JPS63215681A - 新規セフエム化合物 - Google Patents
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Landscapes
- Cephalosporin Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明の下記一般式(I)で示されるセフェム化合物
およびその塩は抗菌活性を有し、医薬として有用である
。
およびその塩は抗菌活性を有し、医薬として有用である
。
1従来の技術。
セフェム化合物は数多く知られているが、この発明の下
記一般式(I)で示されるセフェム化合物は知られてい
ない。
記一般式(I)で示されるセフェム化合物は知られてい
ない。
r発明が解決しようとする問題点」
抗菌作用を有し、医薬として有用なセフェム化合物は数
多く知られているが、この発明はきらに優れた医薬品の
開発を意図してなされたものである。
多く知られているが、この発明はきらに優れた医薬品の
開発を意図してなされたものである。
r問題点を解決するための手段。
この発明は新規セフェム化合物およびその塩に関する。
更に詳しくは、この発明は、抗菌活性を有する新規セフ
ェム化合物およびその塩、それらの製造法およびそれら
の原料化合物に関する。
ェム化合物およびその塩、それらの製造法およびそれら
の原料化合物に関する。
目的とするセフェム化合物およびその塩は新規であり、
下記の一般式(I>で表わすことができる。
下記の一般式(I>で表わすことができる。
[式中、Rはアミン基または保護きれたアミン基、R2
は水素原子または有機基、R3はカルボキン基、−co
oeまたは保護きれたカルボキシ基、 R4は適当な置換基を持っていてもよい複素環式チオメ
チル基または 式ニーCH2−N、、、′: で表わきれる基(式中
、\、、、、、/ い、少なくとも1個の窒素原子を有する複素環陽イオン
基)をそれぞれ意味するコ 本発明によれば、目的化合物は次の方法で製造すること
ができる。
は水素原子または有機基、R3はカルボキン基、−co
oeまたは保護きれたカルボキシ基、 R4は適当な置換基を持っていてもよい複素環式チオメ
チル基または 式ニーCH2−N、、、′: で表わきれる基(式中
、\、、、、、/ い、少なくとも1個の窒素原子を有する複素環陽イオン
基)をそれぞれ意味するコ 本発明によれば、目的化合物は次の方法で製造すること
ができる。
製法1
(I) (III)はその塩
またはその塩
またはその塩
[式中、R1、R2、R3およびR4は前と同じ意味、
R1は保護きれたアミン基を意味する]原料化合物(I
[)は新規化合物で、次に示す方法で製造することがで
きる。
[)は新規化合物で、次に示す方法で製造することがで
きる。
またはその塩 またはその塩
■
(vb)
製法B
(V) (VI)またはそ
の塩 (■) またはその塩 (■) またはその塩 (IX) またはその塩 [式中、R1、R1およびR2は前と同じ意味、R5は
低級アルキル基、R6は低級アルキル基をそれぞれ意味
する] 化合物(1)、(Ia)、(Ib)および<I[[)に
ついて、該化合物は、シン異性体アンチ異性体およびそ
の混合物をも含有するものとする。
の塩 (■) またはその塩 (■) またはその塩 (IX) またはその塩 [式中、R1、R1およびR2は前と同じ意味、R5は
低級アルキル基、R6は低級アルキル基をそれぞれ意味
する] 化合物(1)、(Ia)、(Ib)および<I[[)に
ついて、該化合物は、シン異性体アンチ異性体およびそ
の混合物をも含有するものとする。
例えば、目的化合物(I)に関して、シン異性体とは下
記の式: (式中、R1およびR2は前と同じ意味)で示される部
分構造を有する一つの幾何異性体を意味し、アンチ異性
体とは下記の式: (式中、R1およびR2は前と同じ意味)で示される部
分構造を有する別の幾何異性体を意味する。
記の式: (式中、R1およびR2は前と同じ意味)で示される部
分構造を有する一つの幾何異性体を意味し、アンチ異性
体とは下記の式: (式中、R1およびR2は前と同じ意味)で示される部
分構造を有する別の幾何異性体を意味する。
目的化合物(I)の適当な塩は通常の無毒性塩であって
、アルカリ金属塩(たとえばナトリウム塩、カリウム塩
、その他)やアルカリ土類金属塩(たとえばカルシウム
塩、マグネシウム塩、そのfli! )のような金属塩
、アンモニウム塩、有機塩基塩(たとえばトリメチルア
ミン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、ピッリン塩
、ジシクロヘキシルアミン塩、N、N−ジベンジルエチ
レンジアミン塩、その他)、有機酸塩(たとえば酢酸塩
、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン酸塩、ベン
ゼンスルホン酸塩、ギ酸塩、トルエンスルホン酸塩、そ
の他)、無機酸塩(たとえば塩酸塩、臭化水素酸塩、硫
酸塩、リン酸塩、その他)、アミノ酸(たとえばアルギ
ニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、その他)との塩
、などを包含する。
、アルカリ金属塩(たとえばナトリウム塩、カリウム塩
、その他)やアルカリ土類金属塩(たとえばカルシウム
塩、マグネシウム塩、そのfli! )のような金属塩
、アンモニウム塩、有機塩基塩(たとえばトリメチルア
ミン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、ピッリン塩
、ジシクロヘキシルアミン塩、N、N−ジベンジルエチ
レンジアミン塩、その他)、有機酸塩(たとえば酢酸塩
、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン酸塩、ベン
ゼンスルホン酸塩、ギ酸塩、トルエンスルホン酸塩、そ
の他)、無機酸塩(たとえば塩酸塩、臭化水素酸塩、硫
酸塩、リン酸塩、その他)、アミノ酸(たとえばアルギ
ニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、その他)との塩
、などを包含する。
以上の及び以下のこの明細書の説明において、本発明が
その範囲の中に包含きれる種々の定義の適当な実例や説
明が、以下に詳細に説明きれる。
その範囲の中に包含きれる種々の定義の適当な実例や説
明が、以下に詳細に説明きれる。
「低級、という用語は、他に断らぬ限り1〜6個の炭素
原子を意味するものとして用いられる。
原子を意味するものとして用いられる。
適当な1保護されたアミノ基、としてはアシルアミノ基
又は、少くとも1個の適当な置換基を持っていてもよい
アル(低級)アルキル(たとえばヘンシル、トリチル、
その他)のような通常の保護基で置換されているアミン
基が挙げられる。
又は、少くとも1個の適当な置換基を持っていてもよい
アル(低級)アルキル(たとえばヘンシル、トリチル、
その他)のような通常の保護基で置換されているアミン
基が挙げられる。
上記1アシルアミノ基、における適当なアシル基として
は脂肪族のアシル基や、芳香族の又は複素環式の環を含
むアシル基を包含することができる。そして該アシル基
の適当な例は低級アルカノイル(たとえばホルミル、ア
セチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレ
リル、インバレリル、オキサリル、サクシニル、ピバロ
イル、その他);低級アルコキシカルボニル(たとえば
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシ
カルボニル カルポニル、イソプロポキシカルボニルンカルボニル チルオキンカルポニル、ヘキシルオキシカルボニル、そ
の他):低級アルカンスルホニル(たとえばメシル、エ
タンスルホニル、プロパンスルホニル、イソプロパンス
ルホニL,ブタンスルホニル、その他);アレーンスル
ホニル(たとえばベンゼンスルホニル、トシル、モのイ
也);アロイル(たとえばベンゾイル、トルオイル、キ
シロイル、ナフトイル、フタロイJ呟 インダンカルボ
ニル、その他);アル(低級)アルカノイル(たとえば
フェニルアセチル、フェニルプロピオニル、その他);
アル(低級)アルコキシカルボニル(タトエばベンジル
オキシカルボニル、フェネチルオキシカルボニル、その
他)、等である。
は脂肪族のアシル基や、芳香族の又は複素環式の環を含
むアシル基を包含することができる。そして該アシル基
の適当な例は低級アルカノイル(たとえばホルミル、ア
セチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレ
リル、インバレリル、オキサリル、サクシニル、ピバロ
イル、その他);低級アルコキシカルボニル(たとえば
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシ
カルボニル カルポニル、イソプロポキシカルボニルンカルボニル チルオキンカルポニル、ヘキシルオキシカルボニル、そ
の他):低級アルカンスルホニル(たとえばメシル、エ
タンスルホニル、プロパンスルホニル、イソプロパンス
ルホニL,ブタンスルホニル、その他);アレーンスル
ホニル(たとえばベンゼンスルホニル、トシル、モのイ
也);アロイル(たとえばベンゾイル、トルオイル、キ
シロイル、ナフトイル、フタロイJ呟 インダンカルボ
ニル、その他);アル(低級)アルカノイル(たとえば
フェニルアセチル、フェニルプロピオニル、その他);
アル(低級)アルコキシカルボニル(タトエばベンジル
オキシカルボニル、フェネチルオキシカルボニル、その
他)、等である。
以上に述べたようなアシル基は、たとえばハロゲン(塩
