JPS63206691A - 核融合装置 - Google Patents
核融合装置Info
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- JPS63206691A JPS63206691A JP62037992A JP3799287A JPS63206691A JP S63206691 A JPS63206691 A JP S63206691A JP 62037992 A JP62037992 A JP 62037992A JP 3799287 A JP3799287 A JP 3799287A JP S63206691 A JPS63206691 A JP S63206691A
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- JP
- Japan
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- vacuum
- conductor
- withstand voltage
- solid insulator
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- Granted
Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は核融合装置に係り、特に、磁場によって核融合
プラズマを閉じ込める磁場閉じ込め形の核融合装置に関
する。
プラズマを閉じ込める磁場閉じ込め形の核融合装置に関
する。
従来、核融合装置等に用いられるコイルへの電流通重用
の電流導入端子は、電流を通じる貫通導体の周囲にアル
ミナセラミックスやエポキシ樹脂等の絶縁物で構成され
た碍子、或いは筒をメタライズ+ろう付、又は高分子樹
脂等により接着した構造のものが多く使用されており、
一部は標準品として米国セラマシール(Ceramas
eal)社等から供給されている(カタログ 6910
HVF等)。
の電流導入端子は、電流を通じる貫通導体の周囲にアル
ミナセラミックスやエポキシ樹脂等の絶縁物で構成され
た碍子、或いは筒をメタライズ+ろう付、又は高分子樹
脂等により接着した構造のものが多く使用されており、
一部は標準品として米国セラマシール(Ceramas
eal)社等から供給されている(カタログ 6910
HVF等)。
上記従来技術は、高真空領域での沿面耐電圧特性が大気
中と同等かそれ以上であるとの認識から、真空側導体を
固体絶縁で覆わず、沿面距離をとることによって耐電圧
を持たせる構造のため、磁場等が印加されることにより
沿面耐電圧特性が低下すると電流導入端子自身の耐電圧
が低下するという問題があった。
中と同等かそれ以上であるとの認識から、真空側導体を
固体絶縁で覆わず、沿面距離をとることによって耐電圧
を持たせる構造のため、磁場等が印加されることにより
沿面耐電圧特性が低下すると電流導入端子自身の耐電圧
が低下するという問題があった。
本発明は上述の点に鑑み成されたもので、その目的とす
るところは、磁場印加による沿面耐電圧低下の影響を受
けない、高耐電圧の電流導入端子を有する核融合装置を
提供するにある。
るところは、磁場印加による沿面耐電圧低下の影響を受
けない、高耐電圧の電流導入端子を有する核融合装置を
提供するにある。
上記目的は、真空側の導体を固体絶縁で完全に覆い、沿
面により耐電圧を確保している部分を無くすことにより
達成される。
面により耐電圧を確保している部分を無くすことにより
達成される。
導体の真空側部分を覆う固体絶縁物の耐電圧特性は、雰
囲気や磁場の有無に拘らず一定の値を有している。従っ
て電流導入端子の真空側の耐電圧特性は固体絶縁物の特
性で定まり、磁場の印加等によって低下することがない
。
囲気や磁場の有無に拘らず一定の値を有している。従っ
て電流導入端子の真空側の耐電圧特性は固体絶縁物の特
性で定まり、磁場の印加等によって低下することがない
。
C実施例〕
以下、本発明の一実施例を図を基に説明する。
該図に示す如く、本実施例での真空容器壁1は、上側の
真空部と下側の大気部とを隔てているが、これを貫通す
る貫通導体2は固体絶縁A、例えばエポキシ系(3)に
覆われ真空シール部5でゴム0リングにより真空シール
されている。貫通導体2の真空側は、図の上方を固体絶
縁C1例えばエポキシ系(6)により覆われている他、
組立時のろう材部7も組立後固体絶縁B、例えばポリニ
スチル(4)により完全に被覆される。
真空部と下側の大気部とを隔てているが、これを貫通す
る貫通導体2は固体絶縁A、例えばエポキシ系(3)に
覆われ真空シール部5でゴム0リングにより真空シール
されている。貫通導体2の真空側は、図の上方を固体絶
縁C1例えばエポキシ系(6)により覆われている他、
組立時のろう材部7も組立後固体絶縁B、例えばポリニ
スチル(4)により完全に被覆される。
このように、本実施例によれば、導体の真空側部分は固
体絶縁A、’B、Cにより完全に覆われ、金属の露出が
無いため磁場印加等による沿面耐電圧低下の影響を受け
ず、安定した耐電圧特性を有するという効果がある。
体絶縁A、’B、Cにより完全に覆われ、金属の露出が
無いため磁場印加等による沿面耐電圧低下の影響を受け
ず、安定した耐電圧特性を有するという効果がある。
以上述べた如く、本発明によれば、電流導入端子の耐電
圧特性が磁場の印加等による沿面耐電圧の低下の影響を
受けないので、高耐電圧とすることができる効果がある
。
圧特性が磁場の印加等による沿面耐電圧の低下の影響を
受けないので、高耐電圧とすることができる効果がある
。
図は本発明の一実施例を示す電流導入端子部の縦断面図
である。 1・・・真空容器壁、2・・・貫通導体、3・・・固体
絶RA、4・・・固体絶縁B、5・・・真空シール部、
6・・・固体絶縁C17・・・ろう材部。
である。 1・・・真空容器壁、2・・・貫通導体、3・・・固体
絶RA、4・・・固体絶縁B、5・・・真空シール部、
6・・・固体絶縁C17・・・ろう材部。
Claims (1)
- 1、極低温に保持された超電導コイルと、この超電導コ
イルを収納し常温大気空間から真空断熱する断熱真空容
器と、前記超電導コイル、若しくは前記断熱真空容器内
に設けられた常電導コイルに常温大気空間より電流を導
入する電流導入端子とを備えた核融合装置に於て、前記
電流導入端子の少なくとも1つの真空容器内荷電部分が
全て固体絶縁物で覆われていることを特徴とする核融合
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62037992A JPH0762712B2 (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 核融合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62037992A JPH0762712B2 (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 核融合装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63206691A true JPS63206691A (ja) | 1988-08-25 |
JPH0762712B2 JPH0762712B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=12513065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62037992A Expired - Fee Related JPH0762712B2 (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 核融合装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0762712B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5645004A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-24 | Toshiba Corp | Cryostat |
-
1987
- 1987-02-23 JP JP62037992A patent/JPH0762712B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5645004A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-24 | Toshiba Corp | Cryostat |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0762712B2 (ja) | 1995-07-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |