JPS63205585A - Reluctance sensor small piece - Google Patents

Reluctance sensor small piece

Info

Publication number
JPS63205585A
JPS63205585A JP62260744A JP26074487A JPS63205585A JP S63205585 A JPS63205585 A JP S63205585A JP 62260744 A JP62260744 A JP 62260744A JP 26074487 A JP26074487 A JP 26074487A JP S63205585 A JPS63205585 A JP S63205585A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
strip
magnetoresistive sensor
magnetic
sensor strip
sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62260744A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
グレッグ スチーブン モウリィ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Magnetic Peripherals Inc
Original Assignee
Magnetic Peripherals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Magnetic Peripherals Inc filed Critical Magnetic Peripherals Inc
Publication of JPS63205585A publication Critical patent/JPS63205585A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は磁気抵抗センサ、より詳細には磁気ディスクド
ライブ用磁気抵抗センサ細片に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention This invention relates to magnetoresistive sensors, and more particularly to magnetoresistive sensor strips for magnetic disk drives.

[従来の技術] 磁場の存在により生じる抵抗率の変化に応答する磁気抵
抗センサが磁気ディスクドライブのヘッド内読取トラン
スジューサとして次第に採用されつつあり、それは第1
に抵抗率の変化がディスク速度に無関係で磁束のみに依
存するためであり、第2にセンサ出力をセンス電流によ
り校正できるためである。
BACKGROUND OF THE INVENTION Magnetoresistive sensors that respond to changes in resistivity caused by the presence of a magnetic field are increasingly being employed as in-head read transducers in magnetic disk drives;
This is because the change in resistivity is independent of disk speed and depends only on magnetic flux, and secondly because the sensor output can be calibrated by the sense current.

代表的に、これらのセンサは低保磁力の磁化容易軸に沿
って磁化されたNiFe合金(パーマロイ)wJ片から
なっている。他の多くの強磁性合金も候補にあげられる
。通常細片は磁化容易軸がディスクの回転方向を横切し
且つディスク面に平行となるように載置されている。デ
ィスクからの磁束により細片の磁化ベクトルが回転し、
それにより横コンタクト間を流れるセンス電流に対する
抵抗率が変化する。抵抗率は磁化ベクトルと電流ベクト
ル間の角度の余弦二乗にほぼ従って変動する。
Typically, these sensors consist of a piece of NiFe alloy (permalloy) wJ magnetized along the low coercivity easy axis. Many other ferromagnetic alloys are also candidates. Typically, the strips are placed so that their axis of easy magnetization is transverse to the direction of rotation of the disk and parallel to the surface of the disk. The magnetic flux from the disk rotates the magnetization vector of the strip,
This changes the resistivity for the sense current flowing between the lateral contacts. The resistivity varies approximately according to the square of the cosine of the angle between the magnetization vector and the current vector.

(すなわち、δ−p −ρ−1Ilax *cos2θ
、ココニ、θは磁化及び電流ベクトル間の角度であり、
ρは抵抗率である)。この余弦二乗関係により、磁化及
び電流ベクトルが最初に一致しておれば、ディスク磁束
による抵抗率の初期変化は低く定方向である。従って、
代表的に、磁化容易軸磁化ベクトルもしくは電流ベクト
ルをおよそ45°バイアスして磁化ベクトルの角変化に
対する応答性を高め且つセンサ出力を線型化する。
(i.e. δ-p -ρ-1Ilax *cos2θ
, coconi, θ is the angle between the magnetization and current vectors,
ρ is the resistivity). Due to this cosine square relationship, if the magnetization and current vectors initially match, the initial change in resistivity due to the disk magnetic flux is low and in a fixed direction. Therefore,
Typically, the easy axis magnetization vector or current vector is biased by approximately 45 degrees to increase responsiveness to angular changes in the magnetization vector and to linearize the sensor output.

[発明が解決しようとする問題点] 磁気抵抗センサ細片が遭遇するーっの問題点は印加磁場
が存在する時に磁区の非可逆運動により生じるバルクハ
ウゼンノイズである、すなわち、磁化ベクトルのコヒー
レント回転は非均−で抑制され、磁区壁挙動に依存する
。このノイズ機構は細片のセンス電流領域内に一つの単
磁区を生成して解消される。
[Problem to be Solved by the Invention] A problem encountered with magnetoresistive sensor strips is Barkhausen noise caused by irreversible motion of the magnetic domains in the presence of an applied magnetic field, i.e., coherent rotation of the magnetization vector. is nonuniformly suppressed and depends on domain wall behavior. This noise mechanism is eliminated by creating a single magnetic domain within the sense current region of the strip.

[問題を解決するための手段] センサ出力を線型化し且つセンス領域内に一つの単磁区
を与えるために多くの異なる手段が採用されている。セ
ンス領域内に単磁区を生じるために、例えば、細片の良
さをその高さに対して増大することが知られている。長
い細片の両端には多数の閉路磁区が生じることが知られ
ている。これらは外部磁場の影響下において中央に向っ
て移動する。しかしながら、長い細片は細片の横部分で
クロストークを免れず隣接トラックから細片のセンス領
域へ磁束を通すことがある。これに比して、短い細片は
ほとんど必ず多数の磁区に自然に“破砕する″。
Measures to Solve the Problem Many different measures have been taken to linearize the sensor output and provide a single magnetic domain within the sense region. It is known, for example, to increase the quality of the strip relative to its height in order to generate a single magnetic domain in the sense region. It is known that a large number of closed magnetic domains occur at both ends of a long strip. These move towards the center under the influence of an external magnetic field. However, long strips are subject to crosstalk in the lateral portions of the strip, which may pass magnetic flux from adjacent tracks into the sense region of the strip. In contrast, short strips almost always spontaneously "fracture" into multiple domains.

センサ領域内の物理的寸法を比較的短くして縁域磁場を
低減するように細片を形成することによりセンサ領域内
に単磁区を与える努力がなされてきた。用土等(にaW
akalli et at)の米国特許第4゜503.
394号の第4a図を参照すれば、反対方向の磁化容易
軸を有する上下水平部の両端に垂直部を接続して無端ル
ープが構成されている。米国特許第4.555,740
号を参照すれば、細片は2本の中間上向延在脚を有して
いる。しかしながら、通常その間に磁気抵抗センサを搭
載する誘導性書込磁極により生じる強い横磁場(tra
nsVerse 1lallnetic )が存在する
時は形成された細片でさえ多数の磁区へ“破砕される”
Efforts have been made to provide a single magnetic domain within the sensor region by forming strips with relatively short physical dimensions within the sensor region to reduce edge field fields. Soil, etc. (niaW)
U.S. Pat. No. 4,503.
Referring to Figure 4a of No. 394, an endless loop is constructed by connecting vertical parts to both ends of upper and lower horizontal parts having easy magnetization axes in opposite directions. U.S. Patent No. 4,555,740
No. 5, the strip has two intermediate upwardly extending legs. However, the strong transverse magnetic field (tra
nsVerse 1llallnetic) is present, even the formed pieces are “fractured” into multiple domains.
.