素、臭素、フッ素及びヨウ素)等のような適当な置換基
を少くとも1個持っていてもよい。
素、臭素、フッ素及びヨウ素)等のような適当な置換基
を少くとも1個持っていてもよい。
適当な1有機基,としては例えば、低級アルキル基、モ
ノもしくはジもしくはトリハロ(低級)アルキル基、低
級アルケニル基、低級アルキニル基、アリール基、アル
(低級)アルキル基、ハロ(低級)アルカノイル基を含
み、これらの基の具体例を挙げると次のとおりである。
ノもしくはジもしくはトリハロ(低級)アルキル基、低
級アルケニル基、低級アルキニル基、アリール基、アル
(低級)アルキル基、ハロ(低級)アルカノイル基を含
み、これらの基の具体例を挙げると次のとおりである。
低級アルキル基としては例えば、メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第3級ブチ
ノ呟ペンチル、ネオペンチル、第3級ペンデル、ヘキシ
ル等が挙げられ、モノもしくはジもしくはトリハロ(低
級)アルキル基としては例えば、クロロメチル、ジクロ
ロメチル、トリクロロメチル、ブロモメチル、ジフルオ
ロメチル、クロロエチル、ジクロロエチル、トリクロロ
エチル、フルオロエチル、トリフルオロエチル等が挙げ
られ、低級アルケニル基としては例えば、ビニル、1−
プロペニル、アリル、1−メチルアリル、1−、2−も
しくは3−ブテニル、1−、2−、3−もしくは4−ペ
ンテニル、1−、2−、3−、4−もしくは5−へキセ
ニル等が挙げられ、低級アルキニル基としては例えば、
エチニル、1−プロピニル、プロパルギル、1−メチル
プロパルギル、1−、2−もしくは3−ブチニル、1−
、2−、3−もしくは4−ペンチニル、1−、2−、3
−、4−もしくは5−へキシニル等が挙げられ、アリー
ル基としては例えば、フェニル、トリル、キシリル、ク
メニル、ナフチル等が挙げられ、アル(低級)アルキル
基としては例エバ、ヘンシル、フェネチル、フェニルプ
ロピル等のフェニル(低級)アルキル基等が挙げられ、
ハロ(低級)アルカノイル基としては例えば、クロロア
セチル、ジクロロアセチル等が挙げられる。
ピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第3級ブチ
ノ呟ペンチル、ネオペンチル、第3級ペンデル、ヘキシ
ル等が挙げられ、モノもしくはジもしくはトリハロ(低
級)アルキル基としては例えば、クロロメチル、ジクロ
ロメチル、トリクロロメチル、ブロモメチル、ジフルオ
ロメチル、クロロエチル、ジクロロエチル、トリクロロ
エチル、フルオロエチル、トリフルオロエチル等が挙げ
られ、低級アルケニル基としては例えば、ビニル、1−
プロペニル、アリル、1−メチルアリル、1−、2−も
しくは3−ブテニル、1−、2−、3−もしくは4−ペ
ンテニル、1−、2−、3−、4−もしくは5−へキセ
ニル等が挙げられ、低級アルキニル基としては例えば、
エチニル、1−プロピニル、プロパルギル、1−メチル
プロパルギル、1−、2−もしくは3−ブチニル、1−
、2−、3−もしくは4−ペンチニル、1−、2−、3
−、4−もしくは5−へキシニル等が挙げられ、アリー
ル基としては例えば、フェニル、トリル、キシリル、ク
メニル、ナフチル等が挙げられ、アル(低級)アルキル
基としては例エバ、ヘンシル、フェネチル、フェニルプ
ロピル等のフェニル(低級)アルキル基等が挙げられ、
ハロ(低級)アルカノイル基としては例えば、クロロア
セチル、ジクロロアセチル等が挙げられる。
適当な1保護されたカルボキシ基」としては、エステル
化されたカルボキシ基、その他を包含することができる
。
化されたカルボキシ基、その他を包含することができる
。
該エステル化されたカルボキシ基中のエステル残基とし
ては次のようなものであってよい.すなわち、低級アル
キルエステル(たとえばメチルエステル、エチルエステ
ル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチル
エステル、イソブチルエステル、t−ブチルエステル、
ペンチルエスチル、ヘキシルエステル、その他)、ただ
しこれらは少くとも1個の置換基を持っていてもよく、
たとえば低級アルカノイルオキシ(低級)アルキルエス
テル(たとえばアセトキシメチルエステル、プロピオニ
ルオキシメチルエステル、ブチリルオキシメチルエステ
ル、バレリルオキシメチルエステル、ピバロイルオキシ
メチルエステル、2−アセトキシエチルエステル、2−
プロピオニルオキシエチルエステル、ヘキサノイルオキ
シメチルエステル、その他)、低級アルカンスルホニル
(低級)アルキルエステル(たとえば2−メシルエチル
エステル、その他)又はモノ(又はジ又はトリ)ハロ(
低級)アルキルエステル(たとえば2−ヨウドエチルエ
ステル、2,2.2−1−リクロロエチルエステル、そ
の他)であってよい;低級アルケニルエステル(たとえ
ばビニルエステル、アリルエステル、その他);低級ア
ルキニルエステル(たとえばエチニルエステル、プロピ
ニルエステル、その他):少くとも1個の適当な置換基
を持っていてもよいアル(低級)アルキルエステル(た
とえばベンジルエステル、4−メトキシベンジルエステ
ル、4−ニトロベンジルエステル、フェネチルエステル
、トリチルエステル、ベンズヒドリルエステル、ビス(
メトキシフェニル)メチルエステル、3.4−ジメトキ
シベンジルエステル、4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t
−ブチルベンジルエステル、その他);少くとも1個の
適当な置換基を持っていてもよいアリールエステル(り
とえばフェニルエステル、4−クロロフェニルエステル
、トリルエステル、t−ブチルフェニルエステル、キシ
リルエステル、メシチルエステル、クメニルエステル、
その他);その他。
ては次のようなものであってよい.すなわち、低級アル
キルエステル(たとえばメチルエステル、エチルエステ
ル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチル
エステル、イソブチルエステル、t−ブチルエステル、
ペンチルエスチル、ヘキシルエステル、その他)、ただ
しこれらは少くとも1個の置換基を持っていてもよく、
たとえば低級アルカノイルオキシ(低級)アルキルエス
テル(たとえばアセトキシメチルエステル、プロピオニ
ルオキシメチルエステル、ブチリルオキシメチルエステ
ル、バレリルオキシメチルエステル、ピバロイルオキシ
メチルエステル、2−アセトキシエチルエステル、2−
プロピオニルオキシエチルエステル、ヘキサノイルオキ
シメチルエステル、その他)、低級アルカンスルホニル
(低級)アルキルエステル(たとえば2−メシルエチル
エステル、その他)又はモノ(又はジ又はトリ)ハロ(
低級)アルキルエステル(たとえば2−ヨウドエチルエ
ステル、2,2.2−1−リクロロエチルエステル、そ
の他)であってよい;低級アルケニルエステル(たとえ
ばビニルエステル、アリルエステル、その他);低級ア
ルキニルエステル(たとえばエチニルエステル、プロピ
ニルエステル、その他):少くとも1個の適当な置換基
を持っていてもよいアル(低級)アルキルエステル(た
とえばベンジルエステル、4−メトキシベンジルエステ
ル、4−ニトロベンジルエステル、フェネチルエステル
、トリチルエステル、ベンズヒドリルエステル、ビス(
メトキシフェニル)メチルエステル、3.4−ジメトキ
シベンジルエステル、4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t
−ブチルベンジルエステル、その他);少くとも1個の
適当な置換基を持っていてもよいアリールエステル(り
とえばフェニルエステル、4−クロロフェニルエステル
、トリルエステル、t−ブチルフェニルエステル、キシ
リルエステル、メシチルエステル、クメニルエステル、
その他);その他。
「複素環式チオメチル基」という用語における適当な複
素環式基は、少くとも1個のへテロ原子たとえば酸素、
イ才つ、窒素原子その他を含有するところの飽和又は不
飽和の、単環式の又は多環式の複素環式基を意味する。
素環式基は、少くとも1個のへテロ原子たとえば酸素、
イ才つ、窒素原子その他を含有するところの飽和又は不
飽和の、単環式の又は多環式の複素環式基を意味する。
そして特に好ましい複素環式基とは、たとえば次に掲げ
るような複素環式基であってよい、すなわち: 1〜4個の窒素原子を含む不飽和の3〜8員の複素単環
式基、たとえばピロリル、ピロリニル、イミダゾリル呟
ピラゾリル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、
ピリダジニル、トリアゾリル(たとえば4H−1,2,
4−トリアゾリル、IH−1,2,3−トリアゾリル;
2H−1,2,3−トリアゾリル呟その他)、テトラ
ゾリル(たとえばIH−テトラゾリル、2H−テトラゾ
リル、そのイ也)、ジヒドロトリアジニル(たとえば4
.5−ジヒド・ロー1.2.4− トリアジニル;2,
5−ジヒドロ−1,2,4−トリアジニル;その他)、
など: 1〜4個の窒素原子を含む飽和の3〜8員の複素単環式
基、たとえばピロリジニル、イミダゾリジニル、ピペリ
ジノ、ピペラジニル、など;1〜5個の窒素原子を含む
不飽和の縮合複素環式基、たとえばインドリル、インイ
ンドリju、イントリジニル、ベンズイミダゾリル、キ
ノリル、イソキノリル、インダゾリL、ベンゾトリアゾ
リル、テトラシロピリジ&、テトラシロピリダジニル(
たとえばテトラシロ[1,5−bコビリダジニル、その
イ也)、ジヒドロトリアゾロピリダジニル、など; 1〜2個の酸素原子及び1〜3個の窒素原子を含む不飽
和の3〜8員の複素単環式基、たとえばオキサシリル、
インキサゾリル、オキサジアゾリル(たとえば1.2.
