JPS63204264A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する分野の説明〕 本発明は光（ここでは広義の光であって、紫外線、可視
光線、赤外線、Ｘ線、γ線などを意味する。）のような
電磁波に対して感受性のある電子写真用光受容部材に関
する。

〔従来技術の説明〕

像形成分野において、電子写真用光受容部材における光
受容層を構成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ
比〔光電流（Ｉｐ）　／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射
する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル
特性を有すること、光応答性が速（、所望の暗抵抗値を
有すること、使用時において人体に対して無公害である
こと、等の特性が要求される。殊に、事務機としてオフ
ィスで使用される電子写真装置内に組込まれる電子写真
用光受容部材の場合には、上記の使用時における無公害
性は重要な点である。

このような点に立脚して最近注目されている光導電材料
にアモルファスシリコン（以後Ａ−３ｉと表記す）があ
り、たとえば、独国分開第２７４６９６７号公報、同第
２８５５７１８号公報等には電子写真用光受容部材とし
ての応用が記載されている。

しかしながら、従来のＡ−９ｉで構成された光受用層を
有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗値。

光感度、光応答性などの電気的、光学的、光導電的特性
および使用環境特性の点、更には経時的安定性および耐
久性の点において、各々、個々には特性の向上が計られ
ているが、総合的な特性向上を計る上で更に改良される
余地が存するのが実情である。

たとえば、電子写真用光受容部材に適用した場合に、高
光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来に
おいてはその使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光受容部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起こって、残像
が生ずる所謂ゴースト現象を発するようになる等の不都
合な点が少くなかった。

また、Ａ−３ｉ材料で光受容層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子
（Ｈ）あるいは弗素原子や塩素原子などのハロゲン原子
（Ｘ）、および電気的伝導型の制御のために硼素原子や
燐原子などが、あるいはその他の特性改良のために他の
原子が各々構成原子として光導電層中に含有されるが、
これらの構成原子の含有の仕方如何によっては、形成し
た層の電気的あるいは光導電的特性や電気的耐圧性に問
題が生ずる場合があった。

すなわち、たとえば、形成した光導電層中に光照射によ
って発生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分で
ないことや、あるいは転写紙に転写された画像に俗に「
白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によると思
われる画像欠陥や、クリーニング手段にブレードを用い
ると、その摺擦によると思われる、俗に「白スジ」と云
われている画像欠陥が生じたりしていた。また、多湿雰
囲気中で使用したり、あるいは多湿雰囲気中に長時間放
置した直後に使用すると俗に云う画像のボケが生ずる場
合が少なくなかった。

従ってＡ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光受容部材を設計する際に、上記したような問題の総
てが解決されるように層構成、各層の科学的組成９作成
法などが工夫される必要がある。

〔発明の目的〕

本発明は、上述の如きシリコン原子を母体とする材料で
構成された従来の光受容層を有する電子写真用光受容部
材における諸問題を解決することを目的とするものであ
る。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず、耐久性、耐湿性に優れ、残
留電位が全くか、または殆んど観測されないシリコン原
子を母体とする材料で構成された光受容層を有する電子
写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間における密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高いシリコ
ン原子を母体とする材料で構成された光受容層を有する
電子写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、電子写真用光受容部材として
適用させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の電
荷保持能力が充分であり、通常の電子写真法が極めて有
効に適用され得る優れた電子写真特性を示す、シリコン
原子を母体とする材料で構成された光受容層を有する電
子写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の別の目的は、長期の使用において画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て、且つ解像度の高い高品質画像を得ることが容易
にできる、シリコン原子を母体とする材料で構成された
光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供すること
にある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性お
よび高電気的耐圧性を有する、シリコン原子を母体とす
る材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受容
部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明の電子写真用光受容部材は、支持体と、該支持体
上に前記支持体側より順に長波長吸収層（以後「■Ｒ吸
収層」と略記する）、電荷注入阻止層と電荷輸送層（以
後「ＣＴＬ」と略記する）と電荷発生層（以後「ＣＧＬ
」と略記する）および表面層とが積層された層構成を有
する光受容層を有し、前記ＣＴ　Ｌと前記ＣＧＬとがシ
リコン原子を母体とし、少なくとも水素原子およびハロ
ゲン原子のいずれか一方を含有する非単結晶材料（以後
ｌＮｏｎ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）て構成され、
且つ前記ＣＴＬが炭素原子、窒素原子および酸素原子の
中の少なくとも一種を含有すると共に、伝導性を制御す
る物質として周期律表第■族原子を層厚方向に不均一な
分布状態で含有している部分を少くとも有する事を特徴
としている。

〔作　用〕

上記したような層構成を取るようにして設計された本発
明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的。

光学的、光導電的特性、耐久性および使用環境特性を示
す。

殊に、画像形成への残留電位の影響が実用的には実質上
なく、その電気的特性が安定しており、高感度、高ＳＮ
比を有するものであって、耐光疲労。

繰返し使用特性、耐湿性、電気的耐圧性に長ける為に、
濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の
高い、高品質の画像を安定して繰返し得ることができる
。

更に、本発明の電子写真用光受容部材は、全可視光域に
おいて光感度が高く、且つ光応答が速い。その為に、高
解像度で高品質の画像を安定した状態で高速で繰返し多
数枚得ることが出来るように、デジタル信号に基づく画
像の形成に適している。加えて、光受容層としてＣＴＬ
とＣＧＬを用いた機能分離型の構成とすることにより、
電荷（）第１・キャリア）の発生と該発生した電荷の輸
送という電子写真用光受容部材にとっての重要な機能を
各々別々の層に持たせることによって、一つの層で両方
の機能をもたせるより層設針の自由度が大きく、特性の
優れたものが出来る。また、ＣＴＬに炭素原子、窒素原
子および酸素原子の中少な（とも一種が含有されている
ことによりＣＴ　Ｌの比誘電率を小さくすることが出来
るために、層厚当りの容量を減少させることが出来、帯
電能や感度の向上を計ることが出来、さらに高電圧に対
する耐圧性も向上し、耐久性も向上する。加えてＣＴＬ
には伝導性を制御する物質として周期律表第Ｖ族原子を
層厚方向に不均一な分布状態で含有させることにより、
所望に従って最適な電荷輸送能力を有するＣＴＬを設計
出来る。

更に、ＣＴＬとＣＧＬの界面における電荷の注入性も改
善されるため、帯電能、感度、残留電位。

ゴースト、感度ムラ、耐久性、解像度等を飛躍的に向上
させることが出来る。

更に、ＩＲ吸収層を支持体とＣＴＬとの間に設けること
によって、電子写真装置の露光光源として半導体レーザ
等の長波長光を用いても、入射表面側から支持体までの
間で吸収し切れない分の長波長光も該ＩＲ吸収層で高効
率で吸収されるので、支持体表面での長波長光の反射に
よる干渉現象の現出を顕著に防止出来、画質が飛躍的に
向上する。

また、支持体とＣＴＬとの間に電荷注入阻止層が設けら
れであるために、帯電処理を受けた際に、前記支持体側
からＣＧＬ中に電荷が注入されるのを効果的に阻止する
ことができ、帯電能が飛躍的に向上する。

加えて、表面に表面層が設けられているので、機械強度
や電気的耐圧性が飛躍的に向上し、また帯電処理を受け
た際に表面より層内部に電荷が注入されるのを効果的に
阻止でき、帯電能、使用環境特性、耐久性および電気的
耐圧性が向上する。

〔発明の詳細な説明〕

以下、図面に従って本発明の電子写真用光受容部材に就
で具体例を挙げて詳細に説明する。

第１図は、本発明の電子写真用光受容部材の好適な層構
成を説明するために模式的に示した模式的構成図である
。

第１図に示す電子写真用光受容部材１００は、電子写真
用光受容部材用としての支持体１０１の」二にＩＲ吸収
層１０３と、伝導性を制御する物質（ＭＯ）を全層領域
に均−又は不均一に含有するＮｏｎ　−３ｉ　（Ｈ，Ｘ
）　（以後ＩＮｌＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記す
る）で構成される電荷注入阻止層１０４と、Ｎｏｎ−３
ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成されると共に、炭素原子。

窒素原子および酸素原子の中の少なくとも一種を含有し
、且つ周期律表第Ｖ族原子（Ｍ）を層厚方向に不均一な
分布状態で含有している部分を少くとも有しているＣＴ
Ｌ１０５と、Ｎ　ｏ　ｎ−８ｉ　（Ｈ、Ｘ　）で構成さ
れる　ＣＧＬ１０６と表面層１０７とから成る層構成を
有する光受容層１０２とを有する。表面層１０７は自由
表面１０８を有する。

支」１肺〜 本発明において使用される支持体１０１としては、導電
性でも電気絶縁性であっても良い。導電性支持体として
は、たとえば、ＮｉＣｒ、ステンレス。

Ａｊ！、　Ｃｒ、　Ｍ　Ｏ，Ａ’ｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、
　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ。

ｐｂ等の金属またはこれらの合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミック、
紙等が挙げられる。これらの電気絶縁性支持体は、好適
には少なくともその一方の表面を導電処理し、該導電処
理された表面側に光受容層を設けるのが望ましい。

たとえばガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

Ａｊ２．　Ｃｒ、　Ｍｏ、　　Ａｕ、　　Ｉｒ、　Ｎｂ
、　Ｔａ、　　Ｖ、　　Ｔｉ。

Ｐｔ、　Ｐｄ、　　ＩｎＯ２，ＩＴＯ（Ｉｎ２　Ｏ３−
１−３ｎ）等から成る薄膜を設けることによって導電性
を付与し、あるいはポリエステルフィルム等の合成樹脂
フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　Ａｊ？、　Ａｇ、　Ｐ
ｂ、　Ｚｎ、　Ｎｉ＋Ａｕ、　　Ｃｒ、　　Ｍｏ、　　
Ｔｒ、　　Ｎｂ、　Ｔａ、　　Ｖ、　　Ｔｅ、　　Ｐｔ
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ヒーム蒸着。

スパッタリング等でその表面に設け、または前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性を付
与する。支持体の形状は平滑表面あるいは凹凸表面の板
状無端ベルト状または円筒状等であることができ、その
厚さは所望通りの電子写真用光受容部材を形成しうるよ
うに適宜決定するが、電子写真用光受容部材としての可
撓性が要求される場合には、支持体としての機能が充分
発揮される範囲内で可能な限り薄くすることができる。

しかしながら、支持体の製造上および取り扱い上、機械
的強度等の点から、通常は１０μ以上とされる。

特にレーザー光などの可干渉性光を用いて像記録を行う
場合には、可視画像において現われる、いわゆる干渉縞
模様による画像不良を解消するために、支持体表面に凹
凸を設けてもよい。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、たとえば円筒状支持体をあらかじめ所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体
の中心軸を中心にした螺線構造を有する。

逆Ｖ字形突起部の螺線構造は、二重、三重の多重螺線構
造、または交叉螺線構造とされても差支えない。

あるいは、螺線構造に加えて中心軸に沿った平行線構造
を導入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内における層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間に良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆■字形とされるが、好ましくは第２図に（Ａ）、（Ｂ
）、（Ｃ）で示されるように実質的に二等辺三角形、直
角三角形あるいは不等辺三角形とされるのが望ましい。

これらの形状の中、殊に二等辺三角形、直角三角形が望
ましい。

本発明においては、管理された状態で支持体表面に設け
られる凹凸の各ディメンションは、以下の点を考慮した
上で、本発明の目的を結果的に達成出来るように設定さ
れる。

すなわち、第１は光受容層を構成するＮｏｎ　−５ｉ（
Ｈ，Ｘ）層は、層形成される表面の状態に構造敏感であ
って、表面状態に応じて層重質は太き（変化する。従っ
て、Ｎｏｎ−３ｉ　（Ｔ−Ｉ、Ｘ）光受容層の層品質の
低下を招来しないように支持体表面に設けられる凹凸の
ディメンションを設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニング処理においてクリーニングを完
全に行うことが出来なくなるという場合もある。

又、プレートクリーニングを行う場合、ブレードのいた
みが早くなる場合もあるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス」二
の問題点、および干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果
、支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００μｍ
〜０．３μｍ、より好ましくは２００μｍ〜１μｍ、最
適には５０μｍ〜５μｍであるのが望ましい。

また凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μ
ｍ、より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ、最適には０．
６μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。

支持体表面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にあ
る場合、凹部（または線上突起部）の傾斜面の傾きは、
好ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度
、最適には４度〜ＩＯ度とされるのが望ましい。

また、このような支持体上に堆積される各層の層厚の不
均一に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で、好ましく
は０．１μｍ〜２μｍ、より好ましくは０．１　μｍ　
〜１．５　μｍ、最適には０．２μｍ〜１μｍとされる
のが望ましい。

また、レーザー光などの可干渉性光を用いた場合の干渉
縞模様による画像不良を解消する別の方法として、支持
体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けても
よい。

すなわち支持体の表面が電子写真用光受容部材に要求さ
れる解像力よりも微小な凹凸を有し、しかも該凹凸は、
複数の球状痕跡窪みによるものである。

以下に本発明の電子写真用光受容部材における支持体の
表面の形状およびその好適な製造例を、第３図および第
４図により説明するが、本発明の光受容部材における支
持体の形状およびその製造法は、これによって限定され
るものではない。

第３図は本発明の電子写真用光受容部材における支持体
の表面の形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部を部
分的に拡大して模式的に示すものである。

第３図において３０１は支持体、３０２は支持体表面、
３０３は剛体真球、３０４は球状痕跡窪みを示している
。

さらに第３図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものである。すなわち、剛体真
球３０３を支持体表面３０２より所定高さの位置より自
然落下させて支持体表面３０２に衝突させることにより
、球状窪み３０４を形成しうろことを示している。そし
て、はぼ同一径Ｒ８の剛体真球３０３を複数個用い、そ
れらを略々同一の高さｈより、同時にあるいは逐時的に
落下させることにより、支持体表面３０２に、はぼ同一
曲率半径Ｒおよび同一幅りを有する複数の球状痕跡窪み
３０４を形成することができる。

前述のごとくして、表面に複数の球状痕跡窪みによる凹
凸形状の形成された支持体の典型例を第４図に示す。

第４図において、４０１は支持体、４０２は凹凸部の凸
部位置、４０３は剛体真球、４０４は球状痕跡窪みを表
わす。

ところで、本発明の電子写真用光受容部材の支持体表面
の球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率半径Ｒおよび幅り
は、こうした本発明の電子写真用光受容部材における干
渉縞の発生を防止する作用効果を効率的に達成するため
には重要な要因である。本発明者らは、各種実験を重ね
た結果、以下のところを究明した。すなわち、曲率半径
Ｒおよび幅りが次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式。

□≧０．０５５ Ｒ を嵩足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリング力川水以上存在することと
なる。

こうしたことから、電子写真用光受容部材の全体に発生
する干渉縞を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、電子写
真用光受容部材における干渉縞の発生を防止するために
は、前記−を０．０３５以上、好ましくは０．０５５以
上とすることが望ましい。

また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００
μｍ程度、好ましくは２００μｍ以下。

より好ましくは１００μｍ以下とするのが望ましい。

第４図の例においては、略々同一半径Ｒ８の剛体真球を
使用した例を示しであるが、本発明における支持体とし
ては、これに限定されることはなく、本発明の目的を達
成する範囲において個数と種類が管理された状態で、半
径Ｒ８の異なる複数種の剛体真球を使用しても良い。

第５図は、上記方法で作成した支持体５０１上に、ＴＲ
吸収層５０２．電荷注入阻止層５０３．　ＣＴＬ５０４
゜ＣＧＬ５０５．表面層５０６からなる光受容層５００
を形成した例が示される。表面層５０６は自由表面５０
７を有する。

ＩＲ−兎一双一層一 本発明におけるＴＲ吸収層（１０３，５０２）は、構成
要素としてゲルマニウム原子（Ｇｅ）およびスズ原子（
Ｓ　ｎ　）、のうちの少な（ともいずれか一方と、水素
原子（Ｈ）およびハロゲン原子（Ｘ）のうちの少なくと
もいずれか一方と、好ましくはシリコン原子（Ｓｉ）も
含有する非単結晶材料（以後「Ｎｏｎ−８ｉ　（Ｇｅ、
５ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成される。

該ＴＲ吸収層に含有されるゲルマニウム原子および／ま
たはスズ原子は、該ＴＲ吸収層中に万偏無く均一に分布
されても良いし、あるいは該ＴＲ吸収層の全層領域に万
偏無く含有されてはいるか層厚方向の分布濃度が不均一
であっても良い。しかしながら、いずれの場合にも支持
体の表面と平行な面内方向においては、均一な分布で万
偏無（含有されることが、面内方向における特性の均一
化を計る点からも必要である。すなわち、ＴＲ吸収層の
層厚方向には万偏無く含有されていて、且つ前記支持体
の設けられである側とは反対の側（光受容層の自由表面
側）の方に対して前記支持体側の方に多く分布した状態
となるようにするか、あるいはこの逆の分布状態となる
ように前記ＴＲ吸収層中に含有される。

本発明の電子写真用光受容部材においては、前記したよ
うにＴＲ吸収層中に含有されるゲルマニウム原子および
／またはスズ原子の分布状態は、層厚方向においては前
記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平行な面内方
向には均一な分布状態とされるのが望ましい。

また、好ましい実施態様例の１つにおいては、ＴＲ吸収
層中におけるゲルマニウム原子および／またはスズ原子
の分布状態は全層領域にゲルマニウム原子および／また
はスズ原子が連続的に万偏無く分布し、ゲルマニウム原
子および／またはスズ原子の層厚方向の分布濃度が支持
体側より電荷注入阻止層に向って減少する変化が与えら
れているので、ＴＲ吸収層と電荷注入阻止層との間にお
ける親和性に優れ、且つ後述するように、支持体側端部
においてゲルマニウム原子の分布濃度を極端に大きくす
ることにより、半導体レーザ等を使用した場合の表面層
から電荷注入阻止層までに吸収し切れない長波長側の光
をＴＲ吸収層において、実質的に完全に吸収することが
出来、支持体面からの反射により干渉を防止することが
出来る。

第６図乃至第１１図には、本発明における光受容部材の
ＴＲ吸収層中に含有されるゲルマニウム原子および／ま
たはスズ原子の層厚方向の分布状態が不均一な場合の典
型的例が示される。

第６図乃至第１１図において、横軸はゲルマニウム原子
および／またはスズ原子（以後「原子（ＧＳ）Ｊと略記
する）の分布濃度Ｃを、縦軸はＴＲ吸収層の層厚を示し
、ｔＢは支持体側のＩＲ吸収層の端面の位置を、ｔＴは
支持体側とは反対側のＩＲ吸収層の端面の位置を示す。

すなわち、原子（ＧＳ）の含有されるＩＲ吸収層はｔＢ
側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第６図には、ＴＲ吸収層中に含有される原子（ＧＳ）の
層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第６図に示される例では、原子（ＧＳ）の含有されるＩ
Ｒ吸収層が形成される表面と該ＩＲ吸収層の表面とが接
する界面位置ｔＢよりｔ、の位置までは、原子（ＧＳ）
の分布濃度ＣがＣ０なる一定の値を取り乍ら原子（ＧＳ
）が形成されるＩＲ吸収層に含有され、位置ｔ、よりは
濃度Ｃ２より界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減
少されている。界面位置ｔＴにおいては原子（ＧＳ）の
分布濃度ＣはＣ３とされる。

第７図に示される例においては、含有される原子（ＧＳ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで濃度
Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置１ｒにおいて濃度
Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第８図の場合には、位置ｔＢより位置Ｔ２まては原子（
ＧＳ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位置ｔ
２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少され
、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とされて
いる（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合であ
る、以後の「実質的に零」の意味も同様である。）。

第９図の場合には、原子（ＧＳ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置１ｒに至るまて、濃度Ｃ８より連続的に徐々
に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされている
。

第１Ｏ図に示す例においては、原子（ＧＳ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ３間においては、濃度Ｃ９と一
定値であり、位置１ｒにおいては濃度Ｃ７゜とされる。

位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されている。

第１１図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまで、原子（ＧＳ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１位置よ
り実質的に零に至るように一次関数的に減少している。

以上、第６図乃至第１１図によりＴＲ吸収層中に含有さ
れる原子（ＧＳ）の層厚方向の分布状態の典型例の幾つ
かを説明したように、本発明においては支持体側におい
てシリコン原子を含み、且つ原子（ＧＳ）の分布濃度Ｃ
の高い部分を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃
度Ｃは支持体側に比べてかなり低くされた部分を有する
原子（ＧＳ）の分布状態がＩＲ吸収層に設けられている
場合は、好適な例の１つとして挙げられる。この場合、
原子（ＧＳ）の層厚方向の分布状態として原子（ＧＳ）
の分布濃度の最大値Ｃｍ’ａｘがシリコン原子との和に
対して、好ましくは１０００原子ｐｐｍ以上、より好適
には５０００原子ｐｐｍ以上、最適にはＩ　Ｘ　］、　
０’原子ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得るよ
うに層形成されるのが望ましい。

本発明において、ＴＲ吸収層中に含有される原子（ＧＳ
）の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成され
るように所望に従って適宜法められるが、好ましくは１
〜ｌ０ＸＩＯ’原子ｐ　ｐ　ｍ　、より好ましくは１０
０〜９．５Ｘ１０５原子ｐ　ｐ　ｍ　、最適には５００
〜８　Ｘ　１０’原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

前記ＩＲ吸収層は、さらに伝導性を制御する物質（Ｍ　
Ｒ）　、酸素原子（Ｏ）、窒素原子（Ｎｌ）、炭素原子
（Ｃ）のうち少なくとも１つを含有してもよい。

また、前記の伝導性を制御する物質（Ｍ　Ｒ）としては
、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることが
でき、本発明においては、ｎ型伝導特性を与える周期律
表第■族に属する原子（以下「第■族原子」という。）
、またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖ族に属する
原子（以下「第Ｖ族原子」という。）を用いる。第■族
原子としては、具体的にはＢ（硼素）、／ｌ　（アルミ
ニウム）、　Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、
　　Ｔｌ　（タリウム）等があり、特にＢ、Ｇａが好適
である。第■族原子としては、具体的にはＰ（燐）、Ａ
ｓ（砒素）、　　Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ヒスマス
）等があり、特にＰ。

Ａｓが好適である。

本発明において、ＴＲ吸収層中に含有される伝導特性を
制御する物質（Ｍ　Ｒ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５Ｘ１０’原子ｐ　ｐ　ｍ　、より好ましく
は０．５〜１×１０４原子ｐ　ｐ　ｍ　、最適には１〜
５×ｌＯ３原子ｐｐｍとされるのが望ましいものである
。

本発明において、Ｎｏｎ−８ｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ）　（Ｈ
，Ｘ）で構成されるＩＲ吸収層は、例えば後述されるＣ
ＧＬ。

ＣＴＬと同様の真空堆積膜形成法によって、所望特性が
得られるように適宜成膜パラメータの数値条件が設定さ
れて作成される。具体的には、例えばグロー放電法（低
周波ＣＶＤ、高周波ＣＶＤまたはマイクロ波ＣＶＤ等の
交流放電ＣＶＤ、あるいは直流放電ＣＶＤ等）、スパッ
タリング法、真空蒸着法、イオンブレーティング法、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、非単結晶材料の原料カスを分解
することにより生成される活性種（Ａ）と、該活性種（
Ａ）と化学的相互作用をする成膜用の化学物質より生成
される活性種（Ｂ）とを、各々別々に堆積膜を形成する
ための成膜空間内に導入し、これらを化学反応させるこ
とによって非単結晶材料を形成する方法（以下ｒ　ＨＲ
ＣＶ　Ｄ法」と略記す）、非単結晶材料の原料カスと、
該原料ガスに酸化作用をする性質を有するハロゲン系の
酸化ガスを各々別々に堆積膜を形成するための成膜空間
内に導入し、これらを化学反応させることによって非単
結晶材料を形成する方法（以下、１ＦＯＣｖＤ法」と略
記す）などの種々の薄膜堆積膜法によって成形すること
ができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本
投下の負荷程度、製造規模１作成される光受容部材に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っ
ての条件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共
にハロゲン原子および水素原子の導入を容易に行い得る
等のことからして、グロー放電法、スパッタリング法。

イオンプレーティグ法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法が
好適である。そして、これらの方法を同一装置系内で併
用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法によって、Ｎｏｎ−３ｉ　（Ｇｅ
。

５ｎ）（Ｈ，Ｘ）て構成されるＩＲ吸収層を形成するに
は、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し
得るＧｅ供給用の原料ガスと、および／またはスズ原子
（Ｓｎ）を供給し得るＳｎ供給用の原料ガスと、必要に
応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガスまたは／および
ハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを内部が減圧にし
得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室
内グロー放電を生起させ、あらかじめ所定位置に設置さ
れである所定の支持体表面上にＮｏｎ−３ｉ　（Ｇｅ、
Ｓｎ）　（Ｈ。

Ｘ）からなる層を形成すれば良い。またゲルマニウム原
子および／またはスズ原子を不均一な分布状態で含有さ
せるには、Ｇｅ供給用および／またはＳｎ供給用の原料
ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従って制御しなが
らＮｏｎ−８ｉ　（Ｇｅ、５ｎ）（Ｈ、Ｘ　）からなる
層を形成させれば良い。また、スパッタリング法で形成
する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスまたは
これ等のガスをベースとした混合カスの雰囲気中でＳｉ
で構成されたターゲット、あるいは該ターゲットとＧｅ
および／またはＳｎで構成されたターゲットの二枚また
は三枚を使用して、またはＳｉとＧｅおよび／またはＳ
ｎの混合されたターゲットを使用して、必要に応じてＨ
ｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用および／
またはＳｎ供給用の原料ガスを必要に応じて、水素原子
（Ｈ）または／およびハロゲン原子（Ｘ）導入用のガス
をスパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによって成される。ゲルマ
ニウム原子および／またはスズ原子の分布を不均一にす
る場合には、前記Ｇｅ供給用および／またはＳｎ供給用
の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従って制御
しながら、前記のターゲットをスパッタリングしてやれ
ば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コンまたは単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウムまたは
単結晶ゲルマニウムおよび／また多結晶スズまたは単結
晶スズとを、それぞれ蒸発源として蒸着ボードに収容し
、この蒸発源を抵抗加熱法、あるいはエレクトロンビー
ム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を
所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパ
ッタリング法の場合と同様にする事で行うことができる
。

ＨＲＣＶＤ法によってＮｏｎ−８ｉ　（Ｇｅ、５ｎ）（
Ｈ，Ｘ）で構成されるＩＲ吸収層を形成するには、例え
ばＳｉ供給用の原料ガスとＧｅ供給用の原料カスおよび
／またはＳｎ供給用の原料ガスを必要に応じて別々に、
あるいはいっしょに内部が減圧にし得る堆積室内の前段
に設けた活性化空間に所望のカス圧状態で導入して、該
活性化空間内にグロー放電を生起させたり、または加熱
したりすることにより活性種（Ａ）を生成し、水素原子
（Ｈ）導入用の原料ガスおよびまたはハロゲン原子（Ｘ
）導入用の原料ガスを同様に別の活性化空間に導入して
活性種（Ｂ）を生成し、活性種（Ａ）と活性種（Ｂ）を
各々別々に前記堆積室内に導入してあらかじめ所定位置
に設置されである所定の支持体表面上にＮｏｎ−８ｉ　
（Ｇｅ、Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成すれば良
い。また、ゲルマニウム原子および／またはスズ原子を
不均一な分布状態で含有させるには、Ｇｅ供給用および
／またはＳｎ供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化
率曲線に従って制御しながらＮｏｎ−３ｉ　（Ｇｅ、５
ｎ）（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。

ＦＯＣＶＤ法によってＮｏｎ−３ｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ）　
（Ｈ，Ｘ）て構成されるＩＲ吸収層を形成するには、例
えばＳｉ供給用の原料ガスとＧｅ供給用の原料ガスおよ
び／またはＳｎ供給用の原料ガスを必要に応じて別々に
あるいは一緒に内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入し、さらにハロゲン（Ｘ）ガスを原料ガ
スとは別に前記堆積室内に所望のカス圧状態て導入し、
堆積室内でこれらのカスを化学反応させて、あらかじめ
所定の位置に設置されである所定の支持体表面」二にＮ
ｏｎ−３ｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ）　（１−Ｔ。

Ｘ）からなる層を形成すれば良い。またゲルマニウム原
子および／またはスズ原子を不均一な　分布状態で含有
させるにはＧｅ供給用および／またはＳｎ供給用の原料
ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従って制御しなか
らＮｏｎ−３ｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ）　　（Ｈ。

Ｘ）からなる層を形成させればよい。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、Ｓ＋Ｈ４、Ｓｔ　２　Ｈ６。

５ｉ３）Ｉ８．　５ｉ４）（、ｏ等のガス状態の、また
はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用さ
れるものとして挙げられ、殊に層作成作業時の取扱い易
さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６
が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３ＨＢ、Ｇｅ４Ｈ１ｏ’。

Ｇｅ５　■］１２＋　Ｇｅ　６　ＨＩ３　＋　Ｇｅ７　
Ｈ３Ｏ＋　Ｇｅ８　Ｈ１８＋ＧｅｇＨ２ｏなどのガス状
態のまたはガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使
用されるものとして挙げられ、殊に層作成作業時の取扱
い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点て、ＧｅＨ４，Ｇｅ
　２　Ｈ６゜Ｇｅ３ＨＢが好ましいものとして挙げられ
る。

Ｓｎ供給用の原料カスと成り得る物質としては、ＳｎＨ
４，５ｎ２Ｈ６，５ｎ３ＨＢ、５ｎ４ＨＩＯ＋５ｎ５Ｈ
１２，５ｎ６Ｈ１４＋　Ｓｎ？Ｈ１６＋　５ｎＢＩ’（
、Ｂ。

３ｎｇＨ２ｏなどのガス状態のまたはガス化し得る水素
化スズが有効に使用されるものとして挙げられ、殊に層
作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の点で
ＳｎＨ４，５ｎ２Ｈ６，５ｎ３ＨＢが好ましいものとし
て挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
またはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

また、更にはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態のまたはカス化し得るハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることができる。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的にはフッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、　　ＣＩ　Ｆ、　　Ｃ
Ｉ２　Ｆ３゜Ｂｒ　　Ｆ５＋　　ＢｒＦ３．ＩＦ３．Ｉ
Ｆ７．ＩＣｐ、ｒＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げるこ
とができる。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、いわゆるハロゲン原子
で置換されたソラン誘導体としては、具体的には、例え
ばＳｉＦ４．　Ｓｉ　２　Ｆ６．５ｉＣＡ４゜ＳｉＢｒ
４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げること
ができる。

このようなハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグ
ロー放電法によって本発明の特徴的な電子写真用光受容
部材を形成する場合には、Ｇｅ供給用および／またはＳ
ｎ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し得る原料ガスと
しての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体
上にハロゲン原子を含むＮｏｎ−５ｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ）
　（Ｈ，Ｘ）から成るＩＲ吸収層を形成することができ
る。

クロー放電法にしたがってハロゲン原子を含むＩＲ吸収
層を製造する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の原
料カスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料カスと
なる水素化ゲルマニウムおよび／またはＳｎ供給用の原
料ガスとなる水素化スズを所定の混合比とガス流量にな
るようにしてＩＲ吸収層を形成する堆積室に導入し、グ
ロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形
成することによって、所望の支持体上にＩＲ吸収層を形
成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一
層容易になるように図る為にこれ等のガスに更に水素ガ
スまたは水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合
して層形成しても良い。

また、各カスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種
混合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法。

ＨＲＣＶ　Ｄ法、ＦＯＣＶＤ法の何れの場合にも形成さ
れる層中にハロゲン原子を導入するには、前記のハロゲ
ン化合物または前記のハロゲン原子を含む硅素化合物の
カスを堆積室中に導入して該カスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。

また、水素原子を導入する場合には水素原子導入用の原
料ガス、例えばＦ２、あるいは前記したシラン類または
／および水素化ゲルマニウム等のカス類をスパッタリン
グ用の堆積室中に導入して該カス類のプラズマ雰囲気を
形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物、あるいはハロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして使用されるものであるが
、その他に、ＨＦ。

ＨＣＩ！、　ＨＢｒ、　Ｈｌ等のハロゲン化水素、Ｓｉ
Ｈ２Ｆ２　。

５ｉＨ２Ｉ２．５ＩＨ２ＣＩ！　２　、５ｉＨＣｊ！　
２　、　ＳｉＨ２Ｂｒ２　。

５ｉＨＢｒ２等のハロゲン置換水素化硅素、およびＧｅ
ＨＦ３　、　ＧｅＦ２　Ｆ２　、　ＧｅＨ３Ｆ、　Ｇｅ
ＨＢｒ３　。

ＧｅＦ２　Ｃ１ｌ　２．　ＧｅＨ３Ｃ１ｌ、　ＧｅＨＢ
ｒ３．　ＧｅＦ２　Ｂｒ　２　。

ＧｅＨ３Ｂｒ、　ＧｅＨＩ３　、　ＧｅＦ２１２　、Ｇ
ｅＨ３１等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原
子を構成要素の１つとするハロゲン化物、　ＧｅＦ４　
。

ＧｅＣｌ！４．ＧｅＢｒ４．ＧｅＩ４．ＧｅＦ２．Ｇｅ
Ｃｌ！２゜ＧｅＢｒ２　、　　Ｇｅ１２等のハロゲン化
ゲルマニウム、または／および５ｎＨＦ３，５ｎｌ−１
２Ｆ２，５ｎＨ３Ｆ。

５ｎＨＣｊ２３．５ｎＨ２Ｃｊ？２．５ｎＨ３Ｃｊ？、
　５ｎＨＢｒ３゜５ｎＨ２Ｂｒ２　、５ｎＨ３Ｂｒ、　
５ｎＨＩ３　、５ｎＨ２Ｉ２　。

５ｎＨ３■等の水素化ハロゲン化スズ等の水素原子を構
成要素の１つとするハロゲン化物、５ｎＦ４゜５ｎ（１
４，ＳｎＢｒ４，５ｎ１４．ＳｎＦ２，５ｎ（１２゜Ｓ
ｎＢｒ２　、　ＳｎＩ２等のハロゲン化スズ等々のガス
状態のあるいはガス化し得る物質も有効なＩＲ吸収層形
成用の出発物質として挙げる事ができる。これ等の物質
の中、水素原子を含むハロゲン化物は、ＩＲ吸収層形成
の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的あるい
は光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入され
るのて、本発明においては好適なハロゲン導入用の原料
として使用される。

水素原子をＩＲ吸収層中に構造的に導入するには、上記
の他にＦ２あるいはＳｉＨ４，Ｓｉ　２　Ｈ６゜Ｓｌ　
３　ＨＢ　、　Ｓｌ　４１（１０等の水素化硅素をＧｅ
を供給するためのゲルマニウムまたはゲルマニウム化合
物と、あるいはＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３ＨＢ。

Ｇｅ４Ｈ１０，Ｇｅ５Ｈ，２，Ｇｅ６Ｈ１４＋　Ｇｅ７
ＨＩ６＋Ｇｅ　Ｂ　ＨＵＢ、　　Ｇｅ　ｇ　Ｈ２ｏ等の
水素化ゲルマニウムおよび／またはＳｎを供給するため
のスズまたはスズ化合物と、あるいはＳｎＨ４＋　　Ｓ
ｎ　２　Ｈ６゜５ｎ３ＨＢ、５ｎ４Ｈ１０，５ｎ６Ｈ１
２，５ｎ６Ｈ，４゜Ｓｎ　７　Ｈ１６＋　　Ｓｎ　８　
Ｈ１８＋　　Ｓｎ９　Ｆ２０等の水素化スズとＳｉを供
給するためのシリコンまたはシリコン化合物とを堆積室
中に共存させて放電を生起させる事でも行うことができ
る。

