JPS63211781A - Semiconductor laser driving circuit - Google Patents

Semiconductor laser driving circuit

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JPS63211781A
JPS63211781A JP4492487A JP4492487A JPS63211781A JP S63211781 A JPS63211781 A JP S63211781A JP 4492487 A JP4492487 A JP 4492487A JP 4492487 A JP4492487 A JP 4492487A JP S63211781 A JPS63211781 A JP S63211781A
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草野 昭久
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馨 佐藤
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純一 君塚
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Abstract

PURPOSE:To obtain a highly accurate laser driving circuit at low cost, by providing two or more D/A converters and a constant current circuit, adding the outputs of the D/A converters thereto, and inputting the result into the constant current circuit. CONSTITUTION:A microcomputer IC 1 of a semiconductor laser driving circuit incorporates A/D converter inputs PA 0 and PA 1 for driving control. A microcomputer IC 2 performs communication with a paper-transfer controlling external controller in a memory device and sends out operation timing for automatic optical-amount control for laser to an IC 1 by using the signal from an APCST. A current I is made to flow into a semiconductor laser. The current, which can output the maximum opticalamount output POMAX, is computed with the dispersion in threshold current Ith and slope efficiency alpha taken into account. The maximum current IMAX is controlled with D/As. The threshold current 0 or IthMIN-Ith is controlled with one D/A converter. The current Ith-IMAX is controlled with another D/A converter. At this time, the D/A converter, which controls 0 or IthMIN-Ith, does not control the light emitting amount. Therefore, a D/A converter, whose bit number is small, can be used. Since the D/A converter, which controls Ith-IMAX, controls the light emitting amount, a D/A converter, whose bit number is large, can be used.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、レーザ記録装置、特に半導体レーザの光量を
自動制御により調整する機能を有するレーザ記録装置の
レーザ駆動回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a laser recording device, and particularly to a laser drive circuit for a laser recording device having a function of automatically controlling the amount of light emitted from a semiconductor laser.

〔従来技術〕[Prior art]

従来この様な記録装置としては、入力した情報に応じて
変調されたレーザ光を用いて感光体を露光走査すること
により、静電潜像を形成し、これをトナーと呼ばれる磁
性現像剤で顕画化して記録材に像転写するいわゆるレー
ザビームプリンタが知られている。
Conventionally, such recording devices form an electrostatic latent image by exposing and scanning a photoreceptor using a laser beam modulated according to input information, and this is visualized with a magnetic developer called toner. 2. Description of the Related Art A so-called laser beam printer that forms an image and transfers the image onto a recording material is known.

第23図はこのレーザビームプリンタの一例を示す。図
において1はハウジングl(内に回転可能に支持された
セレン若しくは硫化カドミウム等の半導体層を表面にも
つ感光ドラムで矢印A方向に回転している。2はレーザ
光りを射出する半導体レーザであり14はレーザ光量及
び点灯消灯を制御する制御回路である。射出されたレー
ザ光りはビームエキスパンダ3に入射されて所定のビー
ム径′をもったレーザ光となる。このレーザ光は鏡面を
複数個有する多面体ミラー4に入射される。多面体ミラ
ー4は定速回転モータ(スキャナモータ)5により所定
速度で回転するのでビームエキスパンダ3より射出され
たレーザ光は、この定速回転する多面体ミラー4で反射
されて実質的に水平に走査される。そし”てf・θ特性
を有する結像レンズ6により、帯電器13により所定の
極性に帯電されている感光ドラムl上にスポット光とし
て結像される。
FIG. 23 shows an example of this laser beam printer. In the figure, 1 is a photosensitive drum having a semiconductor layer of selenium or cadmium sulfide on its surface, which is rotatably supported inside the housing l, and rotates in the direction of arrow A. 2 is a semiconductor laser that emits laser light. 14 is a control circuit that controls the amount of laser light and turning on and off.The emitted laser light enters the beam expander 3 and becomes a laser light with a predetermined beam diameter.This laser light is transmitted through a plurality of mirror surfaces. Since the polyhedral mirror 4 is rotated at a predetermined speed by a constant speed rotation motor (scanner motor) 5, the laser beam emitted from the beam expander 3 is incident on the polyhedral mirror 4 that rotates at a constant speed. The light is reflected and scanned substantially horizontally, and is then imaged as a spot light by an imaging lens 6 having f/θ characteristics onto a photosensitive drum l which is charged to a predetermined polarity by a charger 13. Ru.

7は反射ミラー8によって反射されたレーザ光を検知す
るビーム検出器である感光ドラムl上に所望の光情報を
得るための半導体レーザ2の変調動作のタイミングは、
前記ビーム検出器7の検出信号により決定される。一方
、感光ドラムl上には入力情報に応じて結像走査された
レーザ光により、静電潜像が形成される。この潜像は、
現像器9においてトナーにより顕画化された後、カセッ
ト10. 11のいずれかに収納されている記録材に転
写される。
7 is a beam detector that detects the laser beam reflected by the reflection mirror 8. The timing of the modulation operation of the semiconductor laser 2 to obtain desired optical information on the photosensitive drum l is as follows.
It is determined by the detection signal of the beam detector 7. On the other hand, an electrostatic latent image is formed on the photosensitive drum l by a laser beam that is focused and scanned according to input information. This latent image is
After being developed with toner in the developing device 9, the cassette 10. 11.

これが定着器12を通過することにより、像は記録材に
定着され不図示の排出部に導出される。
When the image passes through the fixing device 12, the image is fixed on the recording material and delivered to a discharge section (not shown).

このようなレーザビームプリンタにおいて、一般的に用
いられている半導体レーザの電流に対する光量の特性(
1−f特性)は、第24図のようになっている。
In such laser beam printers, the characteristics of the light amount with respect to the current of the commonly used semiconductor laser (
1-f characteristic) is as shown in FIG.

半導体レーザはあるしきい値(1th)まではレーザ発
光は行わない。そしてしきい値を越えた時点でレーザ発
光を行い、レーザ発光状態においては、電流に対する光
量はある傾きを持っている(スロープ効率:α)。
A semiconductor laser does not emit laser light until a certain threshold value (1th) is reached. Then, when the threshold value is exceeded, laser emission is performed, and in the laser emission state, the amount of light with respect to the current has a certain slope (slope efficiency: α).

レーザビームプリンタにおいては°、光量制御を行い、
規定光fiIlTになるようにレーザ電流ITを決めて
いる。そしてレーザ電流ITを定電流駆動することによ
り、光ff1I!Tを一定に保つようにしている。
In laser beam printers, the amount of light is controlled,
The laser current IT is determined so that the prescribed light fiIT is achieved. Then, by driving the laser current IT at a constant current, the light ff1I! I try to keep T constant.

しかし、半導体レーザのI−1特性において第25図に
示すように当初人という特性を持っており、光ff1I
!TAに規定するためにレーザ電流をITAで定電流駆
動していた場合、半導体レーザに電流を流していること
により半導体レーザのチップ温度の上昇などに伴ない1
−1特性がB又はCのように変化してしまうことが考え
られる。
However, as shown in Figure 25, the I-1 characteristic of a semiconductor laser initially has a human characteristic, and the light ff1I
! If the laser current is driven at a constant current by ITA to specify TA, the current flowing through the semiconductor laser will cause the temperature of the semiconductor laser chip to rise.
It is conceivable that the -1 characteristic changes to B or C.

必要規定光m1)r八が感光ドラムに走査されている場
合は、正常であるが、I−f特性が変化してし・まいレ
ーザ電流がITにもかかわらず、レーザ光量がBのよう
に少なくなった場合には、潜像ができないような状態が
考えられ、またCのように多くなった場合にはレーザチ
ップの破壊になるようなことも考えられる。
If the required prescribed light m1) r8 is scanned on the photosensitive drum, it is normal, but the If characteristic changes and the laser light intensity becomes like B even though the laser current is IT. If the amount decreases, a situation may arise in which a latent image is not formed, and if the amount increases as shown in C, the laser chip may be destroyed.

従来、半導体レーザの電流に対する光量の特性(1−f
特性)を1つのデジタル値をアナログ値に変換するIC
(D/Aコンバータと呼ぶ)を用いて制御する方式は知
られているが、高精度を実現しようとした場合にはD/
Aコンバータのb 、t ’を数が多くなり、コストが
高くなってしまっている。またD/Aコンバータの入力
制御の方法によっては半導体レーザの破壊にもつながっ
てしまっている。
Conventionally, the characteristics of the light amount with respect to the current of a semiconductor laser (1-f
IC that converts one digital value (characteristics) into an analog value
A control method using a D/A converter (called a D/A converter) is known, but when trying to achieve high precision,
The number of b and t' of the A converter is increased, and the cost is increased. Furthermore, depending on the input control method of the D/A converter, it may lead to destruction of the semiconductor laser.

〔目的〕〔the purpose〕

本発明は上記の点に鑑みなされたもので、安価で高精度
のレーザ駆動回路を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an inexpensive and highly accurate laser drive circuit.