4−才キサジアゾリル;1゜3.4−オキサジアゾリル
、1.2.5−オキサジアゾリル、その他)、など; 1〜2個の酸素原子及び1〜3個の窒素原子を含む飽和
の3〜8員の複素単環式基、たとえばモルホリニル、な
ど; 1〜2個の酸素原子及び1〜3個の窒素原子を含む不飽
和の縮合複素環式基、たとえばベンゾオキサシリル、ベ
ンゾオキサジアゾリル、など;1〜2個のイ才つ原子及
び1〜3個の窒素原子を含む不飽和の3〜8員の複素単
環式基、たとえば1.3−チアゾリル;1,2−チアゾ
リル;チアゾリニル;チアジアゾリル(たとえば1,2
.4−チアジアゾリル、1.3.4−チアジアゾリル;
1.2.5−チアジアゾリル、1.2.3−チアジアゾ
リル)、など; 1〜2個のイ才つ原子及び1〜3個の窒素原子を含む飽
和の3〜8員の複素単環式基、たとえばチアゾリジニル
、など; 1個のイ才つ原子を含む不飽和の3〜8員の複素単環式
基、たとえばチェニル、など;及び1〜2個のイオウ原
子及び1〜3個の窒素原子を含む不飽和の縮合複素環式
基、たとえばベンゾチアゾリル、ベンゾチアジアゾリル
、など。
るような複素環式基であってよい、すなわち: 1〜4個の窒素原子を含む不飽和の3〜8員の複素単環
式基、たとえばピロリル、ピロリニル、イミダゾリル呟
ピラゾリル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、
ピリダジニル、トリアゾリル(たとえば4H−1,2,
4−トリアゾリル、IH−1,2,3−トリアゾリル;
2H−1,2,3−トリアゾリル呟その他)、テトラ
ゾリル(たとえばIH−テトラゾリル、2H−テトラゾ
リル、そのイ也)、ジヒドロトリアジニル(たとえば4
.5−ジヒド・ロー1.2.4− トリアジニル;2,
5−ジヒドロ−1,2,4−トリアジニル;その他)、
など: 1〜4個の窒素原子を含む飽和の3〜8員の複素単環式
基、たとえばピロリジニル、イミダゾリジニル、ピペリ
ジノ、ピペラジニル、など;1〜5個の窒素原子を含む
不飽和の縮合複素環式基、たとえばインドリル、インイ
ンドリju、イントリジニル、ベンズイミダゾリル、キ
ノリル、イソキノリル、インダゾリL、ベンゾトリアゾ
リル、テトラシロピリジ&、テトラシロピリダジニル(
たとえばテトラシロ[1,5−bコビリダジニル、その
イ也)、ジヒドロトリアゾロピリダジニル、など; 1〜2個の酸素原子及び1〜3個の窒素原子を含む不飽
和の3〜8員の複素単環式基、たとえばオキサシリル、
インキサゾリル、オキサジアゾリル(たとえば1.2.
4−才キサジアゾリル;1゜3.4−オキサジアゾリル
、1.2.5−オキサジアゾリル、その他)、など; 1〜2個の酸素原子及び1〜3個の窒素原子を含む飽和
の3〜8員の複素単環式基、たとえばモルホリニル、な
ど; 1〜2個の酸素原子及び1〜3個の窒素原子を含む不飽
和の縮合複素環式基、たとえばベンゾオキサシリル、ベ
ンゾオキサジアゾリル、など;1〜2個のイ才つ原子及
び1〜3個の窒素原子を含む不飽和の3〜8員の複素単
環式基、たとえば1.3−チアゾリル;1,2−チアゾ
リル;チアゾリニル;チアジアゾリル(たとえば1,2
.4−チアジアゾリル、1.3.4−チアジアゾリル;
1.2.5−チアジアゾリル、1.2.3−チアジアゾ
リル)、など; 1〜2個のイ才つ原子及び1〜3個の窒素原子を含む飽
和の3〜8員の複素単環式基、たとえばチアゾリジニル
、など; 1個のイ才つ原子を含む不飽和の3〜8員の複素単環式
基、たとえばチェニル、など;及び1〜2個のイオウ原
子及び1〜3個の窒素原子を含む不飽和の縮合複素環式
基、たとえばベンゾチアゾリル、ベンゾチアジアゾリル
、など。
以上において該複素環式基は1〜3個の適当な次のよう
な置換基を持っていてもよい、すなわち: 低級アルキル(たとえばメチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、シクロペ
ンチル、ヘキシル、その他);低級アルキルチオ(たと
えばエチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、その他)
;低級アルケニル(たとえばビニル、アリル、ブテニル
、その他);低級アルケニルチオ(たとえばビニルチオ
、アリルチオ、ブテニルチオ、その他);ヒドロキシ;
アリール(たとえばフェニル、トリル、その他);ハロ
ゲン(たとえば塩素、臭素、ヨウ素又はフッ素);アミ
ノ;ジ(低級)アルキルアミノ(低級)アルキル(たと
えば、ジメチルアミノメチル、ジメチルアミノエチル、
ジメチルアミンプロピル、ジエチルアミンプロピル、ジ
エチルアミノブチル、その他);カルボキシ(低級)ア
ルキル(たとえば、カルボキシメチル シエテル、カルボキシプロピル テル化されたカルボキシ(低級)アルキノ呟ただし該エ
ステル化カルボキシ残基は上に例示されている;アミノ
(低級)アルキル(たとえば、アミノメチル、アミノエ
チル、アミノプロピル、1−アミノメチルエチル、アミ
ノブチル、アミンへキシル、その他);など。
な置換基を持っていてもよい、すなわち: 低級アルキル(たとえばメチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、シクロペ
ンチル、ヘキシル、その他);低級アルキルチオ(たと
えばエチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、その他)
;低級アルケニル(たとえばビニル、アリル、ブテニル
、その他);低級アルケニルチオ(たとえばビニルチオ
、アリルチオ、ブテニルチオ、その他);ヒドロキシ;
アリール(たとえばフェニル、トリル、その他);ハロ
ゲン(たとえば塩素、臭素、ヨウ素又はフッ素);アミ
ノ;ジ(低級)アルキルアミノ(低級)アルキル(たと
えば、ジメチルアミノメチル、ジメチルアミノエチル、
ジメチルアミンプロピル、ジエチルアミンプロピル、ジ
エチルアミノブチル、その他);カルボキシ(低級)ア
ルキル(たとえば、カルボキシメチル シエテル、カルボキシプロピル テル化されたカルボキシ(低級)アルキノ呟ただし該エ
ステル化カルボキシ残基は上に例示されている;アミノ
(低級)アルキル(たとえば、アミノメチル、アミノエ
チル、アミノプロピル、1−アミノメチルエチル、アミ
ノブチル、アミンへキシル、その他);など。
適当な1少くとも1個の窒素原子を有する複素環陽イオ
ン基」とは、少くとも1個の窒素原子を有する飽和又は
不飽和の、単環又は多環の複素環陽イオン基を意味する
。
ン基」とは、少くとも1個の窒素原子を有する飽和又は
不飽和の、単環又は多環の複素環陽イオン基を意味する
。
少くとも1個の窒素原子を有する複素環陽イオン基の好
ましいものは、次のようなものである。
ましいものは、次のようなものである。
すなわち、
少くとも1個の窒素原子を含む不飽和の5又は6員の複
素単環陽イオン基、たとえばピリジニオ、イミダゾリオ
、ピラゾリオ、トリアジニオ(たとえば1.2.3−ト
リアゾジオ。1.3.4ートリアゾリオ又は1.2.4
−トリアジニオ)、テトラゾリオ、ピリダシニオ、ピリ
ミジニオ、ピリジニオ、トリアジニオ(たとえば1.2
.3−)リアジェオ;1,2.4−トリアジニオ又は1
,3.5−トリアジニオ)、テトラジニオ、そのイ也;
少くとも1個の窒素原子を有する不飽和の縮合複素環陽
イオン基、たとえばイミダゾリオ、ベンゾチアゾリル、
シンノリニオ、ブタラジニオ、キナシリニオ、キナシリ
ニオ、1.5−ナフチリジニオ、ブリニオ、プテリジニ
オ、そのイ也;等。
素単環陽イオン基、たとえばピリジニオ、イミダゾリオ
、ピラゾリオ、トリアジニオ(たとえば1.2.3−ト
リアゾジオ。1.3.4ートリアゾリオ又は1.2.4
−トリアジニオ)、テトラゾリオ、ピリダシニオ、ピリ
ミジニオ、ピリジニオ、トリアジニオ(たとえば1.2
.3−)リアジェオ;1,2.4−トリアジニオ又は1
,3.5−トリアジニオ)、テトラジニオ、そのイ也;
少くとも1個の窒素原子を有する不飽和の縮合複素環陽
イオン基、たとえばイミダゾリオ、ベンゾチアゾリル、
シンノリニオ、ブタラジニオ、キナシリニオ、キナシリ
ニオ、1.5−ナフチリジニオ、ブリニオ、プテリジニ
オ、そのイ也;等。
ただし、該1少くとも1個の窒素原子を有する複素環陽
イオン基」は、たとえば次のような1〜3個の適当な置
換基をもっていてもよい.すなわち、ヒドロキシ;低級
アルキル(たとえば、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピ4,ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシル、
その他)ニアミノ;ハロゲン(たとえば塩素、臭素、ヨ
ウ素又はフッ素);低級アルコキシ(たとえばメトキン
、エトキシ、プロポキシ、その他);低級アルキルチオ
(たとえばメチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イ
ソプロピルチオ、そのイ也);カルボキシ;保護きれた
カルボキシ;低級アルケニル;ヒドロキシ(低級)アル
キル(たとえばヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、
その他);など。
イオン基」は、たとえば次のような1〜3個の適当な置
換基をもっていてもよい.すなわち、ヒドロキシ;低級
アルキル(たとえば、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピ4,ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシル、