(磁極は軟磁気シールドとして働いてセンサに直接隣接
しない磁場からセンサを絶縁する)。
(The magnetic pole acts as a soft magnetic shield, insulating the sensor from magnetic fields that are not directly adjacent to the sensor).

また、読み取る前に“長い”すなわち形成された細片内
にw1磁場を与えることにより単磁区を形成する努力も
なされてきた。このような磁場は中央センサ領域内に比
較的安定な単磁区を形成するのに充分な強さでなければ
ならない。この初期化磁場は一般的にバーバー磁極によ
り与えられ、それはまたセンス電流の方向を磁化容易軸
磁気ベクトルに対して傾けるのにも使用される。
Efforts have also been made to create single magnetic domains by applying a w1 field in a "long" or formed strip before reading. Such a magnetic field must be strong enough to form a relatively stable single magnetic domain within the central sensor region. This initialization field is typically provided by a barber pole, which is also used to tilt the direction of the sense current relative to the easy axis magnetic vector.

短い細片に対しては、隣接永久磁石からの長手方向バイ
アスもしくは交換バイアスを生じる原子結合反強磁性材
により単磁区を維持する努力がなされてきた。前述した
ように、このようなバイアス手段はまた磁気ベクトルを
磁化容易軸から離れるように横切バイアスしてセンサ出
力を線型化するいくつかの応用にも設けられている。
For short strips, efforts have been made to maintain a single domain with atomically bonded antiferromagnetic materials that create a longitudinal or exchange bias from adjacent permanent magnets. As previously mentioned, such biasing means are also provided in some applications to transversely bias the magnetic vector away from the easy axis to linearize the sensor output.

これらの案(初期化及び永久)は共に、磁場をバイアス
すれば磁気ディスク上に予め記録された情報に逆影響を
及ぼし、さらに、永久バイアス磁場(横切及び長手方向
共)がセンサの有効異方性を高めてディスク磁束に対す
る感度を低下させるという欠点を有している。バーバー
磁極(傾斜電流)設計はセンサ領域の有効長がセンサコ
ンタクト閤の長手方向距離よりも短いというもう一つの
欠点を有している。バーバー磁極はまた傾斜コンタクト
及び短絡細片を設けるのに精密なリソグラフィツク工程
を必要とする。
Both of these proposals (initialization and permanent) suggest that biasing the magnetic field will have an adverse effect on the information previously recorded on the magnetic disk, and that the permanent bias field (both transverse and longitudinal) will affect the sensor's effective variation. It has the disadvantage of increasing the orientation and decreasing the sensitivity to disk magnetic flux. The Barber pole (gradient current) design has another drawback in that the effective length of the sensor area is less than the longitudinal distance of the sensor contact. Barber poles also require precision lithographic steps to provide the angled contacts and shorting strips.

露出界面に(磁気抵抗材と反強磁性材の)2っ   。2 (of magnetoresistive material and antiferromagnetic material) at the exposed interface.

の異類の材料が存在するため、交換バイアスは実際上、
一般的には使用されない。これにより腐蝕が生じてセン
サ細片が破壊されることがある。さらに、交換バイアス
は母子力学相互作用効果であるため、高信頼度の原子相
互作用でなければならないが、このような工程は困難で
あり歩留りも低い。ざらに、この効果は温度依存性が強
く、従来のディスクドライブの代表的動作環境下では実
質的に低Fする。
Because of the presence of dissimilar materials, the exchange bias is effectively
Not commonly used. This can cause corrosion and destroy the sensor strip. Furthermore, since the exchange bias is a mother-child mechanical interaction effect, highly reliable atomic interactions are required, but such a process is difficult and has a low yield. In general, this effect is strongly temperature dependent and is substantially low F under typical operating environments of conventional disk drives.

[作用] 本発明は従来の磁気抵抗センサ細片のいくつかの問題を
扱う一連の改良からなり、単独もしくは組合せにより改
良ヘッドが構成される。本発明は各々が個々の改良の権
利を主張しそれらを組合せて改良型磁気抵抗センサ及び
ヘッドが形成される同時出願と共通である。
OPERATION The present invention comprises a series of improvements that address several problems of conventional magnetoresistive sensor strips, either singly or in combination, to form an improved head. This invention is common to co-filtered applications, each claiming individual improvements which may be combined to form an improved magnetoresistive sensor and head.

これらの改良には細片を擬似楕円形に形成することが含
まれる。この形状は細片の中央センス領域に極めて安定
な単磁区を有している。次の交換バイアス反強磁性材は
単磁区状態内に中央領域を維持する目的で任意の細片の
終端に原子結合することができる。交換材料の原子力学
効果により、材料は細片の全終端を覆う必要はないが、
露出界面領域から凹ませて腐蝕感性を低減することがで
きる。一度、擬似楕円形及び/もしくは境界制御交換安
定化により安定度が確立されると、2つの傾斜コンタク
ト(cant contact)だけがMRセンサを線
型化する目的で電流方向を変えればよい。
These improvements include forming the strips into pseudo-elliptical shapes. This shape has a very stable single domain in the central sense region of the strip. A subsequent exchange bias antiferromagnetic material can be atomically bonded to the ends of any strip for the purpose of maintaining the central region in a single domain state. Due to the nuclear effects of the replacement material, the material does not need to cover all ends of the strip, but
The exposed interface area can be recessed to reduce corrosion susceptibility. Once stability is established by pseudo-elliptical and/or boundary controlled exchange stabilization, only two cant contacts need to change current direction for the purpose of linearizing the MR sensor.

これにより、磁区状態の安定化に使用される任意のバー
バー磁極の必要性が完全になくなり、バーバー磁極が不
要になれば電気コンタクト数は僅か2つ、センスコンタ
クトまで減少する。
This completely eliminates the need for any barber poles used to stabilize the domain states, and the elimination of barber poles reduces the number of electrical contacts to only two sense contacts.

傾斜電流設計(canted current des
ion )は細片の磁化容易軸を磁気ディスクの水平面
に対して傾斜するようにパターン化しそれに応じてコン
タクトの内傾斜をゆるめることによりさらに改良される
。これにより、大きな有効長手方向センス領域が得られ
る。゛ さらに、センサをその非線型モードで作動させることに
より磁気強度や方向よりもデータ位置が重要であるコー
ド化デジタル応用では横切バイアスを完全になくすこと
ができる。動的範囲を小さくしながら、感知された読取
信号の導関数からのゼロ交差決定は鼻線型応答の勾配増
加により改良される。最後に、好ましくは、センサは誘
導書込ギヤ9プの外側へ配置して、書込動作中に存在す
る強磁場による多磁区形成の有害な効果を回避する。
canted current design
ion) is further improved by patterning the easy axis of the strip to be inclined with respect to the horizontal plane of the magnetic disk and loosening the inclination of the contacts accordingly. This provides a large effective longitudinal sense area. Furthermore, by operating the sensor in its nonlinear mode, transverse bias can be completely eliminated in coded digital applications where data location is more important than magnetic strength or direction. While reducing the dynamic range, zero crossing determination from the derivative of the sensed read signal is improved by increasing the slope of the nasal linear response. Finally, the sensor is preferably placed outside the inductive write gear 9 to avoid the deleterious effects of multi-domain formation due to the strong magnetic fields present during the write operation.