本発明の好ましい例において、形成される電子写真用光
受容部材のＴＲ吸収層中に含有される水素原子（Ｈ）の
量またはハロゲン原子（Ｘ）の量または水素原子とハロ
ゲン原子の量の和（Ｈ十Ｘ　）は、好ましくは０．０１
〜４０原子％、より好ましくは０．０５〜３０原子％、
最適には０．１〜２５原子％とされるのが望ましい。

ＴＲ吸収層中に含有される水素原子（Ｉ］）または／お
よびハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支
持体温度または／および水素原子（■（）、あるいはハ
ロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質
の堆積装置系内へ導入する量、放電電力等を制御してや
れば良い。

本発明において、ＩＲ吸収層に窒素原子および／または
炭素原子および／または酸素原子を含有させるには、Ｉ
Ｒ吸収層の形成の際に窒素原子および／または炭素原子
および／または酸素原子導入用の出発物質を前記したＩ
Ｒ吸収層形成用の出発物質と共に使用して、形成される
層中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法によってＩ
Ｒ吸収層を形成するには窒素原子導入用の出発物質とし
ては、少なくとも窒素原子を構成原子とするガス状の物
質またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大概
のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料カスと、必要
に応じて水素原子（■］）または／およびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料カスとを所望の混合比で混
合して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｌ）を構成
原子とする原料カスと、窒素原子（Ｎ）および水素原子
（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所望
の混合比で混合するか、あるいは、シリコン原子（Ｓｉ
）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）
、窒素原子（Ｎ）および水素原子（Ｉ］）の３つを構成
原子とする原料ガスとを混合して使用することができる
。

また別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料カスに、窒素原子（Ｎ）を構成原
子とする原料カスを混合して使用しても良い。

窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とする、あ
るいはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ　２　
）、アンモニア（ＮＨ３）、　ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ
、、）、アジ化水素（ＨＮ　３　）、アジ化アンモニウ
ム（ＮＨ４Ｎ　３　）等のガス状のまたはガス化し得る
窒素、窒化物およびアジ化物等の窒素化合物を挙げるこ
とができる。この他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えて
、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行えるという点から、三
弗化窒素（ｐ　３　Ｎ）。

四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙
げることができる。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法によってＩ
Ｒ吸収層を形成するには炭素原子導入用の出発物質とし
ては、少なくとも炭素原子を構成原子とするガス状の物
質またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大概
のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料カスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原子（
Ｘ）を構成原子とする原料カスとを所望の混合比で混合
して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｉ）を構成原
子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）および水素原子（
Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所望の
混合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Ｓｉ）を
構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、炭
素原子（Ｃ）および水素原子（１−Ｔ　）の３つを構成
原子とする原料カスとを混合して使用することができる
。

また別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料カスに、炭素原子（Ｃ）を構成原
子とする原料カスを混合して使用しても良い。

炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを構成原子とす
る。

例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水
素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
　、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）。

ｎ−ブタン（ｎ　　Ｃ４ＨＩＯ）、ペンタン（Ｃ５ＨＩ
２）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ
４）。

プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）。

、　　ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、イソブチレン（Ｃ４Ｈ
８）。

ペンテン（Ｃ５Ｈ，。）、アセチレン系炭化水素として
は、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３
Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

ＳｌとＣとＨとを構成原子とする原料カスとしては、Ｓ
ｉ　（ＣＨ３）４１　Ｓｉ　（Ｃ２Ｈ５）４等のケイ化
アルキルを挙げることが出来る。

この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加えて、ハロゲン原
子（Ｘ）の導入も行えるという点からＣＦ４゜ＣＣ７！
４．ＣＩ］３ＣＦ３等のハロゲン化炭素ガスを挙げるこ
とが出来る。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法によってＴ
Ｒ吸収層を形成するには、酸素原子導入用の出発物質と
しては、少な（とも酸素原子を構成原子とするガス状の
物質またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。

例えば、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、酸素原子（０）を構成原子とする原料カスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｉ）を構成
原子とする原料ガスと、酸素原子（０）および水素原子
（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所望
の混合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Ｓｌ）
を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、
酸素原子（０）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子
とする原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、酸素原子（０）を構成原
子とする原料カスを混合して使用しても良い。

酸素原子（○）導入用の原料カスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、例えば酸素（０２）、オ
ゾン（０３）、−酸化窒素（Ｎｏ）。

二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素（Ｎ　２０）。

三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四三酸化窒素（Ｎ２０４）
。

三二酸化窒素（Ｎ　２０５　）、三酸化窒素（ＮＯ２）
。

シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子（ト
Ｉ）とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン（）Ｉ
３Ｓ＋Ｏ３＋ｌ−１３）、　　トリシロキサン（Ｈ３Ｓ
ＩＯ８ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級ンロキサン等を挙げ
ることができる。

スパッタリング法によってＴＲ吸収層を形成するには、
ＴＲ吸収層形成の際、単結晶または多結晶のＳｉウェー
ハーまたはＳｉ３Ｎ４ウェーハー、またはＳｉとＳｉ　
３　Ｎ　４が混合されて含有されているウェーハーおよ
び／またはＳｉＯ、、ウェーハー、またはＳｉとＳｉＯ
２が混合されて含有されているウェーハーおよび／また
はＳｉＣウェーハーまたはＳｌとＳｉＣが混合されて含
有されているウェーハーをターゲットとして、これ等を
種々のカス雰囲気中でスパッタリンクすることによって
行えば良い。

例えば、窒素原子を含有させるにはＳｉウェーハーをタ
ーゲットとして使用すれば、窒素原子と必要に応じて水
素原子または／およびハロゲン原子を導入するための原
料カスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパッタ
用の堆積室中に導入し、これらのガスのガスプラズマを
形成して前記Ｓｉウェーハーをスパッタリングすれば良
い。

また、別には、ＳｉとＳｉ　３　Ｎ　４とは別々のター
ゲットとしてまたはＳｉとＳｉ３Ｎ４の混合した一枚の
ターゲットを使用することによって、スパッタ用のガス
としての稀釈ガスの雰囲気中でまたは少なくとも水素原
子（ＩＪ）または／およびハロゲン原子（Ｘ）を構成原
子として含有するカス雰囲気中でスパッタリングするこ
とによって成される。

窒素原子、炭素原子、酸素原子導入用の原料ガスとして
は、先述したグロー放電法の例で示した原料ガスの中の
窒素原子、炭素原子、酸素原子導入用の原料ガスが、ス
パッタリングの場合にも有効なガスとして使用され得る
。

本発明において、ＴＲ吸収層の形成の際に、該層に含有
される窒素原子および／または炭素原子および／または
酸素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）および／またはＣ（Ｃ）お
よび／またはＣ（Ｏ）を層厚方向に変化させて、所望の
層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有
する層を形成するには、グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、
ＦＯＣＶＤ法の場合には、分布濃度Ｃ（Ｎ）および／ま
たはＣ（Ｃ）および／またはＣ（Ｏ）を変化させるべき
窒素原子および／または炭素原子および／または酸素原
子導入用の出発物質のガスを、そのカス流量を所望の変
化率曲線にしたがって適宜変化させ乍ら、堆積室内に導
入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、カス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を適宜変化させる操作を
行えば良い。

スパッタリング法によって形成する場合、窒素原子およ
び／または炭素原子および／または酸素原子の層厚方向
の分布濃度Ｃ（Ｎ）および／またはＣ（Ｃ）および／ま
たはＣ（０）を層厚方向で変化させて、窒素原子および
／または炭素原子および／または酸素原子の層厚方向の
所望の分布状態（ｄｅｐｔｈ　　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形
成するには、第一には、グロー放電法による場合と同様
に、窒素原子および／または炭素原子および／または酸
素原子導入用の出発物質をガス状態で使用し該ガスを堆
積室中へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化
させることによって成される。

第二には、スパッタリング用のターゲットを、例えばＳ
ｌとＳｉ　３　Ｎ　４との混合されたターゲットを使用
するのであれば、Ｓｉと５１３Ｎ４との混合比を、ター
ゲットの層厚方向において、あらかじめ変化させておく
ことによって成される。

ＳｉＣかＳｉＯ２を用いる場合も、５ｉＬＮ４と同様に
行えばよい。

ＴＲ吸収層中に含有される窒素原子（Ｎ）の量、または
酸素原子（０）の量、または炭素原子（Ｃ）の量、また
は窒素原子と酸素原子の量の和（Ｎ十〇）、または窒素
原子と炭素原子の量の和（Ｎ＋Ｃ）、または炭素原子と
酸素原子の量の和（Ｃ十〇）、または窒素原子と炭素原
子と酸素原子の量の和（Ｎ十Ｃ＋０）は、好ましくは０
．０１〜４０原子％、より好ましくは０．０５〜３０原
子％、最適には０．１〜２５原子％とされるのが望まし
い。

ＴＲ吸収層中に、伝導特性を制御する物質（Ｍ　Ｒ）、
例えば、第■族原子あるいは第■族原子を構造的に導入
するには、層形成の際に第■族原子導入用の出発物質あ
るいは第■族導入用の出発物質をカス状態で堆積室中に
、ＩＲ吸収層を形成するだめの他の出発物質と共に導入
してやれば良い。このような第■族原子導入用に出発物
質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の、また
は少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが
採用されるのが望ましい。そのような第■族原子導入用
の出発物質として具体的には硼素原子導入用としては、
Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ３゜＋　Ｂ５　Ｂ９　＋　　Ｂ５　Ｈ
ＩＩ　＋Ｂ６Ｈ１ｏ、Ｂ６Ｈ１２，Ｂ７Ｈ３４等の水素
化硼素、ＢＦ　３　、　ＢＣｊ２２　、　ＢＢｒ　３等
のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｊｌＩＣ
Ｉ！３＋　ＧａＣＡ　３＋　　Ｇａ（ＣＨ３）　３．　
ＩｎＣｊ？　２　、　ＴＡ　ＣＩ２３等も挙げることが
できる。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ４Ｉ。

ＰＦ３．　ＰＦｒ、、　ＰＣＩ２３．　ＰＣＡ’５．　
ＰＢｒ３．　ＰＢｒ６゜ＰＩ３等のハロゲン比隣が挙げ
られる。この他、ＡｓＨ３，ＡｓＦ　３．ＡｓＣ１！　
３．ＡｓＢｒ　３．ＡｓＦ　５゜ＳｂＨ３，ＳｂＦ３．
ＳｂＦ５．ＳｂＣ，ｆｌ’　３，５ｂＣＪ’　５゜Ｂｉ
Ｈ３、ＢｉＣｊ！　３　、　　Ｂ１Ｂｒ　３等も第■族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが
できる。

更に本発明におけるＩＲ吸収眉の層厚は、所望の電子写
真特性が得られること、および経済的効果等の点から０
．０５〜２５μ、好ましくは０．０７〜２０μ、最適に
は０．１〜１５μとするのが望ましい。

Ｉ１主人■北１ 電荷注入阻止層（１０３，５０２）は、前記したように
Ｎｏｎ−Ｎｏｎ−３ｉ、Ｘ）で構成される。本発明にお
ける電荷注入阻止層は、ある一方極性の帯電処理を光受
容層の表面に受けた際、支持体側よりＣＴＬ中に電荷が
注入されるのを阻止する機能を有し、他方の極性の帯電
処理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、所
謂整流性を有している。そのような機能を付与するため
に、電荷注入阻止層には一方の伝導型を与える伝導性を
制御する物質（ＭＯ）を比較的多く含有させる。

伝導性を制御する物質（ＭＯ）は、電荷注入阻止層の層
界面方向には万偏無く均一に含有されるが、層厚方向に
は、その分布濃度Ｃ（ＭＯ）は均一であっても不均一で
あっても良い。しかしながら、いずれにしても電荷注入
阻止層の全層領域に含有される。

分布濃度Ｃ（ＭＯ’）が不均一な場合には、支持体側に
多く分布するように含有させるのが好適である。

電荷注入阻止層中に含有される伝導性を制御する物質（
ＭＯ）は、後述されるＣＴＬ中に含有される周期律表第
Ｖ族に属する原子（Ｍ）と同一極性であっても良（、ま
た異なる極性であっても良く、更には同一物質であって
も、異なる物質であっても良い。

これらのことは、光受容層の層設針の際に目的に合せて
充分考慮されて適宜決定される。電荷注入阻止層中に含
有される伝導性を制御する物質（Ｍ　Ｏ）としては、前
記した伝導性を制御する物質（Ｍ　Ｒ）と同じものを挙
げることができる。

第１２図乃至第１６図には電荷注入阻止層に層厚方向に
は不均一な分布濃度で含有される場合の伝導性を制御す
る物質（ＭＯ）の層厚方向の分布状態の典型的例が示さ
れる。

第１２図乃至第１６図の例において、横軸は物質（ＭＯ
）の分布濃度Ｃ（ＭＯ）を、縦軸は電荷注入阻止層の層
厚ｔを示し、ｔＢは支持体側の界面位置を、を丁は支持
体側とは反対側の界面の位置を示す。即ち、電荷注入阻
止層はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第１２図には電荷注入阻止層中に含有される物質（ＭＯ
）の層厚方向の分布状態の第一の典型例が示される。

第１２図に示される例では界面位置ｔＢ側よりＩ４の位
置までは、物質（ＭＯ）の含有濃度Ｃ（ＭＯ）がＣＩ２
なる一定の値を取りながら含有され位置ｔ４より分布濃
度Ｃ（ＭＯ）は界面位置ｔＴに至るまでＣ１１より徐々
に連続的に減少されている。界面位置ｔｒにおいては分
布濃度ＣはＣＩ４とされる。

第１３図に示される例においては、含有される物質（Ｍ
Ｏ）の分布濃度Ｃ（ＭＯ）は位置ｔＢより位置ｔＴに至
るまてＣＩ、から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにお
いてＣＩ６となるような分布状態を形成している。

第１４図に示す例においては、物質（ＭＯ）の分布濃度
Ｃ（ＭＯ）は、位置ｔＢと位置Ｉ５間においてはＣ１□
と一定値であり、位置ｔＴにおいてはＣＩ８とされる。

位置ｔ５と位置ｔｒとの間では、分布濃度Ｃ（ＭＯ）は
−次間数的に位置ｔ５より位置ｔＴに至るまで減少され
ている。

第１５図に示される例においては、分布濃度Ｃ（ＭＯ）
は位置ｔＢより位置ｔ６まではＣＩ９の一定値を取り、
位置ｔ６より位置ｔＴまではＣ２０よりＣ２１まて一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃ（ＭＯ）
は位置ｔＢより位置ｔＴまでＣ２２の一定値を取る。

本発明において電荷注入阻止層が伝導性を制御する物質
（Ｍｏ　）を支持体側において多く分布する分布状態で
含有する場合、物質（ＭＯ）の分布濃度Ｃ（ＭＯ）の最
大値が好ましくは５ｏ原子ｐｐｍ以上、より好適には８
０原子ｐｐｍ以上、最適には１００原子ｐｐｍ以上とさ
れるような分布状態となり得る様に層形成されるのが望
ましい。

本発明において電荷注入阻止層中に含有される物質（Ｍ
Ｏ）の含有量としては、本発明の目的か効果的に達成さ
れる様に所望に従って適宜状められるが、好ましくは３
０〜５　Ｘ　］、　Ｏ″原子ｐｐｍ。

より好ましくは５０〜１×１０″原子Ｔ）Ｉ）ｍ＋最適
には１×１０２〜５Ｘ１０３原子ｐｐｍとされるのが望
ましいものである。

電荷注入阻止層は炭素原子および／または窒素原子およ
び／または酸素原子の含有によって、重点的にＩＲ吸収
層と電荷注入阻止層との間の密着性の向上および電荷注
入阻止層とＣＴＬとの間の密着性の向上が図られる。

第１７図乃至第２３図には電荷注入阻止層に含有される
炭素原子または／および酸素原子または／および窒素原
子（これらを総称して「原子（Ｚ）」と記す）の層厚方
向の分布状態の典型的例が示される。

第１７図乃至第２３図の例において横軸は原子（Ｚ）の
分布濃度Ｃｚを、縦軸は電荷注入阻止層の層厚ｔを示し
、ｔＢは支持体側の界面位置を、ｔＴは支持体側とは反
対側の界面の位置を示す。すなわち、電荷注入阻止層は
ｔＢ側よりｔＴに向って層形成がなされる。

第１７図には電荷注入阻止層中に含有される原子（Ｚ）
の層厚方向の分布状態の第一の典型例が示される。

第１７図に示される例では界面位置ｔＢよりｔ７の位置
までは原子（Ｚ）の分布濃度ＣＺがＣ２３なる一定の値
を取りながら含有され、位置ｔ７より分布濃度Ｃは界面
位置ｔＴに至るまてＣ２４より徐々に連続的に減少され
ている。界面位置ｔＴにおいては分布濃度ＣはＣ２５と
される。

第１８図に示される例においては、含有される原子（Ｚ
）の分布濃度ＣＺは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまでＣ
２８から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいてＣ２
７となるような分布状態を形成している。

第１９図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ８までは原子
（Ｚ）の分布濃度ＣｚはＣ２８と一定値とされ、位置ｔ
８と位置ｔＴとの間において徐々に連続的に減少され、
位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。

第２０図の場合には原子（Ｚ）は位置ｔＢより位置ｔｒ
に至るまで、分布濃度ＣｚはＣ３０より連続的に徐々に
減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。

第２１図に示す例においては、原子（Ｚ）の分布濃度Ｃ
ｚは、位置ｔＢと位置ｔ９間においてはＣ３１と一定値
であり、位置ｔＴにおいてはＣ３２とされる。

位置ｔ９と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃｚは一次関
数的に位置ｔ９より位置ｔＴに至るまで減少されている
。

第２２図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃｚは位置１Ｂより位置ｔ　ＩＱまではＣ３３の一定
値を取り、位置ｔ、。より位置ｔＴまではＣ３４よりＣ
３５まで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２３図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃｚは位置ｔＢより位置ｔＴまでＣ３Ｓの一定値を取
る。

本発明において電荷注入阻止層が原子（Ｚ）を支持体側
において多く分布する分布状態で含有する場合、原子（
Ｚ）の分布濃度Ｃｚの最大値が、好ましくは５００原子
ｐｐｍ以上、より好適には８００原子ｐｐｍ以上、最適
には１０００原子ｐｐｍ以上とされるような分布状態と
なり得る様に層形成されるのが望ましい。

本発明において、電荷注入阻止層中に含有される原子（
Ｚ）の含有量としては本発明の目的が効果的に達成され
る様に所望に従って適宜法められるが、好ましくは０．
００１〜５０原子％、より好ましくは０．００２〜４０
原子％、最適には０．００３〜３０原子％とされるのが
望ましい。

本発明における電荷注入阻止層に含有する水素原子また
は／およびハロゲン原子は、Ｎｏｎ−Ｎｏｎ−３ｉ、Ｘ
）内に存在する未結合手を補償し、層品質の向上を計る
ことが出来る。

水素原子またはハロゲン原子、または水素原子とハロゲ
ン原子の和の含有量は、好適には１〜５０原子％、より
好適には５〜４０原子％、最適には１０〜３０原子％で
ある。

本発明において電荷注入阻止層の層厚は所望の電子写真
特性が得られること、および経済的効果等の点から、好
ましくは０．０１〜１０μ、より好ましくは０．０５〜
８μ、最適には０．１〜５μとされるのが望ましい。

電荷注入阻止層は、後述されるＣＧＬ、ＣＴＬと同様の
真空堆積膜形成法によって、所望特性が得られるように
適宜成膜パラメータの数値条件が設定されて作成される
。

ＣＧＬ 本発明におけるＣＧＬ　（１０６，５０６）は、Ｎｏｎ
−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成され、所望の光導電特性、特
に電荷発生特性を有する。

本発明におけるＣＧＬ中には、伝導性を制御する物質、
炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）および酸素原子（０）
のいずれも実質的には含有されない。

また、本発明におけるＣＧＬに含有される水素原子また
は／およびハロゲン原子はシリコン原子の未結合手を補
償し、層品質の向上、特に光導電特性の向上に効果を奏
する。

水素原子またはハロゲン原子または　水素原子とハロゲ
ン原子の和の含有量は、好適　には１〜４゜原子％、よ
り好適には５〜３０原子％、最適には１０〜２０原子％
とされるのが望ましい。

本発明において、ＣＧＬの層厚は所望の電子写真特性が
得られること、および経済的効果、特に充分な電荷発生
能が得られるように電子写真画像形成装置に使用する光
源の光の吸収係数に応じて適宜所望に従って決められ、
好適には０．０１〜３゜μｍ、より好適には０．１〜２
０μｍ、最適には１〜１０μｍとされるのが望ましい。

本発明において、Ｎｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
るＣＧＬを形成するには、たとえば前記のＩＲ吸収層の
場合と同様にグロー放電法（低周波ＣＶＤ、高周波ＣＶ
Ｄまたはマイクロ波ＣＶＤ等の交流放電ＣＶＤ。

あルイハ直流放電ＣＶＤ等）、ＥＣＲ−ＣＶＤ法、スパ
ッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティング法、
光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法
等の種々の薄膜堆積法によって形成することが出来る。

これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投下の負荷
程度、製造規模、作成される光受容部材に所望される特
性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望
の特性を有する電子写真用の光受容部材を製造するに当
っての条件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と
共にハロゲン原子および水素原子の導入を容易に行い得
る等のことからして、グロー放電法、スパッタリング法
。

イオンブレーティング法、　　ＥＣＲ−ＣＶＤ法、ＨＲ
ＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法が好適である。場合によっては
、これらの方法を同一装置系内で併用して形成してもよ
い。たとえば、グロー放電法によってＮｏｎ　−５ｉ（
Ｈ，Ｘ）で構成されるＣＧＬを形成するには、基本的に
はシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料
ガスと水素原子（Ｈ）導入用の原料ガスまたは／および
ハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧に
し得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積
室内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定位置に設
置されである所定の支持体表面上にＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ
，Ｘ）からなる層を形成すれば良い。また、スパッタリ
ング法で形成する場合には、たとえばＡｒ、Ｈｅ等の不
活性ガスまたはこれ等のガスをベースとした混合ガスの
雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットを使用して、必
要に応じて、水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導
入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
って成される。

イオンブレーティング法の場合には、たとえば多結晶シ
リコンまたは単結晶シリコンを蒸発源として蒸着ボード
に収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、あるいは、エレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以
外は、スパッタリング法の場合と同様にする事で行うこ
とができる。ＨＲＣＶＤ法によってＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ
，Ｘ）で構成されるＣＧＬを形成するには、たとえばＳ
ｉ供給用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内の
前段に設けた活性化空間に所望のガス圧状態で導入して
、該活性化空間内にグロー放電を生起させたり、または
過熱したりすることにより活性種（Ａ）を生成し、水素
原子（Ｈ）導入用の原料ガスおよび／またはハロゲン原
子（Ｘ）導入用の原料ガスを、同様に別の活性化空間に
導入して活性種（Ｂ）を生成し、活性種（Ａ）と活性種
（Ｂ）を各々別々に前記堆積室内に導入して、あらかじ
め所定位置に設置されである所定の支持体表面上にＮｏ
ｎ−８ｉ（Ｈ。

Ｘ）からなる層を形成すれば良い。ＦＯＣＶＤ法によっ
て、Ｎｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成されるＣＧＬを形
成するには、たとえばＳｉ供給用の原料ガスを内部が減
圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入し、さら
にハロゲン（Ｘ）ガスを原料ガスとは別に前記堆積室内
に所望のガス圧状態で導入し、堆積室内でこれらのガス
を化学反応させて、あらかじめ所定位置に設置されであ
る所定の支持体表面上にＮｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）から
なる層を形成すれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３）１
Ｂ　、　５ｉ４Ｈ，０等のガス状態のまたはガス化し得
る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ１供
給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６が好ましい
ものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げら
れる。

また、さらには、シリコン原子とノ＼ロダン原子とを構
成要素とするガス状態のまたはガス化し得るハロゲン原
子を含む水素化硅素化合物も、有効なものとして本発明
においては挙げることができる。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロゲンガス、　　ＢｒＦ、　ＣＩ　Ｆ、　　
ＣＩ　Ｆ　３゜ＢｒＦ５．　ＢｒＦ３．　ＩＦ３．　Ｔ
Ｆ７．　ＩＣ１，ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げる
ことができる。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、いわゆるハロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、たと
えばＳｉＦ４　、５ｉ２Ｆ６．５ｉＣ１４＋ＳｉＢｒ４
等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
できる。

このようなハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグ
ロー放電法によって本発明の特徴的な電子写真用光受容
部材を形成する場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスと
しての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体
上にハロゲン原子を含むＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）から
成るＣＧＬを形成する事ができる。

グロー放電法にしたがって、ハロゲン原子を含むＣＧＬ
を製造する場合、基本的には、たとえばＳｉ供給用の原
料ガスとなるハロゲン化硅素を所定のガス流量になるよ
うにしてＣＧＬを形成する堆積室に導入し、グロー放電
を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成するこ
とによって、所望の支持体上にＣＧＬを形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
ように図る為に、これ等のガスに更に水素ガスまたは水
素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成
して良い。

また、各ガスは単独種のみでな（所定の混合比で複数種
混合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法。

ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法の何れの場合にも、形成さ
れる層中にハロゲン原子を導入するには前記のハロゲン
化合物または前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガ
スを堆積室中に導入して、該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。

また、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の
原料ガス、たとえばＨ２あるいは前記したシラン類のガ
ス類をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガス類
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物、あるいはハロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして使用されるものであるが
、その他に、ＨＦ、　ＨＣｊｌ’。

ＨＢｒ、　　Ｈｌ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ　２
゜５ｉＨ２１２，５ｉＨ２Ｃｊ！２．５ｉＨＣｊ！２．
　ＳｉＨ２Ｂｒ２゜５ｉＨＢｒ２等のハロゲン置換水素
化硅素、等々のガス状態のあるいはガス化し得る物質も
有効なＣＧＬ形成用の出発物質として挙げる事ができる
。

これ等の物質の中、水素原子を含む）１０ゲン化物は、
ＣＧＬ形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電
気的あるいは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子
も導入されるので、本発明においては好適なハロゲン導
入用の原料として使用される。

水素原子をＣＧＬ中に構造的に導入するには、上記の他
にＨ２或はＳｉＨ４＋　Ｓｉ２　Ｈ６、Ｓｉ３　ＨＢ　
ｔＳｉ４Ｈ１゜等の水素化硅素と８１を供給するための
シリコンまたはシリコン化合物とを堆積室中に共存させ
て放電を生起させる事でも行うことができる。

ＣＧＬ中に含有される水素原子（Ｈ）または／およびハ
ロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、たとえば支持体
温度または／および水素原子（Ｈ）、あるいはハロゲン
原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積
装置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良
い。

ＣＴＬ 本発明におけるＣＴＬ　（１０５，５０４）は、構成要
素として、シリコン原子、炭素原子、窒素原子および酸
素原子のうち少なくとも一種と、伝導性を制御する物質
として周期律表第Ｖ族原子（Ｍ）とを含有するＮｏｎ−
３ｉ　（Ｈ，Ｘ）　（以後ｒＮｏｎ−３ｉＭ（Ｃ，Ｎ、
Ｏ）　（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成され、所望の電
子写真特性を満足する電荷輸送特性を有する。該ＣＴＬ
に含有される炭素原子、窒素原子または酸素原子は該Ｃ
ＴＬ中に万偏無く均一に分布した状態で含有されても良
いし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有し
ている部分があっても良いように含有されても良い。周
期律表第Ｖ族原子（Ｍ）は層厚方向には不均一に分布す
る状態で含有される。いずれにしても、周期律表第■族
原子（Ｍ）、炭素原子、窒素原子および酸素原子のいず
れも含有される場合には、ＣＴＬの全層領域に含有され
る。周期律表第Ｖ族原子（Ｍ）のＣＴＬの層厚方向の分
布濃度がＣＴＬの少なくとも一部の層領域において、不
均一になるように、原子（Ｍ）はＣＴＬ中に含有される
。

炭素原子、窒素原子および酸素原子のＣＴＬにおける層
厚方向の分布濃度は均一であっても　良く、あるいは周
期律表第Ｖ族原子（Ｍ）と同様にＣＴＬの少なくとも一
部の層領域で不均一となるように含有されても良い。

第２４図乃至第３９図にはＣＴＬに含有される周期律表
第■族原子（Ｍ）の層厚方向の分布状態の典型的例が示
されている。第２４図乃至第３９図において、横軸は含
有する原子（Ｙ）の分布濃度Ｃを、縦軸はＣＴＬの層厚
を示し、ｔＢは支持体側のＣＴＬの端面の位置を、ｔ４
は支持体側とは反対側のＣＴＬの端面の位置を示す。す
なわち、原子（Ｙ）の含有されるＣＴＬはｔＢ側よりｔ
Ｔ側に向って層形成がなされる。

第２４図には、ＣＴＬ中に含有される原子（Ｙ）の層厚
方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２４図に示される例では、電荷注入阻止層とＣＴＬと
が接する界面位置ｔＢよりｔｏの位置までは、原子（Ｍ
）の分布濃度Ｃが値Ｃ３７なる一定の値を取り乍ら原子
（Ｍ）が形成されるＣＴＬ中に含有され、位置ｔ１６よ
りは分布濃度値Ｃ３８より界面位置ｔＴに至るまで徐々
に連続的に減少されている。界面位置ｔＴにおいては原
子（Ｍ）の分布濃度Ｃは値Ｃ３９とされる。

第２５図に示される例においては、含有される原子（Ｍ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで濃度
Ｃ４０から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて濃
度Ｃ４１となる様な分布状態を形成している。

第２６図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ＋７までは原
子（Ｍ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ４２と一定値とされ、位
置ｔ　１２と位置ｔＴとの間において、Ｃ４３より徐々
に連続的に減少され、位置ｔＴにおいて分布濃度Ｃは実
質的に零とされている（ここで実質的に零とは検出限界
量未満の場合である、以後の１実質的に零」の意味も同
様である。） 第２７図の場合には、原子（Ｍ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置を丁に至るまで濃度値Ｃ４４より連続的に徐
々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされてい
る。

第２８図に示す例においては、原子（Ｍ）の分布濃度Ｃ
は、位置ｔＢと位置ｔ　１３間においては、濃度Ｃ４５
と一定値であり、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ６６とされ
る。位置ｔ　１３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは
一次関数的に位置ｔ　１３より位置ｔＴに至るまで減少
されている。

第２９図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまで原子（Ｍ）の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ４７より実
質的に零に至るように一次関数的に減少している。

第３０図に示される例においては、含有される原子（Ｍ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ１−に至るまて値
Ｃ４８から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて値
Ｃ４９となる様な分布状態を形成している。

第３１図に示される例においては、原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ　１９まては値Ｃ５０の一定
値を取り、位置ｔ　＋４より位置ｔＴまでは値Ｃ７１よ
り値Ｃ５２まで一次関数的に減少する分布状態とされて
いる。

第３２図に示される例においては、原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ　１５に至るまでは値Ｃ５５
からＣ５４まで徐々に連続的に増加し、位置ｔ　１５よ
り位置Ｃ５３の一定値を取り、位置ｔＴに至るような分
布状態を形成している。

第３３図に示される例においては、原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまでＣ７７からＣ５
６まで徐々に連続的に増加するような分布状態を形成し
ている。

第３４図に示される例においては、原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ　＋６に至るまで実質的に零
からＣ５９まで徐々に連続的に増加し、位置ｔ　２＋よ
りはＣ５８の一定値を取り、位置ｔＴに至るような分布
状態を形成している。

第３５図に示される例においては、原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置ｔｎより位置ｔＴに至るまで実質的に零から
Ｃ６０まで徐々に連続的に増加するような分布状態を形
成している。

第３６図に示される例においては、原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置ｔｎより位置ｔ　１７に至るまでＣ６２から
Ｃ６１まで一次関数的に増加し、位置ｔ　１７よりはＣ
６１の一定値を取り、位置ｔＴに至るような分布状態を
形成している。

第３７図に示される例においては、原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置ｔｎより位置ｔＴに至るまで、実質的に零か
らＣ６３まで一次関数的に増加するような分布状態を形
成している。

第３８図に示される例においては、原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまでＣ６５からＣ６
４まで徐々に連続的に増加するような分布状態を形成し
ている。

第３９図に示される例においては、原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ　１８に至るまでＣ６８から
Ｃ６７まで一次関数的に増加し、位置ｔ　１８よりはＣ
６６の一定値を取り、位置ｔ７に至るような分布状態を
形成している。

第４４図乃至第４９図にはＣＴ’Ｌに含有される炭素原
子または／および窒素原子または／および酸素原子（以
後、これ等を総称して「原子（Ｙ）」と略記する）の層
厚方向の分布状態の典型的例が示されている。

第４０図乃至第４９図において、横軸は含有する原子（
Ｙ）の分布濃度Ｃを、縦軸はＣＴＬの層厚を示し、ＴＢ
は支持体側のＣＴＬの端面の位置を、ｔＴは支持体側と
は反対側のＣＴＬの端面の位置を示す。

すなわち、原子（Ｙ）の含有されるＣＴＬはｔＢ側より
ｔＴ側に向って層形成がなされる。

第４０図には、ＣＴＬ中に含有される原子（Ｙ）の層厚
方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第４０図に示される例では、電荷注入阻止層とＣＴＬと
が接する界面位置ｔＢよりｔ　１９の位置までは、原子
（Ｙ）の分布濃度ＣがＣ６９なる一定の値を取り乍ら原
子（Ｙ）が形成されるＣＴＬに含有され、位置ｔ　１９
よりは濃度Ｃ７０より界面位置を丁に至るまで徐々に連
続的に減少されている。界面位置ｔＴにおいては原子（
Ｙ）の分布濃度ＣはＣ７１とされる。

第４１図に示される例においては、含有される原子（Ｙ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで濃度
Ｃ７２から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて濃
度Ｃ７３となる様な分布状態を形成している。

第４２図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ　２０までは
原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７４と一定値とされ、
位置ｔ２ｏと位置ｔＴとの間において、Ｃ７５から徐々
に連続的に減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは
実質的に零とされている（ここで実質的に零とは検出限
界量未満の場合である）。

第４３図の場合には、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ７６より連続的に徐
々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされてい
る。

第４４図に示す例において、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは
、位置ｔＢと位置ｔ２１間においては、濃度Ｃ７７と一
定値であり、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ７８とされる。

位置ｔ２＋と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関
数的″に位置ｔ　２１より位置ｔＴに至るまで減少され
ている。

第４５図に示す例においては、位置ｔｎより位置ｔＴに
至るまで、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７９より実
質的に零に至るように一次関数的に減少している。

第４６図に示される例においては、含有される原子（Ｙ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまでＣＳ
Ｏから徐々に連続的に減少して位置　ｔＴにおいて０８
１となる様な分布状態を形成している。

第４７図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ２゜まではＣ８２の一定値を
取り、位置ｔ２２より位置ｔＴまではＣ８３よりＣ８４
まで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第４８図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔまでＣ８５の一定値を取る。

第４０図乃至第４８図において示した例は、いずれもｔ
Ｔ側よりｔＢ側のほうが原子（Ｙ）の分布濃度Ｃが多い
例を示したがｔＴ側とｔＢ側をまったく逆にして、ｔＢ
側よりｔＴ側のほうが原子（Ｙ）の分布濃度Ｃが多（て
もよ（、例えば第４９図に示される例では第４０図にお
いて、ｔＴ側とｔＢ側を逆にした場合で、界面位置ｔＢ
より位置ｔ２３に至るまで原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは０
８８から徐々に連続的に増加して、位置ｔ２８でＣ８７
となり位置ｔ２８がら界面位置ｔＴまてＣ８６なる一定
の値となる。

前記の周期律表第Ｖ族原子（Ｍ）としては、半導体分野
における、いわゆる不純物を挙げることができ、本発明
においては、ｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖ族に属
する原子（以下「第Ｖ族原子」という。）を用いる。第
Ｖ族原子としては、具体的には、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素
）、ｓｂ（アンチモン）。

Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好適である
。

本発明においては、ＣＴＬの全層領域に周期律表第Ｖ族
原子（Ｍ）を含有させることによって、主として伝導型
および／または伝導率を制御する効果および／またはＣ
ＧＬとＣＴＬとの間の電荷注入性を向上させる効果を得
ることが出来るが、その含有量は比較的少量とされる。

原子（Ｍ）の含有量としては好適にはＩ　Ｘ　１０−３
〜ｌ×１０３原子ｐｐｍ、より好適には５　Ｘ　１．　
Ｏ−３〜１×１０２原子ｐ　ｐ　ｍ　、最適にはＩ　Ｘ
　１０−２〜５０原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

また、本発明におけるＣＴＬの全層領域には炭素原子ま
たは／および酸素原子または／および窒素原子が含有さ
れ、主として高暗抵抗化や分光感度の制御と、ＣＧＬと
ＣＴＬとの間の密着性の向上を計ることが出来る。炭素
原子、酸素原子、または窒素原子の含有量は、あるいは
これ等の中受なくとも二種を含有させる場合には、それ
等の総合有量としては、好適にはＩ　Ｘ　１０−３〜５
Ｘ１０原子％、より好適には５×１０−２〜４×１０原
子％、最適にはＩ　Ｘ　１０−’〜３×１０原子％とさ
れるのが望ましい。

また、本発明におけるＣＴＬに含有する水素原子または
／およびハロゲン原子はシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上を計ることが出来る。

ＣＴＬ中に含有される水素原子またはハロゲン原子、あ
るいは水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適に
は１〜７ｏ原子％、より好適には５〜５０原子％、最適
には１０〜３ｏ原子％とされるのが望ましい。

本発明において、ＣＴＬの層厚は所望の電子写真特性が
得られること、および経済的効果等の観点から、好まし
くは５〜５０μ、より好ましくは１０〜４０μ、最適に
は２０〜３０μとされるのが望ましい。

本発明において、ＣＴＬ中に原子（Ｙ）を導入するには
、ＣＴＬ形成用の出発物質と共に使用して、形成される
層中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法によってＣ
ＴＬを形成するには、窒素原子導入用の出発物質として
は、少なくとも窒素原子を構成原子とするガス状の物質
またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。

たとえばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（■（）または／およびハロゲン原
子（Ｘ）を構成原子とする原料カスとを所望の混合比で
混合して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｉ）を構
成原子とする原料ガスと、窒素原料（Ｎ）および水素原
子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所
望の混合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Ｓｉ
）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）
、窒素原子（Ｎ）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原
子とする原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、窒素原子（Ｎ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とする、あ
るいはＮとＨとを構成原子とする、たとえば窒素（Ｎ２
）、アンモニア（ＮＨ３）、　ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ
，）、アジ化水素（ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（Ｎ
Ｈ４Ｎ３）等のカス状のまたはガス化し得る窒素、窒化
物およびアシ化物等の窒素化合物を挙げることができる
。この他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えてハロゲン原
子（Ｘ）の導入も行えるという点から、三弗化窒素（Ｈ
３Ｎ）。

四弗化窒素（Ｈ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙
げることができる。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法によってＣ
ＴＬを形成するには、炭素原子導入用の出発物質として
は、少なくとも炭素原子を構成原子とするガス状の物質
またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。

たとえばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｉ）を構成
原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）および水素原子
（Ｈ）を構成とする原料ガスとを、これもまた所望の混
合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Ｓｉ）を構
成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、炭素
原子（Ｃ）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、炭素原子（Ｃ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを構成原子とす
る、たとえば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜
４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系
炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、ｘタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）。

ｎ−ブタン（ｎ　Ｃ４ＨＩＯ）ｌペンタン（Ｃ５ＨＩ２
）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４
）。

プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）。

ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、イソブチレン（Ｃ４Ｈ８）。

ペンテン（Ｃ５ＨＩＯ）、アセチレン系炭化水素として
は、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３
Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

Ｓｉ（！：ＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては
、Ｓｉ　（ＣＨ３）４　、　８ｉ　（Ｃ２Ｈ５）４等の
ケイ化アルキルを挙げることが出来る。

この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加えて、ハロゲン原
子（Ｘ）の導入も行えるという点からＣＦ４゜ＣＣｌ４
．ＣＨ３ＣＦ３等のハロゲン化炭素ガスを挙げることが
出来る。

クロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法によってＣ
ＴＬを形成する場合の酸素原子導入用の出発物質として
は、少な（とも酸素原子を構成原子とするガス状の物質
またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。

たとえばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｌ）を構成
原子とする原料カスと、酸素原子（０）および水素原子
（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとをミこれもまた所望
の混合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Ｓｉ）
を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、
酸素原子（０）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子
とする原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

酸素原子（０）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、たとえば酸素（０２）、
オゾン（Ｏ３）＋−酸化窒素（Ｎｏ　）　。

二酸化窒素（Ｎｏ。）、−二酸化窒素（Ｎ２０）’。

三二酸化窒素（Ｎ２０３）、　四三酸化窒素（Ｎ２　ｏ
４）。

三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸化窒素（Ｎｏ２）、シ
リコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）
とを構成原子とする、たとえば、ジシロキサン　（Ｈ３
ＳｉＯ８ｉＨ３）、トリシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ３ｉＨ
２０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン等を挙げることがで
きる。

スパッタリング法によってＣＴＬを形成するには、ＣＴ
Ｌ形成の際、単結晶または多結晶のＳｉウェハーまたは
Ｓｉ３　Ｎ４ウエーハー、またはＳｌとＳｉ３　Ｎ４が
混合されて含有されているウェーハーおよび／または５
ｉ０２ウエーハー、またはＳｉと５ＩＯ２が混合されて
含有されているウェーハーおよび／またはＳｉＣウェー
ハー、またはＳｉとＳｉＣが混合されて含有されている
ウェーハーをターゲットとして、これ等を種々のガス雰
囲気中でスパッタリングすることによって行えば良い。

たとえば、窒素原子を含有させるにはＳｉウェーハーを
ターゲットとして使用すれば、窒素原子と必要に応じて
水素原子または／およびハロゲン原子を導入するための
原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈してスパッタ
用の堆積室中に導入し、これらのガスのガスプラズマを
形成して前記Ｓｉウェーハーをスパッタリングすれば良
い。

また、別には、ＳｉとＳｉ３Ｎ４とは別々のターゲット
として、またはＳｉとＳｉ３Ｎ４の混合した一枚のター
ゲットを使用することによって、スパッタ用のガスとし
ての稀釈ガスの雰囲気中でまたは少なくとも水素原子（
Ｈ）または／およびハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とし
て含有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによ
って成される。

窒素原子、炭素原子、酸素原子導入用の原料カスとして
は、先述したグロー放電法の例で示した原料ガスの中の
窒素原子、炭素原子、酸素原子導入用の原料ガスが、ス
パッタリングの場合にも有効なガスとして使用され得る
。

本発明において、ＣＴＬの形成の際に、該層に含有され
る原子（Ｙ）の分布濃度ｃ　（ｙ）を層厚方向に変化さ
せて、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　　ｐｒ
ｏｆＮｅ）を有する層を形成するには、グロー放電法、
ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法の場合には、分布濃度ｃ　
（ｙ）を変化させるべき原子（Ｙ）導入用の出発物質の
ガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線にしたがって
適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成
される。

たとえば、手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いら
れている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設け
られた所定のニードルバルブの開口を適宜変化させる操
作を行えば良い。

スパッタリング法によって形成する場合、原子（Ｙ）の
層厚方向の分布濃度ｃ　（ｙ）を層厚方向で変化させて
、原子（Ｙ）の層厚方向の所望の分布状態（ｄｅｐｔｈ
　　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第一には、グロ
ー放電法による場合と同様に、原子（Ｙ）導入用の出発
物質をガス状態で使用し、該カスを堆積室中へ導入する
際のガス流量を所望に従って適宜変化させることによっ
て成される。

第二には、スパッタリング用のターゲットを、たとえば
Ｓ】とＳｉ３　Ｎ４との混合されたターゲットを使用す
るのであれば、ＳｉとＳｉ３　Ｎ４との混合比を、ター
ゲットの層厚方向において、あらかじめ変化させてお（
ことによって成される。

ＳｉＣや５ｉｎ２を用いる場合も、Ｓｉ３　Ｎ４と同様
に行えばよい。

ＣＴＬ中に、周期律表第■族に属する原子（Ｍ）を構造
的に導入するには、層形成の際に第Ｖ族原子導入用の出
発物質をガス状態で堆積室中にＣＴＬを形成するための
他の出発物質と共に導入してやれば良い。

このような第■族原子導入用の出発物質と成り得るもの
としては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形
成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望
ましい。そのような第■族原子導入用の出発物質として
、具体的には燐原子導入用としては、ＰＨ３１Ｐ２Ｈ４
等の水素北隣、ＰＨ４Ｉ、ＰＦ３．ＰＦ５．’Ｐ（Ｊ！
３．ＰＣ７５，ＰＢｒ３゜ＰＢｒ３　、　ＰＩ３等のハ
ロゲン比隣等が挙げられる。このほか、ＡｓＨ３、Ａｓ
Ｆ３　、　ＡｓＣＡ　３　、　ＡｓＥｒ３　。

ＡｓＦ５．ＳｂＨ３，ＳｂＦ３．ＳｂＦ５，５ｂＣｊｌ
！３，５ｂＣｊ！　５　、　　ＢｉＩ３　、　ＢｉＣｊ
！　３　、　Ｂ１Ｂｒ３等も挙げることができる。

本発明の目的を達成し得る特性を有するＣ　Ｇ　Ｌ、Ｃ
ＴＬをＮ　ｏ　ｎ　　Ｓ　１（Ｘ　＋　Ｙ）として水素
原子または／およびハロゲン原子を含有するＡ−３ｉ　
（以後、ｒＡ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）Ｊと称する）を選択し
て構成するには、支持体の温度、ガス圧を所望に従って
適宜設定する必要がある。

支持体温度（Ｔｓ）は、層設計に従って適宜最適範囲が
選択されるが、通常の場合、５０８Ｃ〜４００°Ｃ９好
適には１００°Ｃ〜３００℃とするのが望ましい。

堆積室内のガス圧も、同様に層設計に従って適宜最適範
囲が選択されるが、通常の場合Ｉ　Ｘ　１０＝〜１０Ｔ
ｏｒｒ１好ましくはＩ　Ｘ　１．０−３〜３Ｔｏｒｒ、
最適には１×ｌ０−２〜ＩＴｏｒｒとするのが望ましい
。

本発明においては、前記各層を作成するための支持体温
度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙
げられるが、これらの層作成ファクターは、通常は独立
的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有す
る各層を形成すべく、相互的且つ有機的関連性に基づい
て、各層作成ファクターの最適値を決めるのが望ましい
。

ＣＧＬ、ＣＴＬを構成するＮｏｎ−３ｊ　（Ｈ，Ｘ）と
して、水素原子または／およびハロゲン原子を含有する
多結晶シリコン（以後ｒ　ｐｏｌｙ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）
　Ｊと呼称する。）を選択して構成する場合、その層を
形成するについては種々の方法があり、たとえば次のよ
うな方法があげられる。

その１つの方法は、支持体温度を高温、具体的には４０
０°Ｃ〜６００℃に設定し、該支持体上にプラズマＣＶ
Ｄ法により膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、支持体表面に先ずアモルファス状の膜を形
成、すなわち、支持体温度をたとえば約２５０℃にした
支持体上にプラズマＣＶＤ法により膜を形成し、該アモ
ルファス状の膜をアニーリング処理することによりｐｏ
ｌｙ化する方法である。該アニーリング処理は、支持体
を４００　’Ｃ〜６００℃に約５〜３０分間加熱するか
、あるいは、レーザー光を約５〜３０分間照射すること
により行われる。

□表二面−眉〜 本発明における表面層（１０７，５０６）は、構成要素
としてシリコン原子と、炭素原子、窒素原子および酸素
原子のうちの少なくとも一種と、水素原子およびハロゲ
ン原子の少なくともいずれか一方とを含有するＮｏｎ−
８ｉ　（Ｃ，Ｎ、Ｏ）　（Ｈ，Ｘ）で構成される。表面
層には、伝導性を制御する物質は全（含有されないか、
または実質的には含有されない。

該層に含有される炭素原子または窒素原子または酸素原
子は該層中に万偏無（均一に分布されても良いし、ある
いは層厚方向には万偏無く含有されてはいるが、不均一
に分布する状態で含有している部分があっても良い。

しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行面
内方向においては、均一な分布で万偏無く含有されるこ
とが面内方向における特性の均一化を計る点からも必要
である。

第５０図乃至第５９図には表面層に含有される炭素原子
または／および窒素原子または／および酸素原子（以後
、これ等を総称して「原子（Ｚ）」と記す）の層厚方向
の分布状態の典型的例が示されている。

第５０図乃至第５９図において、横軸は含有する原子（
Ｚ）の分布濃度Ｃを、縦軸は表面層の層厚を示し、ｔＢ
は支持体側とは反対側の表面層の端面の位置を、ｔＴは
支持体側とは反対側の表面層の端面の位置を示す。すな
わち、原子（Ｚ）の含有される表面層はｔＢ側よりｔＴ
側に向って層形成がなされる。

第５０図には、表面層中に含有される原子（Ｚ）の層厚
方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第５０図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ　２９に至るまてＣ１，１か
らＣ１１゜まで徐々に連続的に増加し、位置ｔ　２９よ
りはＣｌ０９の一定値を取り位置ｔＴに至る様な分布状
態を形成している。

第５１図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまでＣ１１３からＣ
１，２まで徐々に連続的に増加する様な分布状態を形成
している。

第５２図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ　３０に至るまて実質的に零
からＣ１１５まで徐々に連続的に増加し、位置ｔ　３ｏ
よりはＣ４，４の一定値を取り位置を丁に至る様な分布
状態を形成している。

第５３図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置ｔｏより位置ｔＴに至るまで実質的に零から
Ｃ１１６まで徐々に連続的に増加する様な分布状態を形
成している。

第５４図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ３□に至るまでＣＩ＋８から
Ｃ１，７まで一次関数的に増加し、位置ｔ３□よりはＣ
１１□の一定値を取り位置ｔＴに至る様な分布状態を形
成している。

第５５図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置ｔａより位置ｔＴに至るまで、実質的に零か
らＣ１１９まで一次関数的に増加する様な分布状態を形
成している。

第５６図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまでＣ１２５からＣ
ｌ２Ｏまで徐々に連続的に増加する様な分布状態を形成
している。

第５７図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ３□に至るまで、Ｃ１２４か
らＣｌ２３まで一次関数的に増加し、位置ｔ　３２より
はＣ１２２の一定値を取り位置ｔＴに至る様な分布状態
を形成している。

第５６図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴまでＣ１□５の一定値を取
る。

第５９図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢよりｔ　３３に至るまでＣ１２８の一定
値を取り、位置ｔ　３３より位置ｔ　３４に至るまでＣ
Ｉ２７の一定値を取り、位置ｔ　３４よりはＣ１２６の
一定値を取り位置ｔＴに至る様な分布状態を形成してい
る。

本発明における表面層の全層領域に含有される炭素原子
または／および窒素原子または／および酸素原子は、主
に高暗抵抗化、高硬度化等の効果を奏する。表面層中に
含有される原子（Ｙ）の含有量は、好適には１×１０″
３〜９０原子％、より好適にはｌ　Ｘ　Ｉ　Ｏ−’〜８
５原子％、最適には１０〜８０原子％とされるのが望ま
しい。

また、本発明における表面層に含有される水素原子また
は／およびハロゲン原子はＮｏｎ−３ｉ（Ｃ，Ｎ、’Ｏ
）　（Ｈ，Ｘ）内に存在する未結合手を補償し膜質の向
上に効果を奏する。

表面層中の水素原子またはハロゲン原子または水素原子
とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１〜７０原子
％、より好適には５〜５０原子％、最適には１０〜３０
原子％である。

本発明において、表面層の層厚は所望の電子写真特性が
得られること、および経済的効果等の点から好ましくは
０．００３〜３０μ、より好ましくは０、Ｏ１〜２０μ
、最適には０．１〜１０μとされるのが望ましい。

本発明においてＮｏｎ−３ｉ　（Ｃ，Ｎ、Ｏ）　（Ｈ，
Ｘ）で構成される表面層を形成するには、前述のＣＴＬ
を形成する方法と同様の真空堆積法が採用される。

本発明の目的を達成しうる特性を有する表面層を形成す
る場合には、支持体１０１の温度、ガス圧が前記各層の
特性を左右する重要な要因である。

支持体温度は適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは
５０°Ｃ〜４００°Ｃ１より好適には１００〜３００℃
とするのが望ましい。

堆積室内のガス圧も適宜最適範囲が選択されるが、好ま
しくはＩ　Ｘ　１０−’〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましく
は１×１Ｏ−３〜３Ｔｏｒｒ、最適にはＩ　Ｘ　１０−
２〜ＩＴｏｒｒとするのが望ましい。

本発明においては、表面層を作製するための支持体温度
、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げ
られるが、これらの層作製ファクターは、通常は独立的
に別々に決められるものではな（、所望の特性を有する
表面層を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて
、各層作製ファクターの最適値を決めるのが望ましい。

表面層はＮｏｎ−８ｉ　（Ｃ，Ｎ、　Ｏ）　（Ｈ，Ｘ）
を母体とする材料で構成されるが、その中で多結晶性の
Ｓｉ　（Ｃ，Ｎ、Ｏ）　（Ｈ，Ｘ）　（以後ｒｐｏｌｙ
−３ｉ　（Ｃ。

Ｎ、０）（Ｈ，Ｘ）Ｊと呼称する）で構成される層を形
成するについては種々の方法があり、例えば次のような
方法があげられる。

その１つの方法は、基体温度を高温、具体的には４００
〜６００℃に設定し、該基体上にプラズマＣＶＤ法によ
り膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、基体表面に先ずアモルファス状の膜を形成
、すなわち基体温度をたとえば約２５０°Ｃにした基体
上にプラズマＣＶＤ法により膜を形成し、該アモルファ
ス状の膜をアニーリング処理することによりｐｏｌｙ化
する方法である。該アニーリング処理は、基体を４００
〜６００℃で約５〜３０分間加熱するか、あるいはレー
ザー光を約５〜３０分間照射することにより行われる。

次に高周波（以下ＲＦと略す）グロー放電分解法によっ
て形成される本発明の電子写真用光受容部材の製造方法
について説明する。

第６０図にＲＦグロー放電分解法による電子写真用光受
容部材の製造装置を示す。

図中の１０１１．１０１２．１０１３．１０１４．１０
１５゜１０１６、　１０１７のガスボンベには、本発明
の夫々の層を形成する為の原料ガスが密封されており、
その−例として１．たとえば１０１１には５ＩＨ４ガス
（純度９９，９９９％）ボンベ、１０１２にはＨ２ガス
（純度９９．９９９％）ボンベ、１０１３にはＨ２ガス
で希釈されたＰＨ３ガス（純度９９．９９９％、以下「
ＰＨ３／Ｈ２」と略す）ボンベ、１０１４はＮｏガス（
純度９９．５％）ボンベ、１０１５にはＧｅＨ４ガス（
純度９９，９９９％、）ボンベ、１０１６はＮＨ３ガス
（純度９９．９９９％）ボンベ、１０１７はＣＨ４ガス
（純度９９．９９９％）ボンベである。

基体シリンダー上に本発明の層構成を持つ電子写真用光
受容部材の作成法を具体例に基づいて述べる。

すなわち、ＩＲ吸収層形成用ガスとして、ＳｉＨ４ガス
、ＰＨ３／Ｈ２ガス、Ｎｏガス、ＧｅＨ４ガスを電荷注
入阻止層形成用ガスとして、ＳｉＨ４ガス。

Ｈ２ガス、ＰＨ３／Ｈ２ガス、Ｎｏガスを、ＣＴＬ形成
用ガスとして５ｉｎ４ガス、ＣＨ４ガス、ＰＨ３／Ｈ２
ガスを、ＣＧＬ形成用ガスとしてＳｉＨ４ガス。

Ｉ］２ガスを、表面層形成用ガスとしてＳ　ｉ　Ｈ４ガ
ス。

ＣＨ４ガスを用いる場合をとりあげる。

これらのガスを反応室１００１に流入させるにはガスボ
ンベ１０１１〜１０１７のバルブ１０５１〜１０５７、
反応室１０１１のリークバルブ１００３が閉じられてい
る事を確認し、また、流入バルブ１０３１〜１０３７、
流出バルブ１０４１〜１０４７、補助バルブ１０７０が
開かれている事を確認して、先ずメインバルブ１００２
を開いて反応室１　’ＯＯ１およびガス配管内を排気す
る。

次に真空計１００４の読みが約５Ｘ１０＝Ｔｏｒｒにな
った時点で補助バルブ１０７０、流出バルブ１ｏ４１ニ
１０４７を閉じる。

その後、ガスボンベ１０１１よりＳｉＨ４ガス、ガスボ
ンベ１０１２よりＨ２ガス、ガスボンベ１０１３よりＰ
■］３／Ｈ２ガス、ガスボンベ１０１４より　Ｎｏガス
、ガスボンベ１０１５よりＧｅＨ４ガス、ガスボンベ１
０１６よりＮＨ３ガス、ガスボンベ１０１７よりＣＨ４
ガスを、バルブ１０５１〜１０５７を開いて導入し、圧
力調節器１０６１〜１０６７により各ガス圧力を２Ｋｇ
／　ｃ　ｍに調節する。

次に流入バルブ１０３１〜１０３７を徐々に開けて、以
上の各ガスをマスフローコントローラー１０２１〜１０
２７内に導入する。

また、反応室１００１内に設置された基体シリンダー１
００７の温度は加熱ヒーター１００８により５０〜３５
０°Ｃの間の所望の温度迄加熱される。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、基体シリン
ダー１００７上にＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、ＣＴＬ
、ＣＧＬ、表面層の各層の成膜を行う。

ＩＲ吸収層を形成するには、流出バルブ１０４１゜１０
４３、　１０４４．　１０４５および補助バルブ１０７
０を徐々に開いて、ＳｉＨ４ガス、　　Ｐ　Ｈ３／　Ｈ
２ガス。

Ｎｏガス、ＧｅＨ４ガスを反応室１００１内に流入させ
る。このとき、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス流量ｌＰＨ３／Ｈ２ガ
ス流量、Ｎｏガス流量、ＧｅＨ４ガス流量が所望の値に
なるように流出バルブ１０４１，１０４３゜１０４４．
１０４５を調節し、また反応室内の圧力が所望の値にな
るように真空計１００４を見ながらメインバルブ１００
２の開口を調節する。その後、電源１０１０を所望の電
力に設定して反応室１００１内にＲＦグロー放電を生起
させ、基体シリンダー上にＩＲ吸収層の形成を開始する
。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦグロー放電を止
め、また、流出バルブ１０４１．　１０４３．　１０４
４．　１０４５を閉じて反応室内へのガスの流入を止め
、ＩＲ吸収層の形成を終える。

」二記のようにして形成されたＩＲ吸収層に電荷注入阻
止層を形成する。

電荷注入阻止層を形成するには、流出バルブ１０４１、
　１０４２．　１０４３．　１０４４および補助バルブ
１０７０を徐々に開いて、ＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガス。

ＰＨ３／Ｈ２ガス、Ｎｏガスを反応室１００１内に流入
させる。このとき、ＳｉＨ４ガス流量、Ｈ２ガス流量。

ＰＨ３／Ｈ２ガス流量、Ｎｏガス流量が所望の値になる
ように流出バルブ１０４１，１０４２，１０４３゜１０
４４を調節し、また反応室内の圧力が所望の値になるよ
うに真空計１００４を見ながらメインバルブ１００２の
開口を調節する。その後、電源１０１０を所望の電力に
設定して反応室１００１内にＲＦグロー放電を生起させ
、基体シリンダー上に電荷注入阻止層の形成を開始する
。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦグロー放電を止
め、また、流出バルブ１０４１．１０４２，１０４３，
１０４．４を閉じて反応室内へのガスの流入を止め、電
荷注入阻止層の形成を終える。

上記のようにして形成された電荷注入阻止層上にＣＴＬ
を形成する。

ＣＴＬを形成するには、流出バルブ１０４１．１０４３
゜１０４７および補助バルブ１０７０を徐々に開いて、
ＳｉＨ４ガス、ＰＨ３／Ｈ２ガス、ＣＨ４ガスを反応室
１００１内に流入させる。この時、ＳｉＨ４ガス流量。

ＰＨ３／Ｈ２ガス流量、ＣＨ４ガス流量が所望の値にな
るように流出バルブ１０４１．　１０４３．　１０４７
を調節し、また、反応室内の圧力が所望の値になるよう
に真空計１００４を見ながらメインバルブ１００２の開
口を調節する。その後、電源１０１０を所望の電力に設
定して反応室内にＲ，Ｆグロー放電を生起させ、基体シ
リンダー上にＣＴＬの形成を開始する。

所望の膜厚の形成が行われた後、Ｒ，Ｆグロー放電を止
め、また流出バルブ１０４１．　１０４３．　１０４７
を閉じて反応室内へのガスの流入を止め、ＣＴＬの形成
を終える。

上記のようにして形成されたＣ　Ｔ　Ｌ上にＣＧＬを形
成する。

ＣＧＬを形成するには、流出バルブ１０４１．　１０４
２および補助バルブ１０７０を徐々に開いて、Ｓ　ｉ　
Ｈ４ガス、Ｈ２ガスを反応室１００１内に流入させる。

この時、ＳｉＨ４ガス流量、Ｈ２ガス流量が所望の値に
なるように流出バルブ１０４１．１０４２を調節し、ま
た、反応室内の圧力が所望の値になるように真空計１０
０４を見ながらメインバルブ１００２の開口を調節する
。

その後、電源１０１０を所望の電力に設定して反応室内
にＲＦグロー放電を生起させ、基体シリンダー上にＣＧ
Ｌの形成を開始する。所望の膜厚の形成が行われた後、
Ｒ，Ｆグロー放電を止め、流出バルブ１０４１、　１０
４２を閉じて反応室内へのガスの流入を止め、ＣＧＬの
形成を終える。

上記のようにして形成されたＣＴＬ上にＣＧＬを形成す
る。

上記のようにして形成されたＣＧＬ上に表面層を形成す
る。

表面層を形成するには、流出バルブ１０４１．１０４．
７および補助バルブ１０７０を徐々に開いて、ＳｉＨ４
ガス、ＣＨ４ガスを反応室１００１内に流入させる。

この時、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス流量、ＣＨ４ガス流量が所望
の値になるように流出バルブ１０４１．１０４７を調節
し、また、反応室内の圧力が所望の値になるように真空
計１００４を見ながらメインバルブ１００２の開口を調
節する。その後、電源１０１０を所望の電力に設定して
反応室内にＲＦグロー放電を生起させ、基体シリンダー
上に表面層の形成を開始する。所望の膜厚の形成が行わ
れた後、ＲＦグロー放電を止め、流出バルブ１０４１．
　１０４７を閉じて反応室内へのガスの流入を止め、表
面層の形成を終える。

夫々の層を形成する際に、必要なガス以外の流出バルブ
は全て閉じられている事は言うまでもなく、また、夫々
のガスが反応室１００１内、流出バルブ１０４１〜１０
４７から反応室１００１に至る配管内に残留する事を避
ける為に、流出バルブ１０４１〜１０４７を閉じ、補助
バルブ１０７０を開き、さらにメインバルブ１００２を
全開にして、系内を一旦高真空に排気する操作を必要に
応じて行う。

また、層形成を行っている間は層形成の均一化を図る為
、基体シリンダー１００７は、モーター１００９によっ
て所望される速度で回転させる。

上述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件に
従って変更が加えられる事は云うまでもない。

次にマイクロ波（以下μＷと略す）グロー放電分解法に
よって形成される電子写真用光受容部材の製造方法につ
いて説明する。

第６１図にμＷグロー放電分解法による電子写真用光受
容部材の製造装置を示す。

図中の２０１１．２０１２．２０１３．２０１４．２０
１５゜２０１６、　２０１７のガスボンベには、本発明
の夫々の層を形成する為の原料ガスが密封されており、
その−例として、例えば２０１１にはＳｉＨ４ガス（純
度９９．９９９％）ボンベ、２０１２にはＨ２ガス（純
度９９，９９９％）ボンベ、２０１３にはＨ２ガスで稀
釈されたＰＨ３ガス（純度９９．９９９％、以下ｒＰＨ
３／　Ｈ２Ｊと略す）ボンベ、２０１４はＮＯガス（純
度９９．５％）ボンベ、２０１５にはＧｅＨ４ガス（純
度９９．９９９％）ボンベ、２０１６はＮＨ３ガス（純
度９９．９９９％）ボンベ、２０１７はＣＨ４ガス（純
度９９．９９９％）ボンベである。

第６１図に示す装置で電子写真用光受容部材を形成する
場合に使用するガスの一例として、ＩＲ吸収層形成用ガ
スとしてＳｉＨ４ガス、　　Ｐ　Ｈａ　／　Ｈ２＋Ｎｏ
ガス、ＧｅＨ４ガスを、電荷注入阻止層形成用ガスとし
てＳｉＨ４ガス、Ｈ２，’　ＰＨ３／Ｈ２，Ｎ。

ガスを、ＣＴＬ形成用ガスとしてＳｉＨ４ガス、　　Ｃ
Ｈ４ガス、ＰＨ３／Ｈ２ガスを、ＣＧＬ形成用ガスとし
てＳｉＨ４ガス＋　Ｈ２ガスを、表面層形成用ガスとし
てＳｉＨ４ガス、ＣＨ４ガスを用いる場合をとりあげる
。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２０１１〜２０１７のバルブ２０５１〜２０５７、
反応室２０１１のリークバルブ２００３が閉じられてい
る事を確認し、また、流入バルブ２０３１〜２０３７、
流出バルブ２０４１〜２０４７、補助バルブ２０７０が
開かれている事を確認して、先ずメインバルブ２００２
を開いて反応室２００１およびカス配管内を排気する。

次に真空計２００４の読みが約５Ｘ１０’Ｔｏｒｒにな
った時点で補助バルブ２０７０、流出バルブ２０４１〜
２０４６を閉じる。

その後、ガスボンベ２０１１よりＳ　］　Ｈ４ガス、ガ
スボンベ２０１２よりＨ２ガス、ガスボンベ２０１３よ
りＰＨ３／Ｈ２ガス、ガスボンベ２０１４よりＮ。

ガス、ガスボンベ２０１５よりＧｅＨ４ガス、ガスボン
ベ２０１６よりＮＨ３ガス、ガスボンベ２０１７よりＣ
Ｈ４ガスを、バルブ２０５１〜２０５７を開いて導入し
、圧力調節器２０６１〜２０６７により各ガス圧力を２
Ｋｇ／ｃｒｒ？に調節する。

次に流入バルブ２０３１〜２０３７を徐々に開けて、以
上の各ガスをマスフローコントローラー２０２１〜２０
２７内に導入する。

また、反応室２００１内に設置された基体シリンダー２
００６の温度は加熱ヒーター２００５により５０〜３５
０℃の間の所望の温度迄加熱される。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、基体シリン
ダー１００７上にＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、ＣＴＬ
、ＣＧＬ、表面層の各層の成膜を行う。

ＩＲ吸収層を形成するには、流出バルブ２０４　］　。

２０４３、２０４４．２０４５および補助バルブ２０７
０を徐々に開いてＳｉＨ４ガス、ＰＨ３／Ｈ２ガス、　
　Ｎ。

ガス、ＧｅＨ４ガスを反応室２００１内に流入させる。

この時、ＳｉＨ４ガス流量、ＰＨ３／Ｈ２ガス流量。

Ｎｏガス流量、ＧｅＨ４ガス流量が所望の値になるよう
に流出バルブ２０４１．２０４３．２０４４．２０４．
５を調節し、また、反応室内の圧力が所望の値になるよ
うに真空計２００４を見ながらメインバルブ２００２の
開口を調節する。その後、マイクロ波電源２００８を所
望の電力に設定し、導波管２００９および誘電体窓２０
１０を通して反応室内にμＷグロー放電を生起させ、基
体シリンダー上にＩＲ吸収層の形成を開始する。所望の
膜厚の形成が行われた後、μＷグロー放電を止め、また
、流出バルブ２０４１．２０４３゜２０４．４．２０４
．５を閉じて反応室内へのガスの流入を止め、ＩＲ吸収
層の形成を終える。

上記のようにして形成されたＩＲ吸収層上に電荷注入阻
止層を形成する。

電荷注入阻止層を形成するには、流出バルブ２０４１゜
２０４２．２０４３．２０４４および補助バルブ２０７
０を徐々に開いてＳｉＨ４ガス＋　Ｈ２カス、ＰＨ３／
Ｈ２ガス、ＮＯガスを反応室２００１内に流入させる。

この時、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス流量＋Ｈ２ガス流量、ＰＨ３
／Ｈ２ガス流量、Ｎｏガス流量が所望の値になるように
流出バルブ２０４１．２０４２．２０４３．２０４４を
調節し、また、反応室内の圧力が所望の値になるように
真空計２００４を見ながらメインバルブ２００２の開口
を調節する。その後、マイクロ波電源２００８を所望の
電力に設定し、導波管２００９および誘電体窓２０１Ｏ
を通して反応室２００１内にμＷグロー放電を生起させ
、基体シリンダー上に電荷注入阻止層の形成を開始する
。所望の膜厚の形成が行われた後、μＷグロー放電を止
め、また、流出バルブ２０４１゜２０４２、２０４３．
２０４４を閉じて反応室２００１内へのガスの流入を止
め、電荷注入阻止層の形成を終える。

上記のようにして形成された電荷注入阻止層上にＣＴＬ
を形成する。

ＣＴＬを形成するには流出バルブ２０４１．２０４３゜
２０４７、および補助バルブ２０７０を徐々に開いてＳ
ｉＨ４ガス、ＰＨ３／Ｈ２ガス、ＣＨ４ガスを反応室２
００１内に流入させる。この時、ＳｉＨ４ガス流量、Ｐ
Ｈ３／Ｈ２ガス流量、ＣＨ４ガス流量が所望の値になる
ように、流出バルブ２０４１．２０４３．２０４７を調
節し、また、反応室内の圧力が所望の値になるように真
空計２００４を見ながらメインバルブ２００２の開口を
調節する。その後、マイクロ波電源２００８を所望の電
力に設定し、導波管２００９および誘電体窓２０１０を
通して反応室内にμＷグロー放電を生起させ、基体シリ
ンダー上にＣＴＬの形成を開始する。所望の膜厚の形成
が行われた後、μＷグロー放電を止め、流出バルブ２０
４１．２０４３．２０４７を閉じて反応室内へのガスの
流入を止め、ＣＴＬの形成を終える。

上記ＣＴＬ上にＣＧＬを形成するには、流出バルブ２０
４１．２０４２　　および補助バルブ２０７０を徐々に
開いてＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスを反応室２００１内に流
入させる。この時、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス流量、Ｈ２ガス流
量が所望の値になるように、流出バルブ２０４１．２０
４２を調節し、また、反応室内の圧力が所望の値になる
ように真空計２００４を見ながらメインバルブ２００２
の開口を調節する。その後、マイクロ波電源２００８を
所望の電力に設定し、導波管２００９および誘電体窓２
０１０を通して反応室内にμＷグロー放電を生起させ、
基体シリンダー上にＣＧＬの形成を開始する。所望の膜
厚の形成が行われた後、μＷグロー放電を止め、流出バ
ルブ２０４１．　２０４２を閉じて反応室内へのガスの
流入を止め、ＣＧＬの形成を終える。