その他)ニアミノ;ハロゲン(たとえば塩素、臭素、ヨ
ウ素又はフッ素);低級アルコキシ(たとえばメトキン
、エトキシ、プロポキシ、その他);低級アルキルチオ
(たとえばメチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イ
ソプロピルチオ、そのイ也);カルボキシ;保護きれた
カルボキシ;低級アルケニル;ヒドロキシ(低級)アル
キル(たとえばヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、
その他);など。
適当な「低級アルキル基」としては前に例示されたもの
が挙げられる。
が挙げられる。
目的化合物(1)の好ましい実施態様は次のようである
。
。
R1の好ましい実施態様はアミン又は保護されたアミノ
基[とくに好ましくはアシルアミノ基、最も好ましくは
低級アルカノイルアミノ基]であリ ; R2の好ましい実施態様は低級アルキル基であり ; R3の好ましい実施態様はカルボキシ基または−coo
eであり; R4の好ましい実施態様はデアジアゾリルチオメチル基
またはピリジニオメチル基である。
基[とくに好ましくはアシルアミノ基、最も好ましくは
低級アルカノイルアミノ基]であリ ; R2の好ましい実施態様は低級アルキル基であり ; R3の好ましい実施態様はカルボキシ基または−coo
eであり; R4の好ましい実施態様はデアジアゾリルチオメチル基
またはピリジニオメチル基である。
本発明の目的化合物の製造方法を以下詳細に説明する。
!ml上
化合物(I)またはその塩は、化合物(I)若しくはそ
のアミン基における反応性誘導体またはその塩を、化合
物(III)若しくはそのカルボキシ基における反応性
誘導体またはその塩と反応させて製造することができる
。
のアミン基における反応性誘導体またはその塩を、化合
物(III)若しくはそのカルボキシ基における反応性
誘導体またはその塩と反応させて製造することができる
。
化合物(I[>のアミン基における適当な反応性誘導体
は、化合物(I[)とアルデヒド、ケトンのようなカル
ボニル化合物の反応で得られるシッフ塩基型のイミノ又
はその互変異性エナミン型の異性体;化合物(I)とN
、0−ビス(トリメチルシリル)アセトアミドやN−(
トリメチルシリル)アセトアミドのようなシリル化合物
の反応で得られるシリル誘導体;化合物(1)と三塩化
リン又はホスゲンの反応で得られる誘導体;等を包含し
得る。
は、化合物(I[)とアルデヒド、ケトンのようなカル
ボニル化合物の反応で得られるシッフ塩基型のイミノ又
はその互変異性エナミン型の異性体;化合物(I)とN
、0−ビス(トリメチルシリル)アセトアミドやN−(
トリメチルシリル)アセトアミドのようなシリル化合物
の反応で得られるシリル誘導体;化合物(1)と三塩化
リン又はホスゲンの反応で得られる誘導体;等を包含し
得る。
化合物(1)及び(III)の適当な塩は、化合物(I
)において例示したようなものを参照することができる
。
)において例示したようなものを参照することができる
。
化合物(I)のカルボキシ基における適当な反応性誘導
体は、酸ハロゲン化物、酸無水物、活性アミド、活性エ
ステノL等を包含しうる。適当な例は次のようなもので
ある。すなわち、酸塩化物、酸アジド;置換リン酸(た
とえばジアルキルリン酸、フェニルリン酸、ジフェニル
リン酸、ジベンジルリン酸、ハロゲン化リン酸、等)、
ジアルキル亜リン酸、亜硫酸、チオ硫酸、アルカンスル
ホン酸(たとえばメタンスルホン酸、エタンスルホン酸
、等)、硫酸、アルキル炭酸、詣肪族カルボン醜(たと
えばピバリン酸、ペンタン酸、イソペンタン酸、2−エ
チル酪酸又はトリクロロ酢酸、等)の如き酸との混合酸
無水物;対称性酸無水物;イミダゾール、4−置換イミ
ダゾール、ジメチルとラゾール、トリアゾール又はテト
ラゾールで活性化きれたアミド;又は活性エステル(た
とえばシアンメチルエステル、メトキシメチルエステル
、ジメチルイミノメチル[(cH3)2N=cH−]エ
ステル、ビニルエステル、プロパルギルエステル、p−
二トロフェニルエステル、2.4−ジニトロフェニルエ
ステル、トリクロロフェニルエステル、ペンタクロロフ
ェニルエステル、メシルフェニルエステル、フェニルア
ゾフェニルエステル、フェニルチオエステル、p−ニト
ロフェニルチオエステル、p−タレジルチオエステル、
カルボキシメチルチオエステル、ピラニルエステル、ピ
リジルエステル、ピペリジルエステル、8−キノリルチ
オエステル、等)又はN−ヒドロキシ化合物(たとえば
N、N−ジメチルヒドロキシルアミン、1−ヒドロキシ
−2−(IH)−ピリドン、N−ヒドロキシフタルイミ
ド、N−ヒドロキシフタルイミド、1−ヒドロキシ−6
−クロロ−IH−ベンゾトリアゾール、等)とのエステ
ル;その他、これらの反応性誘導体は、使用される化合
物(III)の種類に応じたものから任意的に選択され
ることができる。
体は、酸ハロゲン化物、酸無水物、活性アミド、活性エ
ステノL等を包含しうる。適当な例は次のようなもので
ある。すなわち、酸塩化物、酸アジド;置換リン酸(た
とえばジアルキルリン酸、フェニルリン酸、ジフェニル
リン酸、ジベンジルリン酸、ハロゲン化リン酸、等)、
ジアルキル亜リン酸、亜硫酸、チオ硫酸、アルカンスル
ホン酸(たとえばメタンスルホン酸、エタンスルホン酸
、等)、硫酸、アルキル炭酸、詣肪族カルボン醜(たと
えばピバリン酸、ペンタン酸、イソペンタン酸、2−エ
チル酪酸又はトリクロロ酢酸、等)の如き酸との混合酸
無水物;対称性酸無水物;イミダゾール、4−置換イミ
ダゾール、ジメチルとラゾール、トリアゾール又はテト
ラゾールで活性化きれたアミド;又は活性エステル(た
とえばシアンメチルエステル、メトキシメチルエステル
、ジメチルイミノメチル[(cH3)2N=cH−]エ
ステル、ビニルエステル、プロパルギルエステル、p−
二トロフェニルエステル、2.4−ジニトロフェニルエ
ステル、トリクロロフェニルエステル、ペンタクロロフ
ェニルエステル、メシルフェニルエステル、フェニルア
ゾフェニルエステル、フェニルチオエステル、p−ニト
ロフェニルチオエステル、p−タレジルチオエステル、
カルボキシメチルチオエステル、ピラニルエステル、ピ
リジルエステル、ピペリジルエステル、8−キノリルチ
オエステル、等)又はN−ヒドロキシ化合物(たとえば
N、N−ジメチルヒドロキシルアミン、1−ヒドロキシ
−2−(IH)−ピリドン、N−ヒドロキシフタルイミ
ド、N−ヒドロキシフタルイミド、1−ヒドロキシ−6
−クロロ−IH−ベンゾトリアゾール、等)とのエステ
ル;その他、これらの反応性誘導体は、使用される化合
物(III)の種類に応じたものから任意的に選択され
ることができる。
反応は、該反応に悪影響を与えないような通常の溶媒た
とえば水、アセトン、ジオキサン、アセトニトリル、ク
ロロホルム、メチレンクロリド、エチレンクロリド、テ
トラヒドロフラン、酢酸エチノ呟N、N−ジメチルホル
ムアミド、ピリジンその他の有機溶媒中でふつう行われ
る。これらの通常の溶媒は、水との混合物として使用し
ても良い。
とえば水、アセトン、ジオキサン、アセトニトリル、ク
ロロホルム、メチレンクロリド、エチレンクロリド、テ
トラヒドロフラン、酢酸エチノ呟N、N−ジメチルホル
ムアミド、ピリジンその他の有機溶媒中でふつう行われ
る。これらの通常の溶媒は、水との混合物として使用し
ても良い。
化合物(III)を遊離酸の形又は塩の形で反応に用い
るとき、その反応は好ましくは次のような通常の縮合剤
の存在下に行う、すなわちN、N’ −ジシクロヘキシ
ルカルボジイミド;N−シクロヘキシル−N′−モルホ
リノエチルカルボジイミドN−シクロへキシル−N’−
(4−ジエチルアミノシクロヘキシル)カルボジイミド
;N.N’−ジエチルカルボジイミド、 N,N’ −
ジイソプロピルカルボジイミド;N−エチル−N’−(
3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド;N,N
−カルボニルビス(2−メチルイミダゾール);ペンタ
メチレンケテン−N−シクロヘキシルイミン;ジフェニ
ルケテン−N−シクロへキシルイミン;エトキシアセチ
レン;1−アルコキシ−1−クロロエチレン;亜すン酸
トリアルキル;ポリリン酸エデル;ポリリン酸イソプロ
ピル;オキシ塩化リン(塩化ホスホリル);トリ塩化リ
ン;塩化チオニル;塩化オキサリル;トリフェニルホス
フィン;2−エチル−7−ヒドロキシベンゾイソキサゾ
リウム塩、2−エチル−5−(m−スルホフェニル)−
イソキサゾリウム・ヒドロキシド分子内塩;1−(p−
クロロベンゼンスルホニルオキシ)−6−クロロ−IH
−ベンゾトリアゾール、N,N−ジメチル声ルムアミド
と塩化チオニル、ホスゲン、塩化ホスホリル等との反応
で作られるところのいわゆるビルスマイヤー試薬、等;
その他。
るとき、その反応は好ましくは次のような通常の縮合剤
の存在下に行う、すなわちN、N’ −ジシクロヘキシ
ルカルボジイミド;N−シクロヘキシル−N′−モルホ
リノエチルカルボジイミドN−シクロへキシル−N’−
(4−ジエチルアミノシクロヘキシル)カルボジイミド
;N.N’−ジエチルカルボジイミド、 N,N’ −
ジイソプロピルカルボジイミド;N−エチル−N’−(
3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド;N,N
−カルボニルビス(2−メチルイミダゾール);ペンタ
メチレンケテン−N−シクロヘキシルイミン;ジフェニ
ルケテン−N−シクロへキシルイミン;エトキシアセチ
レン;1−アルコキシ−1−クロロエチレン;亜すン酸