良好な書込/読取特性を与えつつ細長い磁気抵抗センサ
をシールドする広い中央シールド/磁極を有するもう一
つのギャップ構造が付加される。
Another gap structure is added with a wide central shield/pole that shields the elongated magnetoresistive sensor while providing good write/read characteristics.

[実施例1 第1図は磁化容易軸Mに沿って磁化された磁気抵抗セン
サ細片10の擬似楕円形構造である。符号しで示す中央
部は真楕円のように湾曲するのではなく、比較的平坦な
側面を有している。全長と高さとのアスペクト比、AR
は3よりも小さいが、効果損失なしに大きくすることが
できる。中央領域りから、側面は自然に小さな磁区12
及び14が形成されている頂端へ収束する。好ましくは
、W≦Lであり、終端の長さEは最小でL程度であり最
大値は特に限定されない。構TIは大きな矢符で示す極
めて安定な中央領域単磁区を形成する。
Example 1 FIG. 1 is a pseudo-elliptical structure of a magnetoresistive sensor strip 10 magnetized along the easy axis M. The central portion, indicated by the reference numeral, is not curved like a true ellipse, but has relatively flat sides. Aspect ratio between total length and height, AR
is smaller than 3, but can be made larger without loss of effectiveness. From the central region, the sides naturally have small magnetic domains 12
and 14 converge to the apex where they are formed. Preferably, W≦L, and the minimum length E of the terminal end is about L, and the maximum value is not particularly limited. The structure TI forms an extremely stable single magnetic domain in the central region indicated by a large arrow.

この構造による実験により、全長が25ミクロン、L部
が9ミクロン、幅Wが8ミクロンの200〜500人、
N i : 82 F (3: 18合金1層ハ中央領
域の磁化ベクトルを磁化困難軸へ切り替えるのに35 
0eを必要とし、非パターン化バルク議では0.75 
0et、か必要としないことが判った。これは係数で4
6の改善と解釈される。
Through experiments using this structure, 200 to 500 people with a total length of 25 microns, an L part of 9 microns, and a width W of 8 microns,
Ni: 82 F (3: 35 to switch the magnetization vector in the central region of the 18 alloy layer to the hard magnetization axis)
0e and 0.75 for non-patterned bulk
It turns out that 0et is not necessary. This is a coefficient of 4
This is interpreted as an improvement of 6.

誘導裏込センサ細片の磁極間もしくは磁極の次に非シー
ルドセンサが配置されている場合のように、高い横磁場
が予想される場合には、*m区状態を開始もしくは維持
するのにまだ長手方向バイアスを必要とする。前記した
ように、これを達成する多くの異なる手段がある。例え
ば、バーバー磁極バイアスはm1ll場を発生する。ざ
らに、永久磁気バイアスや交換バイアスも縦磁場を与え
ることができる。新しい安定化手段を第2図に開示する
If high transverse magnetic fields are expected, such as when an unshielded sensor is placed between or next to the poles of an inductive back-mounted sensor strip, Requires longitudinal bias. As mentioned above, there are many different ways to accomplish this. For example, the Barber pole bias generates a m1ll field. In general, permanent magnetic bias and exchange bias can also provide a longitudinal magnetic field. A new stabilizing means is disclosed in FIG.

従来の交換安定化/バイアス技術は代表的に、最初基板
上に強磁性層を堆積し次にバターニング後i1mが一致
するように強磁性1上に反強磁性層を堆積させて準備さ
れていた。
Conventional exchange stabilization/biasing techniques are typically prepared by first depositing a ferromagnetic layer on the substrate and then depositing an antiferromagnetic layer on the ferromagnetic layer such that i1m matches after patterning. Ta.

交換バイアスは分路効果により信号損失を生じることが
ある。Ill場は負のm度依存性を有する。
Exchange bias can cause signal loss due to shunt effects. The Ill field has a negative m degree dependence.

最後にバイメタル膜構造による腐蝕の可能性がある。Finally, there is the possibility of corrosion due to the bimetal membrane structure.

磁化が薄1III片の境界で幾分押えつけられると、境
界部の中央領域で平4Iii磁化方向をw4vaするこ
とができることを考えれば磁区安定化工程を理解するこ
とができる。第2図のクロスハツチ領域内にFeMnを
堆積させることにより、前記標準交換バイアス技術の欠
点を@避することができる。第一に、中央活性領域には
交換材料がないため、電流分路による信号損失がない。
The domain stabilization process can be understood by considering that if the magnetization is somewhat suppressed at the boundary of the thin 1III piece, the planar 4Iiii magnetization direction can be changed to w4va in the central region of the boundary. By depositing FeMn within the crosshatch region of FIG. 2, the drawbacks of the standard exchange bias technique can be avoided. First, there is no exchange material in the central active region, so there is no signal loss due to current shunting.

第二に、縦磁場の大きさではなく磁化方向のみを固定す
るという条件によりこの安定化技術は極めて温度不感性
である。最後に、適切なバターニングにより、任意の露
出縁においてバイメタル界面を解消することができる。
Second, this stabilization technique is extremely temperature insensitive, provided that only the direction of magnetization is fixed, not the magnitude of the longitudinal magnetic field. Finally, proper buttering can eliminate bimetallic interfaces at any exposed edges.

実施例において、交換バイアス材料は1lli性である
ゆえにFeMnである。
In the example, the exchange bias material is FeMn because it is 110%.

交換バイアス端を採用した安定な単磁区中央領域を有す
る実施例を第2図に示す。ここで、細片はC型であり比
較的狭い中央領域及び減磁場を中央領域からさらに遠く
へ導通させる上向延在脚26.28を有する横端を有し
ている。これにより、中央領域の単磁区の安定性が向上
する。後に施す(図示せぬ)傾斜i!i流端口端コンタ
クトパターン般的に合致する図示パターンについて次に
説明する工程を使用してこれらの終端に交換バイアス材
料32.34及び(図示せぬ)コンタクト金属化が施さ
れる。この交換材料のパターンにより縁及び終端磁区が
除去され、安定な中央単磁区センス領域が与えられる。
An embodiment having a stable single domain central region employing an exchange bias end is shown in FIG. Here, the strip is C-shaped and has a relatively narrow central region and lateral ends with upwardly extending legs 26,28 which conduct the demagnetizing field further from the central region. This improves the stability of the single magnetic domain in the central region. Inclined i! (not shown) applied later! Exchange bias material 32, 34 and contact metallization (not shown) are applied to these terminations using the steps described below for the generally matching illustrated pattern. This pattern of exchange material eliminates edge and terminating domains and provides a stable central single domain sense region.

露出界面における前記腐蝕問題を回避するために、レジ
ストパターンは交換材料と細片10の低級、すなわち大
概の設計において磁気ディスクに露呈された縁との間に
凹みSを設けるような形状とされる。
To avoid the aforementioned corrosion problems at exposed interfaces, the resist pattern is shaped to provide a recess S between the replacement material and the lower grade of the strip 10, i.e. the edge exposed to the magnetic disk in most designs. .

第2図に示す構造を形成する工程を第3図に示す。ステ
ップ1:!l化容易軸に沿った均一な磁場中で、明確に
するために図示せぬ、基板上に磁気抵抗材料の細片が蒸
着、スパッタ等されパターン化される。ステップ2:ホ
トレジスト層を施し従来の工程を使用してパターン化し
、内向きに傾斜した側面を有するアイランドレジスト1
ii20を形成する。ステップ3:次に組合体上に交換
材料22を蒸着、スパッタ等する。ステップ4:コンタ
クト金属化23を堆積する。ステップ5:リフトオフ工
程を使用して、レジスト、交換材料24及びそれに粘着
している金属23を除去する。
FIG. 3 shows the steps for forming the structure shown in FIG. 2. Step 1:! In a uniform magnetic field along the easy axis, strips of magnetoresistive material are deposited, sputtered, etc., and patterned onto a substrate (not shown for clarity). Step 2: Apply a photoresist layer and pattern using conventional processes to create an island resist 1 with inwardly sloping sides.
Form ii20. Step 3: Next, deposit, sputter, etc. a replacement material 22 onto the assembly. Step 4: Deposit contact metallization 23. Step 5: Using a lift-off process, remove the resist, replacement material 24 and metal 23 that is attached to it.

第4図は両端の交換材料が平坦化中央領域りへ延在して
いる擬似楕円細片を示す。同様な凹み836を設けなけ
ればならない。
FIG. 4 shows a pseudo-elliptical strip with exchanging material at both ends extending into a flattened central region. A similar recess 836 must be provided.

第5図は磁気ディスク50上の代表的ヘッドのシールド
42及び44間に搭載された第2図もしくは第4図の交
換バイアス細片10の断面図を示す。図において、交換
材料32はヘッド表面上短い距!136だけ凹んでおり
、コンタクトメタル38は細片10へ延在して交換材料
32の露呈を遮へいする脚40を有している。シールド
42.44の少くとも一方は誘導書込装置の一つの11
橋を有している。シールドは代表的にAl2O3等の非
磁性材料・からなるスペーサ52を介して分離されてい
る。凹み36を設けることにより、コンタクト38は磁
気抵抗材10と直接接触する脚40を有する。これによ
り、交換材32は露呈から遮へいされる。大概のセンサ
細片はディスクが回転停止する時にディスク表面50上
に降りて、生母のセンサ細片材を研磨する。交換材が露
呈されて潜在腐蝕を引き起すまで、凹み対研磨度の量が
センサ細片の寿命を決定する。
FIG. 5 shows a cross-sectional view of the exchange bias strip 10 of FIG. 2 or 4 mounted between shields 42 and 44 of a typical head on a magnetic disk 50. In the figure, the replacement material 32 is placed over a short distance on the head surface! 136, the contact metal 38 has legs 40 extending into the strip 10 to shield the replacement material 32 from exposure. At least one of the shields 42, 44 is one of the inductive writing devices 11
It has a bridge. The shields are separated by spacers 52, typically made of a non-magnetic material such as Al2O3. By providing the recesses 36, the contacts 38 have legs 40 that are in direct contact with the magnetoresistive material 10. Thereby, the replacement material 32 is shielded from being exposed. Most of the sensor strips descend onto the disk surface 50 when the disk stops rotating, abrading the raw sensor strip material. The amount of denting vs. abrasion determines the life of the sensor strip until the replacement material is exposed and causes latent corrosion.

強い横磁場が存在すると、比較的安定な単磁区へ領域も
多磁区へ“破砕され”、バルクハウゼンノイズの源とな
る。強vi1sは誘導書込装置の磁極先端間、すなわち
従来の最抗磁性ヘッド位置に存在する。磁気抵抗センサ
細片に対する誘導書込磁極端の影響を低減するために、
センサ細片を誘導書込磁極端に並べて配置することが知
られている。
In the presence of a strong transverse magnetic field, the relatively stable single-domain region is "fractured" into multiple domains, which becomes the source of Barkhausen noise. The strong vi1s exists between the magnetic pole tips of the inductive writing device, that is, at the conventional most coercive head position. To reduce the effect of the inductive write pole tip on the magnetoresistive sensor strip,
It is known to place sensor strips side by side with an inductive write pole tip.

例えばり−(Lee)の米国特許出願第4.321゜6
41号を参照されたい。この種の構造は軟磁性シールド
、シールド/磁極後端及び磁極先端を必要とする。主と
してMR材76.78 (米国特許第4,321,64
1号の第4図もしくは第7図参照)が磁極後端90のシ
ールドを越えて延在するため、本特許の設計は完全に満
足できるものではない。第6図及び第7図の設計は磁気
抵抗センサに対して非常に磁気的に静かな領域を与える
For example, Lee U.S. Patent Application No. 4.321゜6
Please refer to No. 41. This type of structure requires a soft magnetic shield, a shield/pole back end, and a pole tip. Mainly MR material 76.78 (U.S. Patent No. 4,321,64
The design of the present patent is not completely satisfactory because the magnetic field (see FIGS. 4 or 7 of No. 1) extends beyond the shield of the pole trailing end 90. The designs of FIGS. 6 and 7 provide a very magnetically quiet area for the magnetoresistive sensor.

誘導書込トランスジューサの磁極からの残留磁束は非常
に低く、長手方向バイアスなしに(例えば、第1図の擬
似楕円10等の)非常に安定で形成された単磁区センサ
を高信頼度で作動させることができる。
The residual magnetic flux from the magnetic poles of the inductive writing transducer is very low, allowing highly stable and formed single domain sensors (such as the pseudo-ellipse 10 in Figure 1) to operate reliably without longitudinal bias. be able to.

第6図は改良された設計の基本素子の断面図である。好
ましくは、アルミ酸化物62である酸化物層が、好まし
くはNiZnである軟磁性基板60上に堆積される。次
に磁気抵抗センサ@64が磁場中で堆積されパターン化
される。[所望ならば、次に交換バイアス材を堆積して
パターン化する。]次に、磁気抵抗細片64上にメタル
コンタクト66が堆積される。次に、第2の酸化物層6
8が堆積される。これら2つの酸化物層62及び68が
読取ギャップを構成する。次に、ポリイミドすなわちホ
トレジスト70が図示するように堆積及びパターン化さ
れ、センサ細片のギャップ端に隣接する層を除去する。
FIG. 6 is a cross-sectional view of the basic element of the improved design. An oxide layer, preferably aluminum oxide 62, is deposited on the soft magnetic substrate 60, preferably NiZn. A magnetoresistive sensor@64 is then deposited and patterned in a magnetic field. [If desired, exchange bias material is then deposited and patterned. ] Next, a metal contact 66 is deposited on the magnetoresistive strip 64. Next, the second oxide layer 6
8 is deposited. These two oxide layers 62 and 68 constitute the read gap. Polyimide or photoresist 70 is then deposited and patterned as shown to remove the layer adjacent the gap edges of the sensor strip.

次に、好ましくはN1Fe(パーマロイ)である、一層
の強磁性材70が施される。この170は後続磁極/シ
ールドを構成する。次に、書込ギャップ酸化物75(酸
化アルミもしくは二酸化シリコン)が堆積され、続いて
第2のポリイミドすなわちホトレジスト74が施される
。メタルコイル78が堆積されパターン化される。二層
のポリイミドすなわちホトレジスト76を堆積してパタ
ーン化しコイル28に隣接しない部分を除去する。最後
に、最終強磁性材W479を堆積してコイルを包囲し且
つ他方の強磁性[72と接触して連続磁束径路を形成す
る。パッケージの形成後、代表的に適切な非磁性材内に
封止されギャップ端を処理(通常ラップ)してギャップ
を露呈し信頼度の高いギャップ高さを与える。
Next, a layer of ferromagnetic material 70, preferably N1Fe (permalloy), is applied. This 170 constitutes the trailing pole/shield. Next, a write gap oxide 75 (aluminum oxide or silicon dioxide) is deposited, followed by a second polyimide or photoresist 74. A metal coil 78 is deposited and patterned. Two layers of polyimide or photoresist 76 are deposited and patterned and the portions not adjacent coil 28 are removed. Finally, a final ferromagnetic material W479 is deposited to surround the coil and contact the other ferromagnetic material [72] to form a continuous flux path. After the package is formed, it is typically encapsulated in a suitable non-magnetic material and the gap edges are treated (usually wrapped) to expose the gap and provide a reliable gap height.

第7図は実施例の二重ギャップヘッドの基本素子の端面
図である。明確にするために、スペーサ購は省いである
。図示されているのは、フェライト基板60、磁気抵抗
細片64、長さしの中央センサ領域65を画定する横方
向メタルコンタクト66、強磁性後続磁極/シールド7
2及び先行磁極79である。図示するように、後続磁極
/シールドによる磁気反鏡を介して先行磁極79の長さ
が書込トラック幅を画定する。この長さは磁気抵抗細片
64の中央領域65の長さしくプラス処理保護周波数帯
)に対応している。(クロストークを回避するために、
長さLは書込トラック幅よりも意図的に小さくされてい
る。)代表的に、安定な中央領域単磁区を与えるのを助
けるために、磁気抵抗細片はトラック幅よりも長い。後
続磁極/シールド72は磁気抵抗センサ64と同じ長さ
として、書込工程に生じる側m1i13Xlii場から
完全に遮へいするのが重要である。これにより、先行及
び後続磁極79.72は異なる長さとされる。しかしな
がら、これは書込トラック幅に影響を及ぼすごとはなく
、それは先行磁極79の長さと前記ミラー効果により画
定されることが判った。
FIG. 7 is an end view of the basic elements of the double gap head of the embodiment. For clarity, spacer purchases are omitted. Shown are a ferrite substrate 60, a magnetoresistive strip 64, a lateral metal contact 66 defining an elongated central sensor area 65, and a ferromagnetic trailing pole/shield 7.
2 and leading magnetic pole 79. As shown, the length of the leading pole 79 through the magnetic mirroring by the trailing pole/shield defines the write track width. This length corresponds to the length of the central region 65 of the magnetoresistive strip 64 (plus processing protection frequency band). (To avoid crosstalk,
The length L is intentionally made smaller than the write track width. ) Typically, the magnetoresistive strip is longer than the track width to help provide a stable central region single domain. It is important that the trailing pole/shield 72 be the same length as the magnetoresistive sensor 64 to completely shield it from the side m1i13Xlii fields that occur during the write process. This causes the leading and trailing magnetic poles 79, 72 to have different lengths. However, this did not seem to affect the write track width, which was found to be defined by the length of the leading pole 79 and the mirror effect.

オーディオ等の多くの応用に対しては、磁気抵抗センサ
の線型動作が望ましい。前記したように、線型化は磁化
容易軸磁化ベクトルの傾斜もしくは電流ベクトルの傾斜
を必要とする。磁化ベクトルの傾斜は代表的に異方性を
増大して抵抗率変化範囲従ってセンサの感度を低減する
。同様に、電流の傾斜により、第8図に示すように匹敵
する感度損失を生じる。
For many applications, such as audio, linear operation of magnetoresistive sensors is desirable. As mentioned above, linearization requires a slope of the easy axis magnetization vector or a slope of the current vector. Tilting the magnetization vector typically increases the anisotropy and reduces the range of resistivity variation and thus the sensitivity of the sensor. Similarly, current ramping results in comparable sensitivity losses as shown in FIG.

第8図は代表的な傾斜電流バイアス技術を示し、ここで
、長さしの磁気抵抗細片92と密接する導体80.82
がソース88から一般的にコンタクト間のterr方向
に傾斜電流を与える。電流方向は一般的にコンタクトの
表面84.86に直角である。これらの表面は最大線型
性及び感度に対して、40°と45°門の角度θbで一
般的に傾斜している。(符号88が定電流源であれば電
圧センサ、定電圧源であればトランスインピーダンス電
流センサ1.′ソフト”ソースであれば電流センサとす
ることができる)手段90により抵抗率の変化が感知さ
れる。抵抗率の変化は、調査により、長手方向のコンタ
クト間の長さしよりも短い長さLeftに一般的に比例
する。次に、しは狭いトラックのトラック幅にほぼ等し
くセンス領域の長さを画定する。このようにして、装置
の感度は比Leff/ Lだけ低減される。Lが隣接ト
ラックから有意のりOストークをピックアップするのに
充分な長さとなるため、terrをトラック幅に匹敵さ
せるのは好ましくない。
FIG. 8 shows a typical gradient current biasing technique in which a length of magnetoresistive strip 92 and a closely spaced conductor 80.
provides a ramped current from source 88 generally in the terr direction between the contacts. The current direction is generally perpendicular to the contact surface 84,86. These surfaces are generally tilted at angles θb of 40° and 45° for maximum linearity and sensitivity. (If 88 is a constant current source, it can be a voltage sensor; if it is a constant voltage source, it can be a transimpedance current sensor 1; if it is a 'soft' source, it can be a current sensor); The change in resistivity has been shown by investigation to be generally proportional to the length Left, which is shorter than the length between the longitudinal contacts.Then, Left is approximately equal to the track width of the narrow track and the length of the sense region. In this way, the sensitivity of the device is reduced by the ratio Leff/L, making terr comparable to the track width, since L is long enough to pick up significant glue O stalks from adjacent tracks. I don't like letting it happen.

第9図はコンタクト面84.86の傾斜をおよそ50°
の角度θb′にゆるめる改良された傾斜電流センサを示
す。これにより、磁化容易軸に対しておよそ40°〜4
5°の角度を維持しながらLeft従って感度が実質的
に増大する。その理由は、その磁化容易軸自体がおよそ
10°の角度θ、Aだけ傾斜するように磁気抵抗細片が
パターン化されているためである。
Figure 9 shows the slope of the contact surface 84.86 at approximately 50°.
An improved gradient current sensor is shown that loosens to an angle θb'. This results in approximately 40° to 4° relative to the easy magnetization axis.
Left and therefore the sensitivity increases substantially while maintaining the 5° angle. The reason is that the magnetoresistive strip is patterned so that its easy axis itself is tilted by an angle θ,A of approximately 10°.

図において、コンタクト面84.86は各々、好ましく
は50°の角度θb′だけ傾斜している。
In the figure, the contact surfaces 84,86 are each inclined at an angle θb' of preferably 50°.

磁気抵抗細片の低級96は従来技術と同様に磁気 ゛デ
ィスク面に平行であるが、上縁98は角度θPでそこに
パターン化されていて下縁とおよそ10°の角度θEA
の磁化容易軸磁化ベクトルを生じる。
The lower grade of magnetoresistive strip 96 is parallel to the magnetic disk surface as in the prior art, but the upper edge 98 is patterned at an angle θP and at an angle θEA of approximately 10° with the lower edge.
yields an easy-axis magnetization vector of .

細片94は下縁96に平行な均一磁場において適切な基
板上に堆積されたバルク膜から形成される。その後、従
来のリソグラフィツク技術を使用してバルク膜をパター
ン化し、上縁が下縁に対して上向きに延在する角度をな
すパターンを形成する。この形状により磁化容易軸磁化
ベクトルは上縁の角度よりは小さいが上向きに傾斜する
。10°のネット磁化容易軸回転を達成するには、設計
者は非偏向磁化容易軸ベクトルの強さをサイズ、長さ、
厚さと平衡させ、磁気抵抗材の組成を上向縁角度と平衡
させなければならない。
Strip 94 is formed from a bulk film deposited on a suitable substrate in a uniform magnetic field parallel to lower edge 96. The bulk film is then patterned using conventional lithographic techniques to form an angled pattern with the top edge extending upwardly relative to the bottom edge. Due to this shape, the easy axis magnetization vector is tilted upward, although it is smaller than the angle of the upper edge. To achieve a net easy-axis rotation of 10°, designers must adjust the strength of the undeflected easy-axis vector by adjusting its size, length,
The thickness must be balanced and the composition of the magnetoresistive material must be balanced with the upward edge angle.

実施例において、細片94は80 : 2ONiFe合
金で構成され、およそ500人厚1しはおよそ9μ、h
(点104におけるセンサ高さ)はおよそ8μ、θPは
10@、且つθb′は50゛でθいは10°である。第
10図は傾斜磁化容易軸擬似楕円100及びコンタクト
面84.86に対する相対方位を示す(コンタクトの平
衡は図示せず)。
In an exemplary embodiment, the strip 94 is comprised of an 80:2ONiFe alloy, approximately 500 mm thick, approximately 9 μm thick, and approximately 9 μm thick.
(sensor height at point 104) is approximately 8μ, θP is 10@, and θb' is 50° and θ is 10°. FIG. 10 shows the gradient magnetization easy axis pseudo-ellipse 100 and its relative orientation to the contact surfaces 84, 86 (contact equilibrium not shown).

最もデジタルな応用に対して、データは(例えば、可変
長2.7)コードでディスク上に書き込まれ、その方向
や大きさよりも遷移位置(パルスピーク)のみが重要で
ある。パルス振幅は修篩子をトリガして信号とノイズを
識別する。このようにして、磁化ベクトル回転の初期感
度を改善することを除けば、センサを線型に作動させる
理由はない。このようにして、磁気抵抗センサの最終的
改良は前記パターン化されたバイアス以外は横切バイア
スを全く与えず、センサを非線型モードで作動させ、デ
ィスク磁束に応答する磁化ベクトル回転が40〜50°
程度となるように磁気抵抗センサ及びディスク磁束を設
計することである。
For most digital applications, data is written onto the disk in codes (eg, variable length 2.7), where only the transition positions (pulse peaks) are important, rather than their direction or magnitude. The pulse amplitude triggers a correction sieve to distinguish between signal and noise. In this way, there is no reason to operate the sensor linearly, except to improve the initial sensitivity of magnetization vector rotation. Thus, the final improvement of the magnetoresistive sensor was to provide no transverse bias other than the patterned bias, operate the sensor in a nonlinear mode, and reduce the magnetization vector rotation in response to disk flux by 40 to 50 °
The objective is to design the magnetoresistive sensor and the disk magnetic flux so that the

遷移位It(パルスピーク)が重要であるため、通常デ
ィスクからの信号を微分してゼロ交差を検出する。ノイ
ズがゼロ交差位置を不明確にするため、究極的にノイズ
がデータ密度を制限する。しかしながら、センサをバイ
アスしなければ、センサは非線型モードで作動しく従来
技術の説明の等式を参照)、微分は線型バイアスセンサ
よりも急峻なゼロ交差勾配を有する。この増大したゼロ
交差勾配により、ノイズ感度が低下し、ゼロ交差位置を
より正確に検出することができ、その他は全て同じであ
る。
Since the transition position It (pulse peak) is important, the signal from the disk is usually differentiated to detect zero crossings. Noise ultimately limits data density because noise obscures zero-crossing locations. However, without biasing the sensor, the sensor operates in a nonlinear mode (see equation in the prior art description) and the differential has a steeper zero-crossing slope than a linearly biased sensor. This increased zero-crossing slope reduces noise sensitivity and allows more accurate detection of zero-crossing locations, all else being equal.

センサから適切な非線型信号を得るために、磁化ベクト
ルはバイアスされた場合よりも余計に回転しなければな
らず、その原理の説明については第11図を参照された
い。図の上部は正規化磁気抵抗応答(前記余弦二乗応答
)グラフの半分を示す。図の下部は2つの磁束入力信号
のグラフであり、左側104は非線型磁気抵抗センサ“
の入力信号を表わし、右側は線型磁気抵抗センサの入力
を示す。2つの信号は著しく異なる大きさで示されてい
るが、磁気抵抗センサの相対応答が図示する相対差に比
例すれば実際には同じ大きさとすることがで、きる。事
実、ディスク及びセンサの相対応答を調整するのが好ま
しい。
In order to obtain a proper nonlinear signal from the sensor, the magnetization vector must rotate more than it would if it were biased; see FIG. 11 for an explanation of the principle. The upper part of the figure shows half of the normalized magnetoresistive response (cosine squared response) graph. At the bottom of the figure is a graph of two magnetic flux input signals, on the left 104 is a nonlinear magnetoresistive sensor “
The right side shows the input signal of the linear magnetoresistive sensor. Although the two signals are shown to have significantly different magnitudes, they can actually be the same magnitude if the relative responses of the magnetoresistive sensors are proportional to the relative differences shown. In fact, it is preferable to adjust the relative responses of the disk and sensor.

線型動作モードにおいて、入力パルス106は状態1.
2.3及び4を通過し、センサは抵抗率状@1’ 、2
’ 、3’及び4′を移動して応答する(反対穫性パル
スに対しては、1′の反対側の状態となる)。全状態に
対して、入出力は線型応答となる。
In the linear mode of operation, the input pulse 106 is in state 1.
2.3 and 4, the sensor has a resistivity shape @1', 2
', 3' and 4' in response (for counterproductive pulses, the state is opposite to 1'). For all states, the input and output have a linear response.

非線型モードにおいて、入力信号104は状態A−+F
を通過し、センサは状態A′→F′で応答する(反対極
性信号パルスは同じ出力を生じるが、抵抗率曲線の他方
の半分から生じる)。出力は領域D′→F′まで非線型
であり、そこで再び入力の線型応答となる。
In nonlinear mode, input signal 104 is in state A-+F
, the sensor responds with states A'→F' (opposite polarity signal pulses produce the same output, but from the other half of the resistivity curve). The output is nonlinear from region D' to F', where it again becomes a linear response to the input.

図から、非線型センサの全応答(A’からF’ )は線
型センサからの全応答(1′から4′)よりも大きいこ
とが判る。このようにして、全感度が大きくなり、遷移
中心(パルスピーク)をより正確に探し出すことができ
る。実際のセンサ出力は25〜30%増大する。
It can be seen from the figure that the total response of the non-linear sensor (A' to F') is greater than the total response from the linear sensor (1' to 4'). In this way, the total sensitivity is increased and the transition center (pulse peak) can be located more accurately. Actual sensor output increases by 25-30%.

第11図を示す応答を達成するのにいくつかの材料を選
択できるが、好ましい選択はパーマロイからなるセンサ
及び従来のフライヤ上にヘッドを搭載して示す磁化ベク
トル回転を生じるのに充分な磁束を有する磁気ディスク
材である。
Although several materials can be selected to achieve the response shown in Figure 11, the preferred choice is to use a sensor consisting of permalloy and the head mounted on a conventional flyer to provide sufficient magnetic flux to produce the magnetization vector rotation shown. It is a magnetic disk material with

第12図は擬似楕円10非傾斜コンタクト84゜86、
定電流源88及び電圧センサ90からなる好ましい磁気
抵抗センサを示す。好ましくは、このセンサは第6図及
び第7図のダブルギャップセンサ内に載置されている。
Figure 12 shows a pseudo-ellipse 10 non-inclined contact 84°86,
A preferred magnetoresistive sensor consisting of a constant current source 88 and a voltage sensor 90 is shown. Preferably, this sensor is mounted within the double gap sensor of FIGS. 6 and 7.

バイアスを全然与えない場合、センサは非線型モードで
作動する。ダブルギャップセンサのシールドされた第2
のギャップ内の形状及び位置によりセンサは単磁区状態
に維持される。所与の応用に対してこのような実施例が
充分頑丈ではない場合、前記したように領域110及び
112に交換材料を設けてさらに安定度を高めることが
できる。
If no bias is applied, the sensor operates in a non-linear mode. Shielded second part of double gap sensor
The shape and position of the sensor within the gap maintains the sensor in a single domain state. If such an embodiment is not robust enough for a given application, regions 110 and 112 can be provided with replacement material to further increase stability, as described above.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は擬似楕円磁気抵抗センサ細片の立面図、第2図
は両端に交換バイアス材料を有する第1図の細片を示す
図、第3図は磁気抵抗細片の両端にのみ交換バイアス堆
積を行う基本ステップ図、第4図は両端に交換バイアス
材料を有し上向きに突出する終端を有する細長い磁気抵
抗細片図、第5図は凹んだ交換バイアス材料のある磁気
抵抗センサを有する磁気抵抗センサの断面図、第6図は
二重ギャップ磁気抵抗センサの層構造図、第7図は二重
ギャップ磁気抵抗センサの基本素子の立面図、第8図は
従来技術の傾斜電流コンタクト及びそこに接続された電
気回路図、第9図は本発明の磁化容易軸パターンバイア
ス細片及びゆるめられた傾斜電流コンタクトを示す図、
第10図は磁化容易軸パターンバイアス擬似磁気抵抗細
片を示す図、第11図は線型及び非線型モードの磁気抵
抗センサの相対応答特性図、第12図は非傾斜応答に対
して非傾斜コンタクトを有する擬似楕円磁気センサの構
成図である。 [参照符号の説明] 10.64.92.94・・・磁気抵抗細片12.14
・・・磁区 20・・・アイランドレジスト層 22.24・・・交換材料 23−・・コンタクト金属化 26.28・・・上向延在脚 32.34−・・交換バイアス材料 38.60・・・メタルコンタクト 40・・・脚 42.44・・・シールド 50・・・磁気ディスク 52・・・スペーサ 60・・・軟磁性基板 62.68・・・酸化物層 70.74.76−・・ホトレジスト 72.79−・・後続先行磁極 75・・・−込ギャップ酸化物 78・・・メタルコイル 80.82−・・導体 84.86・・・非傾斜コンタクト 88・・・定電!%El1 90−・・電圧センサ
Figure 1 is an elevational view of a pseudo-elliptical magnetoresistive sensor strip; Figure 2 is an illustration of the strip of Figure 1 with exchange bias material at both ends; Figure 3 is an illustration of the strip of Figure 1 with exchange bias material at both ends; Figure 3 is an elevation view of a pseudo-elliptical magnetoresistive sensor strip; Basic step diagram for performing bias deposition; FIG. 4 is a diagram of an elongated magnetoresistive strip with exchange bias material at both ends and an upwardly projecting termination; FIG. 5 is a diagram of a magnetoresistive sensor with exchange bias material recessed. 6 is a layer structure diagram of a double-gap magnetoresistive sensor; FIG. 7 is an elevational view of the basic elements of a double-gap magnetoresistive sensor; and FIG. 8 is a prior art gradient current contact. and an electrical circuit diagram connected thereto; FIG. 9 is a diagram illustrating the easy axis pattern bias strip and loosened gradient current contacts of the present invention;
Figure 10 shows an easy axis pattern biased pseudo magnetoresistive strip, Figure 11 shows the relative response characteristics of magnetoresistive sensors in linear and non-linear modes, and Figure 12 shows a non-tilted contact for a non-tilted response. FIG. [Explanation of reference symbols] 10.64.92.94...Magnetic resistance strip 12.14
... Magnetic domain 20 ... Island resist layer 22.24 ... Exchange material 23 - ... Contact metallization 26.28 ... Upward extending leg 32.34 - ... Exchange bias material 38.60 ...Metal contact 40...Leg 42.44...Shield 50...Magnetic disk 52...Spacer 60...Soft magnetic substrate 62.68...Oxide layer 70.74.76--・Photoresist 72.79--Successive leading magnetic pole 75--Gap oxide 78--Metal coil 80.82--Conductor 84.86--Non-tilted contact 88--Constant voltage! %El1 90-...Voltage sensor

