz)。
1.03 (d、3H,J−7H2)、1.15−2
.1 (m、8H)、2.74 (bs、2H)。
.1 (m、8H)、2.74 (bs、2H)。
3.47−3.95 (m、3H)。
IR(nea t): 3390 (OH)。
2970aa−’ (CH) 。
MASS(m/z):186 (M”) 、 16
9 (M −0H)、16B。
9 (M −0H)、16B。
参考例5
2.5−ジメチル−2−(5−ヒドロキシ−1メチル−
プロピル)シクロペンタノール(134m、 0.7
2 mm o 1 )をアルゴン雰囲気下DMF(2m
l)に溶解し、室温で塩化t−プチルジフエニntシラ
7 (218w、0.79mmo l)とイミダゾール
(5tw、0.79mmo l)を加え、3時間攪拌し
た0反応液に、エーテルと飽和重曹水を加え、水で洗浄
し乾燥後濃縮した。得られたオイル状の2−(3−(t
−プチルジフェニルシリルオキン)−1−メチル−プロ
ピル)−2,5−ジメチル−シクロペンタノールはTL
C上単−なスポットを示し精製せずに次の反応に用いた
。2−(3−t−ブチルジフェニルシリルオキシ−1−
メチル−プロピル)−2,5−ジメチル−シクロペンタ
ノールを塩化メチレン(10ml)に熔解し、アルゴン
雰囲気下、塩化メチレン中で調製した7等量のCo11
ins試薬に加えた。15分間攪拌後エーテルを加え、
析出した不溶物を短いシリカゲルカラムを用いて分離し
た。溶出液を濃縮して得たオイル状残さをシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(ヘキサン/エーテル 10:
1)により精製し、2−(3−t−ブチルジフェニルシ
リルオキシ−1−メチル−プロピル)−2,5−ジメチ
ル−シクロペンタノンを226■(74,3%)得た。
プロピル)シクロペンタノール(134m、 0.7
2 mm o 1 )をアルゴン雰囲気下DMF(2m
l)に溶解し、室温で塩化t−プチルジフエニntシラ
7 (218w、0.79mmo l)とイミダゾール
(5tw、0.79mmo l)を加え、3時間攪拌し
た0反応液に、エーテルと飽和重曹水を加え、水で洗浄
し乾燥後濃縮した。得られたオイル状の2−(3−(t
−プチルジフェニルシリルオキン)−1−メチル−プロ
ピル)−2,5−ジメチル−シクロペンタノールはTL
C上単−なスポットを示し精製せずに次の反応に用いた
。2−(3−t−ブチルジフェニルシリルオキシ−1−
メチル−プロピル)−2,5−ジメチル−シクロペンタ
ノールを塩化メチレン(10ml)に熔解し、アルゴン
雰囲気下、塩化メチレン中で調製した7等量のCo11
ins試薬に加えた。15分間攪拌後エーテルを加え、
析出した不溶物を短いシリカゲルカラムを用いて分離し
た。溶出液を濃縮して得たオイル状残さをシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(ヘキサン/エーテル 10:
1)により精製し、2−(3−t−ブチルジフェニルシ
リルオキシ−1−メチル−プロピル)−2,5−ジメチ
ル−シクロペンタノンを226■(74,3%)得た。
TLC上のRf値=0.18(ヘキサン/エーテル 2
0:1) ’H−NMR(CDC13> : 60.71
(d。
0:1) ’H−NMR(CDC13> : 60.71
(d。
3H,J−7Hz)、 0.9−1.15 (m。
15H)、 3.7 (m、 2H)、 7.