〔実施例〕〔Example〕

第2図は、本発明の実施例を示す記録装置の概略図であ
り、記録装置は外部コントローラとのインターフェース
信号109を受けて動作する。記録装置の内部制御は、
DCコントローラ102と呼ばれる内部コントローラに
より制御される。DCコントローラへの電源給給は10
4に示される電源部によって行われる。
FIG. 2 is a schematic diagram of a recording device showing an embodiment of the present invention, and the recording device operates in response to an interface signal 109 with an external controller. The internal control of the recording device is
It is controlled by an internal controller called DC controller 102. Power supply to DC controller is 10
This is performed by the power supply unit shown in 4.

DC:I:/トローラ102により半導体レーザ108
が発光し、光走査系103により感光ドラム110に照
射される感光ドラムは現像剤であるトナーと共にカート
リッジ101の内に収納されており、トナー無しの場合
カートリッジごとの交換される。照射されたレーザは感
光ドラム上において現像され、105の紙カセットより
給紙された紙に転写され111の定着器により定着され
て、排紙部112に排紙される。感光ドラム110と現
像器を一体として交換できるようカートリッジ方式とな
っている。感光ドラムは半導体レーザに対する感度のば
らつきを持っている、それを補正するためにカートリッ
ジに感度コマ106を付けである。それをスイッチ10
7を用いて検知するカートリッジには必ず少なくとも1
つの感度コマが付いているので、スイッチ107により
、感光ドラムの感度を検知するのと同時にカートリッジ
の無い状態も検知することができる機構になっている。
DC:I:/ Semiconductor laser 108 by troller 102
The photosensitive drum emits light, and the photosensitive drum 110 is irradiated by the optical scanning system 103. The photosensitive drum is housed in a cartridge 101 together with toner as a developer, and if there is no toner, each cartridge is replaced. The irradiated laser beam is developed on a photosensitive drum, transferred to paper fed from a paper cassette 105, fixed by a fixing device 111, and discharged to a paper discharge section 112. A cartridge system is used so that the photosensitive drum 110 and the developing device can be replaced as a unit. The photosensitive drum has variations in sensitivity to the semiconductor laser, and to compensate for this, a sensitivity coma 106 is attached to the cartridge. switch it to 10
Cartridges to be detected using 7 must have at least 1
Since there are two sensitivity frames, the switch 107 is a mechanism that can detect the sensitivity of the photosensitive drum and also detect the absence of a cartridge at the same time.

第3図は第2図の中のDCコントローラへの電源を供給
を行う電源部104を示す図である。電源コート201
よりスイッチ202、ブレーカ−203を通過した後、
DC?!圧を作る低圧電源部204と他のAC供給部(
例えば負荷205nは定着器等が含まれている。)20
6へ分岐される。低圧電源204において、DCコント
ローラ102へ供給するDC電圧が作られる。低圧電源
204においては、負荷使用の大きな+5V (207
)  −5V (20B)  +24V (209)等
が作られDCコントローラ102へ供給されている。
FIG. 3 is a diagram showing the power supply section 104 that supplies power to the DC controller in FIG. 2. power coat 201
After passing through switch 202 and breaker 203,
DC? ! A low-voltage power supply unit 204 that generates voltage and other AC supply units (
For example, the load 205n includes a fixing device and the like. )20
Branched to 6. A DC voltage to be supplied to the DC controller 102 is generated in the low voltage power supply 204 . In the low voltage power supply 204, +5V (207
) -5V (20B) +24V (209), etc. are generated and supplied to the DC controller 102.

またDCコントローラC1こおシ、旭ては、上記+5V
In addition, the DC controller C1 and Asahi are connected to the above +5V.
.

−5V、+24V以外に電流負荷容量が少ない基準電圧
電源を必要としている。このような場合には第4図又は
第5図に示されるような回路によって基準電圧電源をD
Cコントローラ102の内部で作っている。
In addition to -5V and +24V, a reference voltage power supply with a small current load capacity is required. In such a case, the reference voltage power source is connected to D by a circuit as shown in FIG. 4 or 5.
It is created inside the C controller 102.

第4図は301に重版の電圧可変出力三端子レギュレー
タ日本電気製LM317H等を用いた基準電圧電源であ
る。
FIG. 4 shows a reference voltage power supply using a voltage variable output three-terminal regulator LM317H made by NEC Corporation, which is a reprint of 301.

低圧電源204からDCコントローラ102に供給され
ている+24V電源209を抵抗306を通し、前述の
レギュレータ301に入力する。出力電圧■。+3.2
v307は外付は抵抗302. 303により決まる関
係式は式(1)のようになる。
A +24V power supply 209 supplied from a low voltage power supply 204 to the DC controller 102 is inputted to the above-mentioned regulator 301 through a resistor 306. Output voltage■. +3.2
v307 has an external resistor 302. The relational expression determined by 303 is as shown in equation (1).

Vo# L、25 (1+ R303/R302)  
式(1)また別の基準電圧電源として第5図に示すよう
な回路も有る。低圧電源204からDCコントローラ1
02に供給されている+24電源209を抵抗402を
通し定電圧ダイオード401に入力することにより出力
電圧403+8Vを得ることができる。
Vo# L, 25 (1+ R303/R302)
Equation (1) There is also a circuit as shown in FIG. 5 as another reference voltage power supply. From the low voltage power supply 204 to the DC controller 1
By inputting the +24 power supply 209 supplied to the 02 to the constant voltage diode 401 through the resistor 402, an output voltage 403 +8V can be obtained.

第1図は本実施例の半導体レーザ駆動回路を示す図であ
る。ICIは半導体レーザ駆動制御を行うA/Dコンバ
ータ入力PAO1FAIを内蔵しているNEC社製μP
C7811Gのごときワンチップマイクロコンピュータ
(ワンチップマイコン)であり、IC2は記録装置の紙
搬送制御外部コントローラとの交信及びICIに対して
APC3Tの信号を用いて半導体レーザの自動光量制御
の動作タイミングを送出する上記ICI同様NEC社製
μPC7811の様なワンチップマイコンである。SW
I及びSW2は、第1図to 7で示したカートリッジ
感度検知及び有無検知スイッチである。
FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor laser drive circuit of this embodiment. The ICI is a μP manufactured by NEC that has a built-in A/D converter input PAO1FAI that performs semiconductor laser drive control.
It is a one-chip microcomputer such as C7811G, and IC2 communicates with the external controller for paper conveyance control of the recording device and sends the operation timing of automatic light amount control of the semiconductor laser to ICI using the APC3T signal. Like the above-mentioned ICI, it is a one-chip microcomputer such as the μPC7811 manufactured by NEC Corporation. SW
I and SW2 are cartridge sensitivity detection and presence/absence detection switches shown in FIG. 1 to 7.

IC3はゲートアレー等から成る集積回路であり、外部
コントローラより入力される画像信号(Vin)の信号
処理例えばICIが5WISW2を検知することにより
カートリッジ無しと判断した場合、ICIがIC3にカ
ートリッジ無しくN0CRT)信号を送出する送出され
たN0CRT信号によりIC3においてVinにゲート
をかけてIC3の出力信号v0を送出させないなどの動
作を行う。
IC3 is an integrated circuit consisting of a gate array, etc., and performs signal processing of an image signal (Vin) input from an external controller.For example, when ICI detects 5WISW2 and determines that there is no cartridge, ICI informs IC3 that there is no cartridge and N0CRT. ) The N0CRT signal sent out performs operations such as gating Vin in IC3 to prevent the output signal v0 of IC3 from being sent out.

第1図に示すD/Aコンバータ回路A301及びD/A
コンバータ回路B502の動作を説明する。
D/A converter circuit A301 and D/A shown in FIG.
The operation of converter circuit B502 will be explained.

IC31〜!048に示すゲート回路はCMO3構造を
使用したゲートを使用している。0MO3のゲートは、
第9図に示す等価回路で表わせる。入力903が)li
gh L/べ/L/#VCC(7)場合出力段(7)F
ET902がONL、、901がOFF状態となり、出
力904はLowレベルとなる。
IC31~! The gate circuit shown in 048 uses a gate using a CMO3 structure. The gate of 0MO3 is
This can be expressed by the equivalent circuit shown in FIG. input 903 )li
gh L/B/L/#VCC (7) Output stage (7) F
The ET 902 becomes ONL, the ET 901 becomes OFF, and the output 904 becomes Low level.

また人力903がLowレベル”v Ovの場合は出力
段のFET901が0N902がOFF状態となり出力
904は旧ghレベルとなる。ここにおいて、なぜラダ
ー抵抗RAI及びRA2の入力に0MO3を用いるかと
言うと、0MO3の出力レベルはHighレベルはCM
OSの電源電圧Vccレベルとほぼ同レベルとなる。ま
た出力のLawレベルは電源GNDレベールとほぼ同レ
ベルとなり、入力のレベルHigh。
In addition, when the human power 903 is at a low level "v Ov", the output stage FET 901 and 0N902 are in the OFF state, and the output 904 is at the old gh level.Here, the reason why 0MO3 is used as the input of the ladder resistors RAI and RA2 is as follows. The output level of 0MO3 is High level is CM
The level is approximately the same as the OS power supply voltage Vcc level. Also, the output low level is almost the same level as the power supply GND level, and the input level is high.