上記のようにして形成されたＣＧＬ上に表面層を形成す
る。

表面層を形成するには流出バルブ２０４１．２０４７お
よび補助バルブ２０７０を徐々に開いてＳｉＨ４ガス、
ＣＨ４ガスを反応室２００１内に流入させる。

この時、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス流量、ＣＨ４ガス流量が所望
の値になるように流出バルブ２０４１．２０４７を調節
し、また、反応室内の圧力が所望の値になるように真空
計２００４を見ながらメインバルブ２００２の開口を調
節する。その後、マイクロ波電源２００８を所望の電力
に設定し、導波管２００９および誘電体窓２０１Ｏを通
して反応室内にμＷグロー放電を生起させ、基体シリン
ダー上に表面層の形成を開始する。所望の膜厚の形成が
行われた後、μＷグロー放電を止め、流出バルブ２０４
１．２０４７を閉じて反応室内へのガスの流入を止め、
表面層の形成を終える。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出バルブは
全て閉じられている事は云うまでもなく、また、夫々の
ガスが反応室２００１内、流出バルブ２０４１〜２０４
７から反応室２００１に至る配管内に残留する事を避け
る為に、流出バルブ２０４１〜２０４７を閉じ、補助バ
ルブ２０７０を開き、さらにメインバルブ２００２を全
開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。

また、層形成を行っている間は層形成の均一化を図る為
基体シリンダー２００６は、モーター２００７によって
所望される速度で回転させる。

上述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件に
従って変更が加えられる事は云うまでもない。

次にＨＲＣＶＤ法によって形成される電子写真用光受容
部材の製造方法について説明する。

第６２図にＨＲＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の
製造装置を示す。

第６２図において、３００１は成膜室、３００２は活性
化室（Ａ）、３００３．３０１８はマイクロ波プラズマ
発生装置、３００４は活性種（Ａ）の原料ガス導入管、
３００５は活性種（Ａ）導入管、３００６はモーター、
３００７はシリンダー状の基体を加熱するヒーター、３
００８．３００９は吹き出し管、３０１０はシリンダー
状の基体、３０１１はメイン排気バルブを示している。

また３０１２乃至３０１６は原料ガス供給用ボンベであ
り、３０１７は活性化室（Ｂ）、３０１９は原料ガス導
入管、３０２０は活性室（Ｂ）より生じる活性種導入管
である。本装置を用いてシリンダー状の基体に本発明に
なる層構成を持つ電子写真用光受容部材の作成方法を具
体的に述べる。

−例を挙げると、シリンダー状の基体としてはＡｎを使
用し、電荷注入阻止層形成用ガスとしてはＳｉＨ４，Ｐ
Ｈ３／Ｈ，、、Ｎｏ、Ｈ２を、ＣＧＬ形成用ガスとして
はＳｉＨ４，Ｈ２を、ＣＴＬ形成用ガスとしてはＳｉＨ
４、ＳｉＦ４　、　ＣＨ４、Ｈ２、ＰＨ３／　Ｈ２を表
面層形成用ガスとしてはＳｉＨ４，ＣＨ４，Ｈ２用いた
。

まずＡＩ！シリンダー状基体３０１Ｏを成膜室３００１
につり下げ、その内側に加熱ヒーター３００７を備え、
モーター３００６により回転出来るようにし、成膜室を
５Ｘ１０’Ｔｏｒｒまで排気した。

ＩＲ吸収層を形成するには、ボンベ３０１２からＨ２ガ
スを導入管３００４を通して活性化室（Ａ）に導き、マ
イクロ波プラズマ発生装置３００３により活性化処理を
し、活性水素を導入管３００５を通して吹き出し管３０
０８より成膜室３００１に導いた。

一方、ボンベ３０１３よりＳｉＨ４ガス、　　３０１４
よりＰＨ３／Ｈ２ガス、　　３０１５よりＮｏガス、　
３０１６よりＣＨ４ガス、不図示のボンベよりＧ　ｅ　
Ｈ４ガス。

ＳｉＦ　４ガスを導入管３０１９より活性化室（Ｂ）　
３０１７に導入し、マイクロ波プラズマ発生装置３０１
８により活性化処理をした後導入管３０２０を通して吹
き出し管３００９より成膜室３００１に導いた。この時
、ガスの流量、内圧、およびマイクロ波電力は所望の数
値に設定される。

ＡＡシリンダー状基体３０１０はヒーター３００７によ
り所望の温度に加熱保持され、排ガスはメイン排気バル
ブ３０１１の開口を適宜に調整して排気させた。このよ
うにしてＩＲ吸収層を形成させた。

上記ＩＲ吸収層上に同様にして、ボンベ３０１２よりＨ
２ガス、３０１３よりＳｉＨ４ガス、３０１４よりＰＨ
３／Ｈ２ガス、３０１５よりＮｏガスを供給し、電荷注
入阻止層を形成した。

上記電荷注入阻止層上にＣＴＬを形成するには、ボンベ
３０１２　から　Ｆ２ガスを導入管３００４を通して活
性化室（Ａ）に導き、マイクロ波プラズマ発生装置３０
０３により活性化処理をし、活性水素を導入管３００５
を通して吹き出し管３００８より成膜室３００１に導い
た。一方、ボンベ３０１３よりＳ　ｉ　Ｈ４ガス、ボン
ベ３０Ｉ４　よりＰ　Ｈ３／　Ｈ２カス、ボンベ３０１
６よりＣＨ４ガス、不図示のボンベよりＳｉＦ４ガスを
導入管３０１９より活性化室（Ｂ）　３０１７に導入し
、マイクロ波プラズマ発生装置３０１８により活性化処
理をした後導入管“３０２０を通して吹き出し管３００
９より成膜室３００１に導いた。この時、ガスの流量、
内圧、およびマイクロ波電力は所望の数値に設定される
。

ＡＩ！シリンダー状基体３０１０はヒーター３００７に
より所望の温度に加熱保持され、排カスはメイン排気バ
ルブ３０１１の開口を適宜に調整して排気させた。この
ようにしてＣＴＬを形成させた。上記のＣＴＬの上に同
様にしてボンベ３０１２よりＦ２ガス、３０１３よりＳ
　ｉ　Ｈ４ガス、不図示のボンベよりＳｉＦ４ガスを供
給してＣＧＬを、該ＣＧＬ上にボンベ３０１２よりＦ２
ガス、ボンベ３０１３よりＳｉＨ４ガス、ボンベ３０１
６よりＣＨ４ガスを供給して表面層を順次形成し、電子
写真用光受容部材を形成した。

次にＦＯＣＶＤ法によって形成される電子写真用光受容
部材の製造方法について説明する。

第６３図にＦＯＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の
製造装置を示す。

図中ノ４０１１．４０１２．４０１３．４０１４．４，
０１５゜４．０１６．４０１７のガスボンベには、本発
明の夫々の層を形成する為の原料カスが密封されており
、その−例として、たとえば４ｏ１１にはＳ　ｉ　Ｈ４
カス（純度９９．９９９％）ボンベ、４ｏ１２には■］
２カス（純度９９．９９９％）ボンベ、４０１３にはＦ
２で希釈されたＰＨ３ガス（純度９９．９９９％、以下
［ＰＨ３／Ｈ２Ｊと略す）ボンベ、４０１４はＮｏカス
（純度９９゜５％）ボンベ、４０１５はＧｅＨ４ガス（
純度９９．９９９％）ボンベ、４０１６はＣＨ４ガス（
純度９９．９９９％）ボンベ、４０１７はＦ２ガス（１
０％Ｈｅ稀釈、純度９９゜９９％）である。

ＩＲ吸収層形成用ガスとして、ＳｉＨ４ガス、ＰＨ３／
Ｈ２ガス、ＯＮガス、ＧｅＨ４ガス＋　Ｆ２を電荷注入
阻止層形成用ガスとしてＳｉＨ４ガス、Ｆ２ガス。

ＰＨ３／Ｈ２ガス、Ｎｏガス＋”２ガスを、ＣＴＬ形成
用ガスとしてＳ　ｉ　Ｈ４ガス、ＣＨ４ガス、ＰＨ３／
Ｈ２ガス、Ｆ２ガスを、ＣＧＬ形成用ガスとしてＳｉＨ
４ガス、Ｆ２ガス　Ｆ　２ガスを、表面層形成用ガスと
して、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス、ＣＨ４ガス＋　　Ｆ２ガスを
用いる場合をとりあげる。

４０１１〜４０１６のボンベに充填されている原料カス
は、４０３１〜４０３６の夫々のバルブ、４０５３〜４
０５８のマスフローコントローラーを通り、４０２０か
ら４００１の真空チャンバーへ導入する。

４０１７のボンベに充填されているＦ２ガスは前記と同
様にして４０２１を通して４００１の真空チャンバーへ
導入する。

真空チャンバー４００１はメイン真空バルブ４００２を
介して、不図示の真空排気装置により排気される。

４０６１は基体シリンダー４０６０を成膜時に適当な温
度に加熱したり、あるいは成膜前に基体シリンダー４０
６０を予備加熱したり、更には成膜後、膜をアニールす
る為に加熱する基体加熱用ヒーターである。

基体加熱ヒーターは不図示の導線を介して、不図示の電
源より電力が供給される。

また、基体シリンダー４０６０は均一な膜を形成する為
に４０６２の回転機構により回転している。

ボンベ４０１１〜４０１７のカスを４００１に導入する
には、　４００１のチャンバー内が約５Ｘ１０−６Ｔｏ
ｒｒになった時点で種々のバルブ操作により、ゆっ（り
と導入しなければならない。

また、チャンバー４００１内に設置された基体シリンダ
ー４０６０の温度は、前記ヒーター４０６１により５０
〜３５０℃の間の所望の温度迄加熱すればよい。

以上のようにして成膜準備が完了した後、基体シリンダ
ー４０６０上にＩＲ吸収層電荷注入阻止層。

ＣＴＬ、ＣＧＬ表面層の順で成膜を行う。

ＩＲ吸収層を形成するには、バルブ４０４６．４０４．
８〜４０５０を開け、流出バルブ４０３１．４０３３．
４０３４゜４０３５及び補助バルブ４０６０を徐々に開
いてＳｉＨ４カス、ＰＨ３７Ｈ２ガス、Ｎｏガス、Ｇｅ
Ｈ４ガスを反応室４００１内に流入させる。この時、Ｓ
ｉＨ４ガス流量、ＰＨ３／Ｈ２ガス流量、Ｎｏガス流量
、ＧｅＨ４ガス流量が所望の値になるように流出バルブ
４０３１゜４０３３．４，０３４．．４．０３５を調節
し、また、反応室内の圧力が所望の値になる不図示の真
空計を見ながらメインバルブ４００２の開口を調節する
。

次に４０５２を開け、マスフローメータ４０５９を見な
がら、Ｆ２ガス流量が所望の流量の値になるまで４０３
７のバルブを徐々に開けて行き、流量の設定が終わり、
所望の膜厚にＩＲ吸収層を形成される時間がたてばＩＲ
吸収層の形成を終える。

上記のようにして作成されたＩＲ吸収層上に、上記と同
様な操作によって電荷注入阻止層を形成する。それぞれ
の層については、それぞれ必要なガスを流し、前記ＩＲ
吸収層と同様にバルブ操作をすればよい。

上記電荷注入層上にＣＴＬを形成するには、バルブ４０
４６．４，０４８．４０’５１．４０５２を開け、流出
バルブ４０３１．４０３３．４０３６．４０３７及び補
助バルブ４０６０を徐々に開いて各ガスを反応室４００
１内に流入させる。この時、各ガス流量が所望の値にな
るように流出バルブを調節し、また、反応室内の圧力が
所望の値になる不図示の真空計を見ながらメインバルブ
４００２の開口を調節する。

流量の設定が終わり、所望の膜厚にＣＴ　Ｌを形成され
る時間がたてばＣＴ　Ｌの形成を終える。

上記のようにして作成されたＣＴＬ」二に、上記と同様
な操作によってＣＧ　Ｌ　、表面層を形成する。それぞ
れの層については、それぞれ必要なガスを流し、前記Ｃ
ＴＬと同様にバルブ操作をすればよい。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらによって限定されるものではない。

〈実施例１〉 第６０図の製造装置を用い、Ｒ，Ｆグロー放電により第
１表、第２表、第３表、第４表の作成条件に従って鏡面
加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光受容部
材を形成した。

作成された電子写真用光受容部材を、ハロゲンランプを
光源とした電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有す
る半導体レーザーを光源とした電子写真装置に夫々セッ
トして、種々の条件のもとに、初期帯電能、感度、残留
電位、ゴースト等の電子写真特性をチェックし、また、
２００万枚相当の加速耐久ランニング試験後の帯電能低
下１表面削れ。

画像欠陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けてドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ性を
調べた。上記の総合的な評価結果を第５表に示す。

第５表に見られるように、全項目について良好な結果が
得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著しい
優位性が認められた。

〈実施例２〉 第７０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第６表、第７表に示す作成条件で、実施例１と
同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第８表に示す。

第８表に見られるように、全項目について良好な結果が
得られた。

〈実施例３〉 第７０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第９表、第１０表に示す作成条件で、実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第１１表に示す。

第１１表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例４〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第１２表、第１３表に示す作成条件で、実施例
１と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第１４表に示す。

第１４表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例５〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第１５表、第１６表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第１７表に示す。

第１７表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例６〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第１８表、第１９表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第２０表に示す。

第２０表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例７〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第２１表、第２２表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第２３表に示す。

第２３表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例８〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第２４表、第２５表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第２６表に示す。

第２６表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例９〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第２７表、第２８表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第２９表に示す。

第２９表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１０〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第３０表、第３１表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第３２表に示す。

第３２表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１１＞ 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第３３表、第３４表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第３５表に示す。

第３５表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１２＞ 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第３６表、第３７表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第３８表に示す。

第３８表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１３＞ 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第３９表、第４０表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第４１表に示す。

第４１表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１４〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第４２表、第４３表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第４４表に示す。

第４４表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１５〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第４５表、第４６表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第４７表に示す。

第４７表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１６〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第４８表、第４９表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第５０表に示す。

第５０表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１７〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第５１表、第５２表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第５３表に示す。

第５３表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１８〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第５４表、第５５表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第５６表に示す。

第５６表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１９〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第５７表、第５８表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第５９表に示す。

第５９表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例２０〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第６０表、第６１表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第６２表に示す。

第６２表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例２１〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第６３表、第６４表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第６５表に示す。

第６５表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例２２〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第６６表、第６７表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第６８表に示す。

第６８表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例２３〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第６９表、第７０表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第７１表に示す。

第７１表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例２４〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦクロー放電で第１表、
第２表、第７２表、第７３表に示す作成条件て実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第７４表に示す。

第７５表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例２５〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第７５表、第７６表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第７７表に示す。

第７７表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例２６〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第７８表、第７９表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第８０表に示す。

第８０表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例２７〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第工表、
第２表、第８１表、第８２表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第８３表に示す。

第８３表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例２８〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第８４表、第８５表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第８６表に示す。

第８６表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例２９〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第８７表、第８８表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第８９表に示す。

第８９表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例３０〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第９０表、第９１表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第９２表に示す。

第９２表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例３１〉 第６０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第９３表、第９４表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第９５表に示す。

第９５表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例３２〉 第６１図の製造装置を用い、マイクロ波ＣＶＤ法にて第
９６表〜第９９表の作成条件に従って鏡面加工を施した
アルミシリンダー上に電子写真用光受容部材を形成した
。

作成された電子写真用光受容部材を、ハロゲンランプを
光源とした電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有す
る半導体レーザーを光源とした電子写真装置に夫々セッ
トして、種々の条件のもとに初期帯電能、感度、残留電
位、ゴースト等の電子写真特性をチェックし、また２０
０万枚相当の加速耐久ランニング試験後の帯電能低下９
表面削れ。

画像欠陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けて、ドラム表面にキズをつけることにより耐キズ性を
調べた。上記の総合的な評価結果を第１００表に示す。

第１００表に見られるように、全項目について良好な結
果が得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著
しい優位性が認められた。

〈実施例３３〉 第６２図の製造装置を用い、ＨＲＣＶ　Ｄ法にて第１０
１表〜第１０４表の作製条件に従って鏡面加工を施した
アルミシリンダー上に電子写真用光受容部材を形成した
。作成した電子写真用光受容部材を、ハロゲンランプを
光源とした電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有す
る半導体レーザーを光源とした電子写真装置にセットし
て、種々の条件のもとに、初期帯電能、感度、残留電位
、ゴースト等の電子写真特性をチェックし、また２００
万枚相当の加速耐久ランニング試験後の帯電能低下９表
面削れ１画像欠陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。更に、先端が球形の針に一定の荷重をかけ
て、ドラム表面にキズをつけることにより耐キズ性を調
べた。上記の総合的な評価結果を第１０５表に示す。

第１０５表に見られるように、全項目について良好な結
果が得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著
しい優位性が認められた。

〈実施例３４〉 第６３図の製造装置を用い、ＦＯＣＶＤ法により第１０
６表〜第１０９表の作成条件に従って鏡面加工を施した
アルミシリンダー上に電子写真用光受容部材を形成した
。

作成された電子写真用光受容部材をハロゲンランプを光
源とした電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有する
半導体レーザーを光源とした電子写真装置にセットして
、種々の条件のもとに初期帯電能、感度、残留電位、ゴ
ースト等の電子写真特性をチェックし、また２００万枚
相当の加速耐久ランニング試験後の帯電能低下２表面削
れ１画像欠陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けて、ドラム表面にキズをつけることにより耐キズ性を
調べた。上記の総合的な評価結果を第１１０表に示す。

第１１０表に見られるように、全項目について良好な結
果が得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著
しい優位性が認められた。