3−7.5(m、 6H)、 7.55−7.8
(m、 4H)。
3−7.5(m、 6H)、 7.55−7.8
(m、 4H)。
IR(neat) :2970 (CH)。
1730 (C−0)、 1590 (C−C)
。
。
1 460 cm−’。
参考例6
2−(3−1−ブチルジフェニルシリルオキシ−1−メ
チル−プロピル)−2,5−ジメチル−シクロペンタノ
ン(321mg、0.759mmo 1)をアルゴン雰
囲気下、塩化メチレン(20ml)に溶解し、2.6−
ジーt−ブチルピリジン247g、1.29mmo I
)と無水トリフロロメタンスルホン酸(322mg、1
.14mmo I)を加え、38℃で2日間攪拌した0
反応液を濃縮して得た残さをシリカゲルカラムクロマト
グラフィー(ヘキサン/エーテル 30:1)により精
製し、2− (3−t−ブチルジフェニルシリルオキシ
−1−メチル−プロピル)−2,5−ジメチル−シクロ
ペンタ−1−エン−1−イル トリフレートを380■
(90,2%)を得た。
チル−プロピル)−2,5−ジメチル−シクロペンタノ
ン(321mg、0.759mmo 1)をアルゴン雰
囲気下、塩化メチレン(20ml)に溶解し、2.6−
ジーt−ブチルピリジン247g、1.29mmo I
)と無水トリフロロメタンスルホン酸(322mg、1
.14mmo I)を加え、38℃で2日間攪拌した0
反応液を濃縮して得た残さをシリカゲルカラムクロマト
グラフィー(ヘキサン/エーテル 30:1)により精
製し、2− (3−t−ブチルジフェニルシリルオキシ
−1−メチル−プロピル)−2,5−ジメチル−シクロ
ペンタ−1−エン−1−イル トリフレートを380■
(90,2%)を得た。
TLC上のRf値:0.49(ヘキサン/エーテル
20:1) ’H−NMR(CDC1,)iδ0.76 (d。
20:1) ’H−NMR(CDC1,)iδ0.76 (d。
3H,J=7Hz)、1.06 (s、9H)。
1.16 (s、3H)、1゜76 (s、3H)。
3.6−3.85 (m、2H)、7.3−7.55
(m、6H)、7.55−7.8(m、4H)。
(m、6H)、7.55−7.8(m、4H)。
IR(nea t) : 1410cm−’ (S−
0) 。
0) 。
MASS(m/z):497. 363. 269゜実
施例1 2−(3−t−ブチルジフェニルシリルオキシ−1−メ
チル−プロピル)−2,5−ジメチル−シクロペンタ−
1−エン−1−イル トリフレート(152N、0.2
74mmo 1)をアルゴン雰囲気下、THF (2m
l)に溶解し、塩化リチウム(35■、0.83mmo
I)、テトラキス〔トリフェニルホスフィン〕パラジ
ウム(10■、3mo1M+)及び、ビニルトリブチル
スズ(104wg、0.329mo l)を加え、9時
間加熱還流した0反応液にヘキサンを加え、水、10%
アンモニア水、水の順に洗浄した。有機層を乾燥後濃縮
して得た残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(
ヘキサン/トルエン 10:1)により精製し、1−
(3−t−ブチルジフェニルシリルオキシーl−メチル
−プロピル)−1,3−ジメチル−2−エチニル−シク
ロペンタ−2−エンを64■(64,0%)得た。
施例1 2−(3−t−ブチルジフェニルシリルオキシ−1−メ
チル−プロピル)−2,5−ジメチル−シクロペンタ−
1−エン−1−イル トリフレート(152N、0.2
74mmo 1)をアルゴン雰囲気下、THF (2m
l)に溶解し、塩化リチウム(35■、0.83mmo
I)、テトラキス〔トリフェニルホスフィン〕パラジ
ウム(10■、3mo1M+)及び、ビニルトリブチル
スズ(104wg、0.329mo l)を加え、9時
間加熱還流した0反応液にヘキサンを加え、水、10%
アンモニア水、水の順に洗浄した。有機層を乾燥後濃縮
して得た残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(
ヘキサン/トルエン 10:1)により精製し、1−
(3−t−ブチルジフェニルシリルオキシーl−メチル
−プロピル)−1,3−ジメチル−2−エチニル−シク
ロペンタ−2−エンを64■(64,0%)得た。
TLC上のRf値: 0.26 (ヘキサン)’H−N
MR(CDCl2 ):δ0.65 (d。
MR(CDCl2 ):δ0.65 (d。
3H,J−7Hz>、1.06 (!1.9H)。