Lowにより第1O図に示すような、スイッチと等価に
見ることができる。TTLICによるゲートの場合は出
力)(igh L/ベベル(Vcc−1) V程度、L
owレベルは0.7V程度まで上がってしまうこともあ
り、0MO3のゲートの様にスイッチと見なすことはで
きない。
Low can be seen as equivalent to a switch as shown in FIG. 1O. In case of gate by TTLIC, output) (igh L/Bevel (Vcc-1) About V, L
The ow level may rise to about 0.7V, so it cannot be regarded as a switch like the gate of 0MO3.

したがって、501のD/Aコンバータ回路八はへ測的
に第11図に示すような回路となる。またここで使用す
るラダー抵抗は第11図に示すように、R(Ω〕とその
倍である2R(Ω〕から構成されている。このような構
成を有するラダー抵抗を用いるとラグ抵抗の出力は、各
入力vA0〜VA7を用いて次式で表わせる。
Therefore, the D/A converter circuit 8 of 501 becomes a circuit as shown in FIG. 11. Furthermore, as shown in Figure 11, the ladder resistor used here is composed of R (Ω) and its double, 2R (Ω). If a ladder resistor with such a configuration is used, the output of the lag resistor will be can be expressed by the following equation using each input vA0 to VA7.

したがって、入力AO〜A7が全てHi g hレベル
の場合スイッチはすべてO(V)側になってしまい、V
Ao%VA7のラダー抵抗への入力は全て0〔v〕とな
ってしまい出力VAはO(V)となる。
Therefore, if inputs AO to A7 are all at High level, all the switches will be on the O(V) side, and V
All inputs to the ladder resistor of Ao%VA7 become 0 [V], and the output VA becomes O (V).

また入力AONA7が全てLowレベルの場合スイッチ
は全てV3.2(V)側になってしまいVAO−VA7
のラダー抵抗への入力は全てV3.2(V)となるラダ
ー抵抗への入力を全てv3.2とすると出力電圧VAは
式(3)に示す関係となる。
Also, if all the input AONA7 are at low level, all the switches will be on the V3.2 (V) side and VAO-VA7
All inputs to the ladder resistor are V3.2 (V). If all inputs to the ladder resistor are V3.2, the output voltage VA has the relationship shown in equation (3).

従ってD/Aコンバータ回路Aso2+’を出力電圧を
のD/Aコンバータであることがわかる。すなわちD/
Aコンバータ回路回路式力AO−A7のHighレベル
を“l″LowLowレベルで表現し、オペアンプIC
5(7)出力電圧をVA (V)、AO−A7、AOを
LSB、A7をMSBとして見て16進法で表記した物
がA1またAの1についての補数を八として表わすと第
12図のようになる。また第1図でわかるように503
のレベルシフト回路AはTTLICの7407又は74
LSO7等のオーブンコレクタ出力タイプ。のゲート回
路で信号の反転は行われないので、レベルシフト回路A
303の入力XAO〜XΔ7も第12図に示す通り、A
O〜A7と同様にあつかうことができる。
Therefore, it can be seen that the D/A converter circuit Aso2+' is a D/A converter that outputs voltage. That is, D/
A converter circuit circuit formula The high level of AO-A7 is expressed as "l" Low Low level, and the operational amplifier IC
5 (7) The output voltage is expressed as VA (V), AO - A7, AO is LSB, A7 is MSB and expressed in hexadecimal notation is A1, and the complement of A of 1 is expressed as 8 as shown in Figure 12. become that way. Also, as you can see in Figure 1, 503
The level shift circuit A is TTLIC's 7407 or 74.
Oven collector output type such as LSO7. Since the signal is not inverted in the gate circuit of
The inputs XAO to XΔ7 of 303 are also A as shown in FIG.
It can be handled in the same way as O to A7.

ラダー抵抗RA2の出力VAはオペアンプを用いたボル
テージフロア回路を用いてインピーダンス変換を行い出
力VOAとしている。IC5は市販のHA 17324
等に相当する特性を有しボルテージフロア回路の入出力
特性は第13図に示すような特性となる。
The output VA of the ladder resistor RA2 undergoes impedance conversion using a voltage floor circuit using an operational amplifier, and is made into an output VOA. IC5 is commercially available HA 17324
The input/output characteristics of the voltage floor circuit are as shown in FIG.

電源電圧Vcc、 −Vccの条件において、入力VΔ
と出力VOAの関係は一般的にはVA=VOAとなるこ
とは知られている。
Under the conditions of power supply voltage Vcc, -Vcc, input VΔ
It is known that the relationship between VA and output VOA is generally VA=VOA.

ただし入力電圧VAが最大出力電圧VO)lより大きく
なった場合は出力電圧V Oへ= V OHとなってし
まい、また入力電圧VAが最小出力電圧VOLより小さ
くなった場合は、出力電圧はV OA = V OLと
なりてしまう。
However, if the input voltage VA becomes larger than the maximum output voltage VO)l, the output voltage V O = V OH, and if the input voltage VA becomes smaller than the minimum output voltage VOL, the output voltage becomes V OA=VOL.

したがって、入力電圧VAはvOLとVOHの間にしな
いと、VA=VOAの関係を維持できない。
Therefore, the relationship VA=VOA cannot be maintained unless the input voltage VA is between vOL and VOH.

本実施例においては電源電圧+5V、−5Vで使用して
おり、入力電圧VAは最悪の最大出力電圧を考えた場合
は、だいたい3.2VMAXにしな(ではならない。も
しも本実施例において、第11図のv3,2を+5vに
した場合にはラダー抵抗出力VAは入力データAがOO
x)においては6vとなってしまう。この場合、8bi
t分割して入力データAをF F x)から00 x)
で変化させてもF F X)から出力電圧VAが最大出
力電圧VOHになる値までは直線的にアンプ出力電圧V
OA上昇するが、それ以降はい(ら入力データAを変化
させてもIC5のアンプ出力電圧はV or−+を保持
してしまう。
In this embodiment, the power supply voltages +5V and -5V are used, and when considering the worst maximum output voltage, the input voltage VA should be approximately 3.2VMAX. When v3,2 in the figure is set to +5v, the ladder resistance output VA is input data A is OO
x), it becomes 6v. In this case, 8bi
Divide input data A by t and convert it from F F x) to 00 x)
Even if the output voltage VA is changed by F
OA increases, but after that, even if input data A is changed, the amplifier output voltage of IC5 remains at Vor-+.

したがって本実施例においては、ラダー抵抗入力データ
AがF F x)から00X)まで変化するのに対応し
てアンプ出力電圧VOAが変化するように、0MO3の
電源電圧v3.2をアンプの最大出力電圧VO)Iより
も小さくしている。
Therefore, in this embodiment, the power supply voltage v3.2 of 0MO3 is set to the maximum output of the amplifier so that the amplifier output voltage VOA changes as the ladder resistance input data A changes from FFx) to 00X). The voltage VO) is made smaller than I.

そのため、CPvの出力を直接CMO3の入力とはせず
に、電圧変更をするためにレベルシフト回路A303が
構成されている。CPUの出力ポートを直接CMOSに
入力した場合、入力電圧が電源電圧を越えてしまい0M
O3ICの破壊となってしまう。そのためにレベルシフ
ト回路に使用されているICII〜IC28はオープン
コレクタ出力を有する市販の7407,74LSO7ご
ときのICを使用している。
Therefore, a level shift circuit A303 is configured to change the voltage without directly inputting the output of CPv to the CMO3. If the output port of the CPU is directly input to the CMOS, the input voltage will exceed the power supply voltage and the voltage will exceed 0M.
This will result in destruction of the O3IC. For this purpose, ICII to IC28 used in the level shift circuit are commercially available ICs such as 7407 and 74LSO7 having open collector outputs.

またD/Aコンバータ回路として、第14図に示すよう
に、レベルシフト回路を使用しないでCMOSの電源電
圧をCPUの電源電圧である+5vを使用し、出力のオ
ペアンプの最大出力電圧voHが+5v以上になるよう
にオペアンプの電源電圧を+8v程度まで上げる方法も
考えられる。
As shown in Figure 14, as a D/A converter circuit, the CMOS power supply voltage is +5V, which is the CPU power supply voltage, without using a level shift circuit, and the maximum output voltage voH of the output operational amplifier is +5V or more. It is also conceivable to increase the power supply voltage of the operational amplifier to about +8V so that

同様に、レベルシフト回路B504とD/Aコンバータ
回路B502は、10bitのD/Aコンバータ回路と
なっている。
Similarly, the level shift circuit B504 and the D/A converter circuit B502 are 10-bit D/A converter circuits.

第1図における505加算型定電流回路であり、VO八
、  V OH3−5Vの値に応じてR6に流れる電流
Ifを変化させている。
505 is an addition type constant current circuit in FIG. 1, and changes the current If flowing through R6 according to the values of VO8 and VOH3-5V.

v〇八、Vonに対する電流Ifは下記の式によって表
わされる。
The current If for v〇8 and Von is expressed by the following formula.