トリアルキル;ポリリン酸エデル;ポリリン酸イソプロ
ピル;オキシ塩化リン(塩化ホスホリル);トリ塩化リ
ン;塩化チオニル;塩化オキサリル;トリフェニルホス
フィン;2−エチル−7−ヒドロキシベンゾイソキサゾ
リウム塩、2−エチル−5−(m−スルホフェニル)−
イソキサゾリウム・ヒドロキシド分子内塩;1−(p−
クロロベンゼンスルホニルオキシ)−6−クロロ−IH
−ベンゾトリアゾール、N,N−ジメチル声ルムアミド
と塩化チオニル、ホスゲン、塩化ホスホリル等との反応
で作られるところのいわゆるビルスマイヤー試薬、等;
その他。
この反応は、たとえばアルカリ金属の炭酸水素塩、トリ
(低級)アルキルアミン、ピリジン、N−(低級)アル
キルモルホリン、N,N−ジ(低級)アルキルベンジル
アミン等のような有機又は無機の塩基の存在下に行って
も良い。反応の温度は臨界的なものではなく、該反応は
通常は冷却下に又は常温において行われる。
(低級)アルキルアミン、ピリジン、N−(低級)アル
キルモルホリン、N,N−ジ(低級)アルキルベンジル
アミン等のような有機又は無機の塩基の存在下に行って
も良い。反応の温度は臨界的なものではなく、該反応は
通常は冷却下に又は常温において行われる。
1跋に
化合物(Ib)またはその塩は、化合物(Ia)または
その塩をアミン保護基の脱離反応に付すことにより製造
することができる。
その塩をアミン保護基の脱離反応に付すことにより製造
することができる。
化合物(Ia)及び(Ib)の適当な塩は、化合物(1
)について例示したようなものを参照することができる
。
)について例示したようなものを参照することができる
。
この脱離反応は、たとえば加水分解:還元;R1におけ
る保護きれたアミン基がアシルアミノである化合物(I
a)をイミノハロゲン化剤、イミノエーテル化剤で処理
し次いで必要とあればその生成物を加水分解する方法;
その他のような通常の方法により行う.加水分解とは、
酸又は塩基又はヒドラジンモの他を用いる方法をも包含
しても良い。これらの方法は、脱離きれるべき保護基の
種類に応じて選択することができる。
る保護きれたアミン基がアシルアミノである化合物(I
a)をイミノハロゲン化剤、イミノエーテル化剤で処理
し次いで必要とあればその生成物を加水分解する方法;
その他のような通常の方法により行う.加水分解とは、
酸又は塩基又はヒドラジンモの他を用いる方法をも包含
しても良い。これらの方法は、脱離きれるべき保護基の
種類に応じて選択することができる。
これらの方法のうちで、酸を用いての加水分解は、置換
又は無置換のアルフキジカルボニル(たとえばt−ペン
チルオキシカルボニル)、低級アルカノイル(たとえば
ホルミル、アセチル、等)、シクロアルコキシカルボニ
ル、置換又は無置換のアラルコキシカルボニル とえばトリチル)、置換フェニルチオ、置換アラルキリ
デン、置換アルキリデン、置換シクロアルキリデン、等
のような保護基を脱離するための最もふつうのそして好
ましい方法のひとつである。
又は無置換のアルフキジカルボニル(たとえばt−ペン
チルオキシカルボニル)、低級アルカノイル(たとえば
ホルミル、アセチル、等)、シクロアルコキシカルボニ
ル、置換又は無置換のアラルコキシカルボニル とえばトリチル)、置換フェニルチオ、置換アラルキリ
デン、置換アルキリデン、置換シクロアルキリデン、等
のような保護基を脱離するための最もふつうのそして好
ましい方法のひとつである。
好ましい酸は、たとえばギ酸、トリフルオロ酢酸、ベン
ゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、塩酸、等の
ような有機又は無機酸を包含する.そして最も適当な酸
は、ギ酸、トリフルオロ酢酸、塩酸等のように、減圧蒸
留のような常法によって反応混合物から容易に除去でき
φ酸である.これらの酸は、脱離されるべき保護基の種
類に応じて選択することができる.該脱離反応を酸を用
いて行ったときは、溶媒の存在下又は不存在下に実施す
ることができる。
ゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、塩酸、等の
ような有機又は無機酸を包含する.そして最も適当な酸
は、ギ酸、トリフルオロ酢酸、塩酸等のように、減圧蒸
留のような常法によって反応混合物から容易に除去でき
φ酸である.これらの酸は、脱離されるべき保護基の種
類に応じて選択することができる.該脱離反応を酸を用
いて行ったときは、溶媒の存在下又は不存在下に実施す
ることができる。
好ましい溶媒は、水、メチレンクロリド、アルコール(
たとえばメタノール、エタノール、等)、テトラヒドロ
フラン、その他該反応に悪影響を及ぼさないいかなる有
m溶媒やそれらの混合物を包含する。
たとえばメタノール、エタノール、等)、テトラヒドロ
フラン、その他該反応に悪影響を及ぼさないいかなる有
m溶媒やそれらの混合物を包含する。
トリフルオロ酢酸を用いての脱離反応はアニソールの存
在下に行っても良い.ヒドラジンを用いる加水分解はフ
タロイルやサクシニル型のアミン保護基の脱離にふつう
応用される。
在下に行っても良い.ヒドラジンを用いる加水分解はフ
タロイルやサクシニル型のアミン保護基の脱離にふつう
応用される。
塩基を用いての脱離は、たとえばトリフルオロアセチル
のようなアシル基の脱離のために用いられる。
のようなアシル基の脱離のために用いられる。
適当な塩基は、たとえばアルカリ金属(たとえばナトリ
ウム、カリウム、等)、アルカリ土類金属(マグネシウ
ム、カルシウム、等)、それらの水酸化物又は酢酸塩又
は炭酸塩又は炭酸水素塩、トリアルキルアミン(たとえ
ばトリメデルアミン、トリエチルアミン、等)、ピコリ
ン、1.5−ジアザビシクロ[4,3,0]]ノンー5
−エン1.4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン
、1.8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウシデセン−
7、等のような無機塩基及び有機塩基を含んで良い。
ウム、カリウム、等)、アルカリ土類金属(マグネシウ
ム、カルシウム、等)、それらの水酸化物又は酢酸塩又
は炭酸塩又は炭酸水素塩、トリアルキルアミン(たとえ
ばトリメデルアミン、トリエチルアミン、等)、ピコリ
ン、1.5−ジアザビシクロ[4,3,0]]ノンー5
−エン1.4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン
、1.8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウシデセン−
7、等のような無機塩基及び有機塩基を含んで良い。
還元的脱離はふつう、たとえばハロアルフキシカルポニ
ノしくたとえばトリクロロエトキシカルボニル等)、置
換又は無置換のアラルフキジカルボニル(たとえばベン
ジルオキシカルボニル等)、2−ビリノルメトキシカル
ボニル な保護基を脱離するのに応用される.適当な還元はたと
λ.ばアルカリ金属ボロハイドライドを用いる還元(た
とえばナトリウムボロハイドライド使用)、金属(たと
えばスズ、亜鉛、鉄、等)又は該金属と金属塩化合物(
たとえば塩化第一クロノ、、酢酸第一クロム、等)及び
有機又は無機酸(たとえば酢酸、プロピオン酸、塩酸等
)の組み合Uを用いる還元;及び接触還元のようなもの
を含んで良い.適当な触媒は通常のもの、たとえばラネ
ーニッケル、酸化白金、パラジウム−炭素、その他を含
む。
ノしくたとえばトリクロロエトキシカルボニル等)、置
換又は無置換のアラルフキジカルボニル(たとえばベン
ジルオキシカルボニル等)、2−ビリノルメトキシカル
ボニル な保護基を脱離するのに応用される.適当な還元はたと
λ.ばアルカリ金属ボロハイドライドを用いる還元(た
とえばナトリウムボロハイドライド使用)、金属(たと
えばスズ、亜鉛、鉄、等)又は該金属と金属塩化合物(
たとえば塩化第一クロノ、、酢酸第一クロム、等)及び
有機又は無機酸(たとえば酢酸、プロピオン酸、塩酸等
)の組み合Uを用いる還元;及び接触還元のようなもの
を含んで良い.適当な触媒は通常のもの、たとえばラネ
ーニッケル、酸化白金、パラジウム−炭素、その他を含
む。
保護基のなかで、アシル基は一般に加水分解によって脱
離しうる.とくにハロゲン置換アルフキンカルポニル及
び8−キノリルオキシカルボニル基は、ふつう鋼、亜鉛
等のような重金属で処理して脱離させる。
離しうる.とくにハロゲン置換アルフキンカルポニル及
び8−キノリルオキシカルボニル基は、ふつう鋼、亜鉛
等のような重金属で処理して脱離させる。
保護基のなかで、アシル基はまたイミノハロゲン化剤(
たとえばオキシ塩化リンなど)及びイミノエーテル化剤
(たとえばメタノールやエタノールのような低級アルカ
ノールなど)で処理したのら、必要に応じ加水分解して
脱離させることができる。
たとえばオキシ塩化リンなど)及びイミノエーテル化剤
(たとえばメタノールやエタノールのような低級アルカ
ノールなど)で処理したのら、必要に応じ加水分解して
脱離させることができる。
反応温度は臨界的なものではなく、上述のような脱離の
方法やアミン保護基の種類に応じて適当に選択すること
ができる.そしてこの反応はふつう、たとえば冷却下も
しくはや〜高められた温度といったような温和な条件下
に行われる。
方法やアミン保護基の種類に応じて適当に選択すること
ができる.そしてこの反応はふつう、たとえば冷却下も
しくはや〜高められた温度といったような温和な条件下
に行われる。
原料化合物の製造法を、以下に説明する。
製法A−■
化合物(Va)またはその塩は、化合物(IV)または
その塩を後記製造例1と同様に処理して製造することが
できる。
その塩を後記製造例1と同様に処理して製造することが
できる。
製法A−■
化合物(Vb)は化合物(Va)若しくはそのアミノ基
における反応性誘導体またはその塩にアミノ保護化剤を
反応させることにより製造することができる。
における反応性誘導体またはその塩にアミノ保護化剤を
反応させることにより製造することができる。
化合物(Va)のアミン基における反応性誘導体として
は、化合物(I[)のアミン基における反応性誘導体と
して前記したものと同じものが挙げられる。
は、化合物(I[)のアミン基における反応性誘導体と
して前記したものと同じものが挙げられる。
アミン保護化剤としては、例えば脂肪族、芳香族もしく
は複素環のカルボン酸(もしくはスルホン酸もしくは炭
酸エステルもしくはカルバミン酸)およびそれらの相当
するチオ酸およびそれらの酸の反応性誘導体および脂肪
族、芳香族もしくは複素環のインシアネート(もしくは
チオイソシアネート)等を包含するアシル化剤が挙げら
れ、上記酸の反応性誘導体としては、化合物(III)
のカルボキシ基における反応性誘導体として例示したも
のと同様なものが挙げられる。
は複素環のカルボン酸(もしくはスルホン酸もしくは炭
酸エステルもしくはカルバミン酸)およびそれらの相当
するチオ酸およびそれらの酸の反応性誘導体および脂肪
族、芳香族もしくは複素環のインシアネート(もしくは
チオイソシアネート)等を包含するアシル化剤が挙げら
れ、上記酸の反応性誘導体としては、化合物(III)
のカルボキシ基における反応性誘導体として例示したも
のと同様なものが挙げられる。
この発明の反応は、前記製法1で説明したものと同様な
反応条件で行なわれる。
反応条件で行なわれる。
1抜l二迎
化合物(■)またはその塩は、化合物(V)またはその
塩と化合物(VI>を反応きせることにより製造するこ
とができる。
塩と化合物(VI>を反応きせることにより製造するこ
とができる。
この反応は、通常水素化ナトリウム、水素化カリウム等
の水素化アルカリ金属、水素化カルシウム等の水素化ア
ルカリ土類金属のような塩基の存在下に行なわれ、また
通常N、N−ジメチルホルムアミド、その他反応に悪影
響を及ぼさない溶媒等の溶媒中で行なわれる0反応温度
は特に限定きれないが、通常冷却下、室温または加温下
に反応が行なわれる。
の水素化アルカリ金属、水素化カルシウム等の水素化ア
ルカリ土類金属のような塩基の存在下に行なわれ、また
通常N、N−ジメチルホルムアミド、その他反応に悪影
響を及ぼさない溶媒等の溶媒中で行なわれる0反応温度
は特に限定きれないが、通常冷却下、室温または加温下
に反応が行なわれる。
鷲mB二;
化合物(■)またはその塩は、化合物(■)またはその
塩に酢酸および(もしくは)無水酢酸のような酸および
(もしくは)酸無水物を反応させて製造できる。
塩に酢酸および(もしくは)無水酢酸のような酸および
(もしくは)酸無水物を反応させて製造できる。
この反応は過塩素酸ナトリウム、過沃素酸ナトリウム、
過塩素酸カリウム等の過ハロゲン酸アルカリ金属、過塩
素酸マグネシウム、過塩素酸カルシウム等の過塩素酸ア
ルカリ土類金属等の存在下で行なうのが好ましい。
過塩素酸カリウム等の過ハロゲン酸アルカリ金属、過塩
素酸マグネシウム、過塩素酸カルシウム等の過塩素酸ア
ルカリ土類金属等の存在下で行なうのが好ましい。
反応温度は特に限定されないが、加温もしくは加熱下で
行なうのが好ましい。
行なうのが好ましい。
1茎に1
化合物(IX)またはその塩は、化合物(■)またはそ
の塩を加水分解することにより製造することができる。
の塩を加水分解することにより製造することができる。
この加水分解は好ましくは、例えばアルカリ金属水酸化
物(例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等)等
の塩基の存在下に行なわれる。
物(例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等)等
の塩基の存在下に行なわれる。
この反応は通常反応に悪影響を与えないような溶媒中で
行なわれ、また反応温度は特に限定されないが、通常冷
却下ないし加温下に行なわれる。
行なわれ、また反応温度は特に限定されないが、通常冷
却下ないし加温下に行なわれる。
1逗に象
化合物(I[[>またはその塩は、化合物(IX)また
はその塩を化合物(X)またはその塩と反応きせること
により製造することができる。
はその塩を化合物(X)またはその塩と反応きせること
により製造することができる。
この反応は通常水、メタノール、エタノール等のアルコ
ール、その他この反応に悪影響を与えない溶媒中で行な
われ、また反応温度は特に限定されないが、通常室温で
行なわれることが多い。
ール、その他この反応に悪影響を与えない溶媒中で行な
われ、また反応温度は特に限定されないが、通常室温で
行なわれることが多い。
この発明の目的化合物(I>およびその塩は、高い抗菌
活性を示し、ダラム陽性菌およびダラム陰性菌を含む多
種の病原菌の発育を阻止する新規の化合物であり、抗菌
剤として有用である。治療の目的には、この発明の化合
物は、経口投与、非経口投与または外用に適した有機ま
たは無機の固体状もしくは液状賦形剤のような医薬とし
て許容される担体と混合して、該化合物を有効成分とし
て含有する医薬製剤の形で使用することができる。
活性を示し、ダラム陽性菌およびダラム陰性菌を含む多
種の病原菌の発育を阻止する新規の化合物であり、抗菌
剤として有用である。治療の目的には、この発明の化合
物は、経口投与、非経口投与または外用に適した有機ま
たは無機の固体状もしくは液状賦形剤のような医薬とし
て許容される担体と混合して、該化合物を有効成分とし
て含有する医薬製剤の形で使用することができる。
医薬製剤は、カプセル剤、錠剤、糖衣錠、軟膏剤または
坐剤、液剤、懸濁剤、乳剤等であってよい、所望によっ
ては、上記製剤に助剤、安定化剤、湿潤剤または乳化剤
、緩衝液および通常使用されるその他の添加剤が含まれ
ていてもよい。
坐剤、液剤、懸濁剤、乳剤等であってよい、所望によっ
ては、上記製剤に助剤、安定化剤、湿潤剤または乳化剤
、緩衝液および通常使用されるその他の添加剤が含まれ
ていてもよい。
化合物の投与量は、患者の年令および容態によって変化
するが、この発明の化合物は、平均1回投与量約10m
g、 50mg、 100mg、 250mg、 50
0mgおよび1000mgで、病原菌に起因する感染症
に有効である。一般的には、1日当り1mg〜6000
mgまたはそれ以上の量を投与してもよい。
するが、この発明の化合物は、平均1回投与量約10m
g、 50mg、 100mg、 250mg、 50
0mgおよび1000mgで、病原菌に起因する感染症
に有効である。一般的には、1日当り1mg〜6000
mgまたはそれ以上の量を投与してもよい。
目的化合物の有用性を示すために、この発明の代表的な
化合物の抗菌活性を以下に示す。
化合物の抗菌活性を以下に示す。
[エコ試験化合物:
(L)7−[2−(6−アミノピラジン−2−イル)−
2−メトキシイミノアセトアミド]−3−(1,3,4
−チアジアゾール−2−イル)チオメチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸(シン異性体) [2コ試験法: 下記の寒天板倍数希釈法によって試験管内抗菌活性を測
定した。
2−メトキシイミノアセトアミド]−3−(1,3,4
−チアジアゾール−2−イル)チオメチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸(シン異性体) [2コ試験法: 下記の寒天板倍数希釈法によって試験管内抗菌活性を測
定した。
試験菌株をトリプトケース ソイプロス中、−夜培養し
てその1白金耳(生菌数108個/mQ)を各濃度段階
の試験化合物を含むハート インフュージョン寒天(H
I寒天)に接種し、37°Cで20時間培養した後、最
小発育阻止濃度(MIC)を(/−で表わした。
てその1白金耳(生菌数108個/mQ)を各濃度段階
の試験化合物を含むハート インフュージョン寒天(H
I寒天)に接種し、37°Cで20時間培養した後、最
小発育阻止濃度(MIC)を(/−で表わした。
[3コ試験結果:
Mxcc</戚)
以下、製造例および実施例に従ってこの発明を説明する
。
。
製j1礼1
2−アミノ−6−ジアツピラジン(30,8g)のメタ
ノール(900m1l )溶液を20〜25℃にて塩酸
で飽和化し、3日間攪拌する。生じた結晶をろ取し、テ
トラヒドロフラン(1ooma )および飽和塩化ナト
リウム水溶液(100m1! )の混合物に懸濁し、飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液でpH7,0に調整する。
ノール(900m1l )溶液を20〜25℃にて塩酸
で飽和化し、3日間攪拌する。生じた結晶をろ取し、テ
トラヒドロフラン(1ooma )および飽和塩化ナト
リウム水溶液(100m1! )の混合物に懸濁し、飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液でpH7,0に調整する。
有機層を分取し、減圧下に溶媒を留去する。
残渣ヲイソブロビルアルコールから結晶化して、6−ア
ミノ−2−ピラジンカルボン酸メチル(14,9g )
を得る。
ミノ−2−ピラジンカルボン酸メチル(14,9g )
を得る。
融点:190〜192℃(分解)
IR(スジ會−ル) : 3360. 3300.