1.13 (s、3H)、1.75 (s、3H)。
3.6−3.85 (m、2H)、5.08 (bd
。
。
IH,J=l IHz)、5.22 (bd、LH。
J=16.5Hz)、6.30 (dd、IH,J=1
1and16.5Hz)、7.3−7.55(m、6H
)、7.55−7.8 (m、4H)。
1and16.5Hz)、7.3−7.55(m、6H
)、7.55−7.8 (m、4H)。
[R(neat):1640cm″’(C−C)。
MASS (m/z): 375,297゜199゜
参考例7
l−(3−t−ブチルジフェニルシリルオキシ−1−メ
チル−プロピル)−1,3−ジメチル−2−エチニル−
シクロペンター2−エン(267aw。
チル−プロピル)−1,3−ジメチル−2−エチニル−
シクロペンター2−エン(267aw。
0.617mmo I)をトルxン(2ml) に?1
jMし、アセチレンジカルボン酸メチル(277ayr
。
jMし、アセチレンジカルボン酸メチル(277ayr
。
・2.47mmo l)を加え、120’cで10時間
攪拌した0反応液を濃縮して得た残さをシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(ヘキサン/エーテル4:l)に
より精製し、1.7−シメチルー2゜3−ビス(メトキ
シカルボニル)−7−(3−を−ブチルジフェニルシリ
ルオキシ−1−メチル−プロピル)ビシクロ(4,3,
0)ノナ−2,5−ジエンを291■(82,0%)得
た。
攪拌した0反応液を濃縮して得た残さをシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(ヘキサン/エーテル4:l)に
より精製し、1.7−シメチルー2゜3−ビス(メトキ
シカルボニル)−7−(3−を−ブチルジフェニルシリ
ルオキシ−1−メチル−プロピル)ビシクロ(4,3,
0)ノナ−2,5−ジエンを291■(82,0%)得
た。
TLC上のRf値:0.42(ヘキサン−エーテル2:
1) rR(neat): 1730cm−’ (C−0)。
1) rR(neat): 1730cm−’ (C−0)。
MASS (m/z): 543 (M”−OMe)。
517.501゜
参考例日
1.7−シメチルー2.3−ビス(メトキシカルボニル
)−7−(3−t−ブチルジフェニルシリルオキシ−1
−メチル−プロピル)ビシクロ(4,3,0)ノナ−2
,5−ジエン(170■。
)−7−(3−t−ブチルジフェニルシリルオキシ−1
−メチル−プロピル)ビシクロ(4,3,0)ノナ−2
,5−ジエン(170■。
0.30mmol)を4%弗化水素含有アセトニトリル
(2ml)に溶解し、3℃で3日間攪拌した。
(2ml)に溶解し、3℃で3日間攪拌した。
反応液中に、エーテルを加え、水にて洗浄後、乾燥、濃
縮した。得られたオイル状残さをシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(ヘキサン/エーテル 1:1)により
精製し、1.7−シメチルー2.3−ビス(メトキシカ
ルボニル)−7−(3−ヒドロキシ−1−メチル−プロ
ピル)ビシクロ(4,3,0)ノナ−2,5−ジエンを
76■(76,4%)得た。
縮した。得られたオイル状残さをシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(ヘキサン/エーテル 1:1)により
精製し、1.7−シメチルー2.3−ビス(メトキシカ
ルボニル)−7−(3−ヒドロキシ−1−メチル−プロ
ピル)ビシクロ(4,3,0)ノナ−2,5−ジエンを
76■(76,4%)得た。
TLC上のRf値:0.15(ヘキサン/エーテル
1 : 1) ’HNMR(CDCl2):δ0.90 (S。
1 : 1) ’HNMR(CDCl2):δ0.90 (S。
3H,J=7Hz)、1.01 (s、3H)。
1.19 (s、3H)、2.97 (d、IH,J
=2Hz)、3.14 (d、LH,J−6Hz)。
=2Hz)、3.14 (d、LH,J−6Hz)。
3.76and3.82 (2s、2X3H)。
5.50 (cla、 IH,J=6and1.5
H2)。
H2)。
IR(neat) :3450 (○H)、172
5cn−’ (C=0)。
5cn−’ (C=0)。
MASS (m/z) : 336 (M’)
、 32 1゜305、 289゜ 参考例9 C113CxJC 1,7−シメチルー2,3−ビス(メトキシカルボニル