但しMはR1+ R2r R”3 * R4+ RB 
+ R6より決定する定数本実施例においては式(5)
における−Vccl=−Vcc2=−5(V)であるの
で式(5)は次の式(7)で示される。
However, M is R1+ R2r R”3 * R4+ RB
+ Constant determined from R6 In this example, formula (5)
Since -Vccl=-Vcc2=-5 (V) in Equation (5) is expressed by the following Equation (7).

IJ2 =NIXVOB+N2XVOA+N3   式
(7)ただしNl、N2.N3は定数 第7式でわかるように電流1j7は電圧VOA又はVo
sに比例して増加するすなわちD/、Aコンバータ回路
への入力データA又はBを変化させることによって電流
IIlを変化させることができることがわかる。
IJ2 = NIXVOB+N2XVOA+N3 Formula (7) where Nl, N2. N3 is a constant As can be seen from the seventh equation, current 1j7 is voltage VOA or Vo
It can be seen that the current IIl can be varied by varying the input data A or B to the D/A converter circuit, which increases in proportion to s.

ここでD/Aコンバータ回路A301とD/Aコンバー
タ回路B502の本実施例における機能分担を説明する
。半導体レーザの電流Iに対する出力光iLの関係は第
19図に示す特性を有している。
Here, the division of functions between the D/A converter circuit A301 and the D/A converter circuit B502 in this embodiment will be explained. The relationship between the output light iL and the current I of the semiconductor laser has the characteristics shown in FIG.

あるしきい値電流!山までは半導体レーザはレーザ発光
を行わない、そqてしきい値電流rthを越えた後は半
導体レーザはレーザ発光を行う、その時の電流lに対す
る光ff1fの関係はほぼ直線で示すことができある傾
きαを持っている傾きαは、スロープ効率と呼ばれてい
る。このような特性を有する半導体レーザに流す電流■
をD/Aコンバータを用いて制御する場合を考える。
A certain threshold current! The semiconductor laser does not emit laser light until it reaches the peak, and after exceeding the threshold current rth, the semiconductor laser emits laser light.The relationship between the light ff1f and the current l at that time can be shown almost as a straight line. The slope α that has a certain slope α is called slope efficiency. Current flowing through a semiconductor laser with such characteristics■
Let us consider the case of controlling using a D/A converter.

半導体レーザのI−L特性においてしきい値11hは大
きくばらついている。またスロープ効率αもまた太き(
ばらつきを持っている。D/Aコンバータで制御しなく
てはならない電流はしきい値電流11hとスロープ効率
αのばらつきを考えた上で半導体レーザの使用する最大
出力光ff1P OMAXを必ず出力できるようにレー
ザ電流を計算し、その最大?IX流IM八XへD/Aコ
ンバータで制御しなくてはならない。
In the IL characteristics of semiconductor lasers, the threshold value 11h varies widely. In addition, the slope efficiency α is also thick (
It has variations. The current that must be controlled by the D/A converter is calculated by considering the threshold current 11h and variations in slope efficiency α, and calculating the laser current so that it can always output the maximum output light ff1P OMAX used by the semiconductor laser. , its maximum? IX style IM 8X must be controlled with a D/A converter.

I MAXを制御する方法として31に示す様にOA〜
I MAXを1つのD/Aコンバータで制御する場合又
は33に示す様に最小しきい値電源1 rh MIN 
NI MAXまでを1つ。D/Aコンバータ・で制御す
る場合を考えるとD/Aコンバータの制御範囲が大きく
、精密な発光光量制御を行おうとすると、bit数が増
大してしまいコストupとなってしまう。そこ・で32
又は34に示す様に0又はI th MIN−1thま
でを1つのD/Aコンバータで制御しIIhNIMAX
をもう1つのD/Aコンバータで制御することを考える
As a method to control I MAX, as shown in 31, OA ~
When controlling I MAX with one D/A converter or as shown in 33, the minimum threshold power supply 1 rh MIN
One item up to NI MAX. Considering the case where control is performed using a D/A converter, the control range of the D/A converter is large, and if an attempt is made to precisely control the amount of emitted light, the number of bits will increase, resulting in an increase in cost. There/de 32
Or, as shown in 34, control up to 0 or I th MIN-1th with one D/A converter and IIhNIMAX
Consider controlling this with another D/A converter.

0又はI lb MIN〜Ilhを制御するD/Aコン
バータは、発光光量を制御する物ではないので、1ステ
ツプ当たりの電流可変量は大きくて良い。すなわちbi
t数の少ないD/Aコンバータを使用することができる
、またI +h−I MAXを制御するD/Aコンバー
タは発光光量を制御する物なので、1ステツプ当たりの
電流可変量は、小さくする必要がある。しかし制御する
電流範囲が、31or33に比べると小さく31.33
と同じbit数のD/Aコンバータを使用しても高精度
の制御ができる、またば、31゜33と同じ精度を実現
しようとした場合は少ないbit数の D/Aコンバー
タを使用することができる。したがって、lステップ当
たりの電流可変量の異なる2つのD/Aコンバータを使
用し、安価で高精度の制御を実現できている。
Since the D/A converter that controls 0 or Ilb MIN to Ilh does not control the amount of emitted light, the amount of current variable per step may be large. That is, bi
A D/A converter with a small number of t can be used, and since the D/A converter that controls I +h-I MAX controls the amount of light emitted, the amount of current variable per step needs to be small. be. However, the current range to control is smaller than 31 or 33.
High-precision control can be achieved even if a D/A converter with the same number of bits is used.For example, if you want to achieve the same precision as 31°33, you can use a D/A converter with a smaller number of bits. can. Therefore, by using two D/A converters with different amounts of current variable per l step, inexpensive and highly accurate control can be realized.

第1図のD/Aコンバータ回路AはIthまでを制御し
、D/Aコンバータ回路Bは発光光量の制御を行う機能
を有している。
The D/A converter circuit A in FIG. 1 controls up to Ith, and the D/A converter circuit B has the function of controlling the amount of emitted light.

次に第1図のLl、R7,C8は電流IAのスイッチン
グ波形整形を行っており、立上り時間を早くしかもオー
バーシュートが無い波形となるよう定数が決定されてい
る。
Next, L1, R7, and C8 in FIG. 1 perform switching waveform shaping of the current IA, and constants are determined so that the waveform has a short rise time and no overshoot.

また第1図の506はレーザ電流スイッチング回路であ
り、IC7の入力vO又はLONに応じて、505の定
電流回路によって決定された電流IfをTr3をONL
、てR9に流すか、Tr3をOFF L、てTr’2を
ONさせレーザダイオードLDに流すかを切り換えてい
る。すなわちIC7は出力段にオーブンコレクタ構造を
持ったAND回路であり、入力v。
1 is a laser current switching circuit 506 in FIG.
, to flow to R9, or to turn off Tr3 and turn on Tr'2 to flow to laser diode LD. That is, IC7 is an AND circuit having an oven collector structure at the output stage, and has an input v.

とLONともにH” レベルの場合はIC7の出力Vs
2がV s 2 Hとなるとすると、]゛「3はONL
、てVs、(D電圧はTr3(7)VBEとダイオード
DI(7)VFより(8)式で示せる。
When both LON and LON are at H” level, the output of IC7 is Vs.
If 2 becomes V s 2 H, ] ``3 is ONL
, Vs, (D voltage can be expressed by equation (8) from Tr3 (7) VBE and diode DI (7) VF.

VSIH= VS2)1− VBE −VF   (8
)式ココニおイテTr2 (7) VBEをV BH3
とすると、V SIH> −V IIE2という条件に
してTr2をOFF状態に保つ。これにより、IC7の
入力voとLONが共に“H”の場合は、電流11はT
r3を通して全て流れてしまい半導体レーザLDには電
流は流れない。
VSIH=VS2)1-VBE-VF (8
) formula Kokonioiite Tr2 (7) VBE to V BH3
Then, Tr2 is kept in the OFF state under the condition that V SIH>-V IIE2. As a result, when the inputs vo and LON of IC7 are both "H", the current 11 is T
All current flows through r3 and no current flows to the semiconductor laser LD.

またLON又はvOが“ビレベルとなった場合は、IC
7ノ出力はVs2 =Oとなり、Vsl=−VBEI−
VFとなるここにおいて−V tlE2 > V S 
、という条件にしておけばTr2がONして、Tr3は
OFF状態となることがわかる。すなわち、IC7の入
力v。
Also, if LON or vO becomes “below”, IC
7 output becomes Vs2=O, and Vsl=-VBEI-
Here, it becomes VF -V tlE2 > VS
It can be seen that if the conditions are set, Tr2 is turned on and Tr3 is turned off. That is, the input v of IC7.

又はLONが“L”レベルの場合は、Tr3がOFF状
態となり、Tr2がON状態となり電流Ifは、Tr2
を通して半導体レーザLDに流れる。
Or, when LON is at "L" level, Tr3 is in the OFF state, Tr2 is in the ON state, and the current If is Tr2
The current flows through the semiconductor laser LD.

C6,C7,R13,R14,R15は半導体レーザに
流れるIi!の波形整形のために入っており、B2は半
導体レーザLDに逆電圧がかかるのを防止するダイオー
ドである。
C6, C7, R13, R14, R15 flow to the semiconductor laser Ii! B2 is a diode that prevents reverse voltage from being applied to the semiconductor laser LD.

LDIはモータ用のフォトディテクタPDを内蔵してい
る半導体レーザである。
LDI is a semiconductor laser with a built-in photodetector PD for the motor.

507はフォトディテクタ出力調整回路である。507 is a photodetector output adjustment circuit.

第15図に示すように半導体レーザLDIから出力ビー
ムは放射状に出力されている。それをコリメークレンズ
21と呼ばれるレンズを用いて平行光としている。その
時のパワーをPlとすると、感光ドラム110にレーザ
ビームがとどくまでにはパワーP2となってしまう。そ
れは、P、以降回転多面鏡等の光学手段22によって反
射等を行ってドラムに通達するからである。しかし、P
2/PI=B+とすると、Blは光学系の効率として規
定装置においては、定数となる。しかし、半導体レーザ
出力光量P0とコリメータレンズ後の光ffi p +
又はドラム上光mP2の関係は、LDIのばらつきによ
って、第16図に示すように大きく変わってしまう。
As shown in FIG. 15, the output beam from the semiconductor laser LDI is radially output. A lens called a collimating lens 21 is used to convert the light into parallel light. If the power at that time is Pl, the power will be P2 by the time the laser beam reaches the photosensitive drum 110. This is because the light from P is reflected by the optical means 22 such as a rotating polygon mirror and then communicated to the drum. However, P
When 2/PI=B+, Bl becomes a constant in the specified device as the efficiency of the optical system. However, the semiconductor laser output light amount P0 and the light after the collimator lens ffi p +
Alternatively, the relationship of the light mP2 on the drum changes greatly as shown in FIG. 16 due to variations in LDI.

およそp H/ p o= B2とすると、B2=70
〜25%程度までばらついてしまう。また半導体レーザ
光量モニタ用フォトディテクタに流れる電流1poと出
力光ff1poの関係も第17図に示すように、大きく
ばらついている。およそP(、=5mWにおいてIPP
=0.4mA〜3.0mA程度までばらついてしまう。
If approximately pH/po=B2, then B2=70
It varies up to about 25%. Furthermore, the relationship between the current 1po flowing through the photodetector for monitoring the amount of semiconductor laser light and the output light ff1po also varies widely, as shown in FIG. 17. IPP at approximately P(,=5mW
=0.4mA to about 3.0mA.

そこでフォトディテクタPoに直列に抵抗を入れてI 
po x Rpo = V PDとして、モニタフォト
ディテクタVpoとコリメータレンズ出力光fiP、又
はドラム面上光mP2を第18図になるように直列抵抗
値RPDを調整することを考える。
Therefore, I put a resistor in series with the photodetector Po.
Let us consider adjusting the series resistance value RPD of the monitor photodetector Vpo and the collimator lens output light fiP or the light mP2 on the drum surface as shown in FIG. 18, assuming that po x Rpo = V PD.

コリメータ効率70%〜25%、モニター電流1 po
 。
Collimator efficiency 70%~25%, monitor current 1 po
.

0.4mA〜3mAとばらつきが大きいための直列抵抗
RPPの抵抗値調整範囲が広(、また光ffi p I
51はB2とモニタフォトディテクタ電圧VI’Dの関
係の調整精度がレーザ光量調整の精度となってしまうた
め、高精度の調整が必要となる。例えば100Ω〜50
00Ωの調整をする場合について考えると、コスト的に
は1回転の5にΩの可変抵抗1つに入れるのが、良いが
高精度の調整がむずかしい。また5にΩの多回転可変抵
抗を使用した場合には高精度の調整はできるが、コスト
的に高くなってしまう。そこで、第1図の507フオト
デイテクタ出力調整回路においては、2にΩの可変抵抗
VR2と固定抵抗をR16:IKΩ、R17:2にΩ、
 R30:100Ωのような構成とする。またR16.
 R17にはジャンパーパターンが有り、カットポイン
トCPI、CP2.CP3をもうけて、直列抵抗RPC
が100〜2100Ωまでは何もせず1100〜310
0ΩまでCPIをカットし、2100〜4100Ωまで
は、CB2をcut L/、3100〜5100Ωまで
はCB3をカットするような構成とし、調整の精度を上
げて、かつ1回転ボリュームと固定抵抗という安価な構
成としている。
Since the variation is large from 0.4 mA to 3 mA, the resistance value adjustment range of the series resistor RPP is wide (and the optical ffi p I
51 requires highly accurate adjustment because the adjustment accuracy of the relationship between B2 and monitor photodetector voltage VI'D becomes the accuracy of laser light amount adjustment. For example 100Ω~50
Considering the case of adjusting 00Ω, it would be better to use one variable resistor of 5Ω per rotation in terms of cost, but it would be difficult to make high-precision adjustment. Further, if a multi-rotation variable resistor of Ω is used for 5, highly accurate adjustment is possible, but the cost becomes high. Therefore, in the 507 photodetector output adjustment circuit shown in Fig. 1, a variable resistor VR2 of Ω is connected to 2, and a fixed resistor is connected to R16: IKΩ, and R17: Ω to 2.
R30: A configuration such as 100Ω is used. Also R16.
R17 has a jumper pattern with cut points CPI, CP2. CP3 and series resistor RPC
is 1100~310 without doing anything until 100~2100Ω
The configuration is such that CPI is cut down to 0Ω, CB2 is cut L/ from 2100 to 4100Ω, and CB3 is cut from 3100 to 5100Ω.This improves the accuracy of adjustment and uses an inexpensive one-turn volume and fixed resistor. It is structured as follows.

第1図の508はフォトディテクタ電圧増幅回路であり
、入力VPPと出力VMとの関係は、(9)式%式% VM = 7XVPD     (9)式IC8は市販
のHA 17324のごとき特性を持ったオペアンプで
ある。IC8の出力はマイコンのA/Dコンバータの入
力に接続されており、Vccを8bitに分解する能力
を有する。ここでlc8のVccに+5vを入力すると
、出力は最大出力電圧V 01−1までしか上がらない
。当然オペアンプ(OPアンプ)の特性上VOHは3.
2v程度となってしまう。そこでマイコンのA/Dコン
バータを+5vの8bitを十分使用するために、最大
出力電圧VOHを+5v程度確保する必要がある。
508 in FIG. 1 is a photodetector voltage amplification circuit, and the relationship between the input VPP and the output VM is expressed by the formula (9)% VM = 7XVPD (9) Formula IC8 is an operational amplifier with characteristics similar to the commercially available HA 17324. It is. The output of IC8 is connected to the input of the A/D converter of the microcomputer, and has the ability to decompose Vcc into 8 bits. If +5V is input to Vcc of lc8, the output will only rise to the maximum output voltage V01-1. Naturally, due to the characteristics of the operational amplifier (OP amplifier), the VOH is 3.
The voltage will be about 2v. Therefore, in order to fully use the 8-bit +5V A/D converter of the microcomputer, it is necessary to ensure a maximum output voltage VOH of about +5V.

そこでIC8の電源電圧を+8vとして、最大出力電圧
VOHを+5v以上とする。その場合、IC8の出力V
Mが+5vをオーバーする可能性もあるので、定電圧ダ
イオードZDIを用いてVM≦Vccという条件にして
いる。
Therefore, the power supply voltage of IC8 is set to +8v, and the maximum output voltage VOH is set to +5v or more. In that case, the output V of IC8
Since there is a possibility that M may exceed +5V, a constant voltage diode ZDI is used to set the condition that VM≦Vcc.

第1図の509は、レーザ光量設定回路であり、通常は
JPIとJP2をショート状態にしておき、R22とR
23により、光量設定電圧VTを決定しているv7は式
(10)で表わせる。
509 in Fig. 1 is a laser light amount setting circuit, and normally JPI and JP2 are shorted, and R22 and R
23, v7, which determines the light amount setting voltage VT, can be expressed by equation (10).

またJPIとJP2をオーブンにすることによりVRI
により、VTを可変することもできるような回路となっ
ている。
Also, by turning JPI and JP2 into ovens, VRI
This makes it possible to vary the VT.

第1図に示す回路を第6図、第7図、第8図に示すフロ
ーチャートに従って、本発明の詳細な説明する。半導体
レーザの光m自動調整を制御するマイコンIC2は、記
録装置の動作を制御を行っているマイコンICIは半導
体レーザ光量自動調整開始(A P CS ’r )信
号がTRUEとなったタイミングかそれとも、記録装置
外部より強制的に半導体レーザ光ff1Fll’l整を
行わせる信号であるMLON信号が1’ RU Eとな
ったタイミングで半導体レーザ光量自動調整動作(AP
C動作)を行う。この動作゛をフローチャートに従って
説明する。第6図は、マイコンIC2よりマイコンIC
IへAPC3Tが送出される場合を示している。。
The present invention will be described in detail with reference to the circuit shown in FIG. 1 and the flowcharts shown in FIGS. 6, 7, and 8. The microcomputer IC2 that controls the automatic adjustment of the light m of the semiconductor laser, the microcomputer ICI that controls the operation of the recording device, determines whether the timing when the automatic semiconductor laser light amount adjustment start (APCS'r) signal becomes TRUE or not. The semiconductor laser light intensity automatic adjustment operation (AP
C). This operation will be explained according to a flowchart. Figure 6 shows the microcomputer IC from microcomputer IC2.
The case where APC3T is sent to I is shown. .