3180. 1740. 1630゜1585、15
30 am−1 NMR(DMSO−ds、S ) ’ 3−86 (3
H1s)、6−85 (2H1bs)、 8.10 (
LH,s)、 8.30 (IH,s)k盗忽ユ ギ酸(ts、sg)および無水酢酸(37,3g)の混
合物を40〜50℃で30分間攪拌し、10℃に冷却後
、6−アミノ−2−ピラジンカルボン酸メチル(14,
0g )を攪拌下に加え、室温で20分間攪拌する。
3180. 1740. 1630゜1585、15
30 am−1 NMR(DMSO−ds、S ) ’ 3−86 (3
H1s)、6−85 (2H1bs)、 8.10 (
LH,s)、 8.30 (IH,s)k盗忽ユ ギ酸(ts、sg)および無水酢酸(37,3g)の混
合物を40〜50℃で30分間攪拌し、10℃に冷却後
、6−アミノ−2−ピラジンカルボン酸メチル(14,
0g )を攪拌下に加え、室温で20分間攪拌する。
生じた結晶をろ取して、6−ホルムアーミドー2−ピラ
ジンカルボン酸メチル(12,5g)を得る。
ジンカルボン酸メチル(12,5g)を得る。
融点: 200〜203℃
IR(スジ1−ル) : 3160. 1710.
1680. 1560 am−’NMR(DMSO
−ds、8 ) ’ 3.95 (3H1s)、8.9
2(1)1.s) 聚産タユ 6−ホルムアミド−2−ピラジンカルボン酸メチル(7
,1g)およびメチルーメチルチオメデル=スルホキシ
ド(5,83g)のN、N−ジメチルホルムアミド(1
00mfl )中混合物に62%水素化ナトリウムの油
中懸濁液(4,6g)を攪拌下、39〜42“Cで少し
ずつ加え、室温で30分間攪拌する0反応混合物に塩化
メチレン(400!111 ”)を水冷下に加え、結晶
をろ取する。
1680. 1560 am−’NMR(DMSO
−ds、8 ) ’ 3.95 (3H1s)、8.9
2(1)1.s) 聚産タユ 6−ホルムアミド−2−ピラジンカルボン酸メチル(7
,1g)およびメチルーメチルチオメデル=スルホキシ
ド(5,83g)のN、N−ジメチルホルムアミド(1
00mfl )中混合物に62%水素化ナトリウムの油
中懸濁液(4,6g)を攪拌下、39〜42“Cで少し
ずつ加え、室温で30分間攪拌する0反応混合物に塩化
メチレン(400!111 ”)を水冷下に加え、結晶
をろ取する。
結晶を氷水(200+1111 )および濃塩酸(10
戚)の混合物に加え、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で
pH6,0に調整し、塩化ナトリウムで飽和化し、テト
ラヒドロフラン(toomaX s )で抽出する。抽
出液を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去
する。
戚)の混合物に加え、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で
pH6,0に調整し、塩化ナトリウムで飽和化し、テト
ラヒドロフラン(toomaX s )で抽出する。抽
出液を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去
する。
残渣を酢酸エチルから結晶化して6−ホルムアミド−2
−(2−メタンスルフィニル−2−メチルチオアセチル
)ピラジン(7,2g)を得る。
−(2−メタンスルフィニル−2−メチルチオアセチル
)ピラジン(7,2g)を得る。
融点:113〜115℃
IR(スジ5−L) : 1710. 1680.
1570. 1530 am−1聚盗忽1 6−ホルムアミド−2−(2−メタンスルフィニル−2
−メチルチオアセチル)ピラジン(10,0g)および
過沃素酸ナトリウム(z、t4g)の酢酸(some
)中混合物を85〜90°Cで15分間攪拌した後酢酸
を留去する。残渣に水(20fiJl )を加え、さら
に10℃でIN水酸化ナトリウム水溶液(90IQ )
を滴下する。
1570. 1530 am−1聚盗忽1 6−ホルムアミド−2−(2−メタンスルフィニル−2
−メチルチオアセチル)ピラジン(10,0g)および
過沃素酸ナトリウム(z、t4g)の酢酸(some
)中混合物を85〜90°Cで15分間攪拌した後酢酸
を留去する。残渣に水(20fiJl )を加え、さら
に10℃でIN水酸化ナトリウム水溶液(90IQ )
を滴下する。
混合物を室温で30分間攪拌し、3N塩酸で關7.0に
調整し、メトキシアミン塩酸塩(3,0g)を加え、3
N塩酸でpH3,0に調整し、室温で1.5時間攪拌す
る。
調整し、メトキシアミン塩酸塩(3,0g)を加え、3
N塩酸でpH3,0に調整し、室温で1.5時間攪拌す
る。
反応混合物を酢酸エチル(2001111)で洗浄する
。水層を塩化ナトリウムで飽和化し、テトラヒドロフラ
ン(501fiR)を加え、6N塩酸でpH1,0に調
整し、テトラヒドロフランで2回抽出する。
。水層を塩化ナトリウムで飽和化し、テトラヒドロフラ
ン(501fiR)を加え、6N塩酸でpH1,0に調
整し、テトラヒドロフランで2回抽出する。
抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去
する。残渣を酢酸エチルで粉砕して、2−(6−ホルム
アミドピラジン−2−イル)−2−メトキシイミノ酢酸
(シン異性体) (2,822)を得る。
する。残渣を酢酸エチルで粉砕して、2−(6−ホルム
アミドピラジン−2−イル)−2−メトキシイミノ酢酸
(シン異性体) (2,822)を得る。
融点=174〜176℃
IR<スジ”−ル) ’ 1700. 1660.
1540 am−’NMR(DMSO−ds、 E
) : 4.00 (3H,s)、 8.70 (1
)1.s)寒崖■ユ N、N−ジメチルホルムアミド(438mg )および
酢酸エチル(2戚)の混合物に0°C攪拌攪拌化塩化ホ
スホリル、92g)を加え、0〜5°Cで30分間攪拌
後テトラヒドロフラン(12m1l )を加える。溶液
に2−(6−ホルムアミドピラジン−2−イル)−2−
メトキシイミノ酢酸(シン異性体)(448mg)を加
え、0〜5℃で30分間攪拌し、7−アミノ−3−(1
,3,4−チアジアゾール−2−イル)チオメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸(900mg)およびN−
(トリメチルシリル)アセトアミド(3g)のテトラヒ
ドロフラン(3011111)溶液に加え、0〜5°C
で30分間攪拌する。
1540 am−’NMR(DMSO−ds、 E
) : 4.00 (3H,s)、 8.70 (1
)1.s)寒崖■ユ N、N−ジメチルホルムアミド(438mg )および
酢酸エチル(2戚)の混合物に0°C攪拌攪拌化塩化ホ
スホリル、92g)を加え、0〜5°Cで30分間攪拌
後テトラヒドロフラン(12m1l )を加える。溶液
に2−(6−ホルムアミドピラジン−2−イル)−2−
メトキシイミノ酢酸(シン異性体)(448mg)を加
え、0〜5℃で30分間攪拌し、7−アミノ−3−(1
,3,4−チアジアゾール−2−イル)チオメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸(900mg)およびN−
(トリメチルシリル)アセトアミド(3g)のテトラヒ
ドロフラン(3011111)溶液に加え、0〜5°C
で30分間攪拌する。
反応混合物を氷水(30mQ )およびテトラヒドロフ
ラン(1011111)の混合物に注ぎ、塩化ナトリウ
ムで飽和化する。有機層を分取し、減圧下に溶媒を留去
し、残渣を酢酸エチルで粉砕して、7−[2−(6−ホ
ルムアミドピラジン−2−イル)−2−メトキシイミノ
アセトアミドコ−3−(1,3,4−チアジアゾール−
2−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸
(シン異性体) (260mg)を得る。この化合物を
、メタノール(2,5mBおよび濃塩酸(0,2戚)の
溶液に加え、室温で1時間攪拌し、水(20m1l )
に加え、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液でpH3,0に
調整した後酸性アルミナ(5g)のカラムクロマトグラ
フィーに付す。
ラン(1011111)の混合物に注ぎ、塩化ナトリウ
ムで飽和化する。有機層を分取し、減圧下に溶媒を留去
し、残渣を酢酸エチルで粉砕して、7−[2−(6−ホ
ルムアミドピラジン−2−イル)−2−メトキシイミノ
アセトアミドコ−3−(1,3,4−チアジアゾール−
2−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸
(シン異性体) (260mg)を得る。この化合物を
、メタノール(2,5mBおよび濃塩酸(0,2戚)の
溶液に加え、室温で1時間攪拌し、水(20m1l )
に加え、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液でpH3,0に
調整した後酸性アルミナ(5g)のカラムクロマトグラ
フィーに付す。
5%酢酸ナトリウム水溶液で溶出し、溶出液を6N塩酸
でpH2,0に調整し、結晶をろ取して、7−[2−(
6−7ミノビラジンー2−イル)−2−メトキシイミノ
アセトアミドコ−3−(1゜3.4−デアジアゾール−
2−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸
(シン異性体)(65mg)を得る。
でpH2,0に調整し、結晶をろ取して、7−[2−(
6−7ミノビラジンー2−イル)−2−メトキシイミノ
アセトアミドコ−3−(1゜3.4−デアジアゾール−
2−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸
(シン異性体)(65mg)を得る。
融点:158〜163℃(分解)
IR(スジヲール) : 3300. 1770.
1660. 1620゜1520 am−1 NMR(oMso−d6. l; ) ’ 3.43
(2H,bs)、 4−0 (3H1s)、 4.63
.4.33 (2H,ABq、J=18Hz>、 5.
20(IH,d、J=5Hz)、 5.87 (IH,
dd、、C3Hz。
1660. 1620゜1520 am−1 NMR(oMso−d6. l; ) ’ 3.43
(2H,bs)、 4−0 (3H1s)、 4.63
.4.33 (2H,ABq、J=18Hz>、 5.
20(IH,d、J=5Hz)、 5.87 (IH,
dd、、C3Hz。
J=5Hz>、 6.60 (2H,bs)、 7.9
5 (LH,s)、 8.03<IH,s)、 9.
53 (1)!、s>、 9.63 (1)1.
d、J=81(z>犬履廻ヱ N、N−ジメチルホルムアミド(438mg )および
酢酸エチル(2mlりの混合物に、0°C攪拌攪拌化塩
化ホスホリル、92g)を加え、0〜5℃で30分間攪
拌後テトラヒドロフラン(12m1l )を加える。溶
液に、2−(6−ホルムアミドピラジン−2−イル)−
2−メトキシイミノ酢酸(シン異性体)(448mg)
を加え、0〜5℃で30分間攪拌し、7−アミノ−3−
(1−ピリジニオ)メチル−3−セフェム−4−カルポ
キシラートニ塩酸塩(1,2g)およびN−(トリメチ
ルシリル)アセトアミド(6g)のテトラヒドロプラン
(50+1111 )溶液に加え、0〜5℃で30分間
攪拌する。
5 (LH,s)、 8.03<IH,s)、 9.
53 (1)!、s>、 9.63 (1)1.
d、J=81(z>犬履廻ヱ N、N−ジメチルホルムアミド(438mg )および
酢酸エチル(2mlりの混合物に、0°C攪拌攪拌化塩
化ホスホリル、92g)を加え、0〜5℃で30分間攪
拌後テトラヒドロフラン(12m1l )を加える。溶
液に、2−(6−ホルムアミドピラジン−2−イル)−
2−メトキシイミノ酢酸(シン異性体)(448mg)
を加え、0〜5℃で30分間攪拌し、7−アミノ−3−
(1−ピリジニオ)メチル−3−セフェム−4−カルポ
キシラートニ塩酸塩(1,2g)およびN−(トリメチ
ルシリル)アセトアミド(6g)のテトラヒドロプラン
(50+1111 )溶液に加え、0〜5℃で30分間
攪拌する。
反応混合物を氷水(50m )に注ぎ酢酸エチル(30
mQ )で洗浄し、水層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液でpH3に調整し、非イオン性吸着樹脂1ダイヤイオ
ンHP−20」(商標;=菱化成工某社製)(100m
Q)のカラムクロマトグラフィーに付す。
mQ )で洗浄し、水層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液でpH3に調整し、非イオン性吸着樹脂1ダイヤイオ
ンHP−20」(商標;=菱化成工某社製)(100m
Q)のカラムクロマトグラフィーに付す。
30%メタノール水溶液で溶出し、溶出液を合し、減圧
下にメタノールを留去し、凍結乾燥して、7−[2−(
6−ホルムアミドピラジン−2−イル)−2−メトキシ
イミノアセトアミドコー3−(1−ピリジニオ)メチル
−3−セフェム−4−カルボキシラード(シン異性体)
(650mg )を得る。この化合物をメタノール(
6111Q)および製塩#(0,4m11)の溶液に加
え、室温で1時間攪拌し、減圧下に溶媒を留去する。
下にメタノールを留去し、凍結乾燥して、7−[2−(
6−ホルムアミドピラジン−2−イル)−2−メトキシ
イミノアセトアミドコー3−(1−ピリジニオ)メチル
−3−セフェム−4−カルボキシラード(シン異性体)
(650mg )を得る。この化合物をメタノール(
6111Q)および製塩#(0,4m11)の溶液に加
え、室温で1時間攪拌し、減圧下に溶媒を留去する。
残渣に冷水(20mQ )を加え、飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液でpl(3,0に調整し、′ダイヤイオンH
P 20p(50mEl)のカラムクロマトグラフィ
ーに付し、20%メタノール水溶液で溶出する。減圧下
に溶出液からメタノールを留去し、凍結乾燥して、7−
[2−(6−アミノピラジン−2−イル)−2−メトキ
シイミノアセトアミド]−3−(1−ピリジニオ)メチ
ル−3−セフェム−4−カルボキシラード(シン異性体
) (280mg)を得る。
ウム水溶液でpl(3,0に調整し、′ダイヤイオンH
P 20p(50mEl)のカラムクロマトグラフィ
ーに付し、20%メタノール水溶液で溶出する。減圧下
に溶出液からメタノールを留去し、凍結乾燥して、7−
[2−(6−アミノピラジン−2−イル)−2−メトキ
シイミノアセトアミド]−3−(1−ピリジニオ)メチ
ル−3−セフェム−4−カルボキシラード(シン異性体
) (280mg)を得る。
融点:167〜172℃(分解)
IR(スジ1−ル) : 3300. 1770.
1660. 1600゜1520 am−1 NMR(DMSO−da、8 ) = 3−17.
3−50 (2H1ABq。
1660. 1600゜1520 am−1 NMR(DMSO−da、8 ) = 3−17.
3−50 (2H1ABq。
J:18Hz)、 3.92 (3H,s)、 5.1
0 (IH,d。
0 (IH,d。
J=5Hz)、 5.20.5.70 <2H,ABq
、J=14Hz)。
、J=14Hz)。
5.80 (LH,dd、J−8Hz、 J=5Hz)
、 6.58 (2H。
、 6.58 (2H。
Claims (2)
- (1)一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1はアミノ基または保護されたアミノ基、
R^2は水素原子または有機基、R^3はカルボキシ基
、−COO^■または保護されたカルボキシ基、 R^4は適当な置換基を持っていてもよい複素環式チオ
メチル基または 式:▲数式、化学式、表等があります▼で表わされる基
(式中、 ▲数式、化学式、表等があります▼は適当な置換基を持
っていてもよ い、少なくとも1個の窒素原子を有する複素環陽イオン
基)をそれぞれ意味する] で示される新規セフェム化合物およびその塩。 - (2)一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1はアミノ基または保護されたアミノ基、
R^2は水素原子または有機基をそれぞれ意味する]で
示される化合物およびその塩。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4725887A JPS63215681A (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | 新規セフエム化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4725887A JPS63215681A (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | 新規セフエム化合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63215681A true JPS63215681A (ja) | 1988-09-08 |
Family
ID=12770255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4725887A Pending JPS63215681A (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | 新規セフエム化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63215681A (ja) |
-
1987
- 1987-03-02 JP JP4725887A patent/JPS63215681A/ja active Pending
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