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)下縁と、上向きに曲げられた上縁と前記下縁に平
行な線から上向きに傾斜した磁化容易軸を有する中央セ
ンス領域を有する磁気抵抗センサ細片。
(1) A magnetoresistive sensor strip having a lower edge, a central sense region having an upwardly curved upper edge and an easy axis of magnetization tilted upward from a line parallel to the lower edge.
(2)下縁と、上向きに曲げられた上縁と前記下縁に平
行な線から上向きに傾斜した磁化容易軸を有する中央セ
ンス領域を有し、さらに前記中央センス領域から上向き
に曲げられた上縁の方向への細片の延長部を有する細長
い磁気抵抗センサ細片。
(2) a central sense region having a lower edge, an upwardly bent upper edge and an easy axis of magnetization tilted upward from a line parallel to the lower edge; An elongated magnetoresistive sensor strip having an extension of the strip towards the upper edge.
(3)特許請求の範囲第(2)項において、前記延長部
の下縁は上向きに曲げられている磁気抵抗センサ細片。
(3) A magnetoresistive sensor strip according to claim (2), wherein the lower edge of the extension is bent upwardly.
(4)特許請求の範囲第(2)項において、前記細片は
一端が上向きに曲げられた擬似楕円体を有する磁気抵抗
センサ細片。
(4) The magnetoresistive sensor strip according to claim (2), wherein the strip has a pseudo-ellipsoid shape with one end bent upward.
(5)特許請求の範囲第(4)項において、前記形状は
横尖端を有する磁気抵抗センサ細片。
(5) A magnetoresistive sensor strip according to claim (4), wherein said shape has a transverse tip.
(6)特許請求の範囲第(5)項において、交換バイア
ス材は前記横尖端に原子結合されているが中央センス領
域には結合されていない磁気抵抗センサ細片。
(6) A magnetoresistive sensor strip according to claim 5, wherein an exchange biasing material is atomically bonded to the lateral tips but not to the central sense region.
(7)特許請求の範囲第(6)項において、前記交換バ
イアス材は底縁から短い距離離されている磁気抵抗セン
サ細片。
(7) A magnetoresistive sensor strip according to claim 6, wherein the exchange biasing material is spaced a short distance from the bottom edge.
(8)特許請求の範囲第(5)項において、各々が細片
の横尖端と接触する2つの電気コンタクトを含む磁気抵
抗センサ細片。
(8) A magnetoresistive sensor strip according to claim (5), each comprising two electrical contacts in contact with a lateral tip of the strip.
(9)特許請求の範囲第(8)項において、前記コンタ
クトは前記中央センス領域内に平行傾斜面を有する磁気
抵抗センサ細片。
(9) A magnetoresistive sensor strip according to claim (8), wherein said contact has parallel sloped surfaces in said central sense region.
(10)特許請求の範囲第(8)項において、前記コン
タクトは中央センス領域内に非傾斜平行面を有する磁気
抵抗センサ細片。
10. The magnetoresistive sensor strip of claim 8, wherein the contact has non-slanted parallel surfaces in a central sense region.
(11)特許請求の範囲第(1)項において、前記細片
は一対の誘導書込磁極及び前記磁極間の第1のギャップ
と前記磁極中の後続磁極と軟磁性シールド間の第2のギ
ツヤプとの2つのギャップを形成する前記軟磁性シール
ドを有する磁気ヘッド内に載置されており、前記細片は
前記第2のギャップ内に載置され、前記磁極中の先行磁
極はトラック幅を画定する長さを有し、中央センス領域
は先行磁極とほぼ同じ長さであり、後続磁極は少くとも
細片と同じ長さである磁気抵抗センサ細片。
(11) In claim (1), the strip includes a pair of inductive write magnetic poles, a first gap between the magnetic poles, and a second gap between a trailing magnetic pole in the magnetic poles and a soft magnetic shield. a magnetic head having said soft magnetic shield forming two gaps between said strips, said strip being placed within said second gap, and said leading pole of said magnetic poles defining a track width; a magnetoresistive sensor strip having a length of about 100 psi, wherein the central sense region is about the same length as the leading pole and the trailing pole is at least as long as the strip.
(12)特許請求の範囲第(11)項において、前記軟
磁性シールドは少くとも細片と同じ長さである磁気抵抗
センサ細片。
(12) A magnetoresistive sensor strip according to claim (11), wherein the soft magnetic shield is at least as long as the strip.
(13)特許請求の範囲第(8)項において、前記細片
は一対の誘導書込磁極及び前記磁極間の第1のギャップ
と前記磁極中の後続磁極と軟磁性シールド間の第2のギ
ツヤプとの2つのギャップを形成する前記軟磁性シール
ドを有する磁気ヘッド内に載置されており、前記細片は
前記第2のギツヤプ内に載置され、前記磁極中の先行磁
極はトラック幅を画定する長さを有し、中央センサ領域
は先行磁極とほぼ周じ長さであり、後続磁極は少くとも
細片と周じ長さである磁気抵抗センサ細片。
(13) In claim (8), the strip includes a pair of inductive write magnetic poles, a first gap between the magnetic poles, and a second gap between a trailing magnetic pole in the magnetic poles and a soft magnetic shield. a magnetic head having said soft magnetic shield forming two gaps between said magnetic poles, said strip being disposed within said second gap, and said leading pole of said magnetic poles defining a track width; a magnetoresistive sensor strip having a length that is approximately the circumferential length of the leading magnetic pole, and the trailing magnetic pole is at least the circumferential length of the strip;
(14)特許請求の範囲第(13)項において、さらに
前記各コンタクト問に接続された定電流源及び前記各コ
ンタクト間に接続された電圧感知回路を含む磁気抵抗セ
ンサ細片。
(14) The magnetoresistive sensor strip according to claim (13), further comprising a constant current source connected between each of the contacts and a voltage sensing circuit connected between each of the contacts.
JP62260744A 1987-02-17 1987-10-15 Reluctance sensor small piece Pending JPS63205585A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US1520287A 1987-02-17 1987-02-17
US015202 1987-02-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63205585A true JPS63205585A (en) 1988-08-25

Family

ID=21770076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62260744A Pending JPS63205585A (en) 1987-02-17 1987-10-15 Reluctance sensor small piece

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63205585A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4803580A (en) Double-gap magnetoresistive head having an elongated central write/shield pole completely shielding the magnetoresistive sensor strip in the read gap
US4967298A (en) Magnetic head with magnetoresistive sensor, inductive write head, and shield
US4891725A (en) Magnetoresistive sensor having antiferromagnetic exchange-biased ends
EP0279535B1 (en) Head comprising a magnetoresistive sensor
US6801411B1 (en) Dual stripe spin valve sensor without antiferromagnetic pinning layer
JPH09191141A (en) Data transducer, magnetoresistance device, and magnetoresistance sensor
US5880912A (en) Magnetic head with biased GMR element and sense current compensation
JPS589484B2 (en) magnetic reading head
JPH0950613A (en) Magnetoresistive effect element and magnetic field detecting device
US5475550A (en) Enhanced cross-talk suppression in magnetoresistive sensors
JP2777548B2 (en) Edge bias type magnetoresistive sensor
US5847904A (en) Magnetoresistive device incorporating conductor geometry providing substantially uniform current flow for improved magnetic stability
US7027271B2 (en) Magnetoresistive device in a thin-film magnetic head and method of manufacturing same having particular electrode overlay configuration
US7268980B2 (en) Magnetic head having self-pinned CPP sensor with multilayer pinned layer
JPS63205584A (en) Reluctance sensor small piece and manufacture thereof
US5671105A (en) Magneto-resistive effect thin-film magnetic head
US6597545B2 (en) Shield design for magnetoresistive sensor
JPS63205585A (en) Reluctance sensor small piece
JPS6064484A (en) Ferromagnetic magnetoresistance effect alloy film
JP2865055B2 (en) Magnetoresistive magnetic sensing element and magnetic head using the same
US20020036874A1 (en) Magnetoresistive device and method of manufacturing same and thin-film magnetic head and method of manufacturing same
JPH0473210B2 (en)
JPS6233303A (en) Detecting method for magneto-resistance magnetic head
JPH09153652A (en) Magnetoresistive effect element
JPH10198929A (en) Magnetoresistive reproducing head