記録装置に電源が投入され(ステップ601)、1内部
コントローラ102へ低圧電源204より+5V207
等の電源が供給される。すると、ICI、  IC2、
その他の電子素子は動作を開始する。特に、ICIは記
録装置の内部制御を行うのと同時に510.511゜5
12に示されるようなインターフェース信号を使用して
外部制御装置との通信を行う。
Power is turned on to the recording device (step 601), and +5V 207 is supplied from the low voltage power supply 204 to the 1 internal controller 102.
etc. power is supplied. Then, ICI, IC2,
Other electronic devices start operating. In particular, the ICI performs internal control of the recording device and at the same time
Interface signals such as those shown at 12 are used to communicate with external control devices.

そのインターフェース信号中に、記録装置の印字状態へ
の移行を指示するPRINT510と呼ばれる信号が存
在する。ICIにおいて、このPRINT信号を判断し
ているステップ602゜PRINT信号がTRUE状態
となった場合に、ICIは記録装置の状況を検知し、紙
なしカートリッジ無し等の印字可能状態かどうか判断し
、ステップ603で示すように印字不可能状態の場合は
外部に異常状態であることを表示又はインターフェース
信号を用いて連絡を行うステップ604゜また°印字可
能状態である場合には、ステップ605に従って印字動
作を開始する。具体的に示すと、給紙セット109から
の紙の給紙又は感光ドラム上の電位の装備、スキャナモ
ータの回転の開始等を行う。その後ステップ606にお
いて、ICIよりIC2に対して半導体レーザ光m自動
調整開始信号APCST信号を選択する。それを受けた
IC2は後で説明する第8図のフローチャートに行って
AI’C動作をステップ607において行う。その後ス
テップ608において、公知である電、子写真プロセス
に従って印字動作を行い、ステップ609において印字
動作終了時は、半導体レーザの光nを最小にするように
制御する。
Among the interface signals, there is a signal called PRINT510 that instructs the recording device to enter a printing state. In step 602, the ICI judges this PRINT signal. When the PRINT signal becomes TRUE, the ICI detects the status of the recording device, judges whether it is in a printable state such as no paper or cartridge, and returns to step 602. If printing is not possible as shown at 603, a step 604 of displaying an abnormal state externally or notifying the user using an interface signal is performed.If the printing is possible, a printing operation is performed according to step 605. Start. Specifically, it feeds paper from the paper feed set 109, sets the potential on the photosensitive drum, starts rotating the scanner motor, and so on. Thereafter, in step 606, the semiconductor laser beam m automatic adjustment start signal APCST signal is selected for IC2 from the ICI. Upon receiving this, the IC 2 goes to the flowchart of FIG. 8, which will be explained later, and performs the AI'C operation in step 607. Thereafter, in step 608, a printing operation is performed according to a known electrophotographic process, and in step 609, when the printing operation is completed, the light n of the semiconductor laser is controlled to be minimized.

第7図は、記録装置外部より強制的に半導体レーザ光m
調整を行う場合を示すフローチャー1・である。ステッ
プ701により、記録装置に、電源が投入されICI、
IC2等の電子素子が動作を開始する。その中でICI
はステップ702において、外部からの強制的半導体レ
ーザ光量調整信号MLON信号がTRUEかどうかの監
視を行っている。MLON信号が1” RU Eとなっ
た場合には703のへPC動作を行う。このステップ7
03APC動作については第8図のフローチャートを用
いて(ゎしく説明する。ステップ704に示すように、
APC動作終了後又はAI’C動作中においてSWI及
びSW2より検知を行っている。カートリッジが無くな
った場合はステップ705に移行し、APC状態解除す
なわち半導体レーザ光量を最小になるように制御を行う
Figure 7 shows the semiconductor laser beam m forced from outside the recording device.
This is a flowchart 1 showing a case where adjustment is performed. In step 701, the power is turned on to the recording device, and the ICI and
Electronic elements such as IC2 start operating. Among them, ICI
In step 702, monitors whether the forced semiconductor laser light amount adjustment signal MLON signal from the outside is TRUE. When the MLON signal becomes 1" RU E, the PC operation is performed to 703. This step 7
The 03 APC operation will be explained in detail using the flowchart in FIG. 8. As shown in step 704,
Detection is performed by SWI and SW2 after the APC operation is completed or during the AI'C operation. If the cartridge runs out, the process moves to step 705, where the APC state is canceled, that is, the amount of semiconductor laser light is controlled to be minimized.

またカートリッジが有る状態においては、M L ON
が1’ RU Eの間はAPC状態を保持しつづけ、M
LONがF A L S Eになった状態でステップ7
05 A P C解除状態となり、半導体レーザ光量を
最小になるように制御する。
Also, when there is a cartridge, M L ON
continues to maintain the APC state during 1' RU E, and M
Step 7 with LON set to FALSE
05 APC is released, and the amount of semiconductor laser light is controlled to be minimum.

第8図は、第6図のステップ607、又は第7図のステ
ップ703に示されるAPC動作をくわしく示すフロー
チャートである。
FIG. 8 is a flowchart showing in detail the APC operation shown in step 607 of FIG. 6 or step 703 of FIG.

ステップ801はIC2からのAPC3T又は外部から
の強制的レーザON信号MLONがTRUEになった時
を示している。その時に、APC動作開始前の半導体レ
ーザに流れている電流を最小にしてレーザ光■を最小に
する。具体的にはICIの出力xAONxA7とXBO
−XB9を全て“I(”レベルとすることによりD/A
コンバータ出力VOA及びVOBを最小とすることによ
り、■lを最小とするステップ802゜次にステップ8
03において、感光ドラムを含むカートリッジが有るか
無いかを107のSWlとSW2にて検知し、カートリ
ッジ無と判断した場合には、ステップ804において、
APC動作におけるレーザ光量の目標値を最小とし、ス
テップ805において、ステップ802と同様にレーザ
に流れるべきIfを最小となるように制御し、APC動
作を終了させるステップ806゜ステップ803におい
てカートリッジが有ると判断された場合、ステップ80
7においてAPC動作におけるレーザ光量をいくつに制
御するかという目標値を決定する。
Step 801 indicates when the APC3T from the IC2 or the forced laser ON signal MLON from the outside becomes TRUE. At this time, the current flowing through the semiconductor laser before the start of APC operation is minimized to minimize the laser beam (2). Specifically, ICI output xAONxA7 and XBO
-D/A by setting all XB9 to “I(” level)
Step 802: Minimize l by minimizing converter outputs VOA and VOB; then step 8
In step 03, whether or not there is a cartridge containing a photosensitive drum is detected by SW1 and SW2 of 107, and if it is determined that there is no cartridge, in step 804,
The target value of the amount of laser light in the APC operation is set to the minimum, and in step 805, as in step 802, the If that should flow to the laser is controlled to be the minimum, and the APC operation is terminated in step 806.If there is a cartridge in step 803, If determined, step 80
In step 7, a target value for controlling the amount of laser light in the APC operation is determined.

レーザの光量を決定する場合において必要なことは、第
15図に示すように感光ドラム面上の光ff1P2を決
定する必要が有る。本実施例においては、すでにフォト
ディテクタ出力調整回路507及びPD?l!圧増幅回
路508という回路を用いて感光ドラム面上の光ffi
 P 2とモニタ電圧XMの関係は、第18図に示す様
な関係が成立している。したがって、レーザに流れる電
流11をICIの出力ボートデータXAO〜xA7、X
BO〜xB9を用イテ変化させ、その電流に応じて発光
した半導体レーザの光量をモニタ電圧VMでモニタして
、モニタ電圧をある電圧に調節することにより、感光ド
ラム面上の光ffi P 2がある光量に調整できるこ
とが容易に理解できる。そこでステップ807において
は、モニタ電圧VMの目標値を決めることによって、レ
ーザ光量の目標値を決めることにしている。モニタ電圧
VMCの目標値は、レーザ光量設定回路509の出力V
Tによりあたえられて、カートリッジ検知スイッチSW
I、SW2のデータにより調整され決定される。
In determining the amount of laser light, it is necessary to determine the light ff1P2 on the photosensitive drum surface, as shown in FIG. In this embodiment, the photodetector output adjustment circuit 507 and PD? l! The light ffi on the photosensitive drum surface is
The relationship between P2 and the monitor voltage XM is as shown in FIG. Therefore, the current 11 flowing through the laser is converted into ICI output boat data XAO~xA7,
By changing the use of BO to xB9, monitoring the amount of light from the semiconductor laser emitted according to the current using the monitor voltage VM, and adjusting the monitor voltage to a certain voltage, the light ffi P2 on the photosensitive drum surface can be changed. It is easy to understand that the amount of light can be adjusted to a certain level. Therefore, in step 807, the target value of the amount of laser light is determined by determining the target value of the monitor voltage VM. The target value of the monitor voltage VMC is the output V of the laser light amount setting circuit 509.
T, the cartridge detection switch SW
It is adjusted and determined by the data of I and SW2.

感光ドラム110は半導体レーザの光量に対する感度の
ばらつきがあり、それを3段階に分けており、その感度
のちがいにより、カートリッジの感度コマ106を変え
ている。それを検知スイッチ107のSWIとSW2で
検知している。本実施例においては、 SWIのみ押されている場合は感度標準・・開開聞aS
W2のみ押されている場合は感度良・・・曲・・・開開
bSWIとSW2共に押されている場合は感度悪開聞曲
cと検知する。したがって条件a、  b、  cにお
けるモニター電圧の目標値は、本実施例では次の様にな
っている。
The photosensitive drum 110 has variations in sensitivity to the amount of light from the semiconductor laser, and is divided into three levels, and the sensitivity frame 106 of the cartridge is changed depending on the difference in sensitivity. This is detected by the detection switches 107, SWI and SW2. In this example, if only SWI is pressed, the sensitivity standard... Kai Kaimon aS
If only W2 is pressed, it is detected that the sensitivity is good...song...open/open bIf both SWI and SW2 are pressed, it is detected that the sensitivity is poor and the song c is detected. Therefore, the target values of the monitor voltage under conditions a, b, and c are as follows in this embodiment.

目標値 VTOa : VTO=VTX0.9b:VT
O=VTX0.8 C:VTO:VT このように感光ドラムの感度情報と、レーザ光量設定回
路の出力VTによってモニタ電圧の目標値を決めること
によって、ステップ807においてレーザ光mの目標値
を設定する。
Target value VTOa: VTO=VTX0.9b:VT
O=VTX0.8 C:VTO:VT In this way, by determining the target value of the monitor voltage based on the sensitivity information of the photosensitive drum and the output VT of the laser light amount setting circuit, the target value of the laser light m is set in step 807. .

次にステップ808において、IC1はLONを“L″
レベルして、レーザ電流スイッチング回路506のTr
2をONL、て、半導体レーザLPに加算型定電流回路
505により決定される電流1j7を流すように制御を
行う。
Next, in step 808, IC1 sets LON to "L".
level, the Tr of the laser current switching circuit 506
2 as ONL, control is performed so that a current 1j7 determined by an additive constant current circuit 505 flows through the semiconductor laser LP.

ステップ809において、レーザ光量モニタ電圧VMを
チェックして、ステップ810においてモニタ電圧VM
がしきい値電流規定電圧V MTAより、上か下かを判
断する。モニタ電圧VMがVMT八より小さい場合には
ステップ811においてD/Δコンバータの入力を変化
させる。D/AコンバータAの入力を変化させる場合に
おいて、入力を1ステツプずつ変化させるのが普通であ
るが、本実施例においては、第20図で見るように、モ
ニタ電圧VMがしきい値電流規定電圧V MTAの50
%値:VMTAβまでは入力を3ステツプずつ変化させ
7M・「八β以降VMTへの75%値:VMT八αへで
は入力を2ステツプずつ変化させV MTAα以降、し
きい値電流規定電圧VMTΔまでは1ステツプずつ変化
させることにより、全領域1ステツプずつ変化させる方
式と同精度を有し、調整に要する時間を短縮した制御が
行える。
In step 809, the laser light amount monitor voltage VM is checked, and in step 810, the monitor voltage VM is checked.
It is determined whether the threshold current is above or below the threshold current specified voltage VMTA. If the monitor voltage VM is smaller than VMT8, the input of the D/Δ converter is changed in step 811. When changing the input of D/A converter A, it is normal to change the input one step at a time, but in this embodiment, as shown in FIG. Voltage V MTA 50
% value: From VMTAβ, change the input in 3 steps, 7M・75% value to VMT after 8β: VMT 8α, change the input in 2 steps, and after VMTAα, up to the threshold current specified voltage VMTΔ By changing the value one step at a time, it has the same accuracy as the method of changing the entire area one step at a time, and control can be performed in a shortened time required for adjustment.

さらにD/Aコンバータ回路への入力をICIの出力ポ
ートより、出力する場合、ICIは8bitのマイコン
であり、1度に8bitの出力を変化させることしかで
きない。第1図のレベルシフト回路Aの入力の様に、8
bitが1度に変化させることができるポートPDO−
PD7で制御しているので、出力値を1度に変化させる
ことができるが、回路設計上第21図の様に上位B I
 ’I’ XA7のみが、ちがうポート群PFOからの
出力であった場合は、下位BITであるPDO−PD6
を変化させた後で上位BITPFOを変化させる必要が
ある。すなわち第22図の41の状態から42の状態へ
移行する場合は、ポートFから先に規定しようがポート
Dから先に規定しようがXA (16進数値表示)はF
ox)−+EFX) への移行を行うが、場合によって
は43の状態から44の状態への移行の場合は、ポート
Fから先に規定した場合には、XAは80x) + 0
0X) →7FX)という変化を行ってしまう。ここに
おいてXAの出力値が00x)というのはD/Aコンバ
ータの入力は最大となり、電流147は最大となり、半
導体レーザを破壊してしまう可能性が有る。
Furthermore, when the input to the D/A converter circuit is output from the output port of the ICI, the ICI is an 8-bit microcomputer and can only change the output of 8 bits at a time. Like the input of level shift circuit A in Figure 1, 8
Port PDO- bit can be changed at once
Since it is controlled by PD7, the output value can be changed at once, but due to the circuit design, the upper B I
'I' If only XA7 is output from a different port group PFO, lower BIT PDO-PD6
It is necessary to change the upper BITPFO after changing . In other words, when transitioning from state 41 to state 42 in FIG. 22, XA (hexadecimal value representation) is
ox)-+EFX), but in some cases, in the case of a transition from state 43 to state 44, if port F is specified first, then XA is 80x) + 0
0X) →7FX). Here, when the output value of XA is 00x), the input of the D/A converter is the maximum, the current 147 is the maximum, and there is a possibility that the semiconductor laser will be destroyed.

そこでD/Aコンバータの入力データが2つ以上のポー
ト群にまたがる場合は、下位のポート群を先に規定する
必要がこのようにした場合には、前述の43から44の
状態へ移行の場合は、ポートDより先に規定して、その
後ポートFを規定することとなるので、XAは80x)
 4 FFx) −7Fx)という変化を行い、XAの
出力値はFFx)となる状態が存在するが、FFx)と
いうD/八へンバータの入力は電流1/を最小となるよ
うに制御する入力であり、レーザは光mを最小とし、破
壊にはぜったいにいたらない。したがってマイコンを用
いてD/Aコンバータの入力データを決めている場合に
おいては、下位のポート群(BIT)を先に規定する必
要が有る。
Therefore, if the input data of the D/A converter spans two or more port groups, it is necessary to specify the lower port group first.If this is done, the transition from state 43 to state 44 described above will occur. is specified before port D, and then port F, so XA is 80x)
4 FFx) -7Fx), and the output value of XA is FFx), but the input of the D/8 converter called FFx) is the input that controls the current 1/ to the minimum. Yes, the laser has a minimum amount of light m and will never lead to destruction. Therefore, when input data to a D/A converter is determined using a microcomputer, it is necessary to define the lower port group (BIT) first.

ステップ809. 810. 811のループを用いて
モニタ電圧VMをしきい値電流規定電圧V MTAにな
る様に制御を行う。
Step 809. 810. Using the loop 811, the monitor voltage VM is controlled to become the threshold current regulation voltage VMTA.

ステップ812において、モニタ電圧VMがしきい値電
流規定電圧V MTAになっているという状態において
は、レーザはレーザ発行を行っており、感光ドラム上に
潜像を形成するのに十分な光量を発光している場合も存
在するのでレーザ電流は、しきい値規定電流ITAにあ
る割合(例えば80%等)をかけた値とし、その時のレ
ーザ電流を設定しきい値電流IΔTとする。半導体レー
ザに設定しきい値電流IATが流れている状態でモニタ
電圧VMの確認をステップ813において行う。この蒔
ステップ814においてモニタ電圧VMがしきい値電流
規定電圧V MTAを越えている場合にはステップ81
5において、レーザ電流を最小にするようにD/Aコン
バータへの入力制御して、レーザ光量を最小にしてしき
い値電流制御をやりなおす。D/Aコンバータ回路八に
へいてしきい値電流が正常に制御されている場合は、ス
テップ816以降の発光電流制御を行う。
In step 812, when the monitor voltage VM is equal to the threshold current specified voltage VMTA, the laser is emitting laser light and emits a sufficient amount of light to form a latent image on the photosensitive drum. Therefore, the laser current is set to a value obtained by multiplying the threshold specified current ITA by a certain percentage (for example, 80%, etc.), and the laser current at that time is set as the set threshold current IΔT. The monitor voltage VM is checked in step 813 while the set threshold current IAT is flowing through the semiconductor laser. If the monitor voltage VM exceeds the threshold current specified voltage V MTA in step 814, step 81
In step 5, the input to the D/A converter is controlled to minimize the laser current, the amount of laser light is minimized, and the threshold current control is performed again. If the threshold current to the D/A converter circuit 8 is normally controlled, the light emission current control from step 816 onwards is performed.