〈実施例３５〉 鏡面加工を施したシリンダーを、更に様々な角度を持つ
剣バイトによる旋盤加工に供し、第６８図のような断面
形状で第１１２表のような種々の断面パターンを持つシ
リンダーを複数本用意した。該シリンダーを順次第６０
図の製造装置にセットし、第１１１表に示す作成条件の
もとにドラム作成に供した。作成されたドラムは、ハロ
ゲンランプを光源とした電子写真装置および７８０ｎｍ
の波長を有する半導体レーザーを光源とした電子写真装
置により種々の評価を行い、第１１３表の結果を得た。

〈実施例３６〉 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリンク用法の落下のもとにさらして、シリンダー表面
に無数の打痕を生せしめる、いわゆる表面ディンプル化
処理を施し、第６９図のような断面形状で第１１５表の
ような種々の断面パターンを持つシリンダーを複数本用
意した。該シリンダーを、順次第６０図の製造装置にセ
ットし、第１１４表に示す作成条件のもとにドラム作成
に供した。

作成されたドラムは、ハロゲンランプを光源とした電子
写真装置および７８０ｎｍの波長を有する半導体レーザ
ーを光源としたデジタル露光機能の電子写真装置により
種々の評価を行い、第１１６表の結果を得た。

〈実施例３７〉 第６０図の製造装置を用い、第１１７表〜第１１９表の
作成条件で実施例１と同様にドラムを作成し同様の評価
を行った。

その結果を第１２０表に示す。

第１２０表に見られるように全項目について良好な結果
が得られた。

第１表　ＣＧＬ成膜条件 第２表　ＣＴＬ成膜条件 第　　　３　　表 第　　４　　表 第　　　５　　　表 第５表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良　好△・実用上さし
つかえない　　×：実用的１．４”、ｆｆあり第５表の
続き ◎：ジト常に斯　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的１コー項あり
第　　　６　　　表 第　　７　　表 第　　　８　　　表 第８表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的１．３’！あ
り第８表の続き ◎：ｌ瞠に部　　　○良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的＋、Ａ’ｉあ
り第　　　９　　表 第　　１０　　表 第　　　１１　　表 第１１表の続き ◎：ｌ胤に餠　　　○良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的ｉ＄’ｉｌあ
り第１１表の続き ◎、ｌ胤に良好　　　　　○、良好 △：実川用さしつかえない　　×：実用的１＄’！あり
第　　　１２　　　表 第　　１３　　表 第　　　１４　　　表 第１４表の続き ◎：ｌ瞠に部　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
１４表の続き ◎：ジト常に斯　　　○良好 △、実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
　　　１５　　　表 第　　１６　　表 第　　　１７　　　表 第１７表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良好 △、実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
１７表の続き ◎ニジ瞠にば　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　Ｘ：実用的に問題あり第
　　　１８　　　表 第　　１９　　表 第　　　２０　　　表 第２０表の続き ◎ニジ瞠に部　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的１．Ａ’！あ
り第２０表の続き ◎：１滓に廚　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
　　　２１　　　表 第　　２２　　表 第　　　２３　　　表 第２３表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良好 △、実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あ勺第
２３表の続き ◎ニジ隙に斯　　　　○：良好 △：実川用さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
　　　２４　　　表 第　　２５　　表 第　　　２６　　　表 第２６表の続き ◎：ｌ瞠に斯　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×、実用的に問題あり第
２６表の続き ◎：ｌ際に斯　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的ｌ：１′！８
１す第　　　２７　　表 第　　２８　　表 第　　　２９　　　表 第２９表の続き ◎ｌ瞠に部　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
２９表の続き ◎：ｌ隊に餠　　　　Ｏ：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
　　　３０　　　表 第　　３１　　表 第　　　３２　　　表 第３２表の続き ◎：ｌ胤に班　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
３２表の続き ◎ニジ瞠に良好　　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的目貫題あり第
　　　３３　　　表 第　　３４　　表 第　　　３５　　　表 第３５表の続き ◎ニジ瞠に部　　　Ｏ良好 △、実用上さしつかえない　　×・実用的に問題あり第
３５表の続き ◎ニジ瞠にば　　　　○：良好 Δ：実用上さしつかえない　　×：実用的１目母項あり
第　　　３６　　　表 第　　３７　　表 第　　３８　　　表 第３８表の続き ◎：ｌ瞠に斯　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×・実用的１ｊＬ’！あ
り第３８表の続き ◎・ｌｌ＄に斯　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的（コ町項あり
第　　３９　　表 第　　４０　　表 第　　　４１　　　表 第４１表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　○：良　好△実用上さし
つかえない　　×：実用的に問題あり第４１表の続き ◎、非常に良好　　　　　　○：良好 △・実用上さしつかえない　　×・実用的に問題あり第
　　　４２　　　表 第　　４３　　表 第　　　４４　　　表 第４４表の続き ◎ニット常に廚　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的（４湾萌あり
第４４表の続き ◎ニジ瞠にば　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的＋：Ｊａｉあ
り第　　　４５　　　表 第　　４６　　表 第　　４７　　表 第４７表の続き ◎：ｌ瞠に班　　　　○：良好 △：実川用さしつかえない　　×：実用的（１１項あり
第４７表の続き ◎：ｌ襠に部　　　　○：良好 △、実用上さし１カ呪ない　　×：実用的に問題あり第
　　　４８　　　表 第　　４９　　表 第　　　５０　　　表 第５０表の続き ◎、ｌト常にば　　　　○：良好 △・実用上さしつかえない　　×　実用的１題あり第５
０表の続き ◎：Ｉ隙に良好　　　　　○・良好 △：実用上さしつかえない　　×、実用的に問題あり第
　　　５１　　　表 第　　５２　　表 第　　　５３　　　表 第５３表の続き ◎、ｌ誂′に部　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
５３表の続き ◎：ｌ瞠に廚　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
　　　５４　　　表 第　　５５　　表 第　　　５６　　　表 第５６表の続き ◎：ｌ瞠に廚　　　　　○：良好 Δ：実用上さして功１えない　　×：実用的番４］項あ
り第５６表の続き ◎ニジ隙に班　　　　○：良好 △：実川用さしテカλえない　　×：実用的に問題あり
第　　　５７　　　表 第　　５８　　表 第　　５９　　　表 第５９表の続き ◎：ｌ隙にば　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
５９表の続き ◎：ジト常に斯　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
　　　６０　　　表 第　　６１　　表 第　　　６２　　　表 第６２表の続き ◎：ｌト常にば　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　Ｘ　実用的ｉ＄ＮＡあり
第６２表の続き ◎：ｌ胤に部　　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的ｉ、ｓ’ｉあ
り第　　　６３　　表 第　　　６４　　　表 第　　６５　　表 第６５表の続き ◎・３隊に斯　　　　０：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
６５表の続き ◎ニジ瞠に斯　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
６６表 第　　　６７　　　表 第　　　６８　　　表 第６８表の続き ◎ニジ隙に部　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
６８表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　○良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
　　　６９　　　表 第　　７０　　表 第　　　７１　　　表 第７１表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×・実用的に問題あり第
７１表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
　　　７２　　　表 第　　　７３　　　表 第　　　７４　　　表 第７４表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良　好△：実用上さし
つかえない　　×：実用的に問題あり第７４表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
　　　７５　　　表 第　　　７６　　　表 第　　　７７　　　表 第７７表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　○：良　好△：実用上さ
しつかえない　　×：実用的に問題あり第７７表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良　好△：実用上さし
つかえない　　×：実用的に問題あり第　　　７８　　
　表 第　　７９　　表 第　　　８０　　　表 第８０表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
８０表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
　　　８１　　　表 第　　８２　　表 第　　　８３　　　表 第８３表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良　好△：実用上さし
つかえない　　×・実用的に問題あり第８３表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　○・良　好△：実用上さ
しつかえない　　×・実用的に問題あり第　　　８４　
　　表 第　　８５　　表 第　　　８６　　　表 第８６表の続き ◎：非常に良好　　　　　　０６良　好△：実用上さし
つかえない　　×：実用的に問題あり第８６表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良　好△：実用上さし
つかえない　　×・実用的に問題あり第　　　８７　　
　表 第　　８８　　表 第　　　８９　　　表 第８９表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　○：良　好△：実用上さ
しつかえない　　×：実用的に問題あり第８９表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
　　　９０　　　表 第　　９１　　表 第　　９２　　表 第９２表の続き ◎：ｌト常に部　　　○良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
９２表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良　好△：実用上さし
つかえない　　×、実用的に問題あり第　　　９３　　
　表 第　　９４　　表 第　　９５　　表 第９５表の続き ◎：ｌ障に廚　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
９５表の続き ◎ニジ隙に班　　　　○・良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
　　　９６　　　表 第　　９７　　表 第９８表　ＣＧＬ成膜条件 第９９表　ＣＴＬ成膜条件 第　　１００　　表 第１００表の続き ◎、非常に良好　　　　　　　○：良　好△：実用上さ
しつかえない　　×：実用的に問題あり第１００表の続
き ◎：非常に良好　　　　　　　○：良好△：実川用さし
つかえない　　×：実用的に問題あり第　　　１０１　
　　　表 第　　１０２　　表 第１０３表　ＣＧＬ成膜条件 第１０４表　ＣＴＬ成膜条件 第　　１０５　　表 第同５表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良　好△：実用上さし
つかえない　　×：実用的に問題あり第１０５表の続き ◎・非常に良好　　　　　　　○：良好△：実用上さし
つかえない　　×：実用的に問題あり第　　１０６　　
表 第　　１０７　　表 第１０８表　ＣＧＬ成膜条件 第１０９表　ＣＴＬ成膜条件 第　　１１０　　　表 第１１０表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良　好△：実用上さし
つかえない　　×：実用的に問題あり第１１０表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○・良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
　　１１１　　表 第　　　１１２　　　表 第　　　１１３　　　表 ◎−−−−−非常に良好 〇−−−−−−良好 △−−−−実用上さしつかえない ×−ｍ−実用的に問題あり 第　　１１４　　表 第　　　１１５　　　表 第　　　１１６　　表 ◎−−−−−−非常に良好 ○−−−−−良好 △−−−−実用上さしつかえない Ｘ−−−−−実用的１明題あり 第　　１１７　　表 第　　１１８　　表 第１１９表　ＣＧ　Ｌ成膜条件 第１２０表　ＣＴＬ成膜条件 第　　１２０　　表 第１２０表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　○：良好△：実用上さし
つかえない　　×：実用的に問題あり第１２０表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　○：良　好△：実用上さ
しつかえない　　×：実用的に問題あり〔発明の効果の
概略〕 本発明の電子写真用光受容部材を前述のごとき特定の層
構成としたことにより、Ａ−８ｉで構成された従来の電
子写真用光受容部材における諸問題を全て解決すること
ができ、特に、極めて優れた初期帯電能、連続繰返し使
用特性、電気的耐圧性。

使用環境特性および耐久性等を有するものである。

また、その電気的特性が安定しており、それを用いて得
られる画像は、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出る
等、すぐれた極めて秀でたものとなる。

特に本発明においては、ＣＴＬとＣＧＬを用いた機能分
離型の構成とし、ＣＴＬに伝導性を制御する物質として
周期律表第■族原子（Ｍ）を層厚方向に不均一または部
分的に不均一に分布する状態で含有させると共に、炭素
原子、窒素原子、酸素原子の中、少な（とも一種を含有
させたことにより、夫々の層の特性に合わせた自由な設
計が可能となり、電荷の発生とＣＧＬからＣＴＬへの注
入と輸送がすみやかに行われ、特に、優れた帯電能、感
度を持ち、残留電位、ゴーストが少なく、また、画像に
おいても解像度が高く、且つ高品質な画像を安定し繰り
返し得る事ができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の電子写真用光受容部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、 第２図乃至第５図は各々支持体表面の凹凸形状および該
凹凸形状を作製する方法を説明するための模式図、 第６図乃至第１１図は、夫々ＩＲ吸収層中に含有される
原子（ＧＳ）の分布状態の説明図、第１２図乃至第１６
図は、夫々電荷注入阻止層中に含有される伝導性を、制
御する物質（Ｍ　Ｏ）の分布状態の説明図、 第１７図乃至第２３図は、夫々電荷注入阻止層中に含有
される原子（Ｙ）の分布状態の説明図、第２４図乃至第
３９図はそれぞれ、ＣＴＬを構成する伝導性を制御する
物質として周期律表第Ｖ族に属する原子の、第４０図乃
至第４９図は、夫々炭素原子または／および酸素原子ま
たは／および窒素原子の分布状態を説明するための説明
図、第５０図乃至第５９図は、それぞれ表面層を構成す
る炭素原子または／および酸素原子または／および窒素
原子の分布状態を説明する説明図、第６０図は本発明の
電子写真用光受容部材の光受容層を形成するための装置
の一例で、ＲＦを用いたグロー放電法による製造装置の
模式的説明図、第６１図は本発明の電子写真用光受容部
材の光受容層を形成するための装置の一例で、マイクロ
波を用いたグロー放電法による製造装置の模式的説明図
、 第６２図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するための装置の一例で、ＨＲＣＶＤ法による製造
装置の模式的説明図、 第６３図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するための装置の一例で、ＦＯＣＶＤ法による製造
装置の模式的説明図、 第６４図は本発明の電子写真用光受容部材のＣＴＬをＲ
，Ｆグロー放電を用いて形成する場合の不純物ガスおよ
びドーピング・ガスの成膜時における流量変化を示す図
、 第６５図は本発明の電子写真用光受容部材のＣＴＬをマ
イクロ波グロー放電を用いて形成する場合の不純物ガス
およびドーピング・ガスの成膜時における流量変化を示
す図、 第６６図は本発明の電子写真用光受容部材のＣＴＬをＨ
，Ｒ，ＣＶＤ法を用いて形成する場合の不純物カスおよ
びドーピング・ガスの成膜時における流量変化を示す図
、 第６７図は本発明の電子写真用光受容部材のＣＴＬをＦ
、Ｏ，ＣＶＤ法を用いて形成する場合の不純物カスおよ
びドーピング・ガスの成膜時における流量変化を示す図
、 第６８図は本発明の電子写真用光受容部材を形成する際
のシリンダー基体の断面形状が７字形である場合のシリ
ンダー断面の拡大図、 第６９図は本発明の電子写真用光受容部材を形成する際
のシリンダー基体の表面がいわゆるディンプル化処理さ
れた場合のシリンダー断面の拡大図、第７０図は本発明
の電子写真用光受容部材のＣＴＬをＲＦグロー放電を用
いて形成する実施例の場合の不純物ガスおよびドーピン
グガスの成膜時における流量変化を示す図である。 第１図について、 １０１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・支持体１０２・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・光受容層１０３・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ＩＲ吸収層１
０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・電荷
注入阻止層１０５・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ＣＴ
Ｌ１０６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ＣＧＬ１０７・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・表面層１０８・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・自由表面第３図、第４図について、 ３０１、　４０１・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・支持体３０２．４０２・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・支持体表面３０３、４０３・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・剛体真球３０４
、４．０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・球状痕跡窪み第５
図について、 ５００・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・光受容層５０１・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・支持体５０２・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ＩＲ吸収層５０
３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・電荷注
入阻止層５０４　・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・　Ｃ
ＴＬ５０５　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・　ＣＧＬ
５０６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・表面層５０７・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・自由表面第６０図において、 １００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・反応室１００２・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・メイン排気バルブ１００３・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・反応室リーク・バルブ１００４・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・真空計１００７・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・シリンダー基体１００８・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・基体
加熱用ヒーター１００９・・・・・・・・・・・・・・
　シリンダー基体回転用モーター１０１０・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｒ
，Ｆ電源１０１１−１０１７　・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・原料ガス・ボンベ１０２１〜
１０２７　・・・・・マス・フロー・コントローラー１
０３１〜１０３７・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・ガス流入バルブ１０４１〜１０４
７　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ガス流出バルブ１０５１−１０５７　・・・・
・・・原料ガス・ボンベのバルブ１０６１〜１０６７・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・圧力調節器第６１図について、 ２００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・反応室２００２・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・メイン排気バルブ２００３・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・反応室リーク用バルブ２００４・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・真空計２００５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・基体加熱用ヒ
ーター２００６・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・シリンダ
ー状基体２００７・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・基体回転用モー
ター２００８・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・マ
イクロ波電源２００９・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導波管２０
１０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・誘電体窓２０１１〜２０１７・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・原料ガス・ボ
ンベ２０２１〜２０２７　・・・・・・・　マス・フロ
ー・コントローラー２０３１〜２０３７・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ガス流入バ
ルブ２０４１〜２０４７・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・カス流出バルブ２０５１〜
２０５７・・・・・・・原料カス・ボンベのバルブ２０
６１〜１２６７　・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・圧力調節器第
６２図について、 ３００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・成膜室３００２・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・活性化室（Ａ）３０
０３．３０１８　・・・・・・・・マイクロ波プラズマ
発生装置３００４．３０１９・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・原料ガス導入管３００
５．３０２０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・活性種導入管３００６　・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・モーター３００７・・・・・・・・・・・・
・・シリンダー基体加熱用ヒーター３００８．３００９
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・吹き出し管３０１０・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・シリンダー状の基体３０１１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・メイン排気バルブ３０１２〜３０１６・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・原料ガス
・ポンベ３０１７・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・活性化室（Ｂ）第６３図について、

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と、該支持体上に、長波長光吸収層、電荷
   注入阻止層、電荷輸送層、電荷発生層及び表面層とをこ
   の順で積層した層構成の光受容層を有し、前記電荷輸送
   層と前記電荷発生層とがシリコン原子を母体とし、水素
   原子およびハロゲン原子の中の少なくともいずれか一方
   を含有する非単結晶材料で構成され、且つ前記電荷輸送
   層が、炭素原子、窒素原子および酸素原子の中の少なく
   とも一種を含有すると共に、伝導性を制御する物質とし
   て周期律表第Ｖ族に属する原子を、層厚方向に不均一な
   分布状態で含有する部分を少なくとも有する事を特徴と
   する電子写真用光受容部材。