)−7−(3−ヒドロキシ−1−メチル−プロピル)ビ
シクロ(4,3,0)ノナ−2,5−ジエン(59m、
0.175mmo l)をアセトン(3ml)に溶解し
、0℃に冷却下、攪拌しながら8NのJones試薬(
150pl、5当it)を滴下した。50分間撹拌した
後イソプロピルアルコールを数滴加え更に5分間攪拌し
、エーテルにて抽出した。有機層を水にて洗浄したのち
0℃に冷却し、過剰のジアゾメタンのエーテル溶液を加
え、1時間攪拌した0反応液を濃縮して得たオイル状残
さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/
エーテル 2:1)により精製し、1.7−シメチルー
2.3−ビス(メトキシカルボニル)−7−(2−カル
ボキシメチル−1−メチル−エチル)ビシクロ(4,3
,0)ノナ−2゜5−ジエンを43s+r(67,3%
)得た。
、 32 1゜305、 289゜ 参考例9 C113CxJC 1,7−シメチルー2,3−ビス(メトキシカルボニル
)−7−(3−ヒドロキシ−1−メチル−プロピル)ビ
シクロ(4,3,0)ノナ−2,5−ジエン(59m、
0.175mmo l)をアセトン(3ml)に溶解し
、0℃に冷却下、攪拌しながら8NのJones試薬(
150pl、5当it)を滴下した。50分間撹拌した
後イソプロピルアルコールを数滴加え更に5分間攪拌し
、エーテルにて抽出した。有機層を水にて洗浄したのち
0℃に冷却し、過剰のジアゾメタンのエーテル溶液を加
え、1時間攪拌した0反応液を濃縮して得たオイル状残
さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/
エーテル 2:1)により精製し、1.7−シメチルー
2.3−ビス(メトキシカルボニル)−7−(2−カル
ボキシメチル−1−メチル−エチル)ビシクロ(4,3
,0)ノナ−2゜5−ジエンを43s+r(67,3%
)得た。
TLC上のRf値1.53(ヘキサン/エーテル 1
: 1) ’H−NMR(CDCI3):δ0.95 (d。
: 1) ’H−NMR(CDCI3):δ0.95 (d。
3H,J=6Hz)、1.01 (s、3H)。
1.22 (s、3H)、2.97 (d、LH,J=
2Hz)、3.13 (d、LH,J−6Hz)。
2Hz)、3.13 (d、LH,J−6Hz)。
3.69,3.76and3.83 (3g、3x3H
)、5.52 (dd、 IH,J=6and1.
5Hz)。
)、5.52 (dd、 IH,J=6and1.
5Hz)。
IR(neat) :1735 (C−0)。
1630 (C=C)、 1260C1m−’
(C−0)。
(C−0)。
MASS (m/z) : 349 (M”−
15)。
15)。
333、 318. 317゜
参考例10
CI−1,CすC
1,7−シメチルー2,3−ビス(メトキシカルボニル
)−7−(t−ブチルジフェニルシリルオキシ−1−メ
チル−プロピル)ビシクロ(4,3゜0]ノナ−2,5
−ジエン(89■、0.155mmol)を塩化メチレ
ン(2ml)に溶解し、0.5M NaHfPO4(
0,5m1)及び、0.5MN a mHP O< (
0,5m l )の存在下にm−クロル過安息香酸(3
2*、0.185mmo l)を加え、室温で2日間攪
拌した。 反応液中に10%チオ硫酸ナトリウムを加え
て30分間攪拌した後、塩化メチレンを加え、飽和重曹
水、水にて洗浄した。有JaNを乾燥後濃縮して得た残
さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/
エーテル 4:l)により精製し、1.7−シメチルー
2.3−ビス(メトキシカルボニル)−5,6−オキソ
−7−(5−t−ブチルジフェニルシリルオキシ−1−
メチル−プロピル)ビシクロ(4,3゜0〕ノナ−2−
エンを26■(28,4%)得た。
)−7−(t−ブチルジフェニルシリルオキシ−1−メ
チル−プロピル)ビシクロ(4,3゜0]ノナ−2,5
−ジエン(89■、0.155mmol)を塩化メチレ
ン(2ml)に溶解し、0.5M NaHfPO4(
0,5m1)及び、0.5MN a mHP O< (
0,5m l )の存在下にm−クロル過安息香酸(3
2*、0.185mmo l)を加え、室温で2日間攪
拌した。 反応液中に10%チオ硫酸ナトリウムを加え
て30分間攪拌した後、塩化メチレンを加え、飽和重曹
水、水にて洗浄した。有JaNを乾燥後濃縮して得た残
さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/
エーテル 4:l)により精製し、1.7−シメチルー
2.3−ビス(メトキシカルボニル)−5,6−オキソ
−7−(5−t−ブチルジフェニルシリルオキシ−1−
メチル−プロピル)ビシクロ(4,3゜0〕ノナ−2−
エンを26■(28,4%)得た。
TLC上(7)Rr値:0.29(ヘキサン/エーテル
2:1) ’H−NMI? (CDCIり:50.70 (d。
2:1) ’H−NMI? (CDCIり:50.70 (d。
3’H,J−7Hz)、1.04 (s、9H)。
1.27 (s、3H)、1.53 (s、3H)。
2.76 (bs、 2H)、 3.40 (
bs、 IH)。
bs、 IH)。
3.74and3.79 (2s、 6H)、
7.3−7.55 (m、 6H)、 7.55
−7.8 (m。
7.3−7.55 (m、 6H)、 7.55
−7.8 (m。
4H)。
参考例11
1.7−シメチルー2.3−ビス(メトキシカルボニル
)−7−(2−メトキシカルボニル−1−メチル−エチ
ル)ビシクロ(4,3,0)ノナ−2,5−ジエン(4
3w、0.112mmo 1)を塩化メチレン(2m
l )に溶解し、0.5MN a HiP Os (0
,5m l )及び、0.5MNatHPOa (0,
5m1)の存在下にm−クロル過安息香酸(41m+r
、0.238mmo りを加え、5℃で7日間攪拌した
0反応液中に10%チオ硫酸ナトリウムを加えて30分
間攪拌した後、塩化メチレンを加え、水にて洗浄した。
)−7−(2−メトキシカルボニル−1−メチル−エチ
ル)ビシクロ(4,3,0)ノナ−2,5−ジエン(4
3w、0.112mmo 1)を塩化メチレン(2m
l )に溶解し、0.5MN a HiP Os (0
,5m l )及び、0.5MNatHPOa (0,
5m1)の存在下にm−クロル過安息香酸(41m+r
、0.238mmo りを加え、5℃で7日間攪拌した
0反応液中に10%チオ硫酸ナトリウムを加えて30分
間攪拌した後、塩化メチレンを加え、水にて洗浄した。
有機層を乾燥後濃縮して得た残さをシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー(ヘキサン/エーテル 2:l)によ
り精製し、1.7−シメチルー2.3−ビス(メトキシ
カルボニル)−5,6−オキソ−7−(2−メトキシカ
ルボニル−1−メチル−エチル)ビシクロ(4,3,0
)ノナ−2−エンを9■(20,1%)得た。
ロマトグラフィー(ヘキサン/エーテル 2:l)によ
り精製し、1.7−シメチルー2.3−ビス(メトキシ
カルボニル)−5,6−オキソ−7−(2−メトキシカ
ルボニル−1−メチル−エチル)ビシクロ(4,3,0
)ノナ−2−エンを9■(20,1%)得た。
TLC上のRr値=0.35(へキサン/エーテル1:
1) ’H−NMR(CDCl2):δ0.90 (d。
1) ’H−NMR(CDCl2):δ0.90 (d。
3H,J−5Hz)、1.04 (s、3H)。
1.29 (a、3H)、3.48 (da、IH。
J−3and0.5Hz)、3.69,3.76and
3.80 (3g、3x3H)。
3.80 (3g、3x3H)。
IR(neat) :1730 (C−0)。
1650 (C−C)、 1260 (C−0)
。
。
1 050cm−’ (C−0> 。
MASS (m/z) : 380 (M”)、
349゜320、 317. 247゜ 参考例12 C1i300C 1,7−シメチルー2.3−ビス(メトキシカルボニル
)−5,6−オキソ−7−(5−t−ブチルジフェニル
シリルオキシ−1−メチル−プロピル)ビンクロ(4,
3,0)ノナ−2−エン(26q、0.044mmo
I)を塩化メチレン(l m l )に溶解し、0℃に
冷却下、トリメチルシリルトリフレート(8,5,lj
1.0.044mmo l)を加え、30分間攪拌し
た。反応液に飽和重曹水と塩化メチレンを加え、有機層
を水で洗浄した後、乾燥、濃縮して得た残さをPTLC
(ヘキサン/エーテル 1:1)により精製し、6.7
−ジメチル=2.3−ヒス(メトキシカルボニル)−5
−ヒドロキシ−7−(5−1−ブチルジフェニルシリル
オキシ−1−メチル−プロピル)ビシクロ[4,3゜0
]ノナ−2,9−ジエンを1■(3,8%)得た。・’
H−NMR(CDCIs):δ1.04 (s。
349゜320、 317. 247゜ 参考例12 C1i300C 1,7−シメチルー2.3−ビス(メトキシカルボニル
)−5,6−オキソ−7−(5−t−ブチルジフェニル
シリルオキシ−1−メチル−プロピル)ビンクロ(4,
3,0)ノナ−2−エン(26q、0.044mmo
I)を塩化メチレン(l m l )に溶解し、0℃に
冷却下、トリメチルシリルトリフレート(8,5,lj
1.0.044mmo l)を加え、30分間攪拌し
た。反応液に飽和重曹水と塩化メチレンを加え、有機層
を水で洗浄した後、乾燥、濃縮して得た残さをPTLC
(ヘキサン/エーテル 1:1)により精製し、6.7
−ジメチル=2.3−ヒス(メトキシカルボニル)−5
−ヒドロキシ−7−(5−1−ブチルジフェニルシリル
オキシ−1−メチル−プロピル)ビシクロ[4,3゜0
]ノナ−2,9−ジエンを1■(3,8%)得た。・’
H−NMR(CDCIs):δ1.04 (s。
9H)、1.27 (s、3H)、3.77and3.
83 (2g、6H)、5.85 (bs、LH)。
83 (2g、6H)、5.85 (bs、LH)。
7.3−7.55 (m、6H)、7.55−7.8(
m、4H)。
m、4H)。
参考例13
COOCI(3
1,7−シメチルー2.3−ビス(メトキシカルボニル
)−5,6−オキソ−7−(2−メトキシカルボニル−
1−メチル−エチル)ビシクロ〔4゜3.0]ノナ−2
−エン(5w、0.013mmo 1)を塩化メチレン
(0,5m1)に溶解し、0℃に冷却下、トリメチルシ
リルトリフレートの塩化メチレン溶液(0,05N、2
90μl、0.014m−mo+)を加え、30分間攪
拌した0反応液に飽和重曹水と塩化メチレンを加え、有
機層を水で洗浄した後、乾燥、濃縮して得た残さをPT
LC(トルエン/酢酸エチル 4:1)により精製し、
6.7−シメチルー2.3−ビス(メトキシカルボニル
)−5−ヒドロキシ−7−(2−メトキシカルボニル−
1−メチル−エチル)ビシクロ〔4゜3.0〕ノナ−2
,9−ジエンを1■(20%)得た。
)−5,6−オキソ−7−(2−メトキシカルボニル−
1−メチル−エチル)ビシクロ〔4゜3.0]ノナ−2
−エン(5w、0.013mmo 1)を塩化メチレン
(0,5m1)に溶解し、0℃に冷却下、トリメチルシ
リルトリフレートの塩化メチレン溶液(0,05N、2
90μl、0.014m−mo+)を加え、30分間攪
拌した0反応液に飽和重曹水と塩化メチレンを加え、有
機層を水で洗浄した後、乾燥、濃縮して得た残さをPT
LC(トルエン/酢酸エチル 4:1)により精製し、
6.7−シメチルー2.3−ビス(メトキシカルボニル
)−5−ヒドロキシ−7−(2−メトキシカルボニル−
1−メチル−エチル)ビシクロ〔4゜3.0〕ノナ−2
,9−ジエンを1■(20%)得た。
TLC上のRf値:0.40(トルエン/酢酸エチル
4:1) ’H−NMR(CDCIり:δ0.94 (d。
4:1) ’H−NMR(CDCIり:δ0.94 (d。
3H,J=6.5Hz)、0.96 (s、3H)。
1.24 (s、3H)、3.64,3.73and3
.81 (3s、3X3H)、6.64 (d。
.81 (3s、3X3H)、6.64 (d。
IH,J=3Hz) 。
IR(neat):3450 (OH)。
1730 (C=O)、1250cm−’ (C−0)
。
。
MASS (m/z):381 (M+1”)。
349.333,317.280,279゜参考例14
6.7−シメチルー2,3−ビス(メトキシカルボニル
)−5−ヒドロキシ−7−(2−メトキシカルボニル−
1−メチル−エチル)ビシクロ〔4゜3.0〕ノナ−2
,9−ジエン(2■、o、oosmmol)をメタノー
ル(0,6m1)に溶解し、水冷下、水酸化リチウム水
溶液(0,3N、0.3m1)を加えて9時間攪拌した
0反応液をイオン交換樹脂Dowex50 (H”)
にて中和し、イオン交換樹脂を濾別した後、濾液を濃縮
して6.7−シメチルー2.3−カルボキシ−5−ヒド
ロキシ=7−(2−カルボキシ−1−メチル−エチル)
ビシクロ〔4,3,0〕ノナ−2,9−ジエンを2■(
quant)得た0本物質はTLC(アセトニトリル/
水 5:1)主車−なスポット(Rf−0,7)を与え
、更に精製することなく活性試験に供した。
)−5−ヒドロキシ−7−(2−メトキシカルボニル−
1−メチル−エチル)ビシクロ〔4゜3.0〕ノナ−2
,9−ジエン(2■、o、oosmmol)をメタノー
ル(0,6m1)に溶解し、水冷下、水酸化リチウム水
溶液(0,3N、0.3m1)を加えて9時間攪拌した
0反応液をイオン交換樹脂Dowex50 (H”)
にて中和し、イオン交換樹脂を濾別した後、濾液を濃縮
して6.7−シメチルー2.3−カルボキシ−5−ヒド
ロキシ=7−(2−カルボキシ−1−メチル−エチル)
ビシクロ〔4,3,0〕ノナ−2,9−ジエンを2■(
quant)得た0本物質はTLC(アセトニトリル/
水 5:1)主車−なスポット(Rf−0,7)を与え
、更に精製することなく活性試験に供した。
試験例1
ダイズシスト線虫のシストを1o日間25℃で蒸留水に
浸漬後、卵を取り出し、蒸留水中約100個/mlに調
製した。
浸漬後、卵を取り出し、蒸留水中約100個/mlに調
製した。
この線虫卵を前記参考例、実施例のごとく製造した6、
7−シメチルー2.3−カルボキシ−5−ヒドロキシ−
7−(2−カルボキシ−1−メチル−エチル)ビシクロ
(4,3,0)ノナ−2゜9−ジエンの水溶液(10−
’〜10−”g/m l)の存在下に25℃でlO日間
培養した。尚、対照用に蒸留水のみでの培養を行った。
7−シメチルー2.3−カルボキシ−5−ヒドロキシ−
7−(2−カルボキシ−1−メチル−エチル)ビシクロ
(4,3,0)ノナ−2゜9−ジエンの水溶液(10−
’〜10−”g/m l)の存在下に25℃でlO日間
培養した。尚、対照用に蒸留水のみでの培養を行った。
4化した幼虫および、卿化せずに残った卵の個体数を顕
微鏡下に数え、全個体数に対するM化した幼虫のυj合
をPL、同じく蒸留水中での卿化率をpwとした。
微鏡下に数え、全個体数に対するM化した幼虫のυj合
をPL、同じく蒸留水中での卿化率をpwとした。
試駆の結果、6,7−シメチルー2.3−ジカルボキシ
−5−ヒドロキノ−7−(2−カルボキシ−1−ノナル
ーエチル)ビシクロ(4,3,0)ノナ−2,9−ジエ
ンは10−@g/mlでpt−43%の活性を示したの
に対し、Pwは22%であった。
−5−ヒドロキノ−7−(2−カルボキシ−1−ノナル
ーエチル)ビシクロ(4,3,0)ノナ−2,9−ジエ
ンは10−@g/mlでpt−43%の活性を示したの
に対し、Pwは22%であった。
Claims (1)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Rは水素原子または水酸基の保護基である。 で表わされる1,3−ジメチル−2−エテニル−3−(
3−オキシ−1−メチルプロピル)シクロペンテン類。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62049936A JPS63216837A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 新規ビニルシクロペンテン類 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62049936A JPS63216837A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 新規ビニルシクロペンテン類 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63216837A true JPS63216837A (ja) | 1988-09-09 |
Family
ID=12844908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62049936A Pending JPS63216837A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 新規ビニルシクロペンテン類 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63216837A (ja) |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP62049936A patent/JPS63216837A/ja active Pending
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