ステップ816においてレーザ光量モニタ電圧VMをチ
ェックして、ステップ817においてモニタ電圧VMが
発光光量設定電圧VTOより、大きいか小さいかを判断
する。モニタ電圧VMがVTOより小さい場合には、ス
テップ818においてD/Aコンバータ回路Bの入力を
変化させる。ステップ818においてD/Aコンバータ
回路Bの入力を変化させる場合において、入力を1ステ
ツプずつ変化させるのが普通であるが、第20図で見る
ようにステップ811と同様に1.モニタ電圧VMが発
光光量設定電圧vToの50%値:vTβまでは入力を
・3ステツプずつ変化させ、VTβ以降、vToの75
%値:vTαまでは入力を2ステツプづつ変化させ、V
Tα以降VTOまではlステップずつ変化させてモニタ
電圧VMを発光光量設定電圧vToになるよう制御する
。そしてモニタ電圧Vμを発光光量設定電圧vToに制
御する。すなわちレーザ光mを規定光量に制御終了時点
においてAI’C動作は終了するステップ819゜ 〔効果〕 以上説明したように、記録装置の半導体レーザ駆動回路
に使用されている2つ以上のD/Aコンバータの出力を
加算して定電流回路の入力とすることにより、コストを
かけずに高精度の制御ができる効果がある。
In step 816, the laser light amount monitor voltage VM is checked, and in step 817, it is determined whether the monitor voltage VM is larger or smaller than the light emission amount setting voltage VTO. If the monitor voltage VM is smaller than VTO, the input to the D/A converter circuit B is changed in step 818. When changing the input of the D/A converter circuit B in step 818, it is normal to change the input one step at a time, but as shown in FIG. Until the monitor voltage VM reaches the 50% value of the light emission setting voltage vTo: vTβ, the input is changed by 3 steps, and after VTβ, the input is changed to 75% of vTo.
% value: The input is changed in 2 steps up to vTα, and V
From Tα to VTO, the monitor voltage VM is controlled to become the light emission amount setting voltage vTo by changing it in steps of l. Then, the monitor voltage Vμ is controlled to the light emission amount setting voltage vTo. In other words, the AI'C operation ends at step 819 when controlling the laser light m to the specified light intensity ends. [Effect] As explained above, two or more D/A used in the semiconductor laser drive circuit of the recording apparatus By adding the outputs of the converters and using the result as input to the constant current circuit, there is an effect that highly accurate control can be performed without increasing costs.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本実施例における半導体レーザ駆動回路を示す
図、 第2図は本発明が適用できる記録装置の概略図、第3図
は電源部104を説明するための図、第4図、第5図は
基準電圧電源を示す図、第6図、第7図、第8図は本実
施例の光量制御を行うためのフローチャート、 第9図はゲート回路の等価回路を示す図、第1O図はゲ
ート回路の動作を説明するための図、第11図はD/A
コンバータの等価回路を示す図、第12図はD/Aコン
バータの動作を説明するための図、 第13図はボルテージフロア回路の入出力特性を示す図
、 第14図はD/Aコンバータの他の構成例を示す図、 第15図は半導体レーザLDIの出力系を示す図、第1
6図は半導体レーザの出力光量とコリメータレンズ後の
光量の関係を示す図、 第17図はレーザ光量モニタ用フォトディテクタに流れ
る電流と出力光量の関係を示す図、第18図はモニタ用
フォトディテクタ出力とコリメータレンズ出力光量の関
係を示す図、第191Jは半導体レーザの電流−光量特
性を示す図、 第20図はモニタ電圧とレーザ電流の関係を説明するた
めの図、 第21図は第1図のレベルシフト回路の変形例を示す図
、 第22図はレベルシフト回路の入力例を示す図、第23
図はレーザビームプリンタの説明図、第24図は半導体
レーザの電流−光量特性を示す図、 第25図は半導体レーザの電流−光量特性を示す図であ
る。 ここでICI、  IC2はワンチップマイクロコンピ
ュータ、501. 502はD/Aコンバータ回路、5
03.504はレベルシフト回路、505は加算型定電
流回路、506はレーザ電流スイッチング回路、507
はフォトディテクタ出力調整回路、508はフォトディ
テクタ電圧増幅回路、509はレーザ光量設定回路であ
る。 特許出願人  キャノン株式会社 、、、y−’l/ 第4図 萌5図 第乙又 第Hl囲 A7 AA A5 A4 A3 A2 A/ AD  
 VA    A    λ1 1 1 1 1 1 
1 1  0     FF、I  00.)1 1 
1  /  f  l  I  OTTXkCFE−+
  01g+10000000  zVtc  8Qg
1 77.10 0 0 0 0 0 0 0  ””
”   QQ−+  FF。 XA’7 XA6 XA5 XA4 XA3 XA2 
XA/ XAoXA    XA抱/?叉 呂 力 Vo^ 第77図 第79医 第z訂【 フφr−トF  ppo   I  HI     ン
(4,3−e −、−タ′ 0XAFo−1EF冨)E
シ+Bo−)7Fm+7Eり鴬??図 第25図
FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor laser drive circuit in this embodiment, FIG. 2 is a schematic diagram of a recording apparatus to which the present invention can be applied, FIG. 3 is a diagram for explaining the power supply unit 104, FIG. Figure 5 is a diagram showing the reference voltage power supply, Figures 6, 7, and 8 are flowcharts for controlling the light amount of this embodiment, Figure 9 is a diagram showing the equivalent circuit of the gate circuit, and Figure 1O. is a diagram for explaining the operation of the gate circuit, and FIG. 11 is a diagram for explaining the operation of the gate circuit.
Figure 12 is a diagram showing the equivalent circuit of the converter, Figure 12 is a diagram to explain the operation of the D/A converter, Figure 13 is a diagram showing the input/output characteristics of the voltage floor circuit, and Figure 14 is a diagram showing the D/A converter and other circuits. Figure 15 is a diagram showing an example of the configuration of the semiconductor laser LDI.
Figure 6 shows the relationship between the output light amount of the semiconductor laser and the light amount after the collimator lens, Figure 17 shows the relationship between the current flowing through the photodetector for monitoring the laser light amount and the output light amount, and Figure 18 shows the relationship between the output of the photodetector for monitoring and the amount of light output. Figure 191J is a diagram showing the relationship between the output light quantity of the collimator lens, Figure 191J is a diagram showing the current-light quantity characteristic of a semiconductor laser, Figure 20 is a diagram explaining the relationship between monitor voltage and laser current, Figure 21 is the same as Figure 1. Figure 22 is a diagram showing a modification example of the level shift circuit; Figure 22 is a diagram showing an example of input to the level shift circuit;
24 is a diagram showing the current-light amount characteristics of a semiconductor laser, and FIG. 25 is a diagram showing the current-light amount characteristics of a semiconductor laser. Here, ICI and IC2 are one-chip microcomputers, 501. 502 is a D/A converter circuit, 5
03.504 is a level shift circuit, 505 is an addition type constant current circuit, 506 is a laser current switching circuit, 507
508 is a photodetector voltage amplification circuit, and 509 is a laser light amount setting circuit. Patent applicant Canon Co., Ltd., y-'l/ Figure 4 Moe 5 Figure Otsu and No. HL Enclosure A7 AA A5 A4 A3 A2 A/ AD
VA A λ1 1 1 1 1 1
1 1 0 FF, I 00. )1 1
1/f l I OTTXkCFE-+
01g+10000000 zVtc 8Qg
1 77.10 0 0 0 0 0 0 0 ””
” QQ-+ FF. XA'7 XA6 XA5 XA4 XA3 XA2
XA/ XAoXA XA hug/?彉 力 Vo^ Figure 77 79th edition
Shi+Bo-)7Fm+7E Riho? ? Figure 25

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 記録装置の半導体レーザ駆動回路において、少なくとも
2つ以上のD/Aコンバータと、定電流回路を有し、少
なくとも2つ以上のD/Aコンバータの出力を加算して
、定電流回路の入力とすることを特徴とする半導体レー
ザ駆動回路。
A semiconductor laser drive circuit of a recording device includes at least two D/A converters and a constant current circuit, and the outputs of the at least two D/A converters are added and used as input to the constant current circuit. A semiconductor laser drive circuit characterized by:
JP62044924A 1987-02-27 1987-02-27 Laser recorder Expired - Lifetime JP2537224B2 (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0345969A (en) * 1989-07-14 1991-02-27 Photo Composing Mach Mfg Co Ltd Light quantity control method for semiconductor laser

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63102545A (en) * 1986-10-20 1988-05-07 Fuji Photo Film Co Ltd Laser recording device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63102545A (en) * 1986-10-20 1988-05-07 Fuji Photo Film Co Ltd Laser recording device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0345969A (en) * 1989-07-14 1991-02-27 Photo Composing Mach Mfg Co Ltd Light quantity control method for semiconductor